JPS5922912A - 帯電防止膜付き物品の製造方法 - Google Patents
帯電防止膜付き物品の製造方法Info
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- JPS5922912A JPS5922912A JP57109835A JP10983582A JPS5922912A JP S5922912 A JPS5922912 A JP S5922912A JP 57109835 A JP57109835 A JP 57109835A JP 10983582 A JP10983582 A JP 10983582A JP S5922912 A JPS5922912 A JP S5922912A
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- plasma
- thin film
- gas
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- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、低摩擦特性を有する帯電防止薄膜付き物品に
関するものであり、特には帯電しやすい材料から作製さ
れそして低摩擦性を要求される環境において使用される
各種物品の品質向上の為、低摩擦性と導電性とを同時に
賦与する薄膜を具備したこれら物品に関係する。
関するものであり、特には帯電しやすい材料から作製さ
れそして低摩擦性を要求される環境において使用される
各種物品の品質向上の為、低摩擦性と導電性とを同時に
賦与する薄膜を具備したこれら物品に関係する。
吸湿性が少なくそして電気絶縁性の高いプラスチック等
から作製される物品は静電気の帯電による障害を受けや
すい。例えば、各種プラスチック成形品、フィルム等に
おいて、その加工或いは使用過程中ちりやはこりが付着
した妙また放電が発生したりすることＫより、汚れが生
じたり、部品の機能低下や損傷が生じたり、作業能率の
低下を招きやすい。ゴム引布、繊維布、ガラスその他の
絶縁性製品についても同様の問題が生じうる。これら帯
電性の物品は、テープ、シート、フィルム、賦形物等の
形態で高精度の機能を要求される電気・電子機器、機械
、医療器具その他の要素として絹地まれており、特に最
近では機能性プラスチックとして各種プラスチックが機
構成いは機能部品として多くの分野に進出している。こ
のような帯電性の物品が所定の機能水準を維持する為に
はその帯電防止が重要であることは言うまでもない。
から作製される物品は静電気の帯電による障害を受けや
すい。例えば、各種プラスチック成形品、フィルム等に
おいて、その加工或いは使用過程中ちりやはこりが付着
した妙また放電が発生したりすることＫより、汚れが生
じたり、部品の機能低下や損傷が生じたり、作業能率の
低下を招きやすい。ゴム引布、繊維布、ガラスその他の
絶縁性製品についても同様の問題が生じうる。これら帯
電性の物品は、テープ、シート、フィルム、賦形物等の
形態で高精度の機能を要求される電気・電子機器、機械
、医療器具その他の要素として絹地まれており、特に最
近では機能性プラスチックとして各種プラスチックが機
構成いは機能部品として多くの分野に進出している。こ
のような帯電性の物品が所定の機能水準を維持する為に
はその帯電防止が重要であることは言うまでもない。
更に、これら帯電性物品は機構中において摩擦下で走行
、回転、摺動といった接触相対運動下に置かれることが
多い。例えば、磁気テープ、磁気ディスク、光記録テー
プ、光記録ディスク、磁気テープに用いられるリーダテ
ープやトレーラ−テープ等の記録材料は作動に際し、て
低摩擦表面特性が強く要求される。プラスチック製回転
子や摺動子においても同じく低摩擦表面特性が要求され
る。
、回転、摺動といった接触相対運動下に置かれることが
多い。例えば、磁気テープ、磁気ディスク、光記録テー
プ、光記録ディスク、磁気テープに用いられるリーダテ
ープやトレーラ−テープ等の記録材料は作動に際し、て
低摩擦表面特性が強く要求される。プラスチック製回転
子や摺動子においても同じく低摩擦表面特性が要求され
る。
帯電による弊害を解消する方法としては、コロナ放電に
より除電する物理的方法もあるが適用を制約されるため
、帯ｗ１防止剤を利用する化学的方法が主流を占めてい
る。帯電防止剤は物品の表面に塗布する場合と物品内部
に錬込む場合とがあるが、様々の種類や形態のプラスチ
ック等に適用するには前者の方が一般的適用性があり且
つ効果も高い。
より除電する物理的方法もあるが適用を制約されるため
、帯ｗ１防止剤を利用する化学的方法が主流を占めてい
る。帯電防止剤は物品の表面に塗布する場合と物品内部
に錬込む場合とがあるが、様々の種類や形態のプラスチ
ック等に適用するには前者の方が一般的適用性があり且
つ効果も高い。
従来からプラスチック等基体に塗布される帯電防止用薄
膜に使用された帯電防止剤としては、アニオン系、カチ
オン系、ノニオン系等の界面活性剤系のものがある。こ
れらの多くはイオン解離性や吸湿性ケ有するもので、プ
ラスチックの種類や成形条件等に応じて種々に使いわけ
られてきた。
膜に使用された帯電防止剤としては、アニオン系、カチ
オン系、ノニオン系等の界面活性剤系のものがある。こ
れらの多くはイオン解離性や吸湿性ケ有するもので、プ
ラスチックの種類や成形条件等に応じて種々に使いわけ
られてきた。
しかしながら、この方法で形成される帯電防止膜は基体
との付着性が弱く、帯電防止効果を長期に維持すること
が困難であるという致命的欠点を呈す不。即ち、塗膜形
成後初期的には帯電防止効果があっても、経時的にその
効果が減少するという傾向がある。この傾向は使用条件
によって著しく変化し、特に有機及び無機溶剤による洗
浄とか表面摩擦により帯電防止効果が低下することが多
い。
との付着性が弱く、帯電防止効果を長期に維持すること
が困難であるという致命的欠点を呈す不。即ち、塗膜形
成後初期的には帯電防止効果があっても、経時的にその
効果が減少するという傾向がある。この傾向は使用条件
によって著しく変化し、特に有機及び無機溶剤による洗
浄とか表面摩擦により帯電防止効果が低下することが多
い。
この他、シリカ系帯電防止剤をプラスチック等の表面に
塗布しそして硬化すること罠より付着性を改善する方法
がある。この方法においては、前処理として表面に付着
している汚れ、更には水滴や油脂類を完全に除去し、そ
の後官能性珪素化合物をベースとしたコロイド分散剤を
塗布し、そして温度、温度及び時間の厳密な管理の下で
透明薄膜を形成させまた固化させる必要がある。帯電防
止効果や耐久性という点では前記界面活性剤系のものよ
り優れているが、取扱い上の問題からコストアップとな
り、また基体との付着性も所望水準に至っていない。更
に、この方法では、熱硬化の速度が遅いため、非常に生
産性が悪く、プラスチックフィルム等の連続生産工程と
併用するには適していない。
塗布しそして硬化すること罠より付着性を改善する方法
がある。この方法においては、前処理として表面に付着
している汚れ、更には水滴や油脂類を完全に除去し、そ
の後官能性珪素化合物をベースとしたコロイド分散剤を
塗布し、そして温度、温度及び時間の厳密な管理の下で
透明薄膜を形成させまた固化させる必要がある。帯電防
止効果や耐久性という点では前記界面活性剤系のものよ
り優れているが、取扱い上の問題からコストアップとな
り、また基体との付着性も所望水準に至っていない。更
に、この方法では、熱硬化の速度が遅いため、非常に生
産性が悪く、プラスチックフィルム等の連続生産工程と
併用するには適していない。
また、低摩擦化の方法としては、フッ素系の添加剤とか
シリコン系の添加剤を添加する方法が従来よね採用され
ている。しかしながら、例えば塗布型の記録材料を例に
とると、これらの添加効果はバインダ一種との相関があ
り、テープ物性を変えるためにバインダーの比率や種類
を変えると効果がまったく出てとない例も多い。また、
他の添加剤にも影響されるためフッ素系或いはシリコン
系の添加剤の種類や量を決めるためには数多くの実験が
必要で、一般に非常に困難である。また、最近では磁気
記録媒体としてバインダーを用いなイ蒸着法、スパッタ
リング法等が開発されているが、これら用途には、フッ
素系或いはシリコン系添加剤はまったく役に立たない。
シリコン系の添加剤を添加する方法が従来よね採用され
ている。しかしながら、例えば塗布型の記録材料を例に
とると、これらの添加効果はバインダ一種との相関があ
り、テープ物性を変えるためにバインダーの比率や種類
を変えると効果がまったく出てとない例も多い。また、
他の添加剤にも影響されるためフッ素系或いはシリコン
系の添加剤の種類や量を決めるためには数多くの実験が
必要で、一般に非常に困難である。また、最近では磁気
記録媒体としてバインダーを用いなイ蒸着法、スパッタ
リング法等が開発されているが、これら用途には、フッ
素系或いはシリコン系添加剤はまったく役に立たない。
フッ素系或いはシリコン系のオイルを塗布することや、
被覆層をトップコートすることも行われてきたが、易滑
効果が使用につれて低下し、゛耐久性がないため満足す
べきものでなかった。また、被膜が厚くなると機能低下
が生じることが多かった。
被覆層をトップコートすることも行われてきたが、易滑
効果が使用につれて低下し、゛耐久性がないため満足す
べきものでなかった。また、被膜が厚くなると機能低下
が生じることが多かった。
このように１帯電防止性及び低摩擦性を単独にとりあげ
てもその長期持続効果を持つ被膜を形成するととは難し
く、両特性を兼備したこのような被膜の形成はきわめて
至難であると考えられていた。
てもその長期持続効果を持つ被膜を形成するととは難し
く、両特性を兼備したこのような被膜の形成はきわめて
至難であると考えられていた。
本発明者は、上述した従来技術の欠点に鑑み、プラスチ
ックフィルム、成形品、記録媒体等の基体となる物品の
物性や性質を変化させることなくその表面に強固に付着
し、そして高い帯電防止及び低摩擦化効果を有ししかも
長期にわたってその効果を持続しうる薄膜を物品に付着
形成することを目的として検討を重ねた。更に、との薄
膜はプラスチックフィルム等の連続高速生産工程と併用
しうる高い生成速度の下で形成されねばならない。
ックフィルム、成形品、記録媒体等の基体となる物品の
物性や性質を変化させることなくその表面に強固に付着
し、そして高い帯電防止及び低摩擦化効果を有ししかも
長期にわたってその効果を持続しうる薄膜を物品に付着
形成することを目的として検討を重ねた。更に、との薄
膜はプラスチックフィルム等の連続高速生産工程と併用
しうる高い生成速度の下で形成されねばならない。
このような目的に対して、本発明者は、三重結合を有す
る含ケイ素プラズマ重合有機薄膜が非常圧適合性を示す
ことを見出した。プラズマ重合法によって形成される三
重結合を有する含ケイ素薄膜は物品表面にきわめて強固
に付着すると共にきわめて耐久性釦富み、高い帯電防止
効果と低摩擦能を発揮する。高速度での連続生成も可能
であり、基体ｆ：損傷したり品質変化を生せしめること
はない。更に、プラズマ重合は平面は言うに及ばず、球
面、凹凸面等のあらゆる形状の表面に対して均一膜形成
能を有するので、複雑な形のプラスチック成形品に対し
ても高度の適応性を示す。
る含ケイ素プラズマ重合有機薄膜が非常圧適合性を示す
ことを見出した。プラズマ重合法によって形成される三
重結合を有する含ケイ素薄膜は物品表面にきわめて強固
に付着すると共にきわめて耐久性釦富み、高い帯電防止
効果と低摩擦能を発揮する。高速度での連続生成も可能
であり、基体ｆ：損傷したり品質変化を生せしめること
はない。更に、プラズマ重合は平面は言うに及ばず、球
面、凹凸面等のあらゆる形状の表面に対して均一膜形成
能を有するので、複雑な形のプラスチック成形品に対し
ても高度の適応性を示す。
プラズマ重合法は、Ａ”％ Ｈｅ、 Ｈｚ 、Ｎｔ等の
キャリヤガスの放電プラズマとモノマーガスとを混合し
、被処理基体表面にこれら混合ガスを接触させ°ること
により基体表面にプラズマ重合膜を形成するものである
。原理的には、気体を低圧に保ち電場を作用させると、
気体中に少量存在する自由電子は、常圧に較べ分子間距
離が非常に大きいため、電界加速を受け５〜１０ｅｖの
速度エネルギー（電子温度）を獲得する。この速度原子
が原子や分子に普突すると、原子軌道や分子軌道を分断
して電子、イオン、中性ラジカルなど常態では不安定な
化学種にＭｌ１７１ｆさせる。解離した電子は再び電界
加速を受けて別の原子や分子を解離させるが、この連鎖
作用で気体はたちまち高度の電離状態となり、これはプ
ラズマガスと呼ばれている。気体分子は電子との衝突の
機会が少ないのでエネルギーをあまし吸収せず、常温に
近い温度に保たれている。
キャリヤガスの放電プラズマとモノマーガスとを混合し
、被処理基体表面にこれら混合ガスを接触させ°ること
により基体表面にプラズマ重合膜を形成するものである
。原理的には、気体を低圧に保ち電場を作用させると、
気体中に少量存在する自由電子は、常圧に較べ分子間距
離が非常に大きいため、電界加速を受け５〜１０ｅｖの
速度エネルギー（電子温度）を獲得する。この速度原子
が原子や分子に普突すると、原子軌道や分子軌道を分断
して電子、イオン、中性ラジカルなど常態では不安定な
化学種にＭｌ１７１ｆさせる。解離した電子は再び電界
加速を受けて別の原子や分子を解離させるが、この連鎖
作用で気体はたちまち高度の電離状態となり、これはプ
ラズマガスと呼ばれている。気体分子は電子との衝突の
機会が少ないのでエネルギーをあまし吸収せず、常温に
近い温度に保たれている。
このように、電子の速度エネルギー（電子温度）と分子
の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラダｉと呼
ばれ、とこでは化学種が比較的原形を保ったまま重合等
の加酸的化学反応を進めうる状況を創出しており、本発
明はとの状況を利用して基体にプラズマ重合膜を形成せ
んとするものである。低温プラズマを利用する為、基体
の熱影響は全くない。
の熱運動（ガス温度）が分離した系は低温プラダｉと呼
ばれ、とこでは化学種が比較的原形を保ったまま重合等
の加酸的化学反応を進めうる状況を創出しており、本発
明はとの状況を利用して基体にプラズマ重合膜を形成せ
んとするものである。低温プラズマを利用する為、基体
の熱影響は全くない。
本発明に従う三重結合を有する含ケイ素有機重合膜付き
物品を生成するためには、キャリヤガスの放電プラズマ
と混合されるべきモノマーガスとして、１）エチニルト
リメチルシラン、２−プロピニルオキシトリメチルシラ
ン、ジメチルエトキシエチニルシラン等の三重結合を有
する有機ケイ素ガス或いは２）三重結合を有する有機物
例えばアセチレン、メチルアセチレン、１−７’チン、
２−シラン、３−７”チン、１−ペンチン、２−ペンチ
ンと有機ケイ素化合物例えばラドラメチルシラン、トリ
メチルシラン、ジメチルビニルシラン、ラドラメチルシ
ラン、トリメトキシビニルシラン、トリメチルビニルシ
ランとの混合ガスが選択されうる。
物品を生成するためには、キャリヤガスの放電プラズマ
と混合されるべきモノマーガスとして、１）エチニルト
リメチルシラン、２−プロピニルオキシトリメチルシラ
ン、ジメチルエトキシエチニルシラン等の三重結合を有
する有機ケイ素ガス或いは２）三重結合を有する有機物
例えばアセチレン、メチルアセチレン、１−７’チン、
２−シラン、３−７”チン、１−ペンチン、２−ペンチ
ンと有機ケイ素化合物例えばラドラメチルシラン、トリ
メチルシラン、ジメチルビニルシラン、ラドラメチルシ
ラン、トリメトキシビニルシラン、トリメチルビニルシ
ランとの混合ガスが選択されうる。
プラズマ重合により基体となる物品表面に重合薄膜を形
成する装置例が第１及び２図に示しである。第１図は高
周波放電によるプラズマ重合装置であり、そして第２図
はマイクロ波放電によるプラズマ重合装置である。
成する装置例が第１及び２図に示しである。第１図は高
周波放電によるプラズマ重合装置であり、そして第２図
はマイクロ波放電によるプラズマ重合装置である。
第１図において、重合反応器Ｒには、モノマーガス源１
及びキャリヤーガス源２からそれぞれのマスフローコン
トローラ５及び４を経て供給されるモノマーガス及びキ
ャリヤーガスが混合器５において混合された後送給され
る。モノマーガスは１〜１００ｍ／／分そしてキャリヤ
ーガスは５０〜５ｏｏｍｇ／分の流量範囲金とりうる。
及びキャリヤーガス源２からそれぞれのマスフローコン
トローラ５及び４を経て供給されるモノマーガス及びキ
ャリヤーガスが混合器５において混合された後送給され
る。モノマーガスは１〜１００ｍ／／分そしてキャリヤ
ーガスは５０〜５ｏｏｍｇ／分の流量範囲金とりうる。
反応容器Ｒ内には、被処理物品支持装置が設置され、こ
こではフィルム処理を目的とＩ−て繰出しロール９と巻
取りロール１０とが示しである。被処理物品の形態に応
じて様々の物品支持装置が使用でき、例えばプラスチッ
ク射出成形品の場合にはその一部をつかんで物品を回転
せしめうる型式の支持装置が使用されうる。被処理物品
を間に狭んで対向する電極７．７１が設けられており、
一方の電極７は高周波電源６に接続されそして他方の電
ｇ ｙ ｌは８にて接地されている。更に、反応容器Ｒ
には、容器内を排気す石為の真空系統が配備され、これ
は液体窒素トラップ１１、油回転ポンプ１２及び真空コ
ントローラ１５を含む。これら真空系統は反応容器内を
０．０１〜１０ ’ｌ’ｏｒｒの真空度の範囲に維持す
る。
こではフィルム処理を目的とＩ−て繰出しロール９と巻
取りロール１０とが示しである。被処理物品の形態に応
じて様々の物品支持装置が使用でき、例えばプラスチッ
ク射出成形品の場合にはその一部をつかんで物品を回転
せしめうる型式の支持装置が使用されうる。被処理物品
を間に狭んで対向する電極７．７１が設けられており、
一方の電極７は高周波電源６に接続されそして他方の電
ｇ ｙ ｌは８にて接地されている。更に、反応容器Ｒ
には、容器内を排気す石為の真空系統が配備され、これ
は液体窒素トラップ１１、油回転ポンプ１２及び真空コ
ントローラ１５を含む。これら真空系統は反応容器内を
０．０１〜１０ ’ｌ’ｏｒｒの真空度の範囲に維持す
る。
操作においては、反応容器Ｒ内が先ず１０４’ｌ’ｏｒ
ｒ以下になるまで油回転ポンプにより容器内を排気し、
その後モノマーガス及びキャリヤーガスが所定の流量に
おいて容器内に混合状態で供給される。反応容器内の真
空は０．０１〜１０ Ｔｏｒｒの範囲に管理される。被
処理物、ここではフィルムの移行速度並びにモノマーガ
ス及びキャリヤーガスの流量が安定すると、高周波電源
がＯＮにされる。こうして、移行中のフィルム上にプラ
ズマ重合膜が付着される。
ｒ以下になるまで油回転ポンプにより容器内を排気し、
その後モノマーガス及びキャリヤーガスが所定の流量に
おいて容器内に混合状態で供給される。反応容器内の真
空は０．０１〜１０ Ｔｏｒｒの範囲に管理される。被
処理物、ここではフィルムの移行速度並びにモノマーガ
ス及びキャリヤーガスの流量が安定すると、高周波電源
がＯＮにされる。こうして、移行中のフィルム上にプラ
ズマ重合膜が付着される。
第２図はマイクロ波放電によるプラズマ重合装置を示す
。第１図と同じ構成要素には同じ符号を付しである。こ
こでは反応容器Ｒには放電プラズマ室１５が形成され、
その外端にキャリヤーガス源２からのキャリヤーガスが
供給されるよう罠なっている。キャリヤーガスは供給後
マグネトロン６の発振によりプラズマ化されそして安定
化される。モノマーガスはプラズマ室１５の内端近くに
開口するノズル１６から反応容器内に導入される。
。第１図と同じ構成要素には同じ符号を付しである。こ
こでは反応容器Ｒには放電プラズマ室１５が形成され、
その外端にキャリヤーガス源２からのキャリヤーガスが
供給されるよう罠なっている。キャリヤーガスは供給後
マグネトロン６の発振によりプラズマ化されそして安定
化される。モノマーガスはプラズマ室１５の内端近くに
開口するノズル１６から反応容器内に導入される。
プラズマ室１５と整列して処理物品支持装置が取付けら
れ、との場合にはフィルム繰出し及び巻取りロール９及
び１０が垂直に配向されている。この他の要素は第１図
におけるのと同一である。
れ、との場合にはフィルム繰出し及び巻取りロール９及
び１０が垂直に配向されている。この他の要素は第１図
におけるのと同一である。
プラズマ発生源としては、上述した高周波放電、マイ、
クロ波放電の他に、直流放電、交流放電等いずれでも利
用できる。
クロ波放電の他に、直流放電、交流放電等いずれでも利
用できる。
付着される薄膜の厚さは、０．００１〜１０μで十分良
好な帯電防止性能を発揮し、フィルム、シート等の生産
性が必要な場合には（１００１〜１１μの厚さにおいて
連続生産が可能とされる。
好な帯電防止性能を発揮し、フィルム、シート等の生産
性が必要な場合には（１００１〜１１μの厚さにおいて
連続生産が可能とされる。
プラズマ重合によシ基体にきわめて強固に付着する三次
元的に発達した均一厚の薄膜が生成される。
元的に発達した均一厚の薄膜が生成される。
実施例１
第１図と同じ装置を使用してモノマーガスとしてエチニ
ルトリメチルシランを用いプラスチックフィルム上に重
合薄膜を付着せしめた。
ルトリメチルシランを用いプラスチックフィルム上に重
合薄膜を付着せしめた。
プラズマ重合条件は次の通りとした：
％／−ｖ−カス：エチニルトリメチルシランモノマーガ
ス流量：１２ｍ／／分 キャリヤーガス：アルゴン キャリヤーガス流量：ｓｏｍ＋／分 真空度： ｌ ５ Ｔｏｒｒ 高周波電源：１！１．５６ＭＨｚ、２ＱＯＷ被処理フィ
ルム：ポリエチレンテレフタレートフィルム移行速度：
１ｍ／分 プラズマ重合した保＠膜について組成はフーリエ変換赤
外分光光度計、ＥＳＣＡで測定して三重結合を有する含
ケイ素重合体であることを確認した。
ス流量：１２ｍ／／分 キャリヤーガス：アルゴン キャリヤーガス流量：ｓｏｍ＋／分 真空度： ｌ ５ Ｔｏｒｒ 高周波電源：１！１．５６ＭＨｚ、２ＱＯＷ被処理フィ
ルム：ポリエチレンテレフタレートフィルム移行速度：
１ｍ／分 プラズマ重合した保＠膜について組成はフーリエ変換赤
外分光光度計、ＥＳＣＡで測定して三重結合を有する含
ケイ素重合体であることを確認した。
膜厚については多重干渉法とエリプソメーターにより測
定し、Ｑ、０１μであった。
定し、Ｑ、０１μであった。
実施例２
第２図の装置を使用してマイクロ波放電によるプラズマ
重合法によりポリエチレンフィルム上に重合膜を形成せ
しめた。
重合法によりポリエチレンフィルム上に重合膜を形成せ
しめた。
先ず、１ｏｏｏｔ／分の排気速度を持つ油回転ポンプ１
２で反応容器Ｒ及び放電プラズマ室１５の内部を１０４
’ｐｏｒｒ以下の圧力に排気した。キャリヤーガスとし
てアルゴンを１０（ｌｄ／分の流量で送入した。反応容
器内の真空は真空コントローラ１３によりα５ ’１’
ｏｒｒに管理した。マグネトロン６の発振による周波数
２４５０Ｍ）ｌ：ｚの電力５００Ｗｔ印加し、プラズマ
を安定化させた。次に、ジメチルエトキシエチニルシラ
ンをｇｏｄ／分の流しでノズル１６に供給した。ポリエ
チレンフィルムは０．５ ＠ ７分の速度で繰出しロー
ル９から巻取りロール１０へと移行させた。
２で反応容器Ｒ及び放電プラズマ室１５の内部を１０４
’ｐｏｒｒ以下の圧力に排気した。キャリヤーガスとし
てアルゴンを１０（ｌｄ／分の流量で送入した。反応容
器内の真空は真空コントローラ１３によりα５ ’１’
ｏｒｒに管理した。マグネトロン６の発振による周波数
２４５０Ｍ）ｌ：ｚの電力５００Ｗｔ印加し、プラズマ
を安定化させた。次に、ジメチルエトキシエチニルシラ
ンをｇｏｄ／分の流しでノズル１６に供給した。ポリエ
チレンフィルムは０．５ ＠ ７分の速度で繰出しロー
ル９から巻取りロール１０へと移行させた。
生成膜組成を先きと同様に確認しまた膜厚は０．０２μ
ｍであった。
ｍであった。
こうして生成された重合膜付きフィルムについて帯電防
止効果について固有抵抗をそして低摩擦特性については
摩擦係数を測定する性能比較試験を行った。
止効果について固有抵抗をそして低摩擦特性については
摩擦係数を測定する性能比較試験を行った。
実施例１と関連して、（ａ）未処理ポリエチレンテレフ
タレートフィルムと、（ｂ）実施例１にて得られた重合
薄膜付きフィルムと、（ｂつ（ｂ）のフィルムをエタノ
ール中で超音波洗浄（１ｋｗ ） シたフィルムとの５
′ｍについて表面固有抵抗を測定すると次の通りであっ
た。
タレートフィルムと、（ｂ）実施例１にて得られた重合
薄膜付きフィルムと、（ｂつ（ｂ）のフィルムをエタノ
ール中で超音波洗浄（１ｋｗ ） シたフィルムとの５
′ｍについて表面固有抵抗を測定すると次の通りであっ
た。
フィルム 固有抵抗（Ω）（ａ） 未
処理フィルム ｔ５Ｘ１０”（ｂ） 実施例１
１．５ Ｘ １０”（ｂ’） （ｂ）を
エタノール中洗浄 １．８Ｘ１０”実用的に帯電障害を
解決するためには表面固有抵抗が１０ Ω以下になるこ
とが必要と云われておリ、上記結果は本発明に従う重合
薄膜付き物品が帯電防止効果において十分１ｃｆｆｋ足
すべきものである仁とを示す。更に、エタノール中で３
０分間超音波洗浄しても固有抵抗がほとんど変化しない
ことは帯電防止９ｗ朕と物品との強固な付着性及び有機
溶剤への耐久性を実証するものである。
処理フィルム ｔ５Ｘ１０”（ｂ） 実施例１
１．５ Ｘ １０”（ｂ’） （ｂ）を
エタノール中洗浄 １．８Ｘ１０”実用的に帯電障害を
解決するためには表面固有抵抗が１０ Ω以下になるこ
とが必要と云われておリ、上記結果は本発明に従う重合
薄膜付き物品が帯電防止効果において十分１ｃｆｆｋ足
すべきものである仁とを示す。更に、エタノール中で３
０分間超音波洗浄しても固有抵抗がほとんど変化しない
ことは帯電防止９ｗ朕と物品との強固な付着性及び有機
溶剤への耐久性を実証するものである。
更に、上記３２４（ａ）、（ｂ）及び（ｂ′）のフィル
ムにコロナ帯電させた後の帯電電圧の変化の様相を第３
図のグラフに示す。この結果、本発明に従う（ｂ）のフ
ィルムは帯電電圧の半減期が１秒未満であり、従って非
常に実用性のある帯電防止薄膜付きフィルムが得られた
ととを裏づける。前記洗浄後の（ｂつのフィルムの帯電
電圧の変化の様−相は（ｂ）と較べてあまり変らず、こ
の事実は先きの固有抵抗測定結果と併せて考慮する時、
プラズマ重合によ妙１ＩＩｌ久件のある三次元的な薄膜
が基体のフィルム上に強固に付着していることを示して
いる。
ムにコロナ帯電させた後の帯電電圧の変化の様相を第３
図のグラフに示す。この結果、本発明に従う（ｂ）のフ
ィルムは帯電電圧の半減期が１秒未満であり、従って非
常に実用性のある帯電防止薄膜付きフィルムが得られた
ととを裏づける。前記洗浄後の（ｂつのフィルムの帯電
電圧の変化の様−相は（ｂ）と較べてあまり変らず、こ
の事実は先きの固有抵抗測定結果と併せて考慮する時、
プラズマ重合によ妙１ＩＩｌ久件のある三次元的な薄膜
が基体のフィルム上に強固に付着していることを示して
いる。
次に、実施例２と関連しても上記と同様にして固有抵抗
を測定した。
を測定した。
未処理ポリエチレンフィルム（Ｃ）、実施例２に従う薄
膜付きポリエチレンフィルム（ｄ）、及び（ｄ）のフィ
ルムをエタノール中で３０分間超音波洗浄（１ｋｗ）し
たフィルム（ｄりの結果を示す： フイルム 固有抵抗（Ω）（＆）未処
理フィルム ９ Ｘ １０”（ｂ）実施
例２の薄膜付きフィルム ７ Ｘ Ｉ Ｏ’。
膜付きポリエチレンフィルム（ｄ）、及び（ｄ）のフィ
ルムをエタノール中で３０分間超音波洗浄（１ｋｗ）し
たフィルム（ｄりの結果を示す： フイルム 固有抵抗（Ω）（＆）未処
理フィルム ９ Ｘ １０”（ｂ）実施
例２の薄膜付きフィルム ７ Ｘ Ｉ Ｏ’。
（Ｃ）エタノール超音波洗浄後 ７．５ Ｘ １０
”また、これら３種フィルムの実施例１と同様の帯電位
データを第４図に示す。
”また、これら３種フィルムの実施例１と同様の帯電位
データを第４図に示す。
とれら固有抵抗及び帯電位測定データも本発明が耐久性
のある高帯電防止能を持つ薄膜を有する物品を提供する
こと全実証する。
のある高帯電防止能を持つ薄膜を有する物品を提供する
こと全実証する。
動摩擦係数μに測定試験
動摩擦係数μには、儒学技報Ｒ５０−２５（１９８０）
記載の方法に従って測定した。即ち、磁気テープを磁気
ヘッドに相当する摩耗輪に磁性層側を内側として巻掛け
、一端に分銅を吊し、他端をロードセルに固定する。摩
耗輪を回転させ、磁気テープの摩擦力をロードセルにて
検出する。
記載の方法に従って測定した。即ち、磁気テープを磁気
ヘッドに相当する摩耗輪に磁性層側を内側として巻掛け
、一端に分銅を吊し、他端をロードセルに固定する。摩
耗輪を回転させ、磁気テープの摩擦力をロードセルにて
検出する。
摩擦カニＴ１分銅重さ：）Ｖそして巻付角：θとして次
式からμｋを求める： 実施例１及び２と無処理のサンプルのμｋ ｌＩＩ定値
は次の通りであった： 以上により、本発明に従う重合薄膜付き物品力（帯電防
止と摩擦低下に関してまたその持続性に関して著しい効
果を持っていることが明らめ鳥である。
式からμｋを求める： 実施例１及び２と無処理のサンプルのμｋ ｌＩＩ定値
は次の通りであった： 以上により、本発明に従う重合薄膜付き物品力（帯電防
止と摩擦低下に関してまたその持続性に関して著しい効
果を持っていることが明らめ鳥である。
実施例５
第１図においてモノマーガスを２種類供給できる様供給
系統を改造した装置を用℃・て、同じく１合薄膜をプラ
スチックフィルム上に形成せしめた。
系統を改造した装置を用℃・て、同じく１合薄膜をプラ
スチックフィルム上に形成せしめた。
モノマーガスとしてアセチレン５−７分とラトラメトキ
シシラン５ｍｔ、／分供給した。その他の条件は実施例
１と同一である。
シシラン５ｍｔ、／分供給した。その他の条件は実施例
１と同一である。
実施例４
実施例３と同一であり、モノマーガスとしてメチルアセ
チレン５−７分とテトラメチルシラン５ｍｌ ７分供給
した。
チレン５−７分とテトラメチルシラン５ｍｌ ７分供給
した。
実施例５
実施例３と同一であし、モノマーガスとしてアセチレン
８−７分とトリットキシビニルシラン６ｍｌ ７分供給
した。
８−７分とトリットキシビニルシラン６ｍｌ ７分供給
した。
実施例６
第２図においてモノマーガスを２種類供給できる像装置
の供給系統を改造した。モノマーガスとして、アセチレ
ン２０ｍ１１分とテトラメトキシシ２）１０−７分供給
した。その他の条件は実施例２と同一である。
の供給系統を改造した。モノマーガスとして、アセチレ
ン２０ｍ１１分とテトラメトキシシ２）１０−７分供給
した。その他の条件は実施例２と同一である。
実施例７
実施例６と同一であや、モノマーとして１−ブチン１ｓ
ｙ／分とトリメチルビニルシラン１５−７分供給した。
ｙ／分とトリメチルビニルシラン１５−７分供給した。
実施例５〜７についても先と同じく固有抵抗と動摩擦係
数を測定した。結果は下表の通りである。
数を測定した。結果は下表の通りである。
面実施例３〜７においても帯電位データは第５図及び第
４図の曲線す、ｄと同一の傾向が得られた。
４図の曲線す、ｄと同一の傾向が得られた。
斯様に、本発明は低摩擦特性を要求される環境において
使用されるプラスチック等の耐電性の物品にプラズマ重
合法により三重結合を有する含ケイ素重合薄膜を形成す
ることＫより、従来よりも高く且つ持続性のある帯電防
止兼摩擦低減効果を有する薄膜付き物品を提供するもの
であり、電気・電子機器、機械等の構成要素として組込
まれる様々の形態のプラスチック等脚物品、特に各種記
録材料に対して広く応用しうるものである。
使用されるプラスチック等の耐電性の物品にプラズマ重
合法により三重結合を有する含ケイ素重合薄膜を形成す
ることＫより、従来よりも高く且つ持続性のある帯電防
止兼摩擦低減効果を有する薄膜付き物品を提供するもの
であり、電気・電子機器、機械等の構成要素として組込
まれる様々の形態のプラスチック等脚物品、特に各種記
録材料に対して広く応用しうるものである。
第１図は高周波放電プラズマ重合装置の概略図であり、
第２図はマイクロ波放電プラズマ重合装置の概略図であ
り、そして第３図及び第４図はプラスチックフィルムに
おける帯電電圧の経時変化を示すグラフである。
第２図はマイクロ波放電プラズマ重合装置の概略図であ
り、そして第３図及び第４図はプラスチックフィルムに
おける帯電電圧の経時変化を示すグラフである。
１ ：モノマーガス源
２ ：キャリャーガス源
３．４：マス７０−コントローラ
５ ：混合器
６ ：高周波−電源、マグネトロン
７．７’：電極
９．１０：繰出し及び巻取りロール
１１：液体窒素トラップ
１２：油回転ポンプ
１３：真空コントローラ
Ｒ：反応容器
１５：プラズマ室
第３図
’ｉｒ４４１閃
手続補正書
昭和５８年７月６日
特許庁長官 若 杉 和 夫 殿
事件の表示 昭和５７年 特願第 １０９８５５号発明
の名称 低摩擦化能を有する帯電防止薄膜付き物品補
正をする者 事件との関係 特許出願人名 称
（３０５）ティーディーケイ株式金社代理人 〒１０３ 住 所 東京都中央区日本橋３丁目１３番１１号油脂
工業会館電話２７３−６４３６番 住 所 同 」ニ補正の対
象 一翳かＨ剛舎咄朋か輔トーー 明細書の発明つ嘩神−特許請求の範囲・発明の詳細な説
明の欄補正の内容 別紙の通り 特願昭５７−１０９８３５号明細書を以下の通り補正し
ます。
の名称 低摩擦化能を有する帯電防止薄膜付き物品補
正をする者 事件との関係 特許出願人名 称
（３０５）ティーディーケイ株式金社代理人 〒１０３ 住 所 東京都中央区日本橋３丁目１３番１１号油脂
工業会館電話２７３−６４３６番 住 所 同 」ニ補正の対
象 一翳かＨ剛舎咄朋か輔トーー 明細書の発明つ嘩神−特許請求の範囲・発明の詳細な説
明の欄補正の内容 別紙の通り 特願昭５７−１０９８３５号明細書を以下の通り補正し
ます。
１ 特許請求の範囲を以下の通り改めます。
「２、特許請求の範囲
１）二重結合を有する含ケイ素プラズマ重合体から成る
低摩擦化能を有する帯電防止薄膜付き物品。
低摩擦化能を有する帯電防止薄膜付き物品。
２）重合体が三重結合を有する有機ケイ素化合物または
有機ケイ素化合物と三重結合を有する有機化合物との混
合ガスをプラズマ重合させることにより形成される特許
請求の範囲第１項記載の物品。」 ２、 第６頁、下から４行及び１行に２ケ所「三重結合
」とあるを「二重結合」と訂正します。
有機ケイ素化合物と三重結合を有する有機化合物との混
合ガスをプラズマ重合させることにより形成される特許
請求の範囲第１項記載の物品。」 ２、 第６頁、下から４行及び１行に２ケ所「三重結合
」とあるを「二重結合」と訂正します。
３、 第７頁、１６行及び第８頁、６行に２ケ所「速度
」とあるをいずれも「運動」と改めます。
」とあるをいずれも「運動」と改めます。
４、 第８頁、１４行「三重結合」とあるを「二重結合
」と訂正します。
」と訂正します。
５、 第１１頁、末行「できる。」の後に「ただし、直
流放電及び交流放電については、内部電極方式でプラズ
マ重合を行うことができる。」を追加します。
流放電及び交流放電については、内部電極方式でプラズ
マ重合を行うことができる。」を追加します。
６ 第１３頁、２行「Ｂ Ｓ ＣＡＪと「で」との間に
「及びＣ”ＨＭＲＪを挿入します。
「及びＣ”ＨＭＲＪを挿入します。
Ｚ 第１３頁、２行「三」とあるを「二」と訂正します
。
。
８、第１６頁、５行に「（凰）」とあるをｒ （ｃ）Ｊ
に、同６行にｒ （ｂ） Ｊとあるをｒ （ｄ） Ｊに
、そして同７行にｒ （ｃ） Ｊをｒ（ｄす」と改めま
す。
に、同６行にｒ （ｂ） Ｊとあるをｒ （ｄ） Ｊに
、そして同７行にｒ （ｃ） Ｊをｒ（ｄす」と改めま
す。
９ 第１９頁、下から６行「三」とあるを「二」に訂正
します。
します。
手続補正書
昭和５８年 ８月 ９日
特許庁長官若杉和夫殿
事件の表示 昭和５７年 特願第１０９８５５ 号発
明の名称 低摩擦化能を有する帯電防止薄膜付き物品
補正をする者 事件との関係 特許出願人名 称
（３０６）ティーディーケイ株式会社代理人 〒１０３ 補正の対象 補正の内容 別紙の通り 特願昭５７−１０９８３５号明細書を以下の通り補正し
ます。
明の名称 低摩擦化能を有する帯電防止薄膜付き物品
補正をする者 事件との関係 特許出願人名 称
（３０６）ティーディーケイ株式会社代理人 〒１０３ 補正の対象 補正の内容 別紙の通り 特願昭５７−１０９８３５号明細書を以下の通り補正し
ます。
１、第１３頁、第２行［ＥＳＣＡ及びＣＨＭＲＪとある
を「ＥＳＣＡ及びＣＨＮＲＪと訂正します。
を「ＥＳＣＡ及びＣＨＮＲＪと訂正します。
手続補正書
昭和５８年９月１日
特許庁長官 若 杉 和 夫 殿
事件の表示 昭和５７年 特願第１０９８３５ 号発
明の名称 低摩擦化能を有する帯電防止薄膜付き物品
補正をする者 事件との関係 特許出願人名 称
（３０（Ｓ）ティーディーケイ株式会社代理人 〒１０３ 補正の対象 一願書の発明ｔｑ＋を願人カー欄− 明細書の９ｆ’Ａｆ）名負禮特許請求の範囲一発明の詳
細な説明の欄捕正の内容 別紙の通り 明細書中火の通り訂正します。
明の名称 低摩擦化能を有する帯電防止薄膜付き物品
補正をする者 事件との関係 特許出願人名 称
（３０（Ｓ）ティーディーケイ株式会社代理人 〒１０３ 補正の対象 一願書の発明ｔｑ＋を願人カー欄− 明細書の９ｆ’Ａｆ）名負禮特許請求の範囲一発明の詳
細な説明の欄捕正の内容 別紙の通り 明細書中火の通り訂正します。
ｔ 第１３頁、第２行に［ＥＳＣＡ及びＣ”Ｔ（ＮＲＪ
とあるを１ｆｓｃＡ及びＣ” ＮＭＲＪと訂正します。
とあるを１ｆｓｃＡ及びＣ” ＮＭＲＪと訂正します。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）三重結合を有する含ケイ素プラズマ重合体から成る
低摩擦化能を有する帯電防止薄膜付き物品。 ２）重合体が三重結合を有する有機ケイ素化合物または
有機ケイ素化合物と三重結合を有する有機化合物との混
合ガスをプラズマ重合させることにより形成される特許
請求の範囲第１項記載の物品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109835A JPS5922912A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 帯電防止膜付き物品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57109835A JPS5922912A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 帯電防止膜付き物品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922912A true JPS5922912A (ja) | 1984-02-06 |
| JPH0149167B2 JPH0149167B2 (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=14520406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57109835A Granted JPS5922912A (ja) | 1982-06-28 | 1982-06-28 | 帯電防止膜付き物品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922912A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231011A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-15 | Agency Of Ind Science & Technol | アセチレン誘導体を原料とする重合体の製造方法 |
| JPS63304185A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Olympus Optical Co Ltd | 超音波発振回路 |
| EP0590467A1 (de) * | 1992-09-26 | 1994-04-06 | Röhm Gmbh | Verfahren zum Erzeugen von siliciumoxidischen kratzfesten Schichten auf Kunststoffen durch Plasmabeschichtung |
| JP2009150289A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Fuji Heavy Ind Ltd | Ｐｃｖバルブの取付構造 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58206611A (ja) * | 1982-05-27 | 1983-12-01 | Toshinobu Higashimura | トリアルキルシリルアセチレン類の重合方法 |
-
1982
- 1982-06-28 JP JP57109835A patent/JPS5922912A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58206611A (ja) * | 1982-05-27 | 1983-12-01 | Toshinobu Higashimura | トリアルキルシリルアセチレン類の重合方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61231011A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-15 | Agency Of Ind Science & Technol | アセチレン誘導体を原料とする重合体の製造方法 |
| JPH0474802B2 (ja) * | 1985-04-08 | 1992-11-27 | ||
| JPS63304185A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-12 | Olympus Optical Co Ltd | 超音波発振回路 |
| EP0590467A1 (de) * | 1992-09-26 | 1994-04-06 | Röhm Gmbh | Verfahren zum Erzeugen von siliciumoxidischen kratzfesten Schichten auf Kunststoffen durch Plasmabeschichtung |
| JP2009150289A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Fuji Heavy Ind Ltd | Ｐｃｖバルブの取付構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0149167B2 (ja) | 1989-10-23 |
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