DE60215852T2 - Defekt-pixel-kompensationsverfahren - Google Patents

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    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
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Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Techniken zum Erhalten verbesserter Bilder durch Kompensationsverfahren. Genauer bezieht sie sich auf ein Verfahren zum Kompensieren defekter Pixel in einem Raumlichtmodulator (SLM, Spatial Light Modulator), der in der optischen Lithographie verwendet wird. Sie bezieht sich ferner auf eine Vorrichtung zum Mustern eines Werkstücks, die ein solches Verfahren umfasst.
  • BESCHREIBUNG DES STANDES DER TECHNIK
  • Ein Verfahren gemäß dem Oberbergriff des Anspruchs 1 und eine Vorrichtung gemäß dem Anspruch 27 sind bekannt aus WO 0042618 A, in der der Einfluss wenigstens eines defekten Pixels mit einer bekannten Position in wenigstens einem Raumlichtmodulator (SLM) während der Erzeugung eines Musters des SLM auf einem Werkstück, das mit einer für elektromagnetische Strahlung empfindlichen Schicht bedeckt ist, kompensiert wird. Der SLM weist mehrere Modulationselemente (Pixel) auf, wobei ein Bild des SLM in einem Schreibdurchlauf auf das Werkstück projiziert wird. Das Muster des SLM wird modifiziert, um das bekannte defekte Pixel zu kompensieren.
  • US 6.312.134 B offenbart ein kontinuierlich bewegtes Werkstück, auf dem jeder Punkt von unterschiedlichen Pixeln des SLM beleuchtet wird, so dass ein defektes Pixel durch eine Reihe korrekter Bilder, die den gleichen Punkt auf dem Werkstück beleuchten, herausintegriert wird.
  • EP 1069759 A2 offenbart die Kompensation defekter Elemente eines SLM, wobei Extrazeilen des SLM einen Weißabgleichsbereich umfassen, in dem die Anpassung des SLM vor dem Schreibdurchgang bewerkstelligt wird.
  • Die lithographische Fertigung ist nützlich bei integrierten Schaltungen, Masken, Zielmarken, Flachtafelanzeigen, mikromechanischen oder mikrooptischen Vorrichtungen und Gehäusevorrichtungen, wie z. B. Leiterrahmen und MCMs. Die lithographische Fertigung kann ein optisches System verwenden, um ein Vorlagenmuster von einer computergesteuerten Zielmarke auf ein Werkstück abzubilden. Ein geeignetes Werkstück kann eine Schicht umfassen, die für elektromagnetische Strahlung, wie z. B. sichtbares oder unsichtbares Licht, empfindlich ist. Ein Beispiel eines solchen Systems ist beschrieben in WO 9945435 vom gleichen Erfinder und Antragsteller wie die vorliegende Erfindung.
  • Die computergesteuerte Zielmarke kann ein Raumlichtmodulator (SLM) sein, der eine ein- oder zweidimensionale Anordnung oder Matrix von reflektierenden beweglichen Mikrospiegeln, eine ein- oder zweidimensionale Anordnung oder Matrix von durchlässigen LCD-Kristallen, oder andere ähnliche programmierbare ein- oder zweidimensionale Anordnungen auf der Grundlage von Beugungseffekten, Interferenzeffekten oder mechanischen Elementen (z. B. Verschlüssen) umfasst.
  • Im Allgemeinen können diese computergesteuerten Zielmarken für die Ausbildung von Bildern auf eine vielfältige Weise verwendet werden. Diese Zielmarken, wie z. B. ein SLM, enthalten viele Modulationselemente oder Pixel, in einigen Fällen Millionen oder mehr Pixel. Ein Problem bei Raumlichtmodulatoren ist z. B., dass ein oder mehrere der Pixel in einem gegebenen SLM defekt sein können, d. h. sie können nicht wie gewünscht auf ein Steuersignal reagieren.
  • Diese defekten Pixel in einer computergesteuerten Zielmarke können die Auflösung und die Genauigkeit einschränken, die für deren Verwendung in der optischen Abbildung verfügbar ist; z. B. kann die Herstellung von gedruckten Mustern auf einem Werkstück hinsichtlich ihrer Linienbreiten und der Genauigkeit eingeschränkt sein.
  • Es besteht daher Bedarf in der Technik an einem Verfahren, das defekte Pixel im SLM effektiv und präzise findet und kompensiert.
  • ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
  • Im Hinblick auf den vorangehenden Hintergrund ist die Kompensation defekter Pixel im SLM, wie z. B. eines in einer bestimmten Position klemmenden Spiegelelements, nützlich, um Bilder mit Linienbreiten kleiner als ein Mikrometer mit Toleranzen, die 5 nm erreichen, zu bilden.
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die unter Verwendung von Raumlichtmodulatoren ausgebildeten Bilder zu verbessern, indem ein verbessertes Verfahren für die Kompensation defekter Pixel bereitgestellt wird.
  • In einer ersten Ausführungsform schafft die Erfindung ein Verfahren zum Kompensieren der Auswirkung wenigstens eines defekten Pixels mit einer bekannten Position in einem Raumlichtmodulator (SLM), wenn ein Muster des wenigstens einen SLM auf einem Werkstück erzeugt wird, das mit einer für elektromagnetische Strahlung empfindlichen Schicht bedeckt ist. Das Verfahren umfasst die Maßnahmen des Bereitstellens einer Quelle zum Emittieren elektromagnetischer Strahlung, des Beleuchtens des SLM, der mehrere Modulationselemente (Pixel) aufweist, mit der Strahlung, des Projizierens eines Bildes des Modulators auf das Werkstück in einem Schreibdurchlauf, und des Ausführens einer Kompensation für defekte Pixel in wenigstens einem weiteren Schreibdurchlauf.
  • Die Erfindung bezieht sich ferner auf eine Vorrichtung zum Kompensieren der Auswirkung wenigstens eines defekten Pixels mit einer bekannten Position in einem Raumlichtmodulator (SLM), wenn ein Muster des SLM auf einem Werkstück erzeugt wird, das mit einer für elektromagnetische Strahlung empfindlichen Schicht bedeckt ist, umfassend: eine Quelle zum Emittieren elektromagnetischer Strahlung, ein Projektionssystem zum Projizieren eines Bildes des Modulators auf das Werkstück in einem ersten Schreibdurchlauf unter Verwendung eines ersten Satzes von Pixeln im SLM, Mittel zum Durchführen einer Vorkompensation defekter Pixel wenigstens eines nachfolgenden Schreibdurchlaufs in wenigstens einem vorangehenden Schreibdurchlauf, ein Projektionssystem zum Projizieren des Bildes des Modulators auf das Werkstück in wenigstens einem zweiten Schreibdurchlauf unter Verwendung wenigstens eines zweiten Satzes von Pixeln im SLM, und Mittel zum Durchführen einer Nachkompensation defekter Pixel wenigstens eines vorangehenden Schreibdurchlaufs in wenigstens einem späteren Schreibdurchlauf.
  • Weitere Ausführungsformen der Erfindung sind durch die beigefügten Ansprüche definiert.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Für ein vollständigeres Verständnis der vorliegenden Erfindung und ihrer Vorteile wird nun auf die folgende Beschreibung Bezug genommen, in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen, in welchen:
  • 1 einen Abschnitt der Draufsicht einer Anordnung von Pixeln in einem Raumlichtmodulator (SLM) zeigt, der ein defektes Pixel umfasst;
  • 2 ein defektes Pixel in zwei überlagerten Schreibdurchläufen mit verschobenen Halbbildern zeigt;
  • 3 eine Ansicht der Hauptkomponenten in einem optischen Lithographiesystem, das einen SLM verwendet, zeigt, welche das neuartige Verfahren verwenden können;
  • 4 einen Abschnitt der Draufsicht einer Anordnung von Pixeln in einem Raumlichtmodulator (SLM) zeigt, der ein defektes Pixel und Kompensationspixel umfasst;
  • 5 eine Beziehung zwischen den Pixeln in der Detektoranordnung und der Dosisverteilung des von vier Pixeln eines SLM erzeugten Bildes zeigt;
  • 6 die Beziehung zwischen dem an ein Pixel des SLM angelegten Steuersignal und der resultierenden Energie und der Elektromagnetamplitude zeigt;
  • 7 ein Flussdiagramm eines Kalibrierungsverfahrens zeigt;
  • 8 eine Schnittansicht von SLM-Pixeln ohne Steuersignale zeigt;
  • 9 die gleichen Pixel mit Steuersignalen zeigt, jedoch ohne Pixelkalibrierung;
  • 10. die gleichen Pixel und Steuersignale wie in 2b zeigt, jedoch mit Pixelkalibrierung;
  • 11 die Reaktion eines Abschnitts der CCD auf das von einem unkalibrierten SLM erzeugte unkompensierte Bild zeigt;
  • 12 mehrere Dosisantworten als Funktion der an die jeweiligen Pixel angelegten Steuersignale zeigt;
  • 13 eine mögliche Beziehung zwischen dem an ein Pixel angelegten Steuersignal und der erfassten Dosis zeigt;
  • 14 einen Überblick über den Datenpfad zeigt;
  • 15 in einem Flussdiagramm ein Verfahren zum Erfassen defekter Pixel zeigt; dieses Verfahren ist nicht durch die in den beigefügten Ansprüchen definierte Erfindung abgedeckt; und
  • 16 eine alternative Einstellung des Mustergenerators zeigt.
  • GENAUE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Werkstück bezeichnet in der folgenden Beschreibung einen Gegenstand aus der Gruppe: Substrat zum Herstellen von Halbleitern (direktes Schreiben), Maskensubstrat, Zielmarkensubstrat.
  • 3 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform einer Vorrichtung 1 zum Mustern eines Werkstücks 60. Die Vorrichtung 1 umfasst eine Quelle 10 zum Emittieren elektromagnetischer Strahlung, eine erste Linsenanordnung 50, eine computergesteuerte Zielmarke 30, eine Strahlverbessereranordnung 20, ein Raumfilter 70 in einer Fourier-Ebene, eine dritte Linsenanordnung 40, eine zweite Linsenanordnung 45, einen Strahlteiler 90 und eine Detektoranordnung 65, sowie einen Computer 66.
  • Die Quelle 10 kann Strahlung im Wellenlängenbereich von Infrarot(IR), das von 780 nm bis etwa 20 nm definiert ist, bis extremem Ultraviolett (EUV), das in dieser Anwendung als der Bereich von 100 nm und weniger definiert ist, soweit die Strahlung als elektromagnetische Strahlung bezeichnet werden kann, d. h. durch optische Komponenten reflektiert und fokussiert werden kann. Die Quelle 10 emittiert Strahlung entweder gepulst oder kontinuierlich. Die emittierte Strahlung von der kontinuierlichen Strahlungsquelle 10 kann mittels eines Verschlusses, der im Strahlenweg zwischen der Strahlungsquelle 10 und der computergesteuerten Zielmarke 30 angeordnet ist, in eine gepulste Strahlung gewandelt werden. Beispielsweise kann die Strahlungsquelle 10 die Quelle eines Belichtungsstrahls sein, kann ein KrF-Excimer-Laser mit einem gepulsten Ausgang bei 248 nm, einer Impulslänge von etwa 10 ns und einer Wiederholungsrate von 1.000 Hz sein. Die Wiederholungsrate kann unterhalb oder oberhalb von 1.000 Hz liegen.
  • In 3 nicht gezeigt ist eine Blende, die zwischen der Strahlungsquelle und dem SLM angeordnet ist. Die Größe der Blende in Kombination mit der Fourier-Apertur kann verändert werden, um die Auflösung auf dem Werkstück mit konstantem zu erhöhen/senken.
  • Die Strahlverbessereranordnung kann eine einfache Linse, eine Anordnung von Linsen und/oder anderer optischer Komponenten sein. Die Strahlverbessereranordnung 20 verteilt die von der Strahlungsquelle 10 emittierte Strahlung gleichmäßig über wenigstens einen Teil der Oberfläche der computergesteuerten Zielmarke 30. In einem Fall einer kontinuierlichen Strahlungsquelle kann ein Strahl einer solchen Quelle über die Oberfläche der computergesteuerten Zielmarke abgetastet werden.
  • Zwischen der Strahlungsquelle 10 und der computergesteuerten Zielmarke 30, die z. B. ein Raumlichtmodulator (SLM) sein kann, ist die Strahlverbessereranordnung angeordnet, wobei die Einheit 20 den Strahl expandiert und formt, um die Oberfläche des SLM in gleichmäßiger Weise zu beleuchten. In einer bevor zugten Ausführungsform mit einem Excimer-Laser als Quelle ist die Strahlform rechteckig, wobei die Strahldivergenz in X-Richtung und Y-Richtung verschieden ist und die Strahlungsdosis häufig über den Strahlquerschnitt ungleichmäßig ist. Der Strahl kann die Form und Größe des SLM 30 aufweisen und homogenisiert sein, so dass das recht unvorhersagbare Strahlprofil in eine flache Beleuchtung mit einer Gleichmäßigkeit von z. B. 1–2 % umgewandelt wird. Dies kann in Schritten bewerkstelligt werden: einem ersten Strahlformungsschritt, einem Homogenisierungsschritt und einem zweiten Strahlformungsschritt. Der Strahl wird ferner winkelmäßig gefiltert und so geformt, dass die auf jeden Punkt auf dem SLM auftreffende Strahlung einen kontrollierten Winkelnebenwert aufweist.
  • Die Optik der Erfindung ist ähnlich derjenigen einer Wafer-Schrittvorrichtung. In Schrittvorrichtungen wird der Strahl in einer Lichtröhre homogenisiert. Das Lichtrohr kann ein rechteckiger oder prismenförmiger Stab mit reflektierenden Innenwänden sein, wo viele Spiegelbilder der Lichtquelle gebildet werden, so dass die Beleuchtung eine Überlagerung vieler unabhängiger Quellen ist. Teilen und Rekombinieren des Strahls durch brechende, reflektierende oder beugende optische Komponenten kann ebenfalls eine Homogenisierung bewirken.
  • Die elektromagnetische Strahlung wird in Richtung zur Detektoranordnung geleitet, die die Dosis der elektromagnetischen Strahlung misst, und die eine CCD-Kamera (CCD, Charged Coupled Device = ladungsgekoppelte Vorrichtung) eine MOS-Kamera oder eine Ladungsinjektionsvorrichtung (CID, Charged Injection Device) umfassen kann. Die erste Linsenanordnung 50 spielt hauptsächlich die gleiche Rolle wie die zweite Linsenanordnung 45, nämlich die Erzeugung eines identischen Abbildes der SLM-Oberfläche auf dem Werkstück 60.
  • Der SLM 30 und die Detektoranordnung zum Messen der Dosis der elektromagnetischen Strahlung 65 sind mit einer Steuervorrichtung 66 verbunden, die z. B. ein Personalcomputer sein kann. Der Computer verfolgt defekte Pixel und kompensiert defekte Pixel entsprechend den neuartigen Verfahren, die hier im Folgenden beschrieben werden.
  • 8 zeigt eine Dimension von der Anordnung der Pixel 200 im Raumlichtmodulator (SLM), wie in 1 gezeigt ist. In dieser Ausführungsform umfassen die Pixel 200 bewegliche Mikrospiegel 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, wobei die Pixel beweglich an ein Substrat 300 gekoppelt angeordnet sind, das die Unterstützungselemente 310, 311, 312, 313, 314, 315, 316 für die beweglichen Mikrospiegel 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 und Adresselektroden 410, 411, 412, 413, 414, 415, 416 umfasst.
  • Durch Anlegen eines ersten Steuersignals, z. B. einer ersten Spannung, an die Adresselektroden 410, 411, 412, 413, 414, 415, 416 und eines zweiten Steuersignals, z. B. einer zweiten Spannung, an die beweglichen Mikrospiegel 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 können die Mikrospiegel 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 um eine Ablenkungsachse abgelenkt werden, die durch ein Gelenkteil definiert ist, das auf den Unterstützungselementen 310316 angeordnet (gekoppelt) ist. Der Auslenkungsgrad jedes der Mikrospiegel steht in Bezug zu einer Signaldifferenz, z. B. einer Spannungsdifferenz, zwischen den Adresselektroden 410, 411, 412, 413, 414, 415, 416 und dem beweglichen Mikrospiegeln 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16. Die in 2a gezeigte Ansicht kann (der Klarheit halber leicht übertrieben) einen elektrostatisch nicht angezogenen Zustand repräsentieren, in dem keine Spannung an die Adresselektroden 410, 411, 412, 413, 414, 415, 416 oder die beweglichen Mikrospiegel 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 angelegt ist.
  • 8 zeigt eine willkürliche Auslenkungsanordnung der beweglichen Mikrospiegel 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 auf Grund verschiedener Faktoren. Die Auslenkungswillkürlichkeit der beweglichen Mikrospiegel 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 kann kompensiert werden. Außerdem können die Dicke der beweglichen Mikrospiegel 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 und/oder die Dicke einer optionalen reflektierenden Beschichtung der Mikrospiegel von einem Pixel zu einem weiteren variieren, was wiederum die Reflektivität der beweglichen Mikrospiegel 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 beeinflussen kann. Ein weiterer Unterschied zwischen den individuellen Mikrospiegeln 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 kann darin bestehen, dass sie auf eine äquivalente Potenzialdifferenz zwischen dem beweglichen Mikrospiegel 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 und der Adresselektrode 410, 411, 412, 413, 414, 415, 416 unterschiedlich reagieren. Wenn die gleiche Potenzialdifferenz zwischen dem beweglichen Mikrospiegel 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 und der Adresselektrode 410, 411, 412, 413, 414, 415, 416 gegeben ist, führen Gelenkteile mit einer kleineren Querschnittsfläche zu einer größeren Auslenkung im Vergleich zu Gelenk teilen mit einer größeren Querschnittsfläche. Unterschiedliche Oberflächenglattheit des Mikrospiegels kann ebenfalls die Reflektivität beeinträchtigen, wie der Abstand zwischen dem Substrat und dem Mikrospiegel. Größenunterschiede der Pixel können ebenfalls die Reflektivität beeinflussen.
  • 9 zeigt eine Seitenansicht des Abschnitts der Anordnung der Pixel im Raumlichtmodulator (SLM) wie in 1 gezeigt ist, wobei einige Pixel adressiert sind, einige nicht adressiert sind, und alle Pixel unkalibriert sind. Adressierte Pixel sind die Pixel 11, 12 und 13, während unadressierte Pixel die Pixel 10, 14, 15 und 16 sind. Wie aus 9 deutlich wird, werden die adressierten Pixel 11, 12, 13 nicht gleichermaßen ausgelenkt, obwohl sie mit dem gleichen Steuersignal adressiert worden sind. Dies ist ein Beispiel für die unterschiedliche Antwortcharakteristik, die jeder Spiegel aufweisen kann.
  • 10 zeigt die gleiche Seitenansicht des Abschnitts der Anordnung der Pixel im Raumlichtmodulator (SLM), wie in 9 gezeigt ist, jedoch hier mit kalibrierten Pixeln. Wie deutlich wird, sind die adressierten Pixel 11, 12 und 13 gleichmäßig ausgelenkt, und die nicht adressierten Pixel 10, 14, 15 und 16 sind parallel zum Substrat 300. Im alternativen Fall, wo die Differenzen der Reflektivität des einen Pixels im Vergleich zu einem weiteren Pixel existieren können, wäre die Auslenkung der Pixel nicht gleich, um äquivalente reflektierte elektromagnetische Strahlungssignale zu erzeugen.
  • 1 zeigt einen Raumlichtmodulator (SLM) 100, der eine zweidimensionale Anordnung von Pixeln umfasst, in dieser Ausführungsform sechs Zeilen mit jeweils sechs Pixeln, d. h. insgesamt 36 Pixel. In Wirklichkeit kann der SLM mehrere Millionen Pixel umfassen, jedoch ist der Klarheit halber in 1 ein SLM mit wenigen Pixeln gezeigt. Das Pixel 110 ist in 1 schwarz gedruckt, um somit ein defektes Pixel darzustellen, d. h. das Pixel klemmt in einer spezifischen Position und reagiert nicht auf eine Kalibrierung. Ein defektes Pixel bedeutet ein Pixel, das in einem Ein-Zustand, einem Aus-Zustand oder in irgendeinem Zustand zwischen dem Ein-Zustand und dem Aus-Zustand klemmt.
  • In einem allgemeineren Sinn ist ein defektes Pixel irgendein Pixel, dessen Reaktion außerhalb akzeptabler Spezifikationen oder Betriebsgrenzen liegt. Wenn eine Empfindlichkeitsschwankung bezüglich des Adresssignals mit ± 5 % bestimmt wird, ist jedes Pixel mit einer Empfindlichkeit, die mehr als 5 % abweicht, ein defektes Pixel.
  • Defekte Pixel werden sehr wahrscheinlich nicht in einer gewünschten Weise gesteuert. Im Fall eines Spiegelpixels kann das Pixel zu wenig oder zu viel der einfallenden Strahlung reflektieren, oder im Fall eines LCD-Pixels kann das Pixel zu wenig durchlässig oder zu stark durchlässig sein.
  • Die Pixel in SLM können in analoger Weise betrieben werden. Mikrospiegelpixel werden typischerweise elektrostatisch betätigt. Die piezoelektrischen Kristalle können ebenfalls Mikrospiegel betätigen. Durch Setzen der Spiegel auf ein erstes Potential und durch Setzen individueller Adresselektroden unterhalb der Spiegel auf ein zweites Potential lenkt eine Differenz zwischen den ersten und zweiten Potentialen den Spiegel um ein gewisses Maß aus. Je größer die Potentialdifferenz zwischen der Adresselektrode und dem Spiegelelement ist, desto stärker kann der Spiegel ausgelenkt werden. Eine gegebene Potentialdifferenz entspricht einer gegebenen Auslenkung für einen gegebenen Spiegel, weshalb die Auslenkung auf eine Vielzahl von Zuständen zwischen einem nicht ausgelenkten Zustand, d. h. der Spiegel ist elektrostatisch nicht angezogen, und einem vollständig ausgelenkten Zustand festgelegt wird.
  • 2 zeigt zwei unterschiedliche Schreibdurchläufe, wobei ein Schreibstempel 100a zu einem ersten Schreibdurchlass gehört, der vor den Stempeln 200a, 200b, 200c und 200d geschrieben wird, die zu einem zweiten Schreibdurchlauf gehören, d. h. die Schreibstempel 200a, 200b, 200c und 200d überlagern teilweise den Schreibstempel 100a. Die Grenzen zwischen den Schreibstempeln 200a, 200b, 200c und 200d sind der Klarheit halber mit strichpunktierten Linien A-A und B-B hervorgehoben. Der verwendete SLM kann ein oder mehrere defekte Pixel aufweisen, jedoch ist der Klarheit halber in 2 nur ein defektes Pixel 110, 210a, 210b, 210c, 210d gezeigt. Ein Bild vom SLM auf einem Werkstück deckt typischerweise nur einen kleinen Abschnitt des kompletten Musters ab, weshalb dann, wenn ein komplettes Muster auf einem Werkstück erzeugt wird, mehrere unterschiedliche SLM-Muster (SLM-Stempel) zusammengefügt werden.
  • Ein spezifischer Bereich im Muster auf dem Werkstück kann mit einem oder mehreren Schreibdurchläufen geschrieben werden. Die Schreibdurchläufe können separate physikalische Durchläufe sein, oder können Belichtungen unterschiedlicher Bereiche des gleichen SLM in einem einzelnen physikalischen Durchlauf sein. Es ist ferner möglich, mehrere SLMs gleichzeitig zu verwenden, wobei ein zweiter Durchlauf ein Bild von einem zweiten SLM sein kann. In 2 werden zwei Schreibdurchläufe verwendet, um das Muster zu erzeugen. Wenn ein Schreibdurchlauf verwendet wird, um das Muster zu erzeugen, muss eine Dosis der elektromagnetischen Strahlung höher als die Belichtungsschwelle verwendet werden, um eine lichtempfindliche Schicht (Resistschicht) zu belichten, die auf dem Werkstück angeordnet ist. Wenn N Schreibdurchläufe verwendet werden, kann die Belichtungsschwelle durch N geteilt werden, d. h. ein Schreibdurchlauf verwendet nur einen Teil der Dosis, der zum Belichten der lichtempfindlichen Schicht erforderlich ist. Jeder einzelne Schreibdurchlauf kann die gleiche Dosis elektromagnetischer Strahlung verwenden, jedoch kann die Dosis auch ungleichmäßig zwischen den verschiedenen Schreibdurchläufen aufgeteilt werden.
  • Dementsprechend können die ersten und zweiten Schreibdurchläufe 75 % der Schwellendosis oder irgendeine andere ungleichmäßige oder gleichmäßige Aufteilung der Schwellendosis verwenden. Das defekte Pixel 110 im ersten Schreibdurchlauf kann mittels eines Nachkompensationspixels 220 kompensiert werden, das zum Schreibstempel 200a im zweiten Schreibdurchlauf gehört. Der Klarheit halber ist das Nachkompensationspixel 220 nur im Stempel 200b gezeigt, d. h. das Pixel 220 weist die gleiche Position im Stempel 200a auf. Wenn das defekte Pixel zu hell ist, wird das Nachkompensationspixel auf einen niedrigeren Wert gesetzt, um den Überschuss an Beleuchtung im ersten Schreibdurchlauf durch das defekte Pixel 110 zu kompensieren. Um die Auswirkung eines zu hellen Pixels im ersten Schreibdurchlauf weiter zu senken, kann eine Anzahl von umgebenden Pixeln 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118 (siehe 4) des defekten Pixels 110 auf einem niedrigeren Wert gesetzt werden, d. h. so eingestellt werden, dass sie weniger elektromagnetische Strahlung reflektieren. Die umgebenden Pixel können unmittelbar im ersten Schreibdurchlauf und/oder in späteren Schreibdurchläufen verwendet werden.
  • In einem Schema mit mehreren Schreibdurchläufen, wie in 2 gezeigt ist, be einflusst das defekte Pixel nicht nur den ersten Schreibdurchlauf, sondern auch den zweiten Schreibdurchlauf. In den vier Schreibstempeln 200a, 200b, 200c und 200d im zweiten Schreibdurchlauf, wie in 2 gezeigt ist, erscheint das defekte Pixel an vier Orten 210a, 210b, 210c, 210d.
  • Da bekannt ist, welche Pixel defekt sind, und da bekannt ist, wie viele Pixel im Bild des SLM in jeder Richtung zu bewegen sind, kann eine Vorkompensation für eine Auswirkung des defekten Pixels im zweiten Schreibdurchlauf bereits im ersten Schreibdurchlauf durchgeführt werden. Das Bild des SLM kann z. B., wie in 2 gezeigt ist, in einer Richtung parallel sowohl zu einer Zeile als auch einer Spalte des Pixels bewegt werden, d. h. in einer im Wesentlichen diagonalen Richtung. Das Bild des SLM kann jedoch nur längs einer Richtung parallel zu einer Spalte von Pixeln oder längs einer Richtung parallel zu einer Reihe von Pixeln bewegt werden. Die Bewegung des Bildes des SLM kann in Schritten ganzer SLM-Pixel und/oder Teilen hiervon durchgeführt werden.
  • Defekte Pixel 210d in 2 gehören zum Schreibstempel 200d im zweiten Schreibdurchlauf und können ein gewisses Problem an einer Stelle verursachen, wo das voll funktionsfähige Pixel 120, das zum Schreibstempel 100a im ersten Schreibdurchlauf gehört, angeordnet ist. Daher kann eine Vorkompensation im ersten Schreibdurchlauf im Pixel 120 für das defekte Pixel 210d, das zu einem Schreibstempel 200d im zweiten Schreibdurchlauf gehört, in der gleichen Weise wie oben beschrieben durchgeführt werden, d. h. mit nur dem Pixel 120 und/oder mit benachbarten Pixeln des Pixels 120.
  • Mit zwei oder mehr Schreibdurchläufen kann die Vorkompensation defekter Pixel wenigstens eines nachfolgenden Schreibdurchlaufs in wenigstens einem vorangehenden Schreibdurchlauf durchgeführt werden. Eine Nachkompensation schlechter Pixel wenigstens eines vorangehenden Schreibdurchlaufs kann in wenigstens einem nachfolgenden Schreibdurchlauf durchgeführt werden. Mit anderen Worten, ein bekanntes schlechtes Pixel bewirkt einen defekten lokalen Ausdruck in wenigstens einem nachfolgenden Schreibdurchlauf, was in wenigstens einem vorangehenden Durchlauf kompensiert wird, wobei diejenigen defekten lokalen Ausdrucke, die in wenigstens einem vorangehenden Schreibdurchlauf gemacht wurden, in wenigstens einem nachfolgenden Schreibdurchlauf kompensiert werden können.
  • In einer Ausführungsform der Erfindung wird das abgebildete Muster auf dem Werkstück in einem einzigen Schreibdurchlauf geschrieben und defekte Pixel werden durch wenigstens eines der benachbarten Pixel der defekten Pixel kompensiert. Wie z. B. in 4 gezeigt ist, wird das defekte Pixel 110 nur durch eines oder mehrere der Pixel 111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118 kompensiert.
  • Bei einer Strategie mit mehrfachen Schreibdurchläufen kann das Bild vom SLM N Pixellängen längs einer Reihe von Pixeln, längs einer Spalte von Pixeln oder sowohl längs einer Spalte als auch einer Reihe von Pixeln zwischen wenigstens zwei Schreibdurchläufen verschoben werden. Das Bild vom SLM kann verschoben werden durch Bewegen einer Bühne, auf der ein zu beschreibendes Substrat angeordnet ist. Zwischen einem oder mehreren Schreibdurchläufen kann der SLM nur einen Bruchteil einer Pixellänge in einer Richtung parallel zu einer Reihe von Pixeln, in einer Richtung parallel zu einer Spalte von Pixeln oder längs sowohl einer Reihe als auch einer Spalte von Pixeln verschoben werden.
  • In einer Ausführungsform umfasst der Kalibrierungsprozess zum Lokalisieren und Bestimmen, welche Pixel im SLM defekt sind, die folgenden Maßnahmen.
  • Optional beginnt das Verfahren mit einer Kalibrierung der Dosis der elektromagnetischen Strahlung. Eine CCD-Kamera besitzt einen spezifischen Arbeitsbereich an elektromagnetischen Strahlendosen. Die Dosis der elektromagnetischen Strahlung liegt vorzugsweise bei etwa 0,8 × Maximalbereich der CCD-Kamera. Mit einer zu niedrigen Dosis, die auf die CCD projiziert wird, wird in einigen Fällen der Signalstörabstand unakzeptabel niedrig. Mit einer zu hohen Dosis, die auf die CCD-Kamera projiziert wird, wird die CCD-Kamera übersättigt, mit dem Ergebnis einer ungenauen Messung.
  • Die Kalibrierung der Dosis der elektromagnetischen Strahlung kann durchgeführt werden, indem mit einem SLM mit allen unadressierten Pixeln begonnen wird, d. h. ohne Anlegen von Steuersignalen an die Pixel. Die elektromagnetische Strahlung wird über den SLM auf die CCD projiziert. Die Dosis der elektromagnetischen Strahlung wird auf der CCD gemessen. Nach der Messung kann die Do sis durch Anpassen der elektromagnetischen Strahlungsquelle korrigiert werden. Ein Erhöhen oder ein Senken der Leistung der gepulsten elektromagnetischen Strahlungsquelle kann die Dosisanpassung bewerkstelligen. Eine höhere Leistung führt zu ein höheren Dosis auf der CCD, während eine geringere Leistung zu einer geringeren Dosis auf der CCD führt.
  • Optional wird der abbildende Detektor, z. B. die CCD-Kamera, vorkalibriert. Die Vorkalibrierung der CCD-Kamera kann durchgeführt werden, indem ein bekannter elektromagnetischer Strahl mit einer ungefähr gleichen Wellenlänge, z. B. von einer Entladungslampe, projiziert wird, wobei ein Interferenzfilter verwendet wird, um einen schmalen Wellenlängenbereich nahe der Wellenlänge des Belichtungsstrahl auszuwählen, und wobei die Dosis in jedem Pixel der CCD-Kamera gemessen wird. Die Aufgabe dieser Vorkalibrierung besteht darin, sicherzustellen, dass die gleiche Dosis, die bei jedem Pixel in der CCD-Kamera aufgebracht wird, als gleiche Dosis gemessen wird, d. h. jedes Pixel soll nach der Vorkalibrierung gleichermaßen empfindlich für elektromagnetische Strahlung sein, wobei hierdurch die Genauigkeit der Messung verbessert wird.
  • Die Kalibrierung des SLM wird fortgesetzt mit dem Finden der SLM-Mittelwertsintensitäten als Funktion des Steuersignals. Die Aufgabe des Findens der SLM-Mittelwertsintensitäten als Funktion des angelegten Steuersignals besteht darin, ein Steuersignal für eine vorgegebene Dosis zu finden, z. B. 0-Dosen. Dies wird durchgeführt, indem die Steuersignale z. B. von 0–255 für jedes Pixel durchlaufen werden. Für ein gegebenes Steuersignal werden alle Pixel gemessen und der Mittelwert für die gemessenen Pixel wird berechnet. Ein Beispiel einer Anzahl von Pixelintensitäten als Funktion des angelegten Steuersignals ist in 12 gezeigt. In der Figur repräsentieren die horizontalen Linien A und B den Dynamikbereich, der die von allen Spiegeln erzielbaren Pegel repräsentiert.
  • Wenn nach den Steuersignalen für das nächste Dosissignal gesucht wird, kann man die Ableitung der Kalibrierungskurve schätzen, um die Anzahl der Schritte zum Auffinden des richtigen Steuersignals für jedes Pixel zu reduzieren. Wenn die Anzahl der bekannten Punkte auf der Kalibrierungskurve zunimmt, nehmen die Schritte zum Auffinden des richtigen Steuersignals für einen spezifischen Dosiswert ab, da die Informationen über die Kalibrierungskurven durch die be kannten Punkte verbessert werden.
  • Als Nächstes werden die Pixel im SLM auf die Pixel in der CCD abgebildet. Die Aufgabe hiervon ist, eine bekannte Beziehung zwischen den Pixeln im SLM und den Pixeln in der CCD-Kamera zu erstellen. Zuerst wird ein grobes Gitter von Gruppen von Pixeln im SLM in der CCD-Kamera gemessen. Zum Beispiel eine 5×5-Matrixgruppe mit 30 Pixeln zwischen jeder Gruppe. Dies erzeugt ein unverwechselbares Signal auf der CCD. Der SLM wird mit einem speziellen Muster versehen, so dass er fähig ist, zu erkennen, welcher Teil des SLM untersucht wird. Wenn nur ein Teil der SLM-Fläche zu einem Zeitpunkt untersucht wird, ist es wichtig, zu wissen, welcher Teil untersucht wird. Die Gruppe von Pixeln kann von einem Teil zu einem weiteren in der SLM-Fläche bewegt werden. Die Pixel in der Gruppe werden auf einem Wert gesetzt, der sich von den in der Nähe unadressierten Pixeln unterscheidet.
  • Das Bild auf der CCD in dieser Phase kann Verschiebungsabweichungen, Skalenfehler, Spiegeleffekte und Rotationsfehler zwischen dem SLM und der CCD korrigieren, entsprechend der Formel A ^ = M·S·R·(Ç – 1), wobei A ^ die CCD-Koordinate ist, M die Spiegelung ist, S der Skalenfaktor ist, R die Rotation ist, Ç eine SLM-Koordinate ist und t = eine Verschiebung ist. Ç und A ^ sind Vektoren, die Koordinaten für das SLM-Pixel bzw. das CCD-Pixel enthalten. M kann z. B. die 2×2-Einheitsmatrix oder Spiegelungsmatrix sein. S kann irgendeine Figur zwischen 0 bis unendlich sein, jedoch vorzugsweise zwischen 0 bis 3. R kann eine 2×2-Matrix mit cos(☐) in der oberen linken Position, -sin(☐) in der oberen rechten Position, sin(☐) in der unteren linken Position und cos(☐) in der unteren rechten Position sein, wobei ☐ typischerweise einige Tausendstel im Bogenmaß ist. In einem allgemeinen Fall ist die Abbildung eine nichtlineare Abbildung mit z. B. einem Faktor t, der eine Funktion der Koordinaten ist.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform dieser Erfindung werden die einzelnen Pixel im SLM auf der CCD-Kamera nicht aufgelöst.
  • Zweitens wird ein feineres Gitter der Gruppe von Pixeln im SLM auf der CCD gemessen. In dieser Phase mit einem feineren Gitter kann die Anzahl der Pixel bei jeder Pixelgruppe im SLM eine 3×3-Matrix mit z. B. 20 Pixeln zwischen jeder Gruppe sein.
  • Anschließend wird eine weitere Verfeinerung der Gruppe von Pixeln im SLM auf der CCD gemessen, z. B. mit einem einzelnen Pixel in der Gruppe mit zehn Pixeln dazwischen.
  • Als eine weitere Verfeinerung der Abbildung des SLM auf der CCD kann eine nichtlineare Korrektur hinzugefügt werden. Dies bedeutet, das y = MSR(x – t) + nichtlineare Korrektur gilt. Diese nichtlineare Korrektur wird z. B. berechnet, indem Polynomausdrücke zweiter Ordnung mit ungekannten Koeffizienten a–j zugewiesen werden. Ein solcher Polynomausdruck kann sein: nc_1 = ax + by + cx2 + dy2 + exy, nc_2 = fx + gy + hx2 + iy2 + ixy,wobei nc_1 die nichtlineare Korrektur für die Koordinate x ist und nc_2 die nichtlineare Korrektur für die Koordinate y ist. Wenn die Korrektur mit (x, y) variiert, wie in diesem Fall, kann eine positionsabhängige nichtlineare Korrektur U an die Funktion (nc_1, nc_2) (x, y) unter Verwendung eines kleinste Quadrate-Anpassungsverfahrens angepasst werden.
  • In einer weiteren Verbesserung kann eine Korrektur für die Punktpositon relativ zu einem CCD-Pixelgitter angewendet werden, um Moiré-Effekte zu beseitigen oder zu reduzieren, auf Grund einer unempfindlichen Fläche zwischen den CCD-Pixels oder ähnlichen Effekten. Die Vergrößerung im Projektionssystem kann angepasst werden, oder auch nicht, so dass das Bild der Untermatrix an das Pixelmuster auf der CCD angepasst wird, z. B. kann die CCD ein Pixel pro zwei Pixel im SLM aufweisen, oder eine andere rationale Beziehung. Die CCD-Pixel weisen typischerweise eine Kapazität von 100.000 Elektronen auf. Im Messbereich, der von mehreren Pixeln gebildet wird, kann die Kapazität um einen numerischen Faktor größer sein, der die Anzahl der Pixel repräsentiert, wie z. B. 4 oder 16, wie in 5 gezeigt ist. Die typische Anzahl von Elektronen in einem Bereich beträgt 200.000, wobei die Anzahl eine statistische Verteilung (Poisson-Verteilung) aufweist. Um diesen Zufallseffekt sowie andere Zufälligkeiten zu mitteln, wird jede Messung N mal wiederholt. Gleichzeitig können Moiré-Effekte gemittelt werden, wenn das Bild während der N Messungen über die CCD-Kamera bewegt wird.
  • Die CCD-Kamera ist z. B. eine Kamera von Kodak (R) KAF 1600 mit etwa 1.000 × 1.600 Pixeln und einer Empfindlichkeit für die verwendete Wellenlänge, wie z. B. 248 nm oder 197 nm. Typischerweise verwendet diese die Konvertierung der Strahlung in sichtbares Licht mittels eines fluoreszierenden Farbstoffs, jedoch sind auch Kamerachips verfügbar, die für eine kurze Wellenlänge von z. B. 248 nm direkt empfindlich sind.
  • Im nächsten Schritt wird das Steuersignal gesucht, das für einen bestimmten Dosiswert auf der CCD sorgt. Durch die gute Kenntnis davon, wo ein spezifisches SLM-Pixel auf der CCD erfasst wird, kann das Bild der CCD-Kamera korrigiert werden, um bei dem vorgegebenen Wert für alle Pixel anzukommen. 11 zeigt eine typische Antwort auf der CCD-Kamera für eine projizierte elektromagnetische Strahlung auf einem unkalibierten SLM. Vertikale Linien 25 repräsentieren eine Grenze zwischen zwei Pixeln. Wie deutlich wird, bewirken einige Spiegel eine zu starke Reflektivität, während einige Spiegel eine zu geringe Reflektivität im Vergleich zum Soll bewirken. Da die Beziehung zwischen dem SLM- und den CCD-Pixeln bekannt ist, kann der Zustand der SLM-Spiegel/Pixel verändert werden, die eine zu starke oder zu geringe Reflektivität aufweisen. Durch Ändern des Zustands dieser Spiegel/Pixel und Projizieren eines neues Bildes auf die CCD erscheint eine neue Antwort. Die Änderung des Zustands der Spiegel erfolgt in feineren Schritten als die Differenz zwischen dem vorgegebenen Wert und dem tatsächlichen Wert. Dies wird so gemacht, um sicher zu sein, ein konvergentes Verfahren zu erhalten. Nachdem die Pixel geändert worden sind und das Bild des SLM auf die CCD projiziert worden ist, werden die Pixel mehrmals kalibriert. Eine Bedingung für das Beenden der Kalibrierung für diesen bestimmten vorgegebenen Dosiswert kann sein, dass die Standardabweichung der erfassten Spiegel auf der CCD kleiner als 0,5 % ist.
  • Als Nächstes werden die verschiedenen vorgegebenen Dosiswerte in der gleichen Weise wie oben beschrieben durchlaufen. Anschließend existiert eine gute Kenntnis über die Reflektivität als Funktion der Spannung für jeden Spiegel.
  • Optional sind die gemeinsame maximale und minimale Reflektivität, die von allen Spiegeln erzielbar sind, zu finden. Zwischen diesen Werten ist die Umkehrung, d. h. die Spannung als Funktion der Reflektivität, für alle Spiegel wohldefiniert, wobei dies die Funktionen sind, für die Näherungsausdrücke unter Verwendung eines begrenzten Speicherraums für jeden Spiegel zu finden sind. In 12 ist eine Reflexion als Funktion der Spannung für eine Anzahl unterschiedlicher Spiegel gezeigt. Da die gesamte Anordnung gemeinsame "weiße" und "schwarze" Pegel (von der CCD gesehen) aufweisen muss, wird der dynamische Reflektivitätsbereich für die gesamte Anordnung durch Pegel begrenzt, die für alle Spiegel erzielbar sind (wie durch die Linien A und B in 12 gezeigt ist). In Abhängigkeit von der Anforderung an den Dynamikbereich muss vielleicht die Verwendung bestimmter Spiegel jenseits derjenigen, die defekt sind, ausgeschlossen werden. Solche Spiegel können weiterhin verwendet werden, wenn auch mit einem größeren Kompensationsfehler in den "schwarzen" oder "weißen" Pegeln. Wenn die "weißen" und "schwarzen" Pegel ausgewählt werden, kann damit begonnen werden, jeden individuellen Spiegel innerhalb dieses Reflektivitätsbereiches zu kalibrieren.
  • Eine Möglichkeit zum Auffinden des gemeinsamen Ausdrucks für die Spannung als Funktion der Reflektivitätsdosis ist eine Interpolation unter Verwendung von Fourier-Verfahren. Zum Beispiel wird jeder Spiegel unter Verwendung von vier Parametern kalibriert. 13 zeigt die Spannung als eine Funktion der Reflektivitätsdosis. In dieser Figur sind der gemeinsame "schwarze" Pegel 305 und der gemeinsame "weiße" Pegel 310 mit vertikalen Linien gezeigt. Die ersten zwei Kalibrierungsparameter können als Antriebsspannung an den Schnittpunkten 315, 320 der Spiegelantwort und der "schwarzen" und "weißen" Pegel 305, 310 identifiziert werden. Die übrigen Kalibrierungsparameter werden erhalten durch Berechnen der Fourier-Koeffizienten der Differenz zwischen der Spiegelspannung und der Geraden 325, die die Reflektivität zwischen den "schwarzen" und "weißen" Pegeln interpoliert. Da durch Konstruktion an den Endpunkten ein Nullfehler vorliegt, ist es ausreichend, sin(☐x) und sin(2☐x) als Oberwellenfunktionen in einer Fourier-Expansion zu verwenden. Die Variablen x gleichen (z – z_"schwarz"/(z_"weiß" – z_"schwarz"), die den geschlossenen Bereich x = (0,1) aufweist.
  • Wenn zwei Kalibrierungsparameter zugewiesen werden, um die Gerade 325 zu beschreiben, können weitere zwei als Koeffizienten für die Basisfunktionen sin(☐x) und sin(2☐x) verwendet werden. Ein Kalibrierungsausdruck würde dann z = a + px + c(sin(☐x)) + d(sin(2☐x)) sein, wobei a, b, c und d für jedes Pixel eindeutig sind und sin ☐x und sin 2☐x für alle Pixel gleich sind.
  • Alternativ kann anstelle des Expandierens der Differenz der Geraden, die die Reflektivitätsfunktion (siehe 8) interpoliert, in lediglich sin(☐x) und sin(2☐x) die Differenz bei einer größeren Anzahl von Fourier-Komponenten expandiert werden. Mit M Spiegeln (und folglich M Funktionen) und durch Expandieren in N Komponenten wird eine Matrix A mit der Dimension N×M erhalten. Die Basisfunktionen können nun gewählt werden durch Auswählen der zwei Eigenvektoren von (der quadratischen Matrix) AA', wobei t für die Transponierte mit den größten Eigenvektoren steht. Die Basisfunktionen, die auf diese Weise erhalten werden, sind immer noch sinusähnlich (obwohl die Wahl der Fourier-Basis insignifikant ist), gleichen jedoch die Daten ohne Mittelungsfehler (oder systematische Fehler) an.
  • Die Kalibrierungskoeffizienten a, b, c und d werden gefunden durch Lösen von A, c = y, wobei A eine 4×4-Matrix ist und Y ein 4×1-Vektor ist. Die Elemente der Matrix sind
    Figure 00190001
    wobei Y die Spannung bei einem bestimmten (normalisierten) Reflektivitätswert xm ist und w(x) die Gewichtungsfunktion ist, die zum Einheitswert gewählt werden kann. Die zwei Funktionen f1 und f2 sind die konstante Funktion und die lineare Funktion f(x) = x. Die restlichen zwei, die verwendet wurden, sind diejenigen, die aus einer sinc(x)-Funktion hergeleitet worden sind. Wenn die Gewichtungsfunktion w(x) mit Einheitswert gewählt wird, werden Kalibrierungskoeffizienten (c) erhalten, die die Varianz minimieren. Wenn man ferner zwei der Basisfunktionen mit sin(☐x) und sin(2☐x) wählt, erhält man Lösungen sehr ähnlich der Fourier-Expansion. Die Differenz zwischen diesen beiden entspringt nur aus der Forderung, dass die konstante und die lineare Funktion verwendet werden, um Kalibrierungsdaten (an den Endpunkten) im Fourier-Fall exakt zu interpolieren, während sie im Kleinste-Quadrate-Algorithmus frei gewählt werden. Folglich erzeugt die Kleinste-Quadrate-Anpassung den kleinsten Mittelwertfehler, jedoch ist nicht garantiert, dass sie an den Endpunkten exakt ist.
  • Der Algorithmus für die Kompensation ist: U(x) = c1 + c2x + c3f3(x) + c4f4(x)
  • In einer weiteren alternativen Ausführungsform der Erfindung wird ein Strahl elektromagnetischer Strahlung auf wenigstens einen Teil des SLM projiziert. Die Strahlungsquelle kann z. B. ein Laser sein, der kontinuierlich oder gepulst sein kann. Der Teil des SLM, auf den die elektromagnetische Strahlung projiziert wird, wird für die Kalibrierung verwendet. Der Teil kann z. B. ein zehntel der SLM-Fläche sein, die halbe Fläche des SLM sein, oder die vollständige Fläche des SLM.
  • Als nächstes wird ein Abbild auf einem abbildenden Detektor von dem Teil des SLM gebildet. Der abbildende Detektor kann z. B. eine CCD-Kamera, eine MOS-Kamera oder eine Ladungsinjektionsvorrichtung sein. In diesem Bild können dunklere und hellere Regionen erscheinen, aufgrund unterschiedlicher Auslenkungszustände und Reflektivität von Pixeln im SLM. Das Bild entspricht dem Bild auf dem Werkstück 60.
  • Anschließend werden wenigstens zwei Pixel aus dem Teil des SLM mit einer Folge von angelegten Pixelsteuersignalen angesteuert, während die Dosis von den individuellen Pixeln auf dem abbildenden Detektor gemessen wird. Diese wenigstens zwei Pixel können z. B. eine Untermatrix sein, wo Pixel in der Untermatrix durch Pixel in einem nicht adressierten Zustand getrennt sind, d. h. durch Pixel ohne ein an den Pixeln anliegendes Pixelsteuersignal.
  • Schließlich werden Pixelkalibrierungsdaten aus den gemessenen Dosisdaten als Funktion des angelegten Pixelsteuersignals berechnet.
  • Optional wird der abbildende Detektor, z. B. die CCD-Kamera, vorkalibriert. Die CCD-Kamera kann vorkalibriert werden durch Projizieren eines bekannten elektromagnetischen Strahls mit etwa derselben Wellenlänge, wie z. B. von einer Entladungslampe und einem Indifferenzfilter, um einen schmalen Wellenlängenbereich nahe der Wellenlänge des Belichtungsstrahls auszuwählen, und Messen der Dosis jedes Pixels der CCD-Kamera. Die Aufgabe dieser Vorkalibrierung ist, sicherzustellen, dass die gleiche Dosis, mit der jedes Pixel in der CCD-Kamera belichtet wird, als gleiche Dosis gemessen wird, d. h. jedes Pixel soll nach der Vorkalibrierung gleichermaßen empfindlich für elektromagnetische Strahlung sein, wobei hierdurch die Genauigkeit der Messung verbessert wird.
  • Die Untermatrix, die wenigstens zwei Pixel umfasst, wird gewählt, um im SLM nicht Pixel für Pixel messen zu müssen. Die ausgewählten Pixel im SLM sind nicht nebeneinander angeordnet, sondern weisen eine dazwischenliegende Anzahl von Pixeln auf, um die Wahrscheinlichkeit zu reduzieren, das ein Punkt auf der CCD-Kamera von zwei oder mehr Pixeln im SLM stammt, d. h. unterscheidbare Punkte von individuellen SLM-Pixeln auf der CCD-Kamera. Der Abstand zwischen zwei Pixeln in der Untermatrix beträgt in jeder Richtung fünf Pixel, jedoch können auch andere Trennungsabstände verwendet werden. Als allgemeine Regel gilt, dass ein Wert 6☐ der Dosis der Strahlung von den Pixeln in der Untermatrix ein Maß für den Abstand zwischen den Pixeln in der Untermatrix sein kann.
  • 5 zeigt schematisch eine Draufsicht der Beziehung zwischen den Pixeln in einem abbildenden Detektor 250 und einer Energieverteilung 275 von individuellen Pixeln in einem SLM. Die Energie von den SLM-Pixeln kann die Form einer Gaußschen Verteilung annehmen. In 5 ist die Gaußsche Verteilung schematisch durch Kreise dargestellt, wobei sehr enge Kreise, wie in der Mitte der Gaußschen Verteilung, eine hohe Energie repräsentieren, und weit getrennte Kreise eine geringere Energie repräsentieren. Wie aus der gleichen 5 deutlich wird, ist die Trennung der Gaußschen Verteilungen auf dem abbildenden Detektor 250 in X-Richtung weiter als die Trennung der gleichen Verteilung in Y-Richtung. In 5 ist der Abstand zwischen der Mitte der Gaußschen Verteilungen in X-Richtung gleich fünf Pixel des abbildenden Detektors, während in Y-Richtung der Abstand zwischen den gleichen Gaußschen Verteilungen gleich vier Pixel des abbildenden Detektors ist.
  • Optional werden die Pixel im SLM mit den Pixeln in der CCD-Kamera abgebildet, um eine bekannte Beziehung zwischen den Pixeln im SLM und den Pixeln in der CCD-Kamera zu erstellen. In diesem abbildenden Schritt kann die Mitte der Dosis der Strahlung von den Pixeln im SLM im Wesentlichen in der Mitte der Pixel in der CCD-Kamera ausgerichtet werden. Ausrichtungsfehler in der Größenordnung von 0,5 Pixeln veranlassen den Kalibrierungsalgorithmus, störende Muster im Bild zu erzeugen. Dies kann bewerkstelligt werden durch Messen einer Mitte des Punktes auf der CCD, wobei die Position des SLM-Bildes auf der CCD durch Verschiebung, Vergrößerung und/oder Rotation angepasst wird, so dass es zu den Pixeln auf der CCD passt, wie oben in Verbindung mit der vorangehenden Ausführungsform beschrieben worden ist.
  • Alternativ wird die Position der Punkte auf der CCD gemessen und es wird ein Bereich für jedes Pixel berechnet, so dass ein Computer das Bild an einem bestimmten Ort auf der CCD zu einem entsprechenden SLM-Pixel zuordnen kann.
  • Alternativ wird zuerst ein grobes Gitter von sehr wenigen Pixeln im SLM auf der CCD-Kamera gemessen, z. B. wird eine Anzahl von Pixeln, z. B. eine Gruppe von 5×5 Pixeln zu Beginn ausgewählt, so dass sich ein unterscheidbares Signal auf der CCD ergibt. Die Gruppe von 5×5 Pixeln kann von einer Ecke zu einer weiteren in der rechteckigen SLM-Fläche bewegt werden. Die Pixel in der Gruppe werden auf einen Wert gesetzt, der sie von den benachbarten unadressierten Pixeln unterscheidet.
  • Das Abbild auf der CCD in dieser Phase kann die Verschiebungsabweichungen zwischen den SLM und der CCD korrigieren, wie z. B. Skalenfehler, Rotationsfehler und dergleichen. In der bevorzugten Ausführungsform dieser Erfindung werden die einzelnen Pixel im SLM in der CCD-Kamera nicht aufgelöst.
  • Zweitens wird ein feineres Gitter der Gruppe von Pixeln im SLM auf der CCD gemessen, um zu lokalisieren, welche Pixel im SLM Dosenwerte auf der CCD erzeugen, und wo sie diese erzeugen. In dieser Phase mit einem feineren Gitter wird die Anzahl der Pixel bei jeder Pixelgruppe im SLM auf 3×3 Pixel reduziert, wobei z. B. 10 Pixel zwischen den jeweiligen Gruppen liegen.
  • Anschließend wird eine weitere Verfeinerung des Gitters der Gruppe von Pixeln im SLM auf der CCD gemessen, dieses Mal z. B. mit einzelnen Pixeln im SLM und mit 5 Pixeln zwischen diesen.
  • Als weitere Verbesserung kann eine Korrektur für die Punktposition relativ zu einem CCD-Pixelgitter angewendet werden, um Moiré-Effekte aufgrund unempfindlicher Bereiche zwischen den CCD-Pixeln oder ähnliche Effekte zu beseitigen oder zu reduzieren. Die Vergrößerung im Projektionssystem kann angepasst werden, oder auch nicht, so dass das Bild der Untermatrix an das Pixelmuster auf der CCD angepasst ist, z. B. kann die CCD ein Pixel pro zwei Pixel im SLM oder eine andere rationale Beziehung aufweisen. Die CCD-Pixel weisen typischerweise eine Kapazität von 100.000 Elektronen auf. In dem Messbereich, der von mehreren Pixeln gebildet wird, kann die Kapazität um einen numerischen Faktor größer sein, der die Anzahl der Pixel repräsentiert, z. B. 4 oder 16 in 5 gezeigt ist. Die typische Anzahl von Elektronen in einer Region beträgt 200.000, wobei die Anzahl eine statistische Verteilung aufweist (Poisson-Verteilung). Um diesem Zufallseffekt sowie andere Zufallserscheinungen zu mitteln, wird jede Messung N mal wiederholt. Gleichzeitig können Moiré-Effekte gemittelt werden, wenn das Bild während der N-Messungen über die CCD-Kamera bewegt wird.
  • Die CCD-Kamera ist z. B. eine Kamera von Kodak(R) KAF 1600 mit etwa 1.000 × 1.600 Pixeln und einer Empfindlichkeit für verwendete Wellenlängen von z. B. 248 nm oder 197 nm. Typischerweise umfasst dies die Konvertierung der Strahlung in sichtbares Licht mittels eines fluoreszierenden Farbstoffes, jedoch sind auch Kamerachips verfügbar, die direkt für kurze Wellenlängen von z. B. 248 nm empfindlich sind.
  • Um alle Pixel im beleuchteten Teil des SLM zu kalibrieren, werden wenigstens die zwei Pixel gleichzeitig geändert und mit einer Folge von angelegten Steuersignalen angesteuert. Dies liefert Kenntnis über die Dosis auf der CCD als Funktion des Steuersignals für jedes Pixel. Mit der Kenntnis der Dosis der Funktion der angelegten Spannung für jedes Pixel wird aus den gemessenen Dosisdaten ein Zustand berechnet, der eine mittlere Nulldosis an elektromagnetischer Strahlung auf der Detektoranordnung repräsentiert.
  • Anschließend werden wenigstens die am nächsten benachbarten Pixel zu den Pixeln in der Untermatrix im berechneten Zustand angeordnet.
  • Wie aus 8 deutlich wird, sind die Pixel 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16 in einem elektrostatisch nicht angezogenen Zustand und können sich in einem beliebigen Zustand der Auslenkung befinden und können daher zu der Strahlendosis bei einem spezifischen CCD-Kamerapixel beitragen, und verringern somit die Genauigkeit der gemessenen Dosis. Um die Ungenauigkeit in der Messung der Dosis, die von einem spezifische SLM-Pixel kommt, zu eliminieren oder wenigstens zu reduzieren, werden wenigstens die nächstliegenden SLM-Pixel neben den wenigstens zwei Pixeln in dem Teil des SLM in einem berechneten Zustand angeordnet.
  • Nicht nur die nächstliegenden Pixel neben den wenigstens zwei Pixeln im SLM können auf den berechneten Zustand gesetzt werden, sondern es werden vorzugsweise alle anderen Pixel außer den wenigstens zwei Pixeln im SLM auf den berechneten Zustand gesetzt.
  • Anschließend werden wenigstens zwei Pixel gleichzeitig im SLM wieder mit einer Folge angelegter Pixelsteuersignale angesteuert, während die Dosis der elektromagnetischen Strahlung gemessen wird, wobei wenigstens die nächstliegenden Pixel neben den wenigstens zwei Pixeln im SLM auf den berechneten Zustand gesetzt werden. Nachdem die Kalibrierung aller Pixel in dem Teil des SLM ein zweites Mal abgeschlossen ist, wird aus den zweiten gemessenen Daten ein neuer Zustand für jedes Pixel berechnet, der der mittleren Nulldosis der elektromagnetischen Strahlung auf dem abbildenden Detektor entspricht. Diese Prozedur wird wiederholt, bis z. B. die Standartabweichung der gemessenen Intensitäten unter 0,5 % liegt.
  • Die Dosis der Pixel in der Untermatrix wird in der CCD-Kamera gemessen. Die CCD-Kamera muss nicht einzelne Pixel auflösen, da nur eine Untermatrix zu einem Zeitpunkt verändert wird. Die Änderung eines einzelnen Pixels kann aus der Messung abgeleitet werden. Die Dichte der Untermatrix kann so gewählt werden, dass die Punkte auf der CCD im Wesentlichen nicht überlappen. Die CCD kann die gleiche Anzahl von Pixeln wie der SLM aufweisen, oder auch nicht. Das Licht in dem CCD-Kameraabbild innerhalb eines gewissen Bereiches wird als von einem Pixel im SLM kommend angenommen, vorausgesetzt, dass die umgebenden SLM-Pixel sich nicht ändern.
  • Optional wird eine Kompensation von Energieschwankungen in unterschiedlichen elektromagnetischen Strahlungsimpulsen durchgeführt. Die Kalibrierung der Pixel kann durchgeführt werden durch Beleuchten der Untermatrix von Pixeln im SLM mittels eines gepulsten Lasers und Messen und Berechnen der Dosis von einem oder mehreren Laserimpulsen und Korrigieren der gemessenen CCD-Daten in Bezug auf die gemessene Impulsenergie.
  • Das Projizieren der elektromagnetischen Strahlung von der Untermatrix der Pixel auf die Detektoranordnung zum Messen der Dosis der elektromagnetischen Strahlung kann nach einer Fourier-Filterung der elektromagnetischen Strahlung durchgeführt werden. In 3 ist ein Strahlteiler 90 zwischen dem Raumfilter 70 und der ersten Linsenanordnung 50 angeordnet.
  • Nachdem die Dosis für die Pixel in der Untermatrix für eine gegebene an die Pixel angelegte Spannung gemessen worden ist, wird die an die Pixel in der Untermatrix angelegte Spannung geändert und die Prozedur wird für eine Anzahl unterschiedlicher Spannungen wiederholt. Zum Beispiel kann die Dosis von einem maximalen Wert zu einem minimalen Wert in 65 Werte unterteilt werden. Nachdem alle unterschiedlichen Spannungen an die Untermatrix der Pixel angelegt worden ist, kann die Prozedur für alle Untermatrizen 200 wiederholt werden, um den Teil des SLM abzudecken, auf den der Strahl der elektromagnetischen Strahlung projiziert wird. Die Untermatrix kann das Muster von einer Position zu einer weiteren in der zweidimensionalen Anordnung der Pixel ändern, oder auch nicht.
  • Der Strahl der Strahlung wird auf die anderen Teile des SLM projiziert, um alle Pixel im SLM zu kalibrieren. Vorzugsweise wird die gleiche Größe des Strahls verwendet, jedoch kann sich der Strahl mit dem Ergebnis der Abdeckung unterschiedlicher Größen der Teile des SLM ändern.
  • Die Pixelkorrekturdaten werden entweder durch Speichern jedes Dosenwertes für ein gegebenes Steuersignal erzeugt, was in diesem Fall eine Potentialdifferenz zwischen dem Spiegel und der Adress/Steuerelektrode ist, für jedes Pixel in einer Datenbasis, oder vorzugsweise durch Transformieren der gemessenen Dosis als Funktion der angelegten Spannung auf das Pixel als Übertragungsfunktion. Die Übertragungsfunktion ist vorzugsweise eine gegebene Formel, wie z. B. C1 + XC2 + C3T3(X) + C4T4(X) gleichermaßen für jedes Pixel. Die Prozedur zum Berechnen der konstanten C1, C2, C3 und C4 kann ähnlich derjenigen sein, die in Verbindung mit der vorangehenden Ausführungsform beschrieben worden ist. Die Prozedur zum Finden der Basisfunktionen kann ebenfalls derjenigen ähnlich sein, die in Verbindung mit der vorangehenden Ausführungsform beschrieben worden ist. Zum Beispiel ist C1 + xC2 die Formel für die Gerade, wobei T3(x) und T(x) in diesem Fall zwei tabellierte Funktionen sein können. T3 und T4 können so gewählt werden, dass die Formel eine angemessene Beschreibung aller Pixel liefert.
  • 7 zeigt schematisch ein Flussdiagramm einer weiteren Ausführungsform des Verfahrens gemäß der Erfindung zum Kalibrieren von Pixeln in einem Raumlichtmodulator (SLM).
  • In 6 ist ein typisches Beispiel einer Beziehung zwischen gemessenen Dosis auf dem abbildenden Detektor und einem angelegten Pixelsteuersignal für ein Pixel in einem SLM gezeigt, wobei diese durch die Kurve 281 gezeigt ist. In derselben 6 repräsentiert eine Kurve 250 eine Amplitude des elektromagnetischen Feldes als Funktion des angelegten Pixelsteuersignals. Die Beziehung zwischen der Dosiskurve 281 und der Amplitudenkurve 250 ist, dass die Dosiskurve 281 das Quadrat der Amplitudenkurve 250 ist.
  • Die Dosiskurve kann z. B. mit einer (sinx/x)2-Funktion genähert werden, wobei die Amplitudenkurve dann eine sinx/x-Funktion wäre.
  • Eine weitere Möglichkeit zum Finden einer richtigen Nulldosis von möglichst einem einzelnen Pixel besteht darin, die obenerwähnte Tatsache zu nutzen, dass die Dosiskurve mit einer Funktion (sinx/x)2 genähert werden kann. Wenn das lokale Maximum bei 295 gemessen wird, können die lokalen Minimumpunkte leicht aus der Funktion berechnet werden. Der Grund dafür, dass das lokale Maximum leichter zu messen ist als der tatsächliche Minimumpunkt, besteht darin, dass das Signal in der CCD-Kamera am Minimumpunkt im Rauschen untergeht, das immer präsent ist. Dies ist beim lokalen Maximum am Punkt der Dosiskurve nicht der Fall.
  • Die Bildwiedergabemaschine der vorliegenden Erfindung kann in Verbindung mit der Frakturierungsmaschine, der Rasterungsmaschine und der Ansteuerschaltung verwendet werden. 14 bietet einen Datenpfadüberblick. Dieser Datenpfad beginnt mit den vorverarbeiteten Geometriedaten 1201 als Eingabe. Vorverarbeitete Geometriedaten können die Ausgabe eines computergestützten Entwicklungssystems sein. Die Vorverarbeitung kann die hierarchischen oder iterativen Informationen reduzieren und den Geometriedarstellungsstrom effektiv abflachen. Die Datenbeschaffung 1202 umfasst typischerweise das Erlangen vorverarbeiteter Geometriedaten von einer sekundären Speichervorrichtung. Die Geometriekonversion 1203 ist der Prozess, in dem Geometrien in wiedergabefähige Festpunkt-Geometrien (RFG) konvertiert werden. Die Frakturierung 1204 ist der Prozess der Partitionierung von Geometrien in unterschiedliche Fenster und Unterfenster, die in einer Mikrospiegelimplementierung den Stempeln und Wiedergabefenstern des Stempels entsprechen. Die Ausgabe der Frakturierungsmaschine umfasst Geometriedaten in einem oder mehreren spezifizierten Datensatzformaten. Die Datensätze repräsentieren geometrische Figuren, wie z. B. Polygone und Gruppen von Polygonen. Es ist nützlich, die frakturierten Daten als Trapezoide darzustellen, wobei Dreiecke und Rechtecke Unterklassen von Trapezoiden sind. Eine der parallelen Kanten des Trapezoids kann eine Länge von Null oder nahezu Null aufweisen, um ein Dreieck zu repräsentieren. Eine weitere nützliche Repräsentation von frakturierten Daten umfasst Dreiecke oder Ketten von Dreiecken. Die meisten Aspekte der vorliegenden Erfindung sind gleichermaßen für Trapezoide, Rechtecke, Dreiecke oder andere Polygone oder geometrische Figuren geeignet. Koordinaten der Polygonecken können mit einer Unterpixelauflösung oder einer Halbpixelauflösung von 7 Bits oder mehr gegeben sein, um eine Genauigkeit von einem 1/64 oder 1/128 eines Pixel oder mehr zu unterstützen. Höhere oder niedrigere Bitauflösungen können verwendet werden, in Abhängigkeit von der gewünschten Genauigkeit und den Eigenschaften der Bildprojektionstechnik.
  • Die Bildwiedergabemaschine 1210 enthält eine Vielfalt von Komponenten. Die Expansion 1211 ist ein Prozess des Expandierens einer Geometrieiteration vor der Wiedergabe. Frakturierte Geometrie kann als iterierte RFGs empfangen wer den, mit wiederholten geometrischen Figuren oder wiederholten Gruppen von geometrischen Figuren. Die Expansion hebt die Gruppierung der RFGs auf, so dass sie individuell verarbeitet werden können. Die Wiedergabe 1202 ist der Prozess des Konvertierens von Polygonen, einschließlich wiedergabefähiger Festpunktgeometrien, in gerastete Bilder. Der Wiedergabeprozess wird auf mehreren Wiedergabeprozessoren ausgeführt. Eine Überabtastung 1202 ist der Prozess des Abtastens des Mikropixelauflösungs-Bildes und des Berechnens von Graustufen-Pixelwerten. Alternative Gewichtungsschemen für die Überabtastung werden im Folgenden diskutiert. Die Kantenverschiebung 1213 ist der Prozess des Schrumpfens oder Expandierens von Geometrien, um z. B. nahe und gestreute Strahlung durch Lasernahfeldkorrektur (LPC) oder durch optische Nahfeldkorrektur (OPC) zu kompensieren. Eine Bildkorrektur 1214 ist der Prozess des Kompensierens von Nichtlinearitäten und kleineren Defekten im optischen Pfad, der Verschiebung der Bühne oder eines weiteren Merkmals des Projektionssystems. Dies kann eine nichtlineare Bildrückkopplung enthalten. Die Beleuchtungskonversion 1215 berücksichtigt solche Faktoren wie die Überlappung zwischen projizierten Bereichen, Variationen der Belichtungsstrahlung und mehrfache Schreibdurchläufe. Die Spiegelkompensation 1216 wendet die vorkalibrierten Faktor an, um Eigenheiten der individuellen Spiel zu kompensieren, wenn das Projektionssystem eine Mikrospiegelanordnung verwendet. Spiegelkompensationsfaktoren können verwendet werden, um die unterschiedliche Antwort auf Spannungen, eine Änderung der Antwort während des Verlaufs eines Arbeitszyklus, ein totes Pixel in der Anordnung, oder ähnliche Eigenschaften einer Mikrospiegelanordnung zu kompensieren. Zusätzliche Komponenten können zur Abbildungsmaschine 1210 hinzugefügt werden, wenn es erforderlich ist und für das verwendete Projektionssystem angemessen ist.
  • Die Ansteuerschaltung 1220 enthält Kompositionsprozesse 1221 und Modulationsprozesse 1222. Die Komposition 1221 ist der Prozess des Kombinierens von Ergebnissen von mehreren Wiedergabeprozessen in ein oder mehrere Datenströmen, auf die die Modulation anspricht. Die Verwendung eines Computers erlaubt, die Anzahl der Wiedergabemodule zu erhöhen. Zum Beispiel kann die Anzahl der Wiedergabemodule von 10 auf 12 erhöht werden mittels einer Modifikation der Kompositioniererparameter, ohne die Schnittstelle zum Modulationssystem zu ändern. In einem Typ von Mikrospiegelsystem kann ein Datenstrom für die Modulation verwendet werden, um individuelle Mikrospiegel vor dem Beleuchten der Mikrospiegelanordnung mit Strahlung einzustellen. In einem weiteren Typ von Mikrospiegelsystem kann die Anzahl der Datenströme zur Anzahl der Mikrospiegel oder zu einem Faktor der Anzahl der Mikrospiegel passen, wenn die Mikrospiegel für die Abtastung eines Werkstücks verwendet werden. In einem herkömmlichen Abtastsystem kann die Anzahl der Datenströme der Anzahl der verwendeten abtastenden Strahlen entsprechen. Die Modulation 1222 ist der Prozess, der konzentrierte Daten in Ansteuerwerte für das Projektionssystem umsetzt. Für ein Mikrospiegelsystem kann ein Digital-zu-Analog-Wandler verwendet werden, um Analogspannungen zu erzeugen, die an individuelle Spiegelelemente angelegt werden. Für ein Abtastsystem können Ansteuersignale verwendet werden, um einen akustisch-optischen Modulator zu steuern, der die Strahlung moduliert, oder ein äquivalentes Steuerelement für Elektronen, Ionen oder Partikelstrahlung.
  • Eine nichtlineare Transformation kann die Anwendung eines Pixelneuabtastungsgradienten auf jedes neu abgetastete Pixel erfordern. Alternativ können Gradienten für jedes Pixel mittels eines Faltungs-Kerns abgetastet werden, um einen Ausgabepixelwert zu erzeugen. Die Nachbarschaft des Faltungskerns hängt ab von der maximal zulässigen Größe des Gradienten. Ein 1-Pixel-Gradient kann mittels eines 3×3-Kerns abgetastet werden; ein 2-Pixel-Gradient mittels eines 5×5-Kerns.
  • Ein Projektionssystem enthält typischerweise ferner eine Zeitablenkung 1230 und eine Zielmarke 1240. Die Zeitablenkung 1230 transportiert Bildinformationen über das Feld der Zielmarkierung 1240, die der Strahlung ausgesetzt wird. Die Zielmarke 1240 ist das Werkstück, mit dem das Projektionssystem arbeitet.
  • 15 zeigt ein Flussdiagramm eines Verfahrens zum Aufspüren defekter Pixel. Das Verfahren ist nicht durch die Erfindung, wie durch die beigefügten Ansprüche definiert, abgedeckt. Zuerst werden die Geometrien in Steuersignale für jedes Pixel umgesetzt, z. B. entsprechend dem, was in Verbindung mit 14 beschrieben worden ist. Anschließend wird bestimmt, wo schlechte Pixel angeordnet sind, und bestimmt, ob die schlechten Pixel an einer kritischen Stelle angeordnet sind. Ein schlechtes Pixel, z. B. ein schwarzes Pixel, das nahe einer Kan te angeordnet ist, kann einen Fehler im Muster hervorrufen.
  • Ein schlechtes Pixel, z. B. ein Spiegel, der auf einem begrenzten Winkelbereich klemmt, kann auf vielfältige Weise identifiziert werden. Es ist möglich, den SLM zu kalibrieren und die defekten Pixel zu finden, indem nach Elementen gesucht wird, die ungewöhnliche Kalibrierungseigenschaften aufweisen. Die Kalibrierungsprozedur kann jedoch durch die schlechten Pixel negativ beeinflusst werden.
  • Im allgemeinen kann bei einem nicht-kalibrierten SLM der SLM mit Steuersignalen, z. B. Spannungen, angesteuert werden, wobei ein Bild des SLM mit einer digitalen Kamera aufgezeichnet wird. Das Bild wird anschließend unter Verwendung einer Bildanalyse verarbeitet. Ein oder mehrere Bilder (mit unterschiedlichen Spannungen) können erforderlich sein, um Position und Größe der schlechten Pixel zu identifizieren.
  • In einem Verfahren werden alle Spiegel mit einer konstanten Spannung angesteuert. Die Spannung kann irgendeinen Graustufenwert repräsentieren. Das Bild wird mit eine CCD-Kamera aufgezeichnet, wobei eine Bildanalyse verwendet wird, um das schlechte Pixel aufzuspüren. Zum Beispiel kann ein Gradientenfeld aus dem aufgezeichneten CCD-Bild berechnet werden. Eine Divergenz des Gradienten (Del2) wird berechnet, wobei Del2 der Laplace-Differentialoperator ist, um die Position im Bild zu identifizieren, wo eine räumliche zweite Ableitung der Intensität Extrema aufweist. Diese Extrema, z. B. ein Maximum und ein Minimum, können schlechte Pixel repräsentieren. Die Del2-Funktion kann mit einem Schwellenwert gesetzt sein, wobei irgendeine Position oberhalb des Schwellenwertes ein schlechtes Pixel repräsentieren kann. Die Prozedur kann mit den Mikrospiegeln wiederholt werden, die auf wenigstens eine weitere konstante Spannung gesteuert werden, wobei die konstanten Spannungen vorzugsweise gut voneinander getrennt sind. Mutmaßlich schlechte Pixel werden als bestätigt betrachtet, wenn bei wiederholten Messungen oder bei komplementären Messungen dasselbe Pixel auftaucht.
  • Mit Bildern, die unterschiedliche Einstellungen für die Pixel repräsentieren, kann eine Differenz zwischen den Bildern berechnet werden. Die Differenz weist ein lokales Minimum bei einem klemmenden oder beschädigten Pixel auf.
  • Für einen binären SLM (Ein-Aus) kann es in bestimmten Konfigurationen schwierig sein, die obenerwähnten Verfahren zu verwenden. Stattdessen wird ein Muster auf den SLM aufgebracht. Schlechte Pixel haben den größten Einfluss an Merkmalskanten. Ein Muster, das parallele schwarze und weiße Linien enthält, oder ein Schachbrettmuster heben die Pixel hervor, die sich an den Kanten befinden. Das Muster ist vorzugsweise nahe an der optischen Auflösungsgrenze. Durch Ansteuern einer Folge von Mustern, z. B. paralleler Linien, am SLM und Aufnehmen von CCD-Bildern jedes Musters wird es möglich, defekte Elemente zu identifizieren, obwohl sie in den Bildern optisch nicht aufgelöst werden können. Die Linien in den unterschiedlichen Bildern werden bewegt, um zu identifizieren, wo sich ein defektes Pixel befindet. Die CCD-Bilder werden mit Musterdaten verglichen. Zum Beispiel kann der SLM mit Linien und Zwischenräumen sowie deren Komplement in zwei Bildern adressiert werden. Durch Analysieren der Linienbreite in den zwei Bildern kann ein schlechtes Pixel aufgespürt werden und dessen Größe bestimmt werden. Zum Beispiel ergibt ein schlechtes Pixel, das auf einem weißen Wert klemmt, einen Linienbreitenfehler nur dann, wenn es sich in einem schwarzen Bereich befindet, und umgekehrt. Ein graues Pixel ergibt jedoch einen Fehler sowohl in einem schwarzen als auch in einem weißen Bereich. Die Differenz der Fehler enthält Informationen über die Größe des Defekts.
  • Um ein schwarzes Pixel zu kompensieren, können die benachbarten Pixel auf einen Zustand mit größerer Intensität eingestellt werden, d. h. einen Zustand, in dem mehr elektromagnetische Strahlung auf das Werkstück reflektiert wird. Wenn das schlechte Pixel nahe einer Kante liegt, kann die Software die benachbarten Pixel anpassen. In der Praxis kann dies bewerkstelligt werden durch Ändern des Pixelwertes, d. h. des Auslenkungsrades der benachbarten Spiegel, oder durch Ändern der Übertragungsfunktion der benachbarten Pixel. Dieser Typ von Kompensation kann in einem oder mehreren Schreibdurchläufen verwendet werden. Die Änderung der benachbarten Pixel kann mittels Online-Berechnung oder unter Verwendung einer Nachschlagtabelle durchgeführt werden.
  • Das Verfahren erlaubt die Korrektur schlechter Pixel, was den Fehler in einem Mehrfachdurchlaufschema mit konstanten Korrekturen für die Übertragungsfunk tionen dramatisch reduziert. Mit nur einem oder zwei Durchläufen kann die Korrektur unzureichend sein, so dass die in einem bestimmten Fall auferlegten Anforderungen nicht erfüllt werden. In einem besser ausgearbeiteten Verfahren wird die Korrektur in Abhängigkeit vom aktuellen Muster durchgeführt. Typischerweise sind nur bestimmte geometrische Fälle kritisch, wobei diese charakterisiert werden können und geeignete Daten zur Korrektur schlechter Pixel in einer Nachschlagtabelle oder in einer algorithmischen Form gespeichert werden können. Während des Druckens wird das Muster nahe der schlechten Pixel in Echtzeit analysiert, wobei die geeignete Korrektur bei Bedarf identifiziert und angewendet wird. Bei nur einigen wenigen defekten Pixeln pro SLM ist der Berechnungsaufwand überschaubar. Auf diese Weise kann eine nahezu perfekte Korrektur mit analogen Spiegeln bewerkstelligt werden, wobei eine stark verbesserte Korrektur mit binären (Ein-Aus) Elementen bewerkstelligt werden kann.
  • In einem Verfahren werden schlechte Pixel in einem Abstand von einem Pixel innerhalb oder außerhalb der Merkmalskante als schlechte Pixel in kritischer Position betrachtet. In einem weiteren Verfahren werden schlechte Pixel mit einem Abstand von zwei Pixeln innerhalb oder außerhalb der Merkmalskante als schlechte Pixel in kritischer Position betrachtet. In einem weiteren Verfahren werden schlechte Pixel in einem Abstand von drei Pixeln innerhalb oder außerhalb der Merkmalskante als schlechte Pixel in kritischer Position betrachtet.
  • In einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden mehrere SLMs für die Kompensation schlechter Pixel verwendet. In 16 ist eine beispielhafte Ausführungsform eines Aufbaus gezeigt. Die Figur umfasst einen ersten SLM 1610, einen zweiten SLM 1620 und einen Strahlteiler 1630. Die Anordnung wird anstelle des SLM 30 in 3 eingebracht. Die individuellen SLMs, z. B. der erste SLM 1610 und der zweite SLM 1620, können mit den gleichen Musterdaten gespeist werden. Die Kalibrierungsfunktionen für individuelle Pixel im ersten und im zweiten SLM liegen jedoch einzeln vor. Die SLM-Fläche kann gemeinsam kalibriert werden, so dass jedes Pixel im ersten SLM einer Gruppe von Pixeln im zweiten SLM entspricht. Dies kann in beiden Richtungen bewerkstelligt werden. Hierdurch erhält man eine Eins-zu-Vier-Beziehung von Pixeln in beiden Richtungen. Differenzen des SLM werden auf diese Weise korrigiert. Bestimmte geometrische systematische Fehler im SLM selbst können aufgehoben werden, wenn der erste SLM um 180° relativ zum zweiten SLM gedreht wird. Der erste und zweite SLM können mit der gleichen Intensität an elektromagnetischer Strahlung beleuchtet werden. Durch Beleuchten des ersten und des zweiten SLM mit unterschiedlichen Intensitäten kann jedoch ein weiterer Grad an Grauabstufung bewerkstelligt werden. Die Anzahl der Graustufen hängt in einer solchen Ausführungsform von der Beziehung und dem Absolutwert der zwei Intensitäten ab. Wenn z. B. die Pixel im ersten und im zweiten SLM auf 16 Pegel gesetzt werden können und eine Strahlung vom zweiten SLM gleich 1/16 der Strahlung vom ersten SLM ist, ist die Anzahl der Graustufenpegel gleich 16 × 16 = 256 Pegel. Eine Sprenkelung kann ebenfalls durch Verwendung mehrerer SLMs reduziert oder aufgehoben werden.
  • Obwohl bisher bestimmte Ausführungsformen der Vorrichtung für die Musterung eines Werkstücks offenbart worden sind, ist nicht beabsichtigt, dass solche spezifischen Referenzen als Beschränkungen für den Umfang der Erfindung zu betrachten sind, sofern sie nicht in den folgenden Ansprüchen dargelegt sind. Mit der Beschreibung der Erfindung in Verbindung mit bestimmten spezifischen Ausführungsformen derselben ist ferner klar, dass weitere Modifikationen für Fachleute offensichtlich sind, wobei alle solchen Modifikationen als in den Umfang der beigefügten Ansprüche fallend abgedeckt sein sollen.

Claims (51)

  1. Verfahren zum Kompensieren der Auswirkung wenigstens eines defekten Pixels (110; 210a210d) mit einer bekannten Position in wenigstens einem Raumlichtmodulator (SLM) (30), wenn ein Muster des wenigstens einen SLM (30) auf einem Werkstück (60) erzeugt wird, das wenigstens teilweise mit einer für elektromagnetische Strahlung empfindlichen Schicht bedeckt ist, wobei wenigstens ein SLM (30) mit mehreren Modulationselementen (Pixel) mittels elektromagnetischer Strahlung beleuchtet wird und ein Bild des SLM (30) in einem Schreibdurchlauf auf das Werkstück (60) projiziert wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine Kompensation für defekte Pixel (110; 210a210b) in wenigstens einem anderen Schreibdurchlauf durchgeführt wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die elektromagnetische Strahlung durch eine gepulste Laserquelle (10) erzeugt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Kompensation für das wenigstens eine defekte Pixel (110; 210a210d) durchgeführt wird, indem ein einzelnes Kompensationspixel (220) für jedes defekte Pixel (100; 210a210d) verwendet wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Kompensation für das wenigstens eine defekte Pixel (100; 210a210d) durchgeführt wird, indem mehrere Kompensationspixel (111118) für jedes defekte Pixel (110; 210a210d) verwendet werden.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem wenigstens ein SLM (30) durch die gleiche Strahlungsdosis in unterschiedlichen Schreibdurchläufen beleuchtet wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem wenigstens ein SLM (30) durch verschiedene Strahlungsintensitäten in den verschiedenen Schreibdurchläufen beleuchtet wird.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem wenigstens ein SLM (30) ein durchlassender Raumlichtmodulator ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem wenigstens ein SLM (30) ein reflektierender Raumlichtmodulator ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Pixel in dem wenigstens einen SLM (30) in einer analogen Weise betrieben werden.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, das die Maßnahmen umfasst: Projizieren eines Bildes des wenigstens einen SLM (30) auf eine Detektoranordnung (65), um eine Strahlungsdosis zu messen, und Durchführen einer Kompensation für das defekte Pixel (100; 210a210d) mittels wenigstens einem der am nächsten benachbarten Pixel (111118) in dem wenigstens einen SLM (30).
  11. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Kompensation durchgeführt wird, indem jedem des wenigstens einen der am nächsten benachbarten Pixel ein Wert zugewiesen wird, der gegeben ist durch Subtraktion eines beabsichtigten Pixelwertes von einem wirklichen Pixelwert, dividiert durch die Anzahl der am nächsten benachbarten Pixel, die für die Kompensation verwendet werden.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, das die Maßnahmen umfasst: Versetzen der Pixel in dem wenigstens einen SLM (30) in einen vorgegebenen Zustand, Projizieren des Bildes des wenigstens einen SLM (30) auf eine Detektoranordnung (65), Messen der Dosis der Pixel, Identifizieren defekter Pixel, und Durchführen einer Kompensation für die defekten Pixel in wenigstens einem Schreibdurchgang mittels der Pixel in dem wenigstens einen SLM (30), die nicht die defekten Pixel sind.
  13. Verfahren nach Anspruch 1, das die Maßnahmen umfasst: Projizieren eines Bildes des Modulators in einem ersten Schreibdurchlauf auf das Werkstück (60) unter Verwendung eines ersten Satzes von Pixeln in dem wenigstens einen SLM (30), Durchführen einer Vorkompensation für wenigstens ein defektes Pixel (210a210d) in wenigstens einem nachfolgenden Schreibdurchlauf mittels wenigstens eines Kompensationspixels (111118; 220) in wenigstens einem vorherigen Schreibdurchlauf, und Projizieren des Bildes des Modulators in wenigstens einem zweiten Schreibdurchlauf auf das Werkstück (60) unter Verwendung wenigstens eines zweiten Satzes von Pixeln in dem wenigstens einen SLM (30).
  14. Verfahren nach Anspruch 13, das ferner die Maßnahme umfasst: Durchführen einer Nachkompensation für das wenigstens eine defekte Pixel (30) in wenigstens einem vorherigen Schreibschritt mittels wenigstens eines Kompensationspixels (111118; 220) in wenigstens einem nachfolgenden Schreibdurchlauf.
  15. Verfahren nach Anspruch 1, das die Maßnahmen umfasst: Projizieren eines Bildes des Modulators in einem ersten Schreibdurchlauf auf das Werkstück (60) unter Verwendung eines ersten Satzes von Pixeln in dem wenigstens einen SLM (30), Durchführen einer Nachkompensation für wenigstens ein defektes Pixel (110; 210a210d) in wenigstens einem vorangehenden Schreibdurchlauf mittels wenigstens eines Kompensationspixels (111118; 220) in wenigstens einem nachfolgenden Schreibdurchlauf, und Projizieren des Bildes des Modulators in wenigstens einem zweiten Schreibdurchlauf auf das Werkstück (60) unter Verwendung wenigstens eines zweiten Satzes von Pixeln in dem wenigstens einen SLM (30).
  16. Verfahren nach Anspruch 15, das ferner die Maßnahme umfasst: Durchführen einer Vorkompensation für wenigstens ein defektes Pixel (210a210d) in wenigstens einem nachfolgenden Schreibschritt mittels wenigstens eines Kompensationspixels in wenigstens einem vorangehenden Schreibdurchlauf.
  17. Verfahren nach Anspruch 13 oder 15, das ferner die Maßnahme umfasst: Einschließen wenigstens eines Pixels in den ersten Satz von Pixeln in dem wenigstens zweiten Satz von Pixeln.
  18. Verfahren nach Anspruch 13 oder 15, bei dem die Kompensation für das wenigstens eine defekte Pixel (110; 210a210d) durchgeführt wird, indem ein einzelnes Kompensationspixel (220) für jedes defekte Pixel verwendet wird.
  19. Verfahren nach Anspruch 13 oder 15, bei dem die Kompensation für das wenigstens eine defekte Pixel (110; 210a210d) durchgeführt wird, indem mehrere Kompensationspixel (111118) für jedes defekte Pixel verwendet werden.
  20. Verfahren nach Anspruch 13 oder 15, bei dem die Pixel in dem wenigstens einen SLM in einer analogen Weise betrieben werden.
  21. Verfahren nach Anspruch 13 oder 15, bei dem ein Bild der Pixel in dem ersten Schreibdurchlauf in dem wenigstens einen SLM (100) relativ zu dem Bild der Pixel in dem zweiten Schreibdurchlauf um ein oder mehrere Pixel verschoben wird.
  22. Verfahren nach Anspruch 13 oder 15, bei dem ein Bild der Pixel im ersten Schreibdurchlauf auf dem Werkstück relativ zu dem Bild der Pixel in dem zweiten Schreibdurchlauf um wenigstens einen Bruchteil eines Pixels verschoben wird.
  23. Verfahren nach Anspruch 13 oder 15, bei dem der erste Satz von Pixeln zu einem ersten SLM gehört und der zweite Satz von Pixeln zu einem zweiten SLM gehört.
  24. Verfahren nach Anspruch 23, bei dem der erste und der zweite SLM gleichzeitig beleuchtet werden.
  25. Verfahren nach Anspruch 24, bei dem der erste und der zweite SLM mittels verschiedener Strahlungsintensitäten beleuchtet werden.
  26. Verfahren nach einem der Ansprüche 1–25, das die Maßnahmen umfasst: Brechen und Rendern des zu druckenden Musters, Berechnen von Belichtungswerten für wenigstens die Pixel eines SLM, Lokalisieren schlechter Pixel, Bestimmen, ob sich die schlechten Pixel an einer kritischen Position befinden, und Kompensieren der schlechten Pixel an kritischen Positionen.
  27. Vorrichtung zum Kompensieren der Auswirkung wenigstens eines defekten Pixels (110; 210a210d) mit einer bekannten Position in wenigstens einem Raumlichtmodulator (SLM) (30), wenn ein Muster des wenigstens eines SLM (30) auf einem Werkstück (60) erzeugt wird, das wenigstens teilweise mit einer für elektromagnetische Strahlung empfindlichen Schicht bedeckt ist, umfassend: eine Quelle (10) zum Emittieren elektromagnetischer Strahlung, ein Projektionssystem (20, 40, 50) zum Beleuchten des wenigstens einen SLM (30), der mehrere Modulationselemente (Pixel) aufweist, mit der Strahlung und zum Projizieren eines Bildes des Modulators in einem Schreibdurchlauf auf das Werkstück (60), gekennzeichnet durch eine Detektoranordnung (65) zum Messen der Dosis der Pixel von dem Bild des wenigstens einen SLM und einem Computer (66) zum Durchführen einer Kompensation für defekte Pixel (110; 210a210d) in wenigstens einem anderen Schreibdurchlauf aus dem Bild auf dem Detektor (65).
  28. Vorrichtung nach Anspruch 27, umfassend: das Projektionssystem (20, 40, 50) zum Projizieren eines Bildes des Modulators in einem ersten Schreibdurchlauf auf das Werkstück (60) unter Verwendung eines ersten Satzes von Pixeln in dem wenigstens einen SLM (30), wenigstens ein Pixel in dem einen SLM (30) in wenigstens einem vorherigen Schreibdurchlauf, um eine Vorkompensation für defekte Pixel (210a210d) in wenigstens einem nachfolgenden Schreibdurchlauf durchzuführen, das Projektionssystem (20, 40, 50) zum Projizieren des Bildes des Modulators in wenigstens einem zweiten Schreibdurchlauf auf das Werkstück (60) unter Verwendung wenigstens eines zweiten Satzes von Pixeln in dem wenigstens einen SLM (30), und wenigstens ein Pixel (111118; 220) in dem wenigstens einen SLM (30) in wenigstens einem späteren Schreibdurchlauf, um eine Nachkompensation für defekte Pixel (110; 210a210d) in wenigstens einem vorherigen Schreibdurchlauf durchzuführen.
  29. Vorrichtung nach Anspruch 27, bei der die Quelle (10), die elektromagnetische Strahlung emittiert, eine gepulste Laserquelle ist.
  30. Vorrichtung nach Anspruch 28, bei der wenigstens ein Pixel im ersten Satz von Pixeln in dem wenigstens einen zweiten Satz von Pixeln enthalten ist.
  31. Vorrichtung nach Anspruch 30, bei der das Projektionssystem zum Projizieren in wenigstens einem zweiten Schreibdurchlauf umfasst: den SLM, der mit dem Bild neu programmiert wird, das auf das Werkstück mit dem wenigstens zweiten Satz von Pixeln geschrieben werden soll, eine bewegliche Bühne, auf der das Werkstück angeordnet ist, um das gleiche Merkmal auf dem Werkstück mit dem wenigstens zweiten Schreibdurchlauf als ersten Schreibdurchlauf zu beleuchten.
  32. Vorrichtung nach Anspruch 31, bei der die bewegliche Bühne über die Länge von N SLM-Pixeln bewegt wird.
  33. Vorrichtung nach Anspruch 32; bei der die Bühne längs einer Zeile von Pixeln bewegt wird.
  34. Vorrichtung nach Anspruch 32, bei der die bewegliche Bühne längs einer Spalte von Pixeln bewegt wird.
  35. Vorrichtung nach Anspruch 32, bei der die bewegliche Bühne sowohl längs einer Zeile von Pixeln als auch längs einer Spalte von Pixeln bewegt wird.
  36. Vorrichtung nach Anspruch 31, bei der die bewegliche Bühne über die Länge von N SLM-Pixeln plus einem Bruchteil eines SLM-Pixels bewegt wird.
  37. Vorrichtung nach Anspruch 27, bei der ein einzelnes defektes Pixel (110) in einem Schreibdurchlauf mittels eines einzelnen Kompensationspixels (220) in einem weiteren Schreibdurchlauf kompensiert wird.
  38. Vorrichtung nach Anspruch 27, bei der ein einzelnes defektes Pixel in einem Schreibdurchlauf mittels mehrerer Kompensationspixel in einem weiteren Schreibdurchlauf kompensiert wird.
  39. Vorrichtung nach Anspruch 27, bei der der wenigstens eine SLM (30) mit der gleichen Strahlungsdosis in verschiedenen Schreibdurchläufen beleuchtet wird.
  40. Vorrichtung nach Anspruch 27, bei der der wenigstens eine SLM (30) mit verschiedenen Strahlungsintensitäten in verschiedenen Schreibdurchläufen beleuchtet wird.
  41. Vorrichtung nach Anspruch 27, bei der der wenigstens eine SLM (30) ein durchlassender Raumlichtmodulator ist.
  42. Vorrichtung nach Anspruch 27, bei der der wenigstens eine SLM (30) ein reflektierender Raumlichtmodulator ist.
  43. Vorrichtung nach Anspruch 27, bei der die Pixel in dem wenigstens einen SLM (30) in einer analogen Weise betrieben werden.
  44. Vorrichtung nach Anspruch 27, gekennzeichnet durch den Computer (66) zum Durchführen einer Kompensation für defekte Pixel (110) unter Verwendung wenigstens eines der zum defekten Pixel (110) am nächsten benachbarten Pixel (111, 112, 113, 114, 115, 116, 117, 118).
  45. Vorrichtung nach Anspruch 27, bei der die Pixelintensitäten von der Detektoranordnung (65) immer dann erfasst werden, wenn ein neues Werkstück (60) zu mustern ist.
  46. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die verschiedenen Schreibdurchläufe mittels eines SLM durchgeführt werden.
  47. Verfahren nach Anspruch 46, bei dem verschiedene Bereiche des SLM in verschiedenen Schreibdurchläufen verwendet werden.
  48. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die verschiedenen Schreibdurchläufe mittels mehrerer SLMs durchgeführt werden.
  49. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die verschiedenen Schreibdurchläufe mittels eines SLM durchgeführt werden.
  50. Verfahren nach Anspruch 49, bei dem verschiedene Bereiche des SLM in den verschiedenen Schreibdurchläufen verwendet werden.
  51. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem die verschiedenen Schreibdurchläufe mittels mehrerer SLMs durchgeführt werden.
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Application Number Priority Date Filing Date Title
US995526 2001-11-28
US09/995,526 US6618185B2 (en) 2001-11-28 2001-11-28 Defective pixel compensation method
PCT/SE2002/002169 WO2003046665A1 (en) 2001-11-28 2002-11-26 Defective pixel compensation method

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US (2) US6618185B2 (de)
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CN (1) CN1277154C (de)
AT (1) ATE344474T1 (de)
AU (1) AU2002356477A1 (de)
DE (1) DE60215852T2 (de)
WO (1) WO2003046665A1 (de)

Families Citing this family (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7302111B2 (en) * 2001-09-12 2007-11-27 Micronic Laser Systems A.B. Graphics engine for high precision lithography
KR20040047816A (ko) * 2001-09-12 2004-06-05 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 공간광변조기를 이용한 개선된 방법 및 장치
US7116626B1 (en) * 2001-11-27 2006-10-03 Inphase Technologies, Inc. Micro-positioning movement of holographic data storage system components
US6618185B2 (en) * 2001-11-28 2003-09-09 Micronic Laser Systems Ab Defective pixel compensation method
SE0104131D0 (sv) * 2001-12-10 2001-12-10 Micronic Laser Systems Ab Improved method and apparatus for image formation
US20030233630A1 (en) * 2001-12-14 2003-12-18 Torbjorn Sandstrom Methods and systems for process control of corner feature embellishment
US7106490B2 (en) * 2001-12-14 2006-09-12 Micronic Laser Systems Ab Methods and systems for improved boundary contrast
SE0104238D0 (sv) * 2001-12-14 2001-12-14 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for patterning a workpiece
US7266254B2 (en) 2002-02-13 2007-09-04 Canon Kabushiki Kaisha Data processing apparatus, image processing apparatus, and method therefor
US6788842B1 (en) * 2002-03-05 2004-09-07 Calient Networks Method and apparatus for internal monitoring and control of reflectors in an optical switch
US7167185B1 (en) * 2002-03-22 2007-01-23 Kla- Tencor Technologies Corporation Visualization of photomask databases
US7053985B2 (en) * 2002-07-19 2006-05-30 Applied Materials, Isreal, Ltd. Printer and a method for recording a multi-level image
US7068858B2 (en) * 2002-10-31 2006-06-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Projection system utilizing SLM pixels that include SLM pixel regions satisfying acceptable defective SLM pixel policy and SLM regions failing policy
DE20317873U1 (de) * 2002-11-20 2004-04-08 Lambda Physik Ag Vorrichtung zur Korrektur der Empfindlichkeit einer CCD-Kamera
US20050213192A1 (en) * 2002-11-28 2005-09-29 Murtagh Martin E Apparatus for modulating a light beam
US6934070B1 (en) * 2002-12-18 2005-08-23 Silicon Light Machines Corporation Chirped optical MEM device
US6751005B1 (en) * 2002-12-20 2004-06-15 Eastman Kodak Company Compensating for pixel defects by spatial translation of scene content
EP1583946B1 (de) * 2003-01-15 2006-11-08 Micronic Laser Systems Ab Verfahren zur erkennung eines defekten pixels
US7224849B2 (en) * 2003-02-07 2007-05-29 Eastman Kodak Company Method for determining an optimum gain response in a spatial frequency response correction for a projection system
US6819469B1 (en) * 2003-05-05 2004-11-16 Igor M. Koba High-resolution spatial light modulator for 3-dimensional holographic display
US6886944B2 (en) * 2003-05-13 2005-05-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Projector brightness enhancement using rectilinear apertures
US7183566B2 (en) * 2003-05-28 2007-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus for manufacturing a device
EP1482371A1 (de) * 2003-05-28 2004-12-01 ASML Netherlands B.V. Verfahren zur Kalibrierung eines lithographischen Apparates
US20040257352A1 (en) * 2003-06-18 2004-12-23 Nuelight Corporation Method and apparatus for controlling
SG110196A1 (en) * 2003-09-22 2005-04-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7414701B2 (en) * 2003-10-03 2008-08-19 Asml Holding N.V. Method and systems for total focus deviation adjustments on maskless lithography systems
US8061854B2 (en) * 2003-11-01 2011-11-22 Silicon Quest Kabushiki-Kaisha Projection display system with varying light source
JP2007517239A (ja) * 2003-11-12 2007-06-28 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット Slmスタンプ像の欠陥を修正する方法及び装置
US7842926B2 (en) * 2003-11-12 2010-11-30 Micronic Laser Systems Ab Method and device for correcting SLM stamp image imperfections
US7006196B2 (en) * 2003-12-15 2006-02-28 Agilent Technologies, Inc. Real time image resizing for dynamic digital photolithography
US7133116B2 (en) * 2003-12-15 2006-11-07 Agilent Technologies, Inc. Defect mitigation in spatial light modulator used for dynamic photolithography
WO2005065066A2 (en) * 2004-01-08 2005-07-21 Micronic Laser Systems Ab Method and device for data integrity checking in a spatial light modulator
US7580559B2 (en) 2004-01-29 2009-08-25 Asml Holding N.V. System and method for calibrating a spatial light modulator
US6963440B2 (en) * 2004-02-13 2005-11-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for driving a light delivery device
US20050200296A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Method and device for flat panel emissive display using shielded or partially shielded sensors to detect user screen inputs
US20050200294A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Sidelight illuminated flat panel display and touch panel input device
US20050200292A1 (en) * 2004-02-24 2005-09-15 Naugler W. E.Jr. Emissive display device having sensing for luminance stabilization and user light or touch screen input
EP1719018A1 (de) * 2004-02-25 2006-11-08 Micronic Laser Systems Ab Verfahren zum belichten von strukturen und zum emulieren von masken bei der optischen maskenlosen lithographie
CN1957471A (zh) * 2004-04-06 2007-05-02 彩光公司 在平板显示器中与传感器阵列集成的彩色滤波器
CN1981318A (zh) * 2004-04-12 2007-06-13 彩光公司 用于有源矩阵发光显示器的低功耗电路及其控制方法
KR100578182B1 (ko) * 2004-04-12 2006-05-11 주식회사 대우일렉트로닉스 홀로그래픽 시스템에서의 재생 홀로그램 데이터 전처리장치 및 그 방법
US8184923B2 (en) * 2004-04-19 2012-05-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image analysis method, image analysis program, pixel evaluation system having the image analysis method, and pixel evaluation system having the image analysis program
US7027130B2 (en) * 2004-04-28 2006-04-11 Advanced Micro Devices, Inc. Device and method for determining an illumination intensity profile of an illuminator for a lithography system
US20050248515A1 (en) * 2004-04-28 2005-11-10 Naugler W E Jr Stabilized active matrix emissive display
US7123348B2 (en) * 2004-06-08 2006-10-17 Asml Netherlands B.V Lithographic apparatus and method utilizing dose control
US20050285822A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Damoder Reddy High-performance emissive display device for computers, information appliances, and entertainment systems
US7259829B2 (en) * 2004-07-26 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7102733B2 (en) * 2004-08-13 2006-09-05 Asml Holding N.V. System and method to compensate for static and dynamic misalignments and deformations in a maskless lithography tool
US7471820B2 (en) * 2004-08-31 2008-12-30 Aptina Imaging Corporation Correction method for defects in imagers
JP4929444B2 (ja) * 2004-09-27 2012-05-09 国立大学法人東北大学 パターン描画装置および方法
US7177012B2 (en) * 2004-10-18 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7457547B2 (en) * 2004-11-08 2008-11-25 Optium Australia Pty Limited Optical calibration system and method
JP4942301B2 (ja) * 2004-11-30 2012-05-30 新光電気工業株式会社 直接露光装置および直接露光方法
US7460688B2 (en) * 2004-12-09 2008-12-02 Aptina Imaging Corporation System and method for detecting and correcting defective pixels in a digital image sensor
US7180669B2 (en) * 2004-12-17 2007-02-20 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method and system for generating substantially uniform speckle patterns
US7728956B2 (en) 2005-04-05 2010-06-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing multiple die designs on a substrate using a data buffer that stores pattern variation data
US7209217B2 (en) * 2005-04-08 2007-04-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing plural patterning devices
US7400382B2 (en) 2005-04-28 2008-07-15 Asml Holding N.V. Light patterning device using tilting mirrors in a superpixel form
JP2008541164A (ja) 2005-05-13 2008-11-20 エヌエックスピー ビー ヴィ 空間光変調器装置、リソグラフィ装置、ディスプレイ装置、空間光パターンを有する光ビームの生成方法、および装置の製造方法
US7477772B2 (en) * 2005-05-31 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method utilizing 2D run length encoding for image data compression
US7233384B2 (en) * 2005-06-13 2007-06-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method, and device manufactured thereby for calibrating an imaging system with a sensor
US7634151B2 (en) * 2005-06-23 2009-12-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Imaging systems, articles of manufacture, and imaging methods
US7209275B2 (en) * 2005-06-30 2007-04-24 Asml Holding N.V. Method and system for maskless lithography real-time pattern rasterization and using computationally coupled mirrors to achieve optimum feature representation
US8890095B2 (en) * 2005-07-25 2014-11-18 Mapper Lithography Ip B.V. Reliability in a maskless lithography system
US20070046917A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method that compensates for reticle induced CDU
US20070081739A1 (en) * 2005-10-11 2007-04-12 International Business Machines Corporation Modifying text or images when defect pixels are found on a display
US7391558B2 (en) * 2005-10-19 2008-06-24 Raytheon Company Laser amplifier power extraction enhancement system and method
CN1963672A (zh) * 2005-11-07 2007-05-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 利用微机电系统制造集成电路的可重构掩模的方法和器件
WO2007058188A1 (ja) * 2005-11-15 2007-05-24 Nikon Corporation 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7505194B2 (en) * 2005-12-30 2009-03-17 Stmicroelectronics, Inc. Method and system to automatically correct projected image defects
US20070273626A1 (en) * 2006-05-04 2007-11-29 Sharp Laboratories Of America, Inc. System for pixel defect masking and control thereof
DE102007040542A1 (de) * 2006-08-29 2008-04-03 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Vorrichtung und Verfahren zum Kalibrieren einer Verschiebung von reflektierenden Teilen in einem diffraktiven optischen Modulator
TWI345748B (en) * 2006-09-05 2011-07-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Thin film transistor liquid crystal display
US20080117231A1 (en) * 2006-11-19 2008-05-22 Tom Kimpe Display assemblies and computer programs and methods for defect compensation
CN100573315C (zh) * 2007-04-04 2009-12-23 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 相机模块污点测试系统及方法
US7759620B2 (en) * 2007-07-03 2010-07-20 Micronic Laser Systems Ab Fourier plane analysis and refinement of SLM calibration
SG185313A1 (en) * 2007-10-16 2012-11-29 Nikon Corp Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
EP2067841A1 (de) * 2007-12-06 2009-06-10 Agfa HealthCare NV Röntgenbildschirm oder -tafel mit photostimulierbarem Leuchtstoff
US20090199152A1 (en) * 2008-02-06 2009-08-06 Micronic Laser Systems Ab Methods and apparatuses for reducing mura effects in generated patterns
CN102084280B (zh) * 2008-04-24 2015-07-15 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 具有结构化反射镜表面的空间光调制器
US8390786B2 (en) 2008-09-23 2013-03-05 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
US8253923B1 (en) 2008-09-23 2012-08-28 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
US8395752B2 (en) 2008-09-23 2013-03-12 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
US8670106B2 (en) 2008-09-23 2014-03-11 Pinebrook Imaging, Inc. Optical imaging writer system
US8390781B2 (en) 2008-09-23 2013-03-05 Pinebrook Imaging Technology, Ltd. Optical imaging writer system
TWI413944B (zh) * 2008-12-16 2013-11-01 Innolux Corp 影像補償方法及影像補償模組
WO2010092189A1 (en) 2009-02-16 2010-08-19 Micronic Laser Systems Ab Reconfigurable micro-mechanical light modulator and method
JP2010191127A (ja) * 2009-02-18 2010-09-02 Hitachi High-Technologies Corp 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
WO2011028335A1 (en) * 2009-09-02 2011-03-10 Dolby Laboratories Licensing Corporation Compensation for sub-par lighting in displays
JP5809637B2 (ja) * 2009-11-18 2015-11-11 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
US8405038B2 (en) * 2009-12-30 2013-03-26 General Electric Company Systems and methods for providing a shared charge in pixelated image detectors
US8539395B2 (en) 2010-03-05 2013-09-17 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for merging multiple geometrical pixel images and generating a single modulator pixel image
US8780104B2 (en) 2011-03-15 2014-07-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of updating drive scheme voltages
US10317346B2 (en) 2011-09-02 2019-06-11 Nikon Corporation Method and device for inspecting spatial light modulator, and exposure method and device
US8822106B2 (en) * 2012-04-13 2014-09-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Grid refinement method
WO2013184700A1 (en) 2012-06-04 2013-12-12 Pinebrook Imaging, Inc. An optical projection array exposure system
CN104301638B (zh) * 2013-07-16 2018-03-13 聚晶半导体股份有限公司 坏像素处理方法与图像处理装置
FR3009388B1 (fr) * 2013-07-30 2015-07-17 Ulis Diagnostic de l'etat defectueux d'une matrice de detection bolometrique
US9002084B2 (en) 2013-08-30 2015-04-07 Ge Medical Systems Israel, Ltd Systems and methods for summing signals from an imaging detector
US9482764B1 (en) 2015-05-28 2016-11-01 General Electric Company Systems and methods for charge-sharing identification and correction using a single pixel
CN104977154B (zh) * 2015-06-26 2017-10-24 清华大学 具有子像素结构的空间光调制器缺陷分类方法
KR102162270B1 (ko) * 2015-09-04 2020-10-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 스텝 크기 변경을 통한 라인 에지 거칠기 감소
JP6676942B2 (ja) * 2015-12-01 2020-04-08 株式会社ニコン 制御装置及び制御方法、露光装置及び露光方法、デバイス製造方法、データ生成方法、並びに、プログラム
JP2016115946A (ja) * 2016-02-18 2016-06-23 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法
KR102543039B1 (ko) * 2016-07-29 2023-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그의 암점 처리방법
US10156645B2 (en) 2016-12-23 2018-12-18 General Electric Company Systems and methods for sub-pixel location determination at sidewalls and corners of detectors
JP6838651B2 (ja) 2017-04-24 2021-03-03 日本電気株式会社 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム
US10145964B1 (en) 2017-05-15 2018-12-04 General Electric Company Systems and methods for improved collimation sensitivity
US10324200B2 (en) 2017-05-15 2019-06-18 General Electric Company Systems and methods for improved collimation sensitivity
US9983320B1 (en) 2017-05-15 2018-05-29 General Electric Company Systems and methods for improved collimation sensitivity
US10761224B2 (en) 2018-06-06 2020-09-01 General Electric Company Systems and methods for improved detector assembly sizing
US10481285B1 (en) 2018-08-13 2019-11-19 General Electric Company Systems and methods for determination of depth of interaction
US10976452B2 (en) 2018-08-13 2021-04-13 General Electric Medical Systems Israel, Ltd. (Il) Systems and methods for improved medical imaging
US10591619B2 (en) 2018-08-15 2020-03-17 GE Precision Healthcare LLC Anodes for improved detection of non-collected adjacent signals
US10247834B1 (en) 2018-08-15 2019-04-02 General Electric Company Anodes for improved detection of non-collected adjacent signal
WO2020042083A1 (zh) * 2018-08-30 2020-03-05 深圳市大疆创新科技有限公司 图像坏点校正方法及设备、存储介质
CN109686302B (zh) 2019-03-04 2021-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其控制方法
CN110111315B (zh) * 2019-04-26 2021-01-26 五邑大学 一种基于cis的圆柱体表面检测方法、装置及存储介质
CN110596677A (zh) * 2019-09-23 2019-12-20 上海影创信息科技有限公司 基于多空间光调制器拼接激光雷达扫描装置及系统
CN110827346B (zh) * 2019-11-05 2023-11-24 易视腾科技股份有限公司 获取固定平面与其摄像头成像之间映射关系的方法
US11320545B2 (en) 2020-07-07 2022-05-03 GE Precision Healthcare LLC Systems and methods for improved medical imaging
US11092701B1 (en) 2020-07-07 2021-08-17 GE Precision Healthcare LLC Systems and methods for improved medical imaging
CN113260178B (zh) * 2021-06-16 2021-09-28 广东科翔电子科技股份有限公司 一种刚挠结合板高精密线路的制备方法
CN116679535B (zh) * 2023-08-04 2023-11-21 魅杰光电科技(上海)有限公司 套刻误差的量测方法、装置、系统及存储介质
CN117474909B (zh) * 2023-12-27 2024-04-05 深圳市信来誉包装有限公司 基于机器视觉的包装纸盒瑕疵检测方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4476465A (en) * 1982-08-30 1984-10-09 Litton Systems, Inc. Magneto-optic display generator
US4945351A (en) 1988-05-23 1990-07-31 Hewlett-Packard Company Technique for optimizing grayscale character displays
US4908780A (en) 1988-10-14 1990-03-13 Sun Microsystems, Inc. Anti-aliasing raster operations utilizing sub-pixel crossing information to control pixel shading
US5123085A (en) 1990-03-19 1992-06-16 Sun Microsystems, Inc. Method and apparatus for rendering anti-aliased polygons
US5042950A (en) * 1990-05-22 1991-08-27 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Apparatus and method for laser beam diagnosis
US5148157A (en) * 1990-09-28 1992-09-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with full complex light modulation capability
US5278949A (en) 1991-03-12 1994-01-11 Hewlett-Packard Company Polygon renderer which determines the coordinates of polygon edges to sub-pixel resolution in the X,Y and Z coordinates directions
EP0558781B1 (de) * 1992-03-05 1998-08-05 Micronic Laser Systems Ab Verfahren und Vorrichtung zur Belichtung von Substraten
EP0562424B1 (de) 1992-03-25 1997-05-28 Texas Instruments Incorporated Eingebautes optisches Eichsystem
US5673376A (en) 1992-05-19 1997-09-30 Eastman Kodak Company Method and apparatus for graphically generating images of arbitrary size
CA2148121A1 (en) 1992-11-02 1994-05-11 Robin L. Teitzel Rasterizer for a pattern generation apparatus
GB2278524B (en) 1993-05-28 1997-12-10 Nihon Unisys Ltd Method and apparatus for rendering visual images employing area calculation and blending of fractional pixel lists for anti-aliasing and transparency
US5684939A (en) 1993-07-09 1997-11-04 Silicon Graphics, Inc. Antialiased imaging with improved pixel supersampling
US5504504A (en) 1994-07-13 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Method of reducing the visual impact of defects present in a spatial light modulator display
US5684510A (en) 1994-07-19 1997-11-04 Microsoft Corporation Method of font rendering employing grayscale processing of grid fitted fonts
US5594854A (en) 1995-03-24 1997-01-14 3Dlabs Inc. Ltd. Graphics subsystem with coarse subpixel correction
US5701365A (en) 1996-06-21 1997-12-23 Xerox Corporation Subpixel character positioning with antialiasing with grey masking techniques
US6148117A (en) 1996-12-27 2000-11-14 Hewlett-Packard Company Image processing system with alterable local convolution kernel
US6188427B1 (en) 1997-04-23 2001-02-13 Texas Instruments Incorporated Illumination system having an intensity calibration system
US6201545B1 (en) 1997-09-23 2001-03-13 Ati Technologies, Inc. Method and apparatus for generating sub pixel masks in a three dimensional graphic processing system
JP3397101B2 (ja) 1997-10-29 2003-04-14 株式会社日立製作所 欠陥検査方法および装置
US6496187B1 (en) 1998-02-17 2002-12-17 Sun Microsystems, Inc. Graphics system configured to perform parallel sample to pixel calculation
SE9800665D0 (sv) * 1998-03-02 1998-03-02 Micronic Laser Systems Ab Improved method for projection printing using a micromirror SLM
US6261728B1 (en) 1998-10-19 2001-07-17 Vanguard International Semiconductor Corporation Mask image scanning exposure method
US6356340B1 (en) * 1998-11-20 2002-03-12 Advanced Micro Devices, Inc. Piezo programmable reticle for EUV lithography
US6618185B2 (en) * 2001-11-28 2003-09-09 Micronic Laser Systems Ab Defective pixel compensation method

Also Published As

Publication number Publication date
US6813062B2 (en) 2004-11-02
CN1596388A (zh) 2005-03-16
EP1449033A1 (de) 2004-08-25
CN1277154C (zh) 2006-09-27
JP2005510862A (ja) 2005-04-21
US6618185B2 (en) 2003-09-09
ATE344474T1 (de) 2006-11-15
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