JPS5939362B2 - 窒化ホウ素系化合物およびその製造方法 - Google Patents
窒化ホウ素系化合物およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は立方晶窒化ホウ素を製造するに際しての触媒
として有用な新規な窒化ホウ素系化合物およびその製造
方法に関するものである。
として有用な新規な窒化ホウ素系化合物およびその製造
方法に関するものである。
周知のように立方晶窒化ホウ素はダイヤモンドに近い硬
さを有し、しかも化学的安定性の点ではダイヤモンドよ
り優れているため、研削材料(砥粒)としての需要が増
大しつつある。
さを有し、しかも化学的安定性の点ではダイヤモンドよ
り優れているため、研削材料(砥粒)としての需要が増
大しつつある。
上記のごとき立方晶窒化ホウ素の工業的な製造方法とし
ては、六方晶窒化ホウ素の粉末と触媒粉末とを混合し、
これを40〜60 kbar程度の高圧力、1400〜
1600℃程度の高温で処理して、六方晶窒化ホウ素を
立方晶に変換する方法が一般的である。
ては、六方晶窒化ホウ素の粉末と触媒粉末とを混合し、
これを40〜60 kbar程度の高圧力、1400〜
1600℃程度の高温で処理して、六方晶窒化ホウ素を
立方晶に変換する方法が一般的である。
このような方法に使用される触媒としては、アルカリ金
属もしくはアルカリ土類金属の窒化物、またはアルカリ
金属もしくはアルカリ土類金属と窒素およびホウ素から
なる窒化ホウ素系3元化合物例えばCa3B2N4やL
i3BN2等が知られている。
属もしくはアルカリ土類金属の窒化物、またはアルカリ
金属もしくはアルカリ土類金属と窒素およびホウ素から
なる窒化ホウ素系3元化合物例えばCa3B2N4やL
i3BN2等が知られている。
このような方法は、六方晶窒化ホウ素を触媒液へ溶は込
ませ、合成条件下での共晶融体への溶解度が六方晶窒化
ホウ素より立方晶窒化ホウ素の方が小さいことを利用し
て立方晶窒化ホウ素を析させるものである。
ませ、合成条件下での共晶融体への溶解度が六方晶窒化
ホウ素より立方晶窒化ホウ素の方が小さいことを利用し
て立方晶窒化ホウ素を析させるものである。
ところで研削材料(砥粒)としては、機械的強度、特に
圧壊強度が高いことが必要であり、また強度に関連して
粒子の形状性が良好なこと、すなわち扁平な形状であっ
たり鋭角状の形状であったすせずに可及的に球体に近い
形状であること、あるいは表面の凹凸が少ないこと等が
要求される。
圧壊強度が高いことが必要であり、また強度に関連して
粒子の形状性が良好なこと、すなわち扁平な形状であっ
たり鋭角状の形状であったすせずに可及的に球体に近い
形状であること、あるいは表面の凹凸が少ないこと等が
要求される。
しかるに前述の如く窒化物(2元化合物)や窒化ホウ素
系3元化合物を触媒として用いた従来の立方晶窒化ホウ
素製造方法においては、必ずしも充分な機械的強度、良
好な形状性を有する立方晶窒化ホウ素を得ることができ
るとは限らないのが実情である。
系3元化合物を触媒として用いた従来の立方晶窒化ホウ
素製造方法においては、必ずしも充分な機械的強度、良
好な形状性を有する立方晶窒化ホウ素を得ることができ
るとは限らないのが実情である。
すなわち従来の触媒を用いた方法では、製造条件の制御
等を相当に精密かつ複雑にしなければ強度改善や形状性
改善がなされないのが実情である。
等を相当に精密かつ複雑にしなければ強度改善や形状性
改善がなされないのが実情である。
そこで本発明者等は、従来使用されていた触媒と異なる
触媒物質を用いて立方晶窒化ホウ素の強度改善、形状性
改善を図る方法を確立すべく鋭意実験・研究を行ったと
ころ、従来知られていなかった新規な物質の合成に成功
するとともにその新規物質が立方晶窒化ホウ素の合成に
おける触媒として有用であって、その物質を触媒として
使用することにより従来方法よりも格段に優れた強度、
形状性を有する立方晶窒化ホウ素を合成し得ることを見
出し、この発明をなすに至ったのである。
触媒物質を用いて立方晶窒化ホウ素の強度改善、形状性
改善を図る方法を確立すべく鋭意実験・研究を行ったと
ころ、従来知られていなかった新規な物質の合成に成功
するとともにその新規物質が立方晶窒化ホウ素の合成に
おける触媒として有用であって、その物質を触媒として
使用することにより従来方法よりも格段に優れた強度、
形状性を有する立方晶窒化ホウ素を合成し得ることを見
出し、この発明をなすに至ったのである。
すなわちこの発明は、立方晶窒化ホウ素合成の触媒とし
て有用な新規化合物、およびその新規化合物を合成する
方法を提供することを目的とするものである。
て有用な新規化合物、およびその新規化合物を合成する
方法を提供することを目的とするものである。
具体的には、この発明の新規化合物は、分子式LiCa
BN2で示される窒化ホウ素系の4元化合物、すなわち
リチウムカルシウム窒化ホウ素である。
BN2で示される窒化ホウ素系の4元化合物、すなわち
リチウムカルシウム窒化ホウ素である。
またこの発明の前記窒化ホウ素系化合物合成方法は、窒
化リチウムもしくは金属リチウムと、窒化カルシウムも
しくは金属カルシウムと、BNとを混合し、その混合物
をアルゴンガス、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中にて
800°C程度以上の高温に保持し、溶融後冷却凝固さ
せるものである。
化リチウムもしくは金属リチウムと、窒化カルシウムも
しくは金属カルシウムと、BNとを混合し、その混合物
をアルゴンガス、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中にて
800°C程度以上の高温に保持し、溶融後冷却凝固さ
せるものである。
以下この発明をさらに詳細に説明する。
先ずこの発明の新規化合物、すなわち窒化ホウ素系4元
化合物の製造方法について説明する。
化合物の製造方法について説明する。
前記新規化合物を製造するにあたっては、原料として、
Li3N等の窒化リチウムもしくは金属リチウムの粉末
、Ca3N2等の窒化カルシウムもしくは金属カルシウ
ムの粉末、およびBN(もちろん六方晶窒化ホウ素で充
分である)の粉末を用意する。
Li3N等の窒化リチウムもしくは金属リチウムの粉末
、Ca3N2等の窒化カルシウムもしくは金属カルシウ
ムの粉末、およびBN(もちろん六方晶窒化ホウ素で充
分である)の粉末を用意する。
ここで、BNとしては六方晶窒化ホウ素のほか、立方晶
ウルツ鉱型のBNも使用可能である。
ウルツ鉱型のBNも使用可能である。
またこれらの原料粉末は、反応性を高めるために微粉砕
してお(ことが望ましい。
してお(ことが望ましい。
そしてこれらを後述するような配合割合で混合し、その
混合粉末を適当な容器内に収容してN2もしくはAr等
の不活性ガス雰囲気中で加熱する。
混合粉末を適当な容器内に収容してN2もしくはAr等
の不活性ガス雰囲気中で加熱する。
この加熱昇温時には、700℃程度から発熱が開始され
て、反応が開示されているものと推察される。
て、反応が開示されているものと推察される。
そして800℃〜900℃程度で溶融されるから、80
0℃以上、望ましくは900℃程度に加熱保持し、溶融
反応を進行させる。
0℃以上、望ましくは900℃程度に加熱保持し、溶融
反応を進行させる。
なおこの反応温度の上限は、L iCa B N 2の
生成が徐々に進行すること、および保持時間との関係も
あることから、明確には定め・難いが、通常は1200
℃程度まではLiCaBN2を収率良く得ることができ
る。
生成が徐々に進行すること、および保持時間との関係も
あることから、明確には定め・難いが、通常は1200
℃程度まではLiCaBN2を収率良く得ることができ
る。
そらにその保持時間は20分程度以上が好ましく、通常
は40分程度加熱保持することが望ましい。
は40分程度加熱保持することが望ましい。
このように加熱保持した後、不活性ガス雰囲気中にて冷
却凝固させれば、この発明の新規化合物が得られる。
却凝固させれば、この発明の新規化合物が得られる。
なおこの化合物を用いて立方晶窒化ホウ素を製造する場
合には、凝固した化合物を不活性ガス雰囲気にて150
メツシユ以下に粉砕しておく。
合には、凝固した化合物を不活性ガス雰囲気にて150
メツシユ以下に粉砕しておく。
ここで前記各原料の配合割合について説明すると、原料
として、窒化リチウム例えばL 13N 1窒化カルシ
ウム例えばCa3N2、およびBNが使用される場合、
その配合割合は混合物中のLi、Ca。
として、窒化リチウム例えばL 13N 1窒化カルシ
ウム例えばCa3N2、およびBNが使用される場合、
その配合割合は混合物中のLi、Ca。
B、Nの原子比が、(1〜1.4 ) : (1〜1.
4 ) :1:2となるように設定することが望ましい
。
4 ) :1:2となるように設定することが望ましい
。
したがって窒化リチウムとしてLi3N、窒化カルシウ
ムとしてCa3N2カイ吏用される場合、Li5JCa
3N2、BNの比はモル比で(1〜1.4):(1〜1
.4):3とすることが望ましい。
ムとしてCa3N2カイ吏用される場合、Li5JCa
3N2、BNの比はモル比で(1〜1.4):(1〜1
.4):3とすることが望ましい。
またリチウム源として金属リチウムを用いる場合やカル
シウム源として金属カルシウムが使用される場合、ある
いはリチウム源、カルシウム源としてLi3N以外のも
の、Ca3N2以外のものが、使用される場合において
は、混合物中のLi、Ca、Bの分子比が(1〜1.4
):(1〜1.4):1となるように設定しても同じく
混合物中のNの分子比が2以下となることがあり、この
場合には混合物の加熱時の不活性ガス雰囲気を特に窒素
ガス雰囲気とし、窒素の不足分を補うことが望ましい。
シウム源として金属カルシウムが使用される場合、ある
いはリチウム源、カルシウム源としてLi3N以外のも
の、Ca3N2以外のものが、使用される場合において
は、混合物中のLi、Ca、Bの分子比が(1〜1.4
):(1〜1.4):1となるように設定しても同じく
混合物中のNの分子比が2以下となることがあり、この
場合には混合物の加熱時の不活性ガス雰囲気を特に窒素
ガス雰囲気とし、窒素の不足分を補うことが望ましい。
次にこの発明の新規化合物合成方法の実施例を記す。
実施例 1
それぞれ150メツシユ以下に粉砕されたL t 3
N粉末5g、Ca3N2粉末20g、六方晶BN粉末1
0gを混合し、白金容器に収容してN2ガスを8 l
7m1ttの流量で流しながら電気炉にて加熱昇温させ
、900℃に40分間保持した。
N粉末5g、Ca3N2粉末20g、六方晶BN粉末1
0gを混合し、白金容器に収容してN2ガスを8 l
7m1ttの流量で流しながら電気炉にて加熱昇温させ
、900℃に40分間保持した。
反応生成物をN2ガス気流中にて電気炉内で冷却し、そ
の後N2ガス雰囲気中で150メツシユ以下に粉砕した
。
の後N2ガス雰囲気中で150メツシユ以下に粉砕した
。
この実施例により得られた反応生成物粉末を、X線回折
法により構造分析したところ、第1表の最右欄に示す通
りであった。
法により構造分析したところ、第1表の最右欄に示す通
りであった。
一方この反応に使用される原料物質等の既知物質のAS
T勘−ドのデータを第1表に併せて示す。
T勘−ドのデータを第1表に併せて示す。
第1表から、実施例により得られた物質は既知の原料物
質の単なる混合物ではなく、全く新しい構造を有する新
規物質であることが明らかである。
質の単なる混合物ではなく、全く新しい構造を有する新
規物質であることが明らかである。
そして化学分析結果(但しLlは炎光法で、CaはED
TA法で、Bはマンニット法で分析し、Nは全体から差
引き計算した)と併せて検討した結果、分子式LiCa
BN2なる新規な窒化ホウ素系化合物であることが明ら
かとなり、またその構造は体心立方構造で、単位セルに
12分子含まれることが推察された。
TA法で、Bはマンニット法で分析し、Nは全体から差
引き計算した)と併せて検討した結果、分子式LiCa
BN2なる新規な窒化ホウ素系化合物であることが明ら
かとなり、またその構造は体心立方構造で、単位セルに
12分子含まれることが推察された。
なおこの新規化合物の熱分析(示差熱分析および熱重量
分析)の結果は第1図に示す通りであり、その融点、凝
固点は780°C〜820°C程度であることが判明し
た。
分析)の結果は第1図に示す通りであり、その融点、凝
固点は780°C〜820°C程度であることが判明し
た。
但しこれらの熱分析条件は、昇温速度10°C/mvt
、漂準物質a A1203 、窒素雰囲気とした。
、漂準物質a A1203 、窒素雰囲気とした。
またこの化合物は冷却凝固時の状態では灰色を呈してい
た。
た。
一方、比重は実測値で2.39程度であり、また1セル
に12分子含まれる体心立方晶構造の理論計算からは比
重2.383と計算され、実測値と理論値が良く一致し
ていることが明らかとなった。
に12分子含まれる体心立方晶構造の理論計算からは比
重2.383と計算され、実測値と理論値が良く一致し
ていることが明らかとなった。
上述の実施例1は下記第2表の試料番号1に示すように
L i3 N % Ca 3 N2、およびBNの配合
量を、それからから化学量論的にLiCaBN2が合成
されるモル比(1:1:3)に設定したが、次の実施例
2にはBNに対しL 13 NおよびCa3N2の配合
量が若干ずれている場合について記す。
L i3 N % Ca 3 N2、およびBNの配合
量を、それからから化学量論的にLiCaBN2が合成
されるモル比(1:1:3)に設定したが、次の実施例
2にはBNに対しL 13 NおよびCa3N2の配合
量が若干ずれている場合について記す。
実施例 2
第2表の試料番号2〜5に示すようなモル比でL is
N粉末、Ca 3N2粉末、BN粉末を混合し、実施
例1と同様の処理を行った。
N粉末、Ca 3N2粉末、BN粉末を混合し、実施
例1と同様の処理を行った。
この実施例2により得られた物質をX線分析したところ
、実施例1で得られた4元化合物相と、Li3Nもしく
はCa3N2の過剰成分が複合されていることが確認さ
れた。
、実施例1で得られた4元化合物相と、Li3Nもしく
はCa3N2の過剰成分が複合されていることが確認さ
れた。
なおこの発明の新規化合物LiCaBN2を製造するた
めの出発原料としては、前述のような組合せのほか、次
の(1)〜(3)に示すような各組合せが可能である。
めの出発原料としては、前述のような組合せのほか、次
の(1)〜(3)に示すような各組合せが可能である。
(1)窒化リチウムもしくは金属リチウムと、Ca 3
B 2 N4と、BN (2) L i 3BN2と、窒化カルシウムもしく
は金属カルシウムと、BN (3) L t a B N 2と、Ca 3B 2
N4これらの(1)〜(3)のいずれの場合において
も前記同様に混合してこれをAr、N2等の不活性ガス
雰囲気中で800℃以上に加熱保持して反応および溶融
させ、その後冷却凝固させれば良い。
B 2 N4と、BN (2) L i 3BN2と、窒化カルシウムもしく
は金属カルシウムと、BN (3) L t a B N 2と、Ca 3B 2
N4これらの(1)〜(3)のいずれの場合において
も前記同様に混合してこれをAr、N2等の不活性ガス
雰囲気中で800℃以上に加熱保持して反応および溶融
させ、その後冷却凝固させれば良い。
またこれらの場合の原料の配合比は、基本的には混合物
中のLi、Ca、B、Hの分子比が(1〜1.4 ):
(1〜1.4):1:2となるように設定することが望
ましく、また(1)、(2)の場合に金属リチウムもし
くは金属カルシウムの使用によりNの分子比が2以下と
なるような場合には、加熱時の不活性ガスとしてN2ガ
スを用いてNの不足分を補うことが望ましい。
中のLi、Ca、B、Hの分子比が(1〜1.4 ):
(1〜1.4):1:2となるように設定することが望
ましく、また(1)、(2)の場合に金属リチウムもし
くは金属カルシウムの使用によりNの分子比が2以下と
なるような場合には、加熱時の不活性ガスとしてN2ガ
スを用いてNの不足分を補うことが望ましい。
次に前述のようにして得られた4元化合物(’LiCa
BN2)を触媒として用いて立方晶窒化ホウ素を製造す
る方法を説明する。
BN2)を触媒として用いて立方晶窒化ホウ素を製造す
る方法を説明する。
まず六方晶窒化ホウ素の望ましくは150メツシユ以下
の粉末100重量部に対し、触媒としての前記4元化合
物(L iCa BN2 )の望ましくは150メツシ
ユ以下の粉末5〜50重量部、望ましくは10〜30重
量部を配合し、均一に混合して圧粉成形する。
の粉末100重量部に対し、触媒としての前記4元化合
物(L iCa BN2 )の望ましくは150メツシ
ユ以下の粉末5〜50重量部、望ましくは10〜30重
量部を配合し、均一に混合して圧粉成形する。
あるいはまた六方晶窒化ホウ素の粉末および上述の触媒
粉末を、それぞれ各別に薄い板状に圧粉成形し、これら
を前述の配合比で交互に積層する。
粉末を、それぞれ各別に薄い板状に圧粉成形し、これら
を前述の配合比で交互に積層する。
このようにして得られた混合圧粉成形体もしくは積層体
に対し1300〜16000Cの高温下で40〜60
kbarの高圧を加え、5分〜40分保持する。
に対し1300〜16000Cの高温下で40〜60
kbarの高圧を加え、5分〜40分保持する。
斯くすれば立方晶窒化ホウ素の結晶粒が得られる。
なおこれらの温度、圧力、保持時間は従来と同様である
。
。
上述のように高温・高圧を与える手段としては種々考え
られるが、例えば第2図に示すような反応容器に前記混
合圧粉形成体もしくは積層体を収容し、通電するととも
にプレスにて加圧すれば良い。
られるが、例えば第2図に示すような反応容器に前記混
合圧粉形成体もしくは積層体を収容し、通電するととも
にプレスにて加圧すれば良い。
第2図において、容器外壁1は低圧体としてのパイロフ
ィライトによって円筒状に作られ、その内側には黒鉛円
筒体からなるヒーター2および隔壁材としてパイロツヤ
ライト8が配設されている。
ィライトによって円筒状に作られ、その内側には黒鉛円
筒体からなるヒーター2および隔壁材としてパイロツヤ
ライト8が配設されている。
また容器の上下端にはそれぞれ通電用鋼製リング3およ
び通電用鋼板4が配設され、その内側には焼結アルミナ
板5および低圧体としてのパイロフィライト6が配設さ
れ、そしてそのパイロフィライト6および隔壁材として
のパイロフィライト8によって取囲まれる空間が反応原
料を収容する収容室7となっている。
び通電用鋼板4が配設され、その内側には焼結アルミナ
板5および低圧体としてのパイロフィライト6が配設さ
れ、そしてそのパイロフィライト6および隔壁材として
のパイロフィライト8によって取囲まれる空間が反応原
料を収容する収容室7となっている。
以下に前記4元化合物(L iCa BN2 )を触媒
として用いて立方晶窒化ホウ素を製造した実施例3およ
び既知の物質を触媒として用いて立方晶窒化ホウ素を製
造した比較例を記す。
として用いて立方晶窒化ホウ素を製造した実施例3およ
び既知の物質を触媒として用いて立方晶窒化ホウ素を製
造した比較例を記す。
実施例 3
前記実施例1によって得られた4元化合物の150メツ
シユ以下の粉末2.5gと150メツシユ以下の六方晶
窒化ホウ素8.0gとを窒化雰囲気中にて均一に混合し
、面圧カフ 00kg/fflで外径20mm、長さ2
0mmの丸棒状に成形し、第2図に示す反応容器内に収
容し、高圧プレスにて50kbarll 450℃に1
5分間保持して、立方晶窒化ホウ素を生成させた。
シユ以下の粉末2.5gと150メツシユ以下の六方晶
窒化ホウ素8.0gとを窒化雰囲気中にて均一に混合し
、面圧カフ 00kg/fflで外径20mm、長さ2
0mmの丸棒状に成形し、第2図に示す反応容器内に収
容し、高圧プレスにて50kbarll 450℃に1
5分間保持して、立方晶窒化ホウ素を生成させた。
比較例 1
触媒としての150メツシユ以下のL 13N粉末2.
5gと150メツシユ以下の六方晶窒化ホウ素8.0g
とを窒素雰囲気中にて均一に混合し、実施例3と同様に
して立方晶化ホウ素を生成させた。
5gと150メツシユ以下の六方晶窒化ホウ素8.0g
とを窒素雰囲気中にて均一に混合し、実施例3と同様に
して立方晶化ホウ素を生成させた。
比較例 2
触媒としてCa 3 B 2 N4を用いた以外は比較
例1と同様にして立方晶窒化ホウ素を生成させた。
例1と同様にして立方晶窒化ホウ素を生成させた。
比較例 3
触媒としてL 13BN2を用いた以外は比較例1と同
様にして立方晶窒化ホウ素を生成させた。
様にして立方晶窒化ホウ素を生成させた。
比較例 4
Ca2B2N4の150メツシユ以下の粉末とLi3B
N2の150メツシユ以下の粉末とをモル比で1対1で
混合し、その混合触媒2.5gと六方晶窒化ホウ素8.
0gとを窒素雰囲気中にて均一に混合し、以下実施例3
と同様にして立方晶窒化ホウ素を生成させた。
N2の150メツシユ以下の粉末とをモル比で1対1で
混合し、その混合触媒2.5gと六方晶窒化ホウ素8.
0gとを窒素雰囲気中にて均一に混合し、以下実施例3
と同様にして立方晶窒化ホウ素を生成させた。
上述の実施例3および実施例1〜4によって得られた立
方晶窒化ホウ素結晶粒に圧壊試験を施し、結晶粒の破壊
強度を算出したところ、第3表に示す結果が得られた。
方晶窒化ホウ素結晶粒に圧壊試験を施し、結晶粒の破壊
強度を算出したところ、第3表に示す結果が得られた。
なおこの圧壊試験は次のように行なった。
すなわちW C−Co製の直径10Tnmの上下のシリ
ンダの下部シリンダ上に直径100〜150μmのサン
プル粒を1個置き、上部のシリンダを直流モータ1駆動
により降下させた。
ンダの下部シリンダ上に直径100〜150μmのサン
プル粒を1個置き、上部のシリンダを直流モータ1駆動
により降下させた。
そして上部シリンダが下部シリンダ上のサンプル粒に接
触する位置を電気的に検出し、これに対応する上下シリ
ンダの表面間の距離りを求めてこれを粒の直径とした。
触する位置を電気的に検出し、これに対応する上下シリ
ンダの表面間の距離りを求めてこれを粒の直径とした。
さらに荷重を増して行き、粒が破壊する総荷重Wから、
周知のように次の(1)式%式%(1) により粒の破壊度σ1を求めた。
周知のように次の(1)式%式%(1) により粒の破壊度σ1を求めた。
但し実際にはそれぞれ50サンプルについて上述のよう
な試験を行ない、Dの平均値およびWの平均値を求め、
(1)式から平均破壊強度を算出した。
な試験を行ない、Dの平均値およびWの平均値を求め、
(1)式から平均破壊強度を算出した。
なお(1)式は、例えば「理化学研究所報告Vo139
、A6」(昭和38年発行)、第310頁に吉川弘之に
よって明らかにされている。
、A6」(昭和38年発行)、第310頁に吉川弘之に
よって明らかにされている。
また実施例3および各比較例における反応収率も第3表
に併せて示す。
に併せて示す。
第3表から、予め合成された新規4元化合物L iCa
BN2を触媒として使用した実施例3においては、既
知の触媒物質を用いた各比較例と比べて、破壊強度が相
当に改善されており、しかも反応収率も向上しているこ
とが明らかである。
BN2を触媒として使用した実施例3においては、既
知の触媒物質を用いた各比較例と比べて、破壊強度が相
当に改善されており、しかも反応収率も向上しているこ
とが明らかである。
また特に比較例4は前記4元化合物LiCaBN2と同
じ分子比となるようにCa 3 B 2 N4およびL
i3 BN 2を配合した触媒を用いたものであるが
、この場合には予め合成されたLiCaBN2を用いた
実施例3の如く強度改善がなされておらず、このことか
ら、強度改善を図るためには予め合成した4元化合物L
iCa BN 2を用いる必要があることが確認され
た。
じ分子比となるようにCa 3 B 2 N4およびL
i3 BN 2を配合した触媒を用いたものであるが
、この場合には予め合成されたLiCaBN2を用いた
実施例3の如く強度改善がなされておらず、このことか
ら、強度改善を図るためには予め合成した4元化合物L
iCa BN 2を用いる必要があることが確認され
た。
さらに実施例3により得られむ立方晶窒化ホウ素結晶粒
の顕微鏡拡大写真を第3図に、また比較例2により得ら
れた立方晶窒化ホウ素結晶粒の顕微鏡拡大写真を第4図
にそれぞれ示す。
の顕微鏡拡大写真を第3図に、また比較例2により得ら
れた立方晶窒化ホウ素結晶粒の顕微鏡拡大写真を第4図
にそれぞれ示す。
この他の比較例により得られた立方晶窒化ホウ素結晶粒
も第4図の写真とほぼ同様であった。
も第4図の写真とほぼ同様であった。
これらの写真を比較すれば、この発明の実施例3により
得られた立方晶窒化ホウ素結晶粒は全体として球形に近
く、シかも表面の微細な凹凸が少なく、シたがって砥粒
に適した形状を有していることが明らかである。
得られた立方晶窒化ホウ素結晶粒は全体として球形に近
く、シかも表面の微細な凹凸が少なく、シたがって砥粒
に適した形状を有していることが明らかである。
実施例 4
前述の実施例2により得られた反応生成物、すなわち第
2表の試料番号2〜5のモル比−G、i a N 。
2表の試料番号2〜5のモル比−G、i a N 。
Ca3N2、BNを配合して得られた複合窒化物(L
iCa BN 2および過剰原料)を触媒とし、これを
実施例3と同様な条件で六方晶窒化ホウ素と配合、加圧
加熱して立方晶窒化ホウ素を合成し、前記同様にして結
晶粒の破壊強度を求めた。
iCa BN 2および過剰原料)を触媒とし、これを
実施例3と同様な条件で六方晶窒化ホウ素と配合、加圧
加熱して立方晶窒化ホウ素を合成し、前記同様にして結
晶粒の破壊強度を求めた。
その結果を実施例3における破壊強度と併せて第4表に
示す。
示す。
第4表から、触媒として、その合成時における原料(L
i3N、Ca3N2.BN)の配合量がLiCaBN2
の合成に必要な化学当量よりも若干ずれて(1〜1.4
:1〜1.4 : 1 )の範囲内の配合比となってい
たものを用いた場合、換言すれば触媒としてLiCaB
N2のほかに過剰成分が含まれている複合窒化物を用い
た場合においても、実施例3の場合とほとんど変わらぬ
強度改善効果が得られることが明らかである。
i3N、Ca3N2.BN)の配合量がLiCaBN2
の合成に必要な化学当量よりも若干ずれて(1〜1.4
:1〜1.4 : 1 )の範囲内の配合比となってい
たものを用いた場合、換言すれば触媒としてLiCaB
N2のほかに過剰成分が含まれている複合窒化物を用い
た場合においても、実施例3の場合とほとんど変わらぬ
強度改善効果が得られることが明らかである。
以上のようにこの発明の新規な窒化ホウ素系4元化合物
(LiCaBN2)は立方晶窒化ホウ素の合成のための
触媒として有用なものであって、この窒化ホウ素系4元
化合物を触媒として立方晶窒化ホウ素を合成することに
より、同一条件で既知の触媒物質を用いた場合と比較し
、格段に結晶粒強度が高くしかも形状性が良好な研削用
粒に適した立方晶窒化ホウ素を得ることができる。
(LiCaBN2)は立方晶窒化ホウ素の合成のための
触媒として有用なものであって、この窒化ホウ素系4元
化合物を触媒として立方晶窒化ホウ素を合成することに
より、同一条件で既知の触媒物質を用いた場合と比較し
、格段に結晶粒強度が高くしかも形状性が良好な研削用
粒に適した立方晶窒化ホウ素を得ることができる。
第1図はこの発明の新規化合物の熱分析結果を示す線図
、第2図は前記化合物を触媒として用いて立方晶窒化ホ
ウ素を製造する際に使用される反応容器の一例を示す縦
断面図、第3図は実施例3によって得られた立方晶窒化
ホウ素結晶粒の顕微鏡拡大写真(100倍)、第4図は
比較例3によって得られた立方晶窒化ホウ素結晶粒の顕
微鏡拡大写真(100倍)である。
、第2図は前記化合物を触媒として用いて立方晶窒化ホ
ウ素を製造する際に使用される反応容器の一例を示す縦
断面図、第3図は実施例3によって得られた立方晶窒化
ホウ素結晶粒の顕微鏡拡大写真(100倍)、第4図は
比較例3によって得られた立方晶窒化ホウ素結晶粒の顕
微鏡拡大写真(100倍)である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 分子式がL iCa BN 2であられされる4元
系窒化ホウ素系化合物。 2 原料として、窒化リチウムもしくは金属リチウムと
、窒化カルシウムもしくは金属カルシウムと、BNとを
用い、これらの原料を混合してその混合物を不活性ガス
雰囲気中にて800℃以上の高温に保持して反応および
溶融させ、その後冷却凝固させることを特徴とするLi
CaBN2の製造方法。 3 @記原料として、窒化リチウムと、窒化力ルンウム
と、BNとを用い、かつそれらの原料の配合割合を混合
物中に占める各元素Li 、Ca 、B、Nの原子比が
(1〜1.4):(1〜1.4):1:2となるように
設定する特許請求の範囲第2項記載のL iCa BN
2の製造方法。 4 前記原料の配合割合を、混合物中に占める各元素L
i、Ca、B、Nの原子比が(1〜1.4):(1〜1
.4):1:(2以下)となるように設定し、かつ前記
不活性ガスとして窒素を用いる特許請求の範囲第2項記
載のLiCaBN2の製造方法。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56181391A JPS5939362B2 (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 窒化ホウ素系化合物およびその製造方法 |
US06/438,609 US4551316A (en) | 1981-11-12 | 1982-11-02 | Process for producing boron nitride of cubic system |
GB08231651A GB2112367B (en) | 1981-11-12 | 1982-11-05 | Boron nitride type compound, process for preparing same and process for producing boron nitride of cubic system using same |
SE8206374A SE451579B (sv) | 1981-11-12 | 1982-11-10 | Forfarande for framstellning av kubisk bornitrid samt bornitridkatalysator att anvendas vid framstellningen |
FR8219185A FR2516067B1 (fr) | 1981-11-12 | 1982-11-10 | Compose du type nitrure de bore et procede de fabrication |
ZA828270A ZA828270B (en) | 1981-11-12 | 1982-11-11 | Boron nitride type compound, process for preparing same and process for producing boron nitride of cubic system of using same |
FI823875A FI72111C (fi) | 1981-11-12 | 1982-11-11 | Foerfarande foer framstaellning av bornitrid av kubiskt system. |
IE2696/82A IE53480B1 (en) | 1981-11-12 | 1982-11-12 | Boron nitride type compound,process for preparing same and process for producing boron nitride of cubic system for use in the process |
DE3241979A DE3241979C2 (de) | 1981-11-12 | 1982-11-12 | Verfahren zur Herstellung von kubischem Bornitrid unter Verwendung einer Verbindung vom Bornitridtyp als Katalysator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56181391A JPS5939362B2 (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 窒化ホウ素系化合物およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59101477A Division JPS605007A (ja) | 1984-05-19 | 1984-05-19 | 立方晶窒化ホウ素の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5884106A JPS5884106A (ja) | 1983-05-20 |
JPS5939362B2 true JPS5939362B2 (ja) | 1984-09-22 |
Family
ID=16099916
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56181391A Expired JPS5939362B2 (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 窒化ホウ素系化合物およびその製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4551316A (ja) |
JP (1) | JPS5939362B2 (ja) |
DE (1) | DE3241979C2 (ja) |
FI (1) | FI72111C (ja) |
FR (1) | FR2516067B1 (ja) |
GB (1) | GB2112367B (ja) |
IE (1) | IE53480B1 (ja) |
SE (1) | SE451579B (ja) |
ZA (1) | ZA828270B (ja) |
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DE3201563A1 (de) * | 1982-01-20 | 1983-07-28 | Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München | Dichte formkoerper aus polykristallinem, hexagonalem bornitrid und verfahren zu ihrer herstellung durch isostatisches heisspressen |
JPS60120050A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | 呉羽化学工業株式会社 | 熱収縮性筒状積層フイルム |
US4772575A (en) * | 1986-04-09 | 1988-09-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing sintered compact of cubic boron nitride |
FR2597087B1 (fr) * | 1986-04-15 | 1988-06-24 | Centre Nat Rech Scient | Utilisation comme flux, dans la preparation de nitrure de bore cubique, d'un fluoronitrure et procede de preparation du nitrure de bore cubique a l'aide d'un tel flux |
JPS62273849A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-27 | 呉羽化学工業株式会社 | 熱収縮性複合フイルム及びその製造方法 |
US5053365A (en) * | 1990-02-28 | 1991-10-01 | The Ohio State University Research Foundation | Method for the low temperature preparation of amorphous boron nitride using alkali metal and haloborazines |
DE4204009C2 (de) * | 1992-02-12 | 1994-09-15 | Goelz Siegfried Fa | Verfahren zur Herstellung von amorphem ultrahartem Bornitrid und nach dem Verfahren hergestelltes Bornitrid |
JP2744732B2 (ja) * | 1992-04-30 | 1998-04-28 | 電気化学工業株式会社 | 砥 粒 |
US5888669A (en) * | 1996-03-14 | 1999-03-30 | T/J/ Technologies | Transition metal-based ceramic material and articles fabrication therefrom |
EP1037705B1 (en) * | 1997-12-11 | 2002-07-10 | De Beers Industrial Diamonds (Proprietary) Limited | Crystal-containing material |
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