JPS5999776A - シヨツトキ−ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents

シヨツトキ−ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法

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JPS5999776A
JPS5999776A JP57209031A JP20903182A JPS5999776A JP S5999776 A JPS5999776 A JP S5999776A JP 57209031 A JP57209031 A JP 57209031A JP 20903182 A JP20903182 A JP 20903182A JP S5999776 A JPS5999776 A JP S5999776A
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俊幸 寺田
Takamaro Mizoguchi
溝口　孝麿
Nobuyuki Toyoda
豊田　信行
Akimichi Hojo
北條　顕道
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H10D30/87—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET]

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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6081872A (ja) * 1983-10-11 1985-05-09 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子の製造方法
JPS6143481A (ja) * 1984-08-08 1986-03-03 Oki Electric Ind Co Ltd シヨツトキゲ−ト電界効果トランジスタの製造方法
JPS6155966A (ja) * 1984-08-27 1986-03-20 Oki Electric Ind Co Ltd 化合物半導体素子の製造方法
JPS6181672A (ja) * 1984-09-28 1986-04-25 Nec Corp 半導体装置の製造方法
FR2572587A1 (fr) * 1984-11-01 1986-05-02 Toshiba Kk Procede de fabrication d'un transistor a effet de champ du type a grille schottky
JPS6196735A (ja) * 1984-10-17 1986-05-15 Toshiba Corp 導体パタ−ン形成方法
JPS6215863A (ja) * 1985-07-12 1987-01-24 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 自己整合金属−半導体電界効果トランジスタの製造方法
JPS62156878A (ja) * 1985-12-28 1987-07-11 Nec Corp 半導体装置
JPS62239586A (ja) * 1986-04-07 1987-10-20 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション Ｆｅｔデバイスの製造方法
JPS62243359A (ja) * 1986-04-15 1987-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化合物半導体装置
JPH01170051A (ja) * 1987-12-25 1989-07-05 Fujitsu Ltd 電界効果トランジスタ
JP2007165448A (ja) * 2005-12-12 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH022071U (enrdf_load_stackoverflow) * 1988-06-17 1990-01-09

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6081872A (ja) * 1983-10-11 1985-05-09 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体素子の製造方法
JPS6143481A (ja) * 1984-08-08 1986-03-03 Oki Electric Ind Co Ltd シヨツトキゲ−ト電界効果トランジスタの製造方法
JPS6155966A (ja) * 1984-08-27 1986-03-20 Oki Electric Ind Co Ltd 化合物半導体素子の製造方法
JPS6181672A (ja) * 1984-09-28 1986-04-25 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS6196735A (ja) * 1984-10-17 1986-05-15 Toshiba Corp 導体パタ−ン形成方法
FR2572587A1 (fr) * 1984-11-01 1986-05-02 Toshiba Kk Procede de fabrication d'un transistor a effet de champ du type a grille schottky
JPS6215863A (ja) * 1985-07-12 1987-01-24 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 自己整合金属−半導体電界効果トランジスタの製造方法
JPS62156878A (ja) * 1985-12-28 1987-07-11 Nec Corp 半導体装置
JPS62239586A (ja) * 1986-04-07 1987-10-20 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション Ｆｅｔデバイスの製造方法
JPS62243359A (ja) * 1986-04-15 1987-10-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 化合物半導体装置
JPH01170051A (ja) * 1987-12-25 1989-07-05 Fujitsu Ltd 電界効果トランジスタ
JP2007165448A (ja) * 2005-12-12 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法

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JPS6246073B2 (enrdf_load_stackoverflow) 1987-09-30

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