JPS605007A - 立方晶窒化ホウ素の製造方法 - Google Patents
立方晶窒化ホウ素の製造方法Info
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は窒化ホウ素系化合物を準媒として使用して立
方晶窒化ホウ素を製造する方法に関するものである。
方晶窒化ホウ素を製造する方法に関するものである。
周知のように立方晶窒化ホウ素はダイヤモンドに近い硬
さを有し、しかも化学的安定性の点ではダイヤモンドよ
シ優れているため、研削材料(砥粒)としての需要が増
大しつつある。
さを有し、しかも化学的安定性の点ではダイヤモンドよ
シ優れているため、研削材料(砥粒)としての需要が増
大しつつある。
上記のごとき立方晶窒化ホウ素の工業的な製造方法とし
ては、六方晶窒化ホウ素の粉末と触媒粉末とを混合し、
これを40〜60 kbar程度の高圧力、1400〜
1600℃程度の高温で処理して、六方晶窒化ホウ素を
立方晶に変換する方法が一般・的である。このような方
法に使用される触媒としては、アルカリ金属もしくはア
ルカリ土類金属の窒化物、またはアルカリ金属もしくは
アルカリ土類金属と窒素およびホウ素からなる窒化ホウ
繋系3元化合物例えばCa3B2N4やLt3BN2等
が知られている。このような方法は、六方晶窒化ホウ素
を触媒融液へ溶は込ませ、合成条件下での共晶融体への
溶解度が六方晶窒化ホウ素より立方晶窒化ホウ素の方が
小さいことを利用して立方晶窒化ホウ素を析出させるも
のである。
ては、六方晶窒化ホウ素の粉末と触媒粉末とを混合し、
これを40〜60 kbar程度の高圧力、1400〜
1600℃程度の高温で処理して、六方晶窒化ホウ素を
立方晶に変換する方法が一般・的である。このような方
法に使用される触媒としては、アルカリ金属もしくはア
ルカリ土類金属の窒化物、またはアルカリ金属もしくは
アルカリ土類金属と窒素およびホウ素からなる窒化ホウ
繋系3元化合物例えばCa3B2N4やLt3BN2等
が知られている。このような方法は、六方晶窒化ホウ素
を触媒融液へ溶は込ませ、合成条件下での共晶融体への
溶解度が六方晶窒化ホウ素より立方晶窒化ホウ素の方が
小さいことを利用して立方晶窒化ホウ素を析出させるも
のである。
ところで研削材料(砥粒)としては、機械的強度、特に
圧壊強度が高いことが必要であシ、また強度に関連して
粒子の形状性が良好なこと、すなわち扁平な形状であっ
たシ鋭角状の形状であったシせずに可及的に球体に近い
形状であること、あるいは表面の凹凸が少ないこと等が
要求される。
圧壊強度が高いことが必要であシ、また強度に関連して
粒子の形状性が良好なこと、すなわち扁平な形状であっ
たシ鋭角状の形状であったシせずに可及的に球体に近い
形状であること、あるいは表面の凹凸が少ないこと等が
要求される。
しかるに前述の如く窒化物(2元化合物)や窒化ホウ素
系3元化合物を触媒として用いた従来の立方晶窒化ホウ
素製造方法においては、必ずしも充分な機械的強度、良
好な形状性を有する立方晶窒化ホウ素を得ることができ
るとは限らないのが実情である。すなわち従来の触媒を
用いた方法では、製造条件の制御等を相当に精密かつ複
雑にしなければ強度改善や形状性改善がなされないのが
実情である。
系3元化合物を触媒として用いた従来の立方晶窒化ホウ
素製造方法においては、必ずしも充分な機械的強度、良
好な形状性を有する立方晶窒化ホウ素を得ることができ
るとは限らないのが実情である。すなわち従来の触媒を
用いた方法では、製造条件の制御等を相当に精密かつ複
雑にしなければ強度改善や形状性改善がなされないのが
実情である。
そこで本発明者等は、従来使用されていた触媒と異なる
触媒物質を用いて立方晶窒化ホウ素の強度改善、形状性
改善を図る方法を確立すべく鋭意実験・研究を行ったと
ころ、従来知られていなかった新規な窒化ホウ素系4元
化合物の合成に成功するとともにその新規化合物が立方
晶窒化ホウ素の合成における触媒として有用でらって、
その新規化合物を触媒として使用することにより従来方
法よりも格段に優れた強度、形状性を有する立方晶型化
ホウ素を合成し得ることを見出し、この発明をなすに至
ったのである。
触媒物質を用いて立方晶窒化ホウ素の強度改善、形状性
改善を図る方法を確立すべく鋭意実験・研究を行ったと
ころ、従来知られていなかった新規な窒化ホウ素系4元
化合物の合成に成功するとともにその新規化合物が立方
晶窒化ホウ素の合成における触媒として有用でらって、
その新規化合物を触媒として使用することにより従来方
法よりも格段に優れた強度、形状性を有する立方晶型化
ホウ素を合成し得ることを見出し、この発明をなすに至
ったのである。
すなわちこの発明は、その新規な窒化ホウ素系4元化合
物を用いて高強度かつ形状性に優れた立方晶窒化ホウ素
を製造する方法を提供することを目的とするものである
。
物を用いて高強度かつ形状性に優れた立方晶窒化ホウ素
を製造する方法を提供することを目的とするものである
。
具体的には、この発明の立方晶窒化ホウ素製造方法は、
分子式LiCaBN2で示される窒化ホウ素系の4元化
合物、すなわちリチウムカルシウム窒化ホウ素を触媒と
して使用するものであり、触媒′としてのその窒化ホウ
素系4元化合物と六方晶窒化ホウ素とを併存させた状態
で立方晶窒化ホウ素が熱力学的に安定な高温、高圧領域
に保持して、立方晶窒化ホウ素を合成するものである。
分子式LiCaBN2で示される窒化ホウ素系の4元化
合物、すなわちリチウムカルシウム窒化ホウ素を触媒と
して使用するものであり、触媒′としてのその窒化ホウ
素系4元化合物と六方晶窒化ホウ素とを併存させた状態
で立方晶窒化ホウ素が熱力学的に安定な高温、高圧領域
に保持して、立方晶窒化ホウ素を合成するものである。
以下この発明をさらに詳細に説明する。
先ずこの発明の方法において触媒として使用される窒化
ホウ素系4元化合物自体の製造方法について説明する。
ホウ素系4元化合物自体の製造方法について説明する。
前記窒化ホウ素系4元化合物を製造するにあたっては、
原料として、LL5N等の窒化リチウムもしくは金属リ
チウムの粉末、Ct3N2等の窒化カルシウムもしくは
金属カルシウムの粉末、およびBN(もちろん六方晶窒
化ホウ素で充分である)の粉末を用意する。ここで、B
Nとしては六方晶BNのほか、立方晶ウルツ鉱型のBN
も使用することが可能である。またこれらの原料粉末は
、反応性を高めるために微粉砕しておくことが好ましい
。そしてこれらを後述するような配合割合で混合し、そ
の混合粉末を適当な容器内に収容してN2もしくはAr
等の不活性ガス雰囲気中で加熱する。この加熱昇温時に
は、700℃程度から発熱が開始されて、反応が開示さ
れているものと推察される。そして800°C〜900
℃程度で溶融されるから、800℃以上、望ましくは9
00℃程度に加熱保持し、溶融反応を進行させる。なお
この反応温度の上限は、LiCaBN2の生成が徐々に
進行すること、および保持時間との関係もあることから
、明確には定め難いが、通常は1200℃程度まではL
i Ca BN2を収率良く得ることができる。さら
にその保持時間は、20分程度以上が好ましく、通常は
40分゛程度加熱保持することが望ましい。このように
加熱保持した後、不活性ガス雰囲気中にて冷却凝固させ
れば、分子式LiCaBN2であられされる窒化ホウ素
系4元化合物が得られる。なおこの化合物を触媒として
用いて後述するように立方晶窒化ホウ素を製造する場合
には、凝固した化合物を不活性ガス雰囲気にて150メ
ツシー以下に粉砕しておく。
原料として、LL5N等の窒化リチウムもしくは金属リ
チウムの粉末、Ct3N2等の窒化カルシウムもしくは
金属カルシウムの粉末、およびBN(もちろん六方晶窒
化ホウ素で充分である)の粉末を用意する。ここで、B
Nとしては六方晶BNのほか、立方晶ウルツ鉱型のBN
も使用することが可能である。またこれらの原料粉末は
、反応性を高めるために微粉砕しておくことが好ましい
。そしてこれらを後述するような配合割合で混合し、そ
の混合粉末を適当な容器内に収容してN2もしくはAr
等の不活性ガス雰囲気中で加熱する。この加熱昇温時に
は、700℃程度から発熱が開始されて、反応が開示さ
れているものと推察される。そして800°C〜900
℃程度で溶融されるから、800℃以上、望ましくは9
00℃程度に加熱保持し、溶融反応を進行させる。なお
この反応温度の上限は、LiCaBN2の生成が徐々に
進行すること、および保持時間との関係もあることから
、明確には定め難いが、通常は1200℃程度まではL
i Ca BN2を収率良く得ることができる。さら
にその保持時間は、20分程度以上が好ましく、通常は
40分゛程度加熱保持することが望ましい。このように
加熱保持した後、不活性ガス雰囲気中にて冷却凝固させ
れば、分子式LiCaBN2であられされる窒化ホウ素
系4元化合物が得られる。なおこの化合物を触媒として
用いて後述するように立方晶窒化ホウ素を製造する場合
には、凝固した化合物を不活性ガス雰囲気にて150メ
ツシー以下に粉砕しておく。
ここで前記各原料の配合割合について説明すると、原料
として、窒化リチウム例えばLi3N1繭化カルシウム
例えばCa3N2、およびBNが使用される場合、その
配合割合は混合物中のLi 、 Ca 、 B。
として、窒化リチウム例えばLi3N1繭化カルシウム
例えばCa3N2、およびBNが使用される場合、その
配合割合は混合物中のLi 、 Ca 、 B。
Nの原子比が(1〜1.4):(1〜1.4 ) ニー
1 :2となるように設定することが望ましい。したが
って窒化リチウムとしてLi3N N ’Jl化カシカ
ルシウムてCa6N2が使用される場合、Li、N 、
Ca3N2゜BNの比はモル比で(1〜1.4):(
1〜1.4):3とすることが望ましい。またリチウム
源として金4リチウムを用いる場合やカルシウム源とし
て金属カルシウムが使用される場合、あるいはりチラム
源、カルシウム源としてL isN以外のもの、Ca3
N2以外のものが使用される場合においては、混合物中
のLi 、 Ca 、 Bの分子比が(1〜1.4):
(1〜1.4):1となるように設定しても同じく混合
物中のNの分子比が2以下となることがあり、この場合
には張合物の加熱時の不活性ガス雰囲気を特に窒素ガス
雰囲気とし、窒素の不足分を補うことが望ましい。
1 :2となるように設定することが望ましい。したが
って窒化リチウムとしてLi3N N ’Jl化カシカ
ルシウムてCa6N2が使用される場合、Li、N 、
Ca3N2゜BNの比はモル比で(1〜1.4):(
1〜1.4):3とすることが望ましい。またリチウム
源として金4リチウムを用いる場合やカルシウム源とし
て金属カルシウムが使用される場合、あるいはりチラム
源、カルシウム源としてL isN以外のもの、Ca3
N2以外のものが使用される場合においては、混合物中
のLi 、 Ca 、 Bの分子比が(1〜1.4):
(1〜1.4):1となるように設定しても同じく混合
物中のNの分子比が2以下となることがあり、この場合
には張合物の加熱時の不活性ガス雰囲気を特に窒素ガス
雰囲気とし、窒素の不足分を補うことが望ましい。
次に上述の窒化ホウ素系4元化合物合成方法の実施例を
記す。
記す。
実施例1
それぞれ150メツシー以下に粉砕されたL1sN粉末
55’、C,13N2粉末20ハ六方晶BN粉末10t
を混合し、白金容器に収容してN2ガスを81/lin
の流量で流しながら電気炉にて加熱昇温させ、900℃
に40分間保持した。反応生成物をN2ガス気流中にて
電気炉内で冷却し、その後N2ガス雰囲気中で150メ
ツシー以下に粉砕した。
55’、C,13N2粉末20ハ六方晶BN粉末10t
を混合し、白金容器に収容してN2ガスを81/lin
の流量で流しながら電気炉にて加熱昇温させ、900℃
に40分間保持した。反応生成物をN2ガス気流中にて
電気炉内で冷却し、その後N2ガス雰囲気中で150メ
ツシー以下に粉砕した。
この実施例により得られた反応生成物粉末を、X線回折
法により構造分析したところ、第1表の最右欄に示す通
シでおった。一方この反応に使用される原料物質等の既
知物質のASTMカードのデータを第1表に併せて示す
。第1表から、実施例により得られた物質は既知の原料
物質の単なる混合物ではなく、全く新しい構造を有する
新規物質であることが明らかである。そして化学分析結
果(但しLiは炎光法で、CaはEDTA法で、Bはマ
ンニット法で分析し、Nは全体から差引き計算した)と
併せて検討した結果、分子式LiCaBN2なる新規な
窒化ホウ素系化合物であることが明らかと4v、またそ
の構造は体心立方構造で、単位セルに12分子含まれる
ことが推察された。なおこの新規化合物の熱分析(示差
熱分析および熱重量分析)の結果は第1図に示す通りで
あり、その融点、凝固点は780°C〜820℃程度で
あることが判明した。但しこれらの熱分析条件は、昇温
速度10ルー、標準物質α−AI1203、窒素雰囲気
とした。
法により構造分析したところ、第1表の最右欄に示す通
シでおった。一方この反応に使用される原料物質等の既
知物質のASTMカードのデータを第1表に併せて示す
。第1表から、実施例により得られた物質は既知の原料
物質の単なる混合物ではなく、全く新しい構造を有する
新規物質であることが明らかである。そして化学分析結
果(但しLiは炎光法で、CaはEDTA法で、Bはマ
ンニット法で分析し、Nは全体から差引き計算した)と
併せて検討した結果、分子式LiCaBN2なる新規な
窒化ホウ素系化合物であることが明らかと4v、またそ
の構造は体心立方構造で、単位セルに12分子含まれる
ことが推察された。なおこの新規化合物の熱分析(示差
熱分析および熱重量分析)の結果は第1図に示す通りで
あり、その融点、凝固点は780°C〜820℃程度で
あることが判明した。但しこれらの熱分析条件は、昇温
速度10ルー、標準物質α−AI1203、窒素雰囲気
とした。
またこの化合物は冷却凝固時の状態では灰色を呈してい
た。一方、比重は実測値で2.39程度であわ、また1
セルに12分子含まれる体心立方晶構造の理論計算から
は比重2383と計算され、実測値と理論値が良く一致
していることが明らかとなった。
た。一方、比重は実測値で2.39程度であわ、また1
セルに12分子含まれる体心立方晶構造の理論計算から
は比重2383と計算され、実測値と理論値が良く一致
していることが明らかとなった。
上述の実施例1は下記第2表の試料番号1に示すように
Li3N 、 Ca、N2、およびBNの配合量を、そ
れらから化学量論的にL r Ca BN 2が合成さ
れるモル比(1:l:3)に設定したが、次の実施例2
にはBHに対しLry、NおよびCa、N2の配合量が
若干ずれている場合について記す。
Li3N 、 Ca、N2、およびBNの配合量を、そ
れらから化学量論的にL r Ca BN 2が合成さ
れるモル比(1:l:3)に設定したが、次の実施例2
にはBHに対しLry、NおよびCa、N2の配合量が
若干ずれている場合について記す。
実施例2
第2表の試料番号2〜5に示すようなモル比でL +
sN粉末、Ca3N2粉末、BN粉末を混合し、実施例
1と同様の処理を行った。
sN粉末、Ca3N2粉末、BN粉末を混合し、実施例
1と同様の処理を行った。
第2表
この実施例2により得られた物質をX線分析したところ
、実施例1で得られた4元化合物相と、Li5Nもしく
はCa3N2の過剰成分が複合されていることが確認さ
れた。
、実施例1で得られた4元化合物相と、Li5Nもしく
はCa3N2の過剰成分が複合されていることが確認さ
れた。
なおこのような窒化ホウ素系4元化合物L r CaB
N2を製造するだめの出発原料としては、前述のような
組合せのほか、次の(1)〜(3)に示すような各組合
せが可能である。
N2を製造するだめの出発原料としては、前述のような
組合せのほか、次の(1)〜(3)に示すような各組合
せが可能である。
(1)窒化リチウムもしくは金属リチウムと、Ca 3
B 2N 4と、BN (2)Li3BN2と、窒化カルシウムもしくは金属カ
ルシウムと、BN (3)Li3BN2と、Ca3B2N4これら(1)〜
(3)のいずれの場合においても前記同様に混合してこ
れをAr 、 N2等の不活性ガス雰囲気中で800℃
以上に加熱保持して反応および溶融させ、その後冷却凝
固させれば良い。またこれらの場合の原料の配合比は、
基本的には混合物中のLi 、 Ca 、 B 、 N
の分子比が(1〜1.4):(1〜1.4):l:2と
なるように設定することが望寸しり、マだ(1) ’t
(2)の場合に金属リチウムもしくは金属カルシウム
の使用によりNの分子比が2以下となるような場合には
、加熱時の不活性ガスとしてN2ガスを用いてNの不足
分を補うことが望ましい。
B 2N 4と、BN (2)Li3BN2と、窒化カルシウムもしくは金属カ
ルシウムと、BN (3)Li3BN2と、Ca3B2N4これら(1)〜
(3)のいずれの場合においても前記同様に混合してこ
れをAr 、 N2等の不活性ガス雰囲気中で800℃
以上に加熱保持して反応および溶融させ、その後冷却凝
固させれば良い。またこれらの場合の原料の配合比は、
基本的には混合物中のLi 、 Ca 、 B 、 N
の分子比が(1〜1.4):(1〜1.4):l:2と
なるように設定することが望寸しり、マだ(1) ’t
(2)の場合に金属リチウムもしくは金属カルシウム
の使用によりNの分子比が2以下となるような場合には
、加熱時の不活性ガスとしてN2ガスを用いてNの不足
分を補うことが望ましい。
次に前述のようにして得られた4元化合物(LiCaB
N2 )を触媒として用いて立方晶窒化ホウ素を製造す
るこの発明の詳細な説明する。
N2 )を触媒として用いて立方晶窒化ホウ素を製造す
るこの発明の詳細な説明する。
先ず六方晶窒化ホウ素の望ましくは150メツシー以下
の粉末100重量部に対し、触媒としての前記4元化合
物(I、+ CaBN2)の望ましくは150メツシユ
以下の粉末5〜50重量部、望ましくは10〜30 g
Jz部を配合し、均一に混合して圧粉成形する。ある
いは甘た六方晶窒化ホウ素の粉末および上述の触媒粉末
を、それぞれ各別に薄い板状に圧粉成形し、これらを前
述の配合比で交圧に積層する。このようにして得られた
混合圧粉成形体もしくは積層体に対し1300〜160
0℃の高温下で40〜60 kbarの高圧を加え、5
分〜40分保持する。斯くすれば立方晶窒化ホウ素の結
晶粒が得られる。なおこれらの温度、圧力、保持時間は
従来と同様である。
の粉末100重量部に対し、触媒としての前記4元化合
物(I、+ CaBN2)の望ましくは150メツシユ
以下の粉末5〜50重量部、望ましくは10〜30 g
Jz部を配合し、均一に混合して圧粉成形する。ある
いは甘た六方晶窒化ホウ素の粉末および上述の触媒粉末
を、それぞれ各別に薄い板状に圧粉成形し、これらを前
述の配合比で交圧に積層する。このようにして得られた
混合圧粉成形体もしくは積層体に対し1300〜160
0℃の高温下で40〜60 kbarの高圧を加え、5
分〜40分保持する。斯くすれば立方晶窒化ホウ素の結
晶粒が得られる。なおこれらの温度、圧力、保持時間は
従来と同様である。
一ヒ述のように高温・高圧を与える手段としては<re
々考えられるが、例えば第2図に示すような反応容器に
前記混合圧粉成形体もしくは積層体を収容し、通電する
とともにプレスにて加圧すれば良い。第2図において、
容器外壁Iは伝圧体としてのパイロフィライトによって
円筒状に作られ、その内側には黒鉛円筒体からなるヒー
ター2および隔壁材としてパイロフィライト8が配設さ
れている。また容器の上下端にはそれぞれ通電用鋼製リ
ング3および通電用鋼板4が配設され、その内側には焼
結アルミナ板5および伝圧体としてのパイロフィライト
6が配設され、そしてそのパイロフィライト6および隔
壁材としてのパイロフィライト8によって取囲まれる空
間が反応原料を収容する収容室7となっている。
々考えられるが、例えば第2図に示すような反応容器に
前記混合圧粉成形体もしくは積層体を収容し、通電する
とともにプレスにて加圧すれば良い。第2図において、
容器外壁Iは伝圧体としてのパイロフィライトによって
円筒状に作られ、その内側には黒鉛円筒体からなるヒー
ター2および隔壁材としてパイロフィライト8が配設さ
れている。また容器の上下端にはそれぞれ通電用鋼製リ
ング3および通電用鋼板4が配設され、その内側には焼
結アルミナ板5および伝圧体としてのパイロフィライト
6が配設され、そしてそのパイロフィライト6および隔
壁材としてのパイロフィライト8によって取囲まれる空
間が反応原料を収容する収容室7となっている。
以下に前記4元化合物(Li6BN2 )を触媒として
用いて立方晶窒化ホウ素を製造したこの発明の実施例3
および既知の物質を触媒として用いて立方晶窒化ホウ素
を製造した比較例を記す。
用いて立方晶窒化ホウ素を製造したこの発明の実施例3
および既知の物質を触媒として用いて立方晶窒化ホウ素
を製造した比較例を記す。
実施例3
前記実施例1によって得られた4元化合物の150メツ
シユ以下の粉末2.5gL−と150メツシー以下の六
方晶窒化ホウ素8.o?とを窒素雰囲気中にて均一に混
合し、面圧力フ 00 kg/cr/lで外径2Q+m
1長さ20m++の丸棒状に成形口、第2図に示す反応
容器内に収容し、高圧プレスにて5・0kbar 、1
450℃に15分間保持して、立方晶窒化ホウ素を生成
させた。
シユ以下の粉末2.5gL−と150メツシー以下の六
方晶窒化ホウ素8.o?とを窒素雰囲気中にて均一に混
合し、面圧力フ 00 kg/cr/lで外径2Q+m
1長さ20m++の丸棒状に成形口、第2図に示す反応
容器内に収容し、高圧プレスにて5・0kbar 、1
450℃に15分間保持して、立方晶窒化ホウ素を生成
させた。
比較例1
触媒としての150メツシー以下のL + 3N粉末2
.51と150メツシー以下の六方晶窒化ホウ素8.0
y−とを窒素雰囲気中にて均一に混合し、実施例3と同
様にして立方晶窒化ホウ素を生成させた。
.51と150メツシー以下の六方晶窒化ホウ素8.0
y−とを窒素雰囲気中にて均一に混合し、実施例3と同
様にして立方晶窒化ホウ素を生成させた。
比較例2
触媒としてCa3B2N4を用いた以外は比較例1と同
様にして立方晶窒化ホウ素を生成させた。
様にして立方晶窒化ホウ素を生成させた。
比較例3
触媒としてL 138N 2を用いた以外は比較例1と
同様にして立方晶窒化ホウ素を生成させた。
同様にして立方晶窒化ホウ素を生成させた。
比較例4
Ca3B2N4の150メツシユ以下の粉末とLi6B
N2の150メツシユ以下の粉末とをモル比で1対1で
混合し、その混合触媒2,51と六方晶窒化ホウ ・素
8.Ofとを窒素雰囲気中にて均一に混合し、以下実施
例3と同様にして立方晶窒化ホウ素を生成させた。
N2の150メツシユ以下の粉末とをモル比で1対1で
混合し、その混合触媒2,51と六方晶窒化ホウ ・素
8.Ofとを窒素雰囲気中にて均一に混合し、以下実施
例3と同様にして立方晶窒化ホウ素を生成させた。
上述の実施例3および比較例1〜4によって得られた立
方晶窒化ホウ素結晶粒に圧壊試験を施し、結晶粒の破壊
強度を算出したとζろ、第3表に示す結果が得られた。
方晶窒化ホウ素結晶粒に圧壊試験を施し、結晶粒の破壊
強度を算出したとζろ、第3表に示す結果が得られた。
なおこの圧壊試験は次のように行なった。すなわちWC
−Co製の直径IQmmの上下のシリンダの下部シリン
ダ上に直径100〜150μmのサンプル粒を1個置き
、上部のシリンダを直流モータ駆動にょシ降下させた。
−Co製の直径IQmmの上下のシリンダの下部シリン
ダ上に直径100〜150μmのサンプル粒を1個置き
、上部のシリンダを直流モータ駆動にょシ降下させた。
そして上部シリンダが下部シリンダ上のサンプル粒に接
触する位置を電気的に検出し、これに対応する上下シリ
ンダの表面間の距離りをめてこれを粒の直径とした。さ
らに荷重を増して行き、粒が破壊する総荷重Wから、周
知のように次の(1)式0式%(1) によυ粒の破壊強度σ1をめた。但し芙際にはそれぞれ
50サンプルについて上述のような試験を行ない、Dの
平均値およびWの平均値をめ、(1)式から平均破壊強
度を其出した。なお(1)式は、例えば「理化学研究所
報告VOI 39 、A6J (昭和38年発行)、第
310頁に吉川弘之によって明らかにされている。また
実施例3および各比較例における反応収率も第3表に併
せて示す。
触する位置を電気的に検出し、これに対応する上下シリ
ンダの表面間の距離りをめてこれを粒の直径とした。さ
らに荷重を増して行き、粒が破壊する総荷重Wから、周
知のように次の(1)式0式%(1) によυ粒の破壊強度σ1をめた。但し芙際にはそれぞれ
50サンプルについて上述のような試験を行ない、Dの
平均値およびWの平均値をめ、(1)式から平均破壊強
度を其出した。なお(1)式は、例えば「理化学研究所
報告VOI 39 、A6J (昭和38年発行)、第
310頁に吉川弘之によって明らかにされている。また
実施例3および各比較例における反応収率も第3表に併
せて示す。
第3表
第3表から、予め合成された新規4元化合物LiCaB
N2を触媒として使用した実施例3においては、既知の
触媒物質を用いた各比較例と比べて、破壊強度が相当に
改善されておシ、シかも反応収率も向上していることが
明らかである。また特に比較例4は前記4元化合物Li
CaBN2と同じ分子比となるようにCa3B2N4お
よびLi3BN2を配合した触媒を用いたものであるが
、この場合には予め谷成されたL i Ca BN2を
用いた実施例3の如く強度改善がなされておらず、この
ことから、強度改善を図るためには予め合成した4元化
合物LiCaBN2を用いる必要があることが確認され
た。
N2を触媒として使用した実施例3においては、既知の
触媒物質を用いた各比較例と比べて、破壊強度が相当に
改善されておシ、シかも反応収率も向上していることが
明らかである。また特に比較例4は前記4元化合物Li
CaBN2と同じ分子比となるようにCa3B2N4お
よびLi3BN2を配合した触媒を用いたものであるが
、この場合には予め谷成されたL i Ca BN2を
用いた実施例3の如く強度改善がなされておらず、この
ことから、強度改善を図るためには予め合成した4元化
合物LiCaBN2を用いる必要があることが確認され
た。
さらに実施例3によシ得られた立方晶窒化ホウ素結晶粒
の顕微鏡拡大写真を第3図に、また比較例2によシ得ら
れた立方晶窒化ホウ素結晶粒の顕微鏡拡大写真を第4図
にそれぞれ示す。この他の比較例により得られた立方晶
窒化ホウ素結晶粒も第4図の写真とほぼ同様であった。
の顕微鏡拡大写真を第3図に、また比較例2によシ得ら
れた立方晶窒化ホウ素結晶粒の顕微鏡拡大写真を第4図
にそれぞれ示す。この他の比較例により得られた立方晶
窒化ホウ素結晶粒も第4図の写真とほぼ同様であった。
これらの写真を比較すれば、この発明の実施例3によシ
得られた立方晶窒化ホウ素結晶粒は全体として球形に近
く、シかも表面の微細な凹凸が少なく、シたがって砥粒
に適した形状を有していることが明らかである。
得られた立方晶窒化ホウ素結晶粒は全体として球形に近
く、シかも表面の微細な凹凸が少なく、シたがって砥粒
に適した形状を有していることが明らかである。
実施例4
前述の実施例2によ)得られた反応生成物、すなわち第
2表の試料番号2〜5のモル比でLi5N。
2表の試料番号2〜5のモル比でLi5N。
Ca3N2 、 BNを配合して得られた複合窒化物(
LiCaBN2および過剰原料)を触媒とし、これを実
施例3と同様な条件で六方晶窒化ホウ素と配合、加圧加
熱して立方晶窒化ホウ素を合成し、前記同様にして結晶
粒の破壊強度をめた。その結果を実施例3における破壊
強度と併せて第4表に示す。
LiCaBN2および過剰原料)を触媒とし、これを実
施例3と同様な条件で六方晶窒化ホウ素と配合、加圧加
熱して立方晶窒化ホウ素を合成し、前記同様にして結晶
粒の破壊強度をめた。その結果を実施例3における破壊
強度と併せて第4表に示す。
第4表
第4表から、触媒として、その合成時における原料(L
i3N 、 Ca3N2. BN )の配合量がL i
Ca BN2の合成に必要な化学当餘よりも若干ずれ
て(1〜1.4:L〜1.4:1)の範囲内の配合比と
なっていたものを用いた場合、換醒すれば触媒としてL
i Ca BN 2のほかに過剰成分が含まれている
複合窒化物を用いた場合においても、実施例3の場合と
ほとんど変わらぬ強度改善効果が得られることが明らか
である。
i3N 、 Ca3N2. BN )の配合量がL i
Ca BN2の合成に必要な化学当餘よりも若干ずれ
て(1〜1.4:L〜1.4:1)の範囲内の配合比と
なっていたものを用いた場合、換醒すれば触媒としてL
i Ca BN 2のほかに過剰成分が含まれている
複合窒化物を用いた場合においても、実施例3の場合と
ほとんど変わらぬ強度改善効果が得られることが明らか
である。
以上のように前述の窒化ホウ素系4元化合物(LiCa
BN2)は立方晶窒化ホウ素の合成のための触媒として
有用なものであって、この窒化ホウ素系4元化合物を触
媒として立方晶窒化ホウ素を合成することにより、同一
条件で既知の触媒物質を用いた場合と比較し、格段に結
晶粒強度が高くしかも形状性が良好な研削用砥粒に適し
た立方晶窒化ホウ素を得ることができる。
BN2)は立方晶窒化ホウ素の合成のための触媒として
有用なものであって、この窒化ホウ素系4元化合物を触
媒として立方晶窒化ホウ素を合成することにより、同一
条件で既知の触媒物質を用いた場合と比較し、格段に結
晶粒強度が高くしかも形状性が良好な研削用砥粒に適し
た立方晶窒化ホウ素を得ることができる。
第1図はこの発明の立方晶窒化ホウ素製造方法において
触媒として使用される窒化ホウ素系4元化合物の熱分析
結果を示す線図、第2図は前記化合物を触媒として用い
て立方晶窒化ホウ素を製造する際に使用される反応容器
の一例を示す縦断面図、第3図はこの発明の実施例3に
よって得られた立方晶窒化ホウ素結晶粒の顕微鏡拡大写
真(100倍)、第き図は比紋例3によって得られた立
方晶窒化ホウ素結晶粒の顕微鏡拡大写真(100倍)で
ある。 出願人 昭和電工株式会社 代理人 弁理士豊田武人 第1図 昭和59年7月31日 特許庁長官 志 賀 学 殿 1、事件の表示 昭和59年特許願第101477号 2、発明の名称 立方晶窒化ホウ素の製造方法 3、補正をする省 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区芝大門−丁目13番9号名称 (2
00)昭和電工株式会社 4、代理人 住 所 東京都港区三田3丁目4番18号二葉ビル80
3号 電話(453) 65915、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容
触媒として使用される窒化ホウ素系4元化合物の熱分析
結果を示す線図、第2図は前記化合物を触媒として用い
て立方晶窒化ホウ素を製造する際に使用される反応容器
の一例を示す縦断面図、第3図はこの発明の実施例3に
よって得られた立方晶窒化ホウ素結晶粒の顕微鏡拡大写
真(100倍)、第き図は比紋例3によって得られた立
方晶窒化ホウ素結晶粒の顕微鏡拡大写真(100倍)で
ある。 出願人 昭和電工株式会社 代理人 弁理士豊田武人 第1図 昭和59年7月31日 特許庁長官 志 賀 学 殿 1、事件の表示 昭和59年特許願第101477号 2、発明の名称 立方晶窒化ホウ素の製造方法 3、補正をする省 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都港区芝大門−丁目13番9号名称 (2
00)昭和電工株式会社 4、代理人 住 所 東京都港区三田3丁目4番18号二葉ビル80
3号 電話(453) 65915、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容
Claims (2)
- (1)六方晶窒化ホウ素と触媒とを併存させた状態で立
方晶窒化ホウ素が熱力学的に安定である高温、高圧領域
に保持して、立方晶窒化ホウ素を合成するにあたり、前
記触媒としてLiCaBN2を用いることを特徴とする
立方晶窒化ホウ素の製造方法。 - (2)大方晶窒化ホウ素100重量部に対し触媒として
のIJCaBN を5〜50重量部配合して前記高温、
高圧領域に保持する特許請求の範囲第1項記載の立方晶
窒化ホウ素の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59101477A JPS605007A (ja) | 1984-05-19 | 1984-05-19 | 立方晶窒化ホウ素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59101477A JPS605007A (ja) | 1984-05-19 | 1984-05-19 | 立方晶窒化ホウ素の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56181391A Division JPS5939362B2 (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 窒化ホウ素系化合物およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS605007A true JPS605007A (ja) | 1985-01-11 |
JPS61283B2 JPS61283B2 (ja) | 1986-01-07 |
Family
ID=14301806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59101477A Granted JPS605007A (ja) | 1984-05-19 | 1984-05-19 | 立方晶窒化ホウ素の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS605007A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH077426A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Nec Corp | A/d変換装置 |
WO2006087982A1 (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Ngk Insulators, Ltd. | 六方晶窒化ホウ素単結晶の製造方法および六方晶窒化ホウ素単結晶 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1373163B1 (en) | 2001-03-27 | 2006-06-07 | Showa Denko K.K. | Method for producing cubic boron nitride |
CN1836022A (zh) | 2003-08-20 | 2006-09-20 | 昭和电工株式会社 | 立方氮化硼、制造立方氮化硼的方法、含有立方氮化硼的砂轮、和烧结立方氮化硼压制体 |
-
1984
- 1984-05-19 JP JP59101477A patent/JPS605007A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH077426A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Nec Corp | A/d変換装置 |
WO2006087982A1 (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-24 | Ngk Insulators, Ltd. | 六方晶窒化ホウ素単結晶の製造方法および六方晶窒化ホウ素単結晶 |
US7815733B2 (en) | 2005-02-16 | 2010-10-19 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing hexagonal boron nitride single crystal and hexagonal boron nitride single crystal |
JP4925463B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2012-04-25 | 日本碍子株式会社 | 六方晶窒化ホウ素単結晶の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61283B2 (ja) | 1986-01-07 |
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