JPS62243359A - 化合物半導体装置 - Google Patents
化合物半導体装置Info
- Publication number
- JPS62243359A JPS62243359A JP8643786A JP8643786A JPS62243359A JP S62243359 A JPS62243359 A JP S62243359A JP 8643786 A JP8643786 A JP 8643786A JP 8643786 A JP8643786 A JP 8643786A JP S62243359 A JPS62243359 A JP S62243359A
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- JP
- Japan
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- electrode
- compound semiconductor
- pad electrode
- passivation
- gate
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 8
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- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、化合物半導体ＭＥＳＦＥＴのソース及びドレ
インそしてゲート電極で生ずる寄生抵抗、寄生容量の値
を下げる事で、良好な高周波特性が得られる化合物半導
体ＭＥＳＦＥＴの電極形成方法に関する。
インそしてゲート電極で生ずる寄生抵抗、寄生容量の値
を下げる事で、良好な高周波特性が得られる化合物半導
体ＭＥＳＦＥＴの電極形成方法に関する。
従来の技術
ＧａＡｓ等の化合物半導体を用いた高周波用ＭＥＳＦＥ
Ｔは、第３図に示す様な断面構造であり、砒化ガリウム
１上にソース・ドレインあるいはゲート電極２を形成し
、この電極の上にパッド電極３を形成しており、これら
電極部以外の砒化ガリウム表面には５ｉ０２膜４やプラ
ズマナイトライド膜５がパッシベーションとして形成さ
れていた。
Ｔは、第３図に示す様な断面構造であり、砒化ガリウム
１上にソース・ドレインあるいはゲート電極２を形成し
、この電極の上にパッド電極３を形成しており、これら
電極部以外の砒化ガリウム表面には５ｉ０２膜４やプラ
ズマナイトライド膜５がパッシベーションとして形成さ
れていた。
発明が解決しようとする問題点
この様な従来の化合物半導体ＭＥＳＦＥＴでは、ソース
・ドレインあるいはゲート電極の形成の際、接触電極２
の面積の方がパッド電極３の面積より大きい。他方、高
周波特性を低減させる要素の寄生抵抗及び寄生容量は電
極面積に比例する。その為、ソース・ドレインあるいは
ゲート電極による寄生抵抗及び寄生容量が無視できない
大きなものとなる。容量、抵抗は、高周波でのＮＦと正
の相関がある為、ＮＦが大きくなるという問題があった
。
・ドレインあるいはゲート電極の形成の際、接触電極２
の面積の方がパッド電極３の面積より大きい。他方、高
周波特性を低減させる要素の寄生抵抗及び寄生容量は電
極面積に比例する。その為、ソース・ドレインあるいは
ゲート電極による寄生抵抗及び寄生容量が無視できない
大きなものとなる。容量、抵抗は、高周波でのＮＦと正
の相関がある為、ＮＦが大きくなるという問題があった
。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するため、本発明は、パシベーション
膜を介して、同パシヘーション膜開口窓内の接触電極上
にパッド電極を形成する事により、ソース・ドレインあ
るいはゲートの電極形成面積をパッド電極より小さくし
たものである。
膜を介して、同パシヘーション膜開口窓内の接触電極上
にパッド電極を形成する事により、ソース・ドレインあ
るいはゲートの電極形成面積をパッド電極より小さくし
たものである。
作用
この構造により、ソース・ドレインそしてゲート形成の
際形成される電極による寄生抵抗、寄生容量が小さな値
となる為、高周波でのＮＦの値が小さなものとなる。
際形成される電極による寄生抵抗、寄生容量が小さな値
となる為、高周波でのＮＦの値が小さなものとなる。
実施例
第１図は、本発明の一実施例による砒化ガリウム半導体
のＭＥＳＦＥＴのゲート部分の断面図であり、砒化ガリ
ウム１上にゲート電極２を形成し、５ｉ０２膜４および
プラズマナイトライド膜５をパッシベーションとして形
成した後、パッド電極３を形成したものである。従来の
構造では、電極２を、パッド電極３がワイヤボンドの点
から最小径８０μｍにする必要であったが、第１図の場
合、電極２の寸法を最小径ｌＯμｍまで小さくすること
ができ、従来構造の１１５０まで寄生容量を小さくでき
る。第２図において、実際に本発明実施例量と従来のも
のとの高周波ＩＧＨ７でのＮＦを比較した特性図であり
、本実施例製品は、この相対値の比較から高周波でのＮ
Ｆが低下した事が確認できる。
のＭＥＳＦＥＴのゲート部分の断面図であり、砒化ガリ
ウム１上にゲート電極２を形成し、５ｉ０２膜４および
プラズマナイトライド膜５をパッシベーションとして形
成した後、パッド電極３を形成したものである。従来の
構造では、電極２を、パッド電極３がワイヤボンドの点
から最小径８０μｍにする必要であったが、第１図の場
合、電極２の寸法を最小径ｌＯμｍまで小さくすること
ができ、従来構造の１１５０まで寄生容量を小さくでき
る。第２図において、実際に本発明実施例量と従来のも
のとの高周波ＩＧＨ７でのＮＦを比較した特性図であり
、本実施例製品は、この相対値の比較から高周波でのＮ
Ｆが低下した事が確認できる。
発明の効果
以上のように、本発明によれば高周波でのＮＦを低下さ
せることで、セットのＮＦを低下させる効果が得られる
。
せることで、セットのＮＦを低下させる効果が得られる
。
第１図は、本発明の一実施例による化合物半導体ＭＥＳ
ＦＥＴのゲート部断面図、第２図は、同実施例を従来例
と対比して示す特性図、第３図は従来の化合物半導体装
置の断面図である。 １・・・・・・砒化ガリウム、２・・・・・・ゲート電
極、３・・・・・・パッド電極、４・・・・・・ＳｉＯ
２膜、５・・・・・・プラズマナイトライド膜。
ＦＥＴのゲート部断面図、第２図は、同実施例を従来例
と対比して示す特性図、第３図は従来の化合物半導体装
置の断面図である。 １・・・・・・砒化ガリウム、２・・・・・・ゲート電
極、３・・・・・・パッド電極、４・・・・・・ＳｉＯ
２膜、５・・・・・・プラズマナイトライド膜。
Claims (1)
- 基板上のパシベーション膜開口窓内に形成された第１の
電極と、この第１の電極に接し、前記パシベーション膜
上に拡がった第２の電極とをそなえた化合物半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8643786A JPS62243359A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 化合物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8643786A JPS62243359A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 化合物半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62243359A true JPS62243359A (ja) | 1987-10-23 |
Family
ID=13886892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8643786A Pending JPS62243359A (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62243359A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007029657B4 (de) * | 2007-06-27 | 2017-10-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Wechselrichtermodul für Stromrichter |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5648176A (en) * | 1979-09-26 | 1981-05-01 | Nec Corp | Junction field-effect transistor |
| JPS58192382A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 接合型ｆｅｔ |
| JPS5999776A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Toshiba Corp | シヨツトキ−ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 |
| JPS6032364A (ja) * | 1983-08-01 | 1985-02-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6037173A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-26 | Nec Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| JPS6046074A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-12 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| JPS62111474A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPS62118582A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-04-15 JP JP8643786A patent/JPS62243359A/ja active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5648176A (en) * | 1979-09-26 | 1981-05-01 | Nec Corp | Junction field-effect transistor |
| JPS58192382A (ja) * | 1982-05-06 | 1983-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 接合型ｆｅｔ |
| JPS5999776A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-08 | Toshiba Corp | シヨツトキ−ゲ−ト型電界効果トランジスタの製造方法 |
| JPS6032364A (ja) * | 1983-08-01 | 1985-02-19 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6037173A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-26 | Nec Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| JPS6046074A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-12 | Toshiba Corp | 電界効果トランジスタの製造方法 |
| JPS62111474A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-22 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPS62118582A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-29 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007029657B4 (de) * | 2007-06-27 | 2017-10-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Wechselrichtermodul für Stromrichter |
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