JP2001525311A - 結晶成長 - Google Patents
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/06—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
- B01J3/062—Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2203/00—Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
- B01J2203/06—High pressure synthesis
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- B01J2203/06—High pressure synthesis
- B01J2203/0675—Structural or physico-chemical features of the materials processed
- B01J2203/068—Crystal growth
Abstract
(57)【要約】
本発明は、１００μ未満の粒径を有する、結晶、特に多量のダイヤモンド結晶であって、その多量の結晶において、大多数の結晶がファセット化単結晶である、該多量の結晶を提供する。更に本発明は、高めた温度及び圧力の条件下の結晶の成長を使用し、結晶成長のために必要な過飽和推進力が、結晶の低いミラー指数の表面と高いミラー指数の表面との間の界面自由エネルギーにおける差異に、少なくとも一部分依存している、結晶のそのような多量の結晶を製造する方法を提供する。好ましくは、本方法はウルフ効果が支配している条件下に行う。
Description
【０００１】 （発明の背景） 本発明は、高温及び高圧の条件下の、ダイヤモンド、等軸晶系（立方晶系）窒
化硼素及び他の結晶の成長に関する。
化硼素及び他の結晶の成長に関する。
【０００２】 高温及び高圧での結晶、特にダイヤモンド及び等軸晶系（立方晶系）窒化硼素
の合成は、市場で非常によく確立されている。両方とも溶液からの、使用される
２つの基本的方法、即ち温度勾配法及び同素体変化法（allotropic change meth
od）がある。温度勾配法において、結晶成長のための推進力は、原料物質と成長
結晶との間の温度差異の結果として原料物質及び成長結晶の、溶解度における差
異に起因する過飽和である。同素体変化法において、結晶成長のための推進力は
、原料物質と成長結晶との間の同素体（即ち多形）差異の結果として原料物質及
び成長結晶の、溶解度における差異に起因する過飽和である。
の合成は、市場で非常によく確立されている。両方とも溶液からの、使用される
２つの基本的方法、即ち温度勾配法及び同素体変化法（allotropic change meth
od）がある。温度勾配法において、結晶成長のための推進力は、原料物質と成長
結晶との間の温度差異の結果として原料物質及び成長結晶の、溶解度における差
異に起因する過飽和である。同素体変化法において、結晶成長のための推進力は
、原料物質と成長結晶との間の同素体（即ち多形）差異の結果として原料物質及
び成長結晶の、溶解度における差異に起因する過飽和である。
【０００３】 (発明の概要) 本発明は、１００μ未満の粒径を有する、結晶、特に多量のダイヤモンド結晶
であって、そしてその多量の結晶において、結晶の大多数そして好ましくは該多
量の結晶の少なくとも８０％が巨視的（肉眼で見える程度の,macroscopically）
ファセット化(faceted)単結晶である、多量の結晶を提供する。結晶の若干は双 晶化(twined)していてもよい。
であって、そしてその多量の結晶において、結晶の大多数そして好ましくは該多
量の結晶の少なくとも８０％が巨視的（肉眼で見える程度の,macroscopically）
ファセット化(faceted)単結晶である、多量の結晶を提供する。結晶の若干は双 晶化(twined)していてもよい。
【０００４】 主として巨視的にファセット化した単結晶である多量の結晶は、成長させるべ
きタイプの結晶の原料であって、巨視的にファセット化した表面を実質的に有し
ない結晶の上記原料を用意し；該原料結晶を適切な溶媒／触媒と接触させること
により多量の反応結晶を生成し；高温／高圧の装置の反応帯域での結晶成長のた
めに適切な高めた温度及び圧力の条件に該多量の反応結晶を暴露し；該反応帯域
から該多量の反応結晶を取り出し；次いで、該多量の反応結晶から該結晶を回収
する；諸工程を含み、しかも結晶成長の条件は、該原料結晶が低いミラー指数の
発達した巨視的ファセットを有する結晶に転換するように選ぶ、方法により生成
することが出来る。その多量の結晶は一般に、巨視的にファセット化した単結晶
を少なくとも８０％含有する。
きタイプの結晶の原料であって、巨視的にファセット化した表面を実質的に有し
ない結晶の上記原料を用意し；該原料結晶を適切な溶媒／触媒と接触させること
により多量の反応結晶を生成し；高温／高圧の装置の反応帯域での結晶成長のた
めに適切な高めた温度及び圧力の条件に該多量の反応結晶を暴露し；該反応帯域
から該多量の反応結晶を取り出し；次いで、該多量の反応結晶から該結晶を回収
する；諸工程を含み、しかも結晶成長の条件は、該原料結晶が低いミラー指数の
発達した巨視的ファセットを有する結晶に転換するように選ぶ、方法により生成
することが出来る。その多量の結晶は一般に、巨視的にファセット化した単結晶
を少なくとも８０％含有する。
【０００５】 本発明の実施に用いる結晶成長のために必要な過飽和推進力を生成する方法は
、少なくとも一部分、好ましくは大部分が、低いミラー（Miller）指数表面と一
層高いミラー指数の表面との間の界面自由エネルギーにおける差異により、左右
される。これは、以下「ウルフ（Wulff）効果」(一層高いミラー指数の表面は、
一層低いミラー指数の表面より一層高い界面自由エネルギーを有する)と呼ぶ。 結晶の平衡形は、結晶の単位容量当りの全最小界面自由エネルギーが達成された
とき、即ち結晶が低いミラー指数の表面により結合されるときに起こる。一層高
いミラー指数の表面はお互いにごく接近して、一連の段階的に低いミラー指数の
表面を含むものと考えることが出来る。そのような状況は用語「一層高いミラー
指数の表面」に包含される。結晶がその平衡形にあるときに、どの面からも垂直
である距離がその面の界面自由エネルギーに平衡である点が存在する。このこと
はウルフ定理の基礎である。
、少なくとも一部分、好ましくは大部分が、低いミラー（Miller）指数表面と一
層高いミラー指数の表面との間の界面自由エネルギーにおける差異により、左右
される。これは、以下「ウルフ（Wulff）効果」(一層高いミラー指数の表面は、
一層低いミラー指数の表面より一層高い界面自由エネルギーを有する)と呼ぶ。 結晶の平衡形は、結晶の単位容量当りの全最小界面自由エネルギーが達成された
とき、即ち結晶が低いミラー指数の表面により結合されるときに起こる。一層高
いミラー指数の表面はお互いにごく接近して、一連の段階的に低いミラー指数の
表面を含むものと考えることが出来る。そのような状況は用語「一層高いミラー
指数の表面」に包含される。結晶がその平衡形にあるときに、どの面からも垂直
である距離がその面の界面自由エネルギーに平衡である点が存在する。このこと
はウルフ定理の基礎である。
【０００６】 本発明の実施において好ましい結晶、ダイヤモンドの場合、高いミラー指数の
表面と低いミラー指数の表面との間の界面自由エネルギーの差異が大きく；しか
も、粒径 数十μを含む種々の粒径のダイヤモンド結晶が使用されるとき、結晶 化を維持する過飽和を生じ得る；ことが見い出された。従って、本発明は、特に
ダイヤモンド結晶の成長に適用性を有し、そこでは、高いミラー指数の結晶表面
及び低いミラー指数の結晶表面の溶解度における差異によって(例えば、諸工程 の実質的な排除、巨視的に高いミラー指数の表面を特徴づけるキンク（よじれ,k
inks）及び他の構造的欠陥による界面自由エネルギーの減少によって)、少なく とも部分的に、好ましくは大部分において過飽和が生じる。
表面と低いミラー指数の表面との間の界面自由エネルギーの差異が大きく；しか
も、粒径 数十μを含む種々の粒径のダイヤモンド結晶が使用されるとき、結晶 化を維持する過飽和を生じ得る；ことが見い出された。従って、本発明は、特に
ダイヤモンド結晶の成長に適用性を有し、そこでは、高いミラー指数の結晶表面
及び低いミラー指数の結晶表面の溶解度における差異によって(例えば、諸工程 の実質的な排除、巨視的に高いミラー指数の表面を特徴づけるキンク（よじれ,k
inks）及び他の構造的欠陥による界面自由エネルギーの減少によって)、少なく とも部分的に、好ましくは大部分において過飽和が生じる。
【０００７】 更に、ウルフ効果は、多量の反応結晶において支配している条件により左右さ
れることが観察された。例えば、適用される一定の溶媒／触媒及び圧力について
、図１及び図２に示されるグラフから分かるように、ウルフ効果は温度及び時間
により左右される。図１のグラフは、約５．４ＧＰａでの鉄−ニッケル溶媒／触
媒において、この条件を１時間維持して、ダイヤモンドに対するウルフ効果の温
度依存性を示している。図２のグラフは、約５．４ＧＰａでの鉄−ニッケル溶媒
／触媒において、その条件を１０時間維持して、ダイヤモンドに対するウルフ効
果の温度依存性を示している。これらのグラフから、原料結晶粒径が大きければ
大きいほど、適用される温度が高ければ高いほど、ウルフ効果が支配しそして低
いミラー指数のファセットを有する単結晶の高い割合を含有する多量の結晶の生
産が達成されることを確実にすることが認められるだろう。ウルフ効果が支配す
るのはどのような条件下であるかを調べるために、同様なグラフが他の溶媒／触
媒及び適用圧力について造られることが出来る。
れることが観察された。例えば、適用される一定の溶媒／触媒及び圧力について
、図１及び図２に示されるグラフから分かるように、ウルフ効果は温度及び時間
により左右される。図１のグラフは、約５．４ＧＰａでの鉄−ニッケル溶媒／触
媒において、この条件を１時間維持して、ダイヤモンドに対するウルフ効果の温
度依存性を示している。図２のグラフは、約５．４ＧＰａでの鉄−ニッケル溶媒
／触媒において、その条件を１０時間維持して、ダイヤモンドに対するウルフ効
果の温度依存性を示している。これらのグラフから、原料結晶粒径が大きければ
大きいほど、適用される温度が高ければ高いほど、ウルフ効果が支配しそして低
いミラー指数のファセットを有する単結晶の高い割合を含有する多量の結晶の生
産が達成されることを確実にすることが認められるだろう。ウルフ効果が支配す
るのはどのような条件下であるかを調べるために、同様なグラフが他の溶媒／触
媒及び適用圧力について造られることが出来る。
【０００８】 高いミラー指数の表面を高い割合で有する粒子は、高いミラー指数の表面を低
い割合で有する粒子よりも一層容易にファセット化結晶を生成するだろう。更に
、高いミラー指数の表面を低い割合で有する粒子は、部分的にファセット化を生
じる（facet）か若しくは溶解ファセットを示すのみであるか、又はその両者で あることがある。
い割合で有する粒子よりも一層容易にファセット化結晶を生成するだろう。更に
、高いミラー指数の表面を低い割合で有する粒子は、部分的にファセット化を生
じる（facet）か若しくは溶解ファセットを示すのみであるか、又はその両者で あることがある。
【０００９】 結晶成長のための高めた温度及び圧力の条件は、結晶の種類に従って変化する
だろう。ダイヤモンド結晶では、高めた温度は一般に１１００〜１５００℃の範
囲にあり、高めた圧力は一般に４．５〜７ＧＰａの範囲にある。
だろう。ダイヤモンド結晶では、高めた温度は一般に１１００〜１５００℃の範
囲にあり、高めた圧力は一般に４．５〜７ＧＰａの範囲にある。
【００１０】 諸結晶、特にダイヤモンド結晶は、当業界に既知の方法を用いて多量の反応結
晶から回収し得る。例えば、最も実際的な方法は、溶媒／触媒を溶解除去し、多
量の結晶を単に残すことである。もし若干の結晶が他の結晶にゆるく結合してい
るならば、それらは軽いミリング（milling）又は他の類似作用により引き離す ことができる。
晶から回収し得る。例えば、最も実際的な方法は、溶媒／触媒を溶解除去し、多
量の結晶を単に残すことである。もし若干の結晶が他の結晶にゆるく結合してい
るならば、それらは軽いミリング（milling）又は他の類似作用により引き離す ことができる。
【００１１】 上記方法は、１００μ未満の粒径を有する多量の結晶を生成するために主とし
て用いられる。しかし、本方法はまた、一層大きな粒径の巨視的にファセット化
した多量の結晶を生成するために用いることが出来、これはまた本発明の一部分
を形成する。
て用いられる。しかし、本方法はまた、一層大きな粒径の巨視的にファセット化
した多量の結晶を生成するために用いることが出来、これはまた本発明の一部分
を形成する。
【００１２】 原料結晶は、巨視的にファセット化した表面を実質的に有しない、不規則な形
の粒子により提供し得る。適切な原料結晶の例は粉砕操作の生成物である。例と
して、図４は角型原料ダイヤモンド結晶の２６０倍拡大での写真を示す。その原
料粒子はまた、巨視的ファセットが損傷されるか若しくは破壊され、そして（又
は）高いミラー指数の表面が造られ、それにより一層高い表面エネルギー面が形
成されるように処理された粒子によっても提供し得る。
の粒子により提供し得る。適切な原料結晶の例は粉砕操作の生成物である。例と
して、図４は角型原料ダイヤモンド結晶の２６０倍拡大での写真を示す。その原
料粒子はまた、巨視的ファセットが損傷されるか若しくは破壊され、そして（又
は）高いミラー指数の表面が造られ、それにより一層高い表面エネルギー面が形
成されるように処理された粒子によっても提供し得る。
【００１３】 原料結晶は、狭い粒径分布又は比較的に広い粒径分布を有することがある。も
し結晶成長においてウルフ効果が支配するように条件が選ばれるならば、そのと
きは生成した多量のファセット化単結晶は、原料結晶と本質的に同じ粒径分布を
有するだろう。
し結晶成長においてウルフ効果が支配するように条件が選ばれるならば、そのと
きは生成した多量のファセット化単結晶は、原料結晶と本質的に同じ粒径分布を
有するだろう。
【００１４】 過飽和はまた、歪みのある結晶と歪みの少ない（又は歪みがない）結晶との間
の溶解度の差異により助力されることが出来る。
の溶解度の差異により助力されることが出来る。
【００１５】 ファセット化多量のダイヤモンド結晶は、みがき操作、ラップ研磨及び研削に
おいて適用を有し、一層容易な且つ一層正確な粒径分離又は決定を可能にし、乾
燥粉末及びスラリ形で一層良好な流動特性を有する。ファセット化ダイヤモンド
結晶はまた、多結晶性製品の製造にも適用される。
おいて適用を有し、一層容易な且つ一層正確な粒径分離又は決定を可能にし、乾
燥粉末及びスラリ形で一層良好な流動特性を有する。ファセット化ダイヤモンド
結晶はまた、多結晶性製品の製造にも適用される。
【００１６】 (態様の説明) 本発明は、高温及び高圧条件を使用する或る種の結晶の成長又は合成への適用
性を有する。本発明は特に、ダイヤモンド、等軸晶系（立方晶系）窒化硼素等の
超硬研磨剤粒子の成長又は合成への適用性を有する。 原料結晶の粒径は、成長させる結晶の種類によって変化する。
性を有する。本発明は特に、ダイヤモンド、等軸晶系（立方晶系）窒化硼素等の
超硬研磨剤粒子の成長又は合成への適用性を有する。 原料結晶の粒径は、成長させる結晶の種類によって変化する。
【００１７】 原料結晶はまた、核（コア）のダイヤモンドの粒子が高いミラー指数の表面を
有しそして巨視的ファセットを実質的に有しないということを、勿論条件として
、ダイヤモンドの核及び溶媒／触媒の層のような適切な材料のコーティングから
なる粒子により提供することが出来る。
有しそして巨視的ファセットを実質的に有しないということを、勿論条件として
、ダイヤモンドの核及び溶媒／触媒の層のような適切な材料のコーティングから
なる粒子により提供することが出来る。
【００１８】 原料結晶はまた、成長させるべき結晶のクラッディング又はコーティングを有
する任意の材料の核からなる粒子により提供することが出来る。
する任意の材料の核からなる粒子により提供することが出来る。
【００１９】 使用される溶媒／触媒は、成長させる結晶の種類によって左右される。ダイヤ
モンドの場合、そのような溶媒／触媒の例は、鉄、コバルト、ニッケル、マンガ
ン等の遷移金属元素、これら金属のいずれか１種を含有する合金；ステンレス鋼
；超合金（例えば、コバルト、ニッケル及び鉄をベースとするもの）；珪素鋼；
ブロンズ；ニッケル／燐、ニッケル／クロム／燐、ニッケル／パラジウム等の真
鍮(ブレーズ,brazes）である。ダイヤモンド合成のための他の適切な溶媒／触媒
は、銅、銅／アルミニウム、燐等の、遷移金属を含有しない単体、化合物及び合
金；アルカリ金属、アルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩、硫酸塩、塩素酸塩、
珪酸塩（例えば、苦土かんらん石及び頑火輝石の水和形）等の非金属物質、又は
それらの混合物；である。
モンドの場合、そのような溶媒／触媒の例は、鉄、コバルト、ニッケル、マンガ
ン等の遷移金属元素、これら金属のいずれか１種を含有する合金；ステンレス鋼
；超合金（例えば、コバルト、ニッケル及び鉄をベースとするもの）；珪素鋼；
ブロンズ；ニッケル／燐、ニッケル／クロム／燐、ニッケル／パラジウム等の真
鍮(ブレーズ,brazes）である。ダイヤモンド合成のための他の適切な溶媒／触媒
は、銅、銅／アルミニウム、燐等の、遷移金属を含有しない単体、化合物及び合
金；アルカリ金属、アルカリ土類金属の水酸化物、炭酸塩、硫酸塩、塩素酸塩、
珪酸塩（例えば、苦土かんらん石及び頑火輝石の水和形）等の非金属物質、又は
それらの混合物；である。
【００２０】 ダイヤモンドの場合、原料粒子は慣用の高圧／高温の方法又は他の適切な技術
により造られた合成ダイヤモンド、又は天然ダイヤモンドとすることが出来る。
により造られた合成ダイヤモンド、又は天然ダイヤモンドとすることが出来る。
【００２１】 本方法で使用する高めた温度及び圧力の条件は、成長させる結晶の種類によっ
ても変化する。ダイヤモンド及び等軸晶系（立方晶系）窒化硼素の成長の場合、
その合成条件は、その結晶が熱力学的に安定である条件とすることができる。こ
れら条件は当業界において周知である。しかし、ダイヤモンドの熱力学的安定性
の領域の外側にある条件下でダイヤモンド成長を生ずることも可能である。ダイ
ヤモンドの熱力学的安定性の領域の外側の温度及び圧力の条件は、もしオストワ
ルト（Ostwald）法則がオストワルトフォルマー（Ostwald‐Volmer）法則よりも
むしろ成長工程を支配しているならば、使用されることが出来る（ＢｏｈｒＲ．
Ｈａｕｂｎｅｒ及びＢ．ＬｕｘによるＤｉａｍｏｎｄ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｖｏｌ．４第７１４頁〜第７１９頁（１９９５）参照）
−「オストワルト法則に従えば、もしエネルギーが幾つかのエネルギー状態を有
する系から取り出されるならば、その系は直接に安定な基底状態に到達しないで
あろうが、その代わりにあらゆる中間の状態を徐々に通過するだろう。また、オ
ストワルトフォルマーの法則に従えば、一層小さな密度の相がまず形成される（
核化される）。その２つの法則がお互いに矛盾するように思われる場合、オスト
ワルトフォルマーの法則がオストワルトの法則よりも優位性を有する。」。熱力
学的安定性のダイヤモンド結晶成長の領域の外側のダイヤモンド結晶成長の場合
、オストワルトフォルマーの法則は、グラファイド結晶が実質的に存在しないこ
とを条件として、例えば圧力の適用により抑制することが出来、かくして、予め
存在するダイヤモンド粒子上へのダイヤモンドの成長を可能にする。等温及び等
圧条件は本発明の実施にとって必須ではないが、そのような条件は好ましい。
ても変化する。ダイヤモンド及び等軸晶系（立方晶系）窒化硼素の成長の場合、
その合成条件は、その結晶が熱力学的に安定である条件とすることができる。こ
れら条件は当業界において周知である。しかし、ダイヤモンドの熱力学的安定性
の領域の外側にある条件下でダイヤモンド成長を生ずることも可能である。ダイ
ヤモンドの熱力学的安定性の領域の外側の温度及び圧力の条件は、もしオストワ
ルト（Ostwald）法則がオストワルトフォルマー（Ostwald‐Volmer）法則よりも
むしろ成長工程を支配しているならば、使用されることが出来る（ＢｏｈｒＲ．
Ｈａｕｂｎｅｒ及びＢ．ＬｕｘによるＤｉａｍｏｎｄ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ
Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｖｏｌ．４第７１４頁〜第７１９頁（１９９５）参照）
−「オストワルト法則に従えば、もしエネルギーが幾つかのエネルギー状態を有
する系から取り出されるならば、その系は直接に安定な基底状態に到達しないで
あろうが、その代わりにあらゆる中間の状態を徐々に通過するだろう。また、オ
ストワルトフォルマーの法則に従えば、一層小さな密度の相がまず形成される（
核化される）。その２つの法則がお互いに矛盾するように思われる場合、オスト
ワルトフォルマーの法則がオストワルトの法則よりも優位性を有する。」。熱力
学的安定性のダイヤモンド結晶成長の領域の外側のダイヤモンド結晶成長の場合
、オストワルトフォルマーの法則は、グラファイド結晶が実質的に存在しないこ
とを条件として、例えば圧力の適用により抑制することが出来、かくして、予め
存在するダイヤモンド粒子上へのダイヤモンドの成長を可能にする。等温及び等
圧条件は本発明の実施にとって必須ではないが、そのような条件は好ましい。
【００２２】 原料結晶は、適切な溶媒／触媒と接触して多量の反応結晶を生成する。一般に
、原料結晶は特定の形状で触媒／溶媒と混合されるだろう。
、原料結晶は特定の形状で触媒／溶媒と混合されるだろう。
【００２３】 多量の反応結晶は、従来の高温／高圧の装置の反応帯域に入れ、次いで、その
内容物は結晶成長を達成させるために必要な温度及び圧力の高められた条件に暴
露する。一層高いミラー指数の表面は一層低いミラー指数の表面に関して優先的
に触媒／溶媒中に溶解する。溶質は一層低いミラー指数の表面に移動し、次いで
、その上に沈殿するか又は成長する。生成される結晶は、使用される飽和−時間
プロフィルに依存している形態を有するだろう。温度及び圧力条件及び溶媒／触
媒の化学組成はまた、形態に影響する。
内容物は結晶成長を達成させるために必要な温度及び圧力の高められた条件に暴
露する。一層高いミラー指数の表面は一層低いミラー指数の表面に関して優先的
に触媒／溶媒中に溶解する。溶質は一層低いミラー指数の表面に移動し、次いで
、その上に沈殿するか又は成長する。生成される結晶は、使用される飽和−時間
プロフィルに依存している形態を有するだろう。温度及び圧力条件及び溶媒／触
媒の化学組成はまた、形態に影響する。
【００２４】 窒素、硼素又は燐のような、結晶化及び結晶構造の調節剤（modifiers）は特 定の目的を達成させるために多量の反応結晶に導入されることが出来る。 （発明を実施するための最良の形態） 本発明は以下の非限定的例により例示される。
【００２５】 例１ 上記反応カプセルは、若干の双晶化結晶と一緒に多数のファセット化ダイヤモ
ンド結晶を生成するために用いられた。（ａ）２０〜４０μの粒径分布を有しそ
して一層粗い合成物質を粉砕することにより生成された５０ｇのダイヤモンド粒
子及び（ｂ）２８５ｇの鉄−コバルト粉末からなる混合物が造られた。そのダイ
ヤモンド粒子は巨視的ファセットを有しなかった。その混合物を該反応カプセル
中に入れそして約５．５ＧＰａ及び約１４２０℃の条件に上昇させた。これらの
条件を１１時間の期間にわたって維持した。得られた結晶はほとんど全体的にフ
ァセット化されそして若干の場合において双晶化された。回収された結晶の合計
質量は４１ｇであったそしてこれらは実質的に３０〜５０μの粒径範囲にあった
。粒子の少なくとも８０質量％が単結晶であった。
ンド結晶を生成するために用いられた。（ａ）２０〜４０μの粒径分布を有しそ
して一層粗い合成物質を粉砕することにより生成された５０ｇのダイヤモンド粒
子及び（ｂ）２８５ｇの鉄−コバルト粉末からなる混合物が造られた。そのダイ
ヤモンド粒子は巨視的ファセットを有しなかった。その混合物を該反応カプセル
中に入れそして約５．５ＧＰａ及び約１４２０℃の条件に上昇させた。これらの
条件を１１時間の期間にわたって維持した。得られた結晶はほとんど全体的にフ
ァセット化されそして若干の場合において双晶化された。回収された結晶の合計
質量は４１ｇであったそしてこれらは実質的に３０〜５０μの粒径範囲にあった
。粒子の少なくとも８０質量％が単結晶であった。
【００２６】 図４は、角型の（しかしファセット化していない）種類の粒子を示す原料ダイ
ヤモンド粒子（結晶）の２６０倍拡大の写真である。図５及び図６は本方法によ
り製造されたファセット化そして若干の場合において双晶化ダイヤモンド結晶の
異なる拡大での写真である。ファセットが写真上に明らかに見ることが出来る。
ファセット化及び双晶化結晶はゆるく結合し密着した粒子を形成したことが認め
られるだろう。その凝集粒子を軽いミリング又は同様な作用に付すことにより個
々の粒子が遊離開放されることが出来る。
ヤモンド粒子（結晶）の２６０倍拡大の写真である。図５及び図６は本方法によ
り製造されたファセット化そして若干の場合において双晶化ダイヤモンド結晶の
異なる拡大での写真である。ファセットが写真上に明らかに見ることが出来る。
ファセット化及び双晶化結晶はゆるく結合し密着した粒子を形成したことが認め
られるだろう。その凝集粒子を軽いミリング又は同様な作用に付すことにより個
々の粒子が遊離開放されることが出来る。
【００２７】 例２ 上記反応カプセルが多数のファセット化ダイヤモンド結晶を造るために再び用
いられた。（ａ）粗い合成物質を粉砕することにより造られ、８μの最大粒径及
び４μの最小粒径を有する、５０ｇのダイヤモンド粒子及び（ｂ）コバルト−鉄
溶媒の２８４．６ｇからなる混合物が造られた。該ダイヤモンド粒子は巨視的フ
ァセットを有しなかった。該混合物を反応カプセルに入れ、約５．５ＧＰａ及び
約１３７０℃の条件に上昇させた。これらの条件を１１時間の期間に渡って維持
した。成長した結晶は、全体的にファセット化され、若干の場合に双晶化され、
粒径は約６μ〜約１０μの範囲に渡っていた。３９．５ｇの全質量の結晶を回収
した。少なくとも８０質量％の粒子は単結晶であった。
いられた。（ａ）粗い合成物質を粉砕することにより造られ、８μの最大粒径及
び４μの最小粒径を有する、５０ｇのダイヤモンド粒子及び（ｂ）コバルト−鉄
溶媒の２８４．６ｇからなる混合物が造られた。該ダイヤモンド粒子は巨視的フ
ァセットを有しなかった。該混合物を反応カプセルに入れ、約５．５ＧＰａ及び
約１３７０℃の条件に上昇させた。これらの条件を１１時間の期間に渡って維持
した。成長した結晶は、全体的にファセット化され、若干の場合に双晶化され、
粒径は約６μ〜約１０μの範囲に渡っていた。３９．５ｇの全質量の結晶を回収
した。少なくとも８０質量％の粒子は単結晶であった。
【００２８】 例３ 上記反応カプセルが多数のファセット化ダイヤモンド結晶を造るために再び用
いた。（ａ）２０〜４０μの粒径分布を有し、粗い合成物質を粉砕することによ
り造られたダイヤモンド粒子の３０容量％及び（ｂ）鉄−ニッケル粉末の７０容
量％からなる混合物が造られた。そのダイヤモンド粒子は巨視的ファセットを有
しなかった。その混合物を反応カプセルに入れそして約５．５ＧＰａ及び約１４
００℃の条件に上昇させた。これらの条件を２０分の期間にわたって維持した。
得られた結晶は全体的にファセット化されそして若干の場合において双晶化され
、２５〜４５μの範囲でのそれらの粒径を有した。粒子の少なくとも８０質量％
が単結晶であった。
いた。（ａ）２０〜４０μの粒径分布を有し、粗い合成物質を粉砕することによ
り造られたダイヤモンド粒子の３０容量％及び（ｂ）鉄−ニッケル粉末の７０容
量％からなる混合物が造られた。そのダイヤモンド粒子は巨視的ファセットを有
しなかった。その混合物を反応カプセルに入れそして約５．５ＧＰａ及び約１４
００℃の条件に上昇させた。これらの条件を２０分の期間にわたって維持した。
得られた結晶は全体的にファセット化されそして若干の場合において双晶化され
、２５〜４５μの範囲でのそれらの粒径を有した。粒子の少なくとも８０質量％
が単結晶であった。
【００２９】 例４ 上記反応カプセルが多数のファセット化ダイヤモンド結晶を造るために再び用
いられた。（ａ）不規則な形状を有しそして２０〜４０μの粒径分布を有する天
然ダイヤモンド粒子の３０容量％及び（ｂ）コバルト−鉄粉末の７０容量％から
なる混合物が造られた。そのダイヤモンド粒子は巨視的ファセットを有しなかっ
た。その混合物を該反応カプセルに入れそして約５．５ＧＰａ及び約１３７０℃
の条件に上昇させそしてその条件を１時間の期間にわたって維持した。回収され
た結晶は全体的にファセット化されそして若干の場合において双晶化されている
ことが見い出された。これらの結晶の粒径は、２５〜５０μの範囲にあった。粒
子の少なくとも８０質量％は単結晶であった。
いられた。（ａ）不規則な形状を有しそして２０〜４０μの粒径分布を有する天
然ダイヤモンド粒子の３０容量％及び（ｂ）コバルト−鉄粉末の７０容量％から
なる混合物が造られた。そのダイヤモンド粒子は巨視的ファセットを有しなかっ
た。その混合物を該反応カプセルに入れそして約５．５ＧＰａ及び約１３７０℃
の条件に上昇させそしてその条件を１時間の期間にわたって維持した。回収され
た結晶は全体的にファセット化されそして若干の場合において双晶化されている
ことが見い出された。これらの結晶の粒径は、２５〜５０μの範囲にあった。粒
子の少なくとも８０質量％は単結晶であった。
【００３０】 例２、３及び４において、原料ダイヤモンド結晶、そしてファセット化及び双
晶化ダイヤモンド結晶は、それぞれ、図４、図５及び６に例示される結晶に類似
していた。
晶化ダイヤモンド結晶は、それぞれ、図４、図５及び６に例示される結晶に類似
していた。
【００３１】 例５〜２５ 例１〜４において特定された溶媒／触媒以外の溶媒／触媒を用いてファセット
化ダイヤモンド結晶を造った。他の溶媒／触媒系のこれらの例及びそれらが使用
される条件は以下の第Ｉ表に示される。例５〜例２５の各々において、原料ダイ
ヤモンド粒子は、不規則な形を有しそして巨視的ファセットを有しない粉砕され
た合成ダイヤモンド粒子であった。
化ダイヤモンド結晶を造った。他の溶媒／触媒系のこれらの例及びそれらが使用
される条件は以下の第Ｉ表に示される。例５〜例２５の各々において、原料ダイ
ヤモンド粒子は、不規則な形を有しそして巨視的ファセットを有しない粉砕され
た合成ダイヤモンド粒子であった。
【００３２】
【表１】
【００３３】 例２６〜３２ 原料ダイヤモンド粒径の範囲の例が示される例２６〜３２により本発明が更に
例示される。全ての原料ダイヤモンドは肉眼で見える巨視的ファセットを有しな
かった。これらの例はまた、一層粗い原料ダイヤモンド粒径で本発明を実施する
ために、温度及び時間の一層極端な条件の必要性ならびに溶媒／触媒のタイプを
変化させることの必要性を例示する。ファセット化ダイヤモンド結晶が生成され
た。これらの例において使用された条件を以下の第ＩＩ表に示す。
例示される。全ての原料ダイヤモンドは肉眼で見える巨視的ファセットを有しな
かった。これらの例はまた、一層粗い原料ダイヤモンド粒径で本発明を実施する
ために、温度及び時間の一層極端な条件の必要性ならびに溶媒／触媒のタイプを
変化させることの必要性を例示する。ファセット化ダイヤモンド結晶が生成され
た。これらの例において使用された条件を以下の第ＩＩ表に示す。
【００３４】
【表２】
【００３５】 例３３ 巨視的ファセットを有せず、３０〜４５μの基準粒径範囲を有する原料ダイヤ
モンド粒子の多量の結晶の粒径分布は、レーザービーム回折法を用いて測定した
。（ａ）これらの原料ダイヤモンド粒子の２５容量％及び（ｂ）鉄−ニッケル粉
末の７５容量％からなる混合物を造った。その混合物を反応カプセルに入れ、約
１８分の期間に渡って、約５．３ＧＰａ及び約１３６０℃の条件に上昇させた。
モンド粒子の多量の結晶の粒径分布は、レーザービーム回折法を用いて測定した
。（ａ）これらの原料ダイヤモンド粒子の２５容量％及び（ｂ）鉄−ニッケル粉
末の７５容量％からなる混合物を造った。その混合物を反応カプセルに入れ、約
１８分の期間に渡って、約５．３ＧＰａ及び約１３６０℃の条件に上昇させた。
【００３６】 希鉱酸の混合物中に溶媒／触媒を溶解することにより、ダイヤモンドを材料か
ら回収した。洗浄及び乾燥させた後に、回収したダイヤモンドを秤量し、粒径分
布を再び測定した。
ら回収した。洗浄及び乾燥させた後に、回収したダイヤモンドを秤量し、粒径分
布を再び測定した。
【００３７】 ダイヤモンドの質量損失は、溶媒／触媒の質量の２４％又は３．５％であるこ
とが見い出され、これは溶媒／触媒中のダイヤモンドの溶解度と等しい。原料ダ
イヤモンド粒子及び反応カプセルから回収されたファセット化ダイヤモンドの、
粒径分布を図３に示す。原料ダイヤモンド粒子及び回収したファセット化ダイヤ
モンド粒子の粒径分布は実質的に同じであり、回収したダイヤモンドは原料ダイ
ヤモンドより僅かに大きく、これはまた０．１７８ｍ2／ｇから０．１６８ｍ2／
ｇへの比表面積における僅かな減少により示される。粒径分布の僅かな粗大化は
、溶解法よりもむしろウルフ効果を用いる成長法に起因しているファセット化の
確認である。
とが見い出され、これは溶媒／触媒中のダイヤモンドの溶解度と等しい。原料ダ
イヤモンド粒子及び反応カプセルから回収されたファセット化ダイヤモンドの、
粒径分布を図３に示す。原料ダイヤモンド粒子及び回収したファセット化ダイヤ
モンド粒子の粒径分布は実質的に同じであり、回収したダイヤモンドは原料ダイ
ヤモンドより僅かに大きく、これはまた０．１７８ｍ2／ｇから０．１６８ｍ2／
ｇへの比表面積における僅かな減少により示される。粒径分布の僅かな粗大化は
、溶解法よりもむしろウルフ効果を用いる成長法に起因しているファセット化の
確認である。
【００３８】 例３４ 巨視的ファセットを有せず、２４μ〜４８μの基準粒径範囲を有する原料合成
ダイヤモンド粒子の多量の結晶を、約２μの厚さのニッケル−燐の層でコーティ
ングした。コーティングされた粒子が実質的に個々に分離されるような方法で、
無電解法を用いて、その層は蒸着された。（ａ）コーティングされたダイヤモン
ド粒子の２０容量％及び（ｂ）塩化ナトリウムの８０容量％からなる混合物が造
られそしてこの混合物は反応カプセル中に入れられた。３００分間の間にわたっ
て約５．２ＧＰａ及び約１３１０℃の条件に反応カプセルを上昇させた。温水中
に塩化ナトリウムを溶解することにより、ダイヤモンドを反応カプセルから回収
した。回収されたダイヤモンドの検査は、それが殆ど全体的にファセット化され
ていることを示した。
ダイヤモンド粒子の多量の結晶を、約２μの厚さのニッケル−燐の層でコーティ
ングした。コーティングされた粒子が実質的に個々に分離されるような方法で、
無電解法を用いて、その層は蒸着された。（ａ）コーティングされたダイヤモン
ド粒子の２０容量％及び（ｂ）塩化ナトリウムの８０容量％からなる混合物が造
られそしてこの混合物は反応カプセル中に入れられた。３００分間の間にわたっ
て約５．２ＧＰａ及び約１３１０℃の条件に反応カプセルを上昇させた。温水中
に塩化ナトリウムを溶解することにより、ダイヤモンドを反応カプセルから回収
した。回収されたダイヤモンドの検査は、それが殆ど全体的にファセット化され
ていることを示した。
【００３９】 例３５ （ａ）巨視的ファセットを有せずそして０．５μ未満の粒径を有する合成ダイ
ヤモンド粒子の３０容量％及び（ｂ）コバルト粉末の７０容量％からなる混合物
が造られた。この混合物を反応カプセルに入れそして約４．８ＧＰａ及び１１７
０℃の条件に上昇させそしてその条件を１１時間の期間にわたって維持した。コ
バルトを希塩酸に溶解しそしてその液からダイヤモンドを濾過することにより反
応カプセルからダイヤモンドを回収した。ダイヤモンドの検査は、実質的に１μ
未満の粒径を有するファセット化結晶を示した。Ｍｕｎｃｋｅ（１９７９年Ａｃ
ａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ発行Ｊ．Ｅ．Ｆｉｅｌｄによる監修の「Ｔｈｅ Ｐｒ
ｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｄｉａｍｏｎｄ」を参照）に従えば、４．８ＧＰａで
のＣｏ−Ｃにおける共融温度は約１３７５℃であり、従って、この例において与
えられた条件下、反応混合物は結晶成長期間中に固体状態にあった。
ヤモンド粒子の３０容量％及び（ｂ）コバルト粉末の７０容量％からなる混合物
が造られた。この混合物を反応カプセルに入れそして約４．８ＧＰａ及び１１７
０℃の条件に上昇させそしてその条件を１１時間の期間にわたって維持した。コ
バルトを希塩酸に溶解しそしてその液からダイヤモンドを濾過することにより反
応カプセルからダイヤモンドを回収した。ダイヤモンドの検査は、実質的に１μ
未満の粒径を有するファセット化結晶を示した。Ｍｕｎｃｋｅ（１９７９年Ａｃ
ａｄｅｍｉｃ Ｐｒｅｓｓ発行Ｊ．Ｅ．Ｆｉｅｌｄによる監修の「Ｔｈｅ Ｐｒ
ｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ Ｄｉａｍｏｎｄ」を参照）に従えば、４．８ＧＰａで
のＣｏ−Ｃにおける共融温度は約１３７５℃であり、従って、この例において与
えられた条件下、反応混合物は結晶成長期間中に固体状態にあった。
【００４０】 他のように記載されない限り、上記全ての例において、ファセット化ダイヤモ
ンド粒子は、適切な且つ既知の酸又は溶媒中に触媒／溶媒を単に溶解し、各々分
離されたファセット化多量のダイヤモンド結晶を残すことにより回収された。若
干の結晶がお互いにゆるく結合されている場合、それらは軽いミリング（ｍｉｌ
ｌｉｎｇ）又は同様な作用に、結合し密着した粒子をさらすことにより、遊離開
放される。
ンド粒子は、適切な且つ既知の酸又は溶媒中に触媒／溶媒を単に溶解し、各々分
離されたファセット化多量のダイヤモンド結晶を残すことにより回収された。若
干の結晶がお互いにゆるく結合されている場合、それらは軽いミリング（ｍｉｌ
ｌｉｎｇ）又は同様な作用に、結合し密着した粒子をさらすことにより、遊離開
放される。
【００４１】 例５〜例３５のファセット化ダイヤモンドは、図４及び５により例示されるダ
イヤモンドに全て類似していた。あらゆる場合において、若干の双晶化ダイヤモ
ンド結晶が存在したが、粒子の少なくとも８０％が単結晶であった。
イヤモンドに全て類似していた。あらゆる場合において、若干の双晶化ダイヤモ
ンド結晶が存在したが、粒子の少なくとも８０％が単結晶であった。
【図１】 約５．４ＧＰａでの鉄−ニッケル溶媒／触媒において、その条件を１時間維持
しての、ダイヤモンドに対するウルフ効果の温度依存性を示すグラフである。
しての、ダイヤモンドに対するウルフ効果の温度依存性を示すグラフである。
【図２】 約５．４ＧＰａでの鉄−ニッケル溶媒／触媒において、その条件を１０時間維
持しての、ダイヤモンドに対するウルフ効果の温度依存性を示すグラフである。
持しての、ダイヤモンドに対するウルフ効果の温度依存性を示すグラフである。
【図３】 回収されたダイヤモンド粒径分布を、出発ダイヤモンド粒径分布と比較するグ
ラフである。
ラフである。
【図４】 角型原料ダイヤモンド結晶の２６０倍拡大の写真である。
【図５】 本発明の方法により生成された２６０倍拡大でのファセット化及び若干の双晶
化のダイヤモンド結晶の写真である。
化のダイヤモンド結晶の写真である。
【図６】 ５２０倍拡大での、図３の結晶の写真である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１２年１月２０日（２０００．１．２０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】 （発明の背景） 本発明は、高温及び高圧の条件下のダイヤモンド結晶の成長に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】 主として巨視的にファセット化した単結晶である多量のダイヤモンド結晶は、
ダイヤモンド結晶の原料であって、巨視的にファセット化した表面を実質的に有
しない結晶の上記原料を用意し；該原料ダイヤモンド結晶を適切な溶媒／触媒と
接触させることにより多量の反応結晶を生成し；高温／高圧の装置の反応帯域で
の結晶成長のために適切な高めた温度及び圧力の条件に該多量の反応結晶を暴露
し；該反応帯域から該多量の反応結晶を取り出し；次いで、該多量の反応結晶か
ら該結晶を回収する；諸工程を含み、しかも結晶成長の条件は、該原料ダイヤモ
ンド結晶が低いミラー指数の発達した巨視的ファセットを有するダイヤモンド結
晶に転換するように選ぶ、方法により生成することが出来る。その多量の結晶は
一般に、巨視的にファセット化した単結晶を少なくとも８０％含有する。
ダイヤモンド結晶の原料であって、巨視的にファセット化した表面を実質的に有
しない結晶の上記原料を用意し；該原料ダイヤモンド結晶を適切な溶媒／触媒と
接触させることにより多量の反応結晶を生成し；高温／高圧の装置の反応帯域で
の結晶成長のために適切な高めた温度及び圧力の条件に該多量の反応結晶を暴露
し；該反応帯域から該多量の反応結晶を取り出し；次いで、該多量の反応結晶か
ら該結晶を回収する；諸工程を含み、しかも結晶成長の条件は、該原料ダイヤモ
ンド結晶が低いミラー指数の発達した巨視的ファセットを有するダイヤモンド結
晶に転換するように選ぶ、方法により生成することが出来る。その多量の結晶は
一般に、巨視的にファセット化した単結晶を少なくとも８０％含有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００６】 ダイヤモンドの場合、高いミラー指数の表面と低いミラー指数の表面との間の
界面自由エネルギーの差異が大きく；しかも、粒径 数十μを含む種々の粒径の ダイヤモンド結晶が使用されるとき、結晶化を維持する過飽和を生じ得る；こと
が見い出された。従って、本発明は、特にダイヤモンド結晶の成長に適用性を有
し、そこでは、高いミラー指数の結晶表面及び低いミラー指数の結晶表面の溶解
度における差異によって(例えば、諸工程の実質的な排除、巨視的に高いミラー 指数の表面を特徴づけるキンク（よじれ,kinks）及び他の構造的欠陥による界面
自由エネルギーの減少によって)、少なくとも部分的に、好ましくは大部分にお いて過飽和が生じる。
界面自由エネルギーの差異が大きく；しかも、粒径 数十μを含む種々の粒径の ダイヤモンド結晶が使用されるとき、結晶化を維持する過飽和を生じ得る；こと
が見い出された。従って、本発明は、特にダイヤモンド結晶の成長に適用性を有
し、そこでは、高いミラー指数の結晶表面及び低いミラー指数の結晶表面の溶解
度における差異によって(例えば、諸工程の実質的な排除、巨視的に高いミラー 指数の表面を特徴づけるキンク（よじれ,kinks）及び他の構造的欠陥による界面
自由エネルギーの減少によって)、少なくとも部分的に、好ましくは大部分にお いて過飽和が生じる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】 高いミラー指数の表面を高い割合で有する粒子は、高いミラー指数の表面を低
い割合で有する粒子よりも一層容易にファセット化ダイヤモンド結晶を生成する
だろう。更に、高いミラー指数の表面を低い割合で有する粒子は、部分的にファ
セット化を生じる（facet）か若しくは溶解ファセットを示すのみであるか、又 はその両者であることがある。
い割合で有する粒子よりも一層容易にファセット化ダイヤモンド結晶を生成する
だろう。更に、高いミラー指数の表面を低い割合で有する粒子は、部分的にファ
セット化を生じる（facet）か若しくは溶解ファセットを示すのみであるか、又 はその両者であることがある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００９】 ダイヤモンド結晶では、高めた温度は一般に１１００〜１５００℃の範囲にあ
り、高めた圧力は一般に４．５〜７ＧＰａの範囲にある。
り、高めた圧力は一般に４．５〜７ＧＰａの範囲にある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】 ダイヤモンド結晶は、当業界に既知の方法を用いて多量の反応結晶から回収し
得る。例えば、最も実際的な方法は、溶媒／触媒を溶解除去し、多量の結晶を単
に残すことである。もし若干の結晶が他の結晶にゆるく結合しているならば、そ
れらは軽いミリング（milling）又は他の類似作用により引き離し得る。
得る。例えば、最も実際的な方法は、溶媒／触媒を溶解除去し、多量の結晶を単
に残すことである。もし若干の結晶が他の結晶にゆるく結合しているならば、そ
れらは軽いミリング（milling）又は他の類似作用により引き離し得る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】 原料ダイヤモンド結晶は、巨視的にファセット化した表面を実質的に有しない
、不規則な形の粒子により提供し得る。適切な原料結晶の例は粉砕操作の生成物
である。例として、図４は角型原料ダイヤモンド結晶の２６０倍拡大での写真を
示す。その原料粒子はまた、巨視的ファセットが損傷されるか若しくは破壊され
、そして（又は）高いミラー指数の表面が造られ、それにより一層高い表面エネ
ルギー面が形成されるように処理された粒子によっても提供し得る。
、不規則な形の粒子により提供し得る。適切な原料結晶の例は粉砕操作の生成物
である。例として、図４は角型原料ダイヤモンド結晶の２６０倍拡大での写真を
示す。その原料粒子はまた、巨視的ファセットが損傷されるか若しくは破壊され
、そして（又は）高いミラー指数の表面が造られ、それにより一層高い表面エネ
ルギー面が形成されるように処理された粒子によっても提供し得る。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】 原料ダイヤモンド結晶は、狭い粒径分布又は比較的に広い粒径分布を有するこ
とがある。もし結晶成長においてウルフ効果が支配するように条件が選ばれるな
らば、そのときは生成した多量のファセット化単結晶は、原料結晶と本質的に同
じ粒径分布を有するだろう。
とがある。もし結晶成長においてウルフ効果が支配するように条件が選ばれるな
らば、そのときは生成した多量のファセット化単結晶は、原料結晶と本質的に同
じ粒径分布を有するだろう。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】 (態様の説明) 本発明は、高温及び高圧条件を使用するダイヤモンド結晶の成長又は合成への
適用性を有する。 原料結晶の粒径は、成長させる結晶の種類によって変化する。
適用性を有する。 原料結晶の粒径は、成長させる結晶の種類によって変化する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】 ダイヤモンド成長の場合、その合成条件は、その結晶が熱力学的に安定である
条件とすることができる。これら条件は当業界において周知である。しかし、ダ
イヤモンドの熱力学的安定性の領域の外側にある条件下でダイヤモンド成長を生
ずることも可能である。ダイヤモンドの熱力学的安定性の領域の外側の温度及び
圧力の条件は、もしオストワルト（Ostwald）法則がオストワルトフォルマー（O
stwald‐Volmer）法則よりもむしろ成長工程を支配しているならば、使用される
ことが出来る（ＢｏｈｒＲ．Ｈａｕｂｎｅｒ及びＢ．ＬｕｘによるＤｉａｍｏｎ
ｄ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｖｏｌ．４第７１４頁〜第
７１９頁（１９９５）参照）−「オストワルト法則に従えば、もしエネルギーが
幾つかのエネルギー状態を有する系から取り出されるならば、その系は直接に安
定な基底状態に到達しないであろうが、その代わりにあらゆる中間の状態を徐々
に通過するだろう。また、オストワルトフォルマーの法則に従えば、一層小さな
密度の相がまず形成される（核化される）。その２つの法則がお互いに矛盾する
ように思われる場合、オストワルトフォルマーの法則がオストワルトの法則より
も優位性を有する。」。熱力学的安定性のダイヤモンド結晶成長の領域の外側の
ダイヤモンド結晶成長の場合、オストワルトフォルマーの法則は、グラファイド
結晶が実質的に存在しないことを条件として、例えば圧力の適用により抑制する
ことが出来、かくして、予め存在するダイヤモンド粒子上へのダイヤモンドの成
長を可能にする。等温及び等圧条件は本発明の実施にとって必須ではないが、そ
のような条件は好ましい。
条件とすることができる。これら条件は当業界において周知である。しかし、ダ
イヤモンドの熱力学的安定性の領域の外側にある条件下でダイヤモンド成長を生
ずることも可能である。ダイヤモンドの熱力学的安定性の領域の外側の温度及び
圧力の条件は、もしオストワルト（Ostwald）法則がオストワルトフォルマー（O
stwald‐Volmer）法則よりもむしろ成長工程を支配しているならば、使用される
ことが出来る（ＢｏｈｒＲ．Ｈａｕｂｎｅｒ及びＢ．ＬｕｘによるＤｉａｍｏｎ
ｄ ａｎｄ Ｒｅｌａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｖｏｌ．４第７１４頁〜第
７１９頁（１９９５）参照）−「オストワルト法則に従えば、もしエネルギーが
幾つかのエネルギー状態を有する系から取り出されるならば、その系は直接に安
定な基底状態に到達しないであろうが、その代わりにあらゆる中間の状態を徐々
に通過するだろう。また、オストワルトフォルマーの法則に従えば、一層小さな
密度の相がまず形成される（核化される）。その２つの法則がお互いに矛盾する
ように思われる場合、オストワルトフォルマーの法則がオストワルトの法則より
も優位性を有する。」。熱力学的安定性のダイヤモンド結晶成長の領域の外側の
ダイヤモンド結晶成長の場合、オストワルトフォルマーの法則は、グラファイド
結晶が実質的に存在しないことを条件として、例えば圧力の適用により抑制する
ことが出来、かくして、予め存在するダイヤモンド粒子上へのダイヤモンドの成
長を可能にする。等温及び等圧条件は本発明の実施にとって必須ではないが、そ
のような条件は好ましい。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ， ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，Ｌ Ｔ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ， ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，Ｕ Ａ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 チャップマン、レイモンド、アルバート 南アフリカ共和国 ヨハネスブルグ、モン ドアー、コラムバイン アベニュー 183 (72)発明者 スチュアート、オーレット 南アフリカ共和国 ランドバーグ、ルイッ ターホフ、ニコリン アベニュー 22 (72)発明者 ヘッジズ、レスリイ、ケイ 南アフリカ共和国 ブラッケンハースト、 デルフィニアム ストリート、 オリオー ル ミューズ ４
Claims (9)
- 【請求項１】 １００μ未満の粒径を有する多量の結晶であって、該多量の
結晶中の結晶の大多数がファセット化した単結晶である、上記多量の結晶。 - 【請求項２】 多量の結晶の少なくとも８０％がファセット化した単結晶で
ある、請求項１記載の多量の結晶。 - 【請求項３】 結晶がダイヤモンド結晶である、請求項１又は２に記載の多
量の結晶。 - 【請求項４】 主として巨視的にファセット化した単結晶である多量の結晶
を生成する方法において、成長させるべきタイプの結晶の原料であって、巨視的
にファセット化した表面を実質的に有しない結晶の原料を用意し；該原料を適切
な溶媒／触媒と接触させることにより多量の反応結晶を生成し；高温／高圧の装
置の反応帯域において結晶成長のために適切な高めた温度及び圧力の条件に該多
量の反応結晶を暴露し；該反応帯域から該多量の反応結晶を取り出し；次いで、
該多量の反応結晶から結晶を回収する；諸工程を含み、しかも結晶の成長の条件
は、該原料結晶が低いミラー指数の発達した巨視的ファセットを有する結晶に転
換されるように選ぶ、上記方法。 - 【請求項５】 多量の結晶が、巨視的にファセット化した単結晶を少なくと
も８０％含有する、請求項４記載の方法。 - 【請求項６】 結晶がダイヤモンド結晶である、請求項５記載の方法。
- 【請求項７】 高めた温度が１１００〜１５００℃の範囲にあり、高めた圧
力が４．５〜７ＧＰａの範囲にある、請求項６記載の方法。 - 【請求項８】 結晶成長のために必要な過飽和推進力が、原料結晶の低いミ
ラー指数の表面と高いミラー指数の表面との間の界面自由エネルギーの差異によ
り主に生成される、請求項４〜７のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項９】 ウルフ効果が支配する、請求項４〜８のいずれか１項に記載
の方法。
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