KR850005149A - 무(無) 마스크 공정의 이온 주입장치와 방법 - Google Patents

무(無) 마스크 공정의 이온 주입장치와 방법 Download PDF

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야마모도 다꾸마
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Abstract

내용 없음

Description

무(無)마스크공정의 이온 주입장치와 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 (a)도는 GaAs전계효과 트랜지스터의 예시 패턴의 도식적인 평면도.
제 1 (b)도는 마스크를 사용하지 않은 접속된 이온 빔에 의하여 기판의 표면상에 패턴의 주사를 도시한 것.
제 2 도는 종래 이온 주입장치의 제어시스템을 도시하는 도식적인 블록선도.
제 3 도는 본 발명에 의하여 개선된 이온 주입장치를 도시하는 도식적인 블록선도.
제 4 도는 본 발명에 의한 이온 주입장치의 개선된 제어 시스템을 도시하는 도식적인 블록선도.

Claims (7)

  1. 단계적인 움직임으로 접속된 이온빔을 주사하므로 기판을 처리하는 방법과, 프로브(Probe)에 의하여 이온 빔 전류를 측정하며, 예정된 량을 공급하기 위하여 상기 측정된 이온 전류를 근거로한 주사횟수와, 단계적인 움직임으로써 상기 접속된 이온 빔에 대한 클럭 주파수를 선택하고, 상기 클럭 주파수와 상기 주사횟수의 선택된 조합에 의하여 상기 이온 빔으로 상기 기판의 상기 처리를 시행하는 단계를 포함하는 상기 기판 처리 방법.
  2. 청구범위 제 1 항에 있어서 상기 이온 빔 전류가 상기 프로브중 하나로서 패러데이 컵(Faraday Cup)을 사용함으로써 측정되어지는 방법.
  3. 청구범위 제 1 항에 있어서 상기 클럭 주파수가 가변 주파수 발진기에 의하여 공급되는 방법.
  4. 청구범위 제 1 항에 있어서 상기 주사횟수가 주입 손상을 최소화 하도록 결정되어지는 방법.
  5. 빔에서 이온을 집속시키는 집속 제어 시스템, 상기 이온 빔을 주사하고 편향하는 편향기, 상기 방사된 이온 빔 전류를 척정하기 위한 방법, 상기 편향기에 편향 전압을 공급하기 위한 상기 편향기에 연결된 패턴 발생기, 상기 패턴 발생기에서 편향속도를 결정하는 주파수를 갖는 클럭 신호를 발생하는 가변 주파수 발진기, 예정된 주입량에 해당하는 상기 측정된 이온 전류를 근거로한 주사횟수와 상기 클럭 주파수를 결정하는 중앙처리장치(CPU), 상기 클럭 주파수를 발생하기 위하여 상기 가변 주파수 발진기를 제어하는 상기 CPU, 그리고 주사횟수와 상기 클럭 주파수에 의하여 상기 편향기를 제어하는 상기 CPU를 포함하는 마스크를 사용하지 않는 반도체물질의 기판에 도펀트 물질을 주입하는 장치.
  6. 청구범위 제 5 항에 있어서 상기 도펀트 이온을 가속시키는 전계 발생기를 포함하는 장치.
  7. 청구범위 제 5 항에 있어서 상기 중앙처리장치(CPU)가 상기 장치의 집속된 이온 빔 시스템을 제어하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840008262A 1983-12-29 1984-12-22 무(無)마스크공정의 이온 주입장치와 방법 KR890003497B1 (ko)

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