JPH02202851A - 光学活性化合物及びそれを含有する強誘電性液晶組成物及びその液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は新規な光学活性化合物及びそれを含有する強
誘電性液晶組成物及びその液晶素子に関する。

（ロ）従来の技術 従来、最も広く用いられている液晶表示素子は液晶のネ
マチック相を利用したものである。しかし、ツィステッ
ドネマチック（ＴＮ）型液晶表示素子はライン数の増加
に伴ってコントラストが低下するので、１００ＯＸ　１
０００ラインの大容量表示素子を作ることは不可能であ
る。このＴＮ型液晶表示素子を改良するためスーパーツ
ィステッドネマチック（ＳＴＮ）型液晶表示素子、ダブ
ルス−バーツィステッドネマチック（ＤＳＴＮ）型液晶
表示素子が開発されているが、ライン数の増加と共にコ
ントラスト、応答速度が低下するので、現状では４００
Ｘ７２０ライン程度の表示容量が限界である。また、基
板上に薄膜トランジスタ（Ｔ　ｒ’　Ｔ　）を配列した
アクティブマトリックス方式の液晶表示素子が開発され
、ｌ０００ｘ　１０００ラインの大容量表示が可能にな
ったが、一方製造プロセスが長く、歩留りの低下も生じ
やすく、製造コストが非常に高くなるという欠点を有し
ている。

近年、前記ネマチック相を利用した液晶表示素子に加え
てスメクチック相を利用した種々の表示モードの研究も
盛んに行われており、強誘電性液晶表示素子の提案（ア
プライド　フィジカル　レターズ、３６巻、第８９９頁
（１９８０年））がある。この表示方法は強誘電性液晶
であるカイラルスメクチックＣ相、カイラルスメクチッ
クＩ相などを利用するものであり、メモリー性を利用す
る方式であることから、応答速度の向上にともなって実
質上表示の大容量化が可能であり、また薄膜トランジス
タなどのアクティブ素子を必要としないことから、製造
コストも上がらない。また上記の強調―性液晶素子は視
角が広いという長所も兼ね備えており、ｔｏｏｏｘ　ｔ
ｏｏｏライン以上が可能な大容量表示用の素子として大
いに有望視されている。

（ハ）発明が解決しようとする課題 上記スメクチックＣ相を利用した強誘電性液晶表示に用
いる液晶材料は室温付近を中心に広い温度範囲でスメク
チックＣ相を呈する必要があるのはもちろんのこと、そ
のほかにも種々の条件を満たすことが必要である。まず
、大容量表示を行うためにはデバイス特性として高速応
答性が必要で、この観点から液晶材料には高い自発分極
と低い粘性とが要求される。また、液晶セルに適用した
場合に良好な配向性と相安定性とを得るために、■とい
う相系列を液晶材料が呈することが必要であり、かつネ
マチック相及びスメクチックＣ相の螺旋ピッチがセル厚
に比べて十分長いことが必要である。さらに液晶表示の
コントラスト、明るさに関係するチルト角度も大きな値
が望まれる。

しかしながら、現在のところ単一化合物で望まれる条件
を総て満たすことは不可能であり、通常、複数の化合物
を混合して液晶組成物として実用に供している。実用可
能な条件を満たず液晶組成物を作成するためには多様な
性質をもった数多くの単品液晶化合物が必要となり、と
きには、それ自身液晶性を示さない化合物が液晶組成物
の成分として有用となる可能性もある。

この発明はこのような状況下でなされたものであり、強
誘電性液晶組成物の応答特性の向上を可能にする新規な
光学活性化合物を提供し、更にこの光学活性化合物を用
いて動作温度範囲が広く、良好な配向性を有し、かつ、
室温で高速応答性を示す強誘電性液晶組成物及びその液
晶素子を提供しようとするものである。

（ニ）課題を解決するための手段 この発明によれば、 １、式 ％式％（１） （ただし、Ｒ−は直鎖又は分枝状で１〜１５の炭素数を
有するアルキル又はアルコキシ基、（つは１．４−シク
ロヘキシレン基又は１．４−フェニレン基、舎は１．４
−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４フエニレン基
、−又はモノ又はジ又はトリフルオロメチル基、−Ｙ−
は−〇　Ｈを−又は−ｃｏｏ−−ｚは直鎖又は分枝状で
１〜８の炭素数を有するアルキル基又はフェニル基又は
水素原子、ｎは０〜Ｉ５の整数、を示す） で表わされる光学活性化合物が提供される。

上記式（Ｉ）の化合物は、文献未記載の化合物である。

上記（１）の定義における直鎖又は分枝状で１〜１５の
炭素数を有するアルキル基は、メチル、エチル、プロピ
ル、ｉ−プロピル、ブチル、■又は２−メチルプロピル
、ｔ−ブチル、ペンチル、１−又は２−メチルブチル、
ヘキシル、■−又は３−メチルペンチル、ヘプチル、１
−又は４−メチルヘキシル、オクチル、■−メチルヘプ
チル、ノニル、１−又は６−メチルオクチル、デシル、
■−メチルノニル、ウンデシル、１−メチルデシル、ド
デシル、■−メチルウンデシルなどが含まれる。これら
のアルキル基中で炭素鎖に不斉炭素が含まれてもよい。

また、直鎖又は分枝状で１〜１５の炭素数を有するアル
キルオキシ基はメトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、
ｉ−プロピルオキシ、ブチルオキシ、ｉ−ブチルオキシ
、ペンチルオキシ、ｌ−又は２−メチルブチルオキシ、
ヘキシルオキシ、１又は３−メチルペンチルオキシ、ヘ
プチルオキシ、１−又は４−メチル・ヘキシルオキシ、
オクチルオキシ、１−メチルへブチルオキシ、ノニルオ
キシ、ｌ−又は６−メチルノニルオキシ、デシルオキシ
、１−メチルノニルオキシ、ウンデシルオキシ、１メチ
ルデシルオキシ、ドデシルオキシ、■−メチルウンデシ
ルオキシなどが含まれる。これらのアルキルオキシ基中
で炭素鎖に不斉炭素が含まれてもよい。

（以下余白） 式（Ｉ）の化合物のうち好ましい化合物として、Ｃ７Ｈ
，−〇（沢Ｃｏｏ−Ｃｌ１（ＣＰａ）−Ｃ，１１，？Ｃ
８１（１９０（Ｈ）Ｃ００−ＣＩｌ（ＣＩＩＩＰ’）−
ｃｅｌｌｌ？Ｃ１１Ｈ１？０＜パ茨Ｃｏｏ−Ｃｌ１（Ｃ
ＨｔＦ）−Ｃｅ１１．。

Ｃ１゜Ｈ！ＩＯ壱昏Ｃ０Ｏ−Ｃ１ｌ（ＣＨ，Ｐ）−Ｃ６
１１１３Ｃａ１１．５ｌｃＯｏ−ＣＩ（ＣＨｔＦ）−Ｃ
ａＨ＋　３ＣＩｌＩｌｌ？０＜バ＞　Ｃ０Ｏ−ＣＩｌ（
ＣＩｌ、Ｐ）−Ｃ山うｃ、ｎ、ｓｏ　−０＠−Ｃ０Ｏ−
ＣＩｌ（ＣＩＩＩＰ）−ＣｎｔＣＯＯＣ山Ｃｅ１ｌ＋ｓ
Ｏ◎（軒Ｃｏｏ−ＣＴＩ（Ｃ１，Ｆ）−ＣＩｌ、Ｃ００
Ｃ，Ｉｔｓｃｓｏ＋７ｏ−Ｇ＜訳Ｃ０Ｏ−ＣＩ（ＣＩ’
５）−Ｃ８１１，３Ｃ，Ｂ＋、？Ｏ−Ｇ＠−Ｃ０Ｏ−Ｃ
Ｉｌ（ＣＦ、’）−Ｃ８１１１？Ｃｓ１１．ｔＯ−＠−
＠沢Ｃｏｏ−ＣＨ（ＣＦ３）−Ｃ，山、ｃ、＋＋、　０
０−＠−＠−Ｃ０Ｏ−ＣＩｌ（ＣＦり−Ｃｅ１１＋。

Ｃａ’ｌｌ＋＋＜澱＞　Ｃ０Ｏ−ＣＩｌ（ＣＰＯ）−Ｃ
Ｂ＋１１？ｃ７ｕ、Ｂ＋Ｋ）（奸Ｃｏｏ−Ｃｌ１（ＣＦ
、）−Ｃ，１１，日のｃｓｔｔｔｌｏ−＠−Ｇ−ＣＱＯ
−ＣＩ（ＣＰｓ）−ＣＪ＊　−◎ＣｅＨ＋ギＯ昏Ｃ０Ｏ
−Ｃ１ｌ（ＣＦ、）−ＣＩｌ、Ｃ００Ｃ山Ｃ，Ｈｌｌ（
パ鼾Ｃ００−ｅｌｌ（ＣＦ、）−Ｃ１１２ＣＯＯＣ山ｃ
、山、（只Ｊｃｏｏ−ｃｏ（ｃｐ３）−ｃ４ｕ、−＠等
で表わされる化合物を挙げることができる。

式（ｒ）の化合物は、例えば式（ＩＩ）に示すように対
応するカルボン酸を５塩化リンと反応させてカルボン酸
クロリドに変え、このカルボン酸クロリドを対応するフ
ルオロアルコールと反応させて得ることができる。

ｃ、山、０舎昏Ｃｏｏ−Ｃｌ１（ＣＰｓ）−Ｃ−１１，
ｔｃ、山、０舎ηＣ０Ｏ−ＣＩｌ（ＣＦ３）−Ｃａ１１
．３−１０＝ ＋１Ｏ−ＣＩｌ（Ｘ）−（ＣＩｌｔ）、、−Ｙ−ＺＲ如
Ｘ吐Ｃ００Ｉｌ＋ＰＣｌ５→Ｒ如Ｘ吟Ｃ０ＣＩＲ如Ｘ呼
Ｃ０Ｏ−ＣＩｌ（Ｘ）−（ＣＩｌｆｆｉ）、−Ｙ−Ｚ　
　　　＜　ＩＩ　）Ｒ３−＾−Ｃ）Ｄ舎Ｂ−Ｒ’　　　
　　　（ＩＩＩ）Ｒ３−Ａ■Ｄ舎ＥΦＢ−Ｒ’　　　（
ＴＶ）Ｒ３−Ａ−（◎）ｐ＝１＞（）（ＣＮ）Ｂ−Ｒ’
　　（Ｖ）また式（１）の化合物は必ずしも液晶相を示
さないが、強い双極子モーメントを有するモノ又はジ又
はトリフルオロメチル基が光学活性炭素に結合して大き
な自発分極を呈し、ノンカイラルスメクチックあるいは
カイラルスメクチック等のスメクチッチＣ相を呈する液
晶化合物及び組成物に通常０．５〜２０重量％添加する
ことによって、強誘電性液晶組成物をつくることができ
る。

上記スメクチックＣ相を呈する液晶化合物は当該分野で
知られた式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）で示される化
合物を一種又は２種以」二混合して用いることができる
。

（式中、Ａ及びＢは、それぞれ、単結合またはＣＯＯ−
、−０ＣＯ−、−ＣＩｌ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−０ＣＯ−
Ｃ１ｌ＝ＣＩＩ　−、−０−、−３ｏｃｏｏ−もしくは
−ＣＯ−の基を示す。Ｄ及びＥは、それぞれ、単結合又
は−Ｃｏｏ−、−０ＣＯ−、−ＣＩＩ＝Ｎ−、−Ｎ＝Ｃ
ＩＩ−ＣＩ＝Ｃ１１−、−Ｃ＝Ｃ−、−Ｃ１１＝Ｃ１１
−Ｃ００−、−０ＣＯ−Ｃ１１＝Ｃ１１−。

ＣＩ＋２Ｃ１１ｔ−、−０Ｃ１１，−、−ＣＩ＋２０−
、−ＣＯ３−、もしくは−８Ｃ〇−の基を示す。■、■
及び■はそれぞれ同じか又は異なって、ベンゼン環、シ
クロヘキザン環、ビシクロ［２，２，２］オクタン環、
ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環
、ピペラジン環、ピラン環、ジオキザンクロヘギザン環
、デアピラン環、ジチアン環、デアジアジン環、テトラ
ジン環などの六員環を示し、これらの六員環中の水素原
子はフッ素原子、塩素原子、臭素原子、シアノ基、ニト
ロ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、又は重水素
で置換されてもよい。Ｒ３及びＲ′はそれぞれ同じか又
は異なって直鎖又は分岐状で１〜１５の炭素数を有する
アルキル基を示し、アルキル基中に不斉炭素が含まれて
いてもよい。ｐはｌ又は２の整数を示す。） 前記強誘電性液晶組成物を光透過性の電極及び液晶配向
膜を有するセルに封入することにより、高速応答性で１
００ＯＸ　１０００ライン以上の大容量表示の液晶素子
を作製することができる。この液晶素子は、表示素子の
他に光スイツチング素子、光論理素子として有効に用い
ることができる。

（ホ）作用 強い双極子モーメントを有するモノ又はジ又はトリフル
オロメチル基が光学活性炭素に結合して大きな自発分極
を呈する。

（へ）実施例 実施例１ （Ｓ）−４’−ｎ−オクチルオキシ−ビフェニル４−カ
ルボン酸−１−トリフルオロメヂルーヘブチルエステル
（ＣＩｌｌＩ＋７０（）（奸Ｃ００ＣＩＩ（ＣＰｓ）Ｃ
ｅｌ１１ａ）の製造 ４’−ｎ−オクチルオキシ−ビフェニル−４−カルボン
酸０．５９（１，５ミリモル）に５塩化リン４ｇ（１，
９ミリモル）を加え、加熱して反応させる。

減圧蒸留によりＰＯＣｌ３及び過剰の５塩化リンを除去
し、４′−ｎ−オクチルオキシ−ビフェニル４−カルボ
ン酸クロリドを得た。得られた４′ｎ−オクチルオキシ
−ビフェニル−４−カルボン酸クロリドをピリジンに溶
解し、この溶液に（Ｓ）■＝トリフルオロメヂルーヘブ
タノール０．２８ｇ（１，５ミリモル）を加え、室温で
１２時間放置した後、８０℃に加温し、そのまま３時間
保ってから冷却して反応混合物を得る。その後、この反
応混合物をＭＣＩ水溶液に加え、ジエチルエーテルで抽
出する。このジエチルエーテル層をＮ　ａＨＣＯ３水溶
液、次いで水で洗い、Ｎ　ａ　２Ｓ　０４で乾燥し、ジ
エチルエーテルを留去し、残留物をカラ１、クロマトグ
ラフィー（溶媒；り四ロフォルム）で精製し、目的とす
る（Ｓ）　−４’−ｎ−オクチルオキシビフェニル−４
−カルボン酸−１−トリフルオロメチル−ヘプチルエス
テルを得た。得られた化合物は、第１図のように赤外ス
ペクトルを示し、旋光度［α］が−３８，７を示した。

この化合物は常温で液体であり液晶相を呈さないが液晶
組成物の成分として利用することができる。

実施例２ （Ｓ）−４′−ｎ−オクチルオキシ−ビフェニル４−カ
ルボン酸−１−トリフルオロメチル−ノニルエステルの
製造 実施例１において、（Ｓ）−１−）リフルオロメチル−
ヘプタツール０．２ｈ　（１，５ミリモル）を用いる代
わりに（Ｓ）−１−トリフルオロメチルノナノールＯＪ
Ｏｇ（１，５ミリモル）を用いこの他は実施例１と同様
にして（Ｓ）−４’−ｎ−オクチルオキシ−ビフェニル
−４−カルボン酸−１−トリフルオロメチル−ノニルエ
ステルを製造した。

得られた化合物は、旋光度［α］が−２１，８を示した
。この化合物は常温で液体であり液晶相を呈さないが液
晶組成物の成分として利用することができる。

実施例３ （Ｓ）−１−（４’−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）−
３−フルオロフェニル−４−カルボン酸−１トリフルオ
ロメチル−ノニルエステル 実施例１において、４’−ｎ−才クチルオキシ−ビフェ
ニル−４−カルボン酸０．５ｇ（１，５ミリモル）を用
いる代わりに、１−（４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル
）−３−フルオロフェニル−４−カルボン酸０．４４９
　（１，５ミリモル）を用い、（Ｓ）−１−）リフルオ
ロメチル−ヘプタツール０．２８９　（１，５ミリモル
）を用いる代わりに（Ｓ）−１−１リフルオロメヂルー
ノナノール０．３２９　（１，５ミリモル）を用い、こ
の他は実施例１と同様にして（Ｓ）−１（４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）−３−フルオロフェニル−４−カ
ルボン酸−１−トリフルオロメヂルーノニルエステルを
製造した。

得られた化合物は、旋光度［α］が−２６，０を呈した
。この化合物は常温で液体であり液晶相を呈さないが液
晶組成物の成分として利用することができる。

実施例４ この発明に係る光学活性化合物を含む液晶組成物の製造 第１表に示すようにノンカイラル・ピリミジン液晶混合
物９８重量％に、この発明の実施例１で合成した（Ｓ）
−４’−ｎ−オクチルオキシ−ビフェニル−４−カルボ
ン酸−１−トリフルオロメチル−ヘプチルエステルを２
重量％添加した液晶組成物を作製した。

（以下余白） この液晶組成物は室温でスメクチックＣ相を呈し、その
転移点は、 ４８℃　　６７℃　　６９°Ｃ ３Ｃ−〉ＳＡ−〉Ｎ−〉■ （ただし、Ｓｃ、ＳＡ、Ｎ、Ｉは、以下記載も同様に、
それぞれスメクチックＣ相、スメクチックＡ相、ネマチ
ック相、等方性液体を表わす）であった。

次に、２枚のガラス基板上にＩＴＯ膜の電極を形成し、
この上にＳｉＯ＊絶縁膜を形成し、更にこの上にナイロ
ン膜を塗布しラビングすることにより液晶配向膜を形成
して液晶用セル部材を作製した。次にこの２枚の液晶用
セル部材を液晶配向膜形成面を内側にしてセル厚２ｐｍ
に張り合わせ、この間に前記液晶組成物を注入した。注
入後いったん液晶組成物が等方性液体に変化する７５℃
にセルを加熱し、その後１’Ｃ／ｍｉｎで室温まで冷却
することにより良好な配向を得た。

この液晶セルを２枚の直行する偏向子の間に配置し、Ｖ
、、＝　２０　Ｖの矩形波を印加したところ透過光強度
の変化が観察された。透過光強度の変化により求めた応
答速度は、２５℃で２３２μＳｅｅ。

チルト角度は９°であり、後述の比較例で示す液晶素子
に比べて応答速度が優れていた。

比較例１ 実施例４において、（、Ｓ　）　−４’、−ｎ−才クチ
ルオキシ−ビフェニル−４−カルボン酸−１−１リフル
オロメチルーヘプヂルエステルを用いる代わりに、（Ｓ
）−４’−ｎ−才クチルオキシ−ビフェニル−４−カル
ボン酸−１−メチル−ヘプチルエステルを用い、この他
は実施例４と同様にして液晶組成物を作製した。

この液晶組成物は室温でスメクチックＣ相を呈し、その
転移点は ４６℃　　　　６８℃　　　７０℃ Ｓｃ−〉ＳＡ−〉Ｎ−〉　Ｉ であった。

この液晶組成物を用いて、実施例４と同様にして液晶素
子を作製し応答速度を測定したところ２５℃で２６６μ
ｓｅｃでやや遅かった。

実施例５ 実施例４において、（Ｓ）　−４’−ｎ−オクチルオキ
シ−ビフェニル−４−カルボン酸−１−トリフルオロメ
チル−ヘプチルエステルを用いる代わりに実施例２で製
造した（Ｓ）−４’−ｎ−才クチルオキシ−ビフェニル
−４−カルボン酸−１−トリフルオロメチル−ノニルエ
ステルを用い、この他は実施例４と同様にして液晶組成
物を作製した。

この液晶組成物は室温でスメクチックＣ相を呈し、その
転移点は、 ４６℃　　　　６８℃　　　７０°Ｃ ３ｏ−〉ＳＡ−〉Ｎ−〉　Ｉ であった。

また、実施例４と同様にして液晶素子を作製したところ
、この液晶素子は応答速度１ｇ２μｍｅｃ、チルト角１
ピを呈し、応答速度に優れていた。

実施例６ 実施例４において、（Ｓ）−４’−ｎ−オクチルオキシ
−ビフェニル−４−カルボン酸−１−トリフルオロメチ
ル−ヘプチルエステルを用いる代わりに実施例３で製造
した（Ｓ）　−１−（４’−ｎ−ペンチルシクロヘキシ
ル）−３−フルオロフェニル−４−カルボン酸−１−ト
リフルオロメチル−ノニルエステルを用い、この他は実
施例４と同様にして液晶組成物を作製した。

この液晶組成物は室温でスメクチックＣ相を呈し、その
転移点は、 ３２℃　　　　６７℃　　　６８°Ｃ ６ｃ−〉ＳＡ−〉Ｎ−〉Ａ であった。

また、実施例４と同様にして液晶素子を作製したところ
、この液晶素子は応答速度２０４μｍｅｃを呈し応答速
度に優れていた。

（ト）発明の効果 この発明によれば、新規な光学活性化合物を提供するこ
とができる。

この発明の光学活性化合物を用いて、室温を中心に広い
温度範囲でスメクチックＣ相を呈する強誘電性液晶組成
物を提供することができる。

この発明の強誘電性液晶組成物を用いて配向性が良く、
高コントラストで明るく、動作温度範囲が広く、高速応
答性で、大容量の液晶素子を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の実施例で得られた光学活性化合物
の赤外スペクトルの図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ−は直鎖又は分枝状で１−１５の炭素数を
   有するアルキル又はアルコキシ基、▲数式、化学式、表
   等があります▼は１，４−シクロヘキシレン基又は１，
   ４−フェニレン基、▲数式、化学式、表等があります▼
   は１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フ
   ェニレン基、−Ｘはモノ又はジ又はトリフルオロメチル
   基、−Ｙ−は−ＣＨ＿２−又は −ＣＯＯ−、−Ｚは直鎖又は分枝状で１〜８の炭素数を
   有するアルキル基又はフェニル基又は水素原子、ｎは０
   〜１５の整数、を示す） で表わされる光学活性化合物。 ２、式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ−は直鎖又は分枝状で１〜１５の炭素数を
   有するアルキル又はアルコキシ基、▲数式、化学式、表
   等があります▼は１，４−シクロヘキシレン基又は１，
   ４−フェニレン基、▲数式、化学式、表等があります▼
   は１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フ
   ェニレン基、−Ｘはモノ又はジ又はトリフルオロメチル
   基、−Ｙ−は−ＣＨ＿２−又は −ＣＯＯ−、−Ｚは直鎖又は分枝状で１〜８の炭素数を
   有するアルキル基又はフェニル基又は水素原子、ｎは０
   〜１５の整数、を示す） で表わされる光学活性化合物の少なくとも１種を含有し
   てなる強誘電性液晶組成物。 ３、式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒ−は直鎖又は分枝状で１〜１５の炭素数を
   有するアルキル又はアルコキシ基、▲数式、化学式、表
   等があります▼は１，４−シクロヘキシレン基又は１，
   ４−フェニレン基、▲数式、化学式、表等があります▼
   は１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フ
   ェニレン基、−Ｘはモノ又はジ又はトリフルオロメチル
   基、−Ｙ−は−ＣＨ＿２−又は −ＣＯＯ−、−Ｚは直鎖又は分枝状で１〜８の炭素数を
   有するアルキル基又はフェニル基又は水素原子、ｎは０
   〜１５の整数、を示す） で表わされる光学活性化合物の少なくとも１種を含有し
   てなる強誘電性液晶組成物からなる液晶素子。