KR20040064712A - 이미지 형성을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

이미지 형성을 위한 방법 및 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20040064712A
KR20040064712A KR10-2004-7007850A KR20047007850A KR20040064712A KR 20040064712 A KR20040064712 A KR 20040064712A KR 20047007850 A KR20047007850 A KR 20047007850A KR 20040064712 A KR20040064712 A KR 20040064712A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
adjusted
regions
feature
region
Prior art date
Application number
KR10-2004-7007850A
Other languages
English (en)
Inventor
망스 비주그그렌
라스 이반센
라스 스티브러트
Original Assignee
마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비 filed Critical 마이크로닉 레이저 시스템즈 에이비
Publication of KR20040064712A publication Critical patent/KR20040064712A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
    • G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors

Abstract

당해 발명은 워크 피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법에 관한 것이다. 이미지를 표현하는 패턴은 다수의 지역들로 분배된다. 상기 다수의 지역들 내의 패턴 밀도가 계산된다. 상기 다수의 지역들 중의 하나 이상의 특징이 하나 이상의 다른 지역에서 패턴 밀도 상에 기초하여 조절된다. 조절된 패턴은 변조기로 공급된다. 상기 이미지는 상기 수정된 패턴을 이용함으로써 상기 워크피스 상에 생성된다. 당해 발명은 또한 워크 피스, 조절된 패턴과 마스크 또는 레티클과 함께 이미지 되는 반도체 웨이퍼상의 조절된 패턴을 이미지 하기 위한 장치에 관련된 것이다.

Description

이미지 형성을 위한 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR IMAGE FORMATION}
오늘날 마스크, 레티클 또는 집적회로 프로세싱 기술들은 종종 워크피스 쪽으로 극단으로 적은 지역에 쓰기 위해, 전자 광선, 레이저 그리고 X-레이 리소그래피와 같은 리소그래피 프로세싱을 종종 이용한다. 상기 워크피스(투명 기판 상의 크롬 또는 반도체 기판) 상의 구조들은 상기 워크피스를 커버하는 전자-검출형 또는 광민감형의 전자 빔 또는 전자기 광선으로 노출함으로써 형성된다.
웨이퍼는 마스크들 그리고/또는 레티클들을 이용하거나 직접적 기록에 의해 프로세스 된다. 웨이퍼들은 다수의 마스크들 중의 하나를 통해 자외선 광에 노출되고 그리고 그 곳에서 웨이퍼로 마스크들 상에 형성되는 패턴을 전송한다.
알려진 패턴 발생기들의 공통적 측면은 상기 패턴은 그들의 기하학 데이터를 지닌 패턴 요소들 또는 모든 구조들의 리스트를 포함하는 디지털 데이터 뱅크 내에 설명된다. 구조들이 기록되기 전에, 상기 기하학적 데이터는 포맷으로 변환되고,이는 하드웨어 기록에 의해 사용된다. 상기 변환 작동 동안 기하학적 좌표들은 기록 어드레스 격자라 불리는 하드웨어 어드레싱 해상도로 끊어진다.
대부분의 현대 패턴 발생기들은 전자 빔, X-ray 빔 또는 레이저 빔이거나 방사 민감형 커버링과 함께 커버되는 기판 상의 평행선들을 따라 편향되는 스캐닝 빔을 지닌 래스터 스캔 원칙을 이용한다. 상기 빔은 구조를 위한 비트맵을 따라 온 그리고 오프로 스위치 되며, 이는 제어 시스템 내에 저장된다. 다른 기능은 상기 빔이 기록 시간동안 생성되고, 이것은 매개적 압축 포맷 내에 저장된 데이터로부터 유도된다. 위에서 설명된 패턴 발생기의 종류는 당해 발명과 동일한 양수인에 의해 출원된 특허 출원 WO 99/45439에서 설명되고, 이는 워크피스 상의 패턴을 생산하기 위한 마이크로거울 타입의 공간 광변조기(SLM)를 이용한다. 패턴 발생기에서 SLM의 이용은 스캐닝 레이저 스팟들을 이용하는 위에서 설명된 방법과 비교하여 많은 이점들을 지닌다. 상기 SLM 은 대량적인 평행 장치이고 초마다 기록될 수 있는 다수의 픽셀들은 매우 높다. 상기 광학 시스템은 또한 SLM의 조명이 레이저 스캐너에서 전체 빔 경로가 높은 정확성을 지닌 채 설립되어야만 하는 동안에는 중요하지 않다는 점에서 더 단순하다. 일부 타입들의 스캐너들에서, 특히 전기 광학 그리고 청향 광학 에 있어서, 상기 마이크로거울 SLM 은 그것이 순수한 반사 장치이기　 때문에 더 짧은 파장에서 사용될 수 있다. 상기 SLM은 또한 전송 타입이다. 상기 반사 SLM은 편향 모드 또는 위상 모드에서 작동하며, 그곳에서 상기 위상 SLM 은 편향 SLM에서 픽셀이 한쪽 측면에 기하학적으로 공간 빔을 반사하는 동안 파괴적인 간섭에 의해 반사 방향에서 밤을 구별하고, 그 결과 이미지 렌즈들의 틈을 잃어버린다.
그러나 워크피스로 전송되는 패턴은 상기 매스크 패턴 내의 특징들의 코너에서 빛의 회절 때문에 상기 매스크 패턴과는 매우 다르게 된다. 상기 효과는 레이저 인접 효과로서 명명된다.
두 개의 지역들이 함께 가까워질 때, 기록 에너지(전자, 광양자)의 교차 복용이 있으며, 기록 지역의 인접한 부분의 원하지 않는 증가를 일으킨다. 하나 이상의 그의 이웃에 의한 특징의 원하지 않는 노출은, 광학 인접 효과라고 명명되고, 리소그래피 프로세싱에서 해상도로 기본적 제한에 기여한다. 인접 효과의 보상 또는 수정은 이미지의 표현의 교체가 패턴화 되는 것을 요구한다.
웨이퍼 리소그래피 프로세스에서, 저항이 전체 웨이퍼, 에칭 과정과 렌즈 인공물 등에 대해 동일한 특성들을 지니지 않는 것과 같은 프로세스 의존 변수들을 위한 수정에 유용하다.
최근에, 집적 회로의 패턴 크기에서 감소와 함께, 패턴 크기를 더 정확하게 제어하기 위해 요구된다.
실질적으로, 그러나, 위에서 설명한 것과 같은 패턴 변형이 발생하고, 이의 효과는 중요성이 증가된다. 더 중요한 것으로 보이는 문제점은, 하나의 이미지 내의 특징이 다른 이미지 내에 상기 특징이 있는 경우와 비교하여 다르게 수정될 수도 있다는 점이다. 그 결과 방법의 기술자에게 프린트 되는 패턴을 고려하여야 할 인접 효과들을 위한 수정의 필요가 있다.
당해 발명은 일반적으로 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 향상시키기 위한 방법에 관한 것이며, 특히 인접 효과를 위한 이미지 보상을 위한 방법에 관련되었다.
도 1a 는 2 차원 패턴의 정면도이다.
도 1b 는 분할된 2-차원 패턴의 정면도이다.
도 1c 는 래스터 된 2-차원 패턴의 정면도이다.
도 2a 는 도 1c에서 2 차원 패턴의 확대된 부분을 도시한다.
도 2b 는 래스터 된 패턴을 위한 패턴 밀도들을 도시한다.
도 2c 는 2 차원 패턴의 부분에서 수정된 특징/물건들을 도시한다.
도 3 은 수평 오버래핑 스탬프들 범위의 스트립을 도시한다.
도 4 는 다수의 오버래핑 스트립들을 포함하는 이미지를 도시한다.
도 5 는 다수의 변조기 윈도우들을 포함하는 스탬프를 도시한다.
도 6 은 오버래핑 스트립들의 실시예를 도시한다.
따라서 당해 발명의 목표는 위에서-언급된 문제점을 감소하거나 극복하는 인접 수정을 위한 방법을 제공하는 것이다.
이 목적은, 다른 것들 간에서, 워크피스로 이미지 되도록 패턴을 수정하는 방법에 의해 획득되는 당해 발명의 제 1 측면에 따르며, 그곳에서, 이미지를 표현하는 패턴은 다수의 지역들로 나뉜다. 패턴 밀집도는 상기 다수의 지역으로 계산된다. 다수의 지역들 중의 하나 이상의 특징은 하나 이상의 다른 지역에서 상기 지역 내의 패턴 밀집에 기반을 두도록 조정된다. 수정된 패턴은 변조기에 의해 공급된다. 상기 이미지는 상기 수정된 패턴을 이용함으로써 상기 워크피스 상에서 생성된다.
당해 발명의 또 다른 실시예는 다른 지역들의 하나 이상은 상기 지역에 인접하고, 이 때 하나 이상의 특징이 조정된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 하나 이상의 다른 지역은 상기 지역에 인접하지 않고, 이 때 하나 이상의 특징이 조정된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 다른 지역들은 상기 지역에 인접하거나 인접하지 않고, 이 때 하나 이상의 특징이 조정된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 변조기는 하나 이상의 음향 광학 변조기(AOM)이다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 변조기는 하나 이상의 공간 광변조기(SLM)이다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 하나 이상의 SLM은 펄스화된 전자기 방사 소스에 의해 조명된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 워크피스는 마스크 또는 레티클이다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 워크피스는 반도체 기판이다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 지역은 난-오버래핑 이다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 지역들은 서로 부분적으로 오버래핑 된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 하나 이상의 특징들이 복용에 의해 조정된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 하나 이상의 특징들이 크기에 의해 조정된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 하나 이상의 특징들이 크기와 복용에 의해 조정된다.
당해 발명의 또 다른 실시예에서, 상기 지역들은 다각형 모양이다.
당해 발명은 또한 워크피스 쪽으로 수정된 패턴의 이미지 장치와 관련된다. 상기 장치는 전자기 방사 소스, 다수의 지역에서 패턴 밀도를 계산하기 위한 계산기, 패턴의 디지털 표현이 이미지 되는 것에 따란 전자기 방사를 변조하기 위한 변조기를 포함하고, 이 때 상기 패턴은 하나 이상의 다른 지역 그리고 상기 특징들이 배치되는 곳에서 지역에서 밀도에 의존하여 이미지 되는 하나 이상의 특징에서 수정하기 위한 특징 수정기로 분배된다.
또 다른 실시예에서, 하나 이상의 다른 지역은 상기 지역에 인접하고, 이 때 하나 이상의 특징이 조절된다.
또 다른 실시예에서, 하나 이상의 다른 지역은 상기 지역에 인접하지 않고, 이 때 하나 이상의 특징이 조절된다.
또 다른 실시예에서, 하나 이상의 다른 지역이 상기 지역에 인접하거나 인접하지 않으며 , 이 때 하나 이상의 특징이 조절된다.
또 다른 실시예에서, 상기 변조기는 하나 이상의 음향 광학 변조기(AOM)이다.
또 다른 실시예에서, 상기 변조기는 하나 이상의 공간 광변조기(SLM)이다.
또 다른 실시예에서, 하나 이상의 SLM은 펄스화된 전자기 방사 소스에 의해 조명된다.
또 다른 실시예에서, 상기 워크피스는 마스크 또는 레티클이다.
또 다른 실시예에서, 상기 워크피스는 반도체 기판이다.
또 다른 실시예에서, 상기 지역은 난-오버래핑 이다.
또 다른 실시예에서, 상기 지역들은 서로 부분적으로 오버래핑 된다.
또 다른 실시예에서, 하나 이상의 특징들이 복용에 의해 조정된다.
또 다른 실시예에서, 하나 이상의 특징들이 크기에 의해 조정된다.
또 다른 실시예에서, 하나 이상의 특징들이 크기와 복용에 의해 조정된다.
또 다른 실시예에서, 상기 지역들은 다각형 모양이다.
또 다른 실시예에서, 남아 있는 지역을 위한 밀도는 상기 이미지를 생성하는 동안 계산된다.
당해 발명은 또한 워크피스 쪽으로 수정된 패턴의 이미지 장치와 관련된다.상기 장치는 전자기 방사 소스, 다수의 지역에서 패턴 밀도를 계산하기 위한 계산기, 패턴의 디지털 표현이 이미지 되는 것에 따란 전자기 방사를 변조하기 위한 변조기를 포함하고, 이 때 상기 패턴은 하나 이상의 다른 지역 그리고 상기 특징들이 배치되는 곳에서 지역에서 밀도에 의존하여 이미지 되는 하나 이상의 특징에서 수정하기 위한 특징 수정기로 분배된다.
당해 발명은 또한 전자기 방사에 민감하게 부분적 코팅을 포함하는 패턴과 함께 이미지 되는 마스크 또는 레티클에 관련되며, 이 때 상기 이미지를 표현하는 패턴은 다수의 지역들로 분배되고, 패턴의 밀도는 상기 지역의 부분을 위해 계산되며, 하나 이상의 다른 지역 내에 위치해 이미지 되는 상기 특징이 있는 지역에서 패턴 밀도에 기초하여 조절되며, 전자기 방사 소스에 의해 설명되는 변조기는 상기 웨이퍼 상의 조절된 이미지를 생성하기 위한 상기 조정된 패턴의 디지털 표현과 함께 공급된다.
다른 측면들에서, 당해 발명의 특징들과 이점들은 상세한 설명, 그림들 그리고 특징들에 반영된다.
도 1a 는 반도체 웨이퍼, 마스크 또는 높이 h 그리고 a 폭 b를 지닌 레티클과 같은 2차원 패턴 영역 특징들을 도시한다. 당해 설명을 이용하기 위해 그리고 도면을 간략화하기 위해, 도 1a 에 보이는 영역 특징들의 2 차원 패턴(10)은 5개의 임의적으로 분배된 사각형들 r1, r2, r3, r4, r5 을 포함하고 있는 것으로 설명된다. 반도체 웨이퍼의 리소그래피 프로세싱을 위한 특정 지역 특징 패턴은 다수의 수십만 지역 특징들을 포함하고, 이는 크기, 모양 그리고 위치상에서 변한다. 따라서 당해 설명에 이용되는 상기 파라메트릭 유닛들은 발명의 제한 또는 실제 리소그래피 프로세스를 위해 이용되어지는 특정 영역 특징 패턴과 동일하게 간주되지 않으나, 개선된 보상 방법의 이해를 용이하게 하기 위해 이용된다.
영역 특징의 2 차원 패턴은 벡터 포맷 형태들 이고, 제한되는 것은 아니나, 사각형들 그리고 사다리꼴들을 포함한다. 단일 모양들 또는 다수의 모양들은 1 또는 2 차원 배열에서 재사용될 수 있으며, 이는 차례로 배열들 또는 모양들을 포함한다. 함유(nesting)의 레벨에 대하여 제한이 없다.
상기 모양들은 특정 레이어에 속하게 된다. 상기 레이어들은 그것에 할당되는 특징을 지닌다. 그 특징은 Boolean 함수가 될 수 있으며, OR 그리고 AND NOT 등에 제한되는 것은 아니나, 이들을 포함한다. 상기 특징은 특징들이 속하는 레이어와 그 동일한 것에 앞서는 모든 레이어들의 결과 간에 적용될 수 있다. 이것은 모든 특징들이 엄격한 레이어 순서 내에서 처리되어야만 하는 것을 의미한다. 상기 패턴은 위치 또는 레이어 상에도 저장되지 않는다.
도 1b 는 지역 특징들의 분할된 2 차원 패턴을 도시한다. 상기 패턴은 다수의 스트립들 Si 로 분리되고, 이 예에서 33 스트립 Si 이다. 상기 영역 특징들의 2 차원 패턴을 스트립들로 분할함으로써 스트립들을 래스터 하는 것이 가능하며 그것은 서로에게 독립적이다.
도 1c 는 영역 특징들의 래스터 된 2 차원 패턴을 도시한다. 이 래스터 된 표현은 스캐닝 패턴에서 레이저 빔의 편향과 크기를 제어하거나 또는 상기 공간 광변조기의 조명의 양 그리고 공간 광변조기 내의 픽셀들을 제어하는 하드웨어에 의해 직접적으로 설명될 수 있다. 도 1 c는 영역특징들의 상기 래스터 된 2-차원 패턴을 설립하는 다수의 윈도우들 Wi를 도시한다. 사각 윈도우 Wi의 크기는 예를 들어 50*20 μm 이다.
각 구조를 위해, 특징의 판 내에 떨어지는 격자 성분들을 Boolean 1로 세트 된다. 이것은 격자 요소로부터 벡터를 가상함으로써 결정될 수 있고, y-방향 내의 무한대로 뻗어간다. 예를 들어, MOD(교차)가 1인 경우, 상기 성분은 특징 이내이고, 그렇지 않으면 밖이다. 레이어들의 경우, 상기 레이어 값은 격자의 3 차원 이내의 인덱스로서 사용된다. 상기 특징이 배열의 부분인 경우, 상기 배열은 피치(pitch)에 따라 그리고 그것을 정의하는 다수의 삽입물들에 따라 펼쳐진다. 상기 결과는 패턴의 밀도를 반사하는 2 차원 행렬이 될 것이다.
도 3 은 오버래핑 스탬프들의 수형 범위의 스트립을 도시한다. 상기 스탬프는 SLM의 영역을 표현한다. 스탬프는 도 5에서 표현되는 것과 같은 윈도우들 다수의 Wi 들 또는 그들 중 하나를 포함한다. 바람직하게, 스탬프들의 높이, SH, 는 스트립 이내에서 동일하다. 그러나 스탬프들의 폭, SW, 는 스탬프로부터 스탬프까지 변화한다. 도 3은 상기 스탬프들이 서로를 부분적으로 오버래핑 하는 것을 설명한다. 부분적으로 스탬프들을 오버래핑 하는 것의 이유는 개개의 스탬프들로부터 에러들의 인접을 관리하기 위한 내부 변명이다. 스트립 이내의 상기 스탬프들의 시간 차원은 무작위로 분배되거나 또는 연속적이고, 그 곳에서 상기 연속적 시간 차원은 왼쪽에서 오른쪽으로 또는 오른쪽에서 왼쪽으로의 방향을 지닐 수 있다.
이미지는 도 4에서 표현된 것과 같이 일련의 스트립들 Si로 설립된다. 상기 개개의 스트립들은 동일한 폭을 지니거나 지니지 않을 수 있다. 이미지의 스트립들은 부분적으로 오버랩이 되거나 그렇지 않을 수 있으며, 도 3에 표시된 것과 같이 스트립의 인접한 스탬프들과 유사한다. 스캐닝 패턴 발생기에서, 도 3에서 스탬프들은 스캐닝 라인에 따라 서로 교환되고, 다수의 마이크로 스윕(sweep)들을 포함한다. 상기 워크 피스는 목적 테이블 상에서 지원되고, 이것은 x 그리고 y 방향에서 작용한다. 상기 물체 테이블은 상기 레이저 빔들이 스캔 라인을 따라 스캔할 때 주어진 폭의 스트립들을 생성하기 위한 일정 속도에서 바람직하게 x 방향에서 움직인다. 개별적 스트립이 완성될 때, x 서보 기구는 시작 지점으로 재투사 스트로크 움직임을 수행하고 상기 목적 테이블은 그 때 스트립의 폭에 의해 y 방향에서 움직인다. 대안적으로, 하나의 스트립이 완성될 때 새로운 스트립은 되돌아오는 스트로크 상에 프린트 되며, 그것으로 두서없는 방식으로 프린트 된다. 상기 스트립들은 또한 예를 들어, 서로가 다음 서로에 대해 위치되지 않은 이후 쓰인 두 개의 스트립들과 같이 확률적 유형에서 프린트 된다. 각 스캔 라인은 다수의 마이크로 스윕들을 포함한다. 각 스캔 라인은 도 5에서 표현된 하나 또는 다수의 윈도우들 Wi를 포함한다.
도 2a 는 워크 피스 상에 이미지 될 패턴의 확대된 부분을 도시한다. 상기 확대는 9개의 윈도우들 Wi를 포함한다. 상기 윈도우들 Wi 는 위의 도 1c와 연관되어 설명되는 영역 특징의 2 차원 패턴의 래스터 된 포맷을 표현한다. 이 실시예에서, 상기 윈도우들은 사각형으로 표현되나, 어떠한 다각형 모양도 가능하다. 도 2a에 설명된 실시예에서, 모든 윈도우들은 동일한 크기를 지니나, 동일하지 않은 크기의 윈도우들도 또한 가능하다.
도 2b에서, 밀도 계산은 중앙 윈도우에 대해 가장 인접한 윈도우를 위해 수행되어 왔으며, 이는 기록에 관한 것이다. 상기 밀도 계산은 각 윈도우를 위한 1 값으로서 만들어 질 수 있거나 또는 상기 윈도우는 또한 가장 작은 파트들로 분배되거나, 상기 더 작은 부분들을 위한 밀도 값이 계산된다. 예를 들어, 상기 밀도가 모든 윈도우들이 주어진 크기일 때 미리 지정된 값을 초과하는 경우, 상기 초과된값을 지닌 윈도우들은 더 작은 부분들로 분배된다. 도 2a에서 가장 이접한 윈도우들의 밀도가 계산된다. 그러나 윈도우들은 동시에 계산될 수 있다. 예를 들어, 윈도우에 다음에 가장 인접한 윈도우들은 기록에 관한 것이다.
주어진 다수의 윈도우들의 밀도 정보는 알고리듬을 포함하는 특징 수정기 쪽으로 수집되고, 이는 특정 윈도우에서 물체/특징이 어떻게 크기가 정해지는지의 출력 정보를 생성한다. 그러한 수정에 관한 상기 수학적 표현은 C=k*M(r)+m 과 같으며, 그 곳에서 C 는 벡터, 예를 들어 (Cx, Cy), k와 m은 상수, M(r)은 d/r, 그곳에서 d 는 특정 윈도우의 밀도이고 r 은 윈도우의 중앙으로부터 거리이며, 이 때 특징은 상기 특정 윈도우의 중앙으로 크기가 정해지고, 이 때 상기 밀도가 계산되어 오는 수정이다. 거리 변수로서 1/r을 이용하는 대신에 또한 1/r2또는 1/r3을 이용할 수 있다. 예를 들어, 하나의 공식은 가장 인접한 윈도우들에 적합하고, 윈도우 들을 위한 다른 공식들은 더 멀리 떨어진다. 상기 수정 Cx는 Cy와 동일하거나 동일하지 않을 수 있다. Cx가 Cy와 동일할 때 다수의 주위 윈도우의 평균 밀도가 계산되고 수정/보상에서 사용된다.
당해 발명의 한 실시예에서, 밀도 계산은 상기 패턴의 프린트/이미징이 시작되기 전에 윈도우 Wi 의 부분을 위해 수행된다. 반면 상기 패턴은 남아 있는 윈도우들의 밀도가 계산된 것을 프린트 한다.
Monte Carlo 알고리듬을 이용하는 것은, 당업자에게 공지되어 있으며, 부가적인 설명을 필요로 하지 않는다. 그것은 밀도 계산을 수행한다. 선호되는 실시예에서, 상기 일반적 Monte Carlo 방법은 패턴의 피치와 격자의 피차간의 간섭 위험에 따라 윈도우 내의 특정 위치상의 특징들을 잃어버리지 않기 위해 임의의 다수의 발생기와 함께 수정된다. 특정 위치에서 특징들을 잃어버리는 위험을 감소시키는 한 방법은 격자의 피치를 임의로 변화시키는 것이다. 대안적으로, 상기 밀도 계산은 개개의 영역 특징의 크기를 계산함으로써 더 정확하게 만들어 질 수 있다.
도 2c는 하나 이상의 다른 윈도우와 상기 윈도우 이내의 패턴들의 밀도에 의존하는 중앙 윈도우 내의 특징들/목적들을 수정/조절의 결과를 도시한다. 덜 거주된(populated) 윈도우들과 비교되는 더 밀집적으로 거주된 윈도우의 방향에서 크기가 감소될 수 있는 것을 볼 수 있다. 상기 수정은 도2c에서 기 수정을 볼 수 있다. 그러나 복용 수정 또는 복용과 크기 수정의 결합은 또한 완벽하게 가능하다. 상기 특징의 모양과 크기에 의해 특징을 수정하는 것이 인접한 윈도우들이 다른 밀도들을 지니는 사실에 따라 변화될 수 있다. 더 높은 밀도는 크기를 더 감소시킬 것이며, 더 작은 것은 특징의 왜곡된 모양에서 결과적으로 기록될 것이다.
작동자의 선호되는 실시예에서, 패턴 발생기를 이용함으로써 패턴을 쓸 수 있는 작동 자는, 그 자신에 의해 상수 k 그리고 m, 변수 M(r) 또는 전체 공식을 변화시킬 수 있다. 이 특징은 패턴 발생기의 융통성을 크게 향상시킬 수 있으며, 이는 각 개별적 경우에서 상기 변수들을 최적화하기 위해 작동 자에게 가능성을 준다.
상기 패턴 의존 수정은 다른 수정 방법과 결합될 수 있다. 예를 들어, 프로세스 의존 방법들과 모든 웨이퍼/워크피스에 대해 일반적인 수정들이다. 모든 상기수정들은 워크 피스 상으로의 상기 패턴의 기록에 앞서 패턴의 디지털 설명에 적용된다.
도 6은 두 개의 스트립 n 과 n+1 간의 오버랩 지역을 도시한다. 이 대표적인 실시예는 전자기 방사의 복용이 스트립 n+1을 위해 경사지고 스트립 n을 위한 오버래핑 지역에서 아래로 경사된다. 원래의 기록 복용은 100%의 도 6에서 표시되는 것과 같이 스트립 n을 위해 오버래핑 지역의 부분에서 상수로 유지된다. 상기 스트립 n은 그 때 원래 기록 복용의 75%, 50%, 25% 그리고 0%로 기울어진다. 0% 복용은 오버래핑 지역이 끝나기 전에 부분에 도달된다. 스트립 n+1은 0%,로부터 25%, 50%, 75% 그리고 100%로 올라간다. 스트립 n+1에서 0% 복용은 오버래핑 지역의 부분으로서 상수로 유지되고, 동일한 것이 상기 기록 복용의 상기 100%에 적용된다. 예를 들어, 상기 복용은 상기 오버래핑 지역이 끝나기 전에 도달된다. 에러의 기록 전략적 부딪힘의 이와 같은 이용이 고려될 수 있다. 상기 복용은 다르게 기울어진다. 예를 들어 어떠한 매개 값없이도 100%로부터 0%로 직접적으로 기울어질 수 있다. 일반적으로 다수의 경사 상태들이 이용된다. 바람직하게, 오버래핑 스트립들로부터 복용들은 의도된 기록 복용의 100%에서 끝나게 되나 일부 지연과 노화 현상 때문에 상기 값들은 100%와는 다소 숫자상으로 다를 수 있다. 상기 복용은 지수, 포물선, 로그 등과 같은 수학적 표현에 따라 기울어질 수 있다. 청구 방법을 실행할 수 있는 프로그램을 포함하는 자기 메모리는 하나의 그러한 장치이다. 상기 청구된 방법을 실행하는 프로그램과 함께 로드 되는 메모리를 지닌 컴퓨터 시스템은 또 다른 그러한 장치이다.

Claims (36)

  1. 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법으로서,
    - 다수의 지역들 내의 이미지를 표현하는 패턴을 분할하고,
    - 상기 다수의 지역들 내의 패턴 밀도를 계산하며,
    - 상기 특징이 위치되고 하나 이상의 다른 지역의 곳에서 패턴 밀도에 기초하는 다수의 지역들 중의 하나 이상에서 하나 이상의 특징을 조절하고,
    - 조절된 패턴을 변조기에 제공하며,
    - 상기 조절된 패턴을 이용함으로써 상기 워크피스 상의 이미지를 생성하는
    단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 이 때 하나 이상의 다른 지역은 상기 지역에 인접하고, 이 때 하나 이상의 특징이 조절되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 이 때 하나 이상의 다른 지역은 상기 지역에 인접하지 않고, 이 때 하나 이상의 특징이 조절되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 이 때 다른 지역들은 상기 지역에 인접 그리고 인접하지 않을 수 있으며, 이 때 하나 이상의 특징이 조절되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 변조기는 하나 이상의 음향 광학 변조기(AOM)인 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 변조기는 하나 이상의 공간 광변조기(SLM)인 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 이 때 상기 하나 이상의 SLM은 펄스화된 전자기 방사 소스에 의해 조명되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 워크피스는 마스크 또는 레티클인 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 워크피스는 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 지역들은 넌-오버래핑 인 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 지역들은 서로 부분적으로 오버래핑 되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 이 때 하나의 특징은 복용에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 이 때 하나의 특징은 크기에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 이 때 하나의 특징은 크기와 복용에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  15. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 지역들은 다각형 모양인 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  16. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 밀도는 상기 이미지가 생성되기 전에 상기 다수의 지역들의 부분만을 위해 계산되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 이 때 남아 있는 지역들을 위한 상기 밀도들은 상기 이미지가 생성되는 동안 계산되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 패턴이 이미지 되도록 조절하는 방법.
  18. 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치로서,
    - 전자기 방사 소스,
    - 패턴의 디지털 표현이 이미지 되는 것에 따른 상기 전자기 방사를 변조하기 위한 변조기,
    - 다수의 지역들 내의 패턴 밀도를 계산하기 위한 계산기, 이 때 상기 패턴은 분할되고, 이 때 상기 패턴 밀도는 상기 특징이 하나 이상의 다른 지역에서 배치되는 곳의 지역에서 밀도에 따라 하나 이상의 특징을 조절하기 위해 사용되는, 상기 계산기
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  19. 제 18 항에 있어서, 이 때 하나 이상의 다른 지역은 상기 지역에 인접하고, 이 때 상기 하나 이상의 특징이 조절되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  20. 제 18 항에 있어서, 이 때 하나 이상의 다른 지역은 상기 지역에 인접하지 않고, 이 때 상기 하나 이상의 특징이 조절되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  21. 제 18항에 있어서, 이 때 하나 이상의 다른 지역은 상기 지역에 인접하거나 인접하지 않고, 이 때 상기 하나 이상의 특징이 조절되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  22. 제 18 항에 있어서, 이 때 상기 변조기는 하나 이상의 음향 광학 변조기(AOM)인 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  23. 제 18 항에 있어서, 이 때 상기 변조기는 하나 이상의 공간 광변조기(SLM)인 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  24. 제 23 항에 있어서, 이 때 상기 하나 이상의 SLM은 펄스화된 전자기 방사 소스에 의해 조명되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  25. 제 18 항에 있어서, 이 때 상기 워크피스는 마스크 또는 레티클인 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  26. 제 18 항에 있어서, 이 때 상기 워크피스는 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  27. 제 18 항에 있어서, 이 때 상기 지역들은 넌-오버래핑인 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  28. 제 18 항에 있어서, 이 때 상기 지역들은 서로 부분적으로 오버래핑 되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  29. 제 18 항에 있어서, 이 때 상기 하나 이상의 특징은 복용에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  30. 제 18 항에 있어서, 이 때 상기 하나 이상의 특징은 크기에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  31. 제 18 항에 있어서, 이 때 상기 하나 이상의 특징은 복용과 크기에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  32. 제 18 항에 있어서, 이 때 상기 지역들은 다각형 모양인 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  33. 제 18 항에 있어서, 이 때 상기 밀도는 상기 이미지가 생성되기 전에 상기 다수의 지역들의 부분만을 위해 계산되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  34. 제 33 항에 있어서, 이 때 상기 남아있는 지역들을 위한 상기 밀도들은 상기 이미지가 생성되는 동안 계산되는 것을 특징으로 하는 워크피스 쪽으로 조절된 패턴을 이미징하기 위한 장치.
  35. 조절된 패턴과 함께 이미지 되는 반도체 전도 웨이퍼는, 전자기 방사에 민감한 코팅을 포함하고, 이 때 상기 이미지를 표현하는 패턴은 다수의 지역으로 분배되며, 패턴의 밀도는 상기 지역의 부분을 위해 계산되고, 상기 다수의 지역 중의 하나에서 하나 이상의 특징들은 상기 특징이 이미지 되도록 배치되고 다린 지역에 있는 곳에서 패턴 밀도에 기초하여 조정되며, 전자기 방사 소스에 의해 조명되는 변조기는 상기 웨이퍼 상의 상기 조정된 이미지를 생성하기 위해 상기 조절된 패턴의 디지털 표현과 함께 공급되는 것을 특징으로 하는 상기 반도체 전도 웨이퍼.
  36. 조절된 패턴과 함께 이미지 되는 마스크 또는 레티클로서, 전자기 방사에 민감한 코팅을 포함하고, 이 때 상기 이미지를 표현하는 패턴은 다수의 지역으로 분배되며, 패턴의 밀도는 상기 지역의 부분을 위해 계산되고, 상기 다수의 지역 중의 하나에서 하나 이상의 특징들은 상기 특징이 이미지 되도록 배치되고 다린 지역에 있는 곳에서 패턴 밀도에 기초하여 조정되며, 전자기 방사 소스에 의해 조명되는 변조기는 상기 웨이퍼 상의 상기 조정된 이미지를 생성하기 위해 상기 조절된 패턴의 디지털 표현과 함께 공급되는 것을 특징으로 하는 상기 마스크 또는 레티클.
KR10-2004-7007850A 2001-12-10 2002-12-10 이미지 형성을 위한 방법 및 장치 KR20040064712A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0104131-8 2001-12-10
SE0104131A SE0104131D0 (sv) 2001-12-10 2001-12-10 Improved method and apparatus for image formation
PCT/SE2002/002267 WO2003054632A1 (en) 2001-12-10 2002-12-10 Method and apparatus for image formation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040064712A true KR20040064712A (ko) 2004-07-19

Family

ID=20286249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2004-7007850A KR20040064712A (ko) 2001-12-10 2002-12-10 이미지 형성을 위한 방법 및 장치

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7365829B2 (ko)
EP (1) EP1451641A1 (ko)
JP (1) JP4563682B2 (ko)
KR (1) KR20040064712A (ko)
CN (1) CN1278187C (ko)
AU (1) AU2002349857A1 (ko)
SE (1) SE0104131D0 (ko)
WO (1) WO2003054632A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7266803B2 (en) * 2005-07-29 2007-09-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Layout generation and optimization to improve photolithographic performance
EP1987397A4 (en) * 2005-10-26 2015-08-19 Micronic Mydata AB APPARATUS AND METHODS OF WRITING
US8122846B2 (en) * 2005-10-26 2012-02-28 Micronic Mydata AB Platforms, apparatuses, systems and methods for processing and analyzing substrates
JP6107059B2 (ja) * 2012-11-02 2017-04-05 富士通セミコンダクター株式会社 レイアウトパターンの補正方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63211621A (ja) * 1987-02-26 1988-09-02 Fujitsu Ltd レ−ザ描画方法
JP2512184B2 (ja) * 1990-01-31 1996-07-03 株式会社日立製作所 荷電粒子線描画装置及び描画方法
JPH04416A (ja) * 1990-04-10 1992-01-06 Nippon Seiko Kk 可変ビーム成形装置及びこれを用いた露光装置
GB2293459B (en) * 1994-09-22 1997-10-01 Holtronic Technologies Ltd Method for printing of a pattern of features
US6312134B1 (en) * 1996-07-25 2001-11-06 Anvik Corporation Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator
JP4131880B2 (ja) * 1997-07-31 2008-08-13 株式会社東芝 マスクデータ作成方法及びマスクデータ作成装置
SE517345C2 (sv) * 1999-01-18 2002-05-28 Micronic Laser Systems Ab Metod och system för tillverkande av stora skärmpaneler med förbättrad precision
JP3812266B2 (ja) * 1999-02-18 2006-08-23 株式会社日立製作所 荷電粒子線描画装置及びパターン形成方法
JP3518400B2 (ja) * 1999-03-18 2004-04-12 株式会社日立製作所 電子線描画装置および電子線を用いた描画方法
JP3508617B2 (ja) * 1999-05-11 2004-03-22 株式会社日立製作所 電子線描画装置および電子線を用いた描画方法
US7444616B2 (en) * 1999-05-20 2008-10-28 Micronic Laser Systems Ab Method for error reduction in lithography
JP2003500847A (ja) * 1999-05-20 2003-01-07 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット リソグラフィに於ける誤差低減方法
JP2000340481A (ja) * 1999-05-26 2000-12-08 Jeol Ltd 電子ビーム描画装置における近接効果補正方法
JP2001135562A (ja) * 1999-11-05 2001-05-18 Hitachi Ltd リソグラフィ装置
US6421180B1 (en) * 2000-03-23 2002-07-16 Harris Corporation Apparatus for generating a laser pattern on a photomask and associated methods
US6618185B2 (en) * 2001-11-28 2003-09-09 Micronic Laser Systems Ab Defective pixel compensation method

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003054632A1 (en) 2003-07-03
SE0104131D0 (sv) 2001-12-10
EP1451641A1 (en) 2004-09-01
JP4563682B2 (ja) 2010-10-13
AU2002349857A1 (en) 2003-07-09
JP2005513548A (ja) 2005-05-12
CN1602450A (zh) 2005-03-30
CN1278187C (zh) 2006-10-04
US20050082496A1 (en) 2005-04-21
US7365829B2 (en) 2008-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60215852T2 (de) Defekt-pixel-kompensationsverfahren
EP2359194B1 (en) Image reading and writing using a complex two-dimensional interlace scheme
EP0956516B1 (en) Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
US5103101A (en) Multiphase printing for E-beam lithography
US7405414B2 (en) Method and apparatus for patterning a workpiece
US5635976A (en) Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
EP0364929B1 (en) Fabrication method of semiconductor devices and transparent mask for charged particle beam
JP4277138B2 (ja) リソグラフィ装置及び装置製造方法
US5308991A (en) Method and apparatus for making a predistorted reticle to compensate for lens distortions
JP2017511979A (ja) 多重荷電粒子ビームリソグラフィのためのピクセルブレンディング
CN101111850A (zh) 用于基于全局优化的无掩模光刻光栅化技术的方法和系统
US20050112474A1 (en) Method involving a mask or a reticle
JP2006527418A (ja) パターンの高精度印刷方法
JP2013543647A (ja) 光学シアリングのシステムと方法
JP2006165548A (ja) リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
JP3930411B2 (ja) 荷電ビーム描画装置及び描画方法
JP4087819B2 (ja) コンピュータ・プログラム、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
Lee et al. A rasterization method for generating exposure pattern images with optical maskless lithography
KR20040064712A (ko) 이미지 형성을 위한 방법 및 장치
US6924071B1 (en) Photomask and method for reducing exposure times of high density patterns on the same
JP4310991B2 (ja) レーザービームの補正方法及びレーザー描画方法
US6360134B1 (en) Method for creating and improved image on a photomask by negatively and positively overscanning the boundaries of an image pattern at inside corner locations
JP4250052B2 (ja) パターン描画方法、及びパターン描画装置
Newman et al. Evaluation of OPC mask printing with a raster scan pattern generator
US6819450B1 (en) Enhanced edge resolution and critical dimension linearity in lithography

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application