JPS62202307A - 磁気ヘツドコアの製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドコアの製造方法Info
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- JPS62202307A JPS62202307A JP4575186A JP4575186A JPS62202307A JP S62202307 A JPS62202307 A JP S62202307A JP 4575186 A JP4575186 A JP 4575186A JP 4575186 A JP4575186 A JP 4575186A JP S62202307 A JPS62202307 A JP S62202307A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は電子ビーム蒸着法等の蒸着技術を用いて形成し
た磁気ヘッドコアの製造方法に関するものである。
た磁気ヘッドコアの製造方法に関するものである。
く従来技術〉
近年、磁気記録技術の分野において、情報の多様化に伴
ない記録密度の増大を求める要求が強まっている。磁気
記録の高密度化の一つの方法として記録媒体の高保磁力
化があり、それに対応すべく高飽和磁束密度、高透磁率
を有する磁気ヘッドコア材料の開発が必要となってきた
。この様な材料としては、フェライトには飽和磁束密度
に限界がるるため、合金系材料が適している。センダス
ト合金は良く知られているようにＳｉ９．５ｗｔ％。
ない記録密度の増大を求める要求が強まっている。磁気
記録の高密度化の一つの方法として記録媒体の高保磁力
化があり、それに対応すべく高飽和磁束密度、高透磁率
を有する磁気ヘッドコア材料の開発が必要となってきた
。この様な材料としては、フェライトには飽和磁束密度
に限界がるるため、合金系材料が適している。センダス
ト合金は良く知られているようにＳｉ９．５ｗｔ％。
Ａｔ５．５ｗｔ％、残部Ｆｅを中心とした組成において
、高透磁率、高飽和磁束密度を有する材料であるが、磁
気ヘッドコア炸裂において、バルクセンダストはもろい
ため、精密加工が困難であり、また、ＶＴＲ等へ応用す
る場合には２０μｍ程度のコア厚が必要となり、その場
合に高周波特性が不十分である等の欠点がある。また、
超急冷法によるセンダスト薄帯をヘッドコアとして用い
る場合、コア材を樹脂接骨により非磁性基板で挾み込ん
でいるが、樹脂接着は接着層の制御が困難である。又、
バルク部材やリボン薄帯から切削加工によってトラック
幅を形成する場合、トラック幅の制御等は狭トラツクに
なる程困難になる。このため高周波特性の優れたトラッ
ク幅に相当するセンダスｌ［膜を非磁性基板表面上にス
パッタ法、あるいは蒸着法により狭トラツク磁気ヘッド
を作製する方法が提案されている。
、高透磁率、高飽和磁束密度を有する材料であるが、磁
気ヘッドコア炸裂において、バルクセンダストはもろい
ため、精密加工が困難であり、また、ＶＴＲ等へ応用す
る場合には２０μｍ程度のコア厚が必要となり、その場
合に高周波特性が不十分である等の欠点がある。また、
超急冷法によるセンダスト薄帯をヘッドコアとして用い
る場合、コア材を樹脂接骨により非磁性基板で挾み込ん
でいるが、樹脂接着は接着層の制御が困難である。又、
バルク部材やリボン薄帯から切削加工によってトラック
幅を形成する場合、トラック幅の制御等は狭トラツクに
なる程困難になる。このため高周波特性の優れたトラッ
ク幅に相当するセンダスｌ［膜を非磁性基板表面上にス
パッタ法、あるいは蒸着法により狭トラツク磁気ヘッド
を作製する方法が提案されている。
〈発明の目的〉
本発明は電子ビーム蒸着法等による蒸着による軟磁性膜
形成時の下地基板温度を変化させ、磁気特性の良好な結
晶構造を得て加工性の良好な磁気ヘッドコアを提供する
ことを目的とする。
形成時の下地基板温度を変化させ、磁気特性の良好な結
晶構造を得て加工性の良好な磁気ヘッドコアを提供する
ことを目的とする。
〈実施例〉
第１図は本発明の一実施例の説明に供する電子ビーム蒸
着装置の模式構成図である。
着装置の模式構成図である。
真空ベルジャｌ内の上方には、蒸着用基板を蒸着温度に
加熱保持するためのヒータ２と蒸着膜が形成される結晶
化ガラス、セラミック、感光性結晶化ガラス、ガラス等
から成る非磁性基板３が配置されている。この非磁性基
板３と蒸着源との間には蒸着気流の通過を制御するシャ
ッタ４が介設されている。また下方の蒸着源位置には電
子ビーム発生用フィラメント５とフィラメント５で発生
した電子ビーム６の照射方向に配設されたるつぼ（ハー
ス）７があり、るつぼ７内には鉄６０〜７０ｗｔ％、ア
ルミニウム３〜６ｗｔ％、硅素２０−３０ｗｔ％の割合
で構成した蒸着源材料８が載置されている。電子ビーム
６が蒸着源材料８に照射されるとその部分の元素が蒸気
流となって飛翔し、シャッタ４の開成期間中シャッタ４
を通過して非磁性基板３に被着し、蒸着膜が形成される
。
加熱保持するためのヒータ２と蒸着膜が形成される結晶
化ガラス、セラミック、感光性結晶化ガラス、ガラス等
から成る非磁性基板３が配置されている。この非磁性基
板３と蒸着源との間には蒸着気流の通過を制御するシャ
ッタ４が介設されている。また下方の蒸着源位置には電
子ビーム発生用フィラメント５とフィラメント５で発生
した電子ビーム６の照射方向に配設されたるつぼ（ハー
ス）７があり、るつぼ７内には鉄６０〜７０ｗｔ％、ア
ルミニウム３〜６ｗｔ％、硅素２０−３０ｗｔ％の割合
で構成した蒸着源材料８が載置されている。電子ビーム
６が蒸着源材料８に照射されるとその部分の元素が蒸気
流となって飛翔し、シャッタ４の開成期間中シャッタ４
を通過して非磁性基板３に被着し、蒸着膜が形成される
。
ここで電子ビーム蒸着法による軟磁性膜形成時の下地基
板温度の違いが、その上に成膜される軟磁性膜の特性に
及ぼす影響を調べるために、前記蒸着源材料を用い１０
０〜４００’Ｃの範囲で非磁性基板温度を変化させ、そ
の表面上に膜厚５μｍのＦｅ５ｉ−Ａｔ系軟磁性膜を形
成した。膜組成は走査型電子顕微鏡のエネルギー分散型
分析により測定したところＦｅ８６．０ｗｔ％、Ｓｉ
９．５ｗｔ％、Ａｔ４．５ｗｔ％であった。この膜を６
００’Ｃ，６時間真空中で熱処理を行った後ＩＭＨ２で
の実効透磁率μ′。
板温度の違いが、その上に成膜される軟磁性膜の特性に
及ぼす影響を調べるために、前記蒸着源材料を用い１０
０〜４００’Ｃの範囲で非磁性基板温度を変化させ、そ
の表面上に膜厚５μｍのＦｅ５ｉ−Ａｔ系軟磁性膜を形
成した。膜組成は走査型電子顕微鏡のエネルギー分散型
分析により測定したところＦｅ８６．０ｗｔ％、Ｓｉ
９．５ｗｔ％、Ａｔ４．５ｗｔ％であった。この膜を６
００’Ｃ，６時間真空中で熱処理を行った後ＩＭＨ２で
の実効透磁率μ′。
保磁力Ｈｃ 、飽和磁束密度Ｂｓ及び電気比抵抗ρを測
定し、基板温度との関係を調べた結果を第２図に示す。
定し、基板温度との関係を調べた結果を第２図に示す。
また磁化曲線の応力の変化から判断すると磁歪λＳは正
であった。基板温度２００℃〜３５０℃の非磁性基板表
面上に形成されたＦｅ−５ｉ−Ａｌ系軟磁性膜ｌ′ｉ、
ＩＭＨｚの実効透磁率が１８００以上、保磁力１０ｅ以
下、飽和磁束密度１１５００Ｇ以上、電気比抵抗７０μ
Ω副、ビッカース硬度６００を有する非常に優れた磁気
特性、耐摩耗性を有することが判明した。中でも基板温
度３００℃で非磁性基板表面上に形成されたＦｅ−５ｉ
−Ａｔ系軟磁性膜はＩＭＨｚの実効透磁率が３８００、
保磁力０．６０ｅ＋飽和磁束密度１２０００Ｇを有する
非常に優れた磁気特性を有するものであった。
であった。基板温度２００℃〜３５０℃の非磁性基板表
面上に形成されたＦｅ−５ｉ−Ａｌ系軟磁性膜ｌ′ｉ、
ＩＭＨｚの実効透磁率が１８００以上、保磁力１０ｅ以
下、飽和磁束密度１１５００Ｇ以上、電気比抵抗７０μ
Ω副、ビッカース硬度６００を有する非常に優れた磁気
特性、耐摩耗性を有することが判明した。中でも基板温
度３００℃で非磁性基板表面上に形成されたＦｅ−５ｉ
−Ａｔ系軟磁性膜はＩＭＨｚの実効透磁率が３８００、
保磁力０．６０ｅ＋飽和磁束密度１２０００Ｇを有する
非常に優れた磁気特性を有するものであった。
また基板温度１００℃以下の非磁性基板表面上に形成し
たＦ ｅ −５ｉ −Ａｔ系軟磁性膜は磁性膜と基板と
の密着性が悪く剥離した。次にＸ線回折による結晶構造
の基板温度依存性を第３図に示した。基板温度の高温側
で磁性膜は（＋００）配向となり磁気特性が低下し、基
板温度３００℃（０２２）面のピーク強度が強く磁気特
性が最も優れていた。
たＦ ｅ −５ｉ −Ａｔ系軟磁性膜は磁性膜と基板と
の密着性が悪く剥離した。次にＸ線回折による結晶構造
の基板温度依存性を第３図に示した。基板温度の高温側
で磁性膜は（＋００）配向となり磁気特性が低下し、基
板温度３００℃（０２２）面のピーク強度が強く磁気特
性が最も優れていた。
〈発明の効果〉
以上詳細に説明した如く、電子ビーム蒸着法によりＦｅ
５ｉ−Ａｔ系軟磁性膜を作成する際、基板温度を２
００〜３５０℃に選択することにより、磁気特性の良好
な軟磁性膜が形成され、コアの透磁率が改善出来、ひい
ては磁気ヘッド効率改善を図ることが可能となる。
５ｉ−Ａｔ系軟磁性膜を作成する際、基板温度を２
００〜３５０℃に選択することにより、磁気特性の良好
な軟磁性膜が形成され、コアの透磁率が改善出来、ひい
ては磁気ヘッド効率改善を図ることが可能となる。
′Ｅ１図は本発明の一実施例の説明に供する電子ビーム
蒸着装置の模式構成図、第２図は基板温度の異なる非磁
性基板表面上に電子ビーム蒸着法により作製したＦｅ−
５ｉ−Ａｔ系軟磁性膜のＩＭＨ２での実効透磁率、保磁
力、飽和磁束密度及び電気比抵抗の関係図、第３図は基
板温度の異なる非磁性基板表面上に電子ビーム蒸着法に
より作製したＦ６−５ｉＡｔ系軟磁性膜のＸ線回折によ
る結晶構造の関係図である。 図中、１・・・真空ベルジャ ２・・・ヒータ３・
・・非磁性基板 ４・・・シャツタ５・・・フィ
ラメント ６・・・電子ビーム７・・・るつぼ（
）・−ス） ８・・・蒸着源材料代理人 弁理士 杉
山 毅 至（他１名）＠１図
蒸着装置の模式構成図、第２図は基板温度の異なる非磁
性基板表面上に電子ビーム蒸着法により作製したＦｅ−
５ｉ−Ａｔ系軟磁性膜のＩＭＨ２での実効透磁率、保磁
力、飽和磁束密度及び電気比抵抗の関係図、第３図は基
板温度の異なる非磁性基板表面上に電子ビーム蒸着法に
より作製したＦ６−５ｉＡｔ系軟磁性膜のＸ線回折によ
る結晶構造の関係図である。 図中、１・・・真空ベルジャ ２・・・ヒータ３・
・・非磁性基板 ４・・・シャツタ５・・・フィ
ラメント ６・・・電子ビーム７・・・るつぼ（
）・−ス） ８・・・蒸着源材料代理人 弁理士 杉
山 毅 至（他１名）＠１図
Claims (2)
- （１）非磁性基板上に軟磁性膜を形成するために、電子
ビーム蒸着法によりＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ系軟磁性膜を、前
記非磁性基板表面温度を２００℃〜３５０℃の条件のも
とで成膜することを特徴とする磁気ヘッドコアの製造方
法。 - （２）前記軟磁性膜の蒸着源材料が鉄６０〜７０ｗｔ％
、アルミニウム３〜６ｗｔ％、硅素２０〜３０ｗｔ％の
割合で構成されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載の磁気ヘッドコアの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4575186A JPS62202307A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 磁気ヘツドコアの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4575186A JPS62202307A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 磁気ヘツドコアの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202307A true JPS62202307A (ja) | 1987-09-07 |
| JPH0584566B2 JPH0584566B2 (ja) | 1993-12-02 |
Family
ID=12728009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4575186A Granted JPS62202307A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 磁気ヘツドコアの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202307A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0360055A1 (en) * | 1988-09-02 | 1990-03-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Soft-magnetic film having high saturation magnetic-flux density and magnetic head utilizing the same |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP4575186A patent/JPS62202307A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0360055A1 (en) * | 1988-09-02 | 1990-03-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Soft-magnetic film having high saturation magnetic-flux density and magnetic head utilizing the same |
| US5091266A (en) * | 1988-09-02 | 1992-02-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Soft-magnetic film having saturation magnetic-flux density and magnetic head utilizing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0584566B2 (ja) | 1993-12-02 |
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