JPS60185771A - ヘテロ環置換エタン並びに液晶材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発す」ハ、ヘテロ垢Ｉｆ、ｊＪ＄　（ｈｅｔｅｒｏｃ
ｙｃｌｉｃａｌｌｙｓｕｂｓｔｌｔｕｔｅｄ　）エタン
類及び該物質の液晶材利並ひに装置ぺにおＣブるその用
途に係る。

デジタル割算器１時計、メーターや■１ｊ単なワードデ
ィスプレイのようなディスプレイ装置に液晶拐料を使用
して、電気光学効果を発現せしめることは既に周知であ
るが、公知の液晶杓料は全ての面で理想とはほど遠く、
当業界でｔ、ｌＩ液液晶科料性Ｊｊ！Ｌ改良を目的とし
たイｖ［死がかなり多く成されているのが現状である１
、 通常、液晶制料は特定の混合組成物から構成きれており
、改良された数種の性１）ｔを廟する新規な混合物を形
成することによって、例えは屁合物に組入れられる新規
化置物を提供することによって改良された液晶材料が佃
られる。

本発明で提供されるヘテロ穣置換エタンは式ＩＲＩＣｙ
　ＣＨｔ・ＣＨｔ　Ａ　Ｒａ　式！（式中、Ａはトラン
ス−２，５−ジ置換−１，３−ジオキザン猿および２．
５−ジ向換−１．３−ピリミジン楊から成る群から選択
されるヘテロ猿であり、 Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキル基であり、鳥は水素、
炭素数１〜１５のアルキル基及び炭素数１〜１５のアル
コキシ基から成る群から選択され、但しＡがトランス−
２，５−ジ置換−１，ａ−ジオキザン猿であれはＲｔは
アルキル基であり、 Ｃｙｔニドランス−１，４−ジｌ＃、換シクロヘキサン
猿である） を有する。

Ｒ１および烏のアルキル基、アルコキシ基としては、炭
素数１〜１０、望ましくは１〜７のｎ−アル゛キル基、
ｎ−アルコキシ基が好ましい。

式Ｉを有する化合物類のサブクラス群として、下記式１
ａ〜Ｉｄ（式中、ＲＩはアルキル基であり、Ｒはアルキ
ル基である）で表わされる化合物が挙けられる。

前記式１ａを有する化合物は、下記ルートＡに従って製
造され得る。なお、式中、山及び島はアルキル基であＪ
）、ＯＴｓはトルエン−４−スルホネート基を表わす。

ルートＡ 前記式１ｂ及びＩｃを有する化合物は、下記ルー）Ｈに
従って製造され得る。なお、式中、Ｒ１はアルキル基で
あり、Ｒ４はアルキル基または水素である。

前記式１ｅを有する化合物は下記ルートＣに従って製造
され得る。なお、式中、Ｒ１はアルキル基であ、り、＆
はアルコキシ基である０ ルートＣのステップＣ２で使用される出発材料３−（）
ランス−イーアルキルシクロヘキシル）プロピル　アミ
ジン塩酸塩は、ルートＢのようにして製造され得る。

前記ルー）Ａ−Ｃの各ステップの反応操作は公知の手順
に従って実施されるが、全体の反応操作は新規である。

式Ｉを有する化合物は、類似の公知化合物に比較して有
利な特性を示す０％に、式１ａを有する化合物は粘度が
低く且つ複屈折率も低く、従って下記スるコレステリッ
ク−ネマチック相転移動床装置の如き成る種のディスプ
レイ用としても、また英国特許出願公開第２１２３１６
３号明細書に記載されている如き装置にも有用である。

式ＡＩ （式中、Ｒ１及びＲはｎ−アルキル基である）を有する
化合物の複屈折率も低いｏしかしながら、式Ｉを有する
化合物は一般に、弐Ａ１を有する化合物ヨクもネマトグ
ニツク性（ｎｅｍａｔｏｇｅｎｉｃ　）に富んでいるが
、スメクトグニック性（ｓｍｅｅｔｏｇｅｎｉｃ　）は
乏しい。このことは、式ｌを有する化合物が電気光学デ
ィスプレイ用ネマチック着しくけキラルなネマチック混
合物に対する複屈折率の低い添加する化合物に比してよ
り正の誘電異方性を有する。

式Ｉを有する化合物の誘電異方性は比較的小さく、従っ
て前記式１を有する化合物は、遍自な誘電異方性を有す
る混合物を調製すべく公知の以下°′正”のｉたは“負
”の材料と呼称される（より大きい）正のまたは負の誘
電異方性を有する液晶材料に添加され得る。当業者には
周知の如く、液晶材料の＠電異方性は電気光学動作を与
えるうえで必須の賛素であり、（所与の周波数に対する
）その符号は液晶材料が使用される電気光学装置の種類
に応じて選択される。

高誘電異方性を有する成分としては、力）なり融点の低
い化合物パ゛好ましい０例えば、正の液晶材料として下
記式１ａ〜目（式中、Ｒはｎ−アルキル又はｎ−アルコ
キシ基であり、ＲＡはｎ−アルキル基である）で表わさ
れる化合物が適当である。

Ｒｆｃｏ　、ｏ←くゴ鴛冨）−ＣＮ　弐鳳１式Ｉを有す
る化合物は下記する如き他の誘電異方性の小さい化合物
に、例えば混合物の融点や粘度を下げるべく若しくはマ
ルチプレックス１目（ｍｕｌｔｉ訛１ｂｌｌｌｔｙ　）
を改善すべく添加、追カロされイ尋る。下記式中、Ｒは
ｎ−アルキル基またはｎ−アルコキシ基であり、ＲＡは
ｎ−アルキル基ｃｈｖ。

Ｒ’ｉ”ｍ　ｎ　−７／’キル基１り−アルコキシ基ま
たは水素であり、ＸはＨま７′ｃはＦであり、Ｑはノへ
ロゲン（例えばｃｔ　、　Ｂｒ）である。

ＲＡ　＋ｃｏ　、ｏ舎ＲＡ　式ｌＣ Ｒム一（イΣべ＝）２Ｒ式！ｄ ＲＡ−（←二＄Ｑ　式厘ｅ Ｒ←６Ｄ−ｃＨ＝Ｎ−（リーＲ１式１ｋＲ−６０Σ＠−
Ｒ”　弐りｎ 少くとも１ｍの式ｌを有する化合物が少くともｌ穐の弐
１ａ−１１を有する化合物に添加される。

このとき式１ａ＝Ｉｎを有する化合物１種もしくはそれ
以上を併せて添加してもよい〇 更に、澄明点の高い化合物、例えば Ｒ，＋ｃｏ、ｏ（◇Ｈ５ウーＣＮ　式ｔｖｂｉｆΣＸ区
）→ｃＯ、ｏ　ツ舎ＣＮ　式ＮａＲ，−べα＋◇−６リ
ーＣＮ　弐バｄ Ｒ＋ｃｏ　、　ｏ　（ｏΣべ区））ＣＮ　式■ｅＲＡ＋
ＣＨｔ１÷Ｘ■−ＣＮ　唖ｊ ｒ （式中、Ｒｇ　ＲＡ　ｅ　Ｘ及びＹは前記と同義である
）を有する化合物を１種またはそれ以上を前記混合物に
含めてもよい。

必要ならば、他の公知の添加剤、例えはＲＣｉＣＮ　Ｃ
式中、ＲＣ＝…−２−メチルブチル）及びＲｏ（弓Ｒβ
）−ｃＮ（式中、島＝（ト）−２−メチルブトキシ）の
如きキラルな添加剤を混合物に組入れてもよい。

式１を有する化合物と他の化合物を混合（配合）して得
られる液晶材料は、下記材料のいずれかであり得る。

（１）　マルチプレックス式装置を含めてねじれネマチ
ック効実装置に使用する正のネマチック材料；以下にこ
の種の装置の例を記載する。

（１１分子配列が電界によってホメオトロピック組織（
ＯＦＦ状態）からホモジニアス組織（ＯＮ状態）に変換
され得るフレデリック効１にデバイス（負のネマチック
タイプ）に使用する、好ましくは多色性染料をも含む負
材料； 以下にそのような装置の例を記載する。

（ｌｉｌ）　分子配列が電界によってホモジニアス組織
（ＱＦＦ状態）からホメオトロピック組織（ＯＮ状態）
へ変換され得る（正のネマチックタイプの）７レデリツ
ク効実装置に使用する、好ましくは多色性染料をも含む
正のネマチック材料；Ｑｖｌ　分子配列が電界によって
ホモジニアス組織Ｃ０ＦＦ状態）から散乱７オ一カルコ
ニツク組織（ＯＮ状態）に変換され得るコレステリック
記憶モード装置に使用される、過切な抵抗率（約１０’
　ｏｈｍ　−ｃｍ　）を有するコレステリック（キラル
ネマチック）である負材料； （ψ　分子配列が電界により弱散乱即ち清澄な（ｃｌｅ
ａｒ　）表面配列ホメオトロピック組織（ＯＦＦ状態）
から強散乱ねじれホモジニアスｆｉ［１ｉ（ＯＮ状態）
へ変化され得るコレステリック−ネマチック相転移動実
装置（正のコントラストタイプ）に使用される、好まし
くは多色性染料をも含むコレステリックである強負材料
： （ｖｐ　分子配列が電界によって散乱フォーカルコニッ
ク組織（ＯＦＦ状態）から清澄なホメオトロピック組織
（ＯＮ状態）に変換され得るコレステリック−ネマチッ
ク相転移動実装置（負のコントラストタイプ）に使用さ
れる、好ましくは多色性染料をも含むコレステリックで
ある正材料： （Ｖｌｉ）　分子配列が電界によって清澄ホメオ）１＝
ビック組織（ＯＦＦ状態）から乱散乱組織（ＯＮ状態）
に変化され得る動的散乱効果装置に使用される、適当な
抵抗率（約１０＠ｏｈｍ−ｃＩｎ）の負のネマチック材
料： ＆ｔ＋Ｄ　材料の酵電異方性が（低周波数で）正（ＯＦ
Ｆ状態）から高周波数電界の印加によｐ負（ＯＮ状態）
に変化し得る２周波数スイッチング効実装置（ねじれネ
マチック効実装置でよい）に使用するネマチック材料； （転）同時係属中の英国特許出願公開第２１２３１６３
号８Ａ細書に記載の装置に適する材料。

上記装置の構成及び動作並びに該装置に使用するのに適
した液晶材料の種類は公知である。

液晶材料をねじれネマチック効果、コレステリック−ネ
マチック相転移効果（負のコントラストタイプ）或いは
７レデリツク効果（正のコントラストタイプ）装置に使
用する場合、液晶材料が次の成分を含むことが好ましい
。

成分Ａ：少なくとも１種の式Ｉを有する化合物成分Ｂ：
少なくとも１種の式１１ａ〜１１を有する化合物。

加えて 成分Ｃ：少なくとも１種の式１ｇ−Ｉｎを有する化合物
； 成分Ｄ：少なくとも１ｍの式バａ＝ＩＶｌを有する化合
物： 成分Ｅ：少なくとも１種のキラル添加剤：の何れか１種
を任意成分として添加してもよい。

ねじれネマチック効果やフレデリック（正のネマチック
）効果の場合には、液晶材料中の各種成分の割合は次の
通りでよい（各成分の合計は１００％とする）。

成分人＝５〜９５重量％（典型的には５〜７５重量％） 成分３２５〜９５重量％（典型的には１０〜５０重量％
） 成分Ｃ：０〜９０重量％（典型的には５〜２５重量％） 成分Ｄ：０〜３０重童％（典型的には０〜２０重量％） 成分Ｅ：０〜５重量％（典型的には０〜１重量％） 相転移（負のコントラストタイプ）の場合には次の割合
が使用され得る。

成分Ａ乃至り二上記割合 成分Ｅ：２〜２０重童％（典型的には４〜５重量％） ７レテリツク（正のネマチック）及び相転移（負のコン
トラストタイプ）効果の場合には、液晶材料に対して混
合物の１，５〜１５重量％の量割合で多色性染料を添加
することが好ましい。英国特許出願公開第２０８１７３
６号、第２０８２１９号及び第２０９３４７５号明細書
に記載されている染料が適当である。典型的には、各染
料化合物の配合割合は混合物の１〜３重景％である。

式Ｉを有する化合物を含む液晶材料（ｒｉ全公知方法で
、例えば等方性液体を形成すべく適正ｆＪ、重量割合の
各成分化合物を単に加熱する（例えば約１００℃）如く
して形成され得る。

より一般的な混合物の具体例を提供するには、少なくと
も１種の式Ｉを有する化合物を上記した使用目的に使用
される以下に挙げる化合物の少なくとも１種と混合すれ
ばよい（実際の用途は混合物の性質に依存する）０なお
、以下の式中、’　Ｘ　ｔユ１．４−フェニレンＮ　＊
　４．イービフェニルイル基。

２．６−ナフチル基またはトランス−１，４−ジ置換シ
クロヘキツーン環であ多、ｈはＣ’Ｎ　、　Ｒ’、ハロ
ゲンまた（づ、ＣＯ・ｏ−ｘ−ｙ’（ｙ’はＯＮ　、　
Ｒ’　またはＯＲ’　）でｈＬｎ及びＲ′はアルキル基
である。

Ｉ　Ｒ（◇Ｘ→−Ｙ。

ＩＩ　Ｒ→■◇バ→−Ｙ。

上掲した化合物のベンゼン環の水；！＜原子の少なくと
も一つをハロゲン（例えばＦ）で置換した化合物の誘導
体を使用してもよい。

式Ｉを有する化合物の混合物に占める割合は５〜９５重
量％が好ましい。

本発明の別の特徴をなす液晶装置は２個の誘電性基板と
、基板間に挟持（サンドインチ）された液晶材料層と、
基板の内表面上にあって前記液晶材別層に電気光学効果
を付与すべく電界を液晶材別層を横切って印加させるた
めの電極とを含み、１５ｉＪ記基板の少なくとも一方は
光学的に透明でちゃ、液晶Ｉ利は式Ｉを有する化合物を
少なくとも含む。

この装置は、マルチプレックス方式で操作されてもよい
しそうでなくてもよいねじれネマチック効実装甑、コレ
ステリック−ネマチック相転移動実装置、フレデリック
効実装置又は２周波数スイッチング効実装置でもよく、
これらは公知の方法で構成され得、更に上記した他の装
置のいずれでもよい。これらの装置中に式Ｉを有する化
合物を使用する各種方法は上記に概説したと訃りであり
、当業者には明らかであろう。

以下、式１を有する化合物の製造方法及び特性を例示す
る。実施例中、ｍｐは融点、ｂｐは沸点の略号である。

実施例１ 弐１ａ（式中、Ｒ１＝ｎ　ＣＩＩＨＩＩであり　ｉ（、
＝　ｎ　（４Ｈｙである）をイイする化合物の上記ルー
）Ａによる製造ニ ステップＡｌｔ等はステップＡ１等の１例である。

ステップＡｌａ トランス−４−ペンチルシクロヘキサン−１−カルボン
酸からのトランス−４−ベンチルシクロヘキ’９−＝ｙ
−１−カルボン酸クロライドの生成：Ｐｒａｃｔｉｃａ
ｌ　Ｏｒｇａｎｌｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ、第４版、第
４９８負（１９７８）にＡ、　１．　Ｖｏｇｅｌが記載
している如き、カルボン酸クロ２イドの対応する酸から
の生成のための典型的な手法に従って本ステップを実施
する。

ステップＡ２ａ トランス−４−ペンチルシクロりキサン−１−カルボン
酸クロライドからのトランス−４−ペンチルシクロヘキ
シルメタノールの生成：Ｐｒａｃｔｉｃａｌ　Ｏｒｇａ
ｎｉｃ　Ｃｈｅｍｌｓｔｒｙ、第４　月反、　第３０４
ＪＡ（１９７８）にＡ、　１．　Ｖｏｇｅｌが記載して
いる如き、酸クロライドのアルコールへの還元のための
典型的な手法に従って本ステップを実施する０生成物の
トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルメタノール
のｌ、ｐ＝１６２℃（２５ＭＨシにおいて）。

ステップＡ　２　ａで生成されたメタノールからのトラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキシルメチルトルエン−１
−スルホネートの生成： Ｐｒａｃｔｉｃａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔ
ｒｙ、　第４版、第６５４：Ｒ（１９７ｇ）にＡ、　１
．　ＶｏｇｅｌがＷＣ載している如き、アルコールカラ
トルエン−４−スルホオー４ｔｖ生成のための典型的な
手法に従って本ステップを実施する。生成物のトランス
−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルメチル　トルエン−
イースルホネート（収率８０％）のｍｐ＝５３−５５℃
。

ステップＡ４ａ ステップＡ３ａで生成されたトルエン−イースルホネー
トカラのトランス−４−ペンチルシクロヘキシルメチル
マロン敵ジエチルの生成：マロン酸ジエチル（０，２１
モル）をナトリウムエトキシドのエタノール溶液（予め
金酋ナトリウム（０，２０４ｇ７Ｊｉ子）に無水エタノ
ール（１００ｍ）を注入して調製）を流加する。添加完
了後、温度を５０℃に＋ｇ整し、次いでトランス−４−
ペンチルシクロヘキシルメチル　トルエンーイースルホ
ネー）（０，２０４モル）のエタノール（３００ｃｒｄ
）溶液を１時間に亘って流加する。反応混合物をユニバ
ーサルインジケータで中性になるまで還流加熱する。そ
の後トルエン−４−スルホン酸ナトリウムの白色沈殿を
ろ別し、無水エタノールで洗浄する。Ｐ液と洗浄液を合
わせ、溶媒を真空除去する。残留物を水（１５０７）に
注ぎ、混合物をエタノールで抽出する（３Ｘ５０ｍ）。

エタノール層を合わせ、水洗しく１００ＣｒＩ）、Ｍｇ
　Ｓ　０４で乾燥後、溶媒を真空除去する。残留物を減
圧蒸留で精製する。

トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘギシルメチルマｐ
ン服ジエチル（６０％）のｂｐ”：１２４−１３０℃（
０，０５ｍＨｇにおりる）。

ステップＡ５ａ ステップＡ　４　ａで生成されたトランス−４−メチル
シクロヘキシルメチルマロン酸ジエチルからの３−（）
ランス−イーペンチルシクロヘキシルプロパン酸の生成
： Ｏｒｇａｎｌｃ　５ｙｎｔｈｅｓｅｓ、　Ｃｏ１１ｅｃ
ｔｉｖｅ　Ｖｏｌｕｍｅ　ｌ、第４１６負にＥ、　Ｃ，
ＶＩＪｅｔ、　Ｃ，Ｓ、　Ｍａｒｖｅｌ　とＣ，Ｍ、　
ＨＩＩｕｅｈ　が記載している如き、アルキルマロン酸
ジエチルの加水分解と続く脱カルボキシル化のための典
型的手法に従って本ステップを実施する。生成物の３−
（）ランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）プロパ
ン酸（収率７１％）のｍｐ”＝　８５−８７℃。

ステップＡ６ａ ステップＡ５ａＫ生成されたプロパン酸からの３−（）
ランス−イーベンチルシフレヘキシ、−）プロパノール
の生成： Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　、２４．１
５４３頁（１９８３）Ｋ　Ｔ、　Ｆｕｊｌｓａｗａ等が
記載している如き、カルボン酸のアルデヒドへの還元の
ための典型的手法に従って本ステップを実施する。生成
物の３−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル
）プロパノール（収率７３％）のｎ１ｐ’＝１０３−１
０５℃（０，３ｍｎＩ４’ｉ　における）。

ステップＡ７ａ Ａ化ｎ　−７ｏ　ヒルカラのｎ−プロピルマロン酸ジエ
チルの生成： Ｐｒａｃｔｉｃａｌ　Ｏｒｇａｎｌｅ　Ｃｈｅｒｎｉｓ
ｔｒｙＸ第４版、第４９１負（１９７８）にＡ、　１．
　Ｖｏｇｅｌが記載している如き、過当な臭化アルキル
を使用するマロン酸ジエチルのアルキル化のための典型
的手法に従って本ステップを実施する。

ステップＡ　８　ａ □−プロビルマロン酸ジエチルからの２−　ｎ　−プロ
ピルプロパン−１，３−ジオールの生成：Ｐｒａｅｔｉ
ｃａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣｈｅｍｉｓｔｒｙＸ第４版
、第３６２貝（１９７８）にＡ、　１．　Ｖｏｇｅｌが
記載している如きジエステルのジオールへの還元のため
の典型的手法に従って本ステップを実施する。

ステップＡ９Ｂ ステップＡ６ａ及びＡ８ａの生成物からの２−（トラン
ス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルエチル）　−ｓ　
−ｎ−プロピル−１，３−ジオキサンの生成： ２−　ｎ　−クロビルプロパン−１，３−’；：Ａ−ｋ
（０，００７モル）、ａ−（）ランス−イーペンチルシ
クロヘキシル）プロバノール（０，００７モル）。

トルエン−４−スルホン「収（ａ　ｏ　ｍｇ　）　＆ヒ
無水ヘンゼン（３４ｍ）の混合物を、Ｄｅａｎ　ａｎｄ
　５ｔａｒｋ装置で２時間生還流加熱し、反応過程で生
じた水を除去する。溶媒を真空除去し、残留物をエーテ
ル（８０ｃＩｌ）で抽出する。溶液ｆ：２％炭１１炭水
１★水素ナトリウム水油液、５ｏｃｎ）で洗浄し、水洗
しく２Ｘ４０ｃ＋＋ｆ）、乾燥しく　Ｎａｍ５Ｏ４）、
濾過する。

次いで溶媒を真空除去する。粗生成物をメタノールで再
結晶させ、トランス−異性体を得た（シス−異性体は母
液中に残る）。生成物の２−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシルエチル）−５−ｎ−プロピル−１，
３−ジオキサンのｍｐ＝４４℃であり、光学顕微鏡によ
り４２℃で単変性ネマチック−等方性転移が確認された
。

同様にして製造された他の化合物の転移温度を以下に示
す。

する化合物 ｍｐ＝２９℃、 ｃｐ　（澄明点若しくはネマチック−等方性液体転移温
度）＝３６℃、 スメクチックローネマチック転移温度＝２５℃。

実施例１の方法に従って製造された化合物の例を、第１
ａ表に示す。

第１ａ表 ＲＩ　Ｒ鵞 ＣＨｓ　ｎ　−ＣｍＨ２ｍ＋　１　ｍ　＝　１〜１２Ｃ
１１，（ト）−２−メチルブチル Ｃ雪Ｈｓ　ｎ　ＣｍＨｚｍ＋ｔ　Ｆｘ〜１２Ｃ鵞Ｈｗ　
Ｈ→−２−メチルブチル ｎ　ＣＩＨｖ　ｎ　’　ＣｍＨ２ｍ＋１　”””’　〜
１２ｎ　ＣＨＩｈ　田−２−メチにフチｔｂｎ−Ｃ４Ｈ
＠　ｎ−ＣｍＩ（２ｍ＋１　ｍ＝　１〜１２ｎ−Ｃ４Ｈ
＠　（ト）〜２−メチルブチルｎ−Ｃ＋Ｈｏ　ｎ−Ｃｍ
Ｈ２ｍ＋ｓ　ｍ＝１〜１２ｎ　Ｃ６Ｈ１１…−２−メチ
ルブチル ｎ−Ｃ＠ＨＨｎ　ｃｍＨ，ｍ＋、　ｍ＝１〜１２ｎ　−
Ｃ６Ｈ□　田−２−メチルブチルｎ　ＣｖＨ＋ｓ　ｎ　
’ｍ”ｍ”　ｍ＝　１〜１２ｎ　Ｃ？ＨＩ＠　田）−２
−メチルブチルｎ−ＣａＨＩｆｆ　ｎ−ＣｍＨ２ｍ＋１
　ｍ＝１〜１２□−ＣＩＩＨＩ？　（ト）−２−メチル
ブチルｎ−Ｃ＠Ｈ１＠　ｎ−ＣｍＨ２ｍ＋１　ｍ＝　１
〜１２ｎ　Ｃ＠Ｈｘ。　ｔ＋１−２−メチルブチルｎ　
Ｃ１ｏＨｔｔ　、ｎ　ＣＪＩ２ｒ１１＋１”＝１〜１２
゜−Ｃ８゜Ｈ□　ｆ＋）−２−メチルブチルｎ　ｃｌｌ
ｌｈｍ　ｎ　ｃｒｎｎ２ｎ、＋１ｍ＝　１〜１２ｎ−Ｃ
ｔＩＨｚｇ　［−ｔ→−２−メチルブチルｎ　Ｃ１＊Ｈ
Ｂ　ｎ　ＣｍＨｚｍ＋１　ｍ＝１〜１２ｎ−ＣｘｔＨ＊
ｗ　Ｆｔ→−２−メチルブチＪ−でおる）を有する化合
物の上記ルートＢによる製造ニ ステップＢ１ａ等はステップＢ１等の１例である０ ステップＢ１ｍ トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルメタノール
（実施例１のステップＡ１ａ及びＡ２ａで記載した方法
により４−ｎ−ペンチルシクロヘキサン−１−カルボン
酸から生成した）からの臭化トランス−４−ｎ−ペンチ
ルシクロヘキシルメチルの生成： Ｐｒａｃｔｉｃａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔ
ｒｙ、第４版、第３８７負（１９７ｇ）にＡ、　１．　
Ｖｏｇｅｌが記載している如き、アルコールの臭化アル
キルへの変換のための典型的手法に従って本ステップを
実施する。生成物のＪｉＬ化）ランス−４−ｎ−ペンチ
ルシクロヘキシルメチルのｂｐ＝１６５℃（２５セＨｇ
における）。

ステップＢ２ａ 適娼なＪｌ）シンスー４−　ｎ−ペンチルシクロヘキシ
ルメチルからの３−（）ランス−イーペンチルシクロヘ
キシル）プロピオニトリルの生成ニジアノ酢酸エチル（
ＩＱ、３０８モル）をナトリウムエトキシドのエタノー
ル４景拌溶液（金属ナト’）’）ム（０，３０８ｇ原子
）に無水エタノール（２５０７）を流し１予−製した）
に流加する。

混合物を還流加熱後、臭化トランス−４〜ｎ−ペンチル
シクロヘキシルを流加する。泗加完了後、混合物を３時
間還流加熱する。エタノールを真空除去し、残留物を水
（１５０７）に注入する。混合物をエタノールで抽出し
く３Ｘ６ｃｎｒ）、エタノール相を合せ、水洗しく、ｚ
ｘａｏｃｎ）、乾燥（ＭｇＳＯ番）、濾過した。次いで
溶媒を真空除去する。

粗エステルを冷ｌＯ％水酸化ナトリウム水溶液に流加し
、混合物を室温で２時間攪拌する。その後、混合物をエ
ーテル（６０ｃ＋＋ｆ）で抽出し、水相を識塩酸で酸性
化する。混合物をエーテル（３×６０７）で抽出し、エ
ーテル相を合せ、水洗しく３Ｘ６０ｃｄ）、乾燥（Ｍ、
７ＳＯ４）、沖過後、溶媒を真空除去する。

残留物を１８０℃で５０分間、ＣＯｘが発生しなくなる
まで加熱する。粗ニトリルを減圧蒸留して精製する。生
成物の３−（トランスルイーｎ−ペンチルシクロヘキシ
ル）プロピオニトリルのｂｐ＝８６℃（０，５〜ｎｇ　
における）。

ステップＢ３ａ ３−（トランス−４′−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）
プロピオニトリルからの３−（）？ンスー（−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−１−エトキシプロビル−１−イ
ミンｉａｐ塩の生成：Ｍｏｌ、　０ｒｙｓｔ、　ＬＩＦ
、　Ｃｒｙｓｔ、、　４２．　ｍ　２１５　ｊ４ら （１９７７）にＡ、　Ｂｏｌｌｅ賞Ｃ記載している、ニ
トリルからのエトキシアルキルイミン塩酸塩の生成のた
めの典型的手法に従って本ステップを実施する。

カラの３−（）ランス−イーｎ−ペンチルシクロヘキシ
ル）プロビルアミジン塩酸塩の生成：Ｍｏ１．　Ｃｒｙ
ｓｔ、　Ｌｉ１Ｆ、　Ｃｒｙｓｔ、、　４２．第２１５
負（１９７７）Ｋ　Ａ、　Ｂｏｉｌｅｒ等が記載してい
る、エトキシアルキルイミン塩酸塩からのアミジン塩酸
塩の生成のための典型的手法に従って本ステップを実施
する。

ステップＢ５ａ プロパナールからのジエチル　ｎ−１０ピルアセタール
の生成： Ｓｙｎｔｈｅｓｉｇ、第５０９頁（１９７５）にＡ、　
ＡｒｅｎｔｚｅｒｂＹ、　Ｔ、　Ｙａｎ　ＫｕｉとＣ−
Ｂ、Ｒｅｅｓｅが記載している、アルデヒドからのジエ
チルアセタールの生成のための典型的手法に従って本ス
テップを実施する。

ステップＢ６ａ ジエチルアルキルアセタールからの２−　ｎ−プロピル
−３−エトキシプロパナールの生成：Ｃｏ１１．　Ｃｈ
ｅｃｈ、　Ｃｈｅｍ、　Ｃｏｍｍ、、　２３．第４５２
負（１９５６）にＺ、　ＡｒｎｏｌｄとＦ、　５ｏｒｍ
が記載している、アセクールの生成のための典型的手法
に従って本ステップを実施する。

ステップＢ７ａ ３−（トランス−１−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）プ
ロビルアミジン塩酸塩と２−Ｌ−ｎ−プロピル−３−ニ
ドキシン°ロバナールかうの２−（）、Ｆンスーイーｎ
−ペンチルシクロヘキシルエチル）−５−ｎ−プロピル
ピリミジンの生成：う にＡ、　ＢｏｌｌＪＥ記載している如き、アミジン塩酸
塩と２−アルキル−３−エトキシプロベナールカラのピ
リミジンの生成のための典型的手法に従って本ステップ
を実施する。

実施例３ 式夏ｄ（式中、ＲＩ＝ｎ−Ｃ８Ｈ，、であ’）　Ｒ意＝
ＯＲ＝ｎ−ＣＩＨ？である）を有する化合物の上記ルー
トＣによる製造ニ ステップＣ１ａ ｎ−プロビルオキシｓ酸エチルからのｎ−プロピルマロ
ン酸ジエチルの生成： Ｃｈｅｍ、　Ａｂｇｔｒ、、　６４．１２．６．７３（
１９６６）に記載されている如きアルコキシマロン酸ジ
エチルの生成のための典型的手法に従って本ステップを
実施する０ ステップ０２ａ ステップＢ４ａで生成した３−（トランス−イーｎ−ペ
ンチルシクロヘキシル）プロピルアミジン塩酸塩とステ
ップＣ１ａで生成したｎ−プロピルオキシマロン酸ジエ
チルから２−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキ
シルエチル）　−Ｓ　−ｎ−プロビルオキシ−４，６−
シヒドロキシピリミジンの生成： 東独特許第９５８９２号明細１”に記載されている如き
、アミジン塩酸塩七アルコキシマロン酸ジエチルからジ
ヒドロキシピリミジンの生成のための典型的手法に従っ
て本ステップを実施する。

ステップＣ３ａ ２−（）ランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルエチ
ル）　”　５−　ｎ　−７’ロピルオキシ−４，６−ジ
ヒドロキシピリミジンからの２−（トランス−（−ｎ−
ペンチルシクロヘキシルエチル）−５−ｎ−プロピルオ
キシ−４，６−ジクロロピリミジンの生成： 東独特許第９５８９２号明細書に記載されていル如キヒ
ドロキシビリミジンの４’ｔ、＜乙のための典型的手法
に従って本ステップを実施する。

２−（）ランス−（−ｎ−ペンチルシクロヘキシルエチ
ル）　−５−ｎ−プロピルオキシ−４，６−ジクロロピ
リミジンからの２−（トランス−４−ｎ−ペンチルシク
ロヘキシルエチル）　−５−ｎ　−プロピルオキシピリ
ミジンの生成： 東独特許第９５８９２号明細書に記載されている如き、
ジクロロピリミジンの接触脱クロル化のための典型的手
法に従って本ステップを実施する。

実施例１及び２の方法に従って製造した化合物を下記ｍ
ｌｂ表に例示する。

第１ｂ表 ＲＩＲ。

ＣＨｓ　ｎ　Ｃｍ　Ｈ２ｍ＋　１　ｍ　””　０〜１２
Ｃｆ（ｎ　ｎ　ＣｐＨ２ｐ＋１０　ｐ　＝　１〜１２Ｃ
Ｈ，（ト）−２−メチルブチル （４１１Ｂ　ｎ−ｃ、ｎＨ，ｍ＋、＋７１　＝　０〜１
２Ｃｄ（＋＋　ｎ　Ｃｐ　Ｈ２ｐ＋ｓ　Ｏｐ　””　１
−１２Ｃ，Ｈ，田−２−メチルブチル ｎ　Ｃ１Ｈｑ　ｎ　Ｃｍ　Ｈ２ｍ＋１　ｍ−０〜１２ｎ
　Ｃ＠Ｈｑ　ｎ　Ｃｐ　Ｈ２ｐ　＋１０　ｐ　１１　ゞ
１２ｎＣ＠Ｈｑ　−−２−メチルブチル ｎ　ＣａＨｓ　ｎ　ＣｍＨｔｍ＋、　ｍ＝０〜１２ｎ　
Ｃ４Ｈ＠　ｎ　’ＰＨ２Ｐ＋１０Ｐ　””　”　〜”　
２ｎ　Ｃ４Ｈ＠　…−２−メチルブチル ｎ　ｃｌｌＨｌｌ　ｎ−ＣｍＨ２ｍ＋ｔ　ｍ＝（１〜１
　２ｎ　ｃｌｌ（１１ｎ　ＣｐＨ１ｐ＋１０　ｐ＝１〜
１２ｎ−Ｃ４Ｔ（ｔ＊Ｈ→−２−メチルブチルｎ−＝Ｃ
４Ｈ１３１−ｎ−ｃｍａ２ｍ＋１　ｍ＝０〜１２ｎ　Ｃ
＠ｎｕ　ｎ　Ｃｆ、Ｈｚ、＋１ｐ＝１〜１２ｎ　−Ｃ＠
Ｈ□　…−２−メチルブチルｎ　Ｃｄ（Ｂ＋　ｎ　Ｃｍ
Ｈ２ｍ＋１　ｍ＝　Ｏ〜１２ｎ　ＣＩＦＨ１６ｎ　Ｃｐ
Ｈ２ｐ＋１０　ｐ＝１′″″１２ｎ　−ＣＩＩ（ＩＩＩ
　…−２−メチルブチルｎ　Ｃ６Ｈｔ？　ｎ　Ｃｍ）（
４ｍ＋１　ｍ＝０〜１２ｎ−Ｃ８Ｈ１？　ｎ−ＣｐＨ２
ｐ＋１０　ｐ　＝　１〜１　２ｎ　Ｃ８１１１？　（＋
４　”−メチルブチルｎ　Ｃ＠Ｈ＋＠　ｎ　ＣｍＨ２ｍ
＋１　ｍ＝０〜１２ｎ−Ｃ６Ｈ５゜　１ｌ−ＣｐＨ２ｐ
＋１０　１１　＝　１〜１２！Ｉ−Ｃ８１１１？　Ｈｌ
−２−メチルブチルｎ−ｃｌＯＨＨｎ−ｃｎｌ）Ｉ２ｍ
＋□ｍ＝０〜１２ｎ　Ｃ１（ＩＨＩＩ　ｎ　Ｃｐ　Ｈ２
ｐ＋１０　ｐ　〜１〜ｌ　２”　Ｃ５ｏＨ＊＊　ｍ−２
−メチルブチルｎ　Ｃ＊＋Ｈｔｍ　ｎ　ＣｒｎＨ２１Ｔ
ｌ＋１　ｍ＝０〜１２ｎ　ＣＩ、Ｉｂｓ　ｎ　ｃｐｎ、
ｐ＋□ｏ、　ｐ＝ｌ−１２ｎ＝Ｃ，、Ｈｌ　田−２−メ
チルブチルｎ　ＣｕＨｍｓ　ｎ　ＣｍＨ２ｍ＋１　ｍ＝
０〜１２…　Ｃ１ｔｕｔｓ　ｎ　ＣｐＨ２ｐ＋、Ｏｐ＝
１　〜ｌ　２ｎ−Ｃ１鵞Ｉ（！１　…−２−メチルブチ
ル田−２−−ｉｔＪｆル＋７；４ＪＬｋ　ｎ　Ｃｍ１−
Ｒ２−４１ｍ＝０〜１２…−２−１７１＋ｂ〕・・４’
　ｔ　＊　ｎ　ｃ　Ｐ　１１２　ｐ　＋１　ｐ　＝ｉ　
〜１　２！−１−１−２−〆・４＋レブ〉１４所　…−
２−メチルフ゛チルルートＢに従って製造された化合物
の転移濁度を以下に示す０ 式 を有する化合物のｍｐ＝４１５℃であり、ｃｐ＝［−２
０℃〕　（実除の伝移）である。

更に、式■を有する化合物の特性を以下に承す０式１を
有する化合物の複屈折率Δｎを測定したところ、４ラム
めて低かった。ネマチック精１（展札囲における結果を
下記表Ｒ１に示−」０ 表　Ｒ１ ｔ−１−ｊる化合物を市販材料ＺＬＩ　１２８９（Ｅ　
Ｍｅｒｃｋ社より入手）に添加した場合の効果を検討し
たところ、 を有する化合物３０重量％のＺＬＩ　１２８９　７０重
量％に対する添加により弾性定数比Ｋａａ／Ｋｓｘｔｉ
減少した。カンマε上／Δ６も低下した０２種の式Ｉを
有する化合物の外挿ネマチック粘度を市販のネマチック
物質ＺＬＩ　１１３２（Ｅ　Ｍｅｒｃｋ社より入手）及
び下記式 を有する化合物を等重量ずつ含む混合物である工３２／
Ｉ　３５／Ｉ　５２物質中で測定した。

結果を下記表８２に示す。

表Ｒ２ を有する化合物３０重量％と市販のホスト物質ＺＬＩ　
１２８９（Ｅ　Ｍｅｒｃｋ社より入手）７０重量％との
混合物のマルチブレックス性に係る性質を下記光Ｒ３に
示す。表中各パ２メータは、例えば英国特許出願公開第
２０９７４１８号明細書に定義付けられているように当
業者に公知である。

表Ｒ３ 本発明を具体化する材料及び装置の具体例を添附図面を
参照し乍ら説明する。

第１図〜第４図のディスプレイは、スペーサー４によｐ
約７μｍの間隔で保持されている前部および後部の２枚
のガラススライド２，３から形成され且つエポキ、シ樹
脂接着剤によって一体化されているセル１からなる。液
晶材料１２は、スライド２，３とスペーサー４の間の間
隙に充填される。

フロントガラススライド２の前に、前部偏光子５を偏光
軸が水平になるように配列して置く。反射板７をスライ
ド３の後方に置く。後部偏光子６或いは検光子をスライ
ド３と反射板７との間に載置するＯ 典型的には１００人の厚さの酸化スズの電極８゜９を完
全な膜としてスライド２．３の内面につけ、第３．４図
に示された形にエツチングする。ディスプレイは１個の
数字１０に７本のバーを有し、さらに各々の数字の間に
は小数点１１がある。第３図に示したように、後部電極
構造体は３個の電極Ｘ１．　Ｘ２　、　Ｘｓから成って
いる。同様に前部電極構造体は数字および小数点毎に３
個の電極Ｙ、　ＩＹ、　、　Ｙ３・・・・・・から成っ
ている。数字毎の６個の電極を検査して、適切なＸ、Ｙ
電極に適当な電圧を印加することによす８１ＶＡの素子
の各々は独立に印加電圧を有することが知見される。

組み合わせる前に、電極を担持したスライド２゜３をき
れいに洗浄した後０．２重量饅のポリビニルアルコール
（ＰＶＡ）水溶液に浸す。乾燥時該スライドは柔かい布
で−ナ方向に擦過後、互いに擦過方向が垂直で各々の隣
接偏光子の光軸と平行になるように、すなわち偏光子が
交叉するように組み合わせる。ネマチック液晶材４Ｉ１
１２をスライド２．３の間に導入すると、スライド表面
で分子は各々のスライＦの擦過方向に治って並びスライ
ド間で次第にねじれる。

セルｌに電圧が印加されないときは、光は前部偏光子５
を過少、セル１を通勺（この間に偏光面は９０’回転す
る）、後部偏光子６を通り、反射面７で反射して観測者
に達する（第１図参照。観察者はスライド２，３の面内
のＸ軸およびＹ軸に垂直な２軸に対して４５°の角度に
ある／）。２個の電極８．９間にしきい値より高い電圧
を印加すると、液晶層１２は光学的活性を失ない１分子
到達しなくなって観測者に到達せず、観測者には数字１
０の１つ或いはそれ以上のバーの暗い表示しか見えない
。

第５．６図および第７図に示されたように、３連続時間
間隔で線走査方式で電圧を印加する。各各のＸ電極を順
に３■／２の電位に、一方残りの或いはＶ／２にする。

交叉する点で３■／２と一３Ｖ／２が一致すると、液晶
層１２匿３■の電圧が印加されることになる。それ以外
の点では電圧はＶ或いは−Ｖである。かくの如（３Ｖ／
２がＸ電極に走査されたときに適切なＹ電極に一３Ｖ／
２を印加することによシ、特定の交叉点がオン状態にな
る（図に黒丸で示される）。電圧■は例えば１００Ｈｚ
矩形波の交流シグナルで、符号は位相を表わす。

第１〜７図に示された装置が、電極がオンおよびオフの
交叉点或いはディスプレイ素子間に分配されるため、マ
ルチプレックス式ディスプレイであることは当業者には
明らかであろう。

上記装置の材料１２に用いられるのに適した本発明の具
体的ｔＩｉ材料は、下記第１２表に示す混合物１である
。

第１２表　混合物１ 化合物　重量％ ｎ　’Ｃ４Ｈｇ％ＣＮ１５ ＣｍＨｇ＄　ＣＮ　１５ れ−Ｃ４Ｈ９でＸ）ＣＮ１５ 少量の光学活性物質をネマチック材料に加えて液晶層の
分子に好ましいねじれを生じさせてもよい。この処理お
よび適切なスライド表面処理を用いると英国特許出願第
１，４７２．２４７号および第１．４７８，５９２号明
細書に教示されたディスプレイパッチ（ｐａｔｃｈｉｎ
ｅｓｓ　）の問題を解決できる。

適切な光学活性な物質は以下のものである：約０．１〜
０．５重量％の０１５および約０．０１〜０．０５重量
％のＣＢＩ　５゜ Ｃ１５は ＣＢ１５は 少量の多色性染料、例えば英国特許公開第２０９３４７
５号明＃ｌ書に記載されている染料混合物２を２重：ｔ
％加えてディスプレイのコントラストを高めてもよい。

シ場塗福尤ハ眉嵯Ｔδ。

本発明の他の具体的混合物はフレデリック効果セルに用
いてもよい。該セルは上記装置のように内部表面に電極
フィルムを有するガラススライドの間に液晶材料をサン
ドインチ状に組み込んで構成されている。しかしながら
この場合には偏光子は必ずしも必要でなく、ガラススラ
イド内部表面をレシチンの被覆加工で処理し、液晶材料
はレシチン被覆加工により分子がスライド基板に垂直、
１＜オフ状態τ′（ホメオトロピック組織）配列される
負の材料である。オン状態で材料に適当な電界を印加す
ると分子はスライド表面に平行に（ホモジニアス組織）
再配列する。

多色性染料を液晶材料に組み入れてオン状態とオフ状態
のコントラストを高めてもよい。

上記のように作られたフレデリック効果セルは以下の混
合物３を組み入れてもよく、該セルは１０μｍの間隔に
おく。

第１３表　混合物３ 化合物　重量％ 化合物Ｊ を負の添加剤として混合物３（混合物３０３二量饅まで
）に添加してもよい。

化合物Ｊの調製は英国特許出願公開第２０６１２５６号
明細書に記載されている。約１重量％の公知の染料混合
物を混合物３に加えて着色混合物（混合物３Ａ）Ｋして
もよい。

セルに電圧を印加すると、弱い吸収状態から強い吸収状
態へ色が変化する。

本発明のも５１つの具体例では（コレステリック−ネマ
チック）相転移効果型装置に上述の材料を組み入れる。

上述のねじれネマチック型セルと同様に電極を担持する
ガラススライド間にサンドインチ状にはさまれた長いら
せんピッチのコレステリック利料を含むようにセルを杵
製する。しかしながらこの場合には、ホモジニアス配列
のための表面調製例えばＳｉＯによるガラススライド表
面処理および偏光子は不用である。

ガラススライドが未処理で液晶材料が正の誘電異方性（
△１）を有するならば、液晶材料はオフ状態でねじれ７
オ一カルコーニツク分子組織状態にあり、これは光を散
乱する。ガラススライドの各々の内部表面上の一対の電
極間に印加された電界により、電極間の液晶材料領域が
オフ状態より散乱の少ないホメオトロピックネマチック
組織であるオン状態に変換される。これが負のコントラ
スト型の相転移効果型装置である。

ガラススライド内部表面を例えはレシチンの被覆処理で
処理して該表面に垂直な配列にすると共に液晶材料が負
の△εを有するならば、オフ状態の材料は入射光に対し
て小さい散乱効果を有するホメオトロピック組織状態に
ある。ガラススライドの各々の内部表面にある一対の電
極間に電界を印加すると、電極間の液晶材料領域が（オ
ン状態で）光を散乱するねじれホモジニアス組織に変わ
る。これが正のコントラスト型の相転移効果型装置であ
る。

各々の場合に２つの状態間のコントラストを高めるべく
、液晶材料に少量の適当な多色性染料（例えばΔ６が正
の場合には１重量襲の染料混合物）を添加してもよい。

相転移効果型（ネガティブコントラスト型）装置に用い
られる本発明を具体化する適当な正の誘電異方性材料、
混合物４は以下のものである。

第１４表　混合物４ 化合物　重量％ 相転移効果型（７１？ジテイブコントラスト型）装置に
用いられる本発明を具体化する適当な負の誘電異方性物
質、混合物５は以下のものである。

第１５表　混合物５ 利　旧　重°吋チ 混合物３９９ 第１６ノ（に記載のキラル化合物の代りに式ｌを有する
ギラル化合物を使用し得る。

【図面の簡単な説明】

第１Ｍは、ねじれネマチック型デジタルディスプレイの
部分図、第２図は、第１図のディスプレイの断面図、第
３図は、第１図の後部電極の形状図、第４図は第１図の
ｉ’＋ｔＪ部電極の形電極、第５〜７図は、典型的なア
ドレス電圧を表示した第１〜４図の装置の説明図である
。 １・・・セ　ル、　２，３・・・ガラススライド、４・
・・スペーサー、５，６・・・偏光子、７・・・反射板
、　８．９・・・電　極、１２・・・液晶打轡。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （］）式■ Ｒ，−Ｃｙ−ＣＩｌ、＊　ＣＨ，−Ａ−烏　式Ｉ（式中
   、Ａはトランス−２，５−ジ置換−１，３−ジメキサン
   歩及び２．５−ジ置換−１，３−ピリミジン板から選択
   されるヘテロ壌である； Ｒ１は炭素数１〜１５のアルキル基でおり；鳥は水素、
   炭素数１〜１５のアルキル基及び炭素数１〜１５のアル
   コキシ基から力く択され、世しＡがトランス−２，５−
   ジ１１換−１．３−ジオキザン項のとき鳥はアルキル基
   である；及びｃｙはトランス−１，４−ジ置換シクロヘ
   キサンＪ０で必る） をイうするヘテロ雛１庁換エタン。 ＋２Ｊ　Ｒ＊及び亀が夫々炭素数１〜１０のｎ−アルキ
   ル基であり、Ａはトランス−２，５−ジ置換−１，３−
   ジオキサン猿である特許請求の範囲第１項にに＝のエタ
   ン。 （３）　Ｒ１が炭素数１〜１０のｎ−アルキル基でおり
   、Ａは２．５−ジ置換−１，３−ビリ５９フ項であり、
   島は炭素数１〜１０のｎ−アルコキシ基またＵｎ−アル
   キル基である特許請求の範囲第１項に記載のエタン。 （４）％許請求の範囲第１項に記載のエタン金少なくと
   も１種含む混合物から成る組成物である液晶桐料。 （５）少くとも一方が光学的に透明な２個の誘電性基板
   と、基板間にサンドイッチされた液晶桐料層と、基板の
   内１亀面上にあって液晶材料屑に電気光学効果を与える
   べく液晶拐刺層を横切って電界を印加させ得る電極とを
   含む液晶装置であって、前記液晶材料は特許請求の範１
   ２ｔｌ第１項に記載の工タンを少なくとも１種含むこと
   を特徴とする液晶装置。