JP3291331B2 - エステル誘導体を含有する液晶組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶材料として有用なエ
ステル誘導体に関し、さらにこのエステル誘導体を含有
する液晶組成物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置は、時計、電卓をはじめワ
ープロ、テレビ等に広く利用されている。これらの液晶
表示装置の中で特に多く使用されているのは、液晶材料
の光学的異方性および誘電異方性を利用したＴＮ型（ね
じれネマティック型）液晶表示装置である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】現在ＴＮ型などの液晶
表示装置に用いられている液晶材料に要求される特性と
しては、液晶温度範囲が広いこと、電気光学的な応答速
度が速いこと、視野角範囲が広いこと、駆動電圧が低い
こと、化学的および光学的に安定であることなどが挙げ
られる。

【０００４】広視野角、高コントラストを得るために
は、液晶層のリターデーション△ｎ・ｄ（△ｎは液晶材
料の複屈折、ｄは液晶層の厚み）を最適化する必要があ
る。しかし、実際に使用されている液晶表示装置では液
晶層の厚みがある範囲内に設定されてしまうため、液晶
材料のΔｎの最適化が必要となっていた。

【０００５】また、駆動電圧はしきい値電圧Ｖthの値に
依存し、しきい値電圧Ｖthを小さくすることにより、よ
り低い電圧で液晶表示装置を駆動させることができる。
よって、しきい値電圧Ｖthを小さくする液晶材料が必要
となっていた。

【０００６】以上のような特性を全て満足する単一の液
晶化合物は未だに見い出されていない。そのためにいろ
いろな特性をもった数種の液晶化合物を混合したり、あ
るいは非液晶化合物を混合したりして実用に供している
のが現状である。

【０００７】そこで本発明の目的は、液晶組成物に混合
することによって、Δｎおよびしきい値電圧Ｖthを小さ
くすることのできるエステル誘導体を提供することであ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に関わるエステル
誘導体は一般式（Ｉ）で表されるものである。

【０００９】

【化２】

【００１０】（ただし、Ｒは炭素原子数が１〜１０のア
ルキル基、Ａはフェニル基またはシクロヘキシル基を示
す。）

【００１１】また、本発明の液晶組成物は、一般式
（Ｉ）で表されるエステル誘導体を少なくとも一種含有
するものである。

【００１２】このエステル誘導体の製造方法について説
明する。化３はその一例を示したものである。なお、式
中Ｒ、Ａは前記した意味を示す。まず４−アルキルシク
ロヘキサンカルボン酸または４−アルキル安息香酸
（ａ）に塩化チオニル、五酸化リン等のハロゲン化剤を
作用させて酸塩化物（ｂ）を製造する。次に酸塩化物
（ｂ）と２，３−ジフルオロフェノール（ｃ）とをピリ
ジン等の不活性有機溶媒中で反応させた後、反応混合物
を水洗、乾燥、再結晶することにより一般式（Ｉ）で表
されるエステル誘導体を得ることができる。

【００１３】

【化３】

【００１４】このエステル誘導体は多くの液晶化合物と
混合し液晶組成物を製造することができる。本発明のエ
ステル誘導体と混合可能な液晶化合物としてはエステル
系、シクロヘキシルフェニル系、ビフェニル系、ピリミ
ジン系、ジオキサン系、トラン系などが挙げられる。

【００１５】

【実施例】実施例を用いて本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

【００１６】（実施例１）トランス−４−エチルシクロ
ヘキサンカルボン酸１５．６ｇに塩化チオニル２４ｇを
加え、還流下で２時間反応させ、反応終了後減圧下で塩
化チオニルを留去し、その後２０ｍｍＨｇで減圧蒸留
し、シクロヘキサンカルボン酸酸塩化物１０ｇを得た。
これをトルエン５０ｍｌに溶解し、２，３−ジフルオロ
フェノール８ｇとピリジン８ｇを加え４０℃で３時間反
応させた。反応終了後１００ｍｌの水を加えて有機層を
分離し、希塩酸次いで希アルカリ水溶液の順で洗浄し、
さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムを
加えて乾燥させた。次にこの有機層を濾過し、濾液から
溶媒を減圧留去した。得られた反応生成物をエタノール
から再結晶し、１ｍｍＨｇで減圧蒸留を行い、化４で表
されるトランス−４−エチルシクロヘキサンカルボン酸
−（２，３−ジフルオロ）−フェニルエステル９ｇを得
た。この化合物は融点２６．０℃であった。また、この
化合物の赤外線吸収スペクトルを図１に示す。

【００１７】

【化４】

【００１８】（実施例２）トランス−４−エチルシクロ
ヘキサンカルボン酸１５．６ｇの代わりにトランス−４
−プロピルシクロヘキサンカルボン酸１７．０ｇを使用
する以外は実施例１と同様の方法で化５で表されるトラ
ンス−４−プロピルシクロヘキサンカルボン酸−（２，
３−ジフルオロ）−フェニルエステル１０ｇを得た。こ
の化合物は融点３８．０℃であった。また、この化合物
の赤外線吸収スペクトルを図２に示す。

【００１９】

【化５】

【００２０】（実施例３）トランス−４−エチルシクロ
ヘキサンカルボン酸１５．６ｇの代わりにトランス−４
−ブチルシクロヘキサンカルボン酸１８．４ｇを使用す
る以外は実施例１と同様の方法で化６で表されるトラン
ス−４−ブチルシクロヘキサンカルボン酸−（２，３−
ジフルオロ）−フェニルエステル１１ｇを得た。この化
合物は融点３２．８℃であった。また、この化合物の赤
外線吸収スペクトルを図３に示す。

【００２１】

【化６】

【００２２】（実施例４）トランス−４−エチルシクロ
ヘキサンカルボン酸１５．６ｇの代わりにトランス−４
−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸１９．８ｇを使用
する以外は実施例１と同様の方法で化７で表されるトラ
ンス−４−ペンチルシクロヘキサンカルボン酸−（２，
３−ジフルオロ）−フェニルエステル１２ｇを得た。こ
の化合物は融点３５．５℃であった。また、この化合物
の赤外線吸収スペクトルを図４に示す。

【００２３】

【化７】

【００２４】（実施例５）トランス−４−エチルシクロ
ヘキサンカルボン酸１５．６ｇの代わりに４−プロピル
安息香酸１５．０ｇを使用する以外は実施例１と同様の
方法で化８で表される４−プロピル安息香酸−（２，３
−ジフルオロ）−フェニルエステル９ｇを得た。この化
合物は融点３６．２℃であった。また、この化合物の赤
外線吸収スペクトルを図５に示す。

【００２５】

【化８】

【００２６】（実施例６）トランス−４−エチルシクロ
ヘキサンカルボン酸１５．６ｇの代わりに４−ペンチル
安息香酸２９．２ｇを使用する以外は実施例１と同様の
方法で化９で表される４−ペンチル安息香酸−（２，３
−ジフルオロ）−フェニルエステル１１ｇを得た。この
化合物は融点４６．５℃であった。また、この化合物の
赤外線吸収スペクトルを図６に示す。

【００２７】

【化９】

【００２８】（実施例７）化１０で表される化合物を混
合した液晶組成物９０重量部に、実施例１で製造した本
発明のエステル誘導体を１０重量部加え液晶組成物を作
製した。その液晶組成物の特性を表１に示す。

【００２９】ここで、化１０で表される化合物のみから
なる液晶組成物の特性はＮ−Ｉ点７２℃、Δｎ０．１３
８、粘度２７．９ｃｐ、Ｖth１．６８ｖであった。

【００３０】

【化１０】

【００３１】

【表１】

【００３２】（実施例８〜１２）実施例７と同様に化１
０で表される化合物を混合した液晶組成物９０重量部
に、実施例２〜６で製造したエステル誘導体をそれぞれ
１０重量部ずつ加え、液晶組成物を作製した。その液晶
組成物の特性を表１に示す。

【００３３】表１から明らかなように、本発明に関わる
エステル誘導体は、Δｎおよびしきい値電圧Ｖthを小さ
くするものである。

【００３４】

【発明の効果】本発明に関わるエステル誘導体は、液晶
組成物に混合することによって、Δｎおよびしきい値電
圧Ｖthを小さくすることができる。また、粘度を低下さ
せるものもある。そのため、このエステル誘導体を含有
する液晶組成物は液晶材料として優れた特性を有し、ま
たこの液晶組成物を搭載した液晶表示装置は良好な表示
特性を有する。さらに、このエステル誘導体は種々の化
合物との相互溶解性が大きく、液晶組成物の構成物質と
して多くの液晶材料と組み合わせて使用することがで
き、液晶組成物の特性改良に有用なものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。

【図２】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。

【図３】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。

【図４】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。

【図５】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。

【図６】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ）で表されるエステル誘導体
   を少なくとも一種含有する液晶組成物。 【化１】 （ただし、Ｒは炭素原子数が１〜１０のアルキル基、Ａ
   はフェニル基またはシクロヘキシル基を表す。）