JPS58164230A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS58164230A JPS58164230A JP4661082A JP4661082A JPS58164230A JP S58164230 A JPS58164230 A JP S58164230A JP 4661082 A JP4661082 A JP 4661082A JP 4661082 A JP4661082 A JP 4661082A JP S58164230 A JPS58164230 A JP S58164230A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- parts
- cases
- resin
- hardened
- sealed
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法、さらに詳しくは安価
にしてかつ信頼性良好に半導体素子を樹脂封止する方法
に関する。
にしてかつ信頼性良好に半導体素子を樹脂封止する方法
に関する。
従来、半導体素子の封止方法としては、金属を用いたキ
ャン封止、セラミックを用いたサーディツプなどの中空
封止、熱硬化性樹脂を用いたキャスティング、゛ボッテ
ィング、トランスファー成形方式の如きダイレクトモー
ル目こよる樹脂封止が知られているが、いずれの方法も
完全とはいえない。すなわち、キャン封止やセラミック
封止などは半導体の信頼性の面ではすぐれているが、コ
スト高となりまた量産性に欠ける問題があり、一方ダイ
レクトモールドによる樹脂封止では半導体素子に直接樹
脂が触れるため樹脂材料中の不純物の影響や熱応力など
を受けやすく、前二者に較べて信頼性に欠ける問題があ
る。
ャン封止、セラミックを用いたサーディツプなどの中空
封止、熱硬化性樹脂を用いたキャスティング、゛ボッテ
ィング、トランスファー成形方式の如きダイレクトモー
ル目こよる樹脂封止が知られているが、いずれの方法も
完全とはいえない。すなわち、キャン封止やセラミック
封止などは半導体の信頼性の面ではすぐれているが、コ
スト高となりまた量産性に欠ける問題があり、一方ダイ
レクトモールドによる樹脂封止では半導体素子に直接樹
脂が触れるため樹脂材料中の不純物の影響や熱応力など
を受けやすく、前二者に較べて信頼性に欠ける問題があ
る。
そこで、上記従来法の改良方式として、中空状の樹脂ケ
ースを成形し、このケース内に半導体素子を内填しての
ち気密部を接着剤で接着する方法が試みられている。す
なわち、この方式は樹脂材料を用いるものであるためコ
スト的に有利となる一方、キャン封止などの中空方式を
採用したものであるからそれだけ信頼性が向上する。し
かるに、上記方式では、ケースの成形工程、接着面を粗
す工程、接着剤を付ける工程など作業工程が複雑となり
、したがってコスト的にも量産性の面でもなお充分に満
足できるものとはいえなかった。
ースを成形し、このケース内に半導体素子を内填しての
ち気密部を接着剤で接着する方法が試みられている。す
なわち、この方式は樹脂材料を用いるものであるためコ
スト的に有利となる一方、キャン封止などの中空方式を
採用したものであるからそれだけ信頼性が向上する。し
かるに、上記方式では、ケースの成形工程、接着面を粗
す工程、接着剤を付ける工程など作業工程が複雑となり
、したがってコスト的にも量産性の面でもなお充分に満
足できるものとはいえなかった。
この発明は、上記の観点から、安価にしてかつ信頼性良
好に半導体素子を樹脂封止できしかも量産性の面でも満
足しうる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
して１．なされたものである。
好に半導体素子を樹脂封止できしかも量産性の面でも満
足しうる半導体装置の製造方法を提供することを目的と
して１．なされたものである。
すなわち、この発明は、光および熱により硬化する樹脂
組成物から互いに接合するべき面とこの面側に形成され
た被封止部品の内填用凹所とを持った未硬化ないし半硬
化状態の上下１対の封止用ケースを成形し、ついで上記
接合するべき面以外の表面部を光硬化させた後に上記凹
所内に被封上部品を内填して上記両ケースを接合し、そ
の接合部を熱硬化により接着一体化させることを特徴と
する半導体装置の製造方法に係るものである。
組成物から互いに接合するべき面とこの面側に形成され
た被封止部品の内填用凹所とを持った未硬化ないし半硬
化状態の上下１対の封止用ケースを成形し、ついで上記
接合するべき面以外の表面部を光硬化させた後に上記凹
所内に被封上部品を内填して上記両ケースを接合し、そ
の接合部を熱硬化により接着一体化させることを特徴と
する半導体装置の製造方法に係るものである。
以下、この発明の一実施例につき図面を参考にして説明
する。
する。
第１図はこの発明の製造工程を示したもので、まず、３
工程として光および熱により硬化する樹脂組成物を溶融
混合して調製する。混合成分としては、一般に常態で固
形の熱硬化性樹脂、たとえばエポキシ樹脂、ポリエステ
ル樹脂、フェノール樹脂などに光硬化のための増感剤を
加えたものがあり、この際必要に応じて充填剤や顔料の
如き公知の添加剤が適宜配合される。なお、樹脂分とし
ては、上述のものに限定されず、たとえば（メタ）アク
リル系の二重結合の如き光と熱に対して共に感応しうる
ような不飽和結合を持ったポリマーなどであってもよい
。
工程として光および熱により硬化する樹脂組成物を溶融
混合して調製する。混合成分としては、一般に常態で固
形の熱硬化性樹脂、たとえばエポキシ樹脂、ポリエステ
ル樹脂、フェノール樹脂などに光硬化のための増感剤を
加えたものがあり、この際必要に応じて充填剤や顔料の
如き公知の添加剤が適宜配合される。なお、樹脂分とし
ては、上述のものに限定されず、たとえば（メタ）アク
リル系の二重結合の如き光と熱に対して共に感応しうる
ような不飽和結合を持ったポリマーなどであってもよい
。
上記溶融混合後、ｂ工程に移り、冷却したのち粉砕する
が、このときの粉砕粒度は引き続く工程の打錠性を良く
するために一定のものに保つ方が良い。たとえば３０メ
ツシユ以下とするのが望ましい。つぎに、Ｃ工程にて、
粉砕粉末に圧力をかけ所定の形状に打鍵成形する。打錠
圧は高い方が好ましく、１，０００Ｋｇ／ｃｉ以上であ
ればとくに望ましい。
が、このときの粉砕粒度は引き続く工程の打錠性を良く
するために一定のものに保つ方が良い。たとえば３０メ
ツシユ以下とするのが望ましい。つぎに、Ｃ工程にて、
粉砕粉末に圧力をかけ所定の形状に打鍵成形する。打錠
圧は高い方が好ましく、１，０００Ｋｇ／ｃｉ以上であ
ればとくに望ましい。
第２図（〜、（均は上記方法で成形された上下１対の封
止用ケースを示したもので、１は上ケース、２は下ケー
スであり、両ケース１．２は互いに接合するべき面１０
．２０を有し、またこの両面１０゜２０側に形成された
被封止部品の内填用凹所１００゜２００を持っており、
いずれも未硬化ないし半硬化の状態にある。
止用ケースを示したもので、１は上ケース、２は下ケー
スであり、両ケース１．２は互いに接合するべき面１０
．２０を有し、またこの両面１０゜２０側に形成された
被封止部品の内填用凹所１００゜２００を持っており、
いずれも未硬化ないし半硬化の状態にある。
この発明では、つぎに、ｄ工程として、第３図に示すよ
うに、上記１対の封止用ケース１（２）をその接合する
べき面１０（２１が下側となるようにしてコンベヤ７に
のせ、その上面および側面から紫外線などを露光イする
。この露光イにより接合するべき面１０（２Ｇ以外の表
面部を硬化させるが、このときの硬化層の厚みはケース
全体の形状を保持でき、かつワレ、カケなどの問題を生
じない程度であればよく、あまり厚くしすぎると硬化過
多となって接合するべき面１０（２１までもが光硬化す
るおそれがあるから好ましくない。一般には表面がらの
厚みとして０．１〜０．５ ｔｍ程度が適当である。
うに、上記１対の封止用ケース１（２）をその接合する
べき面１０（２１が下側となるようにしてコンベヤ７に
のせ、その上面および側面から紫外線などを露光イする
。この露光イにより接合するべき面１０（２Ｇ以外の表
面部を硬化させるが、このときの硬化層の厚みはケース
全体の形状を保持でき、かつワレ、カケなどの問題を生
じない程度であればよく、あまり厚くしすぎると硬化過
多となって接合するべき面１０（２１までもが光硬化す
るおそれがあるから好ましくない。一般には表面がらの
厚みとして０．１〜０．５ ｔｍ程度が適当である。
このようにして表面硬化させケース強度を付与したのち
に、Ｃ工程として第４図に示されるように、各凹所１０
０，２００内に半導体素子の如き被封止部品３を内填し
て上下ケース１，２を接合し、その接合部５を熱硬化に
より接着一体化させる。すなわち、一般には凹所１００
，２００内に内填するべき半導体素子３を固定したリー
ドフレーム４を両ケース１．２の接合面１０．２０間番
こ介在させて、このリードフレーム４を挾持する如く上
記両ケース１．２を接合し、この接合部５を加熱硬化さ
せて両ケース１．２を接着一体化させる。
に、Ｃ工程として第４図に示されるように、各凹所１０
０，２００内に半導体素子の如き被封止部品３を内填し
て上下ケース１，２を接合し、その接合部５を熱硬化に
より接着一体化させる。すなわち、一般には凹所１００
，２００内に内填するべき半導体素子３を固定したリー
ドフレーム４を両ケース１．２の接合面１０．２０間番
こ介在させて、このリードフレーム４を挾持する如く上
記両ケース１．２を接合し、この接合部５を加熱硬化さ
せて両ケース１．２を接着一体化させる。
上記熱硬化は、リードフレーム４を予め加熱口しておく
か、接合後引き続き加熱し続けるかその際に熱板を用い
るなどの方式で行なわれ、また接合ケース全体をオープ
ン内に入れて接合部と他の未硬化部とを同時に加熱硬化
させるなどの方法で実施できる。
か、接合後引き続き加熱し続けるかその際に熱板を用い
るなどの方式で行なわれ、また接合ケース全体をオープ
ン内に入れて接合部と他の未硬化部とを同時に加熱硬化
させるなどの方法で実施できる。
かくすることにより、上下ケース１，２の各凹所１００
，２００に半導体素子の如き被封止部品３を内填した構
造のいわゆる中空状の樹脂封止半導体装置が製造される
。
，２００に半導体素子の如き被封止部品３を内填した構
造のいわゆる中空状の樹脂封止半導体装置が製造される
。
以上詳述したとおり、この発明は、光および熱により硬
化する樹脂組成物から特定形状でかつ未硬化ないし半硬
化の上下１対の封止用ケースを作製して、その光硬化特
性と熱硬化特性とを利用して半導体素子を容易にかつ信
頼性良好に樹脂封止することを特徴としたものであるが
、以下にこの発明の効果をより具体的に記述する。
化する樹脂組成物から特定形状でかつ未硬化ないし半硬
化の上下１対の封止用ケースを作製して、その光硬化特
性と熱硬化特性とを利用して半導体素子を容易にかつ信
頼性良好に樹脂封止することを特徴としたものであるが
、以下にこの発明の効果をより具体的に記述する。
１）この発明に係る上下ケースは樹脂粉末を打錠するこ
とによって簡単にかつ連続的に作製できる。
とによって簡単にかつ連続的に作製できる。
２）作製された上記上下ケースは熱硬化する機能を有し
、この機能を利用して上下ケースを接着一体化できるか
ら、接着剤が不要で、また接着剤に較べて短時間にかつ
気密性良好に接着させることができる。
、この機能を利用して上下ケースを接着一体化できるか
ら、接着剤が不要で、また接着剤に較べて短時間にかつ
気密性良好に接着させることができる。
３）上下ケースを接着一体化する前に、接合面以外の表
面部を光硬化させていることにより、上下ケースの機械
的強度が向上してワレやカケの問題がおこらず取り扱い
が容易となる。また、接着一体化時に熱を加えても外部
変形するおそれがなくケースの形状保持性が良好となる
。
面部を光硬化させていることにより、上下ケースの機械
的強度が向上してワレやカケの問題がおこらず取り扱い
が容易となる。また、接着一体化時に熱を加えても外部
変形するおそれがなくケースの形状保持性が良好となる
。
４）上下ケースの接合部を熱硬化させることによって形
成されたこの発明に係る半導体装置は、その被封止部品
が上下ケー反の凹所に内填された 、ものであってダイ
レクトモールドされたものでないから、半導体素子の熱
歪みや不純物の影響を受けに（＜、信頼性に高いものと
なる。
成されたこの発明に係る半導体装置は、その被封止部品
が上下ケー反の凹所に内填された 、ものであってダイ
レクトモールドされたものでないから、半導体素子の熱
歪みや不純物の影響を受けに（＜、信頼性に高いものと
なる。
５）この発明の方法は、本質的に上下ケースの作製、光
硬化環よび熱硬化という簡単な工程からなるものである
ため、コスト的にもまた量産性の面でも従来に較べて非
常にすぐれている。
硬化環よび熱硬化という簡単な工程からなるものである
ため、コスト的にもまた量産性の面でも従来に較べて非
常にすぐれている。
第１図はこの発明の製造方法を説明するための工程図、
第２図四、（至）は上下ケースの形状を説明するための
もので、同図（ＡＩは断面図、同図β）は平面図である
。第３図は上下ケースの表面〜を光硬化させる状態を示
す断面図、第４図は上下ケースを接合一体化する状態を
示す断面図である。 １・・・上ケース、２・・・下ケース、１０，２０・・
・接合するべき面、１００，２００・・・凹所、３・・
・被封止部品、５・・・接合部、イ・・・露光、口・・
・加熱。 ？ＰＪ１図 第２図 第３図 第４図
第２図四、（至）は上下ケースの形状を説明するための
もので、同図（ＡＩは断面図、同図β）は平面図である
。第３図は上下ケースの表面〜を光硬化させる状態を示
す断面図、第４図は上下ケースを接合一体化する状態を
示す断面図である。 １・・・上ケース、２・・・下ケース、１０，２０・・
・接合するべき面、１００，２００・・・凹所、３・・
・被封止部品、５・・・接合部、イ・・・露光、口・・
・加熱。 ？ＰＪ１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）光および熱により硬化する樹脂組成物から互いに
接合するべき面とこの面側に形成された被封止部品の内
填用凹所とを持った未硬化ないし半硬化状態の上下１対
の封止用ケースを成形し、ついで上記接合するべき面以
外の表面部を光硬化させた後に上記凹所内に被封止部品
を内填して上記両ケースを接合し、その接合部を熱硬化
により接着一体化させることを特徴とする半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4661082A JPS58164230A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4661082A JPS58164230A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58164230A true JPS58164230A (ja) | 1983-09-29 |
Family
ID=12752066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4661082A Pending JPS58164230A (ja) | 1982-03-24 | 1982-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58164230A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340792B1 (en) | 1997-04-30 | 2002-01-22 | Nec Corporation | Mold cap for semiconductor device mold package |
| FR2919756A1 (fr) * | 2007-07-31 | 2009-02-06 | Tacchini Sarl Ets | Procede de protection d'un composant electronique. |
-
1982
- 1982-03-24 JP JP4661082A patent/JPS58164230A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6340792B1 (en) | 1997-04-30 | 2002-01-22 | Nec Corporation | Mold cap for semiconductor device mold package |
| FR2919756A1 (fr) * | 2007-07-31 | 2009-02-06 | Tacchini Sarl Ets | Procede de protection d'un composant electronique. |
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