JPH02178628A - 液晶パネルの製造方法 - Google Patents
液晶パネルの製造方法Info
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- JPH02178628A JPH02178628A JP33444088A JP33444088A JPH02178628A JP H02178628 A JPH02178628 A JP H02178628A JP 33444088 A JP33444088 A JP 33444088A JP 33444088 A JP33444088 A JP 33444088A JP H02178628 A JPH02178628 A JP H02178628A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、液晶パネルの製造方法に関するものである。
従来の技術
液晶パネルの液晶の配向法の一つとして、斜方蒸着膜、
とくにＳｉＯ斜方蒸着膜による配向法がよく知られてい
る。
とくにＳｉＯ斜方蒸着膜による配向法がよく知られてい
る。
しかしながら、このＳｉＯ斜方蒸着膜を用いた液晶パネ
ルは、液晶パネルに液晶を注入した後に、従来、この課
題に対して、ＳｉＯ斜方蒸着膜を形成した基板を４００
’Ｃ以上の温度で長時間空気中で熱処理をした後、２枚
の基板の電極を設けた面を対向させて縁部をシール樹脂
で接着し、内部に液晶を密封するという液晶パネルの製
造方法により、長期にわたって化学的安定性を有する液
晶パネルを製造していた。
ルは、液晶パネルに液晶を注入した後に、従来、この課
題に対して、ＳｉＯ斜方蒸着膜を形成した基板を４００
’Ｃ以上の温度で長時間空気中で熱処理をした後、２枚
の基板の電極を設けた面を対向させて縁部をシール樹脂
で接着し、内部に液晶を密封するという液晶パネルの製
造方法により、長期にわたって化学的安定性を有する液
晶パネルを製造していた。
発明が解決しようとする課題
このような従来の方法では、ＳｉＯ斜方蒸着膜を形成し
た基板を高温で長時間熱処理を行なうために、液晶パネ
ルの製造に多くの時間を要するという課題があった。
た基板を高温で長時間熱処理を行なうために、液晶パネ
ルの製造に多くの時間を要するという課題があった。
本発明はこのような課題を解決するもので、液晶パネル
の製造に要する時間を短縮することを目的とするもので
ある。
の製造に要する時間を短縮することを目的とするもので
ある。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明は、２枚の基板の少
なくとも一方の基板にＳｉＯ斜方蒸着膜からなる配向膜
を形成し、この配向膜を酸素プラズマ中で処理した後前
記基板を前記配向膜を形成した面を対向させて配置する
とともに、基板間に液晶を封入するものである。
なくとも一方の基板にＳｉＯ斜方蒸着膜からなる配向膜
を形成し、この配向膜を酸素プラズマ中で処理した後前
記基板を前記配向膜を形成した面を対向させて配置する
とともに、基板間に液晶を封入するものである。
作用
本発明によれば酸素プラズマ中で配向膜を処理すること
によって、配向膜を熱処理するのに比べて液晶パネルの
製造に要する時間を大幅に短縮することができる。この
処理により液晶とＳｉＯ斜方蒸着膜が反応して気泡を発
生することを防止し長期にわたって化学的安定性を有す
る液晶パネルとすることができる。
によって、配向膜を熱処理するのに比べて液晶パネルの
製造に要する時間を大幅に短縮することができる。この
処理により液晶とＳｉＯ斜方蒸着膜が反応して気泡を発
生することを防止し長期にわたって化学的安定性を有す
る液晶パネルとすることができる。
実施例
以下、図面を用いて本発明の一実施例を説明する。第１
図は本実施例によって製造される液晶パネルの構成を示
す断面図である。基板１，２の一方の面に電極を形成し
、基板１，２の電極を備えた面に配向膜３，４として膜
厚が１０００人のＳｉＯ斜方蒸着膜を形成する。次に第
１表に示す条件で酸素プラズマ中にてこの基板の配向膜
３，４を処理する。この時、処理時間を６分、１０分。
図は本実施例によって製造される液晶パネルの構成を示
す断面図である。基板１，２の一方の面に電極を形成し
、基板１，２の電極を備えた面に配向膜３，４として膜
厚が１０００人のＳｉＯ斜方蒸着膜を形成する。次に第
１表に示す条件で酸素プラズマ中にてこの基板の配向膜
３，４を処理する。この時、処理時間を６分、１０分。
１５分、３０分の４通りを実施する。この配向膜３．４
を処理した後に、配向膜３，４を備えた面を対向させた
基板１，２の間にスペーサー６を挟み、基板１，２０縁
部をシール樹脂６で接着し、基板１と基板２の間に液晶
７を注入し封止する。
を処理した後に、配向膜３，４を備えた面を対向させた
基板１，２の間にスペーサー６を挟み、基板１，２０縁
部をシール樹脂６で接着し、基板１と基板２の間に液晶
７を注入し封止する。
なお、液晶７は、チッソ（株）の強誘電性液晶（Ｏ８１
０１ｇ）を用いる。
０１ｇ）を用いる。
第１表
（注）円筒型プラズマ装置を用いた。
このようにして作製した４種類の液晶パネルについて気
泡の発生状態を調べた結果を第２表にまとめた。酸素プ
ラズマ中における処理時間が、６゜１０分の場合、液晶
パネル中に気泡が発生したが、１５．３０分の場合には
、液晶パネル中に気泡の発生は認められず、良好な配向
でかつ良好な液晶表示が得られた。
泡の発生状態を調べた結果を第２表にまとめた。酸素プ
ラズマ中における処理時間が、６゜１０分の場合、液晶
パネル中に気泡が発生したが、１５．３０分の場合には
、液晶パネル中に気泡の発生は認められず、良好な配向
でかつ良好な液晶表示が得られた。
第２表
このように酸素プラズマ中において配向膜３゜４を処理
すれば、短時間で処理ができかつ長期にわたって化学的
に安定な液晶パネルが得られる。
すれば、短時間で処理ができかつ長期にわたって化学的
に安定な液晶パネルが得られる。
この酸素プラズマについて詳しく述べる。酸素プラズマ
においては、電子のエネルギーはイオンや中性粒子のエ
ネルギーよりも大きく、熱的に非平衡な状態にある。基
底状態の酸素分子は電子の衝突によって励起され、さら
に酸素原子に解離する。従って酸素プラズマ中には励起
酸素分子と酸素原子が存在し、これらが反応種となり、
ＳｉＯ斜方蒸着膜の表面の８ｉ０が酸化されて５ｉ０２
になると考えられる。
においては、電子のエネルギーはイオンや中性粒子のエ
ネルギーよりも大きく、熱的に非平衡な状態にある。基
底状態の酸素分子は電子の衝突によって励起され、さら
に酸素原子に解離する。従って酸素プラズマ中には励起
酸素分子と酸素原子が存在し、これらが反応種となり、
ＳｉＯ斜方蒸着膜の表面の８ｉ０が酸化されて５ｉ０２
になると考えられる。
このようにプラズマにおける励起状態の酸素は熱的に高
温状態におかれているのと同じであυ、低温において有
効な化学反応性を有しているので、短時間でＳｉＯ斜方
蒸着膜、すなわち配向膜を処理することができる。
温状態におかれているのと同じであυ、低温において有
効な化学反応性を有しているので、短時間でＳｉＯ斜方
蒸着膜、すなわち配向膜を処理することができる。
本実施例では、ＳｉＯ斜方蒸着膜を２枚の基板に形成し
た場合としたが、一方の基板のみに形成した場合でもよ
い。また、液晶として強誘電性液晶を用いたが、ツイス
トネマチック液晶など他の液晶についても同様の効果が
ある。さらに、酸素プラズマ中における処理条件につい
ては、ここで述べた条件に限定するものではなく、Ｓｉ
Ｏ斜方蒸着膜の条件などを考慮した検討が必要である。
た場合としたが、一方の基板のみに形成した場合でもよ
い。また、液晶として強誘電性液晶を用いたが、ツイス
トネマチック液晶など他の液晶についても同様の効果が
ある。さらに、酸素プラズマ中における処理条件につい
ては、ここで述べた条件に限定するものではなく、Ｓｉ
Ｏ斜方蒸着膜の条件などを考慮した検討が必要である。
発明の効果
以上のように本発明によれば、ＳｉＯ斜方蒸着膜を形成
した基板を酸素中でプラズマ処理することにより、液晶
パネルの製造に要する時間が大幅に短縮できる効果が得
られる。さらに、酸素プラズマ中で基板を処理すること
により、基板表面の有機物の汚れを除去することができ
、基板とシール樹脂の濡れ性が良くなるので液晶パネル
のシール不良を少なくする効果も得られる。
した基板を酸素中でプラズマ処理することにより、液晶
パネルの製造に要する時間が大幅に短縮できる効果が得
られる。さらに、酸素プラズマ中で基板を処理すること
により、基板表面の有機物の汚れを除去することができ
、基板とシール樹脂の濡れ性が良くなるので液晶パネル
のシール不良を少なくする効果も得られる。
第１図は、本発明の一実施例による製造方法によって製
造された液晶パネルの構成図である。 １．２・・・・・・基板、３，４・・・・・・配向膜、
７・・・・・・液晶。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名−一
一シー／ｌ１％
造された液晶パネルの構成図である。 １．２・・・・・・基板、３，４・・・・・・配向膜、
７・・・・・・液晶。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名−一
一シー／ｌ１％
Claims (1)
- ２枚の基板の少なくとも一方の基板にＳｉＯ斜方蒸着膜
からなる配向膜を形成し、この配向膜を酸素プラズマ中
で処理した後、前記基板を前記配向膜を形成した面を対
向させて配置するとともに、前記基板間に液晶を封入す
る液晶パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33444088A JPH02178628A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 液晶パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33444088A JPH02178628A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 液晶パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02178628A true JPH02178628A (ja) | 1990-07-11 |
Family
ID=18277407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33444088A Pending JPH02178628A (ja) | 1988-12-28 | 1988-12-28 | 液晶パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02178628A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007264624A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-10-11 | Canon Inc | 液晶パネルの製造方法及び配向膜の表面処理方法 |
| US7483103B2 (en) | 2004-10-22 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
| US7675603B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-03-09 | Seiko Epson Corporation | Seal structure, seal method, liquid crystal device, manufacturing method thereof, and projector |
-
1988
- 1988-12-28 JP JP33444088A patent/JPH02178628A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7483103B2 (en) | 2004-10-22 | 2009-01-27 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus |
| US7675603B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-03-09 | Seiko Epson Corporation | Seal structure, seal method, liquid crystal device, manufacturing method thereof, and projector |
| JP2007264624A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-10-11 | Canon Inc | 液晶パネルの製造方法及び配向膜の表面処理方法 |
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