JPH03123319A - 強誘電性液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）ｒｉ業上の利用分野 本発明は強誘電性液晶素子に関し、更に詳しくは、基板
、電圧印加手段、配向制御層、及び強誘電性液晶層を備
えてなる強誘電性液晶素子に関する。

（ロ）従来の技術 現在、最ら広く用いられている液晶表示素子は液晶のネ
マチック相を利用したちのである。しかし、ツィステッ
ドネマチック（ＴＮ）型液晶表示素子はライン数の増加
に伴ってコントラストが低下するので、２０ＱＱ　ｘ　
２０ＱＱライン等の大容量表示素子を作ることは困難で
ある。

このＴＶ型液晶表示素子を改良するためスーパーツィス
テッドネマチック（ＳＴＮ）型液晶表示素子、ダブルス
−バーツィステッドネマチック（ＤＳＴＮ）型液晶表示
素子か開発されているが、ライン数の増加と共にコント
ラスト、応答速度が低下するので、現状では４８０ｘ　
１９２ｏライン程度の表示容量が限界である。また、基
板上に薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）を配列したアクティ
ブマトリックス方式の液晶表示素子も開発され、１００
ＯＸ　１０００ライン等の大容量表示が可能になったが
、一方、製造プロセスが長く、歩留り低下ら生じやすく
、製造コストか非常に高くなるという欠点を有している
。

近年、萌記ネマチック相を利用した液晶表示素子に加え
てスメクチック相を利用した種々の表示モードの研究も
盛んに行われており、特に、強誘電性液晶表示素子（ア
プライド　フィジカル　レターズ、３６巻、第８９９頁
（Ｉ９８０年））が有望視されている。この表示方法は
強誘電性液晶であるカイラルスメクチックＣ相、カイラ
ルスメクチック［相などを利用するものであり、メモリ
ー性を利用する方式であることから、応答速度の向上に
ともなって表示の大容量化が可能であり、また薄膜トラ
ンジスタなどのアクティブ素子を必要としないことから
、製造コストら上がらない。また上記の強誘電性液晶素
子は視角が広いという長所ら兼ね備えており、２０００
　ｘ　２００Ｇライン等の大容量表示用の素子として大
いに有望視されている。

（ハ）発明が解決しようとする課題 上記のスメクチックＣ相を利用した強誘電性液晶表示に
用いる液晶材料は室温付近を中心に広い温度範囲でスメ
クチックＣ相を示す必要があるのはもちろんのこと、そ
のほかにも種々の条件を満たすことが必要である。まず
、大容量表示を行うためにデバイス特性として高速応答
性が必要で、この観点から液晶材料には高い自発分極と
低い粘性とが要求される。また、液晶セルに適用した場
合に良好な配向性と双安定性とを得るために、ＩＡＣ（
Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ−Ｓｍｅｃｔｔｃ　Ａ−Ｓｍｅｃｔ
ｔｃ　Ｃ）またはＩＮＡＣ（Ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ−Ｎｅ
ｍａｔｉｃ−Ｓｍｅｃｔ　ｉｃ＾−Ｓｍｅｃｔｔｃ　Ｃ
）という相系列を液晶材料が呈することが必要であり、
かつネマチック相及びスメクチックＣ相の螺旋ピッチが
セル厚に比べて十分長いことが必要である。

さらに液晶表示のコントラスト、明るさに関係するチル
ト角度にも大きな値が望まれる。

しかしながら、現在のところ単一化合物で望まれる条件
をすべて満たすことは不可能であり、通常、複数の化合
物を混合して液晶組成物として素子に適用することが余
儀なくされているが、まだ充分に満足できる液晶組成物
は得られていない。

そして実用可能な条件を満たす液晶組成物を作製するた
めには多条な性質をもった数多くの単品液晶化合物の併
用が必要となり、またそれ自体液晶性を示さない化合物
が液晶組成物の成分として必要になる場合らありうる。

本発明はこのような状況下でなされたものであり、動作
温度範囲が広く、良好な配向性、メモリ性を示し、かつ
、室温で高速応答性を示す強誘電性液晶素子を提供する
ものである。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明によれば、それぞれ電圧印加手段を設けた一対の
基板の少なくとも一方に配向制御層を設け、該一対の基
板間に強誘電性液晶層を有する強誘電性液晶素子におい
て、該強誘電性液晶が一般式（Ｉ） （ただし、Ｒ１及びＲ″は同−又は異なって直鎖又は分
枝鎖で１−１５の炭素数を有するアルキル基又はアルキ
ルオキシ基、−６）→は舎又はｌ−λ へ見ｔ、Ｘは水素原子又はメチル基を示し、＊はその炭
素原子が不斉炭素原子であることを示す。）で表される
化合物の少なくともＩＩと、一般式（「） （ただし、Ｒ３及びＲ４は同−又は異なって直鎮又は分
枝鎖で１〜１５の炭素数を有するアルキル基＊はその炭
素原子が不斉炭素原子であることを示す。） で表される化合物の少なくとも１種とを含有することを
特徴とする強誘電性液晶素子が提供される。

上記（りの化合物は、文献未記載の化合物である。

一般式（Ｉ）で表される光学活性化合物にはシス体及び
トランス体があるが、いずれでも本発明に用いることが
でき、両者を混合して用いてもよい。

上記式（Ｉ）のＲ１およびＲ１には、メチル、エチル、
プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｉ−ブチル、ペンチ
ル、ｌ−又は２−メチルブチル、ヘキシル、１−又は３
−メチルペンチル、ヘプチル、１−又は４−メチルヘキ
シル、オクチル、！−メチルヘプチル、ノニル、ｌ−又
は６−メチルオクチル、デシル、１−メチルノニル、ウ
ンデシル、！−メチルデシル、ドデシル、ｌ−メチルウ
ンデシルなどのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ、ｉ−プロポキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ペ
ントキシ、１−又は２−メチルブトキシ、ヘキシロキシ
、！−または３−メチルペントキシ、ヘプチロキシ、ｌ
−または４−メチルへキシロキシ、オクチロキシ、１−
メチルへブチロキシ、ノニロキシ、！−または６−メチ
ルオクチロキシ、デシロキシ、亀−メチルノニロキシ、
ウンデシロキシ、！−メチルデシロキシ、ドデシロキ、
１−メチルウンデシロキシなどのアルキルオキシ基など
が含まれる。これらのアルキル基またはアルキルオキシ
基中で炭素鎖に不斉炭素が、含まれてもよい。

一般式（Ｉ）で表される化合物は次のスキーム示すよう
な方法で製造することができろ。

（以下余白） ０＝ まず、公知の方法によって合成したアセトフェノン誘導
体（［Ｖ）をビルゲロ−）ト（Ｗｉ　ｌ　Ｉｇｅｒｏｄ
ｔ）反応に付してフェニル酢酸誘導体ＣＶ）を合成し、
これを２倍モル量のリチウムジイソプロピルアミド（Ｌ
ＤＡ）と−３０−１０℃の温度で反応させ、続いて０．
３〜３倍モルの光学活性エポキシ化合物（■）と−７８
℃〜室温で反応さけることにより付加化合物（■）（但
し、Ｘは水素原子）を得ることができる。この化合物（
■）を硫酸、塩酸、パラトルエンスルホン酸等の酸触媒
の存在下でベンゼン。

トルエン等の溶媒中で分子内脱水反応させると光学活性
γ−ラクトン誘導体である式（Ｉ）の化合物が得られる
。

一方、上記付加化合物（■）のＸが−ＣＨ５の化合物は
、フェニル酢酸誘導体（Ｖ）にリチウムジイソプロピル
アミド（ＬＤＡ）を反応させ、続いてヨウ化メチル（Ｍ
ｅｌ）を作用させてフェニルメチル酢酸誘導体（ＶＴ）
を合成し、これにリチウムジイソプロピルアミド（ＬＤ
Ａ）、続いて光学活性エポキシ化合物（■）とを反応さ
せることによって得ることができる。

上記反応において用いた光学活性エポキシ化合物（■）
において、Ｒ１がアルキル基である場合の化合物（■）
−（Ｉ）は次の反応によって得ることができる。

（上記反応において、Ｒ１はアルキル基、＊は不斉炭素
原子、Ｘはハロゲン原子を表す）すなわち、ハロゲン化
アルキル又はハロゲン化合物アルケニル（Ｒ’Ｘ）とマ
グネシウムとの反応でグリニヤール反応剤を合成し、次
いでハロゲン化銅（ＣｕＸ）の存在下で光学活性エピク
ロロヒドリンと反応させることにより光学活性エポキシ
化合物（■）−（Ｉ）を得ることができる。

光学活性エポキシ化合物（■）において、Ｒ１がアルキ
ルオキシ基である場合の化合物（■）−（２）は次の反
応によって得ることができる。

（■）−（２） （上記反応において、Ｒ１はアルキルオキシ基、＊は不
斉炭素原子を表す） すなわち、アルコール類（Ｒ’−Ｈ）と光学活性エピク
ロロヒドリンとを酸触媒の存在下で反応させてクロロヒ
ドリンエーテル（ＩＸ）を合成し、次いでアルカリで閉
環して合成する二段階法、またはアルコール類と光学活
性エピクロロヒドリン及び塩基との反応を第四級アンモ
ニウム塩触媒の存在下で行う一段階法で合成することが
できる。

また、上記光学活性エポキシ化合物（■）の他の合成法
としては、オレフィンと空気との反応を微生物を利用し
て行う方法がある。

なお、上記光学活性エピクロロヒドリンは、高純度のも
のとしては、特開昭６１−１３２１９６号公報及び特開
昭６２−６６９７号公報記載の方法によって得られたも
のを用いることができる。

一般式（【）及び（■）で表される化合物には液晶相を
示さないものら含まれる。また、液晶相を示す場合にも
相系列、スメクチックＣ相の温度範囲か必ずしも実用的
であるわけではない。それゆえ、通常、化合物（［）及
び（ＩＩ）は単独で用いるより他の液晶化合物と組み合
わせて用いるのが好ましい。ことに一般式（Ｉ）及び（
ＩＩ）で表される化合物は、ノンカイラルスメクチック
液晶化合物または組成物、あるいはカイラルスメクチッ
ク液晶化合物または組成物に適量添加することによって
その組成物の自発分極を増大させて応答性が高速化され
た強誘電性液晶組成物を提供することができる。ここで
一般式（［）及び（Ｉｆ）の化合物の添加量はそれぞれ
０．１〜２０重量％が好ましく、０．５〜５重量％が特
に好ましい。添加量が２０重量％より多い場合には添加
した化合物が強誘電性液晶組成物中で結晶化する、スメ
クチックＣ相の上限温度が低下する、などの実用上の問
題が生じろ場合が多く、添加量が０．１重量％以下では
応答速度に対して十分な効果が得られない。

一般式（Ｉ）で表される化合物に組み合わせる液晶化合
物としては以下の一般式（Ｘ）〜（ＸＩ［）のような公
知の化合物を用いろことができる。

Ｒ７−Ｚｌ−Ｂｌ−Ｄｌ−Ｂｌ−２８−Ｒａ　　　　　
　（Ｘ）Ｒ’−Ｚ’−Ｂ’−Ｄ’−Ｂｌ−Ｄ”−Ｂ”−
Ｚ’−Ｒ’　　（ＸＩ）原子、シアノ基、ニトロ基、メ
チル基、メトキシ基などで置換されてもよい。Ｄｌ及び
Ｄｔは、それぞれ、単結合、又は−Ｃｏｏ−、−０ＣＯ
−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ＝Ｃ−。

−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ００−、−０ＣＯ−Ｃ）Ｉ＝ＣＨ−、
−ＣＨ，ＣＩ＋、−、−ＱＣ■、−、−ＣＨ。

ｏ−、−ｃｏｓ−、もしくは−５ＣＯ−の基を示す。Ｚ
ｌおよびＺ２は、それぞれ、単結晶、または−ｃｏｏ−
，−ｏｃｏ−，−０−、−８−、−０ＣＯＯ−もしくは
−ＣＯ−の基を示す。Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して
、直鎖状亥たは分岐状で炭素数１〜！５のアルキル基を
示し、アルキル基中に不斉炭素が含まれていてもよい。

Ｓはｌ又は２の整数を示す。） これらの化合物のうち、特に、式（Ｉｎ）（式中、Ｂ　
ｌ　、　ＢｔおよびＲ３はそれぞれ独立して、ベンゼン
環、シクロヘキサン環、ビシクロ［２，２，２］オクタ
ン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ジオキ
サシクロヘキサン環、ナフタレン環などの含水員環基を
示し、これらの含水員環基中の水素原子はフッ素原子、
塩素原子、臭素（ただし、Ｒ１１及びＲａは炭素数１〜
！５のアルキル基又はアルコキシ基を示す。）で表され
るピリミジン系化合物は安定なスメクチックＣ相を示し
易く、化合物（Ｉ）及び（ＩＩ）と組み合わせて良好な
特性の強誘電性液晶組成物を作製することができる。

なお、ここでＲ５及びＲ６のアルキル基又はアルキルオ
キシ基の具体例としては、Ｒ１及びＲ１の定義で示した
ものが挙げられる。

これら化合物を用いて強誘電性液晶組成物を作製する場
−合には、強誘電性液晶素子に適用した場合に良好な配
向性が得られるようにネマチック相。

での螺旋ピッチがセル厚に対して十分長くなるようにす
ることが必要である。なお、化合物（Ｉ）と化合物（ｎ
）を誘起する自発分極の向きとネマチック相で螺旋ピッ
チの関係は下表に示すようになっており、ネマチック相
での螺旋ピッチが互いに逆になるように化合物（［）と
化合物（ＩＩ）とを組み合わせた場合には自発分極の向
きが一致し、結果として自発分極の増加と応答速度の向
上が期待でき、かつ、螺旋ピッチが長くなって良好な配
向性が得られる。

（以下余白） なお、かかる一般式（ｎ）の化合物：よ、例えば、に、
ＳａｋａｇｕＯｈ　ｉ及びＴ、Ｋｉｔａａ＋ｕｒａ、　
２ｎｄ　ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ　ｏｎ　Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｌｉｑｕｉ
ｄ　Ｃｒｙｓｔａｌｓ。

Ｐ−７９（Ｉ９８９）に発表された合成手法に従って合
成することができ、Ｒ３及びＲ４のアルキル基の具体例
としては、前述と同様なものが挙げられる。

次に、本発明の強誘電性液晶素子の具体例について説明
する。

第１図は強誘電性液晶組成物を用いた本発明の液晶表示
素子の具体例を示す断面図である。

第１図は透過型表示素子の一例であり、１および２は絶
縁性基板、３及び４は導電性膜、５は絶縁性膜１．６は
配向制御層、７はシール剤、８は強誘電性液晶、９は偏
光板を示す。

■及び２の絶縁性基板としては透光性の基板が用いられ
、通常ガラス基板か使われろ。ｌ及び２の絶縁性基板に
はそれぞれＩｎＯ＊、ＳｎＯ，、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ
Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）などの導電性薄膜からなる所定の
パターンの透明電極３．４か形成される。

その上に通常、絶縁性膜５が形成されるが、これ；よ場
合によっては省略できる。絶縁性膜５は例えば、Ｓｎｏ
ｗ、ＳｉＮｘ、ＡｌｔＯｓなどの無機系薄膜、ポリイミ
ド、フォトレジスト樹脂、高分子液晶などの有機系薄膜
などを用いることができる。絶縁性膜５が無機系薄膜の
場合には蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ　（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ　Ｖａｐａｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、あるい
は溶液塗布法などによって形成できる。また、絶縁性膜
５が有機系薄膜の場合には有機物質を溶かした溶液また
はその前駆体溶液を用いて、スピンナー塗布法、浸せき
塗布法、スクリーン印刷法、ロール塗布法、などで塗布
し、所定の硬化条件（加熱、光照射など）で硬化させ形
成する方法、あるいは蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法な
どで形成したり、ＬＢ　（Ｌａｎｇｕｍｕｉｒ−Ｂｌｏ
ｄｇｅｔｔ）法などで形成することらできる。

絶縁性膜５の上には配向制御層６が形成される。

ただし、絶縁性膜５が省略された場合には導電性膜３及
び４の上に直接配向制御層６が形成される。

配向制御層には無機系の層を用いろ場合と有機系の層を
用いる場合とがある。

無機系の配向制御層を用いる場合、よく用いられろ方法
としては酸化ケイ素の斜め蒸着がある。

また、回転蒸着などの方法を用いること乙できる。

有機系の配向制御層を用いる場合、ナイロン、ポリビニ
ルアルコール、ポリイミド等を用いることができ、通常
この上をラビングする。また、高分子液晶、ＬＢ膜を用
いて配向さ仕たり、磁場による配向、スペーサエツジ法
による配向、なども可能である。また、ＳｉＯｘ、５ｉ
ｌｌｘなどを蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法などによっ
て形成し、その上をラビングする方法も可能である。

次に２枚の絶縁性基板を張り合わせ、液晶を注入して強
誘電性液晶素子とする。

以上第１図においては画素数１のスイッチング素子とし
て説明したが、本発明の強誘電性液晶及び液晶素子は大
容量マトリクスの表示装置に適用可能であり、この場合
には第２図の平面模式図に示すように上下基板の配線を
マトリクス型に組み合わせて用いる。このようなマトリ
クス型液晶素子はこれまで提案されている各種駆動法（
例えば、脇田、上村、大西、大庭、古林、太田、ナシヨ
ナル　テクニカル　レポート、３３巻、第４４頁（Ｉ９
８？））によって駆動できる。

（ホ）実施例 く式（■）化合物の合成〉（合成例１〜４）合成例１ （Ｒ）−１，２−エポキシノナンの合成ヨウ化第−銅１
．９９（Ｉ０ａ＋　ｍｏｆ２）のエーテル７５１１１２
懸濁液を反応容器に入れ、これに窒素気流下−３０℃で
ヘキシルプロミド１２．３８９　（７５！ｌ　ｍｏ１２
）とマグネシウム２９　（８２，５ｍ　１０（りとから
テトラヒドロフラン７５Ｒρ中で製造したグリニヤール
試薬を加え、３０分間撹拌した後同温度でＲ−エビクロ
ロヒドリン４．６３９　（５０ｍ巾Ｏｅ、化学純度９８
５％以上、光学純度９９％以上（［αコｏ′Ｓ＝　　３
４．０＠、Ｃ＝１．２．メタノール））のテトラヒドロ
フラン−エーテル混合溶液（Ｌ：ｌ）　１ＱＯ２Ｑを加
えて２時間撹拌した。反応終了後飽和塩化アンモニウム
水１００ｚ１２を加えて室温に戻し、エーテルで抽出後
飽和食塩水で洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで
乾燥させた。

次いで減圧下で溶媒を留去し、残渣を減圧蒸留により精
製し下記化合物で示される（Ｒ）−クロロヒドリン体８
．２９９　（３５，２＋＋＋　ａ＋ｏｅ、収率７０％）
を得た。

Ｈ ［ａ　］　ｏｆＳ十８．２０　（ｎｅａｔ）ｂｐａｏ〜
ａｅ℃（Ｉ４ｉｖ＋Ｈｇ、　Ｋｕｇｅｌｒｏｈｒ）Ｉ　
Ｒｖａａｘ　　（ｎｅａｔ）　３３８０−”ＮＭＲ（Ｃ
ＤＣｌ５　） δ：０．７〜ｔ９ｇ　　　　（Ｉ５Ｈ，ａ）２．２　　
　　　　　（ＩＨ，ｂｒｄ）３４〜３．９　　　　（３
Ｂ、　　ａ＋）上記（Ｒ）−クロロヒドリン体４．９９
９と４８％苛性ソーダ５０ｔｘＱの混合物を２時間撹拌
下に還流させた。

反応終了後生成物をエーテルで抽出し、抽出物を精留し
て（Ｒ）−１，２−エポキシ−ｎ−ノナン３．９７ｇを
得た。

［α］Ｄ”＋１０．８７゜ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　） δ：　０．８ｇ　　　　　（３Ｂ、　ｔ）１．２〜Ｌ、
Ｓ　　　（Ｉ２Ｈ，ｍ） ２、ｔ６　　　　　（ＬＨ，ａ＋） ２．７４　　　　　（ＩＨ，ａ） ２．９１　　　　　（Ｉ８，ｍ） 合成例２ Ｒ−メチルグリシジルエーテルの合成 撹拌還流させた硫酸０．９８９及びメタノール１００３
１１２の溶液に合成例１で用いたのと同じ（Ｒ）−エビ
クロロヒドリン２３．６ｔ９及びメタノール２０ｘ＆の
溶液を２０分間かけて滴下し、そのままさらに２０分間
撹拌還流した。反応液を１０〜１５℃の冷却後、苛性カ
リ３１９のメタノール溶液１５０ｚ１２を滴下して１０
分間撹拌した。反応液を飽和食塩水に移し、塩化メチレ
ンで生成物を抽出し、これを精留（ｂｄｌｌＯ℃）して
（Ｒ）−メチルグリシシンエーテル４．１４１Ｆを得た
。

［α　コ　ｏ”　　　＋　６．４９°　（Ｃ＝　１．０
８６．　　ＣＨｔＣＩｔ）ＮＭＲ（ＣＤＣ１＊） δ：　２．６３　　　　　（、１１，ｄｄ）２．８２　
　　　　（ｌ）Ｉ、　ｍ） ３．１６　　　　　（ＩＢ、　ｍ） ３．３４　　　　　（Ｉ８，ｄｄ） ３．４２　　　　　（３Ｈ，Ｓ） ３．７１　　　　　（ＬＨ，ｄｄ） 合成例３ （Ｒ）−ｎ−へキシルグリシシンエーテルの合成５０％
苛性ソーダ４０９、合成ＰＩ　Ｉと同じ（Ｒ）−エビク
ロロヒドリン２４９及びテトラブチルアンモニウム硫酸
水素塩４００ｘｇの混合物を２０〜２５℃に冷却しなか
らｎ−ヘキサノール６翼Ｑを滴下した。反応液をさらに
同温度で３時間撹拌の浸水を加えて生成物をエーテルで
抽出した。抽出物を減圧下で精留することにより（Ｒ）
−ｎ−へキシルグリシジルエーテル３．３５９を得た。

［α　コ　◎”　　　＋　２．４８°　（Ｃ＝　１．０
４８．　　ＣｌＣ１，）ｂｄ　　　　５２℃７４ｍ＋＠
Ｈｇ ＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ） δ：　０．８９　　　　　（３Ｈ，ｌ）１．２〜１．４
　　　（６１（、ｍ） １．５８　　　　　（２Ｈ，ａ） ２．５８　　　　　（ｌＨ，ｄｄ） ２．７７　　　　　（Ｉ８，ｄｄ） ３．１２　　　　　　　　（ＩＨ，ｓ）３．３６　　　
　　（ＩＨ，ｄｄ） ３．４８　　　　　（２Ｈ，腸） ３．７０　　　　　（ｌＨ，ｄｄ） 合成例４ （Ｓ）−アリルグリシジルエーテルの合成撹拌還流させ
た硫酸０．５９及びアリルアルコール１ｏｏＩＩ２の溶
液に（Ｓ）−エビクロロヒドリン（化学純度９８．５％
以上、光学純度９９％以上（［α］♂５＝＋３４．０’
、Ｃ＝１．２．メタノール）　）　１９．５４９及びア
リルアルコール２０ｎ（ｌの溶液を２０分間かけて滴下
し、さらに２０分間撹拌還流した。反応液を１０〜１５
℃に冷却後、苛性カリ　２５．２９のメタノール溶液１
３０村を滴下して１０分間撹拌した。反応液を飽和食塩
水に移し、塩化メチレンで生成物を抽出し、これを精留
して（Ｓ）−アリルグリシジルエーテル９゜５１９を得
た。

［α　コ　Ｏ２０ ＮＭＲ（ＣＤＣＩり δ：　２．６１　　　　　　　（ＩＨ。

２．８０　　　　　　（ＩＨ。

Ｃ１６（ＩＨ。

３．４０　　　　　　（ＩＨ。

３．７３　　　　　　（Ｉ１゜ ４．０５　　　　　　（ＬＨ。

５．２０　　　　　　（Ｉ１（。

５．２９　　　　　　（Ｉ■。

５．９１　　　　　　　（ＩＩＩ。

く式（Ｖ）化合物の合成〉 合成例５ 〜９．２４°（Ｃ＝　１．０７５．　ＣＨｔＣＩｔ）ｄ
ｄ） ｔ） １） ｄｄ） ｄｄ） ｍ） ｄ） ｄ） ｍ） （合成例５〜７） ４−（４°−ｎ−ヘプチル）−ビフェニル酢酸の合成 ４−アセチル−４゛−ｎ−へブチルビフェニル１０゜８
５９、イ才つ２．３６９をモルホリン２ＯｘＱ中で９時
間撹拌下で還流した。反応液に苛性ソーダ２９．５９、
水８０λＱ及びエタノールｌｏｇｉｃの溶液を加え９時
間撹拌しｆ二後、反応液を水に移して塩酸酸性にし析出
した固体を濾別採取して粗生成物１３．５１９を得た。

粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで生成
し目的物８．２９９を得た。

ｍ　ｐ　１５４〜１６２℃ ＩＲ（ヌジョール）　１７２４ｃｍ−’ＮＭＲ（ＣＤＣ
ｌ３　） δ　二　０．８ｇ　　　　　　　　　　（３Ｈ，ｍ）１
．２〜１．４　　　（８Ｈ，ａ＋） Ｌ、ｆＳ４　　　　　（２）１．　ｍ）２．６３　　　
　　（２Ｈ，ｔ） ３．６８　　　　　（２Ｈ，ｓ） ７．２３　　　　　（２Ｈ，ｄ） ７．３３　　　　　（２Ｈ，ｄ） ７．４８　　　　　　　（２Ｈ，ｄ） ７．５４　　　　　　　（２Ｈ，ｄ） 合成例６ ４−（４’−ｎ−ノニルオキシ）−ビフェニル酢酸の合
成 ４−アセチル−４’　−ｎ−ノニルオキシビフェニルｌ
ｏ、１４９、イオウ１．５３６ｆＦをモルホリン２０ｘ
（ｌ中で１５時間撹拌下に還流した。反応液に苛性ソー
ダ２５９、水６５ａ（ｌ及びエタノール１ＱＯａＱの溶
液を加え９時間撹拌した後、反応液を水に移して塩酸酸
性にし析出した固体を濾別採取して粗生成物を得、これ
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して目的
物ｔ２．ｇ４９を得た。

ｍ　ｐ　１７５〜１７６℃ ＩＲ（ヌジョール）　１７０４ｃｍ−’ＮＭＲ（ＣＤＣ
ｌ　３　’） δ：　０，８９　　　　　（３Ｈ，ｍ）１．２〜１．５
　　　（Ｉ２Ｈ，ａ＋）１．１１１０　　　　　（２Ｈ
，ａ＋）３．８９　　　　　（２Ｈ，ｓ） ３．９９　　　　　　　（２Ｈ，ｔ） ６．９５　　　　　　　（２１（、ｄ）７．３３　　　
　　　　（２Ｈ，ｄ） ７．４９　　　　　　　（２１（、ｄ）７．５２　　　
　　　　（２Ｈ，ｄ） 合成例７ ４−（４’−ｎ−ブチルトランスシクロヘキシル）フェ
ニル酢酸の合成 ４−（４°−ｎ−ブチルトランスシクロヘキシル）アセ
トフェノンル５ｇ、イオウ１．２４ｇをモルホリン７　
、５ｚＱ中で１１時間撹拌下に還流した。反応液に苛性
ソーダ１６．７９、水４３．４ｉｉ２及びエタノール６
７ＲＩ２の溶液を加え７時間撹拌した後、反応液を水に
移し塩酸酸性にして生成物をエーテルで抽出した。抽出
した粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで
精製して目的物３．３３９を得た。

ｍｐ７２〜７４℃ ＩＲ（ヌジョール）　１７１８ｃｍ−’ＮＭＲ（ＣＤＣ
ｌ５　） δ；０．８〜１．５　　　（Ｉ４Ｈ，ａ＋）１．８６　
　　　　　　（４Ｈ，ｌ１１）２．４４　　　　　　　
（ＩＨ，ｔ） ３゜５９　　　　　　　（２Ｈ，ｓ） ７．１７　　　　　　　（４１（、傷）く式（■）化合
物の合成〉 合成例８ ２−（４’−ノニルオキシ−４−ビフェニル）プロピオ
ン酸の合成 一７８℃に冷却したジイソプロピルアミン５０６Ｊ！９
及びテトラヒドロフランＬＯｄの容器に１５％ｎ−ブチ
ルリチウムのヘキサン溶液３ｘＱを滴下し、徐々に温度
を０℃まで上昇させ３０分間撹拌した。この反応液に合
成例６で合成した４−（４°−ｎ−ノニルオキシ）−ビ
フェニル酢酸’１０８ｘ９及びテトラヒドロフラン８ｘ
Ｑの溶液を滴下し、１時間撹拌した。

反応液を一７８℃に冷却しヨウ化メチル４２６ｍ９及び
テトラヒドロフラン２１１２の溶液を滴下した。反応液
の温度を徐々に室温まで上昇させて６時間撹拌した浸水
を加え、さらに塩酸酸性としクロロホルムで抽出して目
的物７３０＋１９を得た。

Ｎ３１Ｒ（ＣＤＣＩｓ） δ：　０．８９　　　　　　　（３Ｂ、　　ｔ）１．２
〜Ｌ、Ｓ　　　　（Ｉ２Ｈ，ｍ）１．５５　　　　　　
　（３Ｈ，ｄ） １．８０　　　　　　（２）１．　ａ＋）３．７９　　
　　　　（Ｉ）１．　　ｑ’）３．９９　　　　　　　
（２Ｈ１ｔ） ６．９５　　　　　　　（２８，ｄ） ７．３７　　　　　　（２Ｈ，ｄ） ７．４〜７．６　　　　（４Ｈ，ｍ） ［式（Ｉ）化合物の合成コ　（合成例９〜１６）合成例
９ 一７８℃に冷却したジイソプロピルアミン１１３１９及
びテトラヒドロフラン２ｊＩ１２の容器に１５％ｎ−ブ
チルリチウムのヘキサン溶液０．７１を滴下し、徐々に
温度を０℃まで上昇させ３０分間撹拌した。この反応液
に合成ＰＪ　６で合成した４−（４°−ｎ−ノニルオキ
シ）−ビフェニル酢酸１７７１ｇ及びテトラヒドロフラ
ン２ｘＱの溶液を滴下し１時間撹拌した。

反応液を一７８℃に冷却し、合成例！で合成した（Ｒ）
−１，２−エポキシノナン８５ｘ９及びテトラヒドロフ
ラン２１１Ｑの溶液を滴下した。反応液の温度を徐々に
室温まで上昇させ６時間撹拌した浸水を加え、さらに塩
酸酸性としクロロホルムで生成物を抽出した。抽出物に
乾燥ベンゼン及び触媒量の硫酸を加え、ベンゼンを少し
ずつ流出させながら６時間加熱撹拌した。冷却後ベンゼ
ンを減圧留去し、残渣をシリカゲルクロマドグラフイー
で精製して下記化学式で示されるγ−ラクトン誘導体（
２Ｒ１４Ｒ）及び（２Ｓ、４Ｒ）をそれぞれ３５ＪｌＩ
Ｆ及び１０４ｘ９得た。

（２Ｒ，４Ｒ）体 相移転温度 １２６℃ 　−１ ［（ｆ　］　ｏ”　　−５，４２’　（Ｃ＝　１．６６
、　ＣＨ＊Ｃ１ｔ）ＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ） δ：　０．８９　　　　　　　（６Ｈ，ａ＋）１．２〜
１．９　　　　（２６Ｈ，＠）２．０５　　　　　　（
Ｉ■、【ｄ） ２．７４　　　　　　（ＩＨ，ｄｄｄ）３．８８　　　
　　　（ＩＨ，ｄｄ） ３．９８　　　　　　（２Ｈ，ｔ） ４．４８　　　　　　（ＩＨ，＠） ６．９５　　　　　　（２Ｈ，ｄ） ７．３１　　　　　　（２Ｈ，ｄ） ７．４８　　　　　　（２Ｈ，ｄ） ７．５３　　　　　　（２Ｈ，ｄ） ＩＲ（ヌジョール）　１７５０ｃａ＋−’（２Ｓ、　４
Ｒ）体 相転移１度 ［Ｃ１］　ｏ”　　＋２９．３３”　（Ｃ＝０．９５．
　　ＣＨ＊Ｃ１＊）ＮＭＲ（ＣＤＣＩｓ） δ：　Ｏ４０（６Ｂ、　　ｍ） １．２〜１．９　　　　（２６Ｈ，ｍ）２．４１　　　
　　　　（ＩＨ，ｄｄｄ）２．５３　　　　　　　（Ｉ
Ｈ，ｄｔ）３．９３　　　　　　　（ＬＨ，ｄｄ）３．
９９　　　　　　（２８，ｔ） ４．６６　　　　　　　（ＬＨ，ｍ） ６．９６　　　　　　　（２Ｈ，ｄ） ７．３２　　　　　　（２Ｈ，ｄ） ７．４８　　　　　　（２Ｈ，ｄ） ７．５３　　　　　　（２Ｈ，ｄ） ＩＲ（ヌジロール）　１７５０ｃｍ−’合成例！〇 一７８℃に冷却したジイソプロピルアミン３３９ｕ及び
テトラヒドロフラン６ｘＱの溶液に１５％ｎ−ブチルリ
チウムのヘキサン溶液２゜ＬｘＱを滴下し、徐々に温度
を０℃まで上昇させ３０分撹拌した。この反応液に合成
例６で合成した４−（４°−ｎ−ノニルオキン）−ビフ
ェニル酢酸５３ｔｎ及びテトラヒドロフラン５ｘＱの溶
液を滴下し１時間撹拌した。

反応液を一７８℃に冷却し、合成例３で合成した（Ｒ）
−ｎ−へキシルグリシジルエーテル２５６３１９及びテ
トラヒドロフランｌｌＱの溶液を滴下した。反応液の温
度を徐々に室温まで上昇させて６時間撹拌した複水を加
え、さらに塩酸酸性としクロロホルムで生成物を抽出し
た。抽出物に乾燥ベンゼン及び触媒量の硫酸を加え、ベ
ンゼンを少しずつ流出させながら６時間加熱撹拌した。

冷却後ベンゼンを減圧留去し、残渣をシリカゲルクロマ
トグラフィーで精製して下記化学式で示されるγ−ラク
トン誘導体（２Ｒ，４Ｓ）及び（２Ｓ、４Ｓ）をそれぞ
れ２５９ｍｇ及び２０７ｍｇ得た。

（２Ｒ，４Ｓ）体 相転移温度 ９２℃ Ｃ−−−−−→　ｒ ［α］　ｏ”　　＋　１．３６°（Ｃ＝　１．０６．　
ＣＨｔＣｌｚ）ＮＭＲ（ＣＤＣ１３） δ：　０．８９　　　　　　（６Ｈ，ｍ）１．２〜１．
５　　　　（Ｉ８ｔ１．　　ａ＋）１．５８　　　　　
　（２８，ｍ） １．７８　　　　　　（２ｔｒ、　　ａ）２．３２　　
　　　　（ＩＨ，ｔｄ） ２．６６　　　　　　（ＬＨ，ｄｄｄ）３．５１　　　
　　　（２Ｈ，ｔ） ３．６１　　　　　　（Ｉ８，ｄｄ） ３．７０　　　　　　（Ｉ■、ｄｄ） ３．８９　　　　　　（ＩＨ，ｄｄ） ３．９７　　　　　　（２Ｈ，ｔ） ４．６３　　　　　　（ＬＨ，ｍ） ６．９５ ７．２３ ７．４８ ７．５２ 相転移温度 ６４℃ Ｃ−−−−一→　Ｉ ［α　コ　ｏ”　　　＋　２９．２７°　（Ｃ＝　１．
１６．　　ＣＨｔＣｌｚ）ＮＭＲ（ＣＤＣ１，） δ　：　０．８９　　　　　　　（６Ｈ，ａ＋）１．２
〜１、５　　　　（ＬＳＩ、　　ｍ）１．５８　　　　
　　　（２８，ａ＋）１．７８　　　　　　（２Ｈ，ｍ
） ２．４７　　　　　　　（ＩＨ，ｔｄ）２．６５　　　
　　　（ＩＨ，ｄｄｄ）３．４９　　　　　　　（２＋
（、ｔ）３．５９　　　　　　　（ＩＨ，ｄｄ）３．６
８　　　　　　（ＩＨ，ｄｄ） ３．９７　　　　　　　（２Ｈ，ｔ） ４．０６　　　　　　（ＬＨ，ｔ） ４．７２　　　　　　（ＩＨ，＋ｍ） ６．９４　　　　　　（２Ｈ，ｄ） ７．３０　　　　　　（２Ｈ，ｄ） ７．４８　　　　　　（２Ｈ，ｄ） ７．５２　　　　　　　（２Ｈ，ｄ） 合成例１１ 一７８℃に冷却したジイソプロピルアミン５０５＋Ｈ及
びテトラヒドロフランＬＱｘＱの容器に１５％ｎ−ブチ
ルリチウムのヘキサン溶液３＊Ｑを滴下し、徐々に温度
を０℃まで上昇させ３０分間撹拌した。この反応液に合
成例５で合成した４−（４’−ｎ−ヘプチル）−ビフェ
ニル酢酸７００１１９及びテトラヒドロフラン６ｍ（ｌ
の溶液を滴下し１時間撹拌した。反応液を一７８℃に冷
却し、市販の（Ｒ）−１，２−エポキシヘプタン（［α
］　ｏ”＋１５．０’　＜ｎｅａｔ＞）　２６０１ｇ及
びテトラヒドロフランＩｘ１２の溶液を滴下した。反芯
液の温度を徐々に室温まで上昇させて６時間撹拌した汲
水を加え、さらに塩酸酸性としクロロホルムで生成物を
抽出した。抽出物に乾燥ベンゼン及び触媒量の硫酸を加
え、ベンゼンを少しずつ流出さ仕なから６時間加熱撹拌
した。冷却後ベンゼンを減圧留去し、残渣をシリカゲル
カラムクロマトグラフィーで精製して下記化学式で示さ
れるγ−ラクトン誘導体（２Ｒ，４Ｓ）及び（２Ｓ、４
Ｓ）をそれぞれ３３０ＪＩ９及び３８３ｘ９得た。

（２Ｒ，４Ｒ）体 相転移温度 １０２℃ Ｃ−−−−−→　■ ［α］　ｏ”　　−５，６６°（Ｃ＝　１．０８９．　
　ＣＬＣＬ）ＮＭＲ（ＣＤＣｌ５　） δ：　０．９０　　　　　　（６Ｈ，ｍ）１．２０〜１
．８５　　（Ｉ８Ｈ，＠）２．３５〜２．６８ ３．９４ ４．６７ ７．２５ ７．３４ ７．４８ ７．５７ （以下余白） ２．０８ ２．６３ ２．７８ ３．９２ ４５１ ７．２５ ７．３４ ７．４９ ７．５７ （２Ｓ、　４Ｒ）体 （Ｉ１，ｄｔ） （２Ｈ，ｔ） （ＩＨ，ｍ） （ＩＨ，ｄｄ） （ＬＨ，ｍ） （２Ｈ，ｄ） （２Ｈ，ｄ） （２Ｈ，ｄ） （２Ｈ，ｄ） 相転移温度 ９９℃ Ｃ−−−−一→　■ ［ａ　］　ｏ”　　＋　３３．４８’″（Ｃ＝　１．０
２７．　ＣＨ＊Ｃ１ｔ）ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　”） δ：　０．９０　　　　　　（６８，ｍ）１．２〜１．
９　　　　（Ｉ８Ｈ，ｍ）合成例１２ 一７８℃に冷却したジイソプロピルアミン５０５１１ｇ
及びテトラヒドロフランＬＯＲＱの溶液に１５％ｎ−ブ
チルリチウムのヘキサン溶液３ｚＱを滴下し、徐々に温
度を０℃まで上昇させ３０分間撹拌した。この反応液に
合成例７で合成した４−（４’−ｎ−ブチルトランスシ
クロヘキシル）フェニル酢酸６００１ｔ及びテトラヒド
ロフラン３ＲＱの溶液を滴下し１時間撹拌した。反応液
を一７８℃に冷却し、合成例４で合成した（Ｓ）−アリ
ルグリシジルエーテル２１Ｓｎ及びテトラヒドロフラン
１ｍ（の溶液を滴下した。反応液の温度を徐々に室温ま
で上昇させ６時間撹拌した汲水を加え、さらに塩酸酸性
としクロロホルムで生成物を抽出した。抽出物に乾燥ベ
ンゼン及び触媒量の硫酸を加え、ベンゼンを少しずつ流
出させながら６時間加熱撹拌した。冷却後ベンゼンを減
圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
で精製して下記化学式で示されるγ−ラクトン誘導体（
２Ｓ、４Ｒ）及び（２Ｒ，４Ｒ）をそれぞれ３２０ｇｙ
及び２４６ｇ得た。

（２Ｓ。

４Ｒ）体 ５．９１ ７．２０ （２Ｒ，４Ｒ）体 （ＬＨ，ｍ） （４Ｈ，ｓ） 相転移温度 ［α］ｏ”　　　３．２２　（Ｃ＝１．０３３．ＣＨｔ
Ｃｌｔ）ＮＭＲ（ＣＤＣ１，） δ　：０．８〜１．５ １．８６ ２．３０ ２．４５ ２．６８ ３．６２〜３．７６ ３．８６ ４．０９ ４．６５ ５．２２ ５．３０ （Ｉ４Ｈ，＠） （４Ｈ，＠） （ＬＨ，ｄｔ） （ＩＨ，ｍ） （ＬＨ，ｌ） （２Ｈ，ｍ） （ＩＩＩ、　ｄｄ） （２Ｈ，ｍ） （Ｉ■、ｍ） （ＩＨ，ｍ） （ＩＨ，ｌ） 相転移温度 ［α］ｏ”　　−４０，４２ ＮＭＲ（ＣＤＣ１，） δ　：０．８〜１，５ １．８６ ２．３７〜２，５５ ２．６５ ３．６０〜３．７６ ３．９５〜４．１ ４．７５ ５．２２ ５．２９ （Ｃ＝　１．０２４．ＣＨ，ＣＩ、） （Ｉ４Ｈ，ｍ） （４Ｈ，ｍ） （２Ｈ，ｄｔ） （ＬＨ，ｍ） （２Ｈ，＠） （３１，ｍ） （ＩＨ，ｓ） （ＬＨ，ｓ） （ＩＨ，ｍ） ５．９１　　　　　　（ＬＨ，ｍ） ７．１９　　　　　　（４Ｈ，ｓ） 合成例１３ 一７８℃に冷却したジイソプロピルアミン５０５す及び
テトラヒドロフラン１Ｏｘ（ｌの溶液に１５％ｎ−ブチ
ルリチウムのヘキサン溶液３ｍ１２Ｇｍ下し、徐々に温
度を０℃まで上昇させ３０分間撹拌した。この反応液に
合成例７で合成した４−（４’−ｎ−ブチルトランスシ
クロヘキシル）フェニル酢酸６００ｍ９及びテトラヒド
ロフラン３ｊＩＱの溶液を滴下し１時間撹拌した。反応
液を一７８℃に冷却し、市販の（Ｒ）−１，２−エポキ
シトリデカン（［α］♂’＋９，８゜（ｎｅａｔ））　
４７７１９及びテトラヒドロフラン１ｍ（の溶液を滴下
した。反応液の温度を徐々に室温まで上昇させ６時間撹
拌した汲水を加え、さらに塩酸酸性としクロロホルムで
生成物を抽出した。抽出物に乾燥ベンゼン及び触媒量の
硫酸を加え、ベンゼンを少しずつ流出させながら６時間
加熱撹拌した。

冷却後ベンゼンを減圧留去し、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィーで精製して下記化学式で示されるγ
−ラクトン誘導体（２Ｓ、４Ｒ）及び（２Ｒ１４Ｒ）を
それぞれ３２０ｘ９及び２４６ｔｘｇ得た。

（２Ｒ，４Ｒ）体 相転移温度 ［α］♂”　　−３，５７ ＮＭＲ（ＣＤＣＩり δ　：０．８〜１．９ ２．０２ ２．４５ ２．７２ ３．８３ ４．４７ ７．２０ （２Ｓ、　４Ｒ）体 （Ｃ＝　１．０３５．ＣＨｔＣｌｔ） （４１Ｈ，ｍ） （ＬＨ，ｄｔ） （Ｉ１，ａ＋） （ＬＨ，ｍ） （ＩＨ，ｄｄ） （ＩＨ，ａ＋） （４［１，ｓ） 相転移温度 ５０℃　　　　　　１０９℃ ［α］ｏ”　　＋　３１．０２　（Ｃ＝　１．０３８．
ＣＨ＊Ｃ１ｇ）ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　） δ　：０．８〜１．９ ２．２８〜２．５５ ３．８７ ４．６２ ７．１９ 合成例１４ 一７８℃に冷却したジイソプロピルアミン５’０５ｘｙ
及びテトラヒドロフランＬＯｘＱの溶液に１５％ｎ−ブ
チルリチウムのヘキサン溶液３３１１２を滴下し、徐々
に温度を０℃まで上昇させ３０分間撹拌した。この反応
液に合成例５で合成した４−（４’−ｎ−ヘ（４１Ｈ，
ｍ） （３Ｈ，ｍ） （ＬＨ，ｄｄ） （ＬＨ，ａ＋） （４Ｈ，ｓ） ブチル）−ビフェニル酢酸’ＩＱＱｍｇ及びテトラヒド
ロフラン３酎の溶液を滴下し１時間撹拌した。反応液を
一７８℃に冷却し、合成例２で合成した（Ｒ）−メチル
グリシジエーテル２１２１９及びテトラヒドロフラン１
ｊＩｉ２の溶液を滴下した。反応液の温度を徐々に室温
まで上昇させ６時間撹拌した浸水を加え、さらに塩酸酸
性としクロロホルムで生成物を抽出した。抽出物に乾燥
ベンゼン及び触媒量の硫酸を加え、ベンゼンを少しずつ
流出させながら６時間加熱撹拌した。冷却後ベンゼンを
減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマドグラフイ
ーで精製して下記化学式で示されるγ−ラクトン誘導体
（２Ｒ，４Ｓ）及び（２Ｓ、４Ｓ）をそれぞれ１１３ｍ
９及び２５５ｉｙ得た。

（２Ｒ，４Ｓ）体 相転移温度 ［α］ｏ”　　＋０．３５６ ＮＭＲ（ＣＤＣ１，’） δ　：　０．８ｇ １．２〜１．４５ １．６５ ２．３４ ２．６〜２．８ ３．４６ ３．６７ ３．９４ ４．６７ ７．２５ ７．３６ ７．４９ ７．５８ （２Ｓ、　４Ｓ）体 （Ｃ＝　１．Ｏ１、ＣＨｔＣ１＊） （３Ｈ，＊） （８■、鑞） （２１，ｍ） （ＩＨ，ｄｔ） （３Ｈ，ｓ） （３Ｈ，ｇ） （２１，＊） （Ｉ１１，ｄｄ） （ＩＨ，ｍ） （２Ｈ，ｄ） （２Ｈ，ｄ） （２Ｈ，ｄ） （２Ｈ，ｄ） 相転移温度 ［α］Ｄ”　　＋　３４．１８゜ １１ＭＲ（ＣＤＣＩり δ：　０．１１８ １．２〜１．４５ １．６５ ２．５２ ２．５９〜２．７５ ３．４４ ３．８５ ４．０８ ４．７７ ７．２４ ７．３３ ７．４８ ７．５７ 合成例１５ （Ｃ富１．ｏｔ３．ｃｉｔｃｔｔ） （３Ｈ，ｍ） （８Ｈ１鳳） （２Ｈ，ａ） （Ｉ！ｉ、　ｄｔ） （３Ｈ，＠） （３Ｈ，ｓ） （２Ｈ，ｍ） （ＬＨ，ｔ） （Ｉ１，＠） （２Ｈ，ｄ） （２Ｈ，ｄ） （２■、ｄ） （２Ｈ，ｄ） −７８℃に冷却したジイソプロピルアミン５０５幻及び
テトラヒドロフランＬＯＲＱの溶液に１５％ｎ−ブチル
リチウムのヘキサン溶液３１１２を滴下し、徐々に温度
を０℃まで上昇させ３０分間撹拌した。この反応液に合
成例８で合成した２−（４’−ｎ−ノニルオキシ−４−
ビフェニル）プロピオン酸７３０ｍ？及びテトラヒドロ
フラン８酎の溶液を滴下し１時間撹拌した。反応液を一
７８℃に冷却し、合成例１で合成した（Ｒ）−１，２−
エポキシノナン３１２ｍｇ及びテトラヒドロフラン１３
１１２の溶液を滴下した。反応液の温度を徐々に室温ま
で上昇させ６時間撹拌した検水を加え、さらに塩酸酸性
としクロロホルムで生成物を抽出した。抽出物に乾燥ベ
ンゼン及び触媒量の硫酸を加え、ベンゼンを少しずつ流
出させながら６時間加熱撹拌した。冷却後ベンゼンを減
圧留去し′、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製して下記化学式で示されるγ−ラクトン誘導体
（２Ｒ，４Ｒ）及び（２Ｓ、４Ｒ）をそれぞれ４０８ｍ
ｇ及び２８０１１９得た。

（２Ｒ，４Ｒ）体 相転移温度 ［α］♂’　　＋　１３．２４゜ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ５　） δ　：　０．８ｇ １．２〜１．７ １．６７ １．７９ ２．３３ ２．５０ ３．９９ ４．５７ ６．９６ ７．４５〜７．５５ （２Ｓ、　４Ｒ）体 （Ｃ＝　１．０６．ＣｕｔＣｌｔ） （６Ｈ，ｍ） （２４）１．　　ｍ） （３Ｈ，Ｓ） （２Ｈ，ａｔ） （ＬＨ，ｄｄ） （ＬＨ，ｄｄ） （２Ｈ，ｔ） （ＩＨ，ｍ） （２Ｈ，ｄ） （６Ｂ、　ｓ） 相転移温度 ［αコｏ”　　　＋　２５．１１” ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３　） δ　：　０．８ｇ １．１５〜１，７０ １．６１ １．７８ １．９９ ２．７７ ３．９９ ４．２４ ６．９６ ７．３５へ７．６０ （Ｃ＝　１．０１７．ＣＨ，Ｃ１，） （６Ｈ，ｍ） （２４Ｈ１ｓ） （３Ｈ，ｓ） （２Ｈ，ａｔ） （ＩＨ，ｄｄ） （ＩＨ，ｄｄ） （２１，ｔ） （Ｉ１，ａｔ） （２Ｈ，ｄ） （６Ｈ，ａｔ） 合成例１６ 一７８℃に冷却したジイソプロピルアミン５０５ｍｇ及
びテトラヒドロフラン１０ｍ１２の溶液に１５％ｎ−ブ
チルリチウムのヘキサン溶液３ｚＱを滴下し、０℃にし
て１時間撹拌した。この反応液に合成例５で合成した４
−（４’−ｎ−ヘプチル）−ビフェニル酢酸８ｇ２ｘｙ
のテトラヒドロフラン３ｘＱの溶液を滴下しさらに１時
間撹拌した。反応液を一７８℃に冷却し、（Ｓ）−ｎ−
ヘキシルグリシジルエーテル４４５ｍｇのテトラヒドロ
フラン８酎Ｑの溶液を滴下した。反応液の温度を徐々に
室温まで上昇させ６時間撹拌した検水を加え、さらに塩
酸酸性とじクロロホルムで生成物を抽出した。抽出物に
乾燥ベンゼン及び触媒量の１硫酸を加え、ベンゼンを少
しずつ流出させながら６時間加熱撹拌した。冷却後ベン
ゼンを減圧留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製して、下記式で示されるγ−ラクトン誘
導体（２Ｓ、４Ｒ）及び（２Ｒ，４Ｒ）をそれぞれ４０
１ｆｆ９．４６５１１９得た。

（２Ｓ、４Ｒ）体 （２Ｓ、４Ｒ）体 ０ 相転移温度 ７１℃ Ｃ−一一一→ ［α］ｏ”　　−２，１７゜ −ＦＩＭＲ（ＣＤＣ１，） δ：　０．８６〜０．９１ １．２９〜！、６１ ２．２８〜２．４２ ２６６１〜２．７６ ３．５２ ３．６１〜３，７５ ３．９２ ４．６２〜４．６７ ７．２４ ７．３５ ７．４８ ７．５７ ■ （Ｃ＝　１．０７．　ＣＩｂＣ１ｔ） （６Ｈ，ｍ） （Ｉ８Ｈ，ｍ） （ＩＨ，ｍ） （３Ｈ，ｍ） （２Ｈ，ｔ、　Ｊ＝６１．６０Ｈｚ） （２Ｈ，ｓ） （Ｉ１，ｄｄ、　Ｊ＝９．１６，１２．０９Ｈｚ）（Ｉ
Ｈ，ｍ） （２Ｂ、　ｄ、　Ｊ＝８．０６Ｈｚ） （２Ｂ、　ｄ、　Ｊ＝８．４２Ｈｚ） （２１，ｄ、Ｊ＝８．４２Ｈｚ） （２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．０６Ｈｚ） 相転移温度 ４８℃ Ｃ−一−−→　■ ［αｌｏ”　　−３７，９５６ ＮＭＲ（ＣＤＣｈ　） δ：　０．８６〜０，９０ １．２９〜１．６０ ２．４５〜２．５７ ２．６１〜２．７４ ３．５１ ３．６０〜３，７５ ４．０９ ４．７４〜４．７８ ６２４ ７．３３ ７．４８ （Ｃ＝　１．００３．ＣＨｔＣ１＊） （６Ｈ，ｍ） （Ｉ８Ｈ，＠） （ＩＨ，＠） （：ｌＨ，ｍ） （２１，ｔ、　　Ｊ＝６．６８Ｈｚ） （２Ｈ，ｍ） （ＩＨ，ｔ、　Ｊ＝９．３５Ｈ２） （Ｉ■、ｍ） （２Ｈ，ｄ、　　Ｊ＝８．０６Ｈｚ） （２Ｈ，ｄ、　Ｊ＝８．４３Ｈｚ） （２Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．４３Ｈｚ） ７．５７　　　　　　（２Ｈ，ｄ、Ｊ４．０６Ｈｚ）実
施例 萌述した合成例によって製造した第１表に示すＮｏ、ｌ
〜１２の式（Ｉ）の化合物を用いて本発明の実施を行っ
た。

（以下余白） まず、下記第３表に示す組成のノンカイラルスメクチッ
クＣ相液晶組成物Ｎｏ、１３を作製した。次いでこの液
晶組成物Ｎｏ、１３（式（ＩＩＩ）の化合物）に前記し
た第１表に示す化合物Ｎｏ、１−１２をそれぞれ２重量
％添加して１２種類の強誘電性液晶組成物を作製した。

第３表　液晶組成物Ｎｏ、１３ ５１℃　　　６３℃　　　　６９℃ Ｓｃ−〉ＳＡ−〉Ｎ−〉　Ｉ 上記で作製した強誘電性液晶組成物をそれぞれ注入した
。注入後いったん液晶組成物が等方性液体に変化する温
度にセルを加熱し、その後１’Ｃ／ｍｉｎで室温まで冷
却することにより良好な配向を有する強誘電性液晶素子
を得た。この強誘電性液晶素子の特性を第４表に示す。

なお、応答速度はＶ、、＝　２０　Ｖの矩形波形電圧を
印加したときの、電圧印加時から透過光量が５０％変化
するまでの時間とした。

（以下余白） （重量％） 次いで２枚のガラス基板上にＩＴＯ膜を形成し、更に５
ｉＯｚを形成し、ＰＶＡ膜を塗布し、ラビングした。次
にこの２枚のガラス基板をラビング方向が同一になるよ
うにセル厚２ｇｍで張り合わせ、第４表　液晶組成物Ｎ
ｏ、１３に２重量％の光学活性化合物を添加化合物　相
転移温度（’Ｃ）　　応答速度　チルト角　／ｌ’７角
ｌ　　　　　・５２・６１・６８・　　　１０Ｇ　　　
　２１　　　１２２　　　　　・５２・６２・６９・　
　　１３８　　　２１　　　１２３　　　　　・５３・
６２・６９・　・　３２５　　　　８　　　１１４　　
　　　・５１・６１・６８・　　　７５０　　　１０　
　　１５５　　　　　・５０・６０・６８・　　　１３
９　　　２０　　　１４６　　　　　・５２・６０・６
７・　　　１４６　　　１９　　　１１７　　　　　・
５１・６０・６７・　　　２３０　　　１７　　　１１
８　　　　　・５３・６１・６８・　　　１３２　　　
１９　　　１４９　　　　　・５３・６１・６８・　　
　２１４　　　１６　　　１２１０　　　　　　・４９
・５９・６７・　　　２３６　　　１９　　　１２１■
　　　　　　・５０・６０・６７・　　　２６６　　　
１９　　　１３１２　　　　　　・４７・５９・６６・
　　　１２４　　　１８　　　１１第４表から分かるよ
うに高速応答性が得られた。

また、これらの強誘電性液晶組成物においては光学活性
化合物の濃度が２重量％と低いのでネマチック相での螺
旋ピッチがセル厚に比べて長く、良好な配向性が得られ
た。

次に第１表に示す化合物Ｎｏ、１〜１２と第３表に示す
化合物Ｎｏ、１３と第５表に示す化合物Ｎｏ、１４〜１
７とを用いて、ネマチック相での螺旋ピッチがセル厚に
比べて十分長くなるように組み合わせて第６表に示す組
成の強誘電性液晶組成物Ｎｏ、　１８および１９を作成
した。

上記の例と同様にして強誘電性液晶素子を作成し、その
特性を評価した。第６表に強誘電性液晶組成物の転移温
度及び特性を併什て示した。

表５ Ｎｏ、　　構造 （以下余白） これらの強誘電性液晶組成物はネマチック相で螺旋のピ
ッチが長いため良好な配向性が得られ、また応答速度も
速いので、表示や光スィッチに関連した大容量の強誘電
性液晶素子に適用できる。

（へ）発明の効果 以上の実施例から分かるように本発明の液晶素子は、配
向性に優れ、高コントラストで明るく、動作温度範囲の
広いものであり、表示や光スィッチに関連した大容量の
強誘電性液晶素子として有用な素子である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の強誘電性液晶素子の構成説
明図、第２図は本発明の他の実施例の容量の強誘電性液
晶素子の模式図である。 １．２・・・・・・絶縁性基板、 ３．４・・・・・・導電性膜、

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、それぞれ電圧印加手段を設けた一対の基板の少なく
   とも一方に配向制御層を設け、該一対の基板間に強誘電
   性液晶層を有する強誘電性液晶素子において、該強誘電
   性液晶が一般式（ I ）▲数式、化学式、表等がありま
   す▼（ I ） （ただし、Ｒ＾１及びＲ＾２は同一又は異なって直鎖又
   は分枝鎖で１〜１５の炭素数を有するアルキル基又はア
   ルキルオキシ基、▲数式、化学式、表等があります▼は
   ▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化学式
   、表等があります▼、Ｘは水素原子又はメチル基を示し
   、＊はその炭素原子が不斉炭素原子であることを示す。 ）で表される化合物の少なくとも１種と、 一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＾３及びＲ＾４は同一又は異なって直鎖又
   は分枝鎖で１〜１５の炭素数を有するアルキル基▲数式
   、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表等が
   あります▼、▲数式、化学式、表等があります▼、又は
   ▲数式、化学式、表等があります▼を示し、＊はその炭
   素原子が不斉炭素原子であることを示す。） で表される化合物の少なくとも１種とを含有することを
   特徴とする強誘電性液晶素子。 ２、強誘電性液晶が、さらに下記一般式（III）▲数式
   、化学式、表等があります▼（III） （式中、Ｒ＾５及びＲ＾６は、各々、直鎖又は分枝鎖で
   １〜１５の炭素数を有するアルキル基又はアルキルオキ
   シ基を示す。） で表される化合物を少なくとも一種含有することを特徴
   とする請求項１記載の強誘電性液晶素子。