JPS58137219A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS58137219A JPS58137219A JP57019098A JP1909882A JPS58137219A JP S58137219 A JPS58137219 A JP S58137219A JP 57019098 A JP57019098 A JP 57019098A JP 1909882 A JP1909882 A JP 1909882A JP S58137219 A JPS58137219 A JP S58137219A
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Classifications
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂封止蓋半導体装置の製造方法に係り、特に
紫外線消去量書換え可能読田し専用記憶装置（以下ＵＶ
−ＩＰ−ＲＯＭと称す）の製造方法に関する。
紫外線消去量書換え可能読田し専用記憶装置（以下ＵＶ
−ＩＰ−ＲＯＭと称す）の製造方法に関する。
ＵＶ−ＥＰ−ＲＯＭは、紫外線を半導体素子に照射する
ことによって半導体素子に記憶された内容（電荷）が放
電され消去し得ることを特徴とする。したがって、かか
る容器においては半導体素子の上方（能動側）は紫外線
を透過する材料で構成されていなければならない。
ことによって半導体素子に記憶された内容（電荷）が放
電され消去し得ることを特徴とする。したがって、かか
る容器においては半導体素子の上方（能動側）は紫外線
を透過する材料で構成されていなければならない。
従来のＵＶ−ＥＰ−ＲＯＭの容器は上記機能を満すため
にセラミック等の絶縁基体で主要部を構成し、半導体素
子上方には紫外線透過性材料、例えばサファイア、透過
性アルミナで作られた窓を有する気密封止型中導体装置
が多用されてい友。
にセラミック等の絶縁基体で主要部を構成し、半導体素
子上方には紫外線透過性材料、例えばサファイア、透過
性アルミナで作られた窓を有する気密封止型中導体装置
が多用されてい友。
この紫外線透過性材料は、非常に高価であり、かつ気密
封止するために、材料間の熱膨張係数の整合を図らなけ
ればならず、半導体装置の使用状態をシェミレートした
積項試験における気密性、耐機械的衝撃性等においてし
ばしば問題を生じていた。そこで紫外−透過性樹脂を使
用し価格的に安価な亀のを得ようとした場合を考えてみ
ると、紫外線透過性樹脂は熱膨張係数が大きいため、半
導体装置全体に使用するＫは装置の、信頼性上大きな問
題となる。つまりＵＶ−ＥＰ−ＲＯＭを樹脂封止型にす
るためには必要部分にのみ紫外線透過性樹脂を使用し、
他の部分は従来通りの樹脂を使用することが必要とされ
る。したがつて牛導体装置の組立工程における封入工１
以外の工程では従来通りの方法で作製し得るが、樹脂封
入工程のみは２種の樹脂を各々必要な部分のみにまざら
ず充填し一体とするという困難がある。まえ、部分的な
封入を行なった場合にはリードフレームのボンディング
フィンガーの間を通りて樹脂が流れ出て不必要な部分に
まで流れ出る等の問題点奄ある。
封止するために、材料間の熱膨張係数の整合を図らなけ
ればならず、半導体装置の使用状態をシェミレートした
積項試験における気密性、耐機械的衝撃性等においてし
ばしば問題を生じていた。そこで紫外−透過性樹脂を使
用し価格的に安価な亀のを得ようとした場合を考えてみ
ると、紫外線透過性樹脂は熱膨張係数が大きいため、半
導体装置全体に使用するＫは装置の、信頼性上大きな問
題となる。つまりＵＶ−ＥＰ−ＲＯＭを樹脂封止型にす
るためには必要部分にのみ紫外線透過性樹脂を使用し、
他の部分は従来通りの樹脂を使用することが必要とされ
る。したがつて牛導体装置の組立工程における封入工１
以外の工程では従来通りの方法で作製し得るが、樹脂封
入工程のみは２種の樹脂を各々必要な部分のみにまざら
ず充填し一体とするという困難がある。まえ、部分的な
封入を行なった場合にはリードフレームのボンディング
フィンガーの間を通りて樹脂が流れ出て不必要な部分に
まで流れ出る等の問題点奄ある。
本発明は係る欠点を除去し、改良された樹脂封止型中導
体装置の製造方法を提供するものである。
体装置の製造方法を提供するものである。
本発明の要旨は、ＵＶ−ＥＰ−ＲＯＭを樹脂封止する際
、紫外線透過性樹脂によって半導体素子表面を覆うよう
に充填し、かかる樹脂が完全Ｋｉ！化する前に、他の樹
脂を成形型に注入し、全体として硬化させることＫある
。
、紫外線透過性樹脂によって半導体素子表面を覆うよう
に充填し、かかる樹脂が完全Ｋｉ！化する前に、他の樹
脂を成形型に注入し、全体として硬化させることＫある
。
この様な製造方法を採用すれば、完成した半導体装置は
従来の半導体装置、例えばＤＩＰ形態と変わｂない形態
となって、互換性や販扱いに便宜である。
従来の半導体装置、例えばＤＩＰ形態と変わｂない形態
となって、互換性や販扱いに便宜である。
また、２種の異なった性質の樹脂を、夫々の樹脂の特性
を考慮して成形することができ１．一度に成形してしま
うことによる欠点を除去してより高信頼の半導体装置と
することができる。
を考慮して成形することができ１．一度に成形してしま
うことによる欠点を除去してより高信頼の半導体装置と
することができる。
以下、本発明を実施例に基づいて′詳細に説明する。第
１図は、本発明の第１の実施例である。リードフレーム
１にマウント、ボンディングされた半導体素子２上に、
紫外線透過性樹脂３をポツテングする。ポツテングされ
た樹脂３は第１図囚に示すように小山状になる。リード
フレームのボンディングフィンガ一部等の間隙から樹脂
が流れ出ないように１ゴム、樹脂等の薄膜（図示せず）
をリードフレームの裏面に密着させておくことが効果的
である。これらは、ポツテング後に取りｉける様になっ
ていてもよいし、後の成形において、本体の樹脂内に残
留する態様でありてもよい。
１図は、本発明の第１の実施例である。リードフレーム
１にマウント、ボンディングされた半導体素子２上に、
紫外線透過性樹脂３をポツテングする。ポツテングされ
た樹脂３は第１図囚に示すように小山状になる。リード
フレームのボンディングフィンガ一部等の間隙から樹脂
が流れ出ないように１ゴム、樹脂等の薄膜（図示せず）
をリードフレームの裏面に密着させておくことが効果的
である。これらは、ポツテング後に取りｉける様になっ
ていてもよいし、後の成形において、本体の樹脂内に残
留する態様でありてもよい。
ポツテングさ、れた樹脂は、キュアされると徐々に反応
して硬化・してくるが、その外形を維持できる程度に硬
化した後成形型５内にセットする。その様子を第１図＠
に示す。この様にすると、紫外線透過性樹脂のポツテン
グされた頭部は成形製によりて若干おしつぶされた様に
なり、紫外線透過性樹脂を少量で最大の表面積を“得る
ことができるとと−Ｋ、かかる樹脂と成形製との接触部
に成形のための樹脂の侵入を避けることができる。
して硬化・してくるが、その外形を維持できる程度に硬
化した後成形型５内にセットする。その様子を第１図＠
に示す。この様にすると、紫外線透過性樹脂のポツテン
グされた頭部は成形製によりて若干おしつぶされた様に
なり、紫外線透過性樹脂を少量で最大の表面積を“得る
ことができるとと−Ｋ、かかる樹脂と成形製との接触部
に成形のための樹脂の侵入を避けることができる。
これは、成形後に成形樹脂の除去工程を省略できること
Ｋなりて−よりコストの低い半導体装置を得ることがで
きる効果がある。
Ｋなりて−よりコストの低い半導体装置を得ることがで
きる効果がある。
さらに、紫外線透過性樹脂のキュア温度と成形のための
樹脂のキエア温度とが必ずし奄一致せず一同時に成形す
るとすれば両者の熱膨張係数が整合しないため、ボンデ
ィングワイヤーや半導体素子に無用のストレスを加える
ことに表って、ルーズコンタクトやペレット、クラック
等の原因となるところ、本発明の如く、比較的熱膨張係
数の大きい紫外線透過性樹脂を成形のための樹脂が方囲
すゐ如く硬化するので、紫外線透過性樹脂には圧縮力を
加える形式となって、紫外線透過性樹脂の膨張収縮を規
制するとともに、成形のための樹脂からの熱による引張
力の影響゛を軽減することができ、より高信頼の半導体
装置とすることができる。
樹脂のキエア温度とが必ずし奄一致せず一同時に成形す
るとすれば両者の熱膨張係数が整合しないため、ボンデ
ィングワイヤーや半導体素子に無用のストレスを加える
ことに表って、ルーズコンタクトやペレット、クラック
等の原因となるところ、本発明の如く、比較的熱膨張係
数の大きい紫外線透過性樹脂を成形のための樹脂が方囲
すゐ如く硬化するので、紫外線透過性樹脂には圧縮力を
加える形式となって、紫外線透過性樹脂の膨張収縮を規
制するとともに、成形のための樹脂からの熱による引張
力の影響゛を軽減することができ、より高信頼の半導体
装置とすることができる。
ポツテング技術は従来の技術を用いることができ、この
点においても、現行設備を有効に活用し得ることになる
。
点においても、現行設備を有効に活用し得ることになる
。
第２図は本発明の第２の実施例である。第２の実施例に
おいては、第１の実施例と異なり、ポツテングではなく
、一定の成形型内で紫外線透過性樹脂を硬化させる。こ
の場合においても、咳樹脂は完全に硬化させてはならな
い、したがって、使用する成形Ｗ６は、通常の金聾のほ
か成形型との離形性を向上させるため、テフロンの如き
材料によるコーテング層を設けておくとか、ゴムライニ
ングをしておくと棗い。また、リードフレームのボンデ
ィングフィンガ一部からの樹脂もれを防ぐために１上製
の締付部６’に耐熱性のゴム又はゴムライニングを使用
することも有効である。
おいては、第１の実施例と異なり、ポツテングではなく
、一定の成形型内で紫外線透過性樹脂を硬化させる。こ
の場合においても、咳樹脂は完全に硬化させてはならな
い、したがって、使用する成形Ｗ６は、通常の金聾のほ
か成形型との離形性を向上させるため、テフロンの如き
材料によるコーテング層を設けておくとか、ゴムライニ
ングをしておくと棗い。また、リードフレームのボンデ
ィングフィンガ一部からの樹脂もれを防ぐために１上製
の締付部６’に耐熱性のゴム又はゴムライニングを使用
することも有効である。
縞１の実施例では、ポツテングするため樹脂の粘度管理
を厳しくしなければならないのく対し、成形型であれば
、樹脂の粘度管理は厳格でなくてもよく、かわり・に管
理容易な温度や時間で成形の状態をコントロールするこ
とができ、成形された紫外線透過性樹脂の特性を活すこ
とができる０次に完全に硬化していない状態で、全体を
成形するための成形１！１５内にセッテングすることは
第１の実施例の場合と同様であり、かつ、紫外線透過性
樹脂と成形ｆｆ１５との間に成形のための樹脂が侵入し
ない効果も同様である。
を厳しくしなければならないのく対し、成形型であれば
、樹脂の粘度管理は厳格でなくてもよく、かわり・に管
理容易な温度や時間で成形の状態をコントロールするこ
とができ、成形された紫外線透過性樹脂の特性を活すこ
とができる０次に完全に硬化していない状態で、全体を
成形するための成形１！１５内にセッテングすることは
第１の実施例の場合と同様であり、かつ、紫外線透過性
樹脂と成形ｆｆ１５との間に成形のための樹脂が侵入し
ない効果も同様である。
第１の実施例、第２の実施例において、共通する効果と
して、半硬化した紫外線透過性樹脂の表面をフレネルレ
ンズ状に成形して収光性を向上させることができること
もあげられる。
して、半硬化した紫外線透過性樹脂の表面をフレネルレ
ンズ状に成形して収光性を向上させることができること
もあげられる。
纂１図は不発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
不発明の第２の実施例を示す断面図である。 ここに、ｌ・・・・・・リードフレーム、２・・・・・
・半導体素子、３・・・・・・紫外線透過性樹脂、４・
・・・・・全体を成形する樹脂を充填すべき空胴、５・
・・・・・成形製。 ６・・・・・・紫外線透過性樹脂成形製、６′・・・・
・・締付＊。 （Ａ） ＣＢ） 華１同
不発明の第２の実施例を示す断面図である。 ここに、ｌ・・・・・・リードフレーム、２・・・・・
・半導体素子、３・・・・・・紫外線透過性樹脂、４・
・・・・・全体を成形する樹脂を充填すべき空胴、５・
・・・・・成形製。 ６・・・・・・紫外線透過性樹脂成形製、６′・・・・
・・締付＊。 （Ａ） ＣＢ） 華１同
Claims (1)
- 少くとも紫外線透過性樹脂を半導体素子上に設ける工程
と、咳樹脂が完全に硬化する前に、一定形状に成形すべ
く、樹脂封止する工程とを含むことを特徴とする樹脂封
止ｍ半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57019098A JPS58137219A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57019098A JPS58137219A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58137219A true JPS58137219A (ja) | 1983-08-15 |
| JPS6314494B2 JPS6314494B2 (ja) | 1988-03-31 |
Family
ID=11989992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57019098A Granted JPS58137219A (ja) | 1982-02-09 | 1982-02-09 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58137219A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5541748A (en) * | 1978-09-18 | 1980-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor memory device |
-
1982
- 1982-02-09 JP JP57019098A patent/JPS58137219A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5541748A (en) * | 1978-09-18 | 1980-03-24 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor memory device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6314494B2 (ja) | 1988-03-31 |
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