JPS5947287B2 - ツイストネマテイツク液晶表示素子の製造方法 - Google Patents

ツイストネマテイツク液晶表示素子の製造方法

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JPS5947287B2
JPS5947287B2 JP50039471A JP3947175A JPS5947287B2 JP S5947287 B2 JPS5947287 B2 JP S5947287B2 JP 50039471 A JP50039471 A JP 50039471A JP 3947175 A JP3947175 A JP 3947175A JP S5947287 B2 JPS5947287 B2 JP S5947287B2
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JP
Japan
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liquid crystal
twisted nematic
manufacturing
crystal display
display element
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耕三 矢野
博 桑垣
貞利 武智
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Sharp Corp
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    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はツイストネマティック電界効果型液晶表示素子
の製造方法に関し、特に液晶保持構造物（以下液晶セル
と称する）の製法に関する。
一般に、液晶セルの製法としてはパターン化された透明
電極を有する２枚のガラス基板上に、前記透明電極を含
む面に、透明電極物質とガラスとの硬度の異りを均一化
する為に透明絶縁膜を蒸着し該透明絶縁膜を綿布あるい
は琢磨布等で一定方向に擦るか又は、ＳｉＯ等の傾角蒸
着により極小溝を設け配向層とし、しかる後に、前記配
向層を有する２枚の前記ガラス基板をエポキシ系樹脂あ
るいは低融点ガラスフリットを用いて、各々前記配向層
の方向が直交するように約１０μ麗程度の間隔にて貼り
あわせ、液晶セルとしている。ところで、エポキシ系樹
脂によるシールは低融点ガラスフリットを用いたハーメ
チックシールに比較し、水分子の浸透を妨げる力が弱い
事が確かめられている。そして、水分子の浸透は液晶物
質の電導度を高め、しかも化学的劣化を促進する事がわ
かつている。以上の事よりツイストネマティック電界効
果型液晶表示素子の液晶セルのシール法としては低融点
ガラスフリットによる方法が優れている。
ところが従来、低融点ガラスフリットを用いたシール法
においては、ガラスフリットをとかし込んでいるペース
トがガラス基板の加熱封止工程で有機物質を含んだガス
を発生し、このガスが上記配向層に附着し、その液晶分
子を配向させる力（以下配向性と称する）を大幅に弱め
る。そのためガラスフリットによるシール法を、ツイス
トネマティックモードの液晶表示素子に適用することは
できず、もつばら５１０の傾角蒸着によつて得られた配
向層のもののみが実施されている。ところが、Ｓｉ０の
傾角蒸着による配向層の製法は、大面積のものを一定の
方向に形成する事は蒸発源を面とすることが不可能であ
るため困難であり、大量生産に適していない。本発明は
かかる点に関して為されたもので、大量生産性に適した
ツイストネマテイツク電界効果型液晶表示素子の製造方
法を提供するものである。
言い換えれば、本発明により綿布等を機械的に設けた極
小溝による配向層の配向力をハーメチツクシールによる
液晶セルの製造においても維持することを可能とし、機
械的に設けた配向層を有する電極板をハーメチツクシー
ルして液晶セルを構成するようにしたものである。本発
明の特徴は低融点ガラスフリツトによるハーメチツクシ
ールの実施の際に発生する有機物質に対して吸着活性の
低い高純度ＳｉＯ２から成る薄膜を透明電極を含むガラ
ス基板上に電子ビーム蒸着法で蒸着し、該薄膜上に綿布
又は琢磨布あるいはネル、フエルト等で機械的に一方向
に擦り極小溝を設け配向層とする事である。
以下に具体的実施例を述べ、本発明の詳細を説明する。
配向層を形成する薄膜としてＳｉＯ２を電子ビーム蒸着
機において５Ｘ１０−４ｔ０ｒｒ程度の真空度にて２枚
の透明電極を有するガラス基板上に蒸 二着し、透明電
極をＳｌＯ２薄膜で被覆するとともに該ＳｉＯ２薄膜に
琢磨布を用いて極小溝を設け配向層とし、２枚の前記ガ
ラス基板の周辺部に市販の低融点ガラスフリツトＹ．ｌ
Ｏ３（米国デユポン社製）をスクリーン印刷し、５５０
℃に３０分間 〉保ち封着し、液晶セルを得た。
以上の方法で得た液晶セルにシツフベース系混合液晶（
式１）を注入した結果、液晶分子は確実にツイスト系ネ
マテイツク構造に配例し、長時間経過してもその配向力
がおとえないことが確認された。
このように本発明では、機械的な極小溝を設けるための
透明絶縁層を、有機物質に対する吸着活性の低い二酸化
ケイ素（ＳｉＯ２）で構成し、この層に機械的極小溝を
設けて配向層とするものであるため、ハーメチツクシー
ル後も配向層の配向力は低下せず、信頼性の高いすぐれ
たツイストネマテイツク電界効果型液晶表示素子を製造
することができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 液晶セルを形成するための一方の基板の内面に設け
    られた透明電極上に、電子ビーム蒸着法で有機物に対す
    る吸着活性の低い二酸化ケイ素の薄膜を被覆するととも
    に該薄膜表面に方向性をもつた極小溝を設けて液晶に対
    する配向性を有する電極板を作製し、配向性の付与され
    た他方の電極板をガラスペーストによつて接着一体化す
    るとともにツイストネマティック型液晶を内部間隙に封
    止して液晶セルを構成することを特徴とするツイストネ
    マティック液晶表示素子の製造方法。
JP50039471A 1975-03-31 1975-03-31 ツイストネマテイツク液晶表示素子の製造方法 Expired JPS5947287B2 (ja)

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