JPS60143630A - イオン注入方法 - Google Patents
イオン注入方法Info
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- JPS60143630A JPS60143630A JP58251453A JP25145383A JPS60143630A JP S60143630 A JPS60143630 A JP S60143630A JP 58251453 A JP58251453 A JP 58251453A JP 25145383 A JP25145383 A JP 25145383A JP S60143630 A JPS60143630 A JP S60143630A
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
- H01J37/3172—Maskless patterned ion implantation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明はイオン注入方法、特に被処理物面上に収束イオ
ンビームン選択的に走査して所望のイオン注入パターン
ヶ形成するイオン注入方法の容易に高精度が達成される
改善に関する。
ンビームン選択的に走査して所望のイオン注入パターン
ヶ形成するイオン注入方法の容易に高精度が達成される
改善に関する。
（ｂｌ 技術の背景
半４体結晶中（ｆこ不純物原子ン導入し格子間原子とｆ
ｉｌ換して、原子価の差によって余分の電子ン伝導帯に
供給し、或いは価電子帯に正孔を発生させる技術が半導
体工学の基幹技術の一つであることは周知のとおりであ
る。
ｉｌ換して、原子価の差によって余分の電子ン伝導帯に
供給し、或いは価電子帯に正孔を発生させる技術が半導
体工学の基幹技術の一つであることは周知のとおりであ
る。
半導体結晶中に不純物原子ン導入する方法としては、単
結晶の成長の際に不純物原子を添加する方法の他に、拡
散法とイオン注入法とがある。
結晶の成長の際に不純物原子を添加する方法の他に、拡
散法とイオン注入法とがある。
イオン注入法は目的とする原子ンイオン化しこれン加速
して固体内に打込む方法であり、半導体プロセス技術と
して下記の特徴ン有する。
して固体内に打込む方法であり、半導体プロセス技術と
して下記の特徴ン有する。
ば）不純物の量及び深さは注入イオン電流、注入時間及
び加速電圧等の電気量で正確に制御できるためにその精
度及び制御性が極めて良く、不純物プロファイルの制御
、浅い接合や低濃度ドーピング等に適する。
び加速電圧等の電気量で正確に制御できるためにその精
度及び制御性が極めて良く、不純物プロファイルの制御
、浅い接合や低濃度ドーピング等に適する。
（ロ）注入時の加速エネルギーを調整することにより、
予め設けておいた半導体表面の薄膜や不純物ドープ層７
通して、その奥に不純物ｔドープすることができる。
予め設けておいた半導体表面の薄膜や不純物ドープ層７
通して、その奥に不純物ｔドープすることができる。
（ハ）半導体面上の不純物導入領域の選択手段として、
マスクによってイオンを阻止する方法と、尖鋭なイオン
ビームによって所要のパターンを描画する方法との何れ
をも適用することができる。
マスクによってイオンを阻止する方法と、尖鋭なイオン
ビームによって所要のパターンを描画する方法との何れ
をも適用することができる。
に）横方向への不純物の拡がりが小さいために微細加工
に適し、自己整合効果も太きい。
に適し、自己整合効果も太きい。
（ホ）物理的プロセスであるためにターゲットとイオン
の組合わせの選択の自由度が大きく、化合物半導体など
について他の方法では困難な不純物のドーピングがイオ
ン注入法によって可能となる場合がある。
の組合わせの選択の自由度が大きく、化合物半導体など
について他の方法では困難な不純物のドーピングがイオ
ン注入法によって可能となる場合がある。
上記の如くイオン注入法は不純物の選択的導入方法中で
微細加工に最も適した方法であるが、超大規模集積回路
装置に代表されるパターンの一層の微細化に伴なう不純
物ドーピングの高精度化などのために、所要の不純物導
入領域ンイオンビームによって描画するイオン注入方法
の開発が進められている。
微細加工に最も適した方法であるが、超大規模集積回路
装置に代表されるパターンの一層の微細化に伴なう不純
物ドーピングの高精度化などのために、所要の不純物導
入領域ンイオンビームによって描画するイオン注入方法
の開発が進められている。
（Ｃ） 従来技術と問題点
例えば半導体基板上に電界効果トランジスダ以下ＦＥＴ
と略称する）素子ン配設して集Ｓｔ回路装置（以下ＩＣ
と略称する）を製造する場合に、多くはチャネル領域及
びソース・ドレイン領域に選択的に不純物が導入される
。第１図（ａ）はその模式平面図であり、Ｃはチャネル
不純物導入領域、Ｓはソース不純物導入領域、Ｄはドレ
イン不純物導入領域を示す。チャネル領域への不純物導
入は深さが浅く、その濃度制御が極めて重要であり、ソ
ース°ドレイン領域への不純物導入は濃度が高く、ゲー
トを極との整合が重要であるなど、不純物導入の条件は
大幅に異なっている。
と略称する）素子ン配設して集Ｓｔ回路装置（以下ＩＣ
と略称する）を製造する場合に、多くはチャネル領域及
びソース・ドレイン領域に選択的に不純物が導入される
。第１図（ａ）はその模式平面図であり、Ｃはチャネル
不純物導入領域、Ｓはソース不純物導入領域、Ｄはドレ
イン不純物導入領域を示す。チャネル領域への不純物導
入は深さが浅く、その濃度制御が極めて重要であり、ソ
ース°ドレイン領域への不純物導入は濃度が高く、ゲー
トを極との整合が重要であるなど、不純物導入の条件は
大幅に異なっている。
イオン注入領域の選択のためのマスクン用いることなく
、収束イオンビームによって選択的にイオン注入を行な
う方法においては、第１図Ｔｂ）に模式的に示す如く所
要の領域内を例えば直径０１乃至ｌ〔μｍ〕程度に収束
したイオンビームで走査する。
、収束イオンビームによって選択的にイオン注入を行な
う方法においては、第１図Ｔｂ）に模式的に示す如く所
要の領域内を例えば直径０１乃至ｌ〔μｍ〕程度に収束
したイオンビームで走査する。
第２図はこの収束イオンビームによる、イオン注入に用
いられる装置の例ン示すブロック図である。図において
、１はイオン源、２はイオン電流制御スリット、３はイ
オン加速系、４ａ、４ｂ及び４Ｃはビームアライナ−１
５は第２レンズ系、３− ６はブランキング電極、７ａ及び７ｂは例えばＥＸＢ質
量フィルタとスリットよりなるイオンを選択する質量分
離系、８は第２レンズ系、９は偏向器、１０は例えばフ
ァラデーカップ等のイオン電Ｊ 流測定プローブ、１１はステージ、１２汐イオン注入ン
行なう基板、２１はシステムン制御するコンピュータ、
２２はパターンデータ、２３はドーピングデータ、２４
はパターン発生器である。
いられる装置の例ン示すブロック図である。図において
、１はイオン源、２はイオン電流制御スリット、３はイ
オン加速系、４ａ、４ｂ及び４Ｃはビームアライナ−１
５は第２レンズ系、３− ６はブランキング電極、７ａ及び７ｂは例えばＥＸＢ質
量フィルタとスリットよりなるイオンを選択する質量分
離系、８は第２レンズ系、９は偏向器、１０は例えばフ
ァラデーカップ等のイオン電Ｊ 流測定プローブ、１１はステージ、１２汐イオン注入ン
行なう基板、２１はシステムン制御するコンピュータ、
２２はパターンデータ、２３はドーピングデータ、２４
はパターン発生器である。
前記例の如き装Ｗｗ用いて行なわれる収束イオンビーム
を用いるイオン注入方法においても、例えば所要の濃度
１０フアイルに従って加速電圧ン設定するなど、マスク
によってイオン注入領域２遠択する現在実施されている
イオン注入方法との共通点が多いが、イオン注入量の制
御については事情が異なる。
を用いるイオン注入方法においても、例えば所要の濃度
１０フアイルに従って加速電圧ン設定するなど、マスク
によってイオン注入領域２遠択する現在実施されている
イオン注入方法との共通点が多いが、イオン注入量の制
御については事情が異なる。
すなわち、イオン注入法によって面積Ｓの領域に単位面
積あたりＤ個のイオンを注入する場合に、一般的に次式
の関係がある。
積あたりＤ個のイオンを注入する場合に、一般的に次式
の関係がある。
４−
但し、Ｉｐ：イオン電流（５）
Ｔ ：イオン注入を行なった時間（秒）Ｋ ：イオンビ
ームのイオン価数 Ｓ ：注入領域の面積 ｑ ：単位電荷ｆｉｔ（１，６０２Ｘ１０ ”クーＣｒ
／）である。このうちｑは定数、Ｋはイオンの種類によ
って定まり、単位面積あたりのイオン注入数りの制御は
、イオン電流Ｉｐと単位面積あたりのイオン注入時間Ｔ
／Ｓとによって行なわれることは明らかである。
ームのイオン価数 Ｓ ：注入領域の面積 ｑ ：単位電荷ｆｉｔ（１，６０２Ｘ１０ ”クーＣｒ
／）である。このうちｑは定数、Ｋはイオンの種類によ
って定まり、単位面積あたりのイオン注入数りの制御は
、イオン電流Ｉｐと単位面積あたりのイオン注入時間Ｔ
／Ｓとによって行なわれることは明らかである。
第１図（ｂｌに示す如き走査でイオンビームはクロック
パルス毎にピッチＰづつ送られて、イオン注入７行なう
領域の面積Ｓが Ｓ ＝ｍｆ？・ｎｆｉ）＝ｍｎ Ｐ！（２１であるとす
る。但しｍ及びｎは各辺を走査するために要するクロッ
クパルス数である。クロック周波数をｆｃとするとき面
積ＳＹＩ回走前走査に要する時間ｔは ｔ ＝ｍｎ／ ｆ ｃ （３１ であって、１回の走査による単位面積あたりの注入数ｄ
は前記式（１）よりに＝１のとき次式によって表わされ
る。
パルス毎にピッチＰづつ送られて、イオン注入７行なう
領域の面積Ｓが Ｓ ＝ｍｆ？・ｎｆｉ）＝ｍｎ Ｐ！（２１であるとす
る。但しｍ及びｎは各辺を走査するために要するクロッ
クパルス数である。クロック周波数をｆｃとするとき面
積ＳＹＩ回走前走査に要する時間ｔは ｔ ＝ｍｎ／ ｆ ｃ （３１ であって、１回の走査による単位面積あたりの注入数ｄ
は前記式（１）よりに＝１のとき次式によって表わされ
る。
ターンの所要ｎ度から決定されるビーム径とイオン注入
濃度変動の許容限度から許される最大値に設定して作業
時間の短縮が計られる。またクロック周波数ｆｃは従来
の装置においては、例えば２５（ＭＨ２） 、 ５（Ｍ
Ｈ２） 、 １０（ＭＨ２） ノ如く、２倍ステップ程
度の離散値から選択される。
濃度変動の許容限度から許される最大値に設定して作業
時間の短縮が計られる。またクロック周波数ｆｃは従来
の装置においては、例えば２５（ＭＨ２） 、 ５（Ｍ
Ｈ２） 、 １０（ＭＨ２） ノ如く、２倍ステップ程
度の離散値から選択される。
この様な条件の下で所要のドーズ量すなわち単位面積あ
たりのイオン注入数ＤＹ実現するためには、走査ンＮ回
繰返えして Ｄ＝Ｎ・ｄ（５） として、イオン電流■ｐ及び走査回数Ｎが選択制御され
る。走査回数Ｎは離散的にしか選択できず、精密な制御
にはイオン電流Ｉｐすなわち収束イオグ武 ンビーム速度の制御が必要となる。
たりのイオン注入数ＤＹ実現するためには、走査ンＮ回
繰返えして Ｄ＝Ｎ・ｄ（５） として、イオン電流■ｐ及び走査回数Ｎが選択制御され
る。走査回数Ｎは離散的にしか選択できず、精密な制御
にはイオン電流Ｉｐすなわち収束イオグ武 ンビーム速度の制御が必要となる。
収束イオンビーム強度ｌ変化させる手段としては、イオ
ン源１からの引き出し電流ン変化させる方法とスリット
２の径を変化させる方法とがある。
ン源１からの引き出し電流ン変化させる方法とスリット
２の径を変化させる方法とがある。
しかしながらイオン源引き出し電流ン変化させるとイオ
ン発生点（Ｖｅｒｔｕａｌ ｐｏｉｎｔ）の位置が変動
して収束条件が変動し、またスリット径Ｚ変化させれば
ビーム径が変動する。この結果、収束イオンビームによ
るイオン注入方法ｌ実施するに際しては、イオン電流Ｉ
ｐ、イオンビーム径等Ｚ目的に合致させるために各制御
系の調整特にアライメント調整を繰返すことχ全１義な
くされている。
ン発生点（Ｖｅｒｔｕａｌ ｐｏｉｎｔ）の位置が変動
して収束条件が変動し、またスリット径Ｚ変化させれば
ビーム径が変動する。この結果、収束イオンビームによ
るイオン注入方法ｌ実施するに際しては、イオン電流Ｉ
ｐ、イオンビーム径等Ｚ目的に合致させるために各制御
系の調整特にアライメント調整を繰返すことχ全１義な
くされている。
この調整は所要のドーズ量が異なる領域に移る際にも必
要であって、収束イオンビームによるイオン注入方法の
実用化に対する大きい問題点である。
要であって、収束イオンビームによるイオン注入方法の
実用化に対する大きい問題点である。
（ｄｌ 発明の目的
ヶ解決して、容易に正確なドーズ量が実現されるイオン
注入方法乞提供することを目的とする。
注入方法乞提供することを目的とする。
（ｅ） 発明の構成
本発明の前記目的は、加速されたイオンビーム
ム状に収束し、偏向装置を用いて該イオンビーム７−
ツク周波数を連続的に制御してイオン注入！を乞制御し
、該被処理物表面に選択的にイオンビームして、所望の
イオン注入パターンを形成するイオン注入方法により達
成される。
、該被処理物表面に選択的にイオンビームして、所望の
イオン注入パターンを形成するイオン注入方法により達
成される。
すなわち本発明のイオン注入方法においては、従来離散
的に例えば２倍程度の間隔で選択されているクロック周
波数を連続的に選択することによってイオン注入量制御
の自由度を拡大し、装置の調整が煩雑となるイオン電流
の制御の必要性ン犬幅に削減して、容易にかつ高精度に
所望のイオン体的に説明する。
的に例えば２倍程度の間隔で選択されているクロック周
波数を連続的に選択することによってイオン注入量制御
の自由度を拡大し、装置の調整が煩雑となるイオン電流
の制御の必要性ン犬幅に削減して、容易にかつ高精度に
所望のイオン体的に説明する。
本発明の実施には第３図にそのブロック図め例乞示す如
く、連続的にクロック周波数を変化させることが可能な
可変周波数発振器２５ン備えた装を乞使用する。周波数
の変化が可能な範囲は、最低周波数とＭＬ ’Ｍ周波数
との比が少なくとも２倍以上とする。クロック周波数ｆ
ｃはコンピュータ２１８− によって制御される可変周波数発振器２５で発振され、
パターン発生器２４はこのクロック周波数ｆｃに基づい
て動作する。
く、連続的にクロック周波数を変化させることが可能な
可変周波数発振器２５ン備えた装を乞使用する。周波数
の変化が可能な範囲は、最低周波数とＭＬ ’Ｍ周波数
との比が少なくとも２倍以上とする。クロック周波数ｆ
ｃはコンピュータ２１８− によって制御される可変周波数発振器２５で発振され、
パターン発生器２４はこのクロック周波数ｆｃに基づい
て動作する。
本発明によるイオン注入方法は下記の実施例の如く行な
われる。すなわち、まず設計データから所要のドーズ量
Ｄ□（ｃｍ２）が知られるが、本実施例においてはＤｏ
＝３ Ｘ １０１！ （ＣＲ”） ト−ｆ７）。またパ
ターンの要求精度及び濃度変動の許容限度から、イオン
ビーム径ＹＯ，１（μｍ）ｒピッチＰ＝０．０６（μｍ
／ｃｌｏｃｋ）とする。
われる。すなわち、まず設計データから所要のドーズ量
Ｄ□（ｃｍ２）が知られるが、本実施例においてはＤｏ
＝３ Ｘ １０１！ （ＣＲ”） ト−ｆ７）。またパ
ターンの要求精度及び濃度変動の許容限度から、イオン
ビーム径ＹＯ，１（μｍ）ｒピッチＰ＝０．０６（μｍ
／ｃｌｏｃｋ）とする。
前記式（４）及び式（５）から、イオン電流Ｉｐの単位
Ｙ ｐ Ａ ｒクロック周波数ｆｃの単位ＹＭＨ２，ピ
ッチＰの単位ンμｍとすればドーズ量Ｄ （ｃＩＬ”）
ハに＝１のとき と表わされて、例えばイオン電流Ｉβノ＝３０：０（ｐ
Ａ） 。
Ｙ ｐ Ａ ｒクロック周波数ｆｃの単位ＹＭＨ２，ピ
ッチＰの単位ンμｍとすればドーズ量Ｄ （ｃＩＬ”）
ハに＝１のとき と表わされて、例えばイオン電流Ｉβノ＝３０：０（ｐ
Ａ） 。
Ｐ＝０．０６（μｎ／ｃｌｏｃｋ）とするとき、クロッ
ク周波数ｆｃ、繰返し回数Ｎに対して、ドーズ量りは第
４図に示すとおりとなり、クロック周波数ｆｃと繰返し
回数との組合わせ、ｆｌ岬３．４５ （ＭＨｚ）。
ク周波数ｆｃ、繰返し回数Ｎに対して、ドーズ量りは第
４図に示すとおりとなり、クロック周波数ｆｃと繰返し
回数との組合わせ、ｆｌ岬３．４５ （ＭＨｚ）。
Ｎ＝２； ｆ、 幻５．２（ＭＨｚ）、Ｎ＝３ ； ｆ
３ ＝６．９ＣＭＨ２） ｒ Ｎ＝４ ；及びｆ４＝８
．６（ＭＨｚ）、Ｎ＝５の何れビ選択してもＤｏ−３×
１０１２〔ｃＩＩＬ−２〕を高精ｉで実現することがで
きる。これらの複数の組合わせ中、例えば１吋８，６０
ＩＨ２）、Ｎ＝５程度の組合わせが基板の温度上昇など
の点から一般的には好ましい。
３ ＝６．９ＣＭＨ２） ｒ Ｎ＝４ ；及びｆ４＝８
．６（ＭＨｚ）、Ｎ＝５の何れビ選択してもＤｏ−３×
１０１２〔ｃＩＩＬ−２〕を高精ｉで実現することがで
きる。これらの複数の組合わせ中、例えば１吋８，６０
ＩＨ２）、Ｎ＝５程度の組合わせが基板の温度上昇など
の点から一般的には好ましい。
また例えばエンハンスメントモードとディブリーシ欝ン
モードとのＦＥＴのチャネル領域など、設計ドーズ１Ｉ
ｋＤｏの異なるイオン注入を繰返す場合には、イオン電
流ＩｐＹ最大クロック周波数ｆＭＡＸ、Ｎ＝１で定まる
最小ドーズ量ＤＭＩＮＯ値が所要のドーズ量Ｄｏより小
となる様に設定することによって、イオン電流ＩｐＹ共
通な一定値とし、クロック周波数ｆｃ及び繰返し回数Ｎ
の前記の如き選択によって容易に各領域に高精度のイオ
ン注入を実現することができる。
モードとのＦＥＴのチャネル領域など、設計ドーズ１Ｉ
ｋＤｏの異なるイオン注入を繰返す場合には、イオン電
流ＩｐＹ最大クロック周波数ｆＭＡＸ、Ｎ＝１で定まる
最小ドーズ量ＤＭＩＮＯ値が所要のドーズ量Ｄｏより小
となる様に設定することによって、イオン電流ＩｐＹ共
通な一定値とし、クロック周波数ｆｃ及び繰返し回数Ｎ
の前記の如き選択によって容易に各領域に高精度のイオ
ン注入を実現することができる。
以上述べた本発明によるイオン注入方法のフローチャー
トの例馨第５図に示す。すなわちまず所要の濃度プロフ
ァイルに従って加速電圧を設定して、大略のビーム集束
、アライメント調整娑行ない、イオン電流を意図する電
流値に大略合致させた後ビーム集束及びアライメント調
整７行なう。
トの例馨第５図に示す。すなわちまず所要の濃度プロフ
ァイルに従って加速電圧を設定して、大略のビーム集束
、アライメント調整娑行ない、イオン電流を意図する電
流値に大略合致させた後ビーム集束及びアライメント調
整７行なう。
この状態でファラデーカップ等のプローブ１０によって
イオン電流Ｉｐ’＆測定するが、当初に意図する電流値
との間に差ン生じても後に説明する如く支障はない。
イオン電流Ｉｐ’＆測定するが、当初に意図する電流値
との間に差ン生じても後に説明する如く支障はない。
次いでステージ１１ン移動して基板１２ン位置させ、基
板上の位置合わせマークを検出してそのＸ、Ｙ方向の位
置及び角度のずれＹ修正する。
板上の位置合わせマークを検出してそのＸ、Ｙ方向の位
置及び角度のずれＹ修正する。
次にイオン注入領域のパターンデータ２２を続出して、
基板上の位置による誤差などの修正７行なう。更にドー
ピングデータ２３を読出す。先に冥測したイオン電流Ｉ
ｐＯ値に基づいて、前記の如く最適クロック周波数ｆｃ
と最適繰り返し回数Ｎとが所望のドーズ量Ｄｏに対して
選択される。
基板上の位置による誤差などの修正７行なう。更にドー
ピングデータ２３を読出す。先に冥測したイオン電流Ｉ
ｐＯ値に基づいて、前記の如く最適クロック周波数ｆｃ
と最適繰り返し回数Ｎとが所望のドーズ量Ｄｏに対して
選択される。
この様にイオン電流■ｐの実測値に基づいた制御条件の
下でイオン注入が実施される。このイオン注入はドーズ
量Ｄｏが大幅に異ならない限り、第５図に示す如く連続
して実施することができる。
下でイオン注入が実施される。このイオン注入はドーズ
量Ｄｏが大幅に異ならない限り、第５図に示す如く連続
して実施することができる。
１１−
なお以上の説明はイオンビームの断面形状を円形として
いるが、イオンビームの断面形状が例えば矩形に成形さ
れても本発明はその形状にかがわりな〈実施することが
できる。
いるが、イオンビームの断面形状が例えば矩形に成形さ
れても本発明はその形状にかがわりな〈実施することが
できる。
（ｇ） 発明の詳細
な説明した如く本発明によれば、収束イオンビームの走
査によるイオン注入方法においてドーズ量制御の自白度
がクロック周波数ン連続的に選択することによって拡大
されて、装置の煩雑な再調整が必要となるイオン電流の
精密な調整及び変更が大幅に削減され、容易にかつ高精
度のイオンリ 注入が実現できる。この本発明の方法にょ々微細化され
る半導体装置ｔはじめとする電子装置の製造を更に推進
することが可能となる。
査によるイオン注入方法においてドーズ量制御の自白度
がクロック周波数ン連続的に選択することによって拡大
されて、装置の煩雑な再調整が必要となるイオン電流の
精密な調整及び変更が大幅に削減され、容易にかつ高精
度のイオンリ 注入が実現できる。この本発明の方法にょ々微細化され
る半導体装置ｔはじめとする電子装置の製造を更に推進
することが可能となる。
第１図（ａｌは半導体ＩＣにおける不純物導入領域の例
を示す模式平面図、同図（ｂ）は収束イオンビーム走査
の例ン示す模式平面図、第２図はイオン注入装置の従来
例ン示すブロック図、第３図は本発明に適するイオン注
入装置の例を示すブロック図、１２− 叱４図は本発明によるクロック周波数と繰返し回数との
選択の例を示す図表、第５図は本発明のフローチャート
の例を示す。 図におい゛（ＳＣはチャネル領域、Ｓはソース領域、Ｄ
はドレイン領域、１はイオン源、２は電流制御スリット
、３はイオン加速系、４ａ、４ｂ及び４Ｃはアライナ−
１５は第２レンズ系、６はブランキング電極、７ａ及び
７ｂは質霊分離系、８は第２レンズ系、９は偏向器、１
０はブローク【ファラデーカップ）、１１はステージ、
１２は基板、２１はコンピュータ、２２はパターンデー
タ、２３はドーピングデータ、２４はパターン発生器、
２５は可変周波数発振器乞示す。 代理人 弁理士 松 岡 宏四部 菫 ４ 囮 ［インコシ／、、、、’１ ２×（Ｏ ＸＩＱ ド １ｒ凹］ ス′り８．ｏｌ。 一′ｆ ９ 輛 １り ９ ７ 返 ｆｌ ２３ Ａ ｃ＝ １ｉ Ｉｆ ３ 回 １ １ １ ＆ Ｌ２ １ １． 、 ４イ ２ＸＪＯ１ １１１ １１１１ ３ １１１ １１１ １１１１ １ＸＩＱ ’ １ １１２ １ １ １ １ １ １ １ １ Ｉ Ｉｆ’ １１酢 す、、、Ｊ’ 、 ！ 、ｊ ： １． １４乞 う
ｆｆｉ クロラフ周え色Ｋｆｃ−ｒｓｈ呂〕
を示す模式平面図、同図（ｂ）は収束イオンビーム走査
の例ン示す模式平面図、第２図はイオン注入装置の従来
例ン示すブロック図、第３図は本発明に適するイオン注
入装置の例を示すブロック図、１２− 叱４図は本発明によるクロック周波数と繰返し回数との
選択の例を示す図表、第５図は本発明のフローチャート
の例を示す。 図におい゛（ＳＣはチャネル領域、Ｓはソース領域、Ｄ
はドレイン領域、１はイオン源、２は電流制御スリット
、３はイオン加速系、４ａ、４ｂ及び４Ｃはアライナ−
１５は第２レンズ系、６はブランキング電極、７ａ及び
７ｂは質霊分離系、８は第２レンズ系、９は偏向器、１
０はブローク【ファラデーカップ）、１１はステージ、
１２は基板、２１はコンピュータ、２２はパターンデー
タ、２３はドーピングデータ、２４はパターン発生器、
２５は可変周波数発振器乞示す。 代理人 弁理士 松 岡 宏四部 菫 ４ 囮 ［インコシ／、、、、’１ ２×（Ｏ ＸＩＱ ド １ｒ凹］ ス′り８．ｏｌ。 一′ｆ ９ 輛 １り ９ ７ 返 ｆｌ ２３ Ａ ｃ＝ １ｉ Ｉｆ ３ 回 １ １ １ ＆ Ｌ２ １ １． 、 ４イ ２ＸＪＯ１ １１１ １１１１ ３ １１１ １１１ １１１１ １ＸＩＱ ’ １ １１２ １ １ １ １ １ １ １ １ Ｉ Ｉｆ’ １１酢 す、、、Ｊ’ 、 ！ 、ｊ ： １． １４乞 う
ｆｆｉ クロラフ周え色Ｋｆｃ−ｒｓｈ呂〕
Claims (1)
- 加速されたイオン馨ビーム状に収束し、偏向装置を用い
て該イオンビームン被処理物面上に走査させ、かつ該偏
向装置のクロック周波数馨連続的に制御してイオン注入
量を制御し、該被処理物表面に選択的にイオン注入法て
、所望のイオン注入パターンン形成することを特徴とす
るイオン注入方法１つ
Priority Applications (5)
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|---|---|---|---|
| JP58251453A JPS60143630A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | イオン注入方法 |
| KR1019840008262A KR890003497B1 (ko) | 1983-12-29 | 1984-12-22 | 무(無)마스크공정의 이온 주입장치와 방법 |
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| EP84116489A EP0151811B1 (en) | 1983-12-29 | 1984-12-28 | Method for maskless ion implantation |
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|---|---|---|---|
| JP58251453A JPS60143630A (ja) | 1983-12-29 | 1983-12-29 | イオン注入方法 |
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Family
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- 1984-12-28 EP EP84116489A patent/EP0151811B1/en not_active Expired - Lifetime
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