JPS6089342A - プラスチツクの帯電防止方法 - Google Patents
プラスチツクの帯電防止方法Info
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- JPS6089342A JPS6089342A JP19596883A JP19596883A JPS6089342A JP S6089342 A JPS6089342 A JP S6089342A JP 19596883 A JP19596883 A JP 19596883A JP 19596883 A JP19596883 A JP 19596883A JP S6089342 A JPS6089342 A JP S6089342A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、プラスチックの表面帯電を防止する方法に係
シ、特に磁気テープに好適な帯電防止方法に関する。
シ、特に磁気テープに好適な帯電防止方法に関する。
従来、グラスチック製品は一般に著しく帯電しやすいた
め、はこり、じんあいなどの付着により外観が汚れやす
く、また蓄積した静電気による人体への電撃ンシック、
火花放電、あるいは電子回路材料における場合はノイズ
の発生等の問題点がある。
め、はこり、じんあいなどの付着により外観が汚れやす
く、また蓄積した静電気による人体への電撃ンシック、
火花放電、あるいは電子回路材料における場合はノイズ
の発生等の問題点がある。
この帯電を防止する方法として従来から金属粉末などの
導電性材料を添加する方法、界面活性剤を配合する方法
、コロナ放電などを用いる除電方法、放射線等を用いた
表面グシフト反応による表面親水化を利用する方法など
多数の方法が知られている。
導電性材料を添加する方法、界面活性剤を配合する方法
、コロナ放電などを用いる除電方法、放射線等を用いた
表面グシフト反応による表面親水化を利用する方法など
多数の方法が知られている。
しかし、いずれの方法も十分なｉｔ防止効果を付与する
ことができないか、あるいはできたとしてもゲラステッ
ク製品のバルク特性を劣化させたり、処理効果が短いと
いった欠点を有していた。
ことができないか、あるいはできたとしてもゲラステッ
ク製品のバルク特性を劣化させたり、処理効果が短いと
いった欠点を有していた。
まだ、磁気テープの基材には現在ポリエステルフィルム
が多く使用されているが、このフィルムは帯電しやすい
という欠点がある。したがって、これを基材としたオー
ディオ用やビデオ用の磁気テープは使用時′にことに蓄
積された静電気によって走行速度のバラツキ、ノイズの
発生、画像の乱れあるいけ巻き形状の歪みなどを生じる
。
が多く使用されているが、このフィルムは帯電しやすい
という欠点がある。したがって、これを基材としたオー
ディオ用やビデオ用の磁気テープは使用時′にことに蓄
積された静電気によって走行速度のバラツキ、ノイズの
発生、画像の乱れあるいけ巻き形状の歪みなどを生じる
。
このような問題点に対して基材フィルムに帯電防止能を
付与して解決をはかる方法が種々提案されている。例え
ば基材フィルムにカーボンブラックなどの導電性物質を
添加あるいは塗布や種々の帯電防止剤を混練あるいは塗
布する方法が試みられている。しかし、前者の方法には
多量の添加剤が必要であるためフィルムの平滑性や機械
的強度が低下するという欠点７５：あり、後者の方法に
は帯電防止効果の持続性が劣るという欠点があった。
付与して解決をはかる方法が種々提案されている。例え
ば基材フィルムにカーボンブラックなどの導電性物質を
添加あるいは塗布や種々の帯電防止剤を混練あるいは塗
布する方法が試みられている。しかし、前者の方法には
多量の添加剤が必要であるためフィルムの平滑性や機械
的強度が低下するという欠点７５：あり、後者の方法に
は帯電防止効果の持続性が劣るという欠点があった。
これに対して、最近になって低温プラズマによるプラズ
マ重合処理によって磁気テープの基材フィルムの帯電防
止を行う方法が提案された（特開昭５８−２９１１９
）。しかしながら、この方法では、重合に供するモノマ
ガスが有機アミン化合物、有機ケイ素化合物、有機不飽
和化合物の少なくとも１種に限定されているため、プラ
ズマ処理された基材フィルムであるポリエステルの帯電
防止効果はあまり優れていない。またプラズマ重合層を
設けた後無機ガスを用いた後処理も同時に提案されてい
るが、この方法でも処理効果の持続性に劣り、半永久的
な帯電防止処理方法として実用に供するには不十分であ
った。
マ重合処理によって磁気テープの基材フィルムの帯電防
止を行う方法が提案された（特開昭５８−２９１１９
）。しかしながら、この方法では、重合に供するモノマ
ガスが有機アミン化合物、有機ケイ素化合物、有機不飽
和化合物の少なくとも１種に限定されているため、プラ
ズマ処理された基材フィルムであるポリエステルの帯電
防止効果はあまり優れていない。またプラズマ重合層を
設けた後無機ガスを用いた後処理も同時に提案されてい
るが、この方法でも処理効果の持続性に劣り、半永久的
な帯電防止処理方法として実用に供するには不十分であ
った。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点をなくシ、プラ
ズマ処理によシ長期に渡って安定な帯電防止方法を提供
することにある。
ズマ処理によシ長期に渡って安定な帯電防止方法を提供
することにある。
かかる目的に対して、本発明者らはプラズマ処理に用い
る有機モノマガスとして有機金属化合物を用いて、プラ
スチック表面に金属を含有する薄膜を堆積し、この薄膜
の導電性で表面の電気抵抗を下けることによシ本発明に
到達した。
る有機モノマガスとして有機金属化合物を用いて、プラ
スチック表面に金属を含有する薄膜を堆積し、この薄膜
の導電性で表面の電気抵抗を下けることによシ本発明に
到達した。
すなわち、有機金属化合物は低温プラズマせ態にすると
炭素−金属間の化学結合が切れて、金属−金属結合の形
成が起り基板上に堆積する。
炭素−金属間の化学結合が切れて、金属−金属結合の形
成が起り基板上に堆積する。
この割合があるレベル以上になると導電性が発現するも
のと考えられる。
のと考えられる。
本発明に用いる有機金属化合物は金属と有機基が共有給
金で結合している化合物、イオン結合で結合している化
合物、配位結合で結合している化合物を含む。好ましく
は有機亜鉛化合物有機水銀化合物、有機カドミウム化合
物、有機アルミニウム化合物、有機ガリウム化合物、有
機ビスマス化合物、有機インジウム化合物、有機スズ化
合物、有機ゲルマニウム化合物、有機タンタル化合物、
有機チタン化合物、有機鉛化合物、有機テルル化合物、
有機アンチモン化合物、有機モリブデン化合物、有機タ
ングステン化合物などが挙げられる。さらに好ましくは
、Ｚｎ（ＣＨす２、Ｚ？Ｌ（Ｃ２Ｈ６） ２ 、 Ｈｆ
１（ＣＨｓ ） ｚ、Ｈｆ（Ｃ２Ｈ５） ｚ、Ｃｄ（Ｃ
Ｈｓ）ｔ、（Ｃ２Ｈｓ）２ＡＪ（ＯＣ２Ｈつ、ＡＪ （
ＣＨｉ ） ｓ、Ａｆ（Ｃ２Ｈすｓ 、 ＡＪ （Ｌ
８０−ＣａＨｐ戸、（Ｊ−（ＣＨ３） ｓ 、ＢＱ （
ＣＨｓ ） ｓ 、Ｉ？Ｌ（ＣＨｇ戸、Ｉ−（Ｃ２Ｈｓ
）ｘ、Ｉ ７Ｌ（ＯＣ”ＯＣＨｇ ） ５、Ｓ、（ＣＨ
り、、５−（ＣｚＨ５）＜、Ｓ？Ｌ（ＣＨ５）ｇｃ４Ｈ
＞ 、（ＣＨｇ）ｇｓ７Ｌ−８？Ｌ（ＣＨｇ戸、Ｇ、（
Ｃ）−１り４Ｔ、（ＣＨＭ）２．５ｂ（ＣＨｓ）５、Ｍ
ｏ （ＣＯ）−１Ｗ（ＣＯ）−ｆｚトが用いられる。こ
れらは単独あるいは２種以上混合して用いてもよい。寸
だ、無機ガスとして例えばＣ０１ＣＯ２、Ｎ２、Ａｒ％
Ｈシ、Ｈ（Ｊ 、空気、０２Ｃ１２，Ｎ２０などのガス
と混合して用いてもよい。
金で結合している化合物、イオン結合で結合している化
合物、配位結合で結合している化合物を含む。好ましく
は有機亜鉛化合物有機水銀化合物、有機カドミウム化合
物、有機アルミニウム化合物、有機ガリウム化合物、有
機ビスマス化合物、有機インジウム化合物、有機スズ化
合物、有機ゲルマニウム化合物、有機タンタル化合物、
有機チタン化合物、有機鉛化合物、有機テルル化合物、
有機アンチモン化合物、有機モリブデン化合物、有機タ
ングステン化合物などが挙げられる。さらに好ましくは
、Ｚｎ（ＣＨす２、Ｚ？Ｌ（Ｃ２Ｈ６） ２ 、 Ｈｆ
１（ＣＨｓ ） ｚ、Ｈｆ（Ｃ２Ｈ５） ｚ、Ｃｄ（Ｃ
Ｈｓ）ｔ、（Ｃ２Ｈｓ）２ＡＪ（ＯＣ２Ｈつ、ＡＪ （
ＣＨｉ ） ｓ、Ａｆ（Ｃ２Ｈすｓ 、 ＡＪ （Ｌ
８０−ＣａＨｐ戸、（Ｊ−（ＣＨ３） ｓ 、ＢＱ （
ＣＨｓ ） ｓ 、Ｉ？Ｌ（ＣＨｇ戸、Ｉ−（Ｃ２Ｈｓ
）ｘ、Ｉ ７Ｌ（ＯＣ”ＯＣＨｇ ） ５、Ｓ、（ＣＨ
り、、５−（ＣｚＨ５）＜、Ｓ？Ｌ（ＣＨ５）ｇｃ４Ｈ
＞ 、（ＣＨｇ）ｇｓ７Ｌ−８？Ｌ（ＣＨｇ戸、Ｇ、（
Ｃ）−１り４Ｔ、（ＣＨＭ）２．５ｂ（ＣＨｓ）５、Ｍ
ｏ （ＣＯ）−１Ｗ（ＣＯ）−ｆｚトが用いられる。こ
れらは単独あるいは２種以上混合して用いてもよい。寸
だ、無機ガスとして例えばＣ０１ＣＯ２、Ｎ２、Ａｒ％
Ｈシ、Ｈ（Ｊ 、空気、０２Ｃ１２，Ｎ２０などのガス
と混合して用いてもよい。
あるいは、有機金属化合物のプラズマ重合薄膜を堆積し
た後に前記した無機ガスのプラズマ処理をすることが処
理効果を増幅することもある。
た後に前記した無機ガスのプラズマ処理をすることが処
理効果を増幅することもある。
本発明に用いるプラスチックスは、低圧、中圧、高圧ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエス
テル、ビニロン、ポリアセテート、ポリスルフォン、ポ
リカーボネート、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリビニルアルコール、ポリア
クリレート、ポリメタクリレート、ポリアクリロニトリ
ル、アクリロニトリルスチレン共重合体、アクリロニト
リルブタジエンンチレン共重合体、エチレン酸酢ビニル
共重合体、ユリア樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂
、ポリフェニレンオキサイド、ボリアリレート、ポリバ
ラキシレン、ポリフェノール、エポキシ樹脂、ポリジア
リルフタレート、トリアジン樹脂、ビスマレイミドトリ
アジン樹脂、また、これらのブロック共重合体、グラフ
ト共重合体、さらにはこれらの少なくとも２種以上の混
合体などが挙げられる。
リエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエス
テル、ビニロン、ポリアセテート、ポリスルフォン、ポ
リカーボネート、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリビニルアルコール、ポリア
クリレート、ポリメタクリレート、ポリアクリロニトリ
ル、アクリロニトリルスチレン共重合体、アクリロニト
リルブタジエンンチレン共重合体、エチレン酸酢ビニル
共重合体、ユリア樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂
、ポリフェニレンオキサイド、ボリアリレート、ポリバ
ラキシレン、ポリフェノール、エポキシ樹脂、ポリジア
リルフタレート、トリアジン樹脂、ビスマレイミドトリ
アジン樹脂、また、これらのブロック共重合体、グラフ
ト共重合体、さらにはこれらの少なくとも２種以上の混
合体などが挙げられる。
本発明に用いるプラズマ重合処理は公知の方法で行うこ
とができる。例えば、高周波放電を行う場合は電極を有
する真空容器中に基材となるプラスチックを設置し、有
機金属化合物の蒸気を導入して系内を通常１０−５〜ｓ
Ｔｏ ｒ ｒに保持した後、ここに高周波電力を印加す
るという方法で行えばよい。プラズマを発生させる条件
としては、例えば電極間に数ＫＨｚ〜数百ＭＨｚの高周
波を印加すればよく、放電は有極放電だけでなく無極放
電でも十分な効果が得られる。プラズマ処理時間は印加
電力や有機金属化合物の蒸気の圧力Ｖこよって異なるが
、一般には数秒から数時間とすることでよい。
とができる。例えば、高周波放電を行う場合は電極を有
する真空容器中に基材となるプラスチックを設置し、有
機金属化合物の蒸気を導入して系内を通常１０−５〜ｓ
Ｔｏ ｒ ｒに保持した後、ここに高周波電力を印加す
るという方法で行えばよい。プラズマを発生させる条件
としては、例えば電極間に数ＫＨｚ〜数百ＭＨｚの高周
波を印加すればよく、放電は有極放電だけでなく無極放
電でも十分な効果が得られる。プラズマ処理時間は印加
電力や有機金属化合物の蒸気の圧力Ｖこよって異なるが
、一般には数秒から数時間とすることでよい。
なお、このプラズマ処理には上記の方法以外にも種々の
ものがあり、放電周波数として低周波、マイクロ波、直
流などを用いることができまたこの電極も外部電極のほ
か、内部電極、コイル型などの容量結合、誘電結合のい
ずれでも同様の効果を得ることができる。しかし、どの
ような場合も放電計により材料が変形しないようにする
ことが必要である。例えば、基材を電極に密着させ、電
極を水冷することが、好適な場合が多い。
ものがあり、放電周波数として低周波、マイクロ波、直
流などを用いることができまたこの電極も外部電極のほ
か、内部電極、コイル型などの容量結合、誘電結合のい
ずれでも同様の効果を得ることができる。しかし、どの
ような場合も放電計により材料が変形しないようにする
ことが必要である。例えば、基材を電極に密着させ、電
極を水冷することが、好適な場合が多い。
以下、本発明を実施例によって詳述する。
実施例１
１００ Ｘ５０ Ｘ １ａｍのポリプロピレンをプラズ
マ発生装置内の水冷したアース電位電極上に設置し、反
応室をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに排気した後、ペンタ
エトキシタンタルの蒸気を導入して内部圧力を２ Ｘ
１０−”Ｔｏｒｒに調節した。次に相対するもう一方の
電極に１ ｘ、５ｓＮＨｚ 、 ２００Ｗ Ｃ）高周波
電力を３０分間印加して表面を処理したところ、このポ
リプロピレンの表面電気抵抗は表面抵抗率で表わすとｌ
Ｘ１０’Ω以下であシ優れた帯電防止効果を示した。ま
た、このものの３ケ月後の値はｌＸ１０”Ω以下であり
、非常に安定した効果を示した。ちなみに無処理のポリ
プロピレンは１×１Ω＋６〜Ｉ Ｘ１０ ”Ωの表面抵
抗率を示した。
マ発生装置内の水冷したアース電位電極上に設置し、反
応室をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに排気した後、ペンタ
エトキシタンタルの蒸気を導入して内部圧力を２ Ｘ
１０−”Ｔｏｒｒに調節した。次に相対するもう一方の
電極に１ ｘ、５ｓＮＨｚ 、 ２００Ｗ Ｃ）高周波
電力を３０分間印加して表面を処理したところ、このポ
リプロピレンの表面電気抵抗は表面抵抗率で表わすとｌ
Ｘ１０’Ω以下であシ優れた帯電防止効果を示した。ま
た、このものの３ケ月後の値はｌＸ１０”Ω以下であり
、非常に安定した効果を示した。ちなみに無処理のポリ
プロピレンは１×１Ω＋６〜Ｉ Ｘ１０ ”Ωの表面抵
抗率を示した。
実施例２
１ Ｄｏ Ｘ５０Ｘ５ ｍのポリメチルメタクリレート
をプラズマ発生装置内の水冷したアース電極電位に設置
し、反応室をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに排気した後、
テトラメチルスズの蒸気を５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ０
２ガスを１ 、５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒの圧力になる
ように導入した。次に相対するもう一方の電極に１５．
５６ＭＨｚ、２００Ｗの高周波電力を１０分間印加した
。
をプラズマ発生装置内の水冷したアース電極電位に設置
し、反応室をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに排気した後、
テトラメチルスズの蒸気を５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ０
２ガスを１ 、５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒの圧力になる
ように導入した。次に相対するもう一方の電極に１５．
５６ＭＨｚ、２００Ｗの高周波電力を１０分間印加した
。
次に、全く同様にして試料の裏側を表に向けて処理を行
ったところ、このポリメチルメタクリレートの表面電気
抵抗もｌＸ１０”Ω以下であシ優れた帯電防止効果を示
した。また、このものの３ケ月後の値は１ｘｉｏ１００
以下であり、非常に安定した効果を示した。ちなみに無
処理のポリメチルメタクリレートの表面抵抗率はｌＸ１
ｄ！〜ｌＸ１Ｏ”Ωであった。
ったところ、このポリメチルメタクリレートの表面電気
抵抗もｌＸ１０”Ω以下であシ優れた帯電防止効果を示
した。また、このものの３ケ月後の値は１ｘｉｏ１００
以下であり、非常に安定した効果を示した。ちなみに無
処理のポリメチルメタクリレートの表面抵抗率はｌＸ１
ｄ！〜ｌＸ１Ｏ”Ωであった。
実施例６
プラズマ発生装置内のアース電位電極に厚さ２００μｍ
のポリエチレンテレフタレートシートを設置し、反応室
をＩ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒに排気した後、ペンタエト
キシタンタルの蒸気を導入して内部圧力を２ Ｘ １０
−２Ｔｏｒｒ Ｋ調節した。次に相対するもの一方の電
極に１５．５６Ｍ）ｉｚ、 ２５０Ｗの高周波電力を３
０分間印加してシート表面を処理したところ、このポリ
エステル７−トの表面電気抵抗は表面抵抗率で表わすと
３Ｘ１０’Ω以下であシ仕れた帯電防止効果を示した。
のポリエチレンテレフタレートシートを設置し、反応室
をＩ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒに排気した後、ペンタエト
キシタンタルの蒸気を導入して内部圧力を２ Ｘ １０
−２Ｔｏｒｒ Ｋ調節した。次に相対するもの一方の電
極に１５．５６Ｍ）ｉｚ、 ２５０Ｗの高周波電力を３
０分間印加してシート表面を処理したところ、このポリ
エステル７−トの表面電気抵抗は表面抵抗率で表わすと
３Ｘ１０’Ω以下であシ仕れた帯電防止効果を示した。
また、このものの３ケ月後の値はＩ Ｘ １０１０Ω以
下であり安定し／ヒ処理効果を示した。ちなみに無処理
のポリエステルシートはＩ Ｘ １０”〜ｌＸ１０１６
Ωの表面抵抗率を示した。
下であり安定し／ヒ処理効果を示した。ちなみに無処理
のポリエステルシートはＩ Ｘ １０”〜ｌＸ１０１６
Ωの表面抵抗率を示した。
実施例４
プラズマ発生装置内のアース電位電極に厚さ２００μｍ
のポリエチレンテレフタレートシートを設置し、反応室
をＩ Ｘ １Ｏ−ＳＴｏｒｒに排気した後、テトラメチ
ルゲルマニウムの蒸気を導入して内部圧力を３ Ｘ １
０−”Ｔｏｒｒに調節した。次に相対するもう一方の電
極に１３．５６ＭＨｚ、 ５００ＷＯ高周波１０分間を
印加してシート表面を処理したところ、このポリエステ
ルシートの表面電気抵抗は表面抵抗率で表わすとｌＸ１
０”Ω以下であシ優れた効果を示した。また、このもの
の３ケ月後の値は５ｘｉｏ”Ω以下であシ安定した処理
効果を示した。
のポリエチレンテレフタレートシートを設置し、反応室
をＩ Ｘ １Ｏ−ＳＴｏｒｒに排気した後、テトラメチ
ルゲルマニウムの蒸気を導入して内部圧力を３ Ｘ １
０−”Ｔｏｒｒに調節した。次に相対するもう一方の電
極に１３．５６ＭＨｚ、 ５００ＷＯ高周波１０分間を
印加してシート表面を処理したところ、このポリエステ
ルシートの表面電気抵抗は表面抵抗率で表わすとｌＸ１
０”Ω以下であシ優れた効果を示した。また、このもの
の３ケ月後の値は５ｘｉｏ”Ω以下であシ安定した処理
効果を示した。
実施例５
プラズマ発生装置内のアース電位電極に厚さ２００μｍ
のポリエチレンテレフタレートシートを設置し、反応室
をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに排気した後テトラメチル
スズの蒸気を導入して内部圧力を５ Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒに調節した。次に相対するもう一方の電極に１５
、５（ＳＭＨ２、２０ｏＷの高周波を１゜分間印加した
ところ、このポリエステルシートの表面電気抵抗は表面
抵抗率で表わすと５Ｘ１０’Ω以下であり優れた効果を
示した。また、３ケ月放置後の値はｌＸ１０”Ω以下で
あり安定した処理効果を示した。
のポリエチレンテレフタレートシートを設置し、反応室
をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに排気した後テトラメチル
スズの蒸気を導入して内部圧力を５ Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒｒに調節した。次に相対するもう一方の電極に１５
、５（ＳＭＨ２、２０ｏＷの高周波を１゜分間印加した
ところ、このポリエステルシートの表面電気抵抗は表面
抵抗率で表わすと５Ｘ１０’Ω以下であり優れた効果を
示した。また、３ケ月放置後の値はｌＸ１０”Ω以下で
あり安定した処理効果を示した。
実施例６
プラズマ発生装置内のアース電位室ＷｉＣ厚さ２００μ
ｍのポリエチレンテレフタレート７−トを設置し、反応
室をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに排気した後トリメチル
アルミニウムの蒸気を導入して内部圧力を５ Ｘ １Ｏ
−２Ｔｏｒｒに調節した。次に相対するもう一方の電極
Ｋ １３，５（ＳＭＨ２，２００Ｗの高周波を１０分間
印加したところ、このポリエステルシートの表面電気抵
抗は表面抵抗率で表わすとｌＸ１０”Ωυ下であり、優
れた効果を示した。
ｍのポリエチレンテレフタレート７−トを設置し、反応
室をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに排気した後トリメチル
アルミニウムの蒸気を導入して内部圧力を５ Ｘ １Ｏ
−２Ｔｏｒｒに調節した。次に相対するもう一方の電極
Ｋ １３，５（ＳＭＨ２，２００Ｗの高周波を１０分間
印加したところ、このポリエステルシートの表面電気抵
抗は表面抵抗率で表わすとｌＸ１０”Ωυ下であり、優
れた効果を示した。
また、このものの３ケ月後の値はＩ Ｘ １０”Ω以下
であり安定した処理効果を示した。
であり安定した処理効果を示した。
実施例７
プラズマ発生装置内のアース電位電極に厚さ２００μｍ
のポリエチレンテレフタレートシー）を設置し、反応室
をＩ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒに排気した後、トリメチル
インジウムの蒸気を導入して内部圧力を３Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ Ｋ調節した。次に相対するもう一方ｏｉ１極
Ｋ ＩＬ５６Ｍ１４ｚ 、 ５００Ｗの高周波を１０分
間印加したところ、このポリエステルシートの表面電気
抵抗は表面抵抗率で表わすと５×１０８Ω以下であシ優
れた効果を示した。このものの３ケ月放置後の値はｌＸ
１０’Ω以下であり安定した処理効果を示した。
のポリエチレンテレフタレートシー）を設置し、反応室
をＩ Ｘ １０−５Ｔｏｒｒに排気した後、トリメチル
インジウムの蒸気を導入して内部圧力を３Ｘ １０−’
Ｔｏｒｒ Ｋ調節した。次に相対するもう一方ｏｉ１極
Ｋ ＩＬ５６Ｍ１４ｚ 、 ５００Ｗの高周波を１０分
間印加したところ、このポリエステルシートの表面電気
抵抗は表面抵抗率で表わすと５×１０８Ω以下であシ優
れた効果を示した。このものの３ケ月放置後の値はｌＸ
１０’Ω以下であり安定した処理効果を示した。
実施例８
プラズマ発生装置内のアース電位電極に厚さ２００μｍ
のポリエチレンテレフタレートシートを設置し、反応室
をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに排気した後、ジメチル亜
鉛の蒸気を導入して内部圧力を３×１０−’Ｔｏｒｒに
調節した。次に相対するもう一方の電極Ｋ １３，５６
Ｍ１−１ｚ、 ２００Ｗ ノ高周波を１０分間印加した
ところ、このポリエステルシートの表面電気抵抗は表面
抵抗率で表わすとｌＸ１Ｏ’Ω以下であり優れた効果を
示した。また、このものの１ケ月放置後の値はｌＸ１０
”Ω以下であり安定した処理効果を示した。
のポリエチレンテレフタレートシートを設置し、反応室
をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに排気した後、ジメチル亜
鉛の蒸気を導入して内部圧力を３×１０−’Ｔｏｒｒに
調節した。次に相対するもう一方の電極Ｋ １３，５６
Ｍ１−１ｚ、 ２００Ｗ ノ高周波を１０分間印加した
ところ、このポリエステルシートの表面電気抵抗は表面
抵抗率で表わすとｌＸ１Ｏ’Ω以下であり優れた効果を
示した。また、このものの１ケ月放置後の値はｌＸ１０
”Ω以下であり安定した処理効果を示した。
実施例９
プラズマ発生装置内のアース電位電極に厚さ２００μｍ
のポリエチレンテレンタレートシートヲ力を２ Ｘ １
０−’Ｔｏｒｒに調節した。次いで相対するもう一方の
電極に１３．５６ＭＨｚ 、 ２００Ｗ＋７）高周波電
力を３０分間印加したところ、このポリエステルシート
の表面電気抵抗は表面抵抗率で表わすと５Ｘ１０’Ω以
下であり優れた効果を示した。
のポリエチレンテレンタレートシートヲ力を２ Ｘ １
０−’Ｔｏｒｒに調節した。次いで相対するもう一方の
電極に１３．５６ＭＨｚ 、 ２００Ｗ＋７）高周波電
力を３０分間印加したところ、このポリエステルシート
の表面電気抵抗は表面抵抗率で表わすと５Ｘ１０’Ω以
下であり優れた効果を示した。
また、このものの３ケ月放置後の値も１×１０１０Ω以
下であり、安定した処理効果を示した。
下であり、安定した処理効果を示した。
実施例１０
プラズマ発生装置内のアース電位電極に３さ１２Ｆ＋ａ
ｍのポリイミド７ イＡ／ム（］Ｊｕ Ｐｏｎ’ を社
製、商品名カプトン）を設置し、反応室を１×１０−’
Ｔｏｒｒに排気した後、トリエチルインジウムの蒸気を
導入して内部圧力を３Ｘ １０−２Ｔｏｒｒに調節した
。次に相対するもう一方の電極に１５．５６Ｍ）ｉｚ
、 ２００Ｗの高周波電力を１０分間印加した。
ｍのポリイミド７ イＡ／ム（］Ｊｕ Ｐｏｎ’ を社
製、商品名カプトン）を設置し、反応室を１×１０−’
Ｔｏｒｒに排気した後、トリエチルインジウムの蒸気を
導入して内部圧力を３Ｘ １０−２Ｔｏｒｒに調節した
。次に相対するもう一方の電極に１５．５６Ｍ）ｉｚ
、 ２００Ｗの高周波電力を１０分間印加した。
次に反応室をＮノガスで置換しさらにｌＸｌ０−’Ｔｏ
ｒｒまで、排気してから、０２ガスを導入して内部圧力
を５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに調節した。この状態で相
対するもう一方の電極ニ１５．５６ＭＨｚ 、３００Ｗ
の高周波電力を２０分間印加したところ、このポリイミ
ドフィルムの表面電気抵抗は表面抵抗率で表わすと３Ｘ
１０８Ω以下であり優れた効果を示した。しかも３ケ月
放置後の値も５Ｘ１０’Ω以下であり安定した処理効果
を示した。ちなみに、無処理のポリイミドフィルムの表
面抵抗率は１×１０１Ｓ〜１×１０′′Ωであった。
ｒｒまで、排気してから、０２ガスを導入して内部圧力
を５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに調節した。この状態で相
対するもう一方の電極ニ１５．５６ＭＨｚ 、３００Ｗ
の高周波電力を２０分間印加したところ、このポリイミ
ドフィルムの表面電気抵抗は表面抵抗率で表わすと３Ｘ
１０８Ω以下であり優れた効果を示した。しかも３ケ月
放置後の値も５Ｘ１０’Ω以下であり安定した処理効果
を示した。ちなみに、無処理のポリイミドフィルムの表
面抵抗率は１×１０１Ｓ〜１×１０′′Ωであった。
実施例１１
プラズマ発生装置内のアース電位電極に厚さ２５μｍの
ポリエステルフィルムを設置し、反応室をＩ Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒに排気した後、テトラメチルスズの蒸気を
３Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ 、 ０２ ）ｆ スを１．５
×１０−’Ｔｏｒｒの圧力になるように導入した。次に
相対するもう一方の電極Ｋ １３ 、５６ＭＨｚ、２５
０Ｗの高周波電力を１０分間印加したところ、このポリ
エステルフィルムの表面電気抵抗は表面抵抗率で表わす
と８ Ｘ １Ｇ’Ω以下であった。また、このものの６
ケ月放置後の値も２ Ｘ １０”’Ω以下であり安定し
た処理効果を示した。
ポリエステルフィルムを設置し、反応室をＩ Ｘ １０
−’Ｔｏｒｒに排気した後、テトラメチルスズの蒸気を
３Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ 、 ０２ ）ｆ スを１．５
×１０−’Ｔｏｒｒの圧力になるように導入した。次に
相対するもう一方の電極Ｋ １３ 、５６ＭＨｚ、２５
０Ｗの高周波電力を１０分間印加したところ、このポリ
エステルフィルムの表面電気抵抗は表面抵抗率で表わす
と８ Ｘ １Ｇ’Ω以下であった。また、このものの６
ケ月放置後の値も２ Ｘ １０”’Ω以下であり安定し
た処理効果を示した。
実施例１２
テープ巻出装置と巻取装置を内蔵したプラズマ発生装置
内に厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート製磁気
テープ基材を水冷したアース電位電極に接するように設
置しく高周波印加電極（水冷）に接するように設置した
場合も同じ効果を示した。）、反応室内をＩ Ｘ １０
−”ｒｏｒｒにｔＪｔ Ｒした後、ベンフェトキシタン
タルの蒸気を噴入して内部圧力を２ Ｘ １０−７”１
：ｏｒｒに調節した。次に相対するもう一方の電極に１
３ 、５６ＭＨｚ２０ＧＷの昼周波電力を６０分間印加
したところ、このポリエステル基材フィルムの表面ｇ気
ｍ抗は表面抵抗率で奴わずと４ＸＩＯ”Ω以下であり優
れた効果を示した。しかも３ケ月放置後の値もｌＸ１０
’Ω以下であり安定した処理効果を示した。
内に厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート製磁気
テープ基材を水冷したアース電位電極に接するように設
置しく高周波印加電極（水冷）に接するように設置した
場合も同じ効果を示した。）、反応室内をＩ Ｘ １０
−”ｒｏｒｒにｔＪｔ Ｒした後、ベンフェトキシタン
タルの蒸気を噴入して内部圧力を２ Ｘ １０−７”１
：ｏｒｒに調節した。次に相対するもう一方の電極に１
３ 、５６ＭＨｚ２０ＧＷの昼周波電力を６０分間印加
したところ、このポリエステル基材フィルムの表面ｇ気
ｍ抗は表面抵抗率で奴わずと４ＸＩＯ”Ω以下であり優
れた効果を示した。しかも３ケ月放置後の値もｌＸ１０
’Ω以下であり安定した処理効果を示した。
テープ巻出装置と巻取り装置を内蔵したプラズマ発生装
置内に厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート製磁
気テープ基材を水冷したアース電位電極に接するように
設置し、反応室内をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに排気し
た後、テトラメチルスズの蒸気と０２ガスを導入してそ
れぞれの分圧が３Ｘ １０−’Ｔｏｒｒおよび１，５Ｘ
１０−’Ｔｏｒｒトナルヨうに調節した。次に相対する
もう一方の電極に１３．５６ＭＨ２，２ｏｏＷｏ高周波
ｔカヲ８分子１７１０しテープ基材の片面を処理したと
ころ、テープ基材の表面電気抵抗は表面抵抗率で表わす
と６×１０＠Ω以下であり優れた効果を示した。またこ
のものの３ケ月放置後の表面抵抗率は５Ｘ１０’Ω以下
であシ、安定した処理効果を示した。
置内に厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレート製磁
気テープ基材を水冷したアース電位電極に接するように
設置し、反応室内をＩ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに排気し
た後、テトラメチルスズの蒸気と０２ガスを導入してそ
れぞれの分圧が３Ｘ １０−’Ｔｏｒｒおよび１，５Ｘ
１０−’Ｔｏｒｒトナルヨうに調節した。次に相対する
もう一方の電極に１３．５６ＭＨ２，２ｏｏＷｏ高周波
ｔカヲ８分子１７１０しテープ基材の片面を処理したと
ころ、テープ基材の表面電気抵抗は表面抵抗率で表わす
と６×１０＠Ω以下であり優れた効果を示した。またこ
のものの３ケ月放置後の表面抵抗率は５Ｘ１０’Ω以下
であシ、安定した処理効果を示した。
比較例
プラズマ発生装置内のアース電位電極に厚さ２５μｍの
ポリエチレンテレフタレートフィルムを設置し、反応室
をＩ Ｘ １（ｒ’Ｔｏｒｒに排気した後、空気を導入
して内部圧力を４×１６”Ｔｏｒｒに保持し、ついでこ
こにトリメチルクロルシランの蒸気を導入して内部圧力
を８ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに調節した。次に相対する
もう一方の電極に１１５ｉ５ＭＨｚ、２５０Ｗの高周波
を１０分間印加したところ、このポリエステルフィルム
の表面電気抵抗は表面抵抗率で表わすと１ｏ１２−ｉ
ｏｌｓΩであり表面の帯電を防止するには不十分であり
、比較的低い値を持つ試料でも１り刃径にはほぼｌＸ１
０１Ｓ〜１×１ｏ１６Ωとなり処理効果妙：持続しなか
った。
ポリエチレンテレフタレートフィルムを設置し、反応室
をＩ Ｘ １（ｒ’Ｔｏｒｒに排気した後、空気を導入
して内部圧力を４×１６”Ｔｏｒｒに保持し、ついでこ
こにトリメチルクロルシランの蒸気を導入して内部圧力
を８ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒに調節した。次に相対する
もう一方の電極に１１５ｉ５ＭＨｚ、２５０Ｗの高周波
を１０分間印加したところ、このポリエステルフィルム
の表面電気抵抗は表面抵抗率で表わすと１ｏ１２−ｉ
ｏｌｓΩであり表面の帯電を防止するには不十分であり
、比較的低い値を持つ試料でも１り刃径にはほぼｌＸ１
０１Ｓ〜１×１ｏ１６Ωとなり処理効果妙：持続しなか
った。
以上詳述したように、本発明の方法によればプラスチッ
クの表面電気抵抗を大幅に下けることができ、しかも経
時安定性に優れているため長期に渡って帯電防止効果を
有する。特に磁気テープ基材に適用した場合に、表面帯
電に伴う走行速度のバラツキ、ノイズの発生、画像の乱
れあるいは巻き形状の歪みなどの問題点を解決すること
ができる。
クの表面電気抵抗を大幅に下けることができ、しかも経
時安定性に優れているため長期に渡って帯電防止効果を
有する。特に磁気テープ基材に適用した場合に、表面帯
電に伴う走行速度のバラツキ、ノイズの発生、画像の乱
れあるいは巻き形状の歪みなどの問題点を解決すること
ができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 プラスチックを有機ガスの低温プラズマで処理し
て該グラスチックの帯電を防止する方法において、該有
機ガスに有機金属化合物を用いることを特徴とするプラ
スチックの帯電防止方法。 ２、 前記有機金属化合物が有機スズ化合物あるいは有
機ゲルマニウム化合物あるいは有機インジウム化合物あ
るいは有機アルミニウム化合物あるいは有機チタン化合
物あるいは有機亜鉛化合物あるいは有機タンタル化合物
の中から選ばれた少なくとも１種の化合物であることを
特徴とする特許請求範囲第１項記載のプラスチックの帯
電防止方法。 ３、 プラスチックを有機ガスの低温プラズマで処理し
て該プラスチックの帯電を防止する方法において、該有
機ガスに有機金属化合物を用いた後、さらに無機ガスの
低温プラズマで処理することを特徴とするグラスチック
の帯電防止方法。 ４、 プラスチックを有機ガスの低温プラズマで処理し
て該プラスチックの帯電を防止する方法において、該有
機金属化合物と共に無機ガスを用いて処理することを４
！徴とするプラスチックの帯電防止方法。 ５、 前記無機ガスがＣ１ｚ 、 Ｈｃｌ・空気、０２
、ＨｚＯ、ＣＯ，Ｃｏ２の中から選ばれた少なくとも１
種であることを特徴とする特許請求範囲第３項あるいけ
第４項記載のプラスチックの帯電防止方法。 ６、 該プラスチックが磁気テープ基材であることを特
徴とする特許請求範囲第１項、第３項又は第４項記載の
プラスチックの帯電防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19596883A JPS6089342A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | プラスチツクの帯電防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19596883A JPS6089342A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | プラスチツクの帯電防止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6089342A true JPS6089342A (ja) | 1985-05-20 |
Family
ID=16349982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19596883A Pending JPS6089342A (ja) | 1983-10-21 | 1983-10-21 | プラスチツクの帯電防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6089342A (ja) |
-
1983
- 1983-10-21 JP JP19596883A patent/JPS6089342A/ja active Pending
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