JPS60140735A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の技術分野 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に多層配線
の形成方法に関する。

従来技術と問題点 板に形成され−ｆｔ、、複数個の半導体素子を互いに接
続した半導体装置を製造する場合、その集積密度を増加
させるため多層配線を用いるのが一般的である。多層配
線では、下層金属と、それに隣接した上層金属間に層間
絶縁膜を形成する。

従来の半導体装置の製造方法では、下層金属の上に層間
絶縁膜を形成した後その上に上層金属を直接に形成して
いた。これを第１図に基いて具体的に説明すると次のよ
うになる。

即ち、基板ｌ上の第１層金属２．３の上に絶縁膜４をそ
の上に直接に第２鳴金属５を形成していた０ 従って、絶縁膜４に成長異常によるクラックやピンホー
ル６があると、第２啼金属５がその中に入シ込む。

この結果、第２囚の一点鎖線Ａで取囲んだように、第２
層金属どうし５と５′が短絡する。この順向は第２層の
金属どうし父、第１層の金属どうしが接近している程著
しくすなわち、半導体素子の集積密度が高い程顕著とな
る。

発明の目的 本発明の目的は、レジストを介して絶縁膜の上に第２層
金属を形成することによシ、＠間絶縁膜の状態にかかわ
らず高精度高歩留シの配線パターンを形成することにあ
る。

発明の構成 本発明によれば、第１層金属とのコンタクトホールが形
成された層間絶縁膜上に該コンタクトホールを包含する
開口を有する１４１のレジストパターンを形成し、該開
口を含み該レジストパターンの全表面に第２層金属を積
層し、該第２層金属上の該開口に対応する位置にｍ２の
レジストパターンを形成し、該第２のレジストパターン
をマスクにして該第２−金属をエツチングすることを特
徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

発明の実施例 以下、本発明を実施例によシ添付図面を参照して説明す
る。

第３図は本発明に係る半導体装置の製造方法の工程図で
ある。

先ず、第３図（１）に示すように、基板１０上に第１層
金属１１と、階間絶縁膜１２を形成し、更にコンタクト
ホール１６を形成する。その上にポジレジストＩ３を塗
布し、これに第２層金属用パターンを露光し、現像する
ことで第２層金属用レジストパターン１７を形成する。

次に、第２層金属１４を全面に形成する（第３図（２）
）口 この全面に形成された金属１４上に更に第２層用のレジ
ストパターンをネガレジスト１５で形成する（第３図（
３））。

その後、エクチングすることにより、第２層金属１４だ
けを残しボジレジス）１３、ネガレジス）１５を＠シ除
く（第３図（４））。

以上の工程によシ半導体装置は製造される。

発明の効果 上記のとおり、本発明によればｍｅｒｉｔ金属ｊ４金属
酸４に絶縁膜１２上にボジレジス）１３を形成するので
絶縁膜にクラックやピンホールが存在していても金属は
流れ込まず、従来のように金属どうしの短絡が生じない
で高精度高歩留シのパターンが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図と＠２図は従来技術の説明図、第３図は本発明方
法の工程図であるＯ １Ｏ・・・・・・基板、１１・・・・・・第１＠金属、
１２・・・・・・層間絶縁［Ｉ６！、１３・・・・・・
ポジレジスト、１４・・・・・・第２層金属、１５・・
・・・・ネガレジスト。 特許出願人 富士通株式会社 特許出願代理人 弁理士　青　木　朗 弁理士　西　舘　和　之 弁理士　円　１）幸　男 弁理士　山　口　昭　之 第　１図 第２図 第３図 １ｏ７　１１　１１，４ 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 鞘１層金属とのコンタクトホールが形成された層間絶縁
   膜上に該コンタクトホールを包含する開口を有する第１
   のレジストパターンを形成し、該開口を含み該レジスト
   パターンの全表面に第２層金属を積層し、該第２層金属
   上の該開口に対応する位置に第２のレジストパターンを
   形成し、該第２のレジストパターンをマスクにして該第
   ２瞥金属をエツチングすることを特徴とする半導体装置
   の製造方法。