JPH02261892A - 強誘電性液晶組成物及びそれを用いた液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、強誘電性液晶組成物およびそれを用いた液
晶素子に関する。

（ロ）従来の技術 現在液晶素子ではネマチック液晶相を利用したものが主
流を占めているが、近年ではこれに加えてスメクチック
相を利用した種々の表示モード研究も盛んに行われてい
る。特にカイラルなスメクチックＣ相を利用した強誘電
性液晶表示は大容量が可能な点及び視角が広い点などか
ら有望視されている。

（ハ）発明力（解決しようとする課題 上記スメクチックＣ相を利用した強誘電性液晶表示に用
いる液晶材料は室温付近を中心に広い温度範囲でスメク
チックＣ相を呈する必要があるのはもちろんのこと、そ
のほかにも種々の条件を満たすことが必要である。まず
、大容量表示を行うためにはデバイス特性として高速応
答性が必要で、この観点から液晶材料には高い自発分極
と低い粘性とが要求される。また、液晶セルに適用した
場合に良好な配向性と双安定性とを得るために、［Ａ　
Ｃ（［５ｏｔｒｏｐｉｃ−Ｓ＋ａｅｃｔｉｃ　Ａ−Ｓｍ
ｅｃｔｉｃ　Ｃ）またはＩ　Ｎ　Ａ　Ｃ（Ｉｓｏｔｒｏ
ｐｉｃ−Ｎｅｍａｔｉｃ−Ｓ＋ｎｅｅｔｉｃ　Ａ−Ｓｍ
ｅｃｔｉｃ　Ｃ）という相系列を液晶材料が呈すること
が必要であり、かつネマチック相及びスメクチックＣ相
の螺旋ピッチがセル厚に比べて十分長いことが必要であ
る。コントラスト、明るさの点からは強誘電性液晶のチ
ルト角が大きいことが望ましい。さらに、誘電異方性、
屈折率異方性、比抵抗などを最適化することも必要とな
る。

しかしながら、現在のところ単一化合物で望まれる条件
を総て満たすことは不可能であり、通常、複数の化合物
を混合して液晶組成物として実用に供している。実用可
能な条件を満たす液晶組成物を作成するためには多様な
性質をもった数多くの単品液晶化合物が必要となり、と
きには、それ自身液晶性を示さない化合物が液晶組成物
の成分として有用となる可能性もある。

この発明の目的は、動作温度範囲が広く、良好な配向性
を呈し、室温で高速応答性を呈する強誘電性液晶組成物
及びそれを用いた液晶素子を提供することにある。

（ニ）課題を解決するための手段 この発明によれば、式（Ｉ） ＊ （ただし、Ｒ″及びＲ３は同−又は異なって直鎖又は分
枝鎖で１〜１５の炭素数を有するアルキル基、＊は不斉
炭素原子を示す） で表わされる化合物の少なくとも一種及び式（ＩＩ） （ただし、Ｒ″及びＲ４は同−又は異なって直鎖又は分
枝鎖で１−１５の炭素数を有するアルキル基、＊は不斉
炭素原子を示す） で表わされる化合物の少なくとも一種を含有してなる強
誘電性液晶組成物 が提供される。

上記式（Ｄ及び（ＩＩ）の化合物は、文献未記載の化合
物である。

上記式（Ｉ）及び（［１）の定義における直鎖又は分枝
鎖で１−１５の炭素数を有するアルキル基は、メチル、
エチル、プロピル、ｉ−プロピル、ブチル、ｉ−ブチル
、ペンチル、１−又は２−メチルブチル、ヘキシル、■
−文は３−メチルペンチル、ヘプチル、１−又は４−メ
チルヘキシル、オクチル、１−メチルヘプチル、ノニル
、■−又は６−メチルオクチル、デシル、１−メチルノ
ニル、ウンデシル、１−メチルデシル、ドデシル、１−
メチルウンデシルなどが含まれる。これらのアルキル基
中で炭素液に不斉炭素が含まれてもよい。

また、式（Ｉ）及び（ＩＩ）の化合物はシス体とトラン
ス体とがあるが、いずれもこの発明に用いることができ
、例えば、光学活性エピクロルヒドリンとフェノール類
を塩基の存在下で反応させて式％式％ れ、式（ＩＩ）で示される化合物のうち好ましい化合物
は、式（ｎ） ＊ の化合物を得、これに式（Ｖｌ） Ｒｘ　　ＣＨ（ＣＯＯＲ’）！　　　（’ＩＴ）（式中
、Ｒ１及びＲ１−は式（１）及び（ＩＩ）の定義と同一
の意味を示し、■は１．４−フ二二しン基または１，４
−シクロベキシレン基を示し、Ｒ８はメチル、エチルな
どの低級アルキル基、＊は不斉炭素原子を示す）のマロ
ン酸エステルを塩基の存在下に反応させることにより得
ることができる。

式（１）で示される化合物のうち好ましい化合物は、例
えば において、Ｒｓ、Ｒ−が第１表に示すものを挙げること
ができる。

なお、上記式（１）及び式（Ｉｌ）で示される化合物の
Ｒ，Ｓ表示は下記の化学式の位置番号に基づいて行った
。

第１表 式（Ｉ）および（ＩＩ）の化合物は必ずしら液晶相を示
さないが、ノンカイラルスメクチックあるいはカイラル
スメクチック液晶化合物及び組成物に適量添加すること
によってその組成物の自発分極を増大させ、強誘電性液
晶組成物の応答を高速化させることができる。

式（Ｉ）および（ＩＩ）の化合物は強誘電性液晶組成物
に対してそれぞれ０．１〜１０重量％添加するのか好ま
しく、０．５〜３重量％が特に好ましく、１０重量％超
の場合には強誘電性液晶組成物中で結晶化を起こしやす
い。この結晶化の観点から式（１）または（Ｉｆ）の化
合物を単独で用いるより両者とも用いることにより結晶
化を起こすことなく高速応答化が可能となる。特に、式
（Ｉ）の化合物は融点が高いため結晶化を起こし易く、
単独で用いるには開運があるが、一方添加量が少ない場
合には十分な応答性が褥られないため、ある程度添加量
を増やす必要がある。ただし、前述したように添加量を
増やすと結晶化の問題が生じるので、この発明のごとく
、構造の異なる式（１）および（ＩＩ）の化合物を組み
合わせて用いることにより、結晶化を起こすことなく高
速応答性を実現することができる。

この発明の液晶組成物を作製するために式（Ｉ）および
（ＩＩ）の化合物と組み合わ仕ることのできる化合物と
してカイラル又はノンカイラルの液晶化合物及び非液晶
性化合物を挙げることができ、特に好ましい化合物は、
下記一般式（■）、（■）、ＣＩりで示される化合物が
挙げられる。

Ｒ１０−＋（Ｄ−ｏ−ｅａ−Ｒ１１（■）ＲＩＧ−Ａ（
）Ｄ（）Ｅ−ｅＢ−Ｒ１１（■）ＲＩＧ−＾−（◎）　
、−［）（）　（（Ｊ）Ｂ−Ｒ“１　（■）（式中、Ａ
及びＢは、それぞれ、単結合または−ＣＯＯ−、−０Ｃ
Ｏ−、−Ｃ）Ｉ　＝　Ｃｌ−ＣＯＯ−、−０ＣＯ−ＣＨ
＝ＣＨ−、−０−、−８−。

−ｏｃｏｏ−もしくは−ＣＯ−の基を示す。Ｄ及びＥは
、それぞれ、単結合又は−Ｃｏｏ−、−０ＣＯ−、−Ｃ
）Ｉ＝Ｎ−９−Ｎ＝ＣＩ−。

−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＥＣ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃｏｏ−
、−０ＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−−ＣＨｌＣＨ，−、−０ＣＨ
Ｉ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯ８−、もしくは−５ＣＯ−
の基を示す。■、■及び■はそれぞれ同じか又は異なっ
て、ベンゼン環、シクロヘキサン環、ビシクロ［２，２
，２］オクタン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジ
ン環、ピリダジン環、ピペラジン環、ピラン環、ジオキ
サシクロヘキサン環、チアピラン環、ジチアン環、チア
ジアジン環、テトラジン環などの六員環を示し、これら
の六員環中の水素原子はフッ素原子、塩素原子、臭素原
子、ンアノ基、ニトロ基、低級アルキル基、低級アルコ
キシ基、又は重水素で置換されてもよい。ＲＩｏ及びＲ
”はそれぞれ同じか又は異なって直鎖又は分枝鎖で１〜
１５の炭素数を有するアルキル基を示し、アルキル基中
に不斉炭素が含まれていてもよい。ｐはｌ又は２の整数
を示す。） これらの化合物のうち、特に、式（ＩＩＩ）（式中、Ｒ
５及びＲ＠は炭素数１〜１５のアルキル又はアルコキシ
基を示す）で表わされるピリミジン系化合物、及び式ｆ
Ｊ） （式中、Ｒ７及びＲ８は炭素数１−１５のアルキル又は
アルコキシ基、Ａは１．４−フェニレン基又は１４−シ
クロヘキシレン基又は単結合、ｎは０又はｌを示す）で
表わされるエステル系化合物は安定なスメクチックＣ相
を呈し易く、化合物（Ｉ）および（ＩＩ）と組み合わせ
て良好な特性の強誘電性液晶組成物を作製することがで
きる。

次に、図を用いてこの発明の液晶表示素子を説明する。

第１図は、この発明の強誘電性液晶組成物を用いた透過
型液晶素子の例を示す説明図であり、絶縁基板１，２、
導電性膜３．４、絶縁性膜５、配向制御層６、シール剤
７、強誘電性液晶８、偏光板９から構成することができ
る。

絶縁性基板１．２は透光性の基板が用いられ、通常ガラ
ス基板が使用される。また、透明セラミックス基板など
を用いることもできる。

絶縁性基板１．２の上にはそれぞれＩｎＯ３，５ｎＯｚ
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕａ＋−Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）などの
導電性薄膜からなる所定のパターンの透明電極３．４が
形成される。

その上に通常、絶縁性膜５が形成されるが、これは場合
によっては省略できる。絶縁性膜５は例えば、ＳｉＯ，
、ＳｉＮ、、ＡＩｔｏ、などの無機系薄膜、ポリイミド
、アクリル樹脂、フォトレジスト樹脂、高分子液晶など
の有機系薄膜などを用いることができる。絶縁性膜５が
無機系薄膜の場合には蒸着法、スパッタ法、ＣＶ　Ｄ　
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　”／ａｐａｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法、あるいは溶液塗布法などによって形成できる
。

また、絶縁性膜５が有機系薄膜の場合には有機物質を溶
かした溶液またはその前駆体溶液を用いて、スピンナー
塗布法、浸漬塗布法、スクリーン印刷法、ロール塗布法
、などで塗布し、所定の硬化条件（加熱光照射など）で
硬化させ形成する方法、あるいは蒸着法、スパッタ法、
ＣＶＤ法などで形成したり、Ｌ　Ｂ　（Ｌａｎｇｕｍｕ
ｉｒ−Ｂｌｏｄｇｅｔｔ）法などで形成することもでき
る。

絶縁性膜５の上には配向制御層６が形成される。

ただし、絶縁性膜５が省略された場合には導電性膜３及
び４の上に直接配向制御層６が形成される。

配向制御層は無機系の層又は有機系の層を用いて作製す
ることができる。

無機系の配向制御層は、例えば酸化ケイ素の斜め蒸着法
、回転蒸着法などの方法を用いて作製することができる
。有機系の配向制御層は、ナイロン、ポリビニルアルコ
ール、ポリイミド等を用い、通常この上をラビングして
形成することができ、また、液晶配向性の高分子液晶、
ＬＢ膜等を用いることができる。この池に、磁場による
配向、スペーサエツジ法による配向なども用いることが
できる。また、５ｉＯｔ、５ｔＮｘなどを蒸着法、スパ
ッタ法、ＣＶＤ法などによって形成し、その上をラビン
グする方法も可能である。

次に２枚の絶縁性基板を張り合わせ、液晶を注入して強
誘電性液晶素子とする。

以上第１図においては画素数１のスイッチング素子とし
て説明したが、本発明の強誘電性液晶及び液晶素子は大
容屯マトリクスの表示装置に適用可能であり、この場合
には第２図に示すように上下基板の配線をマトリクス型
に組み合わせて用いる。このようなマトリクス型液晶素
子はこれまで堤案されている各種駆動法（脇田、上村、
大西。

大庭、古林、太田、　Ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｔｅｃｎｉｃ
ａｌ　Ｒｅｐｏｒｔ。

３３．４４（１９８７）によって駆動することができる
。

（ホ）作用 式（Ｉ）及び（ＩＩ）の化合物が、相乗的に液晶組成物
の、結晶化を防ぎながら自発分極を増大させ、強誘電性
液晶組成物の応答性を高速化させる。

（以下余白） （へ）実施例 実施例１ の合成 式 ％式％ を呈する式、 で表わされるフェノール誘導体２．５０９、Ｒ−（−）
−エピクロルヒドリン４．２５９及びベンジルトリエチ
ルアンモニウムクロリド２０肩９をジメチルホルムアミ
ド３ｘ（ｌに溶解させ、６０°Ｃで２４重量％の水酸化
ナトリウム水溶液１．２当量を滴下した。この温度で４
０分反応させた後、反応液を室温に戻し、次いでエーテ
ルで抽出を行い、減圧下で溶媒を留去し、残渣をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、特性値、 で表わされる８体のグリシジルエーテル１．６２９を得
た。

次に、得られた萌記Ｓ体のグリシジルエーテル３７０ｘ
ｇ、ｎ−プロピルマロン酸ノエチル４４２ス９、カリウ
ムＬ−ブトキシド１３４＋９及びｔ−ブチルアルコール
３肩Ｑを混合し１０時間還流撹拌した。反応液を室温に
戻し、４Ｎ塩酸を加えてｐＨ＝１とした後、水とメタノ
ールで洗浄し白色結晶を得た。

これをシリカゲルクロマトグラフィーにより分離精製し
て、特性値、 相転移温度 １１５℃ Ｃ＋　工 ［α］ｏ”　　＋　３２．６７°（Ｃ＝　１．０８１．
　ＣＨｔＣｌ　ｔ）ＮＭＲ（ＣＤＣ１ｓ） δ：　０．７０〜３．００　（２７Ｈ、ｍ　）４．００
〜４．２５（２Ｈ，ｍ） ４．４０〜４．８５　（ＬＨ、ｍ　） ６．６０〜７．６０　（８Ｈ、ｍ　） Ｉ　Ｒ（Ｋ　Ｂ　ｒ　）　　１７６２ｃｍ−’を呈する
式 で表わされるγ−ラクトン誘導体の（２Ｓ、４Ｓ）体２
４０ｘ９及び特性値 相転移温度 １１７℃ ｃ　−〉Ｉ ［α］ｏ”　　＋２２．５０°（Ｃ＝０．５０４．　Ｃ
Ｈ，Ｃ１、）ＮＭＲ（ＣＤ　Ｃｌ　３） δ：　０．７０〜３．００　（２７Ｈ、ｍ　）４．０（
１〜４．２５　（２Ｈ、ｍ　）４．５０〜５．ＯＯ（Ｉ
Ｈ，ｍ） ６．６（１〜７．６０（８Ｈ，ｍ） Ｉ　Ｒ（ＫＢ　ｒ）　　１７６２ｃｍＴを呈する式 で表わされるγ−ラクトン誘導体の（２Ｒ，４Ｓ）体１
４０ス９を得た。

５３式（ＩＩ）で表わされる化合物、 の合成 Ｒ−（−）−エピクロルヒドリン（化学純度９８．５％
以上、光学純度９９％以上）　５．５５９と、下記化学
式で示される４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロ
ヘキシル）フェノール２．４６９、 ベンジルトリエチルアンモニウムクロリドα、Ｏ）９と
の混合物を６０℃で撹拌させながら水酸化ナトリウム水
溶液（Ｎ　ａｏ　ＨＯ，４５９、水１５ｘ＋２）を２０
分かけて滴下し、さらに１時間還流を行った。反応溶液
を室温まで冷却し、エーテル抽出を２回行い、飽和食塩
水で１回洗浄して減圧下溶媒を留去した。

残渣をシリカゲルクロマトグラフィで精製し、下記化学
式（Ａ゛）で示される（　Ｓ　）　−２，３−エポキシ
プロピル−４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘ
キシル）フェニルエーテル１．８９を得た。

この化合物（Ａ″）の物理的特性を下記に示す。

［αコＡ’　　　＋４．４４’　　　（ｃ　＝１．３８
．　　ＣＨ＊Ｃ’１ｔ）（以下余白） ＮＭＲ（ＣＤＣ１，） δ：０４５〜２．５０　（２ＬＨ，ｍ）２．５０〜３．
ＱＯ（２Ｈ，■） ３．１５〜３．５０　（ＩＨ，巾） ３．７０〜４．３０　（２Ｈ，ａ＋） ６．７９　　　　（２Ｈ，ｄ、　　Ｊ＝９．０Ｈｚ）７
．０９　　　　（２Ｈ，ｄ、　　Ｊ＝９．０Ｈｚ）次に
、鉱油で懸濁させた５０重量％水素化ナトリウム２２４
ｍｇを乾燥エーテルで２回洗浄後、乾燥テトラヒドロフ
ラン１．ＯｘＱを加えた。この＠濁液を４０℃で撹拌し
ながらｎ−ブチルマロン酸ジメチル１３０ｘｇを滴下し
て５分間撹拌した後、上記で得られた（　Ｓ　）−２，
３−エポキシプロピル−４−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）フェニルエーテル（Ａ’）１．４
１９を滴下し、２０時間還流撹拌した。反応液を室温に
戻してから４Ｎ塩酸をｐＨ＝ｔになるまで滴下した後、
エーテル抽出を２回行い、飽和食塩水で１回洗浄して減
圧下溶媒を留去した。残渣をシリカゲルクロマトグラフ
ィで分離精製し、下記化学式で示される光学活性化合物
、（２９，４Ｓ）体のγ−ラクトン誘導体５０ｍｇを得
た。

光学活性化合物、（２Ｓ、４Ｓ）体の化学式、物理的特
性及び元素分計結果を下記に示す。

相転移温度：Ｃ−１ ［α］Δ’＋３３．４５°　（ｃ　＝０．６５８．　Ｃ
ＨｔＣｌｔ）ＮＭＲ（ＣＤＣｌ２） δ：　０．８８〜１．９８　（３０Ｈ，口）２．３８〜
２．６７　（３Ｈ，ｍ） ４．０７〜４．１３　（２Ｈ，ｌ１１）４．６７〜４゜
７３（ＩＨ，ｍ） ６．８３　　　　（２Ｈ，ｄ、　Ｊ　＝８．３Ｈｚ）７
．１２　　　　（２Ｈ，ｄ、　Ｊ　＝８．３Ｈｚ）Ｉ　
Ｒ（ＫＢｒ）　　　１７６２ｃｍ−’（以下余白） 元素分析（ＣｚａＨ−００，として） Ｈ 理論値（％）　　？７．９５　　１０．０７実測値（％
）　　７７．９１　　１０．１２Ｃ７強誘電性液晶組成
物の　成 式（＋）及び（Ｉ［）で表わされる化合物として、この
実施例の方法により合成された 愈 式（ＩＩＩ）で表わされる化合物として、公知の方法に
よってい得られた、 ＣＪ、ｓ４侮ＯＣ，Ｈ，。

４３％ を配合して、液晶組成物を作製した。

この液晶組成物は、その相転移が （ここでＳＣ，ＳＡ、Ｎ、ＩはそれぞれスメクチックＣ
相、スメクチックＡ相、ネマチック相、等方性液体を示
す）であり、室温でスメクチックＣ相を呈した。

ｄ、液晶素子の作成及び評価 ２枚のガラス基板上に、ＩＴＯ膜を形成し、さらにＳｉ
Ｏｘを形成し、ナイロン膜を塗布しラビングして液晶配
向制御層を形成して液晶セル部材を作製した。次にこの
２枚の液晶セル部材をセル厚２μｍで張り合わせ、前記
液晶組成物を注入した後いったん液晶組成物が等方性液
体に変化する７５℃にセルを加熱し、その後１’ｃ／ｍ
ｉｎで室温まで冷却することにより前記液晶組成物を良
好に配向し得た。

この液晶セルを２枚の直交する偏光子の間に設置し、Ｖ
　ｐ−ｐ＝　２０　Ｖの矩形波を印加したところ透過光
強度の変化か観察された。透過光強度の変化より求めた
応答速度は２５℃で５８μｓｅｃ、チルト角度は１６゛
であった。

比較例Ｉ 式（Ｉ）と式（ＩＩＩ）の化合物を用い、式（ＩＩ）の
化合物を用いずして以下に示す液晶組成物を作製した。

し、°その相転移は ５０℃ Ｓｃ−＋ ６９℃ ＳＡ　−→ ７１℃ Ｎ　　−一ン　Ｉ であった。しかしながら、室温に長時間放置すると結晶
化を生じた。

実施例Ｉと同様にして強誘電性液晶セルを作成し、Ｖｐ
−ｐ＝　２０　ｖの矩形波を印加したときの透過光強度
の変化より求めた応答速度は２５℃で７５μｓｅｃ、チ
ルト角度は１８°であった。

比較例２ 式（ＩＩ）及び（Ｉｆｆ）の化合物を用い、式（１）の
化合物を用いずして以下に示す液晶組成物を作成した。

この液晶組成物は室温でスメクチックＣ相を示し、その
相転移は ３８°Ｃ６６℃　　　　６８℃ であった。

実施例１と同様にして強誘電性液晶セルを作成し、Ｖ　
ｐ−ｐ＝　２０　Ｖの矩形波を印加したときの透過光強
度の変化より求めた応答速度は２５℃で５６μ５ｅｃ１
チルト角度はｌビであった。

実施例１の強誘電性液晶組成物は以下の点で比較例１お
よび比較例２の強誘電性液晶組成物より優れている。

すなわち、比較例１の強誘電性組成物は室温に長時間放
置すると結晶化を生じ、実用に耐えられない。これに対
して実施例１の強誘電性液晶組成物は結晶化を生じるこ
となく、応答速度の点でも比較例１より高速応答性を実
現できた。

一方、比較例２の強誘電性液晶組成物はカイラルスメク
チックＣ相の上限温度が低く、実用的に好ましくない。

実施例１の強誘電性液晶組成物は化合物（Ｔ）を含有す
るために応答速度を大きく低下させることなくカイラル
スメクチックＣ相の上限温度が比較例２の強誘電性液晶
組成物よりら高くすることができた。また、チルト角度
も実施例１の方が大きくできた。

実施例２ 式（１）及び（ＩＩ）で表わされる化合物として、この
実施例の方法により合成された 式（［［）で表わされる化合物として、公知の方法によ
って得られた、 Ｃ３Ｈ１，−ｃｏ−ＯＣ４ｌ（１コ １３％ 式（ＩＶ）で表わされる化合物として、公知の方法によ
って得られた Ｃ−Ｈ＋ｓ−◎−ｃｏｏ−ｏ−ｏｃ、＋＋　、。

ｃｓ　Ｈ、＠　−＠−ＣＯＯ−＠−＠−ＯＣ，ｌｌ　、
。

Ｃｓ　１１１３−＠−ｃｏｏ−＠−＠−ｏｃ、ｕ、。

ｃ、ｏＨｔ　、ｏ　−＠−ｃｏｏ−ｏ−Ｑ−ＣｓＨｌ　
。

を配合して、液晶組成物を作製した。

この液晶組成物は室温でスメクチックＣ相を示し、その
相転移が ５４４°Ｃ５７℃　　　　７８°Ｃ ＳＣＳＡ　　　　　　Ｎ　　　　　−１であった。

実施例１と同様にして強誘電性液晶セルを作成し、Ｖ　
ｐ−ｐ＝　２０　Ｖの矩形波を印加したときの透過光強
度の変化を求めた応答速度は２５℃で１０７ｇ５ｅｃ、
チルド角度は３０“であった。この液晶組成物は式（Ｉ
）と式（［Ｉ）の化合物を組み合わせることにより、低
温での結晶化を起こすことなく高速応答性を実現でき、
加えて、エステル系化合物を組み合わせたことにより、
カイラルスメクチックＣ相の上限温度を広げることがで
きた。

（ト）発明の効果 この発明によれば、室温を中心に広い温度範囲でスメク
チックＣ相を呈し、チルト角が大きく、かつ高速応答性
を呈する強誘電性液晶組成物を提供することができ、こ
の該強誘電性液晶組成物を用いることにより、配向性が
よく、高コントラストで明るく、動作温度範囲の広い、
大容量の強誘電性液晶素子を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の強誘電性液晶組成物を用いた強誘
電性液晶素子の説明図、第２図は、この発明の強誘電性
液晶素子を用いた大容量強誘電性液晶素子の電極配線の
説明図である。 １．２・・・・・・絶縁性基板、３，４・・・・・・導
電性膜、５・・・・・・絶縁性膜、　　　　６・・・・
・・配向制御層、７・・・・・・シール剤、　　　　８
・・・・・・強誘電性液晶、９・・・・・・偏光板。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ＾１及びＲ＾２は同一又は異なって直鎖又
   は分枝鎖で１〜１５の炭素数を有するアルキル基、＊は
   不斉炭素原子を示す） で表わされる化合物の少なくとも一種及び 式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （ただし、Ｒ＾３及びＲ＾４は同一又は異なって直鎖又
   は分枝鎖で１〜１５の炭素数を有するアルキル基、＊は
   不斉炭素原子を示す） で表わされる化合物の少なくとも一種を含有してなる強
   誘電性液晶組成物。 ２、式（ I ）及び（II）で表わされる化合物それぞれ
   の少なくとも一種と、 式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） （ただし、Ｒ＾５及びＲ＾６は直鎖又は分枝鎖で１〜１
   ５の炭素数を有するアルキル又はアルコキシ基を示す） で表わされる化合物の少なくとも１種を含有してなる強
   誘電性液晶組成物。 ３、式（ I ）、（II）及び（III）で表わされる化合物
   それぞれの少なくとも１種と、式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） （ただし、Ｒ＾７及びＲ＾８は直鎖又は分枝鎖で１〜１
   ５の炭素数を有するアルキル又はアルコキシ基、Ａは１
   ，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基又
   は単結合を示す）で表わされる化合物の少なくとも一種
   を含有してなる強誘電性液晶組成物。 ４、請求項１〜３のいずれかの強誘電性液晶組成物を有
   する強誘電性液晶素子。