JPH09115804A - 荷電粒子線を用いたブロック露光方法 - Google Patents
荷電粒子線を用いたブロック露光方法Info
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- JPH09115804A JPH09115804A JP26817595A JP26817595A JPH09115804A JP H09115804 A JPH09115804 A JP H09115804A JP 26817595 A JP26817595 A JP 26817595A JP 26817595 A JP26817595 A JP 26817595A JP H09115804 A JPH09115804 A JP H09115804A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 荷電粒子線を用いたブロック露光方法に関
し、部分ブロック露光データ或いは補助露光データをブ
ロック露光データとして処理することによって、電子ビ
ーム露光工程におけるスループットを向上する。 【解決手段】 露光に用いるデータａを、ブロック露光
用形式で記述されるデータｅ及び可変矩形露光用形式で
記述されるデータｄからなる露光データｂと、ブロック
パターンをブロックマスク上に配置した際の配置情報を
有するマスク情報データｃとの２種類のデータを最低限
含む形で構成すると共に、各マスク情報データｃ内に含
まれるブロックを認識するためのパターンデータコード
番号ｈ，ｍでまとめられたデータ群（ｉ〜ｎ）には少な
くとも荷電粒子線を照射すべきブロックパターンに対応
するパターンデータコード番号ｈと荷電粒子線を照射す
べきブロックパターンに対して荷電粒子線をずらすべき
量ｎを与えるデータが含まれるようにし、ブロック露光
用形式で記述されるデータｅを用いて部分ブロック露光
を行う。
し、部分ブロック露光データ或いは補助露光データをブ
ロック露光データとして処理することによって、電子ビ
ーム露光工程におけるスループットを向上する。 【解決手段】 露光に用いるデータａを、ブロック露光
用形式で記述されるデータｅ及び可変矩形露光用形式で
記述されるデータｄからなる露光データｂと、ブロック
パターンをブロックマスク上に配置した際の配置情報を
有するマスク情報データｃとの２種類のデータを最低限
含む形で構成すると共に、各マスク情報データｃ内に含
まれるブロックを認識するためのパターンデータコード
番号ｈ，ｍでまとめられたデータ群（ｉ〜ｎ）には少な
くとも荷電粒子線を照射すべきブロックパターンに対応
するパターンデータコード番号ｈと荷電粒子線を照射す
べきブロックパターンに対して荷電粒子線をずらすべき
量ｎを与えるデータが含まれるようにし、ブロック露光
用形式で記述されるデータｅを用いて部分ブロック露光
を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は荷電粒子線を用いた
ブロック露光方法に関するものであり、ビーム整形を行
うためのブロックパターンを用いて新規なパターンを露
光する部分ブロック露光、或いは、近接効果を補正する
ための補助露光をブロック露光用形式で記述されたデー
タを用いて行う電子ビーム露光方法に関するものであ
る。
ブロック露光方法に関するものであり、ビーム整形を行
うためのブロックパターンを用いて新規なパターンを露
光する部分ブロック露光、或いは、近接効果を補正する
ための補助露光をブロック露光用形式で記述されたデー
タを用いて行う電子ビーム露光方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の集積度の向上に伴っ
て、要求されるパターンルールが微細化され、そのパタ
ーンルールは０．２５〜０．１μｍ程度となっており、
従来の紫外線等の光を用いた露光方法では解像が困難に
なりつつあり、そのために荷電粒子線、特に、電子線
（電子ビーム）を用いた露光方法が使用されるようにな
った。
て、要求されるパターンルールが微細化され、そのパタ
ーンルールは０．２５〜０．１μｍ程度となっており、
従来の紫外線等の光を用いた露光方法では解像が困難に
なりつつあり、そのために荷電粒子線、特に、電子線
（電子ビーム）を用いた露光方法が使用されるようにな
った。
【０００３】このような荷電粒子線、特に、電子ビーム
を用いた露光方法は、ビームを非常に細く絞れる、及
び、電気的手段による制御性が良い等の理由によって微
細パターンの形成に有望視されているが、その一方で
は、パターン描画が一筆書きであるため処理量（スルー
プット）が低いという欠点がある。
を用いた露光方法は、ビームを非常に細く絞れる、及
び、電気的手段による制御性が良い等の理由によって微
細パターンの形成に有望視されているが、その一方で
は、パターン描画が一筆書きであるため処理量（スルー
プット）が低いという欠点がある。
【０００４】しかし、このような欠点を改善するため
に、繰り返し等の規則正しいパターンを透過口として持
ったブロックパターンを用いて露光を行うブロック露光
方法が開発されている。
に、繰り返し等の規則正しいパターンを透過口として持
ったブロックパターンを用いて露光を行うブロック露光
方法が開発されている。
【０００５】この様な従来のブロック露光方法を図５及
び図６を参照して説明する。 図５参照 図５（ａ）は、ブロック露光を行う周期的露光パターン
の一つである配線層パターン１１を示すものであり、こ
の配線層パターン１１を図において破線で示すいくつか
の単位ブロックに分解して、この単位ブロック毎のパタ
ーンに対応する図５（ｂ）に示す十字状開口部１２，１
３を組み合わせた単位ブロックパターン１４をブロック
マスクの所定位置に形成する。なお、図においては説明
を簡単にするために、極めて簡単な配線層パターンを用
いており、単位ブロックパターン１４を１種類しか示し
ていないが、実際には多くの種類のブロックパターンが
用いられるものである。
び図６を参照して説明する。 図５参照 図５（ａ）は、ブロック露光を行う周期的露光パターン
の一つである配線層パターン１１を示すものであり、こ
の配線層パターン１１を図において破線で示すいくつか
の単位ブロックに分解して、この単位ブロック毎のパタ
ーンに対応する図５（ｂ）に示す十字状開口部１２，１
３を組み合わせた単位ブロックパターン１４をブロック
マスクの所定位置に形成する。なお、図においては説明
を簡単にするために、極めて簡単な配線層パターンを用
いており、単位ブロックパターン１４を１種類しか示し
ていないが、実際には多くの種類のブロックパターンが
用いられるものである。
【０００６】この様なブロックマスクを用いて露光する
場合には、露光すべきパターンに応じて電子ビームを偏
向して単位ブロックパターン１４を選択して、単位ブロ
ックパターン１４を通過した電子ビームを副偏向器で偏
向して必要とする繰り返し数に応じたショット数分の露
光を行う。
場合には、露光すべきパターンに応じて電子ビームを偏
向して単位ブロックパターン１４を選択して、単位ブロ
ックパターン１４を通過した電子ビームを副偏向器で偏
向して必要とする繰り返し数に応じたショット数分の露
光を行う。
【０００７】図６参照 図６は、実際の設計データから単位ブロックパターンの
集合からなるブロックマスクを製造するフローを示す図
であり、まず、半導体装置を製造するための設計デー
タからブロック露光するための繰り返しパターン部分を
選択・抽出する。
集合からなるブロックマスクを製造するフローを示す図
であり、まず、半導体装置を製造するための設計デー
タからブロック露光するための繰り返しパターン部分を
選択・抽出する。
【０００８】次いで、繰り返しパターン部分について
はブロック露光用フォーマットで露光データを形成す
る。
はブロック露光用フォーマットで露光データを形成す
る。
【０００９】この場合、抜き出される単位ブロックは多
い場合には数百になるが、実際にブロックマスクに配置
することのできる単位ブロックパターンの数は限られて
いるので、それ以外のブロック化が困難な部分につい
ては可変矩形露光用フォーマットで露光データを形成す
る。
い場合には数百になるが、実際にブロックマスクに配置
することのできる単位ブロックパターンの数は限られて
いるので、それ以外のブロック化が困難な部分につい
ては可変矩形露光用フォーマットで露光データを形成す
る。
【００１０】次いで、これらのブロック露光用フォー
マットで形成された露光データ及び可変矩形露光用フォ
ーマットで形成した露光データをプロセス処理して露光
データを形成すると共に、ブロックマスク上のブロッ
ク配置等を示すマスク情報データを形成し、これらのデ
ータを電子ビーム露光装置を用いた露光に用いるデータ
とする。
マットで形成された露光データ及び可変矩形露光用フォ
ーマットで形成した露光データをプロセス処理して露光
データを形成すると共に、ブロックマスク上のブロッ
ク配置等を示すマスク情報データを形成し、これらのデ
ータを電子ビーム露光装置を用いた露光に用いるデータ
とする。
【００１１】また、単位ブロックパターンを製作する
ためのブロックマスク製作データを形成し、このブロッ
クマスク製作データに基づいてブロックマスク上の所定
位置に各単位ブロックパターンを製作する。
ためのブロックマスク製作データを形成し、このブロッ
クマスク製作データに基づいてブロックマスク上の所定
位置に各単位ブロックパターンを製作する。
【００１２】この場合、ブロック露光を行う部分につい
ては、ブロック識別のためのパターンデータコード番号
（ＰＤＣ番号）とその配置情報で表されることになり、
ブロックマスク上では抽出したブロックパターンをＰＤ
Ｃ番号に基づいて一定のルールに従って配置していく。
ては、ブロック識別のためのパターンデータコード番号
（ＰＤＣ番号）とその配置情報で表されることになり、
ブロックマスク上では抽出したブロックパターンをＰＤ
Ｃ番号に基づいて一定のルールに従って配置していく。
【００１３】電子ビーム露光装置においては、このＰＤ
Ｃ番号に基づいてブロックマスク上のビーム選択を行う
ことになるが、ＰＤＣ番号自体はそのための情報を有し
ていないため、ＰＤＣ番号に付随するマスク情報データ
を参照することになる。
Ｃ番号に基づいてブロックマスク上のビーム選択を行う
ことになるが、ＰＤＣ番号自体はそのための情報を有し
ていないため、ＰＤＣ番号に付随するマスク情報データ
を参照することになる。
【００１４】このマスク情報データは、各ＰＤＣ番号毎
に（１）ブロックマスク上のブロック配置位置、（２）
マスクフォーカスデータ、（３）面積情報、（４）露光
量調整情報、のデータ群から構成される。
に（１）ブロックマスク上のブロック配置位置、（２）
マスクフォーカスデータ、（３）面積情報、（４）露光
量調整情報、のデータ群から構成される。
【００１５】そして、これらの情報は、電子ビーム露光
装置内にロードされると、それまでに電子ビーム露光装
置で取得され蓄えてきたキャリブレーション結果を参照
して、実際に増幅器などで出力されるデータに変更され
てマスクメモリに格納されることになる。
装置内にロードされると、それまでに電子ビーム露光装
置で取得され蓄えてきたキャリブレーション結果を参照
して、実際に増幅器などで出力されるデータに変更され
てマスクメモリに格納されることになる。
【００１６】しかし、このようなブロック露光方法にお
いても、ブロックパターンの数に制限があるため、露光
パターンの露光自由度を向上するためにブロックマスク
の一部を用いて露光する部分ブロック露光方法（特開平
４−２６０３５２号公報参照）が提案されている。
いても、ブロックパターンの数に制限があるため、露光
パターンの露光自由度を向上するためにブロックマスク
の一部を用いて露光する部分ブロック露光方法（特開平
４−２６０３５２号公報参照）が提案されている。
【００１７】この部分ブロック露光方法とは、特に、可
変矩形露光では精度の良い露光が困難な０．０８μｍや
０．０５μｍ等の０．１μｍ以下の細長いパターンを精
度良く露光するために提案されたものである。
変矩形露光では精度の良い露光が困難な０．０８μｍや
０．０５μｍ等の０．１μｍ以下の細長いパターンを精
度良く露光するために提案されたものである。
【００１８】従来の可変矩形露光方法により、０．１μ
ｍ以下のパターン、例えば、０．０５μｍ×３μｍのパ
ターンを露光しようとする場合、０．０５μｍの幅方向
においては一辺が４μｍの矩形電子ビームの１．２５％
（＝０．０５／４）のみを通過させるように電子ビーム
を偏向することになる。
ｍ以下のパターン、例えば、０．０５μｍ×３μｍのパ
ターンを露光しようとする場合、０．０５μｍの幅方向
においては一辺が４μｍの矩形電子ビームの１．２５％
（＝０．０５／４）のみを通過させるように電子ビーム
を偏向することになる。
【００１９】しかし、この様な場合、可変矩形露光用マ
スクの開口部の電子ビーム照射部近傍に炭素（Ｃ）等が
堆積し、この堆積物がパターン精度の低下の原因となる
ために、長細線ブロックパターンを用いた可変露光方
法、即ち、部分ブロック露光方法が提案されるに至っ
た。
スクの開口部の電子ビーム照射部近傍に炭素（Ｃ）等が
堆積し、この堆積物がパターン精度の低下の原因となる
ために、長細線ブロックパターンを用いた可変露光方
法、即ち、部分ブロック露光方法が提案されるに至っ
た。
【００２０】図７参照 この可変長細線ブロック露光方法は、露光マスク１５上
に、通常のブロックパターン１７及び可変矩形パターン
１６と共に、幅が０．１μｍ以下の長細線ブロックパタ
ーン１８を形成しておき、従来、可変矩形露光方法で露
光していた露光データを可変長細線ブロック露光データ
に変換して、この長細線ブロックパターン１８の任意の
位置に電子ビーム１９を照射して露光を行うものであ
る。
に、通常のブロックパターン１７及び可変矩形パターン
１６と共に、幅が０．１μｍ以下の長細線ブロックパタ
ーン１８を形成しておき、従来、可変矩形露光方法で露
光していた露光データを可変長細線ブロック露光データ
に変換して、この長細線ブロックパターン１８の任意の
位置に電子ビーム１９を照射して露光を行うものであ
る。
【００２１】次に、補助露光方法について説明すると、
従来のブロック露光方法においても所謂近接効果の問題
は依然として解決されないものであり、それに解決する
ためにパターンの自己サイズを調節する補正方法、或い
は、近接したパターンの影響を判断して露光量を変更す
る補正方法の二通りの補正方法が中心となって行われて
いたが、近年になって、可変矩形マスクを用いて解像さ
れない程度のわずかな露光量の電子ビームを照射してバ
ックグラウンドレベルを揃える補助露光方法が提案され
ている。
従来のブロック露光方法においても所謂近接効果の問題
は依然として解決されないものであり、それに解決する
ためにパターンの自己サイズを調節する補正方法、或い
は、近接したパターンの影響を判断して露光量を変更す
る補正方法の二通りの補正方法が中心となって行われて
いたが、近年になって、可変矩形マスクを用いて解像さ
れない程度のわずかな露光量の電子ビームを照射してバ
ックグラウンドレベルを揃える補助露光方法が提案され
ている。
【００２２】なお、近接効果とは、フォトレジストに電
子ビームを照射した場合に、電子ビームが照射された領
域の極近傍のフォトレジスト内に止まってしまうバック
グラウンドに起因しており、露光パターン同士が近接し
た場合にバックグラウンド同士が影響を及ぼしあって、
あたかも露光されたと同様のレベルの照射量が溜まって
しまい、所望しない領域に露光パターンが形成される現
象であり、露光パターンの粗密、或いは、パターンの線
幅等に大きく依存するものである。
子ビームを照射した場合に、電子ビームが照射された領
域の極近傍のフォトレジスト内に止まってしまうバック
グラウンドに起因しており、露光パターン同士が近接し
た場合にバックグラウンド同士が影響を及ぼしあって、
あたかも露光されたと同様のレベルの照射量が溜まって
しまい、所望しない領域に露光パターンが形成される現
象であり、露光パターンの粗密、或いは、パターンの線
幅等に大きく依存するものである。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような改
善されたブロック露光方法においては、部分ブロック露
光データはブロック露光データとして処理されていない
ため、従来の可変矩形露光フォーマットで形成した露光
データと同様にスリット偏向器で電子ビームを偏向して
露光していたので、ブロックパターン上に存在する不動
点により部分露光パターンの形状が規定されるため自由
度が小さく実施が困難であり、且つ、所期のスループッ
トの改善の効果が十分得られない欠点があった。
善されたブロック露光方法においては、部分ブロック露
光データはブロック露光データとして処理されていない
ため、従来の可変矩形露光フォーマットで形成した露光
データと同様にスリット偏向器で電子ビームを偏向して
露光していたので、ブロックパターン上に存在する不動
点により部分露光パターンの形状が規定されるため自由
度が小さく実施が困難であり、且つ、所期のスループッ
トの改善の効果が十分得られない欠点があった。
【００２４】また、この改善されたブロック露光方法に
おいては、補助露光データもブロック露光データとして
処理されておらず、且つ、可変矩形露光データとして処
理することが困難であるため所期のスループットの改善
の効果が得られないという欠点があった。
おいては、補助露光データもブロック露光データとして
処理されておらず、且つ、可変矩形露光データとして処
理することが困難であるため所期のスループットの改善
の効果が得られないという欠点があった。
【００２５】即ち、可変矩形露光ショットを用いて補助
露光を行う場合には、補助露光による不所望な解像を防
止するために露光量を通常の露光時の２〜１５％にする
必要があるが、例えば、４０Ａ／ｃｍ2 の電流密度の電
子ビーム露光装置と露光量が１μＣ（クーロン）のレジ
ストの組合せの場合には、１ショット２５ｎｓ（ナノ
秒）であるので、その２〜１５％程度の露光量とは数ｎ
ｓ以下のショット時間の制御が要求され、非常に困難を
伴うものであった。
露光を行う場合には、補助露光による不所望な解像を防
止するために露光量を通常の露光時の２〜１５％にする
必要があるが、例えば、４０Ａ／ｃｍ2 の電流密度の電
子ビーム露光装置と露光量が１μＣ（クーロン）のレジ
ストの組合せの場合には、１ショット２５ｎｓ（ナノ
秒）であるので、その２〜１５％程度の露光量とは数ｎ
ｓ以下のショット時間の制御が要求され、非常に困難を
伴うものであった。
【００２６】また、補助露光を行うことによって、バッ
クグラウンドレベルを均一にするためにはショットを意
識的にずらしてデフォーカスする必要があるが、通常の
可変矩形露光データは始点に関する情報、サイズに関す
る情報、形状に関する情報、及び、露光量に関する情報
から構成され、デフォーカス量等を記述する形式にはな
っていないので、可変矩形露光用データと補助露光用デ
ータを同一のデータとして収録することは困難であり、
通常の露光データに基づいて可変矩形露光を行ったの
ち、デフォーカスによる補助露光を行っていた。
クグラウンドレベルを均一にするためにはショットを意
識的にずらしてデフォーカスする必要があるが、通常の
可変矩形露光データは始点に関する情報、サイズに関す
る情報、形状に関する情報、及び、露光量に関する情報
から構成され、デフォーカス量等を記述する形式にはな
っていないので、可変矩形露光用データと補助露光用デ
ータを同一のデータとして収録することは困難であり、
通常の露光データに基づいて可変矩形露光を行ったの
ち、デフォーカスによる補助露光を行っていた。
【００２７】したがって、本発明は、ブロック露光方法
において、部分ブロック露光データ或いは補助露光デー
タをブロック露光用形式で記述されたデータとして処理
することによって、電子ビーム露光工程におけるスルー
プットを向上することを目的とする。
において、部分ブロック露光データ或いは補助露光デー
タをブロック露光用形式で記述されたデータとして処理
することによって、電子ビーム露光工程におけるスルー
プットを向上することを目的とする。
【００２８】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 （１）本発明は、荷電粒子線を用いたブロック露光方法
において、露光に用いるデータａを、ブロック露光用形
式で記述されるデータｅ及び可変矩形露光用形式で記述
されるデータｄからなる露光データｂと、ブロックパタ
ーンをブロックマスク上に配置した際の配置情報を有す
るマスク情報データｃとの２種類のデータを最低限含む
形で構成すると共に、各マスク情報データｃ内に含まれ
るブロックを認識するためのパターンデータコード番号
ｈ，ｍでまとめられたデータ群（ｉ〜ｎ）には少なくと
も荷電粒子線を照射すべきブロックパターンに対応する
パターンデータコード番号ｈと荷電粒子線を照射すべき
ブロックパターンに対して荷電粒子線をずらすべき量ｎ
を与えるデータが含まれるようにし、ブロック露光用形
式で記述されるデータｅを用いて部分ブロック露光を行
うことを特徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 （１）本発明は、荷電粒子線を用いたブロック露光方法
において、露光に用いるデータａを、ブロック露光用形
式で記述されるデータｅ及び可変矩形露光用形式で記述
されるデータｄからなる露光データｂと、ブロックパタ
ーンをブロックマスク上に配置した際の配置情報を有す
るマスク情報データｃとの２種類のデータを最低限含む
形で構成すると共に、各マスク情報データｃ内に含まれ
るブロックを認識するためのパターンデータコード番号
ｈ，ｍでまとめられたデータ群（ｉ〜ｎ）には少なくと
も荷電粒子線を照射すべきブロックパターンに対応する
パターンデータコード番号ｈと荷電粒子線を照射すべき
ブロックパターンに対して荷電粒子線をずらすべき量ｎ
を与えるデータが含まれるようにし、ブロック露光用形
式で記述されるデータｅを用いて部分ブロック露光を行
うことを特徴とする。
【００２９】この様に、露光データａを構成する各パタ
ーンデータコード番号ｈに対応するマスク情報データｃ
内に含まれるブロックを認識するためのパターンデータ
コード番号ｈ，ｍでまとめられたデータ群（ｉ〜ｎ）に
は少なくとも荷電粒子線を照射すべきブロックパターン
に対応するパターンデータコード番号、即ち、親ＰＤＣ
番号ｈと、荷電粒子線を照射すべきブロックパターンに
対して荷電粒子線をずらすべき量ｎを与えるデータを含
ませることにより、ブロック露光用形式で記述されるデ
ータｅを用いて部分ブロック露光を行うことができるの
でスループットが向上する。
ーンデータコード番号ｈに対応するマスク情報データｃ
内に含まれるブロックを認識するためのパターンデータ
コード番号ｈ，ｍでまとめられたデータ群（ｉ〜ｎ）に
は少なくとも荷電粒子線を照射すべきブロックパターン
に対応するパターンデータコード番号、即ち、親ＰＤＣ
番号ｈと、荷電粒子線を照射すべきブロックパターンに
対して荷電粒子線をずらすべき量ｎを与えるデータを含
ませることにより、ブロック露光用形式で記述されるデ
ータｅを用いて部分ブロック露光を行うことができるの
でスループットが向上する。
【００３０】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、荷電粒子線ビームをずらす方向を、パターンデータ
コード番号ｍを構成する番号に与えたことを特徴とす
る。
て、荷電粒子線ビームをずらす方向を、パターンデータ
コード番号ｍを構成する番号に与えたことを特徴とす
る。
【００３１】この様に、荷電粒子線ビームをずらす方向
を、パターンデータコード番号ｍを構成する番号自体に
与えることによって、マスク情報データｃのデータ量を
少なくすることができ、したがって、マスクメモリの容
量を小さくすることができる。
を、パターンデータコード番号ｍを構成する番号自体に
与えることによって、マスク情報データｃのデータ量を
少なくすることができ、したがって、マスクメモリの容
量を小さくすることができる。
【００３２】（３）また、本発明は、上記（１）におい
て、各データを荷電粒子線を用いたブロック露光装置固
有の特性に応じて変更したデータとしてマスクメモリに
格納することを特徴とする。
て、各データを荷電粒子線を用いたブロック露光装置固
有の特性に応じて変更したデータとしてマスクメモリに
格納することを特徴とする。
【００３３】この様に、各データを荷電粒子線を用いた
ブロック露光装置固有の特性に応じて変更し、この変更
したデータをマスクメモリに格納することにより、ブロ
ック露光装置固有の特性のバラツキを各ブロックパター
ン毎に事前に補正しておくので、実際の露光時において
は各ショット毎の補正が不要になり、それによってスル
ープットが向上する。
ブロック露光装置固有の特性に応じて変更し、この変更
したデータをマスクメモリに格納することにより、ブロ
ック露光装置固有の特性のバラツキを各ブロックパター
ン毎に事前に補正しておくので、実際の露光時において
は各ショット毎の補正が不要になり、それによってスル
ープットが向上する。
【００３４】（４）また、本発明は、荷電粒子線を用い
たブロック露光方法において、ブロック露光用形式で記
述されたデータｅを用いて近接効果を補正するための補
助露光を行うことを特徴とする。
たブロック露光方法において、ブロック露光用形式で記
述されたデータｅを用いて近接効果を補正するための補
助露光を行うことを特徴とする。
【００３５】この様に、ブロック露光用形式で記述され
たデータｅを用いて近接効果を補正するための補助露光
を行うことにより、補助露光データを通常のブロック露
光データとして収納することができ、且つ、非常にフレ
キシブルな補正が可能になるので、補正精度が向上す
る。
たデータｅを用いて近接効果を補正するための補助露光
を行うことにより、補助露光データを通常のブロック露
光データとして収納することができ、且つ、非常にフレ
キシブルな補正が可能になるので、補正精度が向上す
る。
【００３６】（５）また、本発明は、上記（４）におい
て、補助露光をブロックマスクを用いて行うことを特徴
とする。
て、補助露光をブロックマスクを用いて行うことを特徴
とする。
【００３７】この様に、補助露光を通常のブロックマス
ク或いは補助露光用の専用ブロックマスクを用いて行う
ことにより、一度の露光によって広い面積の補助露光が
可能になるので、スループットが向上する。
ク或いは補助露光用の専用ブロックマスクを用いて行う
ことにより、一度の露光によって広い面積の補助露光が
可能になるので、スループットが向上する。
【００３８】（６）また、本発明は、上記（４）におい
て、補助露光をブロックマスクを用いた部分ブロック露
光により行うことを特徴とする。
て、補助露光をブロックマスクを用いた部分ブロック露
光により行うことを特徴とする。
【００３９】この様に、補助露光をブロックマスクを用
いた部分ブロック露光により行うことにより、使用する
補助露光パターンの自由度が増大する。
いた部分ブロック露光により行うことにより、使用する
補助露光パターンの自由度が増大する。
【００４０】
【発明の実施の形態】図２乃至図４を参照して本発明の
第１の実施の形態である部分ブロック露光方法を説明す
る。なお、図２は、部分ブロック露光に用いるマスク情
報データの概念的構成図であり、また、図３（ａ）乃至
図４（ｅ）は電子ビームをブロックパターンの上下左右
に動かす場合の説明図である。
第１の実施の形態である部分ブロック露光方法を説明す
る。なお、図２は、部分ブロック露光に用いるマスク情
報データの概念的構成図であり、また、図３（ａ）乃至
図４（ｅ）は電子ビームをブロックパターンの上下左右
に動かす場合の説明図である。
【００４１】まず、図６に示す従来例のように、設計デ
ータから繰り返しパターンを選択してブロックパターン
を形成するとともに、ブロックパターンとしては形成し
ないものの、ブロックパターンの一部を用いれば露光可
能な繰り返しパターンを部分ブロック露光パターンとし
て選択する。
ータから繰り返しパターンを選択してブロックパターン
を形成するとともに、ブロックパターンとしては形成し
ないものの、ブロックパターンの一部を用いれば露光可
能な繰り返しパターンを部分ブロック露光パターンとし
て選択する。
【００４２】図２参照 次いで、選択した部分ブロック露光パターンにたいし
て、ＰＤＣ番号ｍを割り当て、この割り当てられた各Ｐ
ＤＣ番号ｍに対応する各マスク情報データｇとして、従
来のマスク情報データを構成する（１）乃至（４）のデ
ータ群（ｉ〜ｌ）に、（５）親ＰＤＣ番号ｈ、及び、荷
電粒子線を照射すべきブロックパターンに対して荷電粒
子線をずらすべき（６）ずらし量ｎの二つのデータを付
加する。
て、ＰＤＣ番号ｍを割り当て、この割り当てられた各Ｐ
ＤＣ番号ｍに対応する各マスク情報データｇとして、従
来のマスク情報データを構成する（１）乃至（４）のデ
ータ群（ｉ〜ｌ）に、（５）親ＰＤＣ番号ｈ、及び、荷
電粒子線を照射すべきブロックパターンに対して荷電粒
子線をずらすべき（６）ずらし量ｎの二つのデータを付
加する。
【００４３】そして、通常のブロック露光である全面露
光データに対しては、４桁の１６ｂｉｔコード番号で表
されるＰＤＣ番号に“０Ｃ００”〜“０ＤＦＦ”のコー
ド番号を付与し、また、このＰＤＣ番号に対応するマス
ク情報データにおける親ＰＤＣ番号ｈとずらし量ｎは入
力しない。なお、ＰＤＣ番号における“０Ｃ”及び“０
Ｄ”が全面露光に対応する情報である。
光データに対しては、４桁の１６ｂｉｔコード番号で表
されるＰＤＣ番号に“０Ｃ００”〜“０ＤＦＦ”のコー
ド番号を付与し、また、このＰＤＣ番号に対応するマス
ク情報データにおける親ＰＤＣ番号ｈとずらし量ｎは入
力しない。なお、ＰＤＣ番号における“０Ｃ”及び“０
Ｄ”が全面露光に対応する情報である。
【００４４】また、電子ビームをブロックパターンより
左側にずらして部分ブロック露光を行う場合には、ＰＤ
Ｃ番号ｍに“０４００”〜“０５ＦＦ”のコード番号を
付与し、また、ＰＤＣ番号ｍに対応するマスク情報デー
タにおける（５）親ＰＤＣ番号ｈには電子線を照射すべ
きブロックパターンに対応するＰＤＣ番号を入力し、ま
た、（６）ずらし量ｎには、電子ビーム位置をブロック
パターンの左辺、即ち、作成しようとする単位ブロック
領域の左辺より右側にずらす量を入力する。
左側にずらして部分ブロック露光を行う場合には、ＰＤ
Ｃ番号ｍに“０４００”〜“０５ＦＦ”のコード番号を
付与し、また、ＰＤＣ番号ｍに対応するマスク情報デー
タにおける（５）親ＰＤＣ番号ｈには電子線を照射すべ
きブロックパターンに対応するＰＤＣ番号を入力し、ま
た、（６）ずらし量ｎには、電子ビーム位置をブロック
パターンの左辺、即ち、作成しようとする単位ブロック
領域の左辺より右側にずらす量を入力する。
【００４５】この部分ブロック露光用マスク情報データ
ｇのＰＤＣ番号、即ち、子ＰＤＣ番号ｍに基づいて部分
ブロック露光する場合には、ＭＤＦ（マスク情報ファイ
ル）内の照合データに書かれている親ＰＤＣ番号ｈを
参照して（１）ブロックマスク上のブロック配置位置
ｉ、（２）マスクフォーカスデータｊ、（３）面積情報
ｋ、及び、（４）露光量調整情報ｌを得、また、親ＰＤ
Ｃ番号ｈに対して照合データに書かれているずらし量
ｎ分だけずれた位置に電子ビームを照射するので、子Ｐ
ＤＣ番号ｍにおいては（１）ブロックマスク上のブロッ
ク配置位置ｉ、（２）マスクフォーカスデータｊ、
（３）面積情報ｋ、及び、（４）露光量調整情報ｌを入
力する必要はない。
ｇのＰＤＣ番号、即ち、子ＰＤＣ番号ｍに基づいて部分
ブロック露光する場合には、ＭＤＦ（マスク情報ファイ
ル）内の照合データに書かれている親ＰＤＣ番号ｈを
参照して（１）ブロックマスク上のブロック配置位置
ｉ、（２）マスクフォーカスデータｊ、（３）面積情報
ｋ、及び、（４）露光量調整情報ｌを得、また、親ＰＤ
Ｃ番号ｈに対して照合データに書かれているずらし量
ｎ分だけずれた位置に電子ビームを照射するので、子Ｐ
ＤＣ番号ｍにおいては（１）ブロックマスク上のブロッ
ク配置位置ｉ、（２）マスクフォーカスデータｊ、
（３）面積情報ｋ、及び、（４）露光量調整情報ｌを入
力する必要はない。
【００４６】なお、ＭＤＦには（照合データ，照合デ
ータ）の形でデータが格納されており、照合データ
には（５）の親ＰＤＣ番号ｈが、また、照合データに
は（６）のずらし量ｎが記載される。
ータ）の形でデータが格納されており、照合データ
には（５）の親ＰＤＣ番号ｈが、また、照合データに
は（６）のずらし量ｎが記載される。
【００４７】また、電子ビームをブロックパターンより
右側にずらして部分ブロック露光を行う場合には、ＰＤ
Ｃ番号ｍに“０６００”〜“０７ＦＦ”のコード番号を
付与し、また、電子ビームをブロックパターンより下側
にずらして部分ブロック露光を行う場合には、ＰＤＣ番
号ｍに“０８００”〜“０９ＦＦ”のコード番号を付与
し、さらに、電子ビームをブロックパターンより上側に
ずらして部分ブロック露光を行う場合には、ＰＤＣ番号
ｍに“０Ａ００”〜“０ＢＦＦ”のコード番号を付与す
ることになる。
右側にずらして部分ブロック露光を行う場合には、ＰＤ
Ｃ番号ｍに“０６００”〜“０７ＦＦ”のコード番号を
付与し、また、電子ビームをブロックパターンより下側
にずらして部分ブロック露光を行う場合には、ＰＤＣ番
号ｍに“０８００”〜“０９ＦＦ”のコード番号を付与
し、さらに、電子ビームをブロックパターンより上側に
ずらして部分ブロック露光を行う場合には、ＰＤＣ番号
ｍに“０Ａ００”〜“０ＢＦＦ”のコード番号を付与す
ることになる。
【００４８】図３（ａ）参照 まず、ＰＤＣ番号が“０Ｃ００”〜“０ＤＦＦ”の全面
ブロック露光の場合には、ブロックマスクにどの様なブ
ロックパターンが形成されているかに拘わらず、電子ビ
ーム３は開口部（図においては二つの十字状開口部２）
の形成されている各ブロックパターン１の全面を照射す
ることになる。なお、図においては説明の便宜上、示し
ているブロックパターンのＰＤＣ番号を“０４０５”と
している。
ブロック露光の場合には、ブロックマスクにどの様なブ
ロックパターンが形成されているかに拘わらず、電子ビ
ーム３は開口部（図においては二つの十字状開口部２）
の形成されている各ブロックパターン１の全面を照射す
ることになる。なお、図においては説明の便宜上、示し
ているブロックパターンのＰＤＣ番号を“０４０５”と
している。
【００４９】また、被露光基板であるウェハ上において
は、“０４０５”のパターン位置５が露光データ上で指
定されているパターン始点（Ｘ1 ，Ｙ1 ）に来るように
電子ビームを副偏向器等で偏向する。なお、このパター
ン位置とは、ブロックパターンの一端に設けた点で、面
積を有するブロックパターンをこの点で代表させる。
は、“０４０５”のパターン位置５が露光データ上で指
定されているパターン始点（Ｘ1 ，Ｙ1 ）に来るように
電子ビームを副偏向器等で偏向する。なお、このパター
ン位置とは、ブロックパターンの一端に設けた点で、面
積を有するブロックパターンをこの点で代表させる。
【００５０】図３（ｂ）参照 次に、子ＰＤＣ番号が“０４０７”で、ＭＤＦの内容が
（０４０５，２μｍ）であるとすると、親ＰＤＣ番号の
“０４０５”を呼出し、図に示す“０４０５”のブロッ
クパターン１に対して照射する電子ビーム３のビーム位
置４が“０４０５”のブロックパターン１の左辺から右
側に２μｍずれるように偏向して親ＰＤＣ番号の“０４
０５”に対応するマスク情報データに基づいて電子ビー
ム３を照射して、“０４０５”のブロックパターン１の
左側のパターンの露光を行う。なお、電子ビーム３のビ
ーム位置４とは、面積を有する電子ビーム３のスリット
像を代表する点で、スリット像の右上端部に設けた点を
言う。
（０４０５，２μｍ）であるとすると、親ＰＤＣ番号の
“０４０５”を呼出し、図に示す“０４０５”のブロッ
クパターン１に対して照射する電子ビーム３のビーム位
置４が“０４０５”のブロックパターン１の左辺から右
側に２μｍずれるように偏向して親ＰＤＣ番号の“０４
０５”に対応するマスク情報データに基づいて電子ビー
ム３を照射して、“０４０５”のブロックパターン１の
左側のパターンの露光を行う。なお、電子ビーム３のビ
ーム位置４とは、面積を有する電子ビーム３のスリット
像を代表する点で、スリット像の右上端部に設けた点を
言う。
【００５１】図３（ｃ）参照 次に、子ＰＤＣ番号が“０６１０”で、ＭＤＦの内容が
（０４０５，３μｍ）であるとすると、親ＰＤＣ番号の
“０４０５”を呼出し、図に示す“０４０５”のブロッ
クパターン１に対して照射する電子ビーム３のビーム位
置４が“０４０５”のブロックパターン１の右辺から左
側に３μｍずれるように偏向して親ＰＤＣ番号の“０４
０５”に対応するマスク情報データに基づいて電子ビー
ム３を照射し、“０４０５”のブロックパターンの右側
のパターンの露光を行う。なお、子ＰＤＣ番号“０６１
０”のパターン位置６は、図に示す様に右側の十字状開
口部２の左下の点で代表させる。
（０４０５，３μｍ）であるとすると、親ＰＤＣ番号の
“０４０５”を呼出し、図に示す“０４０５”のブロッ
クパターン１に対して照射する電子ビーム３のビーム位
置４が“０４０５”のブロックパターン１の右辺から左
側に３μｍずれるように偏向して親ＰＤＣ番号の“０４
０５”に対応するマスク情報データに基づいて電子ビー
ム３を照射し、“０４０５”のブロックパターンの右側
のパターンの露光を行う。なお、子ＰＤＣ番号“０６１
０”のパターン位置６は、図に示す様に右側の十字状開
口部２の左下の点で代表させる。
【００５２】図４（ｄ）参照 次に、子ＰＤＣ番号が“０８１０”で、ＭＤＦの内容が
（０８０４，３μｍ）であるとすると、親ＰＤＣ番号の
“０８０４”を呼出し、図に示す“０８０４”のブロッ
クパターン７に対して照射する電子ビーム３のビーム位
置４が“０８０４”のブロックパターン７の下辺から上
側に３μｍずれるように偏向して親ＰＤＣ番号の“０８
０４”に対応するマスク情報データに基づいて電子ビー
ム３を照射し、“０８０４”のブロックパターン７の下
側のパターンの露光を行う。
（０８０４，３μｍ）であるとすると、親ＰＤＣ番号の
“０８０４”を呼出し、図に示す“０８０４”のブロッ
クパターン７に対して照射する電子ビーム３のビーム位
置４が“０８０４”のブロックパターン７の下辺から上
側に３μｍずれるように偏向して親ＰＤＣ番号の“０８
０４”に対応するマスク情報データに基づいて電子ビー
ム３を照射し、“０８０４”のブロックパターン７の下
側のパターンの露光を行う。
【００５３】図４（ｅ）参照 次に、子ＰＤＣ番号が“０Ａ０１”で、ＭＤＦの内容が
（０８０４，３μｍ）であるとすると、親ＰＤＣ番号の
“０８０４”を呼出し、図に示す“０８０４”のブロッ
クパターン７に対して照射する電子ビーム３のビーム位
置４が“０８０４”のブロックパターン７の上辺から下
側に３μｍずれるように偏向して親ＰＤＣ番号の“０８
０４”に対応するマスク情報データに基づいて電子ビー
ム３を照射し、“０８０４”のブロックパターン７の上
側のパターンの露光を行う。なお、この場合の子ＰＤＣ
番号“０Ａ０１”のパターン位置１０は、図に示す様に
下側の凸状開口部８の左下の点で代表させる。
（０８０４，３μｍ）であるとすると、親ＰＤＣ番号の
“０８０４”を呼出し、図に示す“０８０４”のブロッ
クパターン７に対して照射する電子ビーム３のビーム位
置４が“０８０４”のブロックパターン７の上辺から下
側に３μｍずれるように偏向して親ＰＤＣ番号の“０８
０４”に対応するマスク情報データに基づいて電子ビー
ム３を照射し、“０８０４”のブロックパターン７の上
側のパターンの露光を行う。なお、この場合の子ＰＤＣ
番号“０Ａ０１”のパターン位置１０は、図に示す様に
下側の凸状開口部８の左下の点で代表させる。
【００５４】この様に、部分ブロック露光を行う場合に
もブロック露光用形式で記述されたデータを用いている
ので、電子ビーム露光装置内での情報処理を統一して行
うことができ、スループットが向上する。
もブロック露光用形式で記述されたデータを用いている
ので、電子ビーム露光装置内での情報処理を統一して行
うことができ、スループットが向上する。
【００５５】次いで、近接効果を補正する補助露光に関
する本発明の第２の実施の形態を説明する。まず、ブロ
ックマスク上に、近接効果補正用のブロックパターンを
形成する。そして、この近接効果補正用ブロックパター
ンを露光するためのデータをブロック露光用データとし
てブロック露光用様式で記述し、ＰＤＣ番号を割り当て
る。
する本発明の第２の実施の形態を説明する。まず、ブロ
ックマスク上に、近接効果補正用のブロックパターンを
形成する。そして、この近接効果補正用ブロックパター
ンを露光するためのデータをブロック露光用データとし
てブロック露光用様式で記述し、ＰＤＣ番号を割り当て
る。
【００５６】この場合、第１の実施の形態において説明
したように各ＰＤＣ番号に対応したマスク情報データに
は、（１）ブロックマスク上のブロック配置位置、
（２）マスクフォーカスデータ、（３）面積情報、及
び、（４）露光量調整情報が入力されるので、この
（２）マスクフォーカスデータとして、リフォーカス
補正値、及び、ダイナミック補正値を入力すると共
に、（４）露光量調整情報として、通常の露光量である
基本露光量に対する減少比率を入力する。
したように各ＰＤＣ番号に対応したマスク情報データに
は、（１）ブロックマスク上のブロック配置位置、
（２）マスクフォーカスデータ、（３）面積情報、及
び、（４）露光量調整情報が入力されるので、この
（２）マスクフォーカスデータとして、リフォーカス
補正値、及び、ダイナミック補正値を入力すると共
に、（４）露光量調整情報として、通常の露光量である
基本露光量に対する減少比率を入力する。
【００５７】例えば、補助露光用ＰＤＣ番号に“０１３
９”を割り振り、（２）マスクフォーカスデータのリ
フォーカス補正値として３２００、ダイナミック補正
値として１６００、及び、（４）露光量調整情報として
１２％を入力する。
９”を割り振り、（２）マスクフォーカスデータのリ
フォーカス補正値として３２００、ダイナミック補正
値として１６００、及び、（４）露光量調整情報として
１２％を入力する。
【００５８】そして、“０１３９”がマスクメモリに対
してアクセスされた場合、上記の３２００、１６００、
及び、１２％という補正値が読み出され、通常の露光の
場合のリフォーカス補正値：１６００、ダイナミッ
ク補正値：０、及び、（４）露光量調整情報：１００％
に対して、デフォーカスされた微弱なショットによる補
助露光がなされる。
してアクセスされた場合、上記の３２００、１６００、
及び、１２％という補正値が読み出され、通常の露光の
場合のリフォーカス補正値：１６００、ダイナミッ
ク補正値：０、及び、（４）露光量調整情報：１００％
に対して、デフォーカスされた微弱なショットによる補
助露光がなされる。
【００５９】なお、この実施の形態においては、補助露
光専用のブロックパターンを用いているが、通常のブロ
ック露光用のブロックパターン、或いは、ブロックマス
クの一部に設けてある可変矩形用開口部を用いて補助露
光を行っても良いものであり、また、補助露光専用のブ
ロックパターン或いは通常のブロック露光用のブロック
パターンの一部を用いた部分ブロック露光により補助露
光を行っても良いものである。
光専用のブロックパターンを用いているが、通常のブロ
ック露光用のブロックパターン、或いは、ブロックマス
クの一部に設けてある可変矩形用開口部を用いて補助露
光を行っても良いものであり、また、補助露光専用のブ
ロックパターン或いは通常のブロック露光用のブロック
パターンの一部を用いた部分ブロック露光により補助露
光を行っても良いものである。
【００６０】
【発明の効果】本発明によれば、部分ブロック露光工程
或いは近接効果を補正するための補助露光工程におい
て、ブロック露光用形式で記述したデータで露光を行う
ので、電子ビーム露光装置側での調整を必要とすること
なく、且つ、ブロック露光と同様に行うことができるの
でスループットが向上し、また、露光精度を向上するこ
とができる。
或いは近接効果を補正するための補助露光工程におい
て、ブロック露光用形式で記述したデータで露光を行う
ので、電子ビーム露光装置側での調整を必要とすること
なく、且つ、ブロック露光と同様に行うことができるの
でスループットが向上し、また、露光精度を向上するこ
とができる。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に用いるマスク情報
データの概念的構成図である。
データの概念的構成図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態における、全面露
光、及び、電子ビームを左右に偏向して照射する部分ブ
ロック露光の説明図である。
光、及び、電子ビームを左右に偏向して照射する部分ブ
ロック露光の説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態における、電子ビー
ムを上下に偏向して照射する部分ブロック露光方法の説
明図である。
ムを上下に偏向して照射する部分ブロック露光方法の説
明図である。
【図５】従来のブロック露光方法の概念的説明図であ
る。
る。
【図６】従来のブロック露光工程における、露光データ
作成及びブロックマスク製作を行うためのフローの概略
的説明図である。
作成及びブロックマスク製作を行うためのフローの概略
的説明図である。
【図７】従来の部分ブロック露光方法の説明図である。
１ ＰＤＣ＝“０４０５”のブロックパターン ２ 十字状開口部 ３ 電子ビーム ４ ビーム位置 ５ ＰＤＣ＝“０４０５”のパターン位置 ６ ＰＤＣ＝“０６１０”のパターン位置 ７ ＰＤＣ＝“０８０４”のブロックパターン ８ 凸状開口部 ９ ＰＤＣ＝“０８０４”のパターン位置 １０ ＰＤＣ＝“０Ａ０１”のパターン位置 １１ 配線層パターン １２ 十字状開口部 １３ 十字状開口部 １４ 単位ブロックパターン １５ 露光マスク １６ 可変矩形パターン １７ ブロックパターン １８ 長細線ブロックパターン １９ 電子ビーム
フロントページの続き (72)発明者 佐合 覚 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (72)発明者 榊原 隆行 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 露光に用いるデータを、ブロック露光用
形式で記述されるデータ及び可変矩形露光用形式で記述
されるデータからなる露光データと、ブロックパターン
をブロックマスク上に配置した際の配置情報を有するマ
スク情報データとの２種類のデータを最低限含む形で構
成すると共に、前記各マスク情報データに含まれるブロ
ックを認識するためのパターンデータコード番号でまと
められたデータ群には、少なくとも荷電粒子線を照射す
べきブロックパターンに対応するパターンデータコード
番号と前記荷電粒子線を照射すべきブロックパターンに
対して荷電粒子線をずらすべき量を与えるデータが含ま
れるようにし、前記ブロック露光用形式で記述されるデ
ータを用いて部分ブロック露光を行うことを特徴とする
荷電粒子線を用いたブロック露光方法。 - 【請求項２】 上記荷電粒子線をずらす方向を、上記パ
ターンデータコード番号を構成する番号に与えたことを
特徴とする請求項１記載の荷電粒子線を用いたブロック
露光方法。 - 【請求項３】 上記露光に用いるデータを荷電粒子線露
光装置固有の特性に応じて変更したデータとしてマスク
メモリに格納することを特徴とする請求項１記載の荷電
粒子線を用いたブロック露光方法。 - 【請求項４】 ブロック露光用形式で記述されるデータ
を用いて近接効果を補正するための補助露光を行うこと
を特徴とする荷電粒子線を用いたブロック露光方法。 - 【請求項５】 上記補助露光を、ブロックマスクを用い
て行うことを特徴とする請求項４記載の荷電粒子線を用
いたブロック露光方法。 - 【請求項６】 上記補助露光を、ブロックマスクを用い
た部分ブロック露光により行うことを特徴とする請求項
４記載の荷電粒子線を用いたブロック露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26817595A JP3593638B2 (ja) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | 荷電粒子線を用いたブロック露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26817595A JP3593638B2 (ja) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | 荷電粒子線を用いたブロック露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115804A true JPH09115804A (ja) | 1997-05-02 |
| JP3593638B2 JP3593638B2 (ja) | 2004-11-24 |
Family
ID=17454962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26817595A Expired - Lifetime JP3593638B2 (ja) | 1995-10-17 | 1995-10-17 | 荷電粒子線を用いたブロック露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3593638B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057086A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Fujitsu Ltd | 描画データ作成方法及び装置 |
| JP2008053580A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光データ作成方法及び電子ビーム露光方法 |
-
1995
- 1995-10-17 JP JP26817595A patent/JP3593638B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057086A (ja) * | 2000-08-09 | 2002-02-22 | Fujitsu Ltd | 描画データ作成方法及び装置 |
| JP2008053580A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム露光データ作成方法及び電子ビーム露光方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3593638B2 (ja) | 2004-11-24 |
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