JPS60110111A - 磁気バブルメモリの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｎｉ−Ｆｅ合金膜の被着方法には、一般に、真空蒸着法
、グレーナマグネトｏン方式スパッタ法。

ＲＦスパッタ法がある。一方、磁性膜としてのＮ１−　
Ｆ　ｅ合金膜の具備すべき性質にＨｅ　（保磁力）が小
さいことがある。このＨｃの小さいＮｉ−Ｆｅ合金膜を
上記の被着方法で形成するために社、被着すべき基板の
温度を著しく高くしなければならない０ ところが、近年、ＮｉＦｅ合金膜を用いる素子の構成材
料に高分子樹脂が使われるようになり、高分子樹脂の耐
熱性から、基板温度に制約を受け、着膜でも、Ｈｃの小
さいＮ１−Ｆｅ合金膜が得らいて、ターゲットおよび被
着すべき基板面に対して垂直方向の所定強さの磁場を印
加しつつＮｆ　−Ｆｅ合金膜を被着したところ、ある組
成範囲において室温（〜２５℃）で被着しても、Ｈｃの
小で耐熱性ポリイミド樹脂を回転塗布、キュアした磁気
バブルメモリ用磁性ガーネット基板上に、ＲＦスパッタ
法にニジＮ１ニＦｅ合金薄膜を基板温度２５℃〜５０℃
の範囲で被着した０被着しｆｃＮｉ−Ｆ・合金の組成は
Ｎｉ７８ｗｔ％〜８７　ｗｔチ。

残りＦｅであり、また、それぞれ接着中にターゲットお
↓び被着すべき基板面に対して垂直方向に場味肩 ０　の磁場を印加し次。被着し７’ｃ：ｔｔｒｔ　−Ｆ
ｅ合金薄膜の組成と印加した垂直磁場に対する）（ｅ（
保磁力）の関係をまとめて第１図に示す。

Ｎ１組成が８７ｗｔ％（特性イ）のＮｉ−Ｆｅ合金薄膜
では垂直磁場を印加してもＨａｔ−下げる効果はない。

また、Ｎ１組成が７８　ｗｔ％（特注ｐ）の場合は、垂
直磁場を印加しなくてもＨｅは低くな夛Ｈｅを下げる効
果はない。しかし、Ｎｉ組成が８０〜８５ｗｔチの範囲
のＮｉ　Ｆｅ合金薄膜では、垂直磁場を印加すればＨｅ
を下ける効果がある。なお、特性ハはＮｉ８０ｗｔ％　
、特性二はＮｉ８５　ｗｔ％である。また、Ｈｃｔ″下
げるのに有効な垂直磁場の強さは０．８　（Ｊｅ／ｃｌ
１１以上の範囲である。

以上のように、ＲＦスパッタ法においては基板温度が低
くてもターゲットお工び基板面に対して垂直方向に磁場
を印加すればＨｃの小さいＮ１−Ｆｅ合金薄膜が得られ
る。これを真空蒸着法と比較して基板加熱温度とＨｃの
関係として第２図に示す。特性イはＲＦスパッタ法、４
性口は真空蒸着法である。真空蒸着法では３００℃以上
に基板を加熱しないとＨａは小さくならないが、垂直磁
場を印加し７ｔＲＦスパツタ法では２５℃でＨｅの低い
温度でＨａの小さいＮ１−Ｆｅ合金薄膜が形成できると
いう優れた効果がおる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、ＲＦスパッタ法によるＮｉ−Ｆｅ片全金薄膜
形成おけるＮｉ組成をパラメータにしたターゲットおよ
び基板に垂直なｉ場の強さとＨｅとの関係を示す図、第
２図は真空蒸着法と本発明によるＲＦスパッタ法による
Ｎ１−Ｆｅ合金薄膜の基板温度とＨｃの関係を示す図で
ある。 代理人　弁理士　高　橋　明　夫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. Ｎｌの組成が８０　ｗｔ％〜８５ｗｔ’％のＮｉ　−Ｆ
   ｅ合金薄膜をＲＦスパッタ法で被着するとき、ターゲツ
   ト面お工び被着基板面に垂直方向に、強さが０．８　Ｘ
   　Ｉ　Ｏ’Ｏｅ／ｃｎ１以上の磁場を印加しなから被着
   することを特徴とする薄膜形成方法。