JPS59227131A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法およびこれに用いる封止装置 - Google Patents

樹脂封止形半導体装置の製造方法およびこれに用いる封止装置

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JPS59227131A
JPS59227131A JP10313983A JP10313983A JPS59227131A JP S59227131 A JPS59227131 A JP S59227131A JP 10313983 A JP10313983 A JP 10313983A JP 10313983 A JP10313983 A JP 10313983A JP S59227131 A JPS59227131 A JP S59227131A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、樹脂封止金型の加温、成型閉樹脂タブレット
の加温あるいは成型後のポストキュア等を不要となし、
さらに、成型用樹脂の無駄を除いてその利用率を飛躍的
に高めることができる樹脂封止形半導体装置の製造方法
と、この製造方法を可能にする封止装置に関する。
従来例の構成とその問題点 半導体装置の封止方式は、周知のように金属容器で封止
する方式、セラミック容器で封止する方式ならびに樹脂
で封止する方式に大別されるが、生産性に富み、しかも
、コスト面でも他の方式に勝る樹脂封止方式が現在の封
止方式の主流となっている。
第１図は、上記の樹脂封止方式によるトランジスタの封
止方法を説明するため封止金型の要部を切断して示した
図である◎ 図示するように、リードフレームの基板支持部１にトラ
ンジスタ素子２が接着され、さらに外部リードとトラン
ジスタ素子の電極との間が金属側ａ（図示せず）で接続
されたトランジスタ組立構体を上金型３と下金型４との
間に配置し、熱硬化型の成型樹脂６をその供給路６から
キャビティ７の中へ送り込み樹脂封止を行う構造となっ
ている。
この樹脂封止に際して、金型は所定の力で型締めされる
とともに、内部に配設した発熱体８を発熱させることに
よ！１１１８ｏＣ程度の温度にまで加熱される。また、
成型用樹脂としては、通常円板状のエポキシ樹脂あるい
はシリコン樹脂が用いられる。この成型用樹脂を７０Ｃ
程度に加温して封止金型に設けた成型用樹脂収容部（図
示せず）へ配置し、プランジャによって加圧すると、溶
融して液状となった成型用樹脂は、ここに繋る供給路６
を通ってキャビティ７の中へ圧入され、一定時間にわた
りこの状態を保つことによシ硬化する。
第２図は、以上のようにして樹脂封止がなされた製品を
金型から取り出した直後の平面状態を示す図であシ、ト
ランジスタの封止外殻となる樹脂６１のみならず、樹脂
の供給路６の中に残され之樹脂６２および成型用樹脂収
納部内に残された樹脂６３も硬化している。これらは、
トランジスタにとって不要なものであり、取シ除かれる
。このため、成型用樹脂の利用率が著るしく低下するこ
とは避けられない。こののち、成型用樹脂を完全に硬化
させるため、１０００程度の温度の加熱処理を十数時間
にわたシ施すボストベーク処理を経て樹脂封止が完了す
る。
以上説明した従来の樹脂封止方法では、大きな熱容量を
もつ金型の加温に大きな電力が消費されること、成型用
樹脂の無駄が極めて大きいこと、長時間にわたるボスト
キュアが必要であることなどの経済性１作業性の面での
問題があシ、樹脂封止コストを低減することが困難であ
った。
発明の目的 本発明は、従来の樹脂封止形半導体装置の製造方法に存
在した問題点をことごとく排除して、樹脂封止コストの
大幅な低減をはかることができる樹脂封止形半導体装置
の製造方法と、この製造方法を可能とする封止装置の提
供を目的とするものである。
発明の構成 本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リードフ
レームの基板支持部上に半導体素子基板が接着され、同
半導体素子基板上の電極と外部リードとの間の接続がな
された半導体素子組立構体を樹脂封止金型内に配置した
のち、同祠脂封止金型内へ紫外線硬化形成型樹脂を注入
し、次いで、キャビティ内の紫外線硬化形成型樹脂のみ
を選択的に紫外線照射して硬化させることを特徴とする
ものである。また、この製造方法を可能にする封止装置
は、合体によシ樹脂封止用キャビティを形成する樹脂封
止用の上金型もしくは下金型のいずれか一方に、上記の
樹脂封止用キャビティに繋る成型樹脂の供給孔が穿設さ
れるとともに、上記樹脂封止用上金型の樹脂封止用キャ
ビティの天面形成部直上が上表面に至るまで紫外線透過
形樹脂で構成され、さらに、上記樹脂封止下金型の樹脂
封止用キャビティの底面形成部直下が下表面に至るまで
紫外線透過形樹脂で構成されたものである。
以上のように構成された封止装置を用いる本発明の樹脂
封止形半導体装置の製造方法によれば、キャビティ内の
成型用樹脂のみが硬化する樹脂封止がなされるところと
なる。
実施例の説明 第３図は、本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法と
、この製造方法を可能にする封止装置の製造とを併せて
説明するための断面図である。
本発明で使用する封止装置は、従来のものと同様上金型
３と下金型４との合体によシキャビティアが構成される
ものではあるが、このキャビティ７の天面の直上ならび
に底面の直下が、上金型３の上表面ならびに下金型４の
下表面傾至るまで紫外線を透過する樹脂層９．１０によ
って構成されたものとなっている。この樹脂層を形成す
る紫外線透過形の樹脂は、商品名「ＴＰＸＪとして三井
石油化学工業株式会社が製造販売されているものであシ
、耐熱性、電気的性質、耐薬品性等の点てすぐれている
ことは勿論のこと、紫外線透過率の点でガラスあるいは
他の樹脂にくらべて優れている。
また、キャビティ７には、例えば上金型３に形成した成
型用樹脂供給孔１１が繋っている。
このように構成されている封止装置を用いた樹脂封止は
、以下のようにして行なわれる。すなわちリードフレー
ムの基板支持部１にトランジスタ素子２が接着され、さ
らに、金属細線による接続も完了したトランジスタ組立
構体を上下の金型間に配置したのち、上下の金型の型締
めを行なう。次いで、成型用樹脂供給孔１１全通して紫
外線硬化形樹脂１２をキャビティ７の中まで注入する。
こののち、封止金型の上下に配置した紫外線発生源（図
示せず）を作動させ、矢印で示すように封止金型を紫外
線で照射する。樹脂層９と１０は、上記のように紫外線
透過形の樹脂からなるものであるため、紫外線はこの樹
脂層９．１０’ｉ透過してキャビティ７にまで到達する
。したがって、キャピテイ７の中に注入されている紫外
線硬化型樹脂１２のみに硬化反応が生じ、これが硬化す
る。このために必要とされる紫外線の照射時間は、１０
〜３０秒程度で足シる。以上の処理によりキャビティ内
の成型用樹脂のみを選択的に硬化させたのち、成型用樹
脂供給孔１１を真空吸引すると、この中にある未硬化の
成型用樹脂は封止金型外へ取り除かれる。そして、最後
に上下の金型による型締めを解き、樹脂封止のなされた
製品を取り出すことによって、本発明にかかる樹脂封止
が完了する。
第４図は、上記の樹脂封止がなされた直後の状態を示す
平面図であシ、従来のものにみられた不要な成型用樹脂
の硬化物は一切存在していない。
すなわち、封止外殻１３のみが存在する樹脂封止状態が
得られる。
なお、個々の樹脂封止形トランジスタラ得るには、リー
ドフレームの共通金属片１４から外部リード１６を切り
離すとともに、基板支持体間を連結する連結細条１６を
切断して除けばよい。
以上、本発明を樹脂封止形トランジスタを例示して説明
したが、本発明の製造方法とこれに使用する封止装置は
、他の樹脂封止形半導体装置の製造にも適用することが
できる。
発明の効果 本発明によると、キャビティ内へ注入される樹脂のみが
選択的に硬化するため、従来のような成型用樹脂の無駄
がないこと、成型用樹脂ならびに封止金型の加温が不要
であること、さらに、ポストキーアが不要であることな
どの効果が奏されるところとなり、作業能率の向上なら
びに樹脂封止コストの引き下げがはかられる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の樹脂封止金型の要部の断面図、第２図は
、第１図で示す樹脂封止金型で樹脂封止がなされた直後
の状態を示す平面図、第３図は、本発明の製造方法で用
いる樹脂封止金型の要部の断面図、第４図は、第３図で
示す樹脂封止金型で樹脂封止がなされた直後の状態を示
す平面図である。 １・・・・・・基板支持体、２・旧・・トランジスタ素
子、３・・・・・・上金型、４・・・・・・下金型、６
・・・・・・成型樹脂（熱硬化型）、６・・・・・・成
形用樹脂の供給路、７・・・・・・キャビティ、８・・
・・・・金型加温用の発熱体、６１゜１３・・・・・・
封止外殻（樹脂）、６２・・・・・・供給路中で硬化し
た樹脂、６３・・・・・・成型用樹脂収納部で硬化した
樹脂、９．１０・・・・・・紫外線透過形の樹脂層、１
１・・・・・・成型用樹脂供給孔、１２・・・・・・紫
外線硬化形樹脂、１４・・・・・・共通金属片、１６・
・・・・外部リード、１６・・・・・・連結細条。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　？’ｉが１名
第１図 第２図 第　３　＠ 第４図 ／６

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）リードフレームの基板支持体上に半導体素子基板
    が接着され、同半導体素子基板上の電極と外部リードと
    の間の接続がなされた半導体素子組立構体を樹脂封止金
    型内に配置したのち、成型樹脂供給孔を通してキャビテ
    ィ内に紫外線硬化形の成型樹脂を注入し、次いで、同キ
    ャビティ内の紫外線硬化形の成型樹脂のみを選択的に紫
    外線照射して硬化させることを特徴とする樹脂封止形半
    導体装置の製造方法。
  2. （２）合体により樹脂封止用のキャビティを形成する上
    金型および下金型のいずれか一方に、前記キャビティに
    繋る成型樹脂の供給孔が穿設されるとともに、前記上金
    型のキャビティ天面形成部直上が、上表面に至るまで紫
    外線透過形の樹脂で構成され、さらに、前記下金型のキ
    ャビティ底面形成部直下が下表面に至るまで紫外線透過
    形の樹脂で構成されていることを特徴とする封止装置。
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