JPS5999776A - シヨツトキ−ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 - Google Patents

シヨツトキ−ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法

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JPS5999776A
JPS5999776A JP57209031A JP20903182A JPS5999776A JP S5999776 A JPS5999776 A JP S5999776A JP 57209031 A JP57209031 A JP 57209031A JP 20903182 A JP20903182 A JP 20903182A JP S5999776 A JPS5999776 A JP S5999776A
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俊幸 寺田
Takamaro Mizoguchi
溝口　孝麿
Nobuyuki Toyoda
豊田　信行
Akimichi Hojo
北條　顕道
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H10D30/87—FETs having Schottky gate electrodes, e.g. metal-semiconductor FETs [MESFET]

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