JPS5979582A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
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- H01L31/1032—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier or surface barrier the potential barrier being of the PN homojunction type the devices comprising active layers formed only by AIIBVI compounds, e.g. HgCdTe IR photodiodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技侑分野
本侘明は半４（４）素子の製造方法に係り、特にカドミ
ウム・テルルからなる半導体基板トに形成きれた水銀・
カドミウム・テルルからなる半導体結晶層に赤外線検知
用の半導［杢素子を形成する方法の改良に関するもので
ある。
ウム・テルルからなる半導体基板トに形成きれた水銀・
カドミウム・テルルからなる半導体結晶層に赤外線検知
用の半導［杢素子を形成する方法の改良に関するもので
ある。
（ｂ）技術の背景
赤外線検知用の半４体素子の一棟として、エネルギーギ
ャップの狭い水銀・カドミウム・テルル（ Ｈｇ１ −
ＸＣｄｘＴｅ ）からなる半導体結晶に形成されたＰ
Ｎ Ｈ ｇ部分に入射した光により起電力が発生する光
起電力特性を利用して赤外線を検出する光起電ノＪ型赤
外線検知素子が知られている。このような赤外線検知素
子の製造には、従来例えばプリン５ノマン結晶成長法に
よって形成され７’ｖＨｇｚーｘＣｄ）ＨＴｅからなる
半導体基板が菓子形成材料とｌ〜で用いられている。し
かし近年さらに結晶性のよいＨｇ１−ＸＣｄＸＴｅから
なる半４に結晶を用いて積卸特性のよい赤外線検知素子
を得るだめに、例えば、ＣｄＴｅからなる半＃昨基板七
にエビタキシャ／１／成長法によってＨｇ １−ｘＣｄ
ｘＴｅからなる結晶成長層を形成し、かかる結晶成長層
に検知素子を形成する方法が提案されている。
ャップの狭い水銀・カドミウム・テルル（ Ｈｇ１ −
ＸＣｄｘＴｅ ）からなる半導体結晶に形成されたＰ
Ｎ Ｈ ｇ部分に入射した光により起電力が発生する光
起電力特性を利用して赤外線を検出する光起電ノＪ型赤
外線検知素子が知られている。このような赤外線検知素
子の製造には、従来例えばプリン５ノマン結晶成長法に
よって形成され７’ｖＨｇｚーｘＣｄ）ＨＴｅからなる
半導体基板が菓子形成材料とｌ〜で用いられている。し
かし近年さらに結晶性のよいＨｇ１−ＸＣｄＸＴｅから
なる半４に結晶を用いて積卸特性のよい赤外線検知素子
を得るだめに、例えば、ＣｄＴｅからなる半＃昨基板七
にエビタキシャ／１／成長法によってＨｇ １−ｘＣｄ
ｘＴｅからなる結晶成長層を形成し、かかる結晶成長層
に検知素子を形成する方法が提案されている。
（Ｃ） 従来技術と問題点
ところでＬ記した結晶成長層に検知素子全形成する従来
の方法としては、第１図に示すように例えばＣｄ−Ｔｅ
からなる半導体結晶基板１トにエピタキシャル成長法等
によってＨｇ１−ＸＣｄＸＴｅからなる結晶１戊長層２
を形１戊する。次に該結晶成長層２Ｌに硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ ）からなる絶縁１換３を被着し。
の方法としては、第１図に示すように例えばＣｄ−Ｔｅ
からなる半導体結晶基板１トにエピタキシャル成長法等
によってＨｇ１−ＸＣｄＸＴｅからなる結晶１戊長層２
を形１戊する。次に該結晶成長層２Ｌに硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ ）からなる絶縁１換３を被着し。
そのと面にきらにフォトレジスト膜４を塗着し、該フォ
トレジスト膜４を所定のパターンにパターニングする。
トレジスト膜４を所定のパターンにパターニングする。
そして第２図に示すようにパターニングしたフォトレジ
スト膜４をマスクにしてＡｉＪ ｇ己結晶成長層２表面
の所定面積領Ｉ３１！５に対応した絶縁膜３を選択的に
エツチング除去して結晶成長層２旧に絶縁膜８からなる
不純物拡散マスクを形成する。しかる（＆ ｔ３ｉＪ
ＭＥフォトレジスト模４を除去し、第３図に示すように
前記結晶成長層２表面の所定面積領域５に前記絶縁１模
３からなる拡１）タマヌクを通して不純物を拡散して結
晶成長層２と通導「托形の素子活性領域６を形成し、次
いで、ｉＩＪ記絶縁膜３を一旦全＋ｌＩｊ的に除去した
後、ＨＩＪ記結晶成畏層２の全表面温に第４図に示すよ
うに再び”ｌｎｓからなる絶縁１呆躯映７を被着し、か
かるギ色縁作護映７の所定部分に選択的に亀（［株］接
続孔８を設け、ががる接続孔８を介して１１１把素子活
性領域６と接続された幌枠９が絶縁１戻？Ｊ：、に配設
はれて素子を形成している。
スト膜４をマスクにしてＡｉＪ ｇ己結晶成長層２表面
の所定面積領Ｉ３１！５に対応した絶縁膜３を選択的に
エツチング除去して結晶成長層２旧に絶縁膜８からなる
不純物拡散マスクを形成する。しかる（＆ ｔ３ｉＪ
ＭＥフォトレジスト模４を除去し、第３図に示すように
前記結晶成長層２表面の所定面積領域５に前記絶縁１模
３からなる拡１）タマヌクを通して不純物を拡散して結
晶成長層２と通導「托形の素子活性領域６を形成し、次
いで、ｉＩＪ記絶縁膜３を一旦全＋ｌＩｊ的に除去した
後、ＨＩＪ記結晶成畏層２の全表面温に第４図に示すよ
うに再び”ｌｎｓからなる絶縁１呆躯映７を被着し、か
かるギ色縁作護映７の所定部分に選択的に亀（［株］接
続孔８を設け、ががる接続孔８を介して１１１把素子活
性領域６と接続された幌枠９が絶縁１戻？Ｊ：、に配設
はれて素子を形成している。
ところが旧記従来の製造方法にあっては、前記結晶１戊
長層２土に、素子活性領域６を形成するだめの不純物拡
散マスク用の絶縁膜３を被着したり、また該素子活性領
域６の形成後に前記絶縁膜３ＬにさらにＺｎＳからなる
絶縁膜を重ねて被着すると剥離しやすいことから前記絶
縁膜３を一旦除去していることから、これらの工程によ
って結晶成長層２の表面が汚染されたり、寸だＪ：、記
工程が煩雑化する欠点を有していた。
長層２土に、素子活性領域６を形成するだめの不純物拡
散マスク用の絶縁膜３を被着したり、また該素子活性領
域６の形成後に前記絶縁膜３ＬにさらにＺｎＳからなる
絶縁膜を重ねて被着すると剥離しやすいことから前記絶
縁膜３を一旦除去していることから、これらの工程によ
って結晶成長層２の表面が汚染されたり、寸だＪ：、記
工程が煩雑化する欠点を有していた。
（Ｃ１，）発明の目的
本発明は北記従来の欠点を解消するため、基板上に、素
子形成用の結晶成長層と、素子活性領域を形成するだめ
の不純物拡散マスク用の高抵抗な結晶層ケ順に連続して
積層形成するようにし、かかる高抵抗な結晶層によって
前記素子形成用の結晶成長層の汚染を低減すると共に素
子形成工程を＋ｒｒｉ単化し得る新規なる半尊昨素子の
製造方法を提供することを目的とするものである。
子形成用の結晶成長層と、素子活性領域を形成するだめ
の不純物拡散マスク用の高抵抗な結晶層ケ順に連続して
積層形成するようにし、かかる高抵抗な結晶層によって
前記素子形成用の結晶成長層の汚染を低減すると共に素
子形成工程を＋ｒｒｉ単化し得る新規なる半尊昨素子の
製造方法を提供することを目的とするものである。
［ｅ） 究明の構成
そしてこの目的はノ１１：光明によれば、半導体基板上
に水銀・カドミウム・テｌし／Ｌ’ （Ｈｇｌ −ｚｃ
ｄｘＴｅ ）からなる第ｌの結晶層と、カドミウム・テ
ルル（Ｃｄ−Ｔｅ ）からなる第２の結晶層を順次積１
曽形成した債、ｌｌ１７Ｊ記第１の結晶層表面の所定面
積領域に対応した第２の結晶層を選択的にエツチング除
去して該領域表面を露出せしめ、 ｑｉＪ記第２の結晶
層をマスクにして前記第１の結晶層の露出面に半導体素
子を形成するように乙たことを特徴とする半導性索子の
製造方法を提供することによって達成される。ぞしてり
、記ＣαＴｅ結晶層の選択エツチングには、弗酸（ＨＦ
）と硝酸（ＨＮＯ３）と氷酢酸（ＣＢ３Ｃ００Ｈ）およ
び水（Ｈ２Ｃ）と全容量比で２〜５：８〜５：６：６の
割舒で混きしてなるエツチング液？用いることが提案さ
れる。
に水銀・カドミウム・テｌし／Ｌ’ （Ｈｇｌ −ｚｃ
ｄｘＴｅ ）からなる第ｌの結晶層と、カドミウム・テ
ルル（Ｃｄ−Ｔｅ ）からなる第２の結晶層を順次積１
曽形成した債、ｌｌ１７Ｊ記第１の結晶層表面の所定面
積領域に対応した第２の結晶層を選択的にエツチング除
去して該領域表面を露出せしめ、 ｑｉＪ記第２の結晶
層をマスクにして前記第１の結晶層の露出面に半導体素
子を形成するように乙たことを特徴とする半導性索子の
製造方法を提供することによって達成される。ぞしてり
、記ＣαＴｅ結晶層の選択エツチングには、弗酸（ＨＦ
）と硝酸（ＨＮＯ３）と氷酢酸（ＣＢ３Ｃ００Ｈ）およ
び水（Ｈ２Ｃ）と全容量比で２〜５：８〜５：６：６の
割舒で混きしてなるエツチング液？用いることが提案さ
れる。
「） 発明、の実施例
面
以「図例を用いて本発明による製造方法の実施例につい
て詳ＩＩ Ｋ説明する。
て詳ＩＩ Ｋ説明する。
第５図乃至第８図は本発明に係る赤外線検知用の半導体
素子の製造方法の一実施例を工程１唄に示す要部１１Ｊ
？面図である。なお以下の各図において第１図乃至第４
図と同等部分には同一符号を付した。
素子の製造方法の一実施例を工程１唄に示す要部１１Ｊ
？面図である。なお以下の各図において第１図乃至第４
図と同等部分には同一符号を付した。
まず第５図に示すようにＣＣｌ−’Ｉ’ｅからなる半４
体基（及１北に、エピタキシャル成長法等によってＨｇ
１−ＸＣｄＸＴｅからなる第１の結晶層２と、保護−と
しての高抵抗なＣｃＬＴｅからなる第２の結晶層２１を
順次積層形成する。次いでかかる第２の結晶層２１のＬ
面に８６図に示すようにレシヌト［関４を塗清し、該レ
ジスト膜４を所定のパターンにパターニングした後、そ
のパターニングしたレジスト膜４をマスクにして第７図
に示すように酌記第１の結晶層２表面のｊす「定凹債領
域５に勾応した第２の結晶ＩＴＪ２１部分のみを選択的
にエツチング除去して該領域表［１１を露串せ（７める
。この選択エツチングに用いられるエツチングγ役とし
ては、弗酸（Ｆ（］パ）と硝１駿（ＦＩＮＯ３）と氷１
ジＦ酸（〔じＨ３ＣＯＯＨ）および水（、Ｈｇ０ ）と
を谷り目して２〜５．３〜５．６：６の侃１４＞で混自
されたものであり、Ｈｇｌ ＸＣαユＴｅからンよる結
晶層２に７１ しては不ｍで、ＣｄＴｅ結晶層２１のみ
を効果的にＭ）イする特性を４１している。
体基（及１北に、エピタキシャル成長法等によってＨｇ
１−ＸＣｄＸＴｅからなる第１の結晶層２と、保護−と
しての高抵抗なＣｃＬＴｅからなる第２の結晶層２１を
順次積層形成する。次いでかかる第２の結晶層２１のＬ
面に８６図に示すようにレシヌト［関４を塗清し、該レ
ジスト膜４を所定のパターンにパターニングした後、そ
のパターニングしたレジスト膜４をマスクにして第７図
に示すように酌記第１の結晶層２表面のｊす「定凹債領
域５に勾応した第２の結晶ＩＴＪ２１部分のみを選択的
にエツチング除去して該領域表［１１を露串せ（７める
。この選択エツチングに用いられるエツチングγ役とし
ては、弗酸（Ｆ（］パ）と硝１駿（ＦＩＮＯ３）と氷１
ジＦ酸（〔じＨ３ＣＯＯＨ）および水（、Ｈｇ０ ）と
を谷り目して２〜５．３〜５．６：６の侃１４＞で混自
されたものであり、Ｈｇｌ ＸＣαユＴｅからンよる結
晶層２に７１ しては不ｍで、ＣｄＴｅ結晶層２１のみ
を効果的にＭ）イする特性を４１している。
そして−）二記エソチンクｎ支のλｌ！、！自薬品とし
ては、弗酸がＪ（Ｆ含有１仕５０車り千％、硝酸がＨ１
団０３含有ｆｄ８６ ｆｉＩハｔ ＊７． 、および氷
酢酸がＣＪ（３ＣＯＯｆ（７’ｑ有斌１００ｉｌｉ ７
代％のものを１＋’＋いるのが好ましい。引続いて、う
７５８図にｎくすようにｔｊｉＪ記第２の結晶層２１を
マスクにしてへ出したＦ□′１１； ｌの結晶−２に例
えばイオン１４二人法あるいは熱拡散法によって不性物
を拡散し、１核結晶ψ２と逆尋嘔形の索子活性領域６を
形成する。しかる後、ｆ４ｉＪ記露出した第１の結晶１
（刃２表面ケ含む第？の結晶１曽２１北に図示しないＺ
ｎＳ等からなる絶縁１模を破着形成し、従来例の如く絶
縁膜に設けた屯１ヶ接続穴を通してｉｉＪ記素子活ｉ生
領域６と４及続された屯（孕を目り己絶＊ｔ ｉｌｕに
設けるようにすれば、素子形成工程がＭ Ｑｔ化される
と共に、−ヒ記パターニング工程あるいはその後の工程
における第１の結晶層２表面の汚染が第２の結晶層２１
によって作護さｈで大幅に低減することがｉｉＪ能とな
り、検知特性のよい素子が形成されることになる。
ては、弗酸がＪ（Ｆ含有１仕５０車り千％、硝酸がＨ１
団０３含有ｆｄ８６ ｆｉＩハｔ ＊７． 、および氷
酢酸がＣＪ（３ＣＯＯｆ（７’ｑ有斌１００ｉｌｉ ７
代％のものを１＋’＋いるのが好ましい。引続いて、う
７５８図にｎくすようにｔｊｉＪ記第２の結晶層２１を
マスクにしてへ出したＦ□′１１； ｌの結晶−２に例
えばイオン１４二人法あるいは熱拡散法によって不性物
を拡散し、１核結晶ψ２と逆尋嘔形の索子活性領域６を
形成する。しかる後、ｆ４ｉＪ記露出した第１の結晶１
（刃２表面ケ含む第？の結晶１曽２１北に図示しないＺ
ｎＳ等からなる絶縁１模を破着形成し、従来例の如く絶
縁膜に設けた屯１ヶ接続穴を通してｉｉＪ記素子活ｉ生
領域６と４及続された屯（孕を目り己絶＊ｔ ｉｌｕに
設けるようにすれば、素子形成工程がＭ Ｑｔ化される
と共に、−ヒ記パターニング工程あるいはその後の工程
における第１の結晶層２表面の汚染が第２の結晶層２１
によって作護さｈで大幅に低減することがｉｉＪ能とな
り、検知特性のよい素子が形成されることになる。
６）発明の効果
以上の説明から明らかなように、本究明に係る半導（４
）素子の製ｆ肯ノｊ法によれば、従来不可能であったＣ
ｄ、Ｔｅ結晶層の選択エツチングが容易化されることに
より、半導（４）基（；ｉ七に設けられたＨｇ、ｌ〜Ｘ
ＣｄＸＴｅ７．＋・らなる結晶１曽に素子活１生領域ケ
形ｊ戊するのに不ｉｊ屯吻拡散用マヌクとして表１１■
ｊ床護作用を有する高抵抗なＣｄＴｅからなる結晶成長
１冑を用いることがｉｊＪ能と７Ｊ：す、素子形成工程
が１粕単化されると共に、核工程に２いて素子形成用の
結晶層表面の汚染が大幅に低減されるイ：ｌＪ 、４：
、を１］シ、（・ρ回持性のよい赤外線イ・ψ知用の半
尋体素子を容易に得ることができる。なお以Ｆの実施例
において用いられているＣｄＴｅ砧晶の選択エツチング
液は、本究明にイ・任るｊ沖Ｉ貞）１７人に」１：〕用
する（・ま刀・、ｃｔｔ’ｒｅ Ｊ浅イ反ににエビタギ
シャ／Ｉ／１戊長法によっで形１戊された例えば’ｇ
１−ｘＣｄＸ’Ｌ’ｅかうする結晶層９の４ｉＡ ｄｈ
ＩＩ （ｌ＋１１１５位等）の行゛ト１曲フ”ロセヌ
４Ｉにおいて、Ｏｃｔ’ｒｅ糸（反を選択的にエツチン
グするのに適用しても伯、めで有利である。
）素子の製ｆ肯ノｊ法によれば、従来不可能であったＣ
ｄ、Ｔｅ結晶層の選択エツチングが容易化されることに
より、半導（４）基（；ｉ七に設けられたＨｇ、ｌ〜Ｘ
ＣｄＸＴｅ７．＋・らなる結晶１曽に素子活１生領域ケ
形ｊ戊するのに不ｉｊ屯吻拡散用マヌクとして表１１■
ｊ床護作用を有する高抵抗なＣｄＴｅからなる結晶成長
１冑を用いることがｉｊＪ能と７Ｊ：す、素子形成工程
が１粕単化されると共に、核工程に２いて素子形成用の
結晶層表面の汚染が大幅に低減されるイ：ｌＪ 、４：
、を１］シ、（・ρ回持性のよい赤外線イ・ψ知用の半
尋体素子を容易に得ることができる。なお以Ｆの実施例
において用いられているＣｄＴｅ砧晶の選択エツチング
液は、本究明にイ・任るｊ沖Ｉ貞）１７人に」１：〕用
する（・ま刀・、ｃｔｔ’ｒｅ Ｊ浅イ反ににエビタギ
シャ／Ｉ／１戊長法によっで形１戊された例えば’ｇ
１−ｘＣｄＸ’Ｌ’ｅかうする結晶層９の４ｉＡ ｄｈ
ＩＩ （ｌ＋１１１５位等）の行゛ト１曲フ”ロセヌ
４Ｉにおいて、Ｏｃｔ’ｒｅ糸（反を選択的にエツチン
グするのに適用しても伯、めで有利である。
４ 図１イＩ］の聞ｉ、ｉ！＋、な説明？４４１図乃至
第４図（グｐ［来の勇ミ外禄Ｊ’（ａ ９、ｕ用半導陣
素子のノー造万広を工程、１唄に祝明−Ｊる明部「仇面
図、第５図乃至第８図は本光明に係る赤外線倹ガロｌ」
半導１斗・素ｆ−の製Ｊ商方法食工４・ｆ＋唄ンこ示す
２２部断面図でめる。
第４図（グｐ［来の勇ミ外禄Ｊ’（ａ ９、ｕ用半導陣
素子のノー造万広を工程、１唄に祝明−Ｊる明部「仇面
図、第５図乃至第８図は本光明に係る赤外線倹ガロｌ」
半導１斗・素ｆ−の製Ｊ商方法食工４・ｆ＋唄ンこ示す
２２部断面図でめる。
図面において、１は半ｙ＝ ＋＜（塙扱、２けト’ｇｌ
ＸＣｄ、ｙＴ ｅか′−）なる第１の結晶層、４はレ
ンスト膜、５は所定面積領域、６は素子２ｉ５１４−
餉１．ｄ、２１ （ｄにｄＴｅ力・らなる第２の結晶１
曽ケ示ず。
ＸＣｄ、ｙＴ ｅか′−）なる第１の結晶層、４はレ
ンスト膜、５は所定面積領域、６は素子２ｉ５１４−
餉１．ｄ、２１ （ｄにｄＴｅ力・らなる第２の結晶１
曽ケ示ず。
第１図
第２図
ら
第３図
第４図
Claims (2)
- （１）半導（４）基板北に水銀・カドミウム・テルル（
Ｈｇ１−ｘ”ｘＴｅ）からなる第１の結晶層と、カド
ミウム・チル）ｖ （ ｃｃｔ’ｒｅ ）からなる第２
の結晶層を順次積１−形成した後，前記第１の結晶層表
面の所定面積領域に対応した第２の結晶層を選択的にエ
ツチング除去して該領域表面を露出せしめ、前記第２の
結晶層をマスクにして前記第１の結晶層の露出面に半導
体素子を形成するようにしたことを特徴とする半導体素
子の製造方法。 - （２） 、ｈ記ＣｄＴｅからなる第２の結晶層を選択
エツチングするエツチング液が、弗酸（ＨＦ）と硝酸（
ｆ（ＮＯ３ ）と氷酢酸Ｃ ＣＨ３’ＣＯＯｌ（ ）
および水（Ｈｇ０）とを容量化で２〜５：３〜５ ：
６ ： ６の割自で混庁してなることを特徴とする特許
請求の→（α囲第（１）項に記載の半導体素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57191059A JPS5979582A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57191059A JPS5979582A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5979582A true JPS5979582A (ja) | 1984-05-08 |
| JPH0454969B2 JPH0454969B2 (ja) | 1992-09-01 |
Family
ID=16268199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57191059A Granted JPS5979582A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5979582A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61188976A (ja) * | 1985-02-16 | 1986-08-22 | Fujitsu Ltd | 光起電力型素子 |
| JPH01223779A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | Toshiba Corp | 赤外線検出器 |
| JPH02503973A (ja) * | 1988-04-07 | 1990-11-15 | サンタ・バーバラ・リサーチ・センター | 埋設接合赤外線検出器の製造方法 |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP57191059A patent/JPS5979582A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61188976A (ja) * | 1985-02-16 | 1986-08-22 | Fujitsu Ltd | 光起電力型素子 |
| JPH0574953B2 (ja) * | 1985-02-16 | 1993-10-19 | Fujitsu Ltd | |
| JPH01223779A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | Toshiba Corp | 赤外線検出器 |
| JPH02503973A (ja) * | 1988-04-07 | 1990-11-15 | サンタ・バーバラ・リサーチ・センター | 埋設接合赤外線検出器の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0454969B2 (ja) | 1992-09-01 |
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