JP3268836B2 - エステル誘導体を含有する液晶組成物 - Google Patents
エステル誘導体を含有する液晶組成物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶材料として有用なエ
ステル誘導体、およびこのエステル誘導体を含有する液
晶組成物に関するものである。
ステル誘導体、およびこのエステル誘導体を含有する液
晶組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、時計、電卓をはじめワ
ープロ、テレビ等に広く利用されている。これらの液晶
表示装置の中で特に多く使用されているのは、液晶材料
の光学的異方性および誘電異方性を利用したＴＮ型（ね
じれネマティック型）液晶表示装置である。
ープロ、テレビ等に広く利用されている。これらの液晶
表示装置の中で特に多く使用されているのは、液晶材料
の光学的異方性および誘電異方性を利用したＴＮ型（ね
じれネマティック型）液晶表示装置である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】現在ＴＮ型などの液晶
表示装置に用いられている液晶材料に要求される特性と
しては、液晶温度範囲が広いこと、電気光学的な応答速
度が速いこと、視野角範囲が広いこと、駆動電圧が低い
こと、化学的および光学的に安定であることなどが挙げ
られる。
表示装置に用いられている液晶材料に要求される特性と
しては、液晶温度範囲が広いこと、電気光学的な応答速
度が速いこと、視野角範囲が広いこと、駆動電圧が低い
こと、化学的および光学的に安定であることなどが挙げ
られる。
【０００４】高視野角、高コントラストを得るために
は、液晶層のリターデーション△ｎ・ｄ（△ｎは液晶材
料の複屈折、ｄは液晶層の厚み）を最適化する必要があ
る。しかし、実用に使用される液晶表示装置では液晶層
の厚みがある限定された範囲で設定されているため、液
晶材料のΔｎの最適化が必要となっていた。
は、液晶層のリターデーション△ｎ・ｄ（△ｎは液晶材
料の複屈折、ｄは液晶層の厚み）を最適化する必要があ
る。しかし、実用に使用される液晶表示装置では液晶層
の厚みがある限定された範囲で設定されているため、液
晶材料のΔｎの最適化が必要となっていた。
【０００５】また、高速化のためには液晶材料に低粘性
が望まれる。電圧印加時の立ち上がり時間τonと電圧遮
断時の立ち下がり時間τoff はτon＝ηiiｄ2 （ε0 Δ
εＶ2 −Ｋπ2 ）- 1τoff ＝ηiiｄ2 ／π2 Ｋで与え
られる。ここで、ηiiは粘性のパラメータ、ｄは液晶層
の厚み、ε0 は真空中の誘電率、Δεは誘電率の異方
性、Ｖは印加電圧、Ｋ＝Ｋ11＋（Ｋ33−２Ｋ22）／４で
ある。よって、応答速度をより速くするためには液晶材
料が低粘性であること、つまり低粘性の液晶化合物が不
可欠となっていた。
が望まれる。電圧印加時の立ち上がり時間τonと電圧遮
断時の立ち下がり時間τoff はτon＝ηiiｄ2 （ε0 Δ
εＶ2 −Ｋπ2 ）- 1τoff ＝ηiiｄ2 ／π2 Ｋで与え
られる。ここで、ηiiは粘性のパラメータ、ｄは液晶層
の厚み、ε0 は真空中の誘電率、Δεは誘電率の異方
性、Ｖは印加電圧、Ｋ＝Ｋ11＋（Ｋ33−２Ｋ22）／４で
ある。よって、応答速度をより速くするためには液晶材
料が低粘性であること、つまり低粘性の液晶化合物が不
可欠となっていた。
【０００６】さらに駆動電圧はしきい値電圧Ｖthの値に
依存し、しきい値電圧Ｖthを小さくすることにより、よ
り低い電圧で液晶表示装置を駆動させることができる。
よって、しきい値電圧Ｖthを小さくする液晶材料が必要
となっていた。
依存し、しきい値電圧Ｖthを小さくすることにより、よ
り低い電圧で液晶表示装置を駆動させることができる。
よって、しきい値電圧Ｖthを小さくする液晶材料が必要
となっていた。
【０００７】以上のような特性を全て満足する単一の液
晶化合物は未だに見い出されていない。そのためにいろ
いろな特性をもった数種の液晶化合物を混合したり、あ
るいは非液晶化合物を混合したりして実用に供している
のが現状である。
晶化合物は未だに見い出されていない。そのためにいろ
いろな特性をもった数種の液晶化合物を混合したり、あ
るいは非液晶化合物を混合したりして実用に供している
のが現状である。
【０００８】そこで本発明の目的は、液晶組成物に混合
することによって、液晶組成物のΔｎの値を最適化し、
粘度を低下させ、しきい値電圧Ｖthを小さくすることの
できるエステル誘導体を提供することである。
することによって、液晶組成物のΔｎの値を最適化し、
粘度を低下させ、しきい値電圧Ｖthを小さくすることの
できるエステル誘導体を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のエステル誘導体
を含有する液晶組成物を以下、記載する。
を含有する液晶組成物を以下、記載する。
【００１０】
【化２】
【００１１】（ただし、Ｖ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、およびＺはそ
れぞれ水素原子またはハロゲン原子を示す。）
れぞれ水素原子またはハロゲン原子を示す。）
【００１２】本発明の液晶組成物は上記、一般式（Ｉ）
で表されるエステル誘導体を少なくとも一種含有するも
のである。
で表されるエステル誘導体を少なくとも一種含有するも
のである。
【００１３】ハロゲン原子としては、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒが
挙げられる。
挙げられる。
【００１４】本発明のエステル誘導体の製造方法につい
て説明する。化３はその一例を示したものである。まず
カルボン酸（ａ）に塩化チオニル、五酸化リン等のハロ
ゲン化剤を作用させて酸塩化物（ｂ）を製造する。次に
酸塩化物（ｂ）と置換フェノール（ｃ）とをピリジン等
の不活性有機溶媒中で反応させた後、反応混合物を水
洗、乾燥、再結晶することにより一般式（Ｉ）で表され
るエステル誘導体を得ることができる。
て説明する。化３はその一例を示したものである。まず
カルボン酸（ａ）に塩化チオニル、五酸化リン等のハロ
ゲン化剤を作用させて酸塩化物（ｂ）を製造する。次に
酸塩化物（ｂ）と置換フェノール（ｃ）とをピリジン等
の不活性有機溶媒中で反応させた後、反応混合物を水
洗、乾燥、再結晶することにより一般式（Ｉ）で表され
るエステル誘導体を得ることができる。
【００１５】
【化３】
【００１６】本発明のエステル誘導体は多くの液晶化合
物と混合し液晶組成物を製造することができる。本発明
のエステル誘導体と混合可能な液晶化合物としてはエス
テル系、シクロヘキシルフェニル系、ビフェニル系、ピ
リミジン系、ジオキサン系、トラン系などが挙げられ
る。
物と混合し液晶組成物を製造することができる。本発明
のエステル誘導体と混合可能な液晶化合物としてはエス
テル系、シクロヘキシルフェニル系、ビフェニル系、ピ
リミジン系、ジオキサン系、トラン系などが挙げられ
る。
【００１７】
【実施例】実施例を用いて本発明を具体的に説明する
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
が、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００１８】（実施例１）安息香酸１２．２ｇに塩化チ
オニル２４ｇを加え、還流下で２時間反応させ、反応終
了後減圧下で塩化チオニルを留去し、その後２０ｍｍＨ
ｇで減圧蒸留し、留出温度１０５℃で安息香酸酸塩化物
１０ｇを得た。これをトルエン５０ｍｌに溶解し、４−
フロロフェノール８ｇとピリジン８ｇを加え４０℃で３
時間反応させた。反応終了後１００ｍｌの水を加えて有
機層を分離し、希塩酸次いで希アルカリ水溶液の順で洗
浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリ
ウムを加えて乾燥させた。次にこの有機層を濾過し、濾
液から溶媒を減圧留去した。得られた反応生成物をヘキ
サンから再結晶し、１ｍｍＨｇで減圧蒸留を行い（留出
温度１６０℃）、化４で表される安息香酸−（４−フロ
ロフェニル）エステル９ｇを得た。この化合物は融点５
８．０℃であった。また、この化合物の赤外線吸光スペ
クトルを図１に示す。
オニル２４ｇを加え、還流下で２時間反応させ、反応終
了後減圧下で塩化チオニルを留去し、その後２０ｍｍＨ
ｇで減圧蒸留し、留出温度１０５℃で安息香酸酸塩化物
１０ｇを得た。これをトルエン５０ｍｌに溶解し、４−
フロロフェノール８ｇとピリジン８ｇを加え４０℃で３
時間反応させた。反応終了後１００ｍｌの水を加えて有
機層を分離し、希塩酸次いで希アルカリ水溶液の順で洗
浄し、さらに飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリ
ウムを加えて乾燥させた。次にこの有機層を濾過し、濾
液から溶媒を減圧留去した。得られた反応生成物をヘキ
サンから再結晶し、１ｍｍＨｇで減圧蒸留を行い（留出
温度１６０℃）、化４で表される安息香酸−（４−フロ
ロフェニル）エステル９ｇを得た。この化合物は融点５
８．０℃であった。また、この化合物の赤外線吸光スペ
クトルを図１に示す。
【００１９】
【化４】
【００２０】（実施例２）安息香酸１２．２ｇの代わり
に２−フロロ安息香酸１４．６ｇを使用する以外は実施
例１と同様の方法で化５で表される２−フロロ安息香酸
−（４−フロロフェニル）エステル１０ｇを得た。この
化合物は融点４０．８℃、沸点１５０℃（１ｍｍＨｇ）
であった。また、この化合物の赤外線吸収スペクトルを
図２に示す。
に２−フロロ安息香酸１４．６ｇを使用する以外は実施
例１と同様の方法で化５で表される２−フロロ安息香酸
−（４−フロロフェニル）エステル１０ｇを得た。この
化合物は融点４０．８℃、沸点１５０℃（１ｍｍＨｇ）
であった。また、この化合物の赤外線吸収スペクトルを
図２に示す。
【００２１】
【化５】
【００２２】（実施例３）安息香酸１２．２ｇの代わり
に２，６−ジフロロ安息香酸１６．２ｇを使用する以外
は実施例１と同様の方法で化６で表される２，６−ジフ
ロロ安息香酸−（４−フロロフェニル）エステル１１ｇ
を得た。この化合物は融点６０．０℃であった。また、
この化合物の赤外線吸収スペクトルを図３に示す。
に２，６−ジフロロ安息香酸１６．２ｇを使用する以外
は実施例１と同様の方法で化６で表される２，６−ジフ
ロロ安息香酸−（４−フロロフェニル）エステル１１ｇ
を得た。この化合物は融点６０．０℃であった。また、
この化合物の赤外線吸収スペクトルを図３に示す。
【００２３】
【化６】
【００２４】（実施例４）安息香酸１２．２ｇの代わり
に２，６−ジクロロ安息香酸１９．５ｇを使用する以外
は実施例１と同様の方法で化７で表される２，６−ジク
ロロ安息香酸−（４−フロロフェニル）エステル１２ｇ
を得た。この化合物は融点８６．０℃であった。また、
この化合物の赤外線吸収スペクトルを図４に示す。
に２，６−ジクロロ安息香酸１９．５ｇを使用する以外
は実施例１と同様の方法で化７で表される２，６−ジク
ロロ安息香酸−（４−フロロフェニル）エステル１２ｇ
を得た。この化合物は融点８６．０℃であった。また、
この化合物の赤外線吸収スペクトルを図４に示す。
【００２５】
【化７】
【００２６】（実施例５）４−フロロフェノール８ｇの
代わりに３，４−ジフロロフェノール９．５ｇを使用す
る以外は実施例１と同様の方法で化８で表される安息香
酸−（３，４−ジフロロフェニル）エステル９ｇを得
た。この化合物は融点７４．０℃であった。また、この
化合物の赤外線吸収スペクトルを図５に示す。
代わりに３，４−ジフロロフェノール９．５ｇを使用す
る以外は実施例１と同様の方法で化８で表される安息香
酸−（３，４−ジフロロフェニル）エステル９ｇを得
た。この化合物は融点７４．０℃であった。また、この
化合物の赤外線吸収スペクトルを図５に示す。
【００２７】
【化８】
【００２８】（実施例６）安息香酸１２．２ｇの代わり
に２−フロロ安息香酸１４．６ｇを、４−フロロフェノ
ール８ｇの代わりに３，４−ジフロロフェノール９．５
ｇを使用する以外は実施例１と同様の方法で化９で表さ
れる２−フロロ安息香酸−（３，４−ジフロロフェニ
ル）エステル１０ｇを得た。この化合物は融点６５．１
℃であった。また、この化合物の赤外線吸収スペクトル
を図６に示す。
に２−フロロ安息香酸１４．６ｇを、４−フロロフェノ
ール８ｇの代わりに３，４−ジフロロフェノール９．５
ｇを使用する以外は実施例１と同様の方法で化９で表さ
れる２−フロロ安息香酸−（３，４−ジフロロフェニ
ル）エステル１０ｇを得た。この化合物は融点６５．１
℃であった。また、この化合物の赤外線吸収スペクトル
を図６に示す。
【００２９】
【化９】
【００３０】（実施例７）安息香酸１２．２ｇの代わり
に２，６−ジフロロ安息香酸１６．２ｇを、４−フロロ
フェノール８ｇの代わりに３，４−ジフロロフェノール
９．５ｇを使用する以外は実施例１と同様の方法で化１
０で表される２，６−ジフロロ安息香酸−（３，４−ジ
フロロフェニル）エステル１１ｇを得た。この化合物は
融点７８．０℃であった。また、この化合物の赤外線吸
収スペクトルを図７に示す。
に２，６−ジフロロ安息香酸１６．２ｇを、４−フロロ
フェノール８ｇの代わりに３，４−ジフロロフェノール
９．５ｇを使用する以外は実施例１と同様の方法で化１
０で表される２，６−ジフロロ安息香酸−（３，４−ジ
フロロフェニル）エステル１１ｇを得た。この化合物は
融点７８．０℃であった。また、この化合物の赤外線吸
収スペクトルを図７に示す。
【００３１】
【化１０】
【００３２】（実施例８）安息香酸１２．２ｇの代わり
に２，６−ジクロロ安息香酸１９．５ｇを、４−フロロ
フェノール８ｇの代わりに３，４−ジフロロフェノール
９．５ｇを使用する以外は実施例１と同様の方法で化１
１で表される２，６−ジクロロ安息香酸−（３，４−ジ
フロロフェニル）エステル１２ｇを得た。この化合物は
融点８６．０℃であった。また、この化合物の赤外線吸
収スペクトルを図８に示す。
に２，６−ジクロロ安息香酸１９．５ｇを、４−フロロ
フェノール８ｇの代わりに３，４−ジフロロフェノール
９．５ｇを使用する以外は実施例１と同様の方法で化１
１で表される２，６−ジクロロ安息香酸−（３，４−ジ
フロロフェニル）エステル１２ｇを得た。この化合物は
融点８６．０℃であった。また、この化合物の赤外線吸
収スペクトルを図８に示す。
【００３３】
【化１１】
【００３４】（実施例９）安息香酸１２．２ｇの代わり
に２−フロロ安息香酸１４．６ｇを、４−フロロフェノ
ール８ｇの代わりに２，３，４−トリフロロフェノール
１０．５ｇを使用する以外は、実施例１と同様の方法で
化１２で表される２−フロロ安息香酸−（２，３，４−
トリフロロフェニル）エステル１１ｇを得た。この化合
物は、融点５０．３℃であった。また、この化合物の赤
外線吸収スペクトルを図９に示す。
に２−フロロ安息香酸１４．６ｇを、４−フロロフェノ
ール８ｇの代わりに２，３，４−トリフロロフェノール
１０．５ｇを使用する以外は、実施例１と同様の方法で
化１２で表される２−フロロ安息香酸−（２，３，４−
トリフロロフェニル）エステル１１ｇを得た。この化合
物は、融点５０．３℃であった。また、この化合物の赤
外線吸収スペクトルを図９に示す。
【００３５】
【化１２】
【００３６】（実施例１０）化１３で表される化合物を
混合した液晶組成物９０重量部に、実施例１で製造した
本発明のエステル誘導体を１０重量部加え液晶組成物を
作製した。その液晶組成物の特性を表１に示す。なお、
表中しきい値電圧Ｖthはこの液晶組成物をセル厚９μｍ
のＴＮ型液晶表示装置に搭載した際の値である。ここ
で、化１３で表される化合物のみからなる液晶組成物の
特性はＮ−Ｉ点７２℃、Δｎ０．１３８、粘度２７．９
ｃｐ、Ｖth１．６８Ｖであった。
混合した液晶組成物９０重量部に、実施例１で製造した
本発明のエステル誘導体を１０重量部加え液晶組成物を
作製した。その液晶組成物の特性を表１に示す。なお、
表中しきい値電圧Ｖthはこの液晶組成物をセル厚９μｍ
のＴＮ型液晶表示装置に搭載した際の値である。ここ
で、化１３で表される化合物のみからなる液晶組成物の
特性はＮ−Ｉ点７２℃、Δｎ０．１３８、粘度２７．９
ｃｐ、Ｖth１．６８Ｖであった。
【００３７】
【化１３】
【００３８】
【表１】
【００３９】（実施例１１〜１６）実施例１０と同様に
化１３で表される化合物を混合した液晶組成物９０重量
部に、実施例２、３、５、６、７、９で製造したエステ
ル誘導体をそれぞれ１０重量部ずつ加え、液晶組成物を
作製した。その液晶組成物の特性を表１に示す。
化１３で表される化合物を混合した液晶組成物９０重量
部に、実施例２、３、５、６、７、９で製造したエステ
ル誘導体をそれぞれ１０重量部ずつ加え、液晶組成物を
作製した。その液晶組成物の特性を表１に示す。
【００４０】表１から明らかなように、本発明のエステ
ル誘導体はその添加により液晶組成物のΔｎを最適化
し、しきい値電圧Ｖthを下げるものである。また、ほと
んどの場合粘度を低下させることもできる。
ル誘導体はその添加により液晶組成物のΔｎを最適化
し、しきい値電圧Ｖthを下げるものである。また、ほと
んどの場合粘度を低下させることもできる。
【００４１】
【発明の効果】本発明のエステル誘導体は、液晶組成物
に混合することによって、液晶組成物のΔｎを最適化
し、しきい値電圧Ｖthを小さくすることができ、また粘
度を低下させることもできる。そのため本発明のエステ
ル誘導体を含有する液晶組成物は液晶材料として優れた
特性を有し、またこの液晶組成物を搭載した液晶表示装
置は良好な表示特性を有する。さらに、本発明のエステ
ル誘導体は種々の化合物との相互溶解性が大きく、液晶
組成物の構成物質として多くの液晶材料と組み合わせて
使用することができ、液晶組成物の特性改良に有用なも
のである。
に混合することによって、液晶組成物のΔｎを最適化
し、しきい値電圧Ｖthを小さくすることができ、また粘
度を低下させることもできる。そのため本発明のエステ
ル誘導体を含有する液晶組成物は液晶材料として優れた
特性を有し、またこの液晶組成物を搭載した液晶表示装
置は良好な表示特性を有する。さらに、本発明のエステ
ル誘導体は種々の化合物との相互溶解性が大きく、液晶
組成物の構成物質として多くの液晶材料と組み合わせて
使用することができ、液晶組成物の特性改良に有用なも
のである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。
ルを表す図である。
【図２】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。
ルを表す図である。
【図３】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。
ルを表す図である。
【図４】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。
ルを表す図である。
【図５】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。
ルを表す図である。
【図６】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。
ルを表す図である。
【図７】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。
ルを表す図である。
【図８】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。
ルを表す図である。
【図９】本発明のエステル誘導体の赤外線吸収スペクト
ルを表す図である。
ルを表す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 行成 俊郎 山梨県南都留郡河口湖町船津6663番地の ２ 河口湖精密株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−282343（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−125019（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−104844（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−114927（ＪＰ，Ａ) Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｂｓｔｒａｃｔ ｓ，Ｖｏｌ．95，Ｎｏ．131911，1981 Ｊｏｕｒ．Ｉｎｄｉａｎ Ｃｈｅｍ. Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．37，Ｎｏ．11, 1960，ｐ．68 Ｊｏｕｒ．Ｉｎｄｉａｎ Ｃｈｅｍ. Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．40，Ｎｏ．10, 1963，ｐ．85 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07C 69/773 C09K 19/20 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ）で表されるエステル誘導体
を少なくとも一種含有する液晶組成物。 【化１】 （ただし、Ｖ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、およびＺはそれぞれ水素原
子またはハロゲン原子を示す。）
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21453692A JP3268836B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-07-20 | エステル誘導体を含有する液晶組成物 |
| DE69311011T DE69311011T2 (de) | 1992-07-20 | 1993-07-20 | 4-Fluorphenylbenzoate und flüssig-crystalline Zusammensetzungen, die sie enthalten |
| EP93111595A EP0580122B1 (en) | 1992-07-20 | 1993-07-20 | 4-Fluorophenylbenzoates and liquid crystal compositions containing them |
| US08/094,569 US5364558A (en) | 1992-07-20 | 1993-07-20 | Ester derivatives |
| KR1019930013629A KR940005543A (ko) | 1992-07-20 | 1993-07-20 | 에스테르 유도체 |
| HK98100629A HK1001688A1 (en) | 1992-07-20 | 1998-01-23 | 4-Fluorophenylbenzoates and liquid crystal compositions containing them |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12801292 | 1992-04-22 | ||
| JP4-128012 | 1992-04-22 | ||
| JP21453692A JP3268836B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-07-20 | エステル誘導体を含有する液晶組成物 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001180949A Division JP3636676B2 (ja) | 1992-04-22 | 2001-06-15 | エステル誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH061753A JPH061753A (ja) | 1994-01-11 |
| JP3268836B2 true JP3268836B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=26463810
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21453692A Expired - Fee Related JP3268836B2 (ja) | 1992-04-22 | 1992-07-20 | エステル誘導体を含有する液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3268836B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101663525B (zh) | 2007-04-02 | 2011-11-30 | 株式会社富士金 | 内置有加热器的阀 |
-
1992
- 1992-07-20 JP JP21453692A patent/JP3268836B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ，Ｖｏｌ．９５，Ｎｏ．１３１９１１，１９８１ |
| Ｊｏｕｒ．Ｉｎｄｉａｎ Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．３７，Ｎｏ．１１，１９６０，ｐ．６８ |
| Ｊｏｕｒ．Ｉｎｄｉａｎ Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．４０，Ｎｏ．１０，１９６３，ｐ．８５ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH061753A (ja) | 1994-01-11 |
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