JPS63113805A - 磁気ヘツドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録再生に用いられる磁気うラドおよびそ
の製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

現在、磁気記録装置、特にフロッピーディスクドライブ
に使用されている磁気ヘッドは生産コストや装置の簡素
化への有利性から再生と記録を一つの磁気ヘッドで行う
記録再生兼用の磁気ヘッドが主流となっている。

ここで記録用磁気ヘッドと再生用磁気ヘッドを別々に見
た場合、記録用磁気ヘッドのギャップ長は記録効率の面
から太き（した方が良（、一方再生用磁気ヘッドの場合
は再生周波数特性の面から逆に小さくした方が良い。そ
の為、従来の記録再生兼用磁気ヘッドのギャップ長は結
局、各専用磁気ヘッドの中間程度に設定されている。従
って記録再生兼用磁気ヘッドは専用磁気ヘッドに比べ特
性が劣るという問題があった。

これを解決するために発明された磁気ヘッドとしてギャ
ップ部にヘッド本体より飽和磁束密度Ｂｓの小さい物質
を付加したものがあり（特開昭６０−６６３１０号）、
この物質の特性として飽和磁束密度Ｂｓが７００〜２５
００ガウス、保磁力Ｈｃが５０エルステツド以下である
ことが要求されるため、この物質の対象としてガーネッ
トが用いられている。

〔解決しようとする問題点〕

しかるに、ガーネット膜を製造する手段としで。

スパッタリング法と空気中高温熱処理とを組合わせた方
法を用いるが、この方法によりヘクト本体のＭｎ−Ｚｎ
フェライト上にガーネット膜を形成すると、Ｍｎ−Ｚｎ
フェライトの透磁率が低下し。

磁気ヘッドとして使用できないという問題点が生じた。

〔本発明の目的〕

この発明は熱処理の必要がない磁気ヘッド材とその製造
方法を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者らはＭｎ−Ｚｎフェライトの特性低下の原因を
調べたところ、フェライトが高温熱処理べ 時に酸化をうけて、その表面付近に非磁性の＋−Ｆｅ＋
Ｏａ層をつくるためであることがわかった。

そこで、高温熱処理の必要のない低飽和磁束密度材とし
てＮｉ　　Ｃｕ合金に着目し、これをスパッタリング法
により形成する方法を見い出した。

すなわち重量比で２６〜３４％の銅と残部ニッケルから
なる合金膜を用い、この合金膜を形成するためのスパッ
タリング条件として、ヘッド本体の表面温度を１００〜
５００℃、膜形成速度を０．０５〜１．０μｍ／ｍｉｎ
で行うようにしである。

〔実施例〕

以下実施例にもとづいて詳細に説明する。

第１図は本発明の合金膜を形成するために用いたＤＣ３
極式マグネトロンスパッタリング装置の断面図である。

真空容器１の中には重量比が６８％Ｎｉ−３２％Ｃｕの
合金からなるターゲット２とこれに対向させて５５ｍｍ
の位置に基板３を配置しており、また、付着速度を速く
するためにタングステンフィラメント４とアノード電極
５を配置している。

この他に基板加熱用のヒータ９およびシャッタ６を配し
ている。

基板３は密着性を調べるための本体材料であるＭｎ−Ｚ
ｎフェライトと磁気測定用の石英板とを並べて設置した
。

膜の形成はつぎの手順で行った。まず真空容器１内を５
　Ｘ　１０　’Ｔｏｒｒ以下に排気した後、アルゴンガ
ス導入バルブ８を開いてアルゴンガスを導入し１分圧が
７〜９　Ｘ　１Ｏ−３Ｔｏｒｒになるように調整し、ヒ
ータ９により基板３を２００℃に加熱した。

つぎに、交流電源１１により３０Ａの電流をタングステ
ンフィラメント４に通じて加熱した後、直流電源１２に
よりアノード電極５に４０Ｖの電圧を印加するとタング
ステンフィラメント４とアノード電極５の間に５Ａの電
流が流れ、アルゴンプラズマが発生する。

シャッタ６を閉じたままターゲット電源１３によりター
ゲット２に２００Ｖ、　ＩＡの直流電圧を印加して１０
分間の予備スパッタリングを行った。

シャッタ６を開いて１０分間本スパッタリングを行い、
Ｍｎ−Ｚｎフェライトの基板および石英のくｊ　　ｊ 基板上にＮｉ　−Ｃｕ合金膜を形成し、真空中で十分冷
却した後取り出した。この他に上記と同様の方法により
、ターゲットのＣｕ濃度のみを２４％から３６％まで種
々変えてＮｉ　−Ｃｕ合金膜を作成した。形成した合金
膜はあらさ計による膜厚測定と指先の摩擦による密着性
および振動試料型磁力計による磁気特性を測定した。そ
の結果膜厚は０．７〜１．０μｍであり、密着性も良好
であった。

第２図および第３図は前記各合金膜の飽和磁束密度Ｂｓ
および保磁力Ｈｃを示したものである。

種々の膜組成のうちＣｕの濃度が２６重量％に満たない
とＨａは良いがＢｓが要求特性の上限を上廻って好まし
くなく２反対にＣｕの濃度が３４重量％を越えるとＢｓ
は良いがＨｃが要求特性を越えて好ましくない。

また、スパッタリング法以外に真空蒸着法や化学めっき
法によってもＣｕの濃度が２６〜３４重量％の範囲で上
記の要求特性をほぼ満足すること速度の影響を種々の膜
組成について調べたところ。

基板温度が５００℃以上ではＣｕの付着確率が低下して
安定な組成の膜が得られず、逆に基板温度が１００℃に
満たないとＭｎ　−Ｚｎフェライトと膜との密着性が悪
くなり、膜の剥離が起って好ましくないことがわかった
。また、膜の形成速度が０，０５μｍ／ｍｉｎに満たな
いと、スパッタリング中にターゲットの偏析が起り安定
した組成の膜が得られない。

〔発明の効果〕

以上述べたようにＭｎ　−Ｚｎフェライト本体のギャッ
プ部表面の薄膜を重量比２６〜３４　％Ｃｕ。

残りＮｉの合金で形成させであるから熱処理の必要がな
く本体のＭｎ−Ｚｎフェライトの特性を低下させずに高
記録密度のヘッドを製造することができる。また２本体
表面の温度を１００〜５００℃、膜形成速度を０．０５
〜１．０μｍ／　ｍｉｎでスパッタリングを行うことに
より、良好な特性の薄膜を形成することができその工業
的価値は大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いたスパッタ装置の断面図。 第２図は飽和磁束密度Ｂｓに及ぼす膜組成の影響を示す
図、第３図は保磁力Ｈｃに及ぼす膜組成の影響を示す図
である。 ２・・・ターゲット、３・・・基板、４・・・タングス
テンフィラメント、５−アノード電極 第　１　図 １、真空容器　　　　　　　８．アルｊ′フガス導入バ
ルゴ２、ターゲット　　　　　　　９．ヒータ３、基　
板　　　　　　１０．ヒータ用電源４、タングステンフ
ィラメント　１１．クイ５メシト加熱用電η原５、アノ
ード電極　　　　１２．直流電源６、シャッタ　　　　
　　　１３．２−ゲ・シト電源７、排気系　　　　１４
１合金膜 第２　図 Ｃｕ！度（重ｔ％） 第３図 Ｃｕ濃度（重量％）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　ギャップ部に本体のＭｎ−Ｚｎフェライトよりも飽
   和磁束密度の小さい物質を付加した磁気ヘッドにおいて
   、前記物質が重量比で２６〜３４％の銅Ｃｕと残部がニ
   ッケルＮｉからなる合金膜であることを特徴とする磁気
   ヘッド。 ２　ギャップ部に本体のＭｎ−Ｚｎフェライトよりも飽
   和磁束密度の小さい物質を付加した磁気ヘッドをスパッ
   タリングによって製造する方法において、スパッタリン
   グ時の本体表面温度を１００〜５００℃、膜形成速度を
   ０．０５〜１．０μｍ／ｍｉｎとすることを特徴とする
   磁気ヘッドの製造方法。