KR890013709A - 전자 비임 노광(露光) 방법과 그의 장치 - Google Patents

전자 비임 노광(露光) 방법과 그의 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR890013709A
KR890013709A KR1019890001300A KR890001300A KR890013709A KR 890013709 A KR890013709 A KR 890013709A KR 1019890001300 A KR1019890001300 A KR 1019890001300A KR 890001300 A KR890001300 A KR 890001300A KR 890013709 A KR890013709 A KR 890013709A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
coordinate data
stage
electron beam
supplied
Prior art date
Application number
KR1019890001300A
Other languages
English (en)
Other versions
KR930003134B1 (ko
Inventor
히로시 야스다
준이찌 가이
신지 미야끼
야쓰시 다까하시
Original Assignee
야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야마모도 다꾸마, 후지쓰 가부시끼가이샤 filed Critical 야마모도 다꾸마
Publication of KR890013709A publication Critical patent/KR890013709A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930003134B1 publication Critical patent/KR930003134B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023—Programme control
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304—Controlling tubes
    • H01J2237/30405—Details
    • H01J2237/30411—Details using digital signal processors [DSP]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31766—Continuous moving of wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31761—Patterning strategy
    • H01J2237/31767—Step and repeat

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

전자 비임 노광(露光)방법과 그의 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 웨이퍼상에 묘화된 패턴 영역 설명도,
제2도는 패턴 농도 변화의 예를 나타내는 도.
제3도는 본 발명의 바람직한 실시예의 계통적 블록도.

Claims (15)

  1. 노출된 패턴의 데이타로부터 각각의 노광영역에서의 패턴농도를 계산하는 단계와, 상기 계산된 패턴농도를 소정의 임계값과 비교하는 단계와, 첫번째 노광역에서의 상기 계산된 패턴농도가 상기 소정의 임계값보다 낮을 때, 스테이지 연속이동 처리에 의해 상기 노광영역들 중의 상기 첫번째 노광영역에 상기 패턴을 묘화하는 단계와, 두번째 노광영역에서의 상기 계산된 패턴 농도가 상기 소정의 임계값보다 높거나 같을 때, 스텝 앤드 리피트 처리에 의해 상기 노광영역들중의 상기 두번째 노광영역에 상기 패턴을 묘화하는 단계들로 이루어진, 전자비임울 조사하므로써 이동 스테이지 상에 놓인 다수의 노광영역을 갖는 시료상에 패턴을 묘화하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서, 스테이지 연속이동 처리에 의해 첫번째 노광영역이 모두 노출된 후에, 스텝 앤드 리피트 처리에 의해 상기 두번째 노광영역에 상기 패턴을 묘화하기 위한 단계가 수행되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 노출시키려는 노광영역이 스텝 앤드 리피트 처리에 의해 노출되어야 한다고 판단될때, 스테이지 연속이동 처리에 의해 다음 노광영역올 노출시키지 않고 스텝 앤드 리피트 처리에 의해 상기 패턴올 묘화하기 위한 단계가 즉시 수행되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 각각의 노광영역에 대한 패턴데이타로 부터 쇼트들의 수를 계산하므로써 상기 패턴 농도가 얻어지는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 노광영역의 각각이 메인 디플렉션 필드에 대용되고, 다수의 서브 디플렉션 필드들로 분리되는 방법.
  6. 상기 시료가 그것의 위에 놓여진 스테이지와, 전자비임을 발생하기 위한 전자비임 발생수단과, 상기 전자 비임 발생수단에 의해 발생되는 상기 전자비임을 편향(deflection)하기 위한 편향 수단과, 노출되는 상기패턴에 관한 패턴데이타에 근거한 편향 신호를 상기 편향수단에 제공하기 위한 편향신호 발생수단과, 상기 스테이지를 구동하기 위한 스테이지 구동 수단과, 상기 패턴데이타로 부터 얻어진 패턴농도가 소정의 임계값보다 높거나 또는 같은지를 아니면 그렇지 않은지를 구별하고, 얻어진 패턴농도가 상기 소정의 임계값보다 높거나 또는 같을 때 상기 스테이지를 단속적으로 이동시킬 수 있도록 제어신호를 상기 스테이지 구동수단에 공급하고, 얻어진 패턴농도가 상기 소정의 임계값보다 낮을 때, 상기 스페이지를 연속적으로 이동시킬 수 있도록 상기 제어신호를 상기 스테이지를 구동수단에 공급하기 위한 제어수단 둥으로 이루어진, 시료상에 전자비임을 조사시킴으로써 다수의 노광영역을 갖는 시료상에 패턴을 묘화하기 위한 전자비임 노광장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 편향수단이 메인 디플렉터와 서브 디플렉터로 이루어지며. 상기 편향신호가 첫번째와 두번째 편향 신호들로 이루어지고, 상기 편향신호 발생수단이 상기 메인 디플렉터에 상기 첫번째 편향신호를 공급하기 위한 상기 첫번째 편향신호 발생수단과 상기 서브 디플렉터에 두번째 편향신호를 공급하기 위한 상기 두번째 편향신호 발생수단들로 이루어지고, 상기의 현재위치를 지시하는 좌표데이타를 발생시키기 위한 스테이지 위치 묘화 수단들과, 상기 스테이지의 현재위치를 지시하는 상기 좌표 데이타를 저장하기 위한 첫번째 저장 수단들, 상기 패턴데이타에 의해 정의되는 상기 노팡영역의 각각의 중심이 상기 스테이지의 컬럼 중심과 일치되어야 하는 상기 스테이지에 대한 목표위치의 좌표데이타를 저장하기 위한 두번째 저장수단들과, 노출된 상기 패턴데이타로부터 얻어진 패턴농도가 상기 소정의 임계값보다 높거나 같은 경우에 상기 두번째 저장수단들에 저장된 상기 목표위치의 좌표데이타를 그안에 수용하고, 상기 패턴데이타로 부터 얻어진 패턴농도가 상기 소정의 임계값보다 낮은 경우에 상기 첫번째 저장수단들에 저장된 현재위치를 지시하는 좌표데이타를 소정시간에서 그 안에 받아들이기 위한 상기 제어수단들에 의해 지시되는 좌표데이타 수용레지스터 수단들과, 상기 좌표데이타 수용 레지스터 수단들로부터 공급되는 좌표데이타와 상기 첫번째 저장수단들에 저장된 좌표데이타 사이의 첫번째 차를 계산하기 위한 첫번째 차분기와 상기 좌표데이타 수용 레지스터 수단들로부터 공급된 좌료데이타와 상기 두번째 저장 수단들에 저장된 좌표 데이타 사이의 두번째를 차를 계산하기 위한 두번째 차분기와, 상기 첫번째 차분기로부터 공급된 상기 첫번째 차에 따라 상기 두번째 편향신호 발생수단들로부터 공급되는 상기 두번째 편향신호를 조절하기 위한 첫번째 조절수단들과, 상기 두번째 차분기로부터 공급된 상기 두번째 차에 따라 상기 첫번째 편향신호 발생수단들로부터 공급되는 상기 첫번째 편향신호를 조절하기 위한 두번째 조절수단등을 더 포함하는 전자 비임 노광장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 소정의 시간이 상기 서브 영역들의 각각에 대해 노광이 시작될때의 시간이고, 상기 노광영역의 각각이 다수의 서브영역들로 이루어진 전자비임 노광장치.
  9. 제7항에 있어서, 패턴농도가 상기 소정의 임계값보다 낮을 때, 소정의 시간에서 얻어진 좌표데이타가 상기 좌표데이타 수용레지스터 수단들에 수용되고, 상기 시료가 스테이지를 상기 스테이지 구동수단에 의하여 연속적으로 이동시키는 스테이지 연속이동 처리에 의해 노출되고, 패턴농도가 상기 소정의 임계값보다 높거나 같을 때, 상기 목표위치의 좌표데이타가 상기 좌표데이타 수용 레지스터 수단들에 수용되고, 상기 시료가 상기 스테이지를 상기 스테이지 구동 수단에 의하여 단속적으로 이동시키는 스텝 앤드 리피트 처리에 의하여 노출되는 전자 비임 노광장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 시료가 스테이지 연속이동 처리에 의해 노출되면, 상기 첫번째 차분기가 상기 소정의 시간에 상기 좌표데이타 수용레지스터 수단들로부터 공급된 화료데이타와 노광중에 상기 첫번째 저장수단들로부터 공급된 상기 좌표데이타 사이의 첫번째 차를 계산하고, 상기 시료가 스텝 앤드 리피트 처리에 의해 노출되면, 상기 첫번째 차분기가 상기 소정의 시간에 상기 좌표데이타 수용 레지스터 수단들로부터 공급된 좌표데이타와 노광중에 상기 첫번째 저장수단들로부터 공급되는 상기 좌표 데이타 사이의 첫번째 차를 계산하는 전자 비임 노광장치.
  11. 제7항에 있어서, 상기 시료가 스테이지 연속이동 처리에 의해 노출되면, 상기 두번째 차분기가 상기 소정의 시간에 상기 좌표데이타 수용레지스터 수단들로부터 공급된 좌표 데이타와 상기 두번째 저장 수단들로부터 공급된 상기 좌표 데이타 사이의 두번째 차를 계산하고, 상기 시료가 스텝 앤드 리피트 처리에 의해 노출되면, 상기 두번째 차분기가 상기 소정의 시간에 상기 좌표데이타 수용레지스터 수단들로부터 공급된 좌표데이타와 상기 두번째 저장 수단들로부터 공급된 상기 좌표데이타 사이의 두번째 차를 계산하는 전자 비임노광장치.
  12. 제6항에 있어서, 상기 제어수단이 상기 시료상에 상기 패턴을 묘화하기 위해 사용된 상기 패턴 데이타를 사용하므로써 상기 시료안에 포함된 소정의 모든 영역에 대한 쇼트들의 수를 계산하므로써 상기 패턴 농도를 계산하는 전자 비임 노광장치.
  13. 제7항에 있어서, 상기 좌표 데이타 수용레지스터 수단들이, 상기 첫번째 저장 수단들에 연결된 첫번째 입력단자와 상기 제어수단들에 연결된 두번째 입력단자를 갖는 AND 게이트를 포함하는 전자비임 노광장치.
  14. 제7항에 있어서, 상기 좌표 데이타 수용레지스터가 레지스터, 인버터, 첫번째 AND 게이트와 두번째 AND 게이트를 포함하고, 상기 두번째 저장수단들이 상기 제어수단들에 연결된 상기 첫번째 AND 게이트를 경유하여 상기 레지스터와 연결되고, 상기 첫번째 저장수단들이 상기 인버터를 통과한 상기 제어수단들에 연결된 상기 두번째 AND 게이트를 경유하여 상기 레지스터와 연결되는 전자 비임 노광 장치.
  15. 제7항에 있어서, 상기 스테이지 위치 검출수단들과 상기 첫번째 차분기들이 서로 동기화되는 전자 비임 노광장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890001300A 1988-02-04 1989-02-03 전자비임 노광(露光)방법과 그의 장치 KR930003134B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP88-22795 1988-02-04
JP?63-22795 1988-02-04
JP63022795A JP2614884B2 (ja) 1988-02-04 1988-02-04 電子ビーム露光方法及びその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR890013709A true KR890013709A (ko) 1989-09-25
KR930003134B1 KR930003134B1 (ko) 1993-04-22

Family

ID=12092616

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890001300A KR930003134B1 (ko) 1988-02-04 1989-02-03 전자비임 노광(露光)방법과 그의 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4950910A (ko)
EP (1) EP0327093B1 (ko)
JP (1) JP2614884B2 (ko)
KR (1) KR930003134B1 (ko)
DE (1) DE68915007T2 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2675411B2 (ja) * 1989-02-16 1997-11-12 三洋電機株式会社 半導体集積回路の製造方法
DK294189D0 (da) * 1989-06-15 1989-06-15 Andersen Allan V Fremgangsmaade og scanningapparat til praeparering af store arbejdsflader, navnlig trykmoenstre paa serigrafi rammer
JPH03166713A (ja) * 1989-11-27 1991-07-18 Mitsubishi Electric Corp 電子ビーム露光方法
JPH0821537B2 (ja) * 1989-12-13 1996-03-04 安藤電気株式会社 図形データの分割変換に対する誤差処理回路
DE69030243T2 (de) * 1989-12-21 1997-07-24 Fujitsu Ltd Verfahren und Gerät zur Steuerung von Ladungsträgerstrahlen in einem Belichtungssystem mittels Ladungsträgerstrahlen
JP2512184B2 (ja) * 1990-01-31 1996-07-03 株式会社日立製作所 荷電粒子線描画装置及び描画方法
US5253182A (en) * 1990-02-20 1993-10-12 Hitachi, Ltd. Method of and apparatus for converting design pattern data to exposure data
EP0447241B1 (en) * 1990-03-14 1996-06-12 Fujitsu Limited Electron beam exposure system having an improved data transfer efficiency
JP3043031B2 (ja) * 1990-06-01 2000-05-22 富士通株式会社 露光データ作成方法，パターン露光装置及びパターン露光方法
US5194741A (en) * 1991-03-20 1993-03-16 Fujitsu Limited Method for writing a pattern on an object by a focused electron beam with an improved efficiency
JP2501726B2 (ja) * 1991-10-08 1996-05-29 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション コンピュ―タ・イメ―ジ生成装置及びデ―タ減縮方法
US5481472A (en) * 1993-05-18 1996-01-02 International Business Machines Corporation Method and apparatus for automatically recognizing repeated shapes for data compaction
US5617328A (en) * 1994-05-23 1997-04-01 Winbond Electronics Corporation Automatic code pattern generator for repetitious patterns in an integrated circuit layout
US6984526B2 (en) 1995-02-08 2006-01-10 University Of South Florida Spectrophotometric method for determining the viability of a sample containing platelets
JPH11149893A (ja) * 1997-11-18 1999-06-02 Sony Corp 電子ビーム描画装置および描画方法並びに半導体装置
US5990540A (en) * 1997-12-15 1999-11-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP6869695B2 (ja) * 2016-10-28 2021-05-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4280186A (en) * 1978-07-07 1981-07-21 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Exposure apparatus using electron beams
JPS5511303A (en) * 1978-07-10 1980-01-26 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Electron-beam exposure device
JPS5693318A (en) * 1979-12-10 1981-07-28 Fujitsu Ltd Electron beam exposure device
JPS5753938A (en) * 1980-09-17 1982-03-31 Toshiba Corp Electron beam exposure apparatus
US4365163A (en) * 1980-12-19 1982-12-21 International Business Machines Corporation Pattern inspection tool - method and apparatus
JPS5961134A (ja) * 1982-09-30 1984-04-07 Toshiba Corp 荷電ビ−ム露光装置
US4477729A (en) * 1982-10-01 1984-10-16 International Business Machines Corporation Continuously writing electron beam stitched pattern exposure system
JPS60196941A (ja) * 1984-02-29 1985-10-05 Fujitsu Ltd 電子線露光方法
EP0169561A3 (en) * 1984-07-26 1987-04-22 The Perkin-Elmer Corporation Control strategy for microlithography instrument
EP0178156B1 (en) * 1984-10-09 1991-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of drawing a desired pattern on a target through exposure thereof with an electron beam
JPH0691005B2 (ja) * 1985-12-24 1994-11-14 株式会社東芝 荷電ビ−ム描画方法
JPH0789534B2 (ja) * 1986-07-04 1995-09-27 キヤノン株式会社 露光方法
US4818885A (en) * 1987-06-30 1989-04-04 International Business Machines Corporation Electron beam writing method and system using large range deflection in combination with a continuously moving table

Also Published As

Publication number Publication date
EP0327093B1 (en) 1994-05-04
JP2614884B2 (ja) 1997-05-28
JPH01199428A (ja) 1989-08-10
DE68915007D1 (de) 1994-06-09
US4950910A (en) 1990-08-21
EP0327093A2 (en) 1989-08-09
EP0327093A3 (en) 1990-11-07
DE68915007T2 (de) 1994-10-27
KR930003134B1 (ko) 1993-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890013709A (ko) 전자 비임 노광(露光) 방법과 그의 장치
KR890015435A (ko) 라인빔을 이용한 충전입자 빔 노출시스템
DE3752358T2 (de) Ionenstrahlabtastverfahren und vorrichtung
KR870011518A (ko) 전자비임 노출시스템
KR850005149A (ko) 무(無) 마스크 공정의 이온 주입장치와 방법
US4937458A (en) Electron beam lithography apparatus including a beam blanking device utilizing a reference comparator
US5134300A (en) Method and apparatus for controlling charged particle beams in charged particle beam exposure system
KR930006796A (ko) 집속 이온빔장치의 샘플위치 제어기
US3739154A (en) Optical tracking apparatus for read out of high density recording
KR910010626A (ko) 충전입자 빔 노광 방법 및 장치
KR950020474A (ko) 광학적 정보기록 재생장치에 있어서의 트랙시크방법 및 장치
JPS567429A (en) Patterning device
RU1420816C (ru) Оптическа система проводки судов
JPS6433929A (en) Electron beam direct lithography apparatus
JPH06163375A (ja) 荷電粒子線描画装置
KR940007725A (ko) 전자선 묘화장치를 위한 묘화 데이타의 작성방법 및 전자선 묘화방법
JPS54105970A (en) Electron beam drawing device and its use
JPS5541668A (en) Detecting method of character position
JPS58200536A (ja) 荷電ビ−ム露光装置におけるマ−ク検出方式
JPS62183514A (ja) イオンビ−ム描画装置
JPS5599724A (en) Method of exposing electron beam
JPS6427150A (en) Electron beam deflecting method
JPS5656635A (en) Correcting method for photoresist pattern
JPH05243130A (ja) 荷電粒子ビーム描画方法
SU699487A1 (ru) Способ измерени длительности переходных процессов в системах управлени электронными пучками электроннолучевых трубок

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20030410

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee