JPS60138553A

JPS60138553A - 静電写真感光装置の製造方法

Info

Publication number: JPS60138553A
Application number: JP59247864A
Authority: JP
Inventors: ケニス　エイチ　マツクスウエル
Original assignee: Xerox Corp
Current assignee: Xerox Corp
Priority date: 1983-12-01
Filing date: 1984-11-22
Publication date: 1985-07-23
Anticipated expiration: 2009-11-24
Also published as: US4543314A; JPH0695213B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、電子写真特に静電写真感光体装置の新規な製
造方法に関する。

（従来技術）ガラス質及びアモルファスセレン光導電材料は、一般の
電子写真の再使用可能な感光体に広く使用されている。

しがし、これら材料のスペクトル応答は、大部分、可視
スペクトルの前縁部分すなゎぢ、５２００オンクストロ
ーム以下に限られる。

セレンはまた三方晶系あるいは六方晶系セレンのような
公知の結晶形でも存在する。三方晶系セレンは、セレン
整流器の製造に使用する半導体技術において周知である
。

これまで、・三方晶系セレンは、暗所で比較的高い導電
性を有するために、ある場合には三方晶系粒子が電気的
活性有機材−料あるいはガラス質セレンといった他の材
料から成る母材に分散された結合剤の形態で使用されて
はいるけれども、一般には光導電層とじて電子写真に用
いられてはいない。

また、電気的活性有機材料の比較的厚い層で覆われた薄
い三方晶系セレンが層が有用な複合感光ｒｍ材を形成し
、この感光部材が従来のガラス質セレン型感光体よりも
優れたスペクトル応答及び感度を有することが知られて
いる。この装置お・よび方法は、例えば、米国特許第３
，９６１．９５３号に記載されている。三方晶系セレン
が使用される場合には、それが、結合剤に分散される場
合であっても、複合光導電体装置に発生物質として使用
される場合であっても、三方晶系セレンは、感光体が電
子写真処理において使用された後で、高い暗減衰を示す
。これは、疲労暗減衰と言われる。

また、電子写真処理で感光体が使用された後においては
、その感光体は、最初に受け容れた程多くの電荷を受け
容れない。疲労暗減衰は、感光体が少なくとも１回の電
子写真サイクルを完了し、電荷が消去され、再帯電され
た後に観測される暗減衰である。

三方晶系セレンを処理を行うことによって暗減衰を制御
する方法が米国特許第４，２３２，１０２号に記載され
ている。この方法によって優れた反復電荷受容性と制御
性を電子写真工程の初期及び像形成部材を循環した後の
いずれにおいてもすぐれた暗減衰を有する感光体用の処
理された三方晶系セレンが提供される。この処理方法は
、たとえば、洗浄済三方晶系セレンを０．６Ｎ水酸化ナ
トリウム溶液中で１時間攪拌し、その後固形分を沈でん
させ、該水酸化ナトリウム溶液中で１８時間放置する工
程を含んでいる。上層液は、デカントされ、保留される
。そして、処理済の三方晶系セレンはろ紙でろ過される
。保留された上層液はビーカー及ｄ漏斗をすすぎ洗いす
るのに用いられる。

三方晶系セレンは次に、強制通風を行うオーブンで約６
０°で１８時間乾燥される。全亜セレン酸ナトリウム及
び炭酸ナトリウムは、得られた混合物の中で、はぼ等モ
ルて三方晶系セレン重量の約１．０％である。

米国特許第４，２３２，１０２号に記載された特定の方
法で満足のゆく結果が得られるが、三方晶系セレンと水
酸化ナトリウムとを接触させるのに１８時間かかり、強
制通風乾燥するのに１８時間かかり、時間がかかりすぎ
る。さらに、最終処理済三方晶系セレンのす）　ＩＪウ
ム含有量は現実には予測できず、最終処理済三方晶系゛
セレン中のナトリウム含有量は最小重量％から最大重量
％まで約５２％変化する。さらに、ナトリウム添加セレ
ンが感光体装置に組入れられる前の保存中に水分を吸収
するという好ましくない事態が生じる。

（発明の目的）従って、本発明の目的は、上述の不利を解消する静電写
真感光体装置を製造することである。

さらに、本発明の目的は、三方晶系セレンを処理して暗
減衰を制御するより正確な方法を与えることである。

さらに、本発明の目的は、少い工数で三方晶系セレンを
処理し暗減衰を制御するエネルギー効率および時間効率
の良い方法を提供する昏とである。

さらに本発明の目的は感光体装置の混練混合物を組み入
れる前のす）　ＩＪウム添加三方晶系セレンの水分の吸
収を解消することである。

（発明の構成）上記目的は、炭酸ナトリウム、炭酸水素す）　ＩＪウム
、亜セレン酸ナトリウム、水酸化ナトリウムまたはこれ
らの混合物を含むす）　ＩＪウム添加物と三方晶系セレ
ン粒子、有機樹脂結合剤及び該結合剤用の溶媒を化合し
て混練混合物を形成し、該混練混合物を混練して均一な
分散体を形成し、なめらかな屑になるように該分散体を
基板に塗布しこの層を乾燥させることから成る静電写真
感光体装置を製造する、本発明によって達成することが
できる。ナトリウム添加物が濃厚水溶液の場合には、三
方晶系セレンの全重量の２０％の水を混練混合物に加え
る必要がある。その混練混合物は、三方晶系セレン粒子
の均質な分散体が平均粒径約０．０１マイクロメータか
ら約５マイクロメータになるまで混練される。粒径が小
さくなる稈結合剤層の光感度が増大し、混練中にナトリ
ウムにさらされる表面積が増大する。

ナトリウムが存在することが保存中に水分の吸収が生じ
る主な原因となり、本発明はそのようなす）　ＩＪウム
の存在にかかわらず、安定な予測可能な電気的相性を与
え、十分に処理時間を短縮するものであるということが
判明した。さらに、混練混合物中のかなりの水分を減少
させることができるとともに、これらを除去することも
できる。さらに本発明の方法によって、混練混合物中に
混入するナトリウム含有量の変化がなくなるとともに、
三方晶系セレンが、部材の帯放電前あるいは、部材が電
子写真の全工程を通して部材が循環した後のいずれにお
いても、すなわち、暗中で、帯電し、これを消去し、そ
の後再帯電するいずれの場合においても暗減衰について
、非受容的で望ましくない値を示さなくなる。

上述のように、本発明のドープされた混練混合物の代表
的な応用例には、粒子形態の三方晶系セレンと有機樹脂
に分散されたす）　ＩＪウム添加物を含む単一の光導電
層がある。これは、感光体装置そのものとして用いるこ
とができる。本発明の、製品の他の典型的な応用例には
作用的な少なくとも２つの層を備えた感光部材がある。

第１の局は上述の単一の光導電層から成る。この層は、
電荷担体を光発生させ、この光発生した電荷担体を隣接
する電荷担体移送層に注入する。第２の層は、電荷担体
移送層であり、この移送層は、有機ポリマーに分散され
たとき、その有機ポリマーを活性化する、すなわち、電
荷担体を移送することができる透明な有機ポリマーある
いは非ポリマー性材料を含んでいる。電荷担体移送材料
は使用範囲内において可視光線あるいは放射線に対する
吸収性のないものであるべきであるが、特定の三方晶系
セレン層からの光発生電荷キャリヤすなわち、ホールの
注入を許容し、これらの電荷キャリヤがその屑を介して
移送され、その層の自由表面上の表面電荷を選択的に放
電することを許容する点において″活性パを有する。

その活性材料は、全可視光線波長の範囲において透明で
あるものに限定する必要はない。たとえば、透明基板と
いっしょに使用される場合には、像形成露光は、光が活
性材料の眉すなわち、電荷移送層を通過することなくそ
の基板を通して行われる。この場合、活性層は、使用波
長範囲において、非吸収性である必要はない。可視範囲
において、活性材料に完全な透明性が要求されない適用
例としては、レーザから放射されるような狭いハンド幅
放射線の記録、スペクトルパターン認識及びカラーコー
ド化された形態複写のような、可能な機能的カラー電子
写真が挙げられる。

本発明のドープされた混練混合物は、支持表面に含まれ
る電気的に活性な電荷移送材料の第１の層、該活性層の
上に重なる本発明の光導電層及び該光導電層の上に重な
る電気的に活性の電荷移送材料を備えた像形成部材に使
用される。この部材は、米国特許第３．９５３，２０７
号にさらに十分に記載されており、その内容を参考のた
めに本明細書に組み入れる。

ドープ化され、乾燥した混練混合物を含む像形成部材は
、上に結合剤層を有する支持基層を備えている。該基層
は、好ましくは、任意の適当な導電材料を含んでいる。

代表的な導電材料は、アルミニラ１１、スチール、ニッ
ケル、黄銅等を含んでいる。該基板は、剛性または可撓
性を有し、通常の厚さを有する。典型的な基板としては
、可撓性ベルトすなわち、スリーブ、シート、ウェブ、
プレート、シリンダー及びドラムが挙げられる。該基板
すなわち、支持部材は、また、ペーパー基盤の上に薄い
導電性コーチインクを施したような複合構造、アルミニ
ウム、ニッケル、アルいハＥｌつ化銅、あるいは、クロ
ムあるいは、酸化ススの薄い導電性コーティングでおお
われたガラスとすることもできる。さらに必要ならば、
電気的に絶縁性の基板を用いることもできる。この場合
、電荷は、従来周知の２重コロナ帯電技術によって該イ
、偽色縁材上に配置される。

絶縁性基板あるいは、基板とは別の絶縁物を用いる他の
変更例としては、バッキング部材に接触しながら表面の
充電中に導電バッキング部材すなわちプレート上に像形
成部材を配置することが挙げられる。像形成の後、像形
成部材は、導電性バッキングからハクリされる。

結合剤層は、三方晶系セレン重量の約２　ｐｐｍがら約
２．５％のナトリウム量の炭酸ナトリウム、炭酸水素ナ
トリウム量ウームン酸ナトリウム、水酸化す）　ＩＪウ
ムあるいはこれらの混合物で処理された三方晶系セレン
粒子を含む。三方晶系セレン重量に対して約２　ｐｐｍ
以下のナトリウムが混練混合物に加えられる場合には、
結合剤は、ドープされない結合剤層のような挙動をし始
める。三方晶系セレンの重量の約２．５％重量のナトリ
ウムを越えるす）　ＩＪウム含有量がある場合には、湿
度感度、アルミニウム導電層のピット及び結合剤層の接
着力の減退が重大なレベルに近づく。三方晶系セレン粒
子は、結合剤中できまった方向性を有しない状態で分散
している。

結合剤層の結合材料には、米国特許第３．１２１．００
６号に開示されているように、任意の適当な電気的絶縁
樹脂を含めることができ、上記米国特許は、参考のため
に、その内容を本明細書に組入れている。その結合剤材
料は、また、ダウケミカル社から堤供されており、それ
は、ポリ塩化ビニルとポリビニリデンクロライド及びポ
リスチレンポリマーとポリビニールブチラルポリマーと
の共重合体である。電気的に活性のないすなわち、絶縁
性の樹脂を使用する場合には、光導電性粒子間の粒子間
接触があることが重要である。このため、光導電材料は
結合剤層の体積の少なくとも約１５％存在することが必
要となる。この場合、結合剤中の光導電体の最大量の制
限はない。母材ずなわち、結合剤が活性材料たとえば、
ポＩＪ　Ｎビニルカルバゾールを含む場合には、導電層
は結合剤層の体（Ｌ′１の約１％以下の量が含まれるだ
けである。この場合、結合剤層中の光導電体の最大値は
制限されない。結合剤の厚みは重要でない。約０．０５
マイクロメータから約４０．０マイクロメータまでの層
厚さが良いとされている。

好ましい材料としては、炭酸す）　ＩＪウム、炭酸水素
ナトリウム、亜セレン酸ナトリウムあるいはこれらの混
合物がある。三方晶系セレンの重量の約２　ｐｐｍから
２．５％重量のナトリウムがある場合に十分な結果が得
られる。これらの材料の最も好ましい全体の量は、ナト
リウム含有量が、混練混合物中の三方晶系セレンの重量
の約５　ｐｐｍから約１％であるような場合である。こ
れは、ポリＮビニルカルバゾルのような電気的に活性な
結合剤を用いる場合の最も好ましい量である。しかし、
この量は、もし結合剤として電気的に活性のないものが
使用される場合には、変化する。好ましくは、基板を電
荷発生層との間に接着性電荷ブロック層か存在する。

三方晶系セレン粒子の好ましい粒径は、約０．０１マイ
クロメータから約５マイクロメータである。

三方晶系セレン粒子の最も好ましい粒径は約０．０３マ
イクロメータから約０．５マイクロメータである。

さらに他の実施例では、像形成部材は、結合剤１１４と
該結合剤層の上に重なって位置する電荷移送層を有する
支持基板を備えている。該基板は上述のものと同じ材料
から成る。結合剤層は、また、−上述のものと同じ構造
を有する。

活性電荷移送層は三方晶系セレン結合剤層から光発生し
たホール及び電子の注入を支持し、該有機層を介してこ
れらのホールあるいは電子の移送を許容し選択的に表面
電荷を放電することができる任意の適当な透明有機ポリ
マーあるいは非ポリマー材料を含む。

この特性たとえば、ホールの移送能力を有するポリマー
は、多環式芳香族炭化水素の反復単位を含むことがわか
っており、これには、たとえば、窒素、酸素あるいはイ
オウといったベテロ原子も含まれる。代表的なポリマー
には、ポ１）−Ｎ−ビニルカルバゾル、ホＩＪ　−１−
、ビニルピレン、ポリ−９−ビニルアントラセン、ポリ
アセナフクレン、ホ＋ｊ　−９−（４−ペンテニル）−
力ルハゾル、ポリ−９−（５−ヘキシル）−力ルパソル
、ポリメチレンピレン、ポリ−１−（ピレニル）−フタ
ジエン、ピレンのＮ置換高分子アクリル酸アミド、Ｎ、
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（フェニルメチル）
−Ｎ、１’−ビフェニル：］−］４．４’−ジアミンＮ
、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェ
ニル）−２，２’−ジメチル−１，１′−ビフェニル−
４，４′−シアチン、等が含まれる。

活性層は、ホールあるいは電子を移送するだけでなく光
導電層を摩耗あるいは化学作用からまもり、これによっ
て、感光像形成部材の寿命を伸ばす役割を果たす。

活性層が透明であることが必要な理由は、はとんどの入
射する放射線が、効果的に光発生させるための、下側に
配置された電荷担体発生層によって活用されるようにな
っているためである。

電荷移送層はなくともよいが、もしあれば電子写真に使
用される波長の光、例えば、４０００オングストローム
から８０００オングストロームの光にさらされたとき放
電する。それ故、電荷移送層は光導電体が使用される範
囲における放射線に対してほぼ透明である。従って、活
性電荷移送層は、発生層から光発生したホールの注入を
支持するほぼ非導電性材料である。透明基板とともに使
。

用される場合には、像形成露光は、箔板を介して行われ
る。この場合、すべての光は基板を通過する。この場合
、活性材料は使用波長範囲内で吸収性である必要はない
。本発明の発生層に接続された活性層は、活性移送層上
に位置した静電荷が、照明がないときには、すなわち、
静電潜像の形成及び保持を防止するのに十分な場合には
導電性を有しない程度に絶縁体である材料である。

一般に、活性層の厚さは、約５から１００マイクロメー
タであるが、この範囲を越えても良い。

活性層と電荷発生層の厚さの比は約２：１から２００　
：　ｌ及びある場合には、４００　：　１の大きさに維
持される。しかし、これを越える厚さの比を用いること
もできる。

活性層は、電気的活性のないポリマー材料中に分散され
、これらの材料を電気的に活性化する添加剤として有用
な活性化化合物を含んでいる。これらの化合物は、発生
材料からの光発生ホールの注入を支持することができる
とともにこれらのホールを通じて、ホールを移送を許容
することができるポリマー材料に付加することができる
。これによって、電気的に活性のないポリマー材料を、
発生層からの光発生したホールの注入を支持し、活性層
を通じてこれらのホールの移送を許容して活性層の表面
電荷を放電することができる材料に変換することができ
る。

好ましい結合剤層としては、電気的に活性のない樹脂材
料を含み電気的に活性のある層であるものが含まれる。

たとえば、１つ以上の以下の化合物を添加することによ
って電気的に活性化されたポリカーボネートが挙げられ
る。：ポリーＮ−ビニルカルバゾル、ポリ−１−ビニル
ピレン、ポリ−９−ビニルアントラセン、ポリアセナフ
タレン。

ポリ−９−（４−ペンテニル）−力ルバゾル、ポリ−９
−（５−ヘキシル）−力ルバゾル、ポリメチレンピレン
、ポリ−１−（ピレニル）−ブタジェン、ピレンのＮ−
置換ポリマーアクリル′酸アミド、Ｎ、Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ、Ｎ’−ビス（フェニルメチル）−Ｎ、ｌ’−ビ
フェニル〕−４゜４′−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ。

Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル＞−２，２’−ジメチ
ル−１，１′−ビフェニル−４，４′ジアミン等。

さらに他の実施例では、上記の移送層と発生層との組合
わせを米国特許第３，０４１，１６７号に記載される像
形成方法に関する有用性を持つように修正することがで
きる。この修正は、以下の構造を含む：（１）任意の支
持体、例えば、有機物、無機物、（２）該支持体上に塗
布される注入接触体、例えばカーボン、二酸化セレン、
金等、（３〕該油注入接触と電気的に密着する移送層、
例えば、本明細書で開示された任意の１つ以上の電荷移
送分子を含むポリカーボネート、（４）該電荷移送層と
接触する電荷発生層を含む処理済三方晶系セレン、及び
（５）該電荷発生層上に塗布された絶縁層。この絶縁層
は、例えば、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリア
クリレート等のような有機ポリマーあるいはコポリマー
である。ポリマー層の厚さは重要ではなく、約０．０１
マイクロメータから約２００マイクロメータの範囲とす
ることができる。

基板と電荷移送層の間には、電荷注入接触体がなければ
ならない。これが満たされるかぎり、使用される粒子材
料は、重要ではない。

誘電層すなわち、有機ポリマーは、三方晶系セレン層上
に塗布されている。多くの像形成方法はこの形式の光導
電体を用いることができる。これらの方法の例は、［フ
ォトグラフィックサイエンスアンドエンジニアリングＪ
Ｖｏ１．１８　、　Ｎｏ、３、ｐｐ、２５４〜２６１．
５月／６月１９７４に記載されている。

像形成方法では、多くのキャリヤすなわち中立極性の特
性を有する導電体の注入が必要とされる。

また、この方法では、多量の光を吸収するシステムが必
要となる。

上記のすべての電荷移送層において、電気的活性のない
ポリマー材料を電気的に活性にする活性化化合物は約１
５〜７５重量％なければならない。

好ましい電気的不活性材料は、約２０，０００から１０
０．０００、さらに好ましくは約５０．０００から１０
０，０００の分子量を有するポリカーボネート樹脂であ
る。電気的不活性樹脂材料として極めて好ましい材料は
、ポＩＪ（４，４’−ジプロピリデンージフエニレンカ
ー　ボネート）で、約３５．０００から４ｆ）、０００
の分子量を有しジェネラルエレクトリックカンパニーか
らレクソン１４５として提供されるもの、ポリ゛（４，
４’−イソプロピリデン−フェニレンカーボネート）で
あって、４０．０００から４５．０’００の分子量を有
し、ジェネラルエレクトリックカンパニーからレクソン
１４１として提供されるもの、ファーベンファブリッケ
ンベイヤΔ、Ｇ、からマクロロンとして提供される分子
量約５０，０００から約１００．０００のポリカーボネ
ート、及びモーベイケミカルカンパニーからマーロンと
して提供される分子量約２０．０００から５０，０００
を有するポリカーボネートを有するポリカーボネート樹
脂である。

また、上述のように、活性層は、光発生電子移送材料、
例えば、トリニトロフルオレノン、モル比１：１のポＩ
Ｊ　−Ｎ−ビニルカルバゾル／トリニトロフルオレノン
等を含む、移送層の」−を覆う発生層のような電気的活
性結合剤の中に分散される光導電材料として、亜セレン
酸ナトリウム及び炭酸ナトリウムを含まない三方晶系セ
レンを含む感光体の残留暗減衰及び暗減衰疲労特性は、
米国特許第４，２３２，１０２号に記載されてふり、こ
の開示内容は全体として参照のために本明細書に組入れ
られている。この部材を、米国特許４．２３２，１０２
号の実施例Ｖに述べられているような方法でつくった。

負帯電コロナ濃度は約１．２Ｘ１０−’ｃ／ｍ’及びこ
の部材の厚さは約２５ミクロンであった。この部材を帯
電させる前に１５時間暗中で放置した。次に、この部材
を帯電し、帯電後０．０６秒後に測定した最初の最高電
圧が１２８０ボルトであった。０．２２秒後、感光体は
、暗中に保持したままであったが、放置暗減衰は６０ボ
ルト、すなわち、表面電位は１２２０ボルトに下った。

０．６６秒後、表面電位は、１１４０ボルトで１４０ボ
ルトの暗減衰を示した。

暗減衰疲労は、上述のように１２８０ボルトまで帯電さ
せ、露光してその電荷を消去し、次に再帯電させること
によって、測定した。帯電後、０．０６秒後で１１００
ボルトと測定された。この値は、１８０ボルトであり、
部材が放置暗減衰テストで最初に帯電させることができ
たものより小さい。約０．２２秒間暗所に放置した後、
放電して、９２０ボルトになった。この値は、暗減衰疲
労が１８０ボルトであることを表わしている。

０．６６秒後、その部材は、放電して７７０ボルトとな
り、３３０ボルトの暗減衰疲労を示した。

この暗減衰疲労は、帯電後０．２２秒と０．６６秒との
間の表面電位変化及び帯電後０．２２秒における表面電
位の比のパーセンテージとして表現するのが便宜である
。１つの例では、これは、放置暗減衰及び暗減衰疲労に
対して、それぞれ８％および１６％となる。

最初の、すなわぢ１５時間暗所放置後の部材の表面帯電
電位は、ドープされた部材に対しては、１電子写真サイ
クルの後の部材表面の帯電電位とほとんど同じである。

しかし、セレン化合物やカーボネートを含まない三方晶
系セレンに対するこれらの表面電位の値には測定可能な
差がある。言い換えれば、放置暗減衰と暗減衰疲労との
ちがいは、修正しない場合には高く米国特許４．２３２
．１０２に開示された技術により修正した場合には低く
なる。

米国特許第４，２３２，１０２号に記載された他の例で
は、例えば修正されない三方晶系セレンでは放置対疲労
暗減衰部材について帯電後０．０６．０．２２及び０．
６６秒で表面電位にそれぞれ１８０．３００及び３７０
ボルトの差が観測された。しかし、米国特許４，２３２
，１０２号に開示された方法によって形成されたセレン
化合物及びカーボネートを含む三方晶系セレンの例は実
験的測定誤差程度しかなくほとんど差がなかった。

従って、米国特許４，２３２，１０２号の示すところに
よって、亜セレン酸ナトリウム及び炭酸ナトリウムで三
方晶系セレンを変化させることにより、疲労後の変性三
方晶系セレンを用いた感光体の表面電位は、非変性疲労
三方晶系セレン含有感光体の表面電位よりも大きくなる
ということがわかる。すなわち、米国特許第４．２３２
．１０２号の疲労変性部材は、少い電荷しか受容しない
疲　′労非変性部材に比較して、放置したとき受け容れ
る非変性部材とほとんど同じぐらい多くの電位を受け容
れる。また、放置及び疲労暗減衰は、非変性部材の放置
及び疲労暗減衰に比較して暗中０．０６秒、０．２２秒
、及び０．６６秒後において、非変性部材よりも大きい
。

光導電材料として、変性及び非変性三方晶系セレン含有
部材の光発生放電曲線（ＰＩＤＣ）が、また米国特許４
，２３２，１０２号に開示されている。このＰＩＤＣ曲
線は、表面電位と感光体の露光をエルグ／　ｃ＋＋ｔで
示している。各個のＰＩＤＣは２つの異なる時期すなわ
ち露光後、０．０６．０．５秒及び露光の後に取ったも
のである。露光ステーションは、３０インチ／秒（７６
，２センチ／秒）の感光体処理速度に対して帯電後約０
．１６秒だけ離れている。ＰＩＤＣ曲線から、それらが
時間に関して大きく変化していることから非変性三方晶
系セレンを含む感光体が不安定であるということが明ら
かである。変性三方晶系セレンを含む感光体のＰＩＤＣ
曲線は時間に関して安定している。ずなわち、そのＰＩ
ＤＣ曲線は、露光後０．０６秒と露光後０．５秒との間
の時間で僅かに変化するだけである。事実、変性三方晶
。

系セレンを含む感光体のいくつかのＰ、ＩＤＣ曲線には
、露光後０．０６秒に対するＰＩＤＣと露光後０．５秒
に対するＰＩＤＣとが同じであるので、変化しないもの
がある。それ故、米国特許４．２’３２，１０２号の技
術を使用して、感光体に含まれる三方晶系セレンを変性
することにより、暗減衰を除去、あるいは少なくとも制
御してこれらの変性部材のＰＩＤＣ曲線が安定化される
結果となっている。仮に、装置がベルト状の感光体を使
用するように−なっており、その感光体が非変性三方晶
系セレンを含んで使用される場合には、像の品質は、貧
弱なものとなるだろう。フラッシュ露光の後、現像領域
に進むと、ベルト上の静電潜像の先端は像の後端よりも
前に現像領域に入る。

この非変性部材のＰＩＤＣは時間の関数として変化する
ので、感光体の先端でのＰＩＤＣは、後端のＰＩＤＣと
異なる。それ故、現像されるときの静電潜像は、非受容
的になっている。ＰＩＤＣは、像の１端から他端に向っ
て非受容的に変化する。

しかし、この効果は、感光体の処理速度の関数として変
化する。すなわち、速度が増大する程、その効果は、大
きくなる。このことは、米国特許第４．２３２，１０２
号に記載される光導電材料のような変性三方晶系セレン
を含む感光体が使用される場合には生じない。この部材
のＰ［ＤＣ曲線は時間の関数として変化しないからであ
る。後者の場合には、良好な印刷特性がもたらされる。

米国特許第４．２３２．１０２によれば、上述の例のす
べての感度は亜セレン酸ナトリウムと炭酸す）　ＩＪウ
ムの重量パーセンテージの関数である。

さらに、暗減衰は、また、これらの添加剤の量の関数で
ある。従って、添加物の量により、ＰＩＤＣ曲線は安定
なものとなり、時間に関して変化のないものとなる。

亜セレン酸ナトリウム及び炭酸ナトリウムを三方晶系セ
レンに導入する米国特許第４．２３２．１０２号の好ま
しい方法は、三方晶系セレンを水酸化ナトリウムで洗浄
する工程を含んでいる。Ｎａ叶洗浄を行なう前、三方晶
系セレンは、２０ｐｐ’ｍ以下の全ナトリウムと２０ｐ
ｐｍ以下の他の金属不純物を含んでいる。代表的な二酸
化セレン系及びセレン酸の量は２５０ｐｐｍ以下である
。Ｎ　ａ　ＯＩＩで三方晶系セレンを洗浄することによ
り２酸化セレンとセレン酸が亜セレン酸ナトリウムに変
わり、水酸化物が一定の三方晶系セレン自体と反応して
亜セレン酸ナトリウムと炭酸ナトリウムとなる。亜セレ
ン酸ナトリウムと炭酸ナトリウムの量は、水酸化ナトリ
ウムの濃度を変化させることによって変化する。

余剰の水酸化す）　ＩＪウムは除去され、残った亜セレ
ン酸ナトリウム及び炭酸ナトリウムの量によって三方晶
系セレンの電気的な特性が変化する。米国特許第４，２
３２，１０２号の好ましい亜セレン酸す）　ＩＪウム及
び炭酸ナトリウムは存在する三方晶系セレンの全重量を
基準としてほぼ等量の重量割合での合計重量で０．０１
％から１．０％の範囲にある。

米国特許第４，２３２，１０２号に記載された特定の方
法には、０．６Ｎの水酸化す）　ＩＪウム溶液で１時間
半、洗浄された三方晶系セレンを攪拌し、固形分を沈殿
させ、１８時間その水酸化ナトリウム溶液と接触状態に
保持するという工程が含まれている。上層液はデカント
され保留される。

そして、処理済三方晶系セレンは口紙で口過される。保
留された上層液は、ビーカー及び口斗をすすぎ洗いする
のに使用される。三方晶系セレンは、その後強制通風オ
ーブンで１８時間６０℃で乾燥される。同じ濃度の水酸
化す）ＩＪウム溶液と攪拌洗浄を行ったとしても、口過
され乾燥ドープされた三方晶系セレンのナトリウム含有
量は作業に応じて次第に大きく変化することが観測され
ており、１１回の連続作業で最小ナトリウム含有量がら
最大ナトリウム含有量まで５２％も変化することが観測
された。口過され、乾燥されドープされた三方晶系セレ
ンは通常将来の処理のために貯蔵されるので、乾燥され
ドープされる主方晶系セレンは、電気的及びその他の最
終製品の特性を予測すること困難にさせるようないろい
ろな量の水分を吸収する。

これと対称的に、不発的の方法は、単に炭酸ナトリウト
、炭酸水素ナトリウム、亜セレン酸ナトリウｌ８、水酸
化ナトリウムあるいはこれらの混合物における形態のナ
トリウムの三方晶系セレン粒子の混合物に対する既知の
量、有機樹脂結合剤及び任意の望ましい順序で結合剤に
対する溶媒とを加えて混練混合物を形成し、その混練混
合物を混練して均一な分散体を形成し、この分散体をな
めらかな層として基板に塗布し、該層を乾燥させること
が要求されるだけである。混練混合物中・の水分の相対
的な量は米国特許第４，２３２，１０２号に記載された
特定の方法に使用されるよりもかなり少く、割愛するこ
ともできる。混練混合物に加えられるナトリウムの既知
の全量が最終製品に残るので、ナトリウム含有量の重量
パーセントは予測することができ、作業に応じて変化し
ない。

そして、三方晶系セレンが結合剤と混練されるまでドー
プされない形態で保持されるので、混練混合物中のナト
リウム化合物、もしあれば、水分含有量は常に既知であ
り、全体的に、最終製品の電気的及びその他の特性につ
いて制御することができる。混練混合物に加えられるす
）　ＩＪウムの量は、混練混合物中に存在する三方晶系
セレンの全重量を基準としてナトリウム重量で約２ｐｐ
ｍから２．５％である。さらに、本発明の方法によって
すｌ−ＩＪウムを最小にして暗減衰を制御することがで
きる。

たとえば、三方晶系セレンの重量の５ｐｐｍから約１％
のナトリウム重量が最適である。ナトリウム含有量を最
小にすることは、電荷発生層の下に重なる金属基板への
接着力を増大させる。相対湿度が高い場合には、ナトリ
ウム含有層はピッティングを起こしやすくなる。このピ
ッティニ／りは、アルミニウムのような下に重なる反応
性金属基層とナトリウムとの反応によると信じられてい
る。ドープされた三方晶系セレン中のす）　ＩＪウムの
減少はこの効果を最小にする。

攪拌洗浄、接触浸漬、デカント、口過、乾燥及び貯蔵か
ら成る米国特許第４，２３２．１’０２号に記載された
特定の多段処理工程を用いる代りに混練混合物にドープ
材料を直接加えることによって、ナトリウム含有量変化
、貯蔵中の湿気の吸収保持、多数の処理工程及び接触困
難性が最小になり、あるいは、全体的に解消される。

最初の混練混合物は、余分な水分があると混練速度及び
作動停止といった最終感光体の電気的挙動に悪影響を与
えるので、水分は全三方晶系セレンの約２０重量％以下
、さらに好ましくは、約１０重量％以下でなければなら
ない。最初の混練混合物に含まれる水分が約５％以下で
ある場合には好ましい結果が得られる。たとえば、１０
，０００ザイクル試験において、混練混合物の水分含有
量が三方晶系セレンの全重量の約５％を越える場合には
、感光体サンプルのサイクル中にふいて、背景電圧と残
留電圧との両方が増大し始める。従って、もし、濃厚ナ
トリウム塩溶液あるいは、濃厚水酸化ナトリウム溶液が
用いられる場合には、水溶液の濃度は、好ましくは、三
方晶系セレン、ポリマー及びポリマーのための溶媒の混
合物に加える余水の量が、好ましい結果を得るため、最
初の混練混合物中における三方晶系セレンの重量の５％
以下である必要がある。最初の混練混合物中の三方晶系
セレンの重量の約５％以下であることは、最良の混練速
度と最終感光体の電気的挙動安定性が得られるので、最
適であると考えられている。

ナトリウム添加物（カーボネート、パイカルボネート、
セレン化合物、及び水酸化物）はすべて水溶性であるの
で、これらの添加物の濃厚水溶液は、磁気攪拌棒、プロ
ペラ、超音波ミキサ等を用いて攪拌する任意の従来の技
術で効果的に調整することができる。必要ならば、無水
の形態で混線混合物にナトリウム塩を加えることができ
、そうすれば、水分の存在を完全に排除することができ
る。

これらの添加物は、任意の望ましい順序で三方晶系セレ
ン及び溶媒中で溶解する上記のような任意の結合剤と化
合して混練混合物を形成する。また、必要ならば、その
混練後に付加的な結合剤又は溶媒を混練混合物に加えて
もよく、これによってコーティングを促進することがで
きる。

結合剤溶液の約１重量％から２ｏ重量％のポリマーを含
んでいる場合には、満足のゆく結果が得られる。ポリマ
ー溶液の濃度が約２０％を越えると粘性が高くなり過ぎ
て混練効率が悪くなる傾向が生じる。典型的な結合剤溶
液は、約２０重量％のポリマーと約８０重量％の非水溶
媒から成る。

混練する三方晶系セレンを分散させるのに通常は十分な
結合剤が用いられる。付加的な結合剤を混練後コーティ
ングの前に加えることもでき、接着性のある乾燥結合剤
層を確保することができる。

混練混合物に対して使用される溶媒の量を選択するに当
って考慮すべき要素は、コーティング乾燥時間、結合剤
の粘性、混練時間等である。適当な結合剤よ溶媒組上の
組み合わせには、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾル及びテト
ラヒドロフラン／トルエン：ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾ
ルとメチルエチルケトン／トルエン：ポリ〈ヒドロキエ
ーテル）Ｗｌｌｔ（ユニオンカーバイドコーポレーショ
ンカラ提供されるＰＫＨ）ｌ）とメチルエチルアセトン
／メチルエチルケトン：等が含まれる。結合剤溶媒は非
水性でナトリウム添加剤に関して不活性でなければなら
ない。ナトリウム添加物が水に溶解して混線混合物のた
めの濃厚溶液を形成する場合には、結合剤溶媒の少なく
とも１つが水と混和性を有することが最良の結果を得る
ために一般には好ましい。混練混合物に非水性結合溶媒
、無水ナトリウム添加剤及び乾燥非ドープ化三方晶系セ
レンを使用したことによって、水の存在及びこれに伴う
問題を混練混合物及び最終結合剤から完全に除去するこ
とができる。

混練混合物は、平均粒径約０．０１マイクロメータから
約５マイクロメータの三方晶系セ、レン粒子の均一な分
散体が形成されるまで任意の適当な手段によって混練さ
れる。適当な混線手段には、アトリッター、ボールミル
、サンドミル、振動ミル、ジェット超微粉砕機等が含ま
れる。混線に必要な時間は、使用される混練手段のアト
リックは操作が簡単で、入手が容易でしかも耐久性を有
するので、ア）ＩＪフック望ましい。混練に必要な時間
は、使用される混練手段の効率のような要因による。添
加剤を混練の完了後であって混練混合物をノ１（板に塗
布する前にスラリに付加して結合剤層を形成すると、暗
減衰特性僅かな変化が生じるので、添加剤は、混練工程
の中間より前に、最も良い結果を得るためには、混練開
始のほぼ直前に添加するのが望ましい。混練中に三方晶
系セレン粒子上の十分に新たにつくり出された表面が混
練工程中にナトリウムと接触しなければならないとされ
ている。最初の粒径が約０．５マイクロメータからＩＯ
マイクロメータの場合に、満足のゆく結果が得られる。

三方晶系粒子は、しかし、平均粒径が約０．０１マイク
ロメータから約５マイクロメータになるように、そして
三方晶系粒子の粒径の減少が約２から約５０分の−にな
るように十分に混練することが重量である。好ましくは
、混練された粒子化三方晶系セレンは粒径約０６０３マ
イクロメータから０．５マイクロメータの範囲にある。

粒径範囲及び粒径減少因子　は、三方晶系セレンが体積
比に対して十分に新しいつくり出された表面を有して効
果的なドーピングを達成するという点において重要であ
る。これによって暗減衰の表面成分が制御される。約１
６時間から２４時間の混練時間でアリツタ−を用い、そ
して平均出発三方晶系セレン粒子の粒径が約０．５マイ
クロメータから約５マイクロメータである場合にすぐれ
た結果を得ることができる。

この混練された混合物は基板に塗布され任意の適当な周
知の従来技術によって乾燥される。代表的なコーティン
グ処理工程としては、スプレー、バーコーティング、ワ
イヤ巻ロッドコーチインク、ディンプコーティング等が
あげられる。代表的な乾燥技術には、オーブン乾燥放射
熱乾燥、強制通風乾燥等があげられる。

本発明の混練方法は、混練された混合物から形成された
結合剤層の暗減衰を制御するように混練混合物をドープ
する簡単で正確な技術を促供している。このことは、炭
酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、亜セレン酸す）　
ＩＪウムあるいは、水酸化す）　ＩＪウムを混練後に三
方晶系セレノに加えることによっては、本発明の方法で
達成される電荷受容性の大１１］な改善及び暗減衰の減
少を図ることができなかったという事実からみてまさに
右どろくに値する。

（好ましい実施例の説明）以下の例は、さらに、本発明の三方晶系セレンを調整す
る例示的な方法を明らかにし、説明し、比較するもので
ある。部及びパーセンテージは、指示しない限り、重量
である。実施例は、いくつかの比較例を除き、本発明の
種々の好ましい実施例を説明するためのものである。

例　１１２７マイクロメータ厚さのアルミ被覆されたマイラ（
１４ｙｌａｒ　）基板をメチレンクロライドですすぎ洗
いをした。基板を室温で乾燥した。湿度が２０％以下で
温度が２８℃のグローブボックスの中で、基板をバード
塗布装置を用いクロロホルムとトリクロロエタンの比が
４：１（体積）のデュポン４９．０００接着剤０．５％
の層で約１２．７マイクロメータの濡れ厚さになるよう
に被覆した。

この結果として生じた境界層を、約１分間グローブボッ
クス内で及び約１０分間オブンで乾燥した。

混線混合物懸濁液を、テトラハイドロフランとトルエン
との５０：５０重量混合物の２２００グラム中に純粋な
ポリ−Ｎ−ボニルカルバソールを２８８グラム溶解し、
その後、最初の平均粒径約１マイクロメータを有する三
方晶系セレンを加えることによって調整した。この懸濁
物を平均粒径約３　ｍｍのステンレス鋼球を有するＩｓ
アリツク＝（ユニオンプロセスＣｏ、から市販）の中で
混練した。この混合物をアリツタ−の中で約１６〜２４
時間混練して、平均粒径０．０５マイクロメークの処理
済三方晶系セレンを形成した。混練後、テトラヒドロフ
ランとトルエンの５０：５０ｍｆｆ１混合物６６４５中
に溶解した付加的な純粋なポリ−Ｎ−ビニルカルバゾル
５７８グラムを混練した混合物に加えた。この混合物を
攪拌して均一にし、上記の境界層にバードアプリケータ
によって塗布し、濡れ厚さが２６ミクロンの層を形成し
た。この被覆部材を真空下で約１６時間、１００℃てア
ニールして乾煙厚さ２マイクロメータの層を形成した。

ファベンファブリケンベイヤへ、Ｇ、から提供さレル分
子、ｂｔ約５０．０００カラ１００．　Ｏ’００ノボリ
カーボネート樹脂（マクロロン）とメチレンクロライド
に溶解して１５重量％の溶液を形成したＮ、Ｎ’−ジフ
ェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［：
１．１’−ビフェニル〕−４，４′−ジアミンとの５０
−：　５０重量混合物を塗布して、電荷移送層をこの電
荷発生層上に形成した。この組成物をパードアプリケー
クで発生層のｍ部に被覆し真空下で約１６時間、約８０
°の温度で乾燥した。

この感光体の発生層は、ナトリウム添加物、を含まない
ものであるから以下の例の比較例である。

例　ＴＩ例１の手順を反復し、同じ材料を使用した。ただし、炭
酸す）　ＩＪウムの２モル水溶液を混練する前に混練混
合物懸濁物に加えた点は別である。水に、無水炭酸ナト
リウムを１０．６グラム溶解して全体の体積を１００ミ
リリツトルとして、上記の２モル炭酸す）　ＩＪウム水
溶液を調整した。混練前に、２モルの炭酸す）　ＩＪウ
ム水溶液８．４ミＩＪリツトルを例■で説明した混練混
合物懸濁物３９８グラムに加え、三方晶系セレン重量の
０．１重量％のナトリウム濃度を有する混合物を形成し
た。

例　■ 例Ｈの手順を繰返した。ただし、ナ）　ＩＪウムカーボ
ネートの２モル水溶液１６．９ミ’）’）ツクを混練前
に、例Ｉに示したように、混練混合懸濁物３９８グラム
に２モル水溶液を加え三方晶系セレンの重量の０．２重
量％のす）　ＩＪウム濃度を有する混合物を形成した点
は別である。

例　■ 例１の手順を繰返した。ただし、混練前に、亜セレン酸
ナトリウムの２モル水溶液を混練混合物％Ｊ　／Ｆｉ物
に加えた点は別である。この亜セレン酸ナトリウムの２
モル水溶液を、２８．４グラムのＮａ２ＳｅＯ３４２０
を水に溶解し、全体の容積を１００ミリリツトルにして
調整した。混練する前に、８　、４　ミＩＪ　！Ｊット
ルの亜セレン酸２モル水溶液を例１て説明した混練混合
物懸濁物３９８グラムに加え三方晶系セレン重量の０．
１重量％のナトリウム添加物を有する混合物を形成した
。

例　■ 例４の手順を繰返した。ただし、混練する前に、１６．
９ミ！Ｊ’Ｊツトルの亜セレン酸２モル水溶液を３９８
グラムの例１で説明した混練混合物懸濁物に加え三方晶
系セレン重量に対して０．２重量％のす）　ＩＪウム濃
度を有する混合物を形成した。

例　Ｖｌ例１から例■に記載した感光体を３０インチ（７６，２
ｃｍ）径のアルミニウムンリンダに係止した。このトラ
ムを６Ｏｒ、ｐ、ｍ　の定速で回転させて、表面速度３
０インチ／秒（７６，２ＣＩ口／秒）をｆ５ｊ、た。帯
電装置、露光ライト、消去ライト、及びプローブをシリ
ンダの周辺に取付けた。帯電装置、露光ライト、消去ラ
イト、及びプローブを調整し、以下の時間順序を得た。

。帯電　０．０　検電圧プローブ１　（Ｖ、）　０．０６秒露光　ｏ、ｉ６
秒電圧プローブ２（Ｖ２）　０．２２秒電圧プローブ４（■、）　０．６６秒消去　０，７２秒電圧プローブ５　０．８４秒次サイクルスタート　１００秒感光体を帯電の前に１５分間暗中に放置した。

これらの、次に、暗中で負にコロナ帯電させた。

そして電圧プローブｌ（Ｖ、）で電圧を測定した。

この装置は、帯電の後、約５００エルグ／　ｃｌ　の光
で露光すると７２０マイクロセカンドで放電（消去）し
た。プ巳−フの読み取りは、ｌ　Ｏ”）イクル後に行な
われた。プローブの読取りの値は以下の通りである。

例Ｉ（比較例）　１０３０　９４０　８１５　２１％例
１．１　（ｆｌ、１％Ｎａ　１０２０　９６０　８９（
１１３％からＮａ２Ｃ０３）例Ｉｆ（Ｑ、２％Ｎａ　９５０　８９０　８１０　１５
％からＮａ２Ｃ０３）例ＩＶ　（０，１Ｎａ　８１０　７６０　７２０　１１
％からＮａ２ｓｅｏａ）例Ｖ　（０，２％Ｎａ　８１０　７６０　７１０　１２
％からＮａ２５ｅＯ３）暗減衰、暗所にある時間に関する表面電荷の減少は、次
の公式によって最初の電圧のパーセンテージとして表現
される。

１例ｌｌ５ＩＩＩ、１ｖ及びＶにおけるす）　ＩＪウム塩
の使用は明らかに、比較例に比較して暗減衰が減少する
ことを示している。

例　７例■及び例■の手順を繰返した。ただし、混純の後で発
生層の塗布の前にスラリに炭酸す）　ＩＪウムの濃厚溶
液を加えるという点は別である。得られた感光体は、ト
ープされていない三方晶系セレンを含む感光体に比べて
小さな暗減衰特性を示した。

例　８１００グラムの三方晶系セレンを容器の中に入れ、０．
６Ｎ水酸化す）　ＩＪウム水溶液を加えて４リツトルと
した。この混合物を１時間半攪拌した。

固形分を沈澱させ、水酸化ナトリウム水溶液と接触状態
にして１８時間放置した。上層液をデンントし、保留し
、処理済三晶方系セレンをＮｏ、　２　口紙で口過した
。三方晶系セレンを約６０℃で強制通風で約１８時間乾
煙した。この処理を１６回繰返して１６のバッチを調整
した。これらのハツチは、例１に記載された感光体を調
整するのに使用した。ナトリウム重量％のテストの結果
は以下のとおりである。

バッチ　重量％Ｎａ　バッチ　重量％Ｎａ１　０、７９
　９　０．８３２　０、８５　１０　１．０２３　１．１５　１１　１．１？４　１．０９　１２　０．７９５　１、０２　１３　０．８３６　０．８３　１４　０．９４７　０．７７　１５　０．９９８　０．８５　１６　１．０４ずべてのバッチを処理し、感光体の中に組込み同じ方法
でテストしたが、三方晶系セレン重量に対するナトリウ
ム重量％はｏ、７７％から１．１７％の範囲内であった
。従って、最高ナトリウム重量のバッチは最小ナトリウ
ム濃度のバッチよりも５２％す）　ＩＪウムを多く含む
。本発明のドープされた三方晶系セレンは混練混合物に
もともと付加されているすべてのナトリウムを含むので
、最終ドープ化三方品系セレン中の三方晶系セレンに対
するナトリウムの重量％は現実に予測することができ、
制御することができるとともに、比較−例のドープ化さ
れた三方晶系セレンに比較してす）　ＩＪウム含有量の
変化がない。

例　■ 例■の手順を１２回繰返し１２の新しいハツチを調整し
た。ナトリウムの重量％は、各バッチに対して決定した
。これらのバッチは、例７で記載した感光体を調整する
のに使用した。ナ）　ＩＪウム重量％のテストの結果は
以下のとおりである。

ハツチ　重量％Ｎａ　バッチ　重量％Ｎａ１　０．９６
　７　＋、１１２　０、９８　８　０．８９３　１、０６　９　１．０５４　１、２４　１０　１．０６５　１．０１　１１　０．８６６　０．９３　１２　］、、ＯＯすべてのバッチを処理し、感光体の中に組込み同じ方法
でテストしたが、三方晶系セレンの電属に対するナトリ
ウム重量％は０．８６％から１．２１１％の範囲であっ
た。従って、最大ナトリウム濃度のハツチは最小す）Ｉ
Ｊウム濃度よりも４４％多くす）　ＩＪウムを含む。本
発明のドープされた三方晶系セレンは混練混合物にもと
もと付加されているすべてのナトリウムを含むので、最
終ドープ化三方品系セレン中の三方晶系セレンに対する
ナトリウムの重量％は現実に予測することができ制御す
ることができるとともに、比較してナトリウム含有量の
変化がない。

例　ｌｏ１００グラムの三方晶系セレンを容器に配置し、水酸化
す）　ＩＪウムのＩＮ溶液を十分加えて体積を４リツ）
・ルにした。この混合物を１時間半攪拌した。固形分を
沈澱させ、水酸化ナトリウム水溶液と接触状態で１８時
間放置した。上層液をデカントして保留し、処理済の三
方晶系セレンをＮ０５２０紙で口過した。その後、処理
済の三方晶系セレンを１８時間、強制通風オーブンで、
約６０℃にて乾煙し、室内で貯蔵した。処理済の三方晶
系セレンを、その後、４つのロフトに分割し各ロフトを
以下の方法で処理した。ロットは“そのまま”使用した
、すなわち、雰囲気空気から吸収された湿気によって濡
れている。口・ソト１によって吸収された水分は、混練
混合物中の三方晶系セレンの重量の約１９％であった。

口・ソト２．３及び４（ま真空で一定重量に乾燥した。

口・ソト３は、混練混合物と化合し、混練混合物中の三
方晶系セレン重量の５重量％の水分を有している。口・
ノド４は、混練混合物と化合し、混練混合物中の三方晶
系セレン重量の１５％の水分を有してＧ）る。各口１．
トを平均粒径的３　ｍｍの鋼球、２，４グラムの三方晶
系セレン、約２．４グラムの純粋ポリ−Ｎ−ヒ゛ニルカ
ルバゾル及び３８グラムのテトラヒドロフラン及びトル
エンとの５Ｑ：５０重量混合物を含む回転ジャーで混練
した。混練後、４３．４グラムの５０：５０重量のテト
ラヒドロフランとトルエンとの混合物中に溶解した２、
８グラムの付加０勾す純粋ポＩＪ　Ｎ−ビニルカル／イ
ゾルを混練混合物に加えた。この混合物を攪拌して均一
にし、ノ＜−ドアプリケータで例１に記載された境界層
に塗布し濡れ厚さで４０ミクロンの層を形成した。被覆
部材を真空下で約１６時間、１００℃でアニールし、乾
燥厚さで２マイクロメータの厚さの層を形成した。被覆
部材を次に、例１に記載したように電荷移送層で被覆し
例■で記載されたテストを行なった。背景電圧ＶＢＧは
露光後の電圧プローブ４の電圧読み取りであり、残留電
圧ＶＲは電圧プローブ５における消去後の電圧読み取り
である（例Ｖｌの電圧プローブの説明参照）、露光は、
５エルグ／　ａｄで１６ザイクルと１　’００００サイ
クルにおいて４つのロフトから調整された感光体に対し
て行った。

ロット　サイクル　Ｖ、、　ｖＲｌ　１６　１８０　２０１０．０００　３３０　１００２　１６　３７０　５０１０．０００　３５５７０３　１６　２６５　４５１０．０００　２５５　６０１６　１７５　２０１０．０００　３２５　１００ロツト１の１９％の水分とロット４の１５％の水分の効
果が、水分を含まないロフト２及び５％の水分のロット
３に比べて背景電圧及び残留電圧のサイクル安定性に大
きく影響していることがわかる。さらに、残留電圧は、
ロット２及び３では約４０％であるのに対しロット１及
び４では約４００％も増大している。

本発明は、好ましい実施例を参照して説明されているけ
れども、これに限定されるものではなく、むしろ、当業
者は、本発明の目的の範囲内において及び特許請求の範
囲内において変更及び修正を行うことができることを認
識するであろう。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、亜セレ
ン酸ナトリウム、水酸化ナトリウム及びこれらの混合物
から成るグループから選択されるナトリウム添加剤と三
方晶系セレン粒子と有機樹脂結合剤及び該結合剤用の溶
媒とを化合させて、混練混合物を形成し、該混練混合物
を混練して均一な分散体を形成し、該分散体を単一のむ
らのない層として基板に°塗布し該層を乾燥させること
を特徴とする静電写真感光装置の製造方法。
（２）炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、亜セレン
酸ナトリウム、水酸化ナトリウム及びこれらの混合物か
ら選択されるナトリウム添加物の濃厚溶液をつくること
と、該ナトリウム添加物を前記三方晶系セレン粒子、前
記有機°樹脂結合剤及び前記結合剤用の溶媒と化合させ
ることに先行して行うことを特徴とする前記腑１項記載
の静電写真感光装置の製造方法。
（３）前記ナトリウム添加物の濃厚水溶液と前記三方晶
系セレン粒子、有機樹脂結合剤及び該結合剤用の、溶媒
とが化合した後、前記混練混合物が前記三方晶系セレン
の全重量の約２０％以下の水分を含んでいることを特徴
とする前記第２項記載の静電写真感光体装置の製造方法
。
（４）前記ナトリウム添加物の濃厚水溶液と前記三方晶
系セレン粒子、前記有機樹脂結合剤及び該結合剤用溶媒
が化合した後、前記混練混合物が前記三方晶系セレンの
全重量の約５％の水分を含んでいることを特徴とする前
記第２項記載の静電写真感光体装置の製造方法。
（５）前記す）　ＩＪウム添加物の濃厚水溶液と前記三
方晶系セレン粒子、前記有機樹脂結合剤及び該結合剤用
溶媒が化合した後、前記混練混合物が前記三方晶系セレ
ンの全重量の約２−ｐｐｍから約２．５％のす）　ＩＪ
ウムを含んでいることを勃徴とする前記第２項記載の静
電写真感光体装置の製造方法。
（６）前記ナトリウム添加物の濃厚水溶液と前記三′方
晶系セレン粒子、前記有機樹脂結合剤及び該結合剤用溶
媒が化合した後、前記混練混合物が前記三方晶系セレン
の全重量の約５　ｐｐｍから約１％のナトリウムを含ん
でいることを特徴とする前記第５項記載の静電写真感光
体装置の製造方法。
（７）前記ナトリウム添加物が炭酸ナトリウム、炭酸水
素ナトリウム、亜セレン酸ナトリウム及びこれらの混合
物から成るグループから選択されており、無水状態で前
記三方晶系セレン粒子、前記有機樹脂結合剤及び該結合
剤用溶媒と化合して、はとんど水分を含まない混練混合
物を形成することを特徴とする前記第１項記載の静電写
真感光体装置の製造方法。
（８）前記三方晶系粒子の平均粒径が約０．０１マイク
ロメータから約５マイクロメークになるまで前記混練混
合物を混練することを特徴とする前記第１項記載の静電
写真感光体装置の製造方法。
（９）前記三方晶系粒子の平均粒径が約０．０３マイク
ロメータから約０．５マイクロメータになるまで前記混
練混合物を混練することを特徴とする前記第８項記載の
静電写真感光体装置の製造方法。
（１０）前□記混練混合物を約１６時間から約２４時間
混練することを特徴とする前記第１項記載の静電写真感
光体装置の製造方法。
（１１）前記三方晶系粒子が約２から５０分の−の大き
さに減少するまで前記混練混合物を混練することを特徴
とする前記第１項記載の静電写真感光体装置の製造方法
。
（１２）前記分散体を前記基板に塗布するに先立って、
該分散体にさらに有機樹脂結合剤を付加することを特徴
とする前記第１項記載の静電写真感光体装置の製造方法
。
（１３）／前記有機樹脂結合剤がポＩＪ−’Ｎ−ビニル
カルバゾールであることを特徴とする前記第１゛項記載
の静電写真感光体装置の製造方法。
（１４）前記ナトリウム塩が炭酸ナトリウムであること
を特徴とする前記第１項記載の静電写真感光体装置の製
造方法。
（１５）前記ナトリウム塩が亜セレン酸ナトリウムであ
るこきを特徴とする前記第１項記載の静電写真感光体装
置の製造方法。
（１６）電荷移送コーティングを前記層の乾燥の後、前
記層に施すことを特徴とする前記第１項記載の静電写真
感光体装置の製造方法。