JPS6197946A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6197946A JPS6197946A JP21963484A JP21963484A JPS6197946A JP S6197946 A JPS6197946 A JP S6197946A JP 21963484 A JP21963484 A JP 21963484A JP 21963484 A JP21963484 A JP 21963484A JP S6197946 A JPS6197946 A JP S6197946A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- interlayer insulating
- insulating film
- wiring layer
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体ウェハー表面上に多層配線を形成した
半導体装置の製造方法に関するものである０ 従来例の構成とその問題点 近年、半導体装置はますます小型化、高集積化され、そ
のため、半導体ウェハー表面上に配線を形成する際、絶
縁層を介して金属層が配置された多層配線が用いられる
。また最近はその多層配線構造の配線ピンチの減少、配
線相互結線用のスルーホールサイズの減少とその微細化
が進んでいる。
半導体装置の製造方法に関するものである０ 従来例の構成とその問題点 近年、半導体装置はますます小型化、高集積化され、そ
のため、半導体ウェハー表面上に配線を形成する際、絶
縁層を介して金属層が配置された多層配線が用いられる
。また最近はその多層配線構造の配線ピンチの減少、配
線相互結線用のスルーホールサイズの減少とその微細化
が進んでいる。
このような微細化された多層配線構造では、第２配線層
形成の際に、下地層の平坦度が十分ではないため、第２
配線層のステップ部での断線、エツチング残りによる配
線層間の電気的リークの問題が発生する。またスルーホ
ールでの急峻なステップによる配線層の断線、抵抗の増
加等の問題が発生する。このような配線層の断線、リー
ク等の問題を解決するため罠は、第２配線層下地層の十
分な平坦化及びスルーホールでのテーパー化が必要であ
る。
形成の際に、下地層の平坦度が十分ではないため、第２
配線層のステップ部での断線、エツチング残りによる配
線層間の電気的リークの問題が発生する。またスルーホ
ールでの急峻なステップによる配線層の断線、抵抗の増
加等の問題が発生する。このような配線層の断線、リー
ク等の問題を解決するため罠は、第２配線層下地層の十
分な平坦化及びスルーホールでのテーパー化が必要であ
る。
発明の目的
本発明の目的は、第１層配線を所定のパターンに形成し
たのち、第１配線層と第２配線層との層間絶縁膜を平坦
化したのち、ホトリングラフイ一工程により所定のパタ
ーニング後に適度な熱処理を加え、ガスプラズマによる
スルーホールをテーバ−状に形成し、第１層配線ステッ
プ部およびスルーホールステノブ部で起伏が小さく、平
坦度を高めた表面状態を得るようにした多層配線構造を
有する半導体装置の製造方法を提供することにある。
たのち、第１配線層と第２配線層との層間絶縁膜を平坦
化したのち、ホトリングラフイ一工程により所定のパタ
ーニング後に適度な熱処理を加え、ガスプラズマによる
スルーホールをテーバ−状に形成し、第１層配線ステッ
プ部およびスルーホールステノブ部で起伏が小さく、平
坦度を高めた表面状態を得るようにした多層配線構造を
有する半導体装置の製造方法を提供することにある。
発明の構成
本発明の半導体装置の製造方法では、半導体基板上の所
定域に形成された素子を第１配線層により相互配線した
のち、上記配線層上に酸化ンリコン属を形成し、続いて
感光性耐熱樹脂層を形成し、ホトリソグラフィー工程に
よりスルーホール形成のだめのパターンを形成したのち
、適度な熱処理を加え、前記感光性耐熱樹脂膜をエッチ
マスクとしてスルーホールのテーパーエツチングをガス
プラズマにより行ったのち、第２配線層を形成するもの
で、これにより、安定な多層配線構造を有する半導体装
置が形成される。
定域に形成された素子を第１配線層により相互配線した
のち、上記配線層上に酸化ンリコン属を形成し、続いて
感光性耐熱樹脂層を形成し、ホトリソグラフィー工程に
よりスルーホール形成のだめのパターンを形成したのち
、適度な熱処理を加え、前記感光性耐熱樹脂膜をエッチ
マスクとしてスルーホールのテーパーエツチングをガス
プラズマにより行ったのち、第２配線層を形成するもの
で、これにより、安定な多層配線構造を有する半導体装
置が形成される。
実施例の説明
以下に本発明の多層配線構造を有する半導体装置の製造
方法について製造過程順の断面形状を示す第１図〜第５
図を参照して詳しく説明する。
方法について製造過程順の断面形状を示す第１図〜第５
図を参照して詳しく説明する。
本発明では、先ず第１図で示すように、出発材料となる
半導体基板、例えば、Ｐ形シリコン基板１０表面上に、
第１配線層、例えばアルミ配線層と半導体基板上に形成
した素子（ここではその形成方法は省略）との層間絶縁
膜、例えばＣＶＤ法により形成した厚さ１μｍ程度の酸
化シリコン膜２を形成し、引き続いて第１アルミニウム
配線層３を蒸着したのち、ホトリソグラフィー工程によ
り配線パターンの形成を行う。
半導体基板、例えば、Ｐ形シリコン基板１０表面上に、
第１配線層、例えばアルミ配線層と半導体基板上に形成
した素子（ここではその形成方法は省略）との層間絶縁
膜、例えばＣＶＤ法により形成した厚さ１μｍ程度の酸
化シリコン膜２を形成し、引き続いて第１アルミニウム
配線層３を蒸着したのち、ホトリソグラフィー工程によ
り配線パターンの形成を行う。
第２図は、第１アルミ配線パターン３の形成後に、第１
層目の層間絶縁膜としてＣＶＤ法だより厚さ０．５μｍ
程度の酸化シリコン膜４を形成したのち、感光性耐熱樹
脂１例えばポリイミド系感光性樹脂を回転塗布法により
第２層目の層間絶縁膜６を形成する。さらに上記第２層
目の層間絶縁膜６上にホトリソグラフィー工程によりス
ルーホール形成用の穴６を第３図のように形成したのち
、適当な熱処理、たとえば ３５０ ’Ｃ＋ ’時間の
熱処理を行ったのち、上記第２層目の層間絶縁膜５をエ
ツチングマスクとしてガスプラズマエッチ法、例えばＣ
ＨＦ３と０２の混合ガスプラズマにより第２層目の層間
絶縁膜５と第１層目の層間絶縁膜４とをエッチ速度比１
対３程度で酸化シリコンのエッチを行い、第４図に示す
ように、スルーホール６の形状をテーパー状に形成する
。スルーボール形成に引きつづいて第６図のように第２
層目のアルミニウム配線層パターン７の形成を行う。こ
れにより、第１層目と第２層目との各アルミニウム配線
層は安定、確実に接続される。
層目の層間絶縁膜としてＣＶＤ法だより厚さ０．５μｍ
程度の酸化シリコン膜４を形成したのち、感光性耐熱樹
脂１例えばポリイミド系感光性樹脂を回転塗布法により
第２層目の層間絶縁膜６を形成する。さらに上記第２層
目の層間絶縁膜６上にホトリソグラフィー工程によりス
ルーホール形成用の穴６を第３図のように形成したのち
、適当な熱処理、たとえば ３５０ ’Ｃ＋ ’時間の
熱処理を行ったのち、上記第２層目の層間絶縁膜５をエ
ツチングマスクとしてガスプラズマエッチ法、例えばＣ
ＨＦ３と０２の混合ガスプラズマにより第２層目の層間
絶縁膜５と第１層目の層間絶縁膜４とをエッチ速度比１
対３程度で酸化シリコンのエッチを行い、第４図に示す
ように、スルーホール６の形状をテーパー状に形成する
。スルーボール形成に引きつづいて第６図のように第２
層目のアルミニウム配線層パターン７の形成を行う。こ
れにより、第１層目と第２層目との各アルミニウム配線
層は安定、確実に接続される。
発明の詳細
な説明した本発明の製造方法では、第１層アルミニウム
配線層と第２層アルミニウム配線層との層間絶縁膜を第
１層目の層間絶縁膜と第２層目の層間絶縁膜の２層構造
とすることによりピンホール等による絶縁不良を回避で
き、さらにその絶縁耐圧を著しく向上できる。また第２
層目の層間絶縁膜が回転塗布法による膜であるため、こ
れにより平坦度を著しく向上でき、かつ第２層目の層間
絶縁膜がそのまま、スルーホール形成用のエンチングマ
スクとなることより工程を簡素化できる。
配線層と第２層アルミニウム配線層との層間絶縁膜を第
１層目の層間絶縁膜と第２層目の層間絶縁膜の２層構造
とすることによりピンホール等による絶縁不良を回避で
き、さらにその絶縁耐圧を著しく向上できる。また第２
層目の層間絶縁膜が回転塗布法による膜であるため、こ
れにより平坦度を著しく向上でき、かつ第２層目の層間
絶縁膜がそのまま、スルーホール形成用のエンチングマ
スクとなることより工程を簡素化できる。
さらにスルーホールがテーパー状になっており、ステッ
プ部での断線等の問題の解決となる。
プ部での断線等の問題の解決となる。
すなわち、本発明の製造方法によれば、微細化の進んだ
多層配線構造を有する半導体装置の特性の向上と加工精
度、加工歩留の向上がはかれるところとなる。
多層配線構造を有する半導体装置の特性の向上と加工精
度、加工歩留の向上がはかれるところとなる。
第１図〜第５図は本発明の製造方法を説明するための製
造過程断面図である。 １・・・・・・Ｐ形シリコン基板、２・・・・・・ＣＶ
Ｄ法で形成した酸化シリコン膜、３・・・・・・第１層
目のアルミニウム配線層、４・・・・・・ＣＶＤ法で形
成した酸化シリ・コン膜、５・・・・・・感光性耐熱樹
脂で形成した第２層目の層間絶縁膜、６・・・・・・ス
ルーホール形成部、７・・・・・・第２層゛目アルミニ
ウム配線層。
造過程断面図である。 １・・・・・・Ｐ形シリコン基板、２・・・・・・ＣＶ
Ｄ法で形成した酸化シリコン膜、３・・・・・・第１層
目のアルミニウム配線層、４・・・・・・ＣＶＤ法で形
成した酸化シリ・コン膜、５・・・・・・感光性耐熱樹
脂で形成した第２層目の層間絶縁膜、６・・・・・・ス
ルーホール形成部、７・・・・・・第２層゛目アルミニ
ウム配線層。
Claims (1)
- 半導体基板上に、所定パターンで第１層配線層を形成
し、この第１層配線層を酸化シリコン膜でおおった後、
感光性耐熱樹脂を回転塗布法により塗布し、ホトリソグ
ラフィー工程によりパターニングを行った後、熱処理を
加えガスプラズマにより、前記感光性耐熱樹脂をエッチ
ングマスクとしてテーパー状にエッチし、前記感光性耐
熱樹脂を残したまま第２層配線層を形成することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21963484A JPS6197946A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21963484A JPS6197946A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6197946A true JPS6197946A (ja) | 1986-05-16 |
Family
ID=16738596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21963484A Pending JPS6197946A (ja) | 1984-10-19 | 1984-10-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6197946A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320852A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-28 | Toshiba Corp | 薄膜装置の製造方法 |
| JPH04313232A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-11-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高密度多層金属配線パターンをもつ集積回路構造及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-10-19 JP JP21963484A patent/JPS6197946A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320852A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-28 | Toshiba Corp | 薄膜装置の製造方法 |
| JPH04313232A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-11-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高密度多層金属配線パターンをもつ集積回路構造及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0418701B2 (ja) | ||
| JPH03244126A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6197946A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10163198A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS5932153A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH06244286A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61256742A (ja) | 多層配線構造体及びその製造方法 | |
| JPH06140397A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JPH0689895A (ja) | 平坦化方法 | |
| JPH04188850A (ja) | コンタクトホール及びその製造方法 | |
| JPS59175124A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0127689B1 (ko) | 다층 금속배선 형성방법 | |
| KR0126777B1 (ko) | 반도체 장치의 다층배선방법 | |
| JP2001351971A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH06349828A (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0488634A (ja) | 薄膜配線の形成方法 | |
| JPS6395649A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63226041A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS59163838A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6322067B2 (ja) | ||
| JPS60177652A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05251572A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH07211714A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61258448A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0590263A (ja) | 半導体素子における多層配線の形成方法 |