JPS63271417A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS63271417A JPS63271417A JP10757287A JP10757287A JPS63271417A JP S63271417 A JPS63271417 A JP S63271417A JP 10757287 A JP10757287 A JP 10757287A JP 10757287 A JP10757287 A JP 10757287A JP S63271417 A JPS63271417 A JP S63271417A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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-
- G—PHYSICS
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、テレビジョン受l111.ディスプレイ等の
画像表示装置に用いられる液晶表示素子に係り、特に液
晶に電圧を印加するための表示電極の引出電極を基板の
内部を貫通して液晶表示素子外に取出すようにした液晶
表示素子に関する。
画像表示装置に用いられる液晶表示素子に係り、特に液
晶に電圧を印加するための表示電極の引出電極を基板の
内部を貫通して液晶表示素子外に取出すようにした液晶
表示素子に関する。
(従来の技術)
液晶表示素子は画像表示装置として多用されているが、
テレビジョン受像機、ディスプレイ等のような精細な画
像表示装置に用いられる液晶表示素子は、画素数が多く
必要であり、表示電極の数が多いものである。
テレビジョン受像機、ディスプレイ等のような精細な画
像表示装置に用いられる液晶表示素子は、画素数が多く
必要であり、表示電極の数が多いものである。
第3図(A)は従来の液晶表示素子を示す断面図、同図
(B)は同平面図である。同図は通過型の液晶表示素子
の構造であり、平行に対向配置された一対のガラス基板
10.10’ にそれぞれ透明な表示電極11.11’
を、非対向側にそれぞれ偏光板12.12’ を備え
、前記表示電極11゜11′上には分子配向膜13.1
3’を備え、この分子配向WA@に液晶14を封入し、
封止材15により封止した構造となっている。
(B)は同平面図である。同図は通過型の液晶表示素子
の構造であり、平行に対向配置された一対のガラス基板
10.10’ にそれぞれ透明な表示電極11.11’
を、非対向側にそれぞれ偏光板12.12’ を備え
、前記表示電極11゜11′上には分子配向膜13.1
3’を備え、この分子配向WA@に液晶14を封入し、
封止材15により封止した構造となっている。
従来、この表示電極11.11’の引出電極は、ガラス
基板10.10’を封止材15より外側にはみ出すよう
に大きクシ、その上に表糸電極11゜11′の延長とし
て形成された電極を利用していた。
基板10.10’を封止材15より外側にはみ出すよう
に大きクシ、その上に表糸電極11゜11′の延長とし
て形成された電極を利用していた。
第3図では、11′がガラス基板10′上に形成された
引出電極、11がガラス基板10上に形成された引出電
極である。
引出電極、11がガラス基板10上に形成された引出電
極である。
(発明が解決しようとする問題点)
従来の液晶表示素子は、基板の面積を表示電極および液
晶を封止する封止材よりを大きくして、そのはみ出した
基板上に設けられた表示電極と連続した電極を引出電極
として外周部より取出寸ため、基板の面積が大きくなり
、更に引出し線を基板上で交叉させるのは、工程の増加
および信頼性も低下するので、交叉させないようにする
ためには、引出電極の位置が限定されてしまうという問
題点があった。
晶を封止する封止材よりを大きくして、そのはみ出した
基板上に設けられた表示電極と連続した電極を引出電極
として外周部より取出寸ため、基板の面積が大きくなり
、更に引出し線を基板上で交叉させるのは、工程の増加
および信頼性も低下するので、交叉させないようにする
ためには、引出電極の位置が限定されてしまうという問
題点があった。
(問題点を解決するための手段)
本発明は上記問題点を解決するために、表示電極を有す
る一対の基板問に液晶を封入した液晶表示素子において
、この一対の基板の少なくとも一方の基板の表示電極の
引出電極を前記基板の内部を貫通して液晶表示素子外に
取出すようにしたことを特徴とする液晶表示素子を提供
する。
る一対の基板問に液晶を封入した液晶表示素子において
、この一対の基板の少なくとも一方の基板の表示電極の
引出電極を前記基板の内部を貫通して液晶表示素子外に
取出すようにしたことを特徴とする液晶表示素子を提供
する。
(実施例)
第1図は本発明の液晶表示素子の第1の実施例を示す断
面図である。同図において、基板となる2枚の透明な、
例えばガラス基、板1,1′が対向配置されており、こ
のガラス基板1の、対向側に所望のパターンが施された
表示電極2が、ガラス基1′の対向側に表示電極2′が
それぞれ設けられている。
面図である。同図において、基板となる2枚の透明な、
例えばガラス基、板1,1′が対向配置されており、こ
のガラス基板1の、対向側に所望のパターンが施された
表示電極2が、ガラス基1′の対向側に表示電極2′が
それぞれ設けられている。
上記表示ff1li!2は、ガラス基板1を厚み方向に
貫通した導電性の引出電極3を介して液晶表示素子の外
部に取出される構造になっている。同様に、ガラス基板
1′も厚み方向に貫通した導電性の引出電極3′を介し
て液晶表示素子の外部に取出される構造になっている。
貫通した導電性の引出電極3を介して液晶表示素子の外
部に取出される構造になっている。同様に、ガラス基板
1′も厚み方向に貫通した導電性の引出電極3′を介し
て液晶表示素子の外部に取出される構造になっている。
更に、表示′?ri極2,2′の表面上にはそれぞれ分
子配向膜4および4′が施されている。
子配向膜4および4′が施されている。
このような表示電極2、引出型It!3、分子配向膜4
が順次設けられたガラス基板1と、表示電極2′、引出
電極3′、分子配向nrJ 4 ’ が順次設【プられ
たガラス基板1′とが約10μ情の間隔で平行に対向し
、その間に液晶5が注入され、ガラス基板1.1′の周
囲を封止材6により液晶5を封止している。ガラス基板
1,1′の外側には偏光板7.7′がそれぞれ密着して
設けられている。
が順次設けられたガラス基板1と、表示電極2′、引出
電極3′、分子配向nrJ 4 ’ が順次設【プられ
たガラス基板1′とが約10μ情の間隔で平行に対向し
、その間に液晶5が注入され、ガラス基板1.1′の周
囲を封止材6により液晶5を封止している。ガラス基板
1,1′の外側には偏光板7.7′がそれぞれ密着して
設けられている。
上記構成の液晶表示素子の製法について説明する。
(1)例えば、ホウケイ酸ソーダガラス塁板を500〜
600” Cニ加熱し、Na2O−8203とSiO2
の組成に分離させる。
600” Cニ加熱し、Na2O−8203とSiO2
の組成に分離させる。
(2)この分相したガラスを、例えば硫酸、塩酸、また
は硝酸に浸漬けてNa2O−820sを溶出させ、多孔
質のシリカガラス基板を生成する。
は硝酸に浸漬けてNa2O−820sを溶出させ、多孔
質のシリカガラス基板を生成する。
(3)このような多孔質のシリカガラス基板の所望の位
置にイオン打込み装置でIn(インジウム)イオンを打
込み、導電体の引出電極3.3′を形成する。
置にイオン打込み装置でIn(インジウム)イオンを打
込み、導電体の引出電極3.3′を形成する。
(4)このように引出電極3.3′が形成された多孔質
のシリカガラス基板を再度700〜900°Cに加熱す
ることにより、多孔質のシリカガラス基板が収縮し、多
孔質の孔が閏じ、SiO2を主成分としたガラス基板1
.1′が得られる。
のシリカガラス基板を再度700〜900°Cに加熱す
ることにより、多孔質のシリカガラス基板が収縮し、多
孔質の孔が閏じ、SiO2を主成分としたガラス基板1
.1′が得られる。
(5)ガラス基板1.1′上に、例えば酸化インジウム
等を蒸着、スパッタリング等で被着後、これをエツチン
グ等でパターニングすることによりガラス基板1,1′
に所望の表示電極2.2′をそれぞれ形成する。
等を蒸着、スパッタリング等で被着後、これをエツチン
グ等でパターニングすることによりガラス基板1,1′
に所望の表示電極2.2′をそれぞれ形成する。
(6)この表示電極2,2′上に電気的絶縁性、かつ耐
熱性のポリイミド系樹脂の中固体を溶媒で溶解した溶解
液をスピンナ法またはロール法等で塗布し、溶媒を揮発
、200〜300″Cで約1vI間乾燥および加熱させ
て、加熱重合により所定膜厚のポリイミド被膜を形成す
る。
熱性のポリイミド系樹脂の中固体を溶媒で溶解した溶解
液をスピンナ法またはロール法等で塗布し、溶媒を揮発
、200〜300″Cで約1vI間乾燥および加熱させ
て、加熱重合により所定膜厚のポリイミド被膜を形成す
る。
このポリイミド被膜を布、刷毛等で一定方向に撫でる、
いわゆるラビング法によりガラス基板1゜1′に平行な
配向処理を施す。この配向処理を施したポリイミド被膜
は分子配向膜4.4′となり、分子配向Jl!4.4’
が形成されたガラス基板1゜1′が得られる。
いわゆるラビング法によりガラス基板1゜1′に平行な
配向処理を施す。この配向処理を施したポリイミド被膜
は分子配向膜4.4′となり、分子配向Jl!4.4’
が形成されたガラス基板1゜1′が得られる。
(7)以上の製造工程で骨られた、ガラス基板1と1′
とを平行に対向された間に液晶5を注入し、封止材6に
よりガラス基板1.1′の周囲な到止し、ガラス基板1
,1′の外側に偏光板7,7′を形成して、液晶表示素
子が完成する。
とを平行に対向された間に液晶5を注入し、封止材6に
よりガラス基板1.1′の周囲な到止し、ガラス基板1
,1′の外側に偏光板7,7′を形成して、液晶表示素
子が完成する。
第2図は本発明の液晶表示素子の第2の実施例を示す断
面図である。同図において、第1図と同一構成部には同
一符号を付与し、説明する。第1図との相違点は、ガラ
ス基板1′における引出電極8がガラス基板1′の厚み
方向から途中で折れ曲がってガラス基板1′の水平方向
から取出される構造になっていることである。
面図である。同図において、第1図と同一構成部には同
一符号を付与し、説明する。第1図との相違点は、ガラ
ス基板1′における引出電極8がガラス基板1′の厚み
方向から途中で折れ曲がってガラス基板1′の水平方向
から取出される構造になっていることである。
なお、上記実施例は多孔質のシリカガラスを工程途中で
生成したが、11F(フッ化水N)、HBFa(テトラ
スルオドホウ酸)、トIPO3(メタリン酸)またはN
a2CO3等を用い、ガラス基板に孔を溶解穿孔し、こ
の孔に導電物質を?!設して引出電極を形成することも
出来る。
生成したが、11F(フッ化水N)、HBFa(テトラ
スルオドホウ酸)、トIPO3(メタリン酸)またはN
a2CO3等を用い、ガラス基板に孔を溶解穿孔し、こ
の孔に導電物質を?!設して引出電極を形成することも
出来る。
更に、上記実施例は透過形の液晶表示素子の場合であっ
たが、これに限ることなく反射型の液晶表示素子の場合
でも本発明は適用でき、その作用効果は全く同様である
。
たが、これに限ることなく反射型の液晶表示素子の場合
でも本発明は適用でき、その作用効果は全く同様である
。
(発明の効果)
本発明によれば、液晶表示素子を構成する表示電極の引
出電極が基板内部を貫通して得られるため、外形形状が
小さく、引出電極が基板上で交叉することなく自由にど
の位置でも取り出せるので、信頼性が良く、表示電極の
形状が自由な液晶表示素子が得られる等の特長を有する
。
出電極が基板内部を貫通して得られるため、外形形状が
小さく、引出電極が基板上で交叉することなく自由にど
の位置でも取り出せるので、信頼性が良く、表示電極の
形状が自由な液晶表示素子が得られる等の特長を有する
。
第1図は、本発明の液晶表示素子の第1の実施例を示す
断面図、第2図は本発明の液晶表示素子の第2の実施例
を示す断面図、第3図(A)は従来の液晶表示素子を示
す断面図、同図(8)は同平面図である。 1.1′・・・ガラス基板、2.2′・・・表示電極、
3.3’ 、8・・・引出電極、4.4′・・・分子配
向膜、5・・・液晶、6・・・封止材。 @2図
断面図、第2図は本発明の液晶表示素子の第2の実施例
を示す断面図、第3図(A)は従来の液晶表示素子を示
す断面図、同図(8)は同平面図である。 1.1′・・・ガラス基板、2.2′・・・表示電極、
3.3’ 、8・・・引出電極、4.4′・・・分子配
向膜、5・・・液晶、6・・・封止材。 @2図
Claims (1)
- 表示電極を有する一対の基板間に液晶を封入した液晶表
示素子において、この一対の基板の少なくとも一方の基
板の表示電極の引出電極を前記基板の内部を貫通して液
晶表示素子外に取出すようにしたことを特徴とする液晶
表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10757287A JPS63271417A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10757287A JPS63271417A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63271417A true JPS63271417A (ja) | 1988-11-09 |
Family
ID=14462572
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10757287A Pending JPS63271417A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63271417A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5206748A (en) * | 1990-03-27 | 1993-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wide-frame electro-optic device |
NL1006302C2 (nl) * | 1997-06-12 | 1998-12-15 | Seed Capital Investments | Inrichting voor het weergeven van informatie. |
US6365949B1 (en) | 1997-06-12 | 2002-04-02 | Zetfolie B.V. | Substrate having a unidirectional conductivity perpendicular to its surface, devices comprising such a substrate and methods for manufacturing such a substrate |
WO2002079867A1 (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device and method of manufacturing the same |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP10757287A patent/JPS63271417A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5206748A (en) * | 1990-03-27 | 1993-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wide-frame electro-optic device |
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US6365949B1 (en) | 1997-06-12 | 2002-04-02 | Zetfolie B.V. | Substrate having a unidirectional conductivity perpendicular to its surface, devices comprising such a substrate and methods for manufacturing such a substrate |
WO2002079867A1 (en) * | 2001-03-29 | 2002-10-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Display device and method of manufacturing the same |
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