KR910010626A - 충전입자 빔 노광 방법 및 장치 - Google Patents
충전입자 빔 노광 방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910010626A KR910010626A KR1019900019257A KR900019257A KR910010626A KR 910010626 A KR910010626 A KR 910010626A KR 1019900019257 A KR1019900019257 A KR 1019900019257A KR 900019257 A KR900019257 A KR 900019257A KR 910010626 A KR910010626 A KR 910010626A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- mask
- pattern
- data
- particle beam
- information
- Prior art date
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims 3
- 230000004044 response Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Programme-control systems
- G05B19/02—Programme-control systems electric
- G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
- G05B19/408—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by data handling or data format, e.g. reading, buffering or conversion of data
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/35—Nc in input of data, input till input file format
- G05B2219/35567—Each block contains connection, index to other blocks, to form patterns
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 충전입자 빔 노광방법이 적용된 노광 장치의 실시예를 나타내는 개략도
제3도는 마스크 정보 테이타와 패턴 고광 데이타가 준비되는 방법을 설명하기 위해 사용된 본 발명의 실시예를 나타내는 개략도
제4도는 노광 방법을 수행하고 준비하기 위해 사용된 기본 단계의 흐름도
Claims (10)
- 다수의 마스크 패턴으로 형성된 스텐슬 마스크를 가지며, 상기 다수의 마스크패턴으로부터 선택된 마스크 패터에 충전입자 빔을 형성하며, 상기 형성된 빔을 편향하고 웨이퍼위에 동일한 것을 주사하므로써 웨이퍼 광을 실행하는 충전입자 빔 노광방법에 있어서, 상기 선택된 마스크 패턴에 상기 충전입자 빔을 편향하기위한 정보이고, 마스크메모리에서 인덱스를 상기 스탠슬 마스크의 모든 마스크 패턴에 제공하는 마스크 정보 데이타를 홀딩하고, 상기 마스크 메모리에서 유지된 각 마스크 팬터의 상기 인덱스를 사용하므로써 마스크패턴을 설계하고 데이타 메모리에서 상기 웨이퍼위의 소정의 영역에 설계된 마스크 패턴으로 형성된 상기 충전 입자 빔을 편향하기 위한 정보인 패턴 노광 데이타를 홀딩하며, 상기 스텐들 마스크위의 상기 충전입자 빔을 편향하고 상기 패턴 노광 데이타로 설계된 인덱스에 응답하여 상기 마스크 메모리로부터 출력된 상기 마스크정보 데이타를 사용함으로써 상기 빔을 형성하는 단계로 이루어지는 충전입자 빔 노광 방법.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 마스크 정보 데이타가 상기 스텐슬 마스크 위의 각 마스크 패턴의 위치 정보를 포함하는 충전입자 빔 노광 방법.
- 청구범위 제1항에 있어서 , 상기 마스크 정보 데이타가 상기 스텐슬 마스크에서 상기 충전입자 빔의 빔 편향 정보를 좀 더 포함하는 충전입자 빔 노광 방법.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 마스크 정보 데이타가 통과하는 상기 빔을 통하여 각 마스크 패턴의 영역정보를 포함하는 충전입자 빔 노광 방법.
- 청구범위 제4항에 있어서 각 마스크 패턴의 상기 영역 정보에 의하여 , 리포커스 코일이 제어되고 집중 레벨이 조절되는 충전입자 빔 노광 방법.
- 청구범위 제1에 있어서, 상기 마스크 정보 데이타가 노광시간 보정 정보를 포함하고 상기 충전입자 빔의 주사시간을 제어하는 충전입자 빔 노광 방법.
- 청구범위 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼를 노출하므로써 패턴에 대한 설계 데이터로부터의 노광시간에 반복하여 사용될수 있는 다수의 상기 마스크 패턴을 축출하고 , 마스크 인덱스를 갖는 상기 다수의 마스크 패턴으로부터 하나의 마스크 패턴을 선택하기위한 정보를 준비하며 상기 웨이퍼의 소정의 위치에서 주사하는 단계를 포함할 수있도록 패턴 노광데이타가 준비되고 , 상기 다수의 마스크 패턴이 2차원 좌표에 배열되는 상기 마스크 패턴에 상기 충전입자 빔을 편향하고 모든 마스크 태턴에서 상기 빕의 주사 형태로 형성하기 위하여 사용된 정보를 상기 마스크 인덱스를 부여하는 단계를 포함할수 있도록 상기 마스크 정보 데이타가 준비되는 충전입자 빔 노광 방법.
- 충전입자 빔의 소스, 상기 충전입자 빔에 의하여 노출되는 웨이퍼 위에 설치된 웨이퍼 스테이지, 상기 충전입자 빔이 통과하고 형성되는 그것을 통하여 다수의 마스크 패턴으로 형서오디는 스펜슬 마스크, 상기 마스크 스텐슬 위에 주사된 상기 충전입자 빔의 편향 주건을 제어하기 위한 마스크부 편향 제어기, 상기 웨이퍼에 관한 상기 마스크 스텐슬을 통하여 통과한 상기 충전입자 빔의 편향 조건을 제어하기 위한 웨이퍼부 편향제어기로 이루어진 충전입자 빔 노광 장치에 있어서, 상기 충전입자 빔 노광장치가 상기 마스크 부 편향 제어기에 입력되고 모든 마스크 패턴에서 인덱스로 표시되는 마스크 정보 데이타를 홀딩하기 위한 마스크 메모리와 상기 인덱스로 소정의 마스크 패턴을 설계하고 상기 웨이퍼에 관한 상기 스텐슬 마스크를 통하여 통과한 상기 충전입자빔의 편향조건을 나타내는 패턴 노광 데이타를 홀딩하기 위한 데이타 메모리를 포함하고 상기 소정의 마스크 패턴을 설계하는 상기 인덱스가 상기 데이타 메모리에 출력되고, 상기 웨이퍼에 관한 상기 스텐슬 마스크를 통하여 통과한 상기 충전입자 빔의 상기 편향 조건의 상기 데이타 메모리에 의하여 웨이퍼부편향 제어기에 입력되며 상기 인덱스에 대응하는 상기 마스크 정보 데이타는 상기 인덱스가 입력되는 상기 마스크 메모리에 의하여 상기 마스크부 편향 제어기에 출력되는 충전입자 빔 노광 장치.
- 청구범위 제8항에 있어서, 상기 마스크 메모리에서 유지된 상기 마스크 정보 데이타와 상기 데이타 메모리에서 유지된 상기 패턴 노광 데이타가 외부 저장 매체로부터 전송되는 충전 입자 빔 노광 장치.
- 청구범위 제8항에 있어서, 상기 데이타 메모리로부터의 데이타출력, 상기 마스크메모리로부터의 데이타의 출력 및 상기 마스크부 편향 제어기와 웨이퍼부 편향 제어기의 동작이 파이프라인 처리에 의하여 실행되는 충전입자 빔 노광 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31252189 | 1989-11-30 | ||
JP1-312521 | 1989-11-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910010626A true KR910010626A (ko) | 1991-06-29 |
KR940008019B1 KR940008019B1 (ko) | 1994-08-31 |
Family
ID=18030227
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900019257A KR940008019B1 (ko) | 1989-11-30 | 1990-11-27 | 하전입자 빔 노광 방법 및 장치 |
KR1019910012062A KR940008219B1 (ko) | 1989-11-30 | 1991-07-15 | Cmos 제조방법 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910012062A KR940008219B1 (ko) | 1989-11-30 | 1991-07-15 | Cmos 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5130547A (ko) |
EP (1) | EP0434990B1 (ko) |
KR (2) | KR940008019B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100293032B1 (ko) * | 1997-08-13 | 2001-06-15 | 이마이 기요스케 | 전동손톱연마기 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5304811A (en) * | 1991-08-09 | 1994-04-19 | Fujitsu Ltd. | Lithography system using charged-particle beam and method of using the same |
US5391886A (en) * | 1991-08-09 | 1995-02-21 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and method of exposing a pattern on an object by such a charged particle beam exposure system |
US5455427A (en) * | 1993-04-28 | 1995-10-03 | Lepton, Inc. | Lithographic electron-beam exposure apparatus and methods |
JP3728015B2 (ja) * | 1996-06-12 | 2005-12-21 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法 |
US5831272A (en) * | 1997-10-21 | 1998-11-03 | Utsumi; Takao | Low energy electron beam lithography |
RU2129294C1 (ru) * | 1998-05-22 | 1999-04-20 | Гурович Борис Аронович | Способ получения рисунка |
KR100270808B1 (ko) * | 1998-05-29 | 2000-11-01 | 김형국 | 볼트구멍의내면가공용장치 |
JP2000124113A (ja) * | 1998-10-14 | 2000-04-28 | Nikon Corp | 荷電ビーム露光装置及び荷電ビーム露光方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR39852E (fr) * | 1972-06-30 | 1932-03-24 | Ig Farbenindustrie Ag | Procédé de production de colorants solides pour cuve |
US3956635A (en) * | 1975-06-13 | 1976-05-11 | International Business Machines Corporation | Combined multiple beam size and spiral scan method for electron beam writing of microcircuit patterns |
US4213053A (en) * | 1978-11-13 | 1980-07-15 | International Business Machines Corporation | Electron beam system with character projection capability |
US4243866A (en) * | 1979-01-11 | 1981-01-06 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for forming a variable size electron beam |
JPS58121625A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-20 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
JPH0247825A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | 荷電ビーム描画データ作成方法 |
EP0367496B1 (en) * | 1988-10-31 | 1994-12-28 | Fujitsu Limited | Charged particle beam lithography system and a method thereof |
-
1990
- 1990-11-21 US US07/616,870 patent/US5130547A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-26 EP EP90122519A patent/EP0434990B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-27 KR KR1019900019257A patent/KR940008019B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1991
- 1991-07-15 KR KR1019910012062A patent/KR940008219B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100293032B1 (ko) * | 1997-08-13 | 2001-06-15 | 이마이 기요스케 | 전동손톱연마기 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0434990A2 (en) | 1991-07-03 |
US5130547A (en) | 1992-07-14 |
KR940008219B1 (ko) | 1994-09-08 |
EP0434990B1 (en) | 1995-01-25 |
KR940008019B1 (ko) | 1994-08-31 |
KR930003429A (ko) | 1993-02-24 |
EP0434990A3 (en) | 1991-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8351020B2 (en) | Image reading and writing using a complex two-dimensional interlace scheme | |
US6433348B1 (en) | Lithography using multiple pass raster-shaped beam | |
EP0956516B1 (en) | Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate | |
US4743766A (en) | Method of drawing a desired pattern on a target through exposure thereof with an electron beam | |
DE60215852T2 (de) | Defekt-pixel-kompensationsverfahren | |
KR880003414A (ko) | 하이브리드 ic석판 인쇄 방법 및 장치 | |
KR910010626A (ko) | 충전입자 빔 노광 방법 및 장치 | |
KR960011565A (ko) | 노광장치 및 노광방법 | |
US20070085032A1 (en) | Writing a circuit design pattern with shaped particle beam flashes | |
TW202006793A (zh) | 描畫資料產生方法、記錄程式之電腦可讀取記錄媒體以及多帶電粒子束描畫裝置 | |
US4264822A (en) | Electron beam testing method and apparatus of mask | |
US4258265A (en) | Electron beam exposing apparatus | |
DE602005001547T2 (de) | System und Verfahren zur Fehlermarkierung auf einem Substrat bei maskenlosen Anwendungen | |
US9989860B2 (en) | Method of generating a pattern on a photomask using a plurality of beams and pattern generator for performing the same | |
KR900001715B1 (ko) | 전자선 노광방법(電子線 露光方法) | |
KR910013435A (ko) | 전자빔노광방법 및 그 장치 | |
ATE24985T1 (de) | Elektronenstrahl-gravierverfahren und einrichtung zu seiner durchfuehrung. | |
SE9101618L (sv) | Foerfarande och anordning foer automatiserad exponering av ljuskaensligt material medelst laserljus | |
JPH0226015A (ja) | 電子ビーム描画方法及び描画装置 | |
JPS57122528A (en) | Drawing system for electron beam exposure apparatus | |
JPS6254428A (ja) | 電子ビ−ム露光方法 | |
JPS61105838A (ja) | 電子ビ−ム露光装置、電子ビ−ムリソグラフイ−装置及び粒子ビ−ムリングラフイ−方法 | |
JPS63150919A (ja) | 荷電ビ−ム露光装置におけるデ−タ検証方法 | |
TW202105080A (zh) | 多射束描繪方法及多射束描繪裝置 | |
JPH09115804A (ja) | 荷電粒子線を用いたブロック露光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070823 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |