JPH07254657A - 集積回路パッケージおよびその光透過窓形成方法 - Google Patents

集積回路パッケージおよびその光透過窓形成方法

Info

Publication number
JPH07254657A
JPH07254657A JP6290085A JP29008594A JPH07254657A JP H07254657 A JPH07254657 A JP H07254657A JP 6290085 A JP6290085 A JP 6290085A JP 29008594 A JP29008594 A JP 29008594A JP H07254657 A JPH07254657 A JP H07254657A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
window
package
circuit
integrated circuit
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6290085A
Other languages
English (en)
Inventor
William K Dennis
ケイ.デニス ウイリアム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of JPH07254657A publication Critical patent/JPH07254657A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/18Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles incorporating preformed parts or layers, e.g. compression moulding around inserts or for coating articles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C70/00Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts
    • B29C70/68Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts by incorporating or moulding on preformed parts, e.g. inserts or layers, e.g. foam blocks
    • B29C70/72Encapsulating inserts having non-encapsulated projections, e.g. extremities or terminal portions of electrical components
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0018Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
    • B29K2995/0025Opaque
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29KINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2995/00Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
    • B29K2995/0018Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds having particular optical properties, e.g. fluorescent or phosphorescent
    • B29K2995/0026Transparent
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29LINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00Other particular articles
    • B29L2031/30Vehicles, e.g. ships or aircraft, or body parts thereof
    • B29L2031/3055Cars
    • B29L2031/3061Number plates
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29LINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00Other particular articles
    • B29L2031/34Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • B29L2031/3425Printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701Low temperature co-fired ceramic [LTCC]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 消去可能集積回路用光透過パッケージおよび
製造方法を提供する。 【構成】 回路12はEPROMデバイスを含む消去可
能集積回路であり成形化合物34と混和しない光透過窓
材18がその表面30上に等角配置される。窓材18は
回路12及び他の部品に付着し硬化後光、特に紫外光
線、に対して透過性を示すゲル、ポリマープリフォー
ム、その他適切な等角窓形成材である。成形化合物34
及び窓材18は鋳型20の空洞22内で硬化され空洞は
窓材を圧縮して窓材と空洞の接触面26との間に平坦面
32を形成する少なくとも一つの接触面26を有する。
窓材18と混和しない成形化合物が空洞22内へ挿入さ
れ硬化後回路12の周りにパッケージ50を形成する。
成形化合物は回路12、リードフレーム14の一部、及
び窓材18を取り囲むが平坦面32上には堆積されず平
坦面は硬化後に保護パッケージ50内の光透過窓54の
露出窓面52を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路保護パッケージ
およびその製造方法の改善に関する。より詳細には、本
発明はイレーザブルプログラマブルリードオンリーメモ
リデバイス(“EPROM”)用保護パッケージの改善
に関する。特に、本発明はEPROM用成形保護パッケ
ージにおける光透過窓の形成に関する。
【0002】
【従来の技術】ここで関心のあるEPROM回路は露光
によりメモリ回路を消去することができるイレーザブル
プログラマブルリードオンリー集積回路である。このよ
うな露光に続いて、メモリセル上の電荷が消散され、し
たがってメモリセルに記憶されたデータが回路から除去
すなわち消去される。その後、周知の方法で新しいデー
タを回路へプログラムすることができる。EPROMの
照射に使用される一形式の光は紫外線(“UV”)であ
る。
【0003】一般的に、EPROMデバイスはパッケー
ジに封止してメーカとエンドユーザ間の輸送中および使
用中に破損しないよう保護して回路の信頼度を保証する
ようにされる。EPROM回路パッケージには、一般的
にUV波長領域の光を通して内含されたメモリ回路を照
射する窓が代表的に設けられる。
【0004】回路に対する光透過窓を設けた集積回路パ
ッケージを形成するためにさまざまな方法が使用され
る。1種のパッケージとして内含された集積回路の周り
に成形されるパッケージが含まれる。例えば、回路板上
に回路を搭載し、回路上に光透過エポキシ樹脂を塗布す
ることによりパッケージを製造することができる。光透
過エポキシ樹脂が硬化すると回路上に光透過性カバーが
形成される。このような方法には、パッケージアウトラ
インが特定的であることを含む、いくつかの制約があり
製造されたパッケージの市場が制限される。さらに、U
V透過性エポキシ樹脂の熱膨張係数は標準プラスチック
成形化合物よりも相当高く、回路に信頼度の問題が生じ
る。このような従来のパッケージでは、順応性のあるエ
ポキシ樹脂を選択したり回路へ塗布するエポキシ樹脂の
量を適合させる努力は殆どなされていない。したがっ
て、硬化したエポキシ樹脂の厚さはパッケージごとに変
動することがある。さらに、厚さの違いにより硬化した
エポキシカバーを透過する光の入射が歪められることが
ある。
【0005】もう一つのEPROMパッケージ製造方法
はUV透過レンズを有するセラミック蓋を含む密封保護
パッケージを製造することである。このような多種のセ
ラミックパッケージが存在する。さまざまなセラミック
パッケージの大部分は次の3群の何れかに属する。 (i) セラミックもしくは金属ベースおよび蓋、およ
び完全ガラス壁を有するパッケージ、(ii) セラミ
ック壁、ベース、および蓋を有するパッケージ、および
(iii) ガラスベースおよび壁、およびガラス、セ
ラミック、もしくは金属蓋を有するパッケージ。 UV透過レンズによりレンズを介したEPROM回路の
照射を行うことができる。レンズは水晶製とされること
が多く、それにより保護パッケージ材料はカーボン、黒
鉛、およびバリウムおよびチタン化合物とするよう指示
されそれはカーボンおよび黒鉛に対するガラスの非濡れ
性による。
【0006】セラミックパッケージの個別部品およびパ
ッケージアセンブリ自体の製造は封止すなわちプラスチ
ック成形パッケージに較べて高くつく。例えば、各レン
ズは相当なコストをかけて個別に構成しなければならな
い。各レンズが完成されたパッケージの他の部品と一体
に構成すなわち製造されないため、各レンズは別々に製
造された蓋の上に個別に搭載しなければならず、それは
完成品の価格をさらに高くする製造工程におけるステッ
プとなる。レンズを収容する保護パッケージの蓋にはレ
ンズを受け止める特別な窪みや開口を予め形成しなけれ
ばならず、パッケージ完成品のコストを高くするもう一
つのステップとなる。
【0007】さらに、透過レンズを予め形成された開口
内に密封することは広く行われており、それは蓋および
レンズを対とされた互いに嵌合する取付具内に挟み込む
必要のあるステップである。取付具を互いに嵌合するス
テップに続いて、保護パッケージアセンブリを焼成して
レンズおよび蓋間で所望の密封を行う。焼成工程ではレ
ンズ上に異粒子、主としてカーボン、が堆積されること
が多くレンズ表面は焼成工程によっても破損されること
がある。レンズ表面に粒子が堆積するとUV光線を拡散
せずに透過させるレンズの能力が抑制される。このよう
な異粒子を除去するために、溶液を塗布してレンズ表面
を洗浄することができる。しかしながら、このステップ
によりレンズ表面はさらに粗くなる。粗くなった表面は
さらに焼成してレンズ表面を焼成研磨しなければならな
いことがある。前記したステップは全て時間を消費しか
つ費用がかかり、各ステップ自体が不純物を誘起したり
レンズの粗い表面を修正するのにさらに費用のかかるス
テップを必要とすることがある。
【0008】いかなる種類の集積回路であってもパッケ
ージングに相当のコストがかかる。集積回路の従来のプ
ラスチック成形保護パッケージングを製造および組み立
てるコストはセラミック保護パッケージを製造および組
み立てるコストよりも遥かに低い。経済性および市場の
需要からEPROMに対する光透過プラスチックパッケ
ージ、特に紫外光線透過窓、に対するニーズがあること
が判る。
【0009】したがって、EPROM用の従来のセラミ
ック密封保護パッケージ、特に紫外光線を透過する窓、
を製造するコストを実質的に低減する光透過窓を有する
EPROM保護パッケージに対するニーズがある。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は光消去可能素子を有する集積回路用改良型パッケ
ージおよびその製造方法を提供することにある。
【0011】本発明のもう一つの目的は従来のパッケー
ジに較べて安く製造および組み立てることができる光透
過窓を有するEPROMパッケージを提供することであ
る。
【0012】本発明のさらにもう一つの目的はUV透過
窓を有し、チップオンボード(“COB”)応用、DI
P、チップキャリア、およびその他の集積回路構造等の
広範なパッケージアウトラインとして形成することがで
きるEPROMパッケージを提供することである。
【0013】本発明のもう一つの目的はEPROMを消
去するUV受光窓を提供し、かつ低廉な光透過化合物か
ら製造することができるEPROMパッケージアセンブ
リを提供することである。
【0014】本発明により構成される光透過窓を有する
プラスチックEPROMパッケージの技術的利点はパッ
ケージの製造および組み立てコストが実質的に低減され
ることである。
【0015】実施例のもう一つの技術的利点は紫外光線
を透過するパッケージと一体の窓を形成できることであ
る。
【0016】本発明により構成される光透過窓を有する
プラスチックEPROMパッケージのもう一つの技術的
利点は広範なパッケージアウトラインでデバイスを製造
できることである。本発明はCOB,DIP,等の特別
なアウトラインや任意他の限定用途に制限されるもので
はない。
【0017】本発明により構成される光透過窓を有する
プラスチックEPROMのもう一つの技術的利点は他の
さまざまなEPROMパッケージングに較べて、完成さ
れたパッケージによるEPROMの保護が増強されるこ
とである。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明の広範な特徴によ
り、光消去可能素子を有する集積回路は頂面、底面、お
よび側面を有する光透過材を含んでいる。底面は光消去
可能素子に重畳して集積回路の第1の領域上に等角配置
される。光透過材の頂面により光消去可能素子へ光を通
す露光面を有する窓が画定される。光透過材は等角性で
硬化する前に回路に付着することができ、好ましくはポ
リマープリフォーム、ゲル、もしくは光、好ましくは紫
外光線、を透過させる他の形状の光透過材である。成形
化合物により回路の第2の領域および透過材の側面が封
止される。実施例では、窓は実質的に連続であり好まし
くはパッケージの表面と実質的に同じ表面にある。
【0019】本発明のもう一つの広範な特徴により、光
透過窓を有するパッケージの製造方法が提供される。こ
の方法では、特別に選定された等角光透過窓材が回路上
に配置される。保護パッケージングにおいて窓を形成す
る窓材の選定基準には本発明に関して使用される任意の
成形化合物に混和しないことが含まれる。窓材はそれが
配置される回路の表面、アセンブリ構造、およびプラス
チック表面全般に付着しない等角材である。窓材は例え
ば熱により硬化されるまで可塑性を保持し、ゲルもしく
はポリマープリフォームとすることができる。最終構造
として硬化された後で、窓材はUV等の所定波長の光を
透過させる。
【0020】回路、リードフレーム、および回路内に配
置されている窓材は鋳型内に配置される。鋳型は少なく
ともリードフレームの一部、回路、および窓材を密閉す
る空洞を有している。一般的に、鋳型内の空洞は六面を
有するボックスを形成する。六面の中の少なくとも一面
は接触面である。接触面の目的は鋳型空洞内へ回路が挿
入された後で回路上に堆積されている窓材を圧縮するこ
とである。窓材を圧縮することにより窓材内で窓材と接
触面との間に実質的に平坦な面が形成される。形成され
たパッケージを鋳型から取り外す時に光透過窓の露出面
を終局的に形成するのはこの実質的に平坦な面でる。
【0021】成形化合物材および窓材は鋳型内で材料を
加熱して硬化される。冷却後、封止された回路が鋳型か
ら取り外される。成形化合物材および窓材により回路お
よびリードフレーム周りにプラスチック保護包囲体が形
成されている。さらに、窓材の平坦面が接触面と接触す
る所には、窓材により形成された光透過窓の露出面が存
在する。窓の光透過性はテストにより確認することがで
きる。
【0022】
【実施例】ここに記載された工程ステップおよび構造は
集積回路パッケージを製造するための完全な工程フロー
を必ずしも形成するものではないことを理解されたい。
本発明は現在使用されている集積回路パッケージ製造技
術に関連して実施されることが予想され、広く実施され
ている工程ステップの中で本発明を理解するのに必要な
工程ステップしかここには含まれていない。
【0023】最初に図1を参照して、本発明に従って消
去可能素子を有する集積回路を包含するのに特に適した
パッケージを形成する成形装置を一般的に参照番号10
で示す。図において、成形装置10は一連のワイヤボン
ド16a,bによりリードフレーム14のさまざまな部
分に電気的に接続されている集積回路12を載せたリー
ドフレーム14を含んでいる。リードフレーム14は任
意特定の形状や構成に限定されず、さまざまな任意のリ
ードフレーム材で出来た任意数のリードを使用すること
ができる。集積回路12は集積回路産業においてよく知
られかつ光、特に紫外光線、に曝して消去することがで
きるイレーザブルプログラマブルリードオンリーメモリ
デバイスを含むさまざまな消去可能集積回路の中の任意
の集積回路を含むことができる。
【0024】図1および図2に示すように、成形装置1
0により製造されるパッケージ50は回路12の少なく
とも消去可能素子上に配置された等角窓材18を含んで
いる。窓材18を選定する基準には周囲のパッケージを
作るのに使用される成形化合物34に混和しない、回路
および(後記する)接触面と等角である、および回路1
2、リードフレーム14、ワイヤボンド16a,b、お
よび回路を囲む成形化合物に付着することが含まれる。
したがって、窓材18は少なくとも成形工程の温度にお
いて等角である一つ以上のさまざまな材料から選定する
ことができ、それにはシリコン、エポキシ、および同等
材から選定されるゲル、およびここに記載する所望の特
性を有するポリマープリフォーム、もしくは硬化工程の
後で回路12上の位置で光透過性であり好ましくは硬化
工程の後で紫外光線に対して透過性である任意他の圧縮
可能な窓材とすることができる。
【0025】さらに図1に示すように、パッケージ50
を製造する成形装置10は空洞22を有する鋳型20を
含んでいる。鋳型20は集積回路鋳型の製造に使用され
る任意さまざまな材料により製造することができ、それ
は従来技術で周知である。実施例では、鋳型20の空洞
22は窓材18と接触しない5面24a,b,c(およ
び図示せぬ24e,f)、および窓材18と接触する少
なくとも1面26により形状される。回路12、リード
フレーム14、ワイヤボンド16a,b、および回路1
2上に配置された窓材18の塊は鋳型20の空洞22内
に配置される。
【0026】所望サイズの窓を形状するのに必要な窓材
18の量は露出させたい回路12の表面30と鋳型20
の空洞22の接触面26間の距離28の関数である。使
用する窓材18の量は距離28よりも大きい高さを有す
る窓材量を提供するのに充分なものとして、空洞22の
接触面26により圧縮されるようにしなければならな
い。窓材18の圧縮により窓材18と鋳型20の空洞2
2の接触面26との間に実質的な平坦面32が形成され
る。光透過窓材18の塊は窓の露出面52を形成する頂
面を有している。それはさらに光消去可能素子を有する
集積回路チップ12の少なくとも一部分の表面30上に
等角配置された底面を有している。それは側面19も有
している。
【0027】図1に示すように、例えば(図示せぬ)射
出口を介して空洞22内へ成形化合物34が挿入されて
空洞22内のリードフレーム14部分、集積回路12の
窓材18により封止されない部分、および接触面26と
接触しない窓材18を包囲する。したがって、成形化合
物34は封止パッケージの主要部を提供し、前記回路の
窓材18の塊により封止されない領域を封止するだけで
なく、窓材18の塊の側面19とも封止係合する。成形
化合物34は硬化工程の前に形成されるため、窓材18
の塊に付着してそれを等角的に包囲し密着封止を保証す
る。
【0028】成形化合物34は窓材18と混和しない材
料であり、周知のさまざまな成形化合物のいづれでもよ
い。成形化合物34は回路12、リードフレーム14、
ワイヤボンド16a,bおよび窓材18の側面を包囲す
る。しかしながら、図1に示すように、成形化合物34
は窓材18の圧縮面32と接触する部分からは除外され
る。
【0029】アセンブリー構造10内の材料は加熱によ
りその場で硬化される。硬化後、材料は冷却され、リー
ドフレーム14および集積回路を実装したパッケージが
成形装置10から取り外され、光消去可能素子を有する
集積回路用の光透過窓を有するパッケージが得られる。
窓材18の塊および成形化合物34の露出された上面は
成形空洞内で同じ面26に対して形成されているため実
質的に連続している。好ましくは、それらは実質的に同
じ平面でもある。
【0030】図1を参照して前記した方法により製造さ
れたパッケージ50の実施例を図2に一般的に参照番号
50で示す。図2の実施例では、デュアルインライン構
成が形成され、図示するようにリードフレームのアウト
ボード部分を曲げてトリミングすることによりコンタク
トリード14が形成される。成形化合物34はパッケー
ジ50の上下部分を形成して回路12およびリードフレ
ーム14の内部を密閉するように示されている。さらに
図2に示すように、製造工程中に圧縮面32が予め鋳型
20の空洞22の接触面26と接触している所には、窓
材18で形成された窓54の露出面52が存在する。窓
54の光透過性はテストにより確認することができる。
【0031】特に射出成形技術を参照してパッケージ5
0の形成方法および装置について説明してきたが、本発
明は他の技術でも実施することができる。例えば、1回
分の成形化合物が鋳型内に配置され、次に余分な化合物
を圧縮して除去するような成形技術も同様に有利に使用
することができる。このような場合、前記した例と同様
に、透過性窓材の塊を最初に集積回路上に配置し、次に
成形化合物を一般的にその周囲領域に配置することがで
きる。鋳型が材料を圧縮すると、頂面窓が形成され、窓
材は集積回路に対して等角的に押圧される。同時に、成
形化合物が圧搾されて窓材の側面およびインボードリー
ドフレーム部分だけでなく、集積回路の窓材により封止
されない領域も等角的に封止される。
【0032】ある程度特定的に本発明を説明してきた
が、本開示は単なる例に過ぎず、同業者であれば特許請
求される本発明の精神および範囲内で部分的組み合わせ
および構成に関してさまざまな変更を加えられることを
理解されたい。
【0033】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 (1).光消去可能素子を有する集積回路用パッケージ
であって、該パッケージは頂面、底面、および側面を有
する光透過材であって、前記底面は光消去可能素子を含
む前記集積回路の第1の領域上に等角配置され、前記光
透過材の前記頂面は前記素子へ光を通す露出面を有する
窓を画定する前記光透過材と、前記回路の第2の領域お
よび前記光透過材の前記側面を封止する成形化合物と、
を含む集積回路パッケージ。 (2).第1項記載のパッケージであって、前記窓が前
記パッケージと実質的に同じ平面であるパッケージ。 (3).第1項記載のパッケージであって、前記回路が
光消去可能プログラマブルリードオンリーメモリデバイ
スであるパッケージ。 (4).第1項記載のパッケージであって、前記光透過
材料は等角性でありかつ少なくとも成形温度において前
記回路に付着するものであるパッケージ。 (5).第4項記載のパッケージであって、前記光透過
材料がポリマープリフォームであるパッケージ。 (6).第4項記載のパッケージであって、前記光透過
材料がゲルであるパッケージ。 (7).第1項記載のパッケージであって、前記光透過
材料が紫外光線に対して透過性であるパッケージ。
【0034】(8).光消去可能素子を有する集積回路
用パッケージであって、前記集積回路は導電性リードフ
レーム上に搭載され、該パッケージは、光消去可能素子
を含む前記集積回路の第1の領域上に等角的に配置され
た底面と、前記消去可能素子へ光を通す露出面を有する
窓を画定する頂面と、光透過材の塊を包囲する側面を有
し、成形温度において順応性を示す光透過材の塊と、前
記回路の第2の領域と、前記光透過材の塊の前記側面
と、前記リードフレームの一部を封止し、かつ前記光透
過材の塊の前記頂面と実質的に連続的な面を形成する成
形化合物と、を含むパッケージ。 (9).第8項記載のパッケージであって、前記光透過
材の塊の前記頂面および前記成形化合物の前記露出面は
実質的に同一平面であるパッケージ。 (10).第8項記載のパッケージであって、前記光透
過材がポリマープリフォームであるパッケージ。 (11).第8項記載のパッケージであって、前記光透
過材がゲルであるパッケージ。 (12).第8項記載のパッケージであって、前記光透
過材が紫外光線に対して透過性であるパッケージ。
【0035】(13).光により消去可能な素子を有す
る集積回路用パッケージ内に光透過窓を形成する方法で
あって、該方法は、前記素子を含む前記集積回路の表面
上に等角窓形成材を配置するステップと、前記回路およ
び前記等角材を鋳型に入れるステップと、前記鋳型の接
触面を前記等角窓形成材の一部と接触面において係合さ
せ、前記等角窓形成材の側面が前記接触面と前記集積回
路の間に来るようにするステップと、前記鋳型に成形化
合物を挿入して、前記成形化合物が前記集積回路および
前記側面を封止するようにするステップと、前記成形材
および前記等角窓形成材を硬化させて前記パッケージを
形成するステップと、前記鋳型から前記パッケージを取
り外すステップと、からなる光透過窓形成方法。 (14).第13項記載の方法であって、さらに、さま
ざまな光透過材料の中から前記等角窓形成材を選定する
ステップと、前記素子上に配置される前記材料の量を制
御するステップと、前記素子上の前記材料の高さを制御
するステップと、からなる光透過窓形成方法。 (15).第13項記載の方法であって、前記封止ステ
ップはさらに、前記回路および前記等角窓形成材を収納
するような寸法の空洞を前記鋳型内に設け、前記空洞は
少なくともその一部が前記接触面を提供する壁により画
定されるステップと、前記接触面と前記等角窓形成材が
配置される前記素子を含む前記集積回路の前記表面との
間の距離を求めるステップと、前記接触面と前記堆積面
間の前記材料の圧縮に続いて前記圧縮面を形成するのに
充分な等角窓形成材が前記集積回路の前記表面上に配置
されていることを確認するステップと、からなる光透過
窓形成方法。
【0036】(16).第15項記載の方法であって、
前記成形化合物挿入ステップはさらに、前記鋳型の前記
空洞内に成形化合物を挿入するステップと、前記成形化
合物が前記圧縮面を取り囲むことを確認するステップ
と、前記成形化合物が前記材料に混和されないままであ
ることを確認するステップと、からなる光透過窓形成方
法。 (17).第16項記載の方法であって、前記硬化ステ
ップはさらに、前記鋳型に熱を加えるステップと、前記
鋳型を冷却してパッケージを製造するステップと、から
なる光透過窓形成方法。 (18). 第17項記載の方法であって、前記取り外
すステップはさらに、前記パッケージ内の前記圧縮面に
おいて前記光透過窓上に露出面が形成されることを確認
するステップと、前記窓の光透過性をテストするステッ
プと、からなる光透過窓形成方法。
【0037】(19). 消去可能集積回路12用光透
過性パッケージ50、およびその製造方法が開示され
る。パッケージ50は回路12を搭載したリードフレー
ム14を封止する。回路12はイレーザブルプログラマ
ブルリードオンリーメモリデバイスを含む消去可能な集
積回路である。成形化合物34と混和しない光透過窓材
18が回路12の表面30上に等角配置されている。窓
材18は回路12およびアセンブリーの他の部品に付着
しかつ硬化工程の後で光、特に紫外光線、に対して透過
性を示すゲル、ポリマープリフォーム、もしくは他の適
切な等角窓形成材である。成形化合物34および窓材1
8は鋳型20の空洞22内でその場で硬化される。空洞
22は窓材18を圧縮して窓材18と空洞22の接触面
26との間に平坦面32を形成する少なくとも一つの接
触面26を有している。窓材18と混和しない成形化合
物34が空洞22内へ挿入され硬化された後で回路12
の周りにパッケージ50を形成する。成形化合物34は
回路12、リードフレーム14の一部、および窓材18
を取り囲むが平坦面32上には堆積されない。平坦面3
2は硬化後に保護パッケージ50内の光透過窓54の露
出窓面52を形成する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による窓素子を有して形成されるパッケ
ージを包含した実施例のパッケージを形成する成形装置
の断面図である。
【図2】本発明の実施例による、露出面を有する光透過
窓を形成した成形保護パッケージの斜視図である。
【符号の説明】
10 成形装置 12 集積回路 14 リードフレーム 16a,16b ワイヤボンド 18 窓材 19 側面 20 鋳型 22 空洞 24a,24b,24c 面 26 接触面 28 距離 30 表面 32 平坦面 34 成形化合物 50 パッケージ 52 露出面

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光消去可能素子を有する集積回路パッケ
    ージであって、該パッケージは頂面、底面、および側面
    を有する光透過材であって、前記底面は光消去可能素子
    を含む前記集積回路の第1の領域上に等角配置され、前
    記光透過材の前記頂面は前記素子へ光を通す露出面を有
    する窓を画定する前記光透過材と、 前記回路の第2の領域および前記光透過材の前記側面を
    封止する成形化合物と、 を含む集積回路パッケージ。
  2. 【請求項2】 光により消去可能な素子を有する集積回
    路用パッケージ内に光透過窓を形成する方法であって、
    該方法は、 前記素子を含む前記集積回路の表面上に等角窓形成材を
    配置するステップと、 前記回路および前記等角材を鋳型に入れるステップと、 前記鋳型の接触面を前記等角窓形成材の一部と接触面に
    おいて係合させ、前記等角窓形成材の側面が前記接触面
    と前記集積回路の間に来るようにするステップと、 前記鋳型に成形化合物を挿入して、前記成形化合物が前
    記集積回路および前記側面を封止するようにするステッ
    プと、 前記成形材および前記等角窓形成材を硬化させて前記パ
    ッケージを形成するステップと、 前記鋳型から前記パッケージを取り外すステップと、 からなる光透過窓形成方法。
JP6290085A 1993-11-24 1994-11-24 集積回路パッケージおよびその光透過窓形成方法 Pending JPH07254657A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US157580 1993-11-24
US08/157,580 US6177040B1 (en) 1993-11-24 1993-11-24 Method for making light transparent package for integrated circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07254657A true JPH07254657A (ja) 1995-10-03

Family

ID=22564365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6290085A Pending JPH07254657A (ja) 1993-11-24 1994-11-24 集積回路パッケージおよびその光透過窓形成方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6177040B1 (ja)
JP (1) JPH07254657A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009302221A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Nec Electronics Corp 電子装置及びその製造方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1052595B1 (de) * 1999-05-14 2001-09-19 Sokymat Sa Transponder und Spritzgussteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
US7026170B1 (en) 2003-06-11 2006-04-11 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of controlling optical properties of a capping insulating layer on memory devices, and system for performing same
DE102018133344B4 (de) * 2018-12-21 2024-04-04 Infineon Technologies Ag Halbleiterpanels, halbleitergehäuse, und verfahren zu ihrer herstellung

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3585272A (en) * 1969-10-01 1971-06-15 Fairchild Camera Instr Co Semiconductor package of alumina and aluminum
US3706840A (en) * 1971-05-10 1972-12-19 Intersil Inc Semiconductor device packaging
US4203792A (en) * 1977-11-17 1980-05-20 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for the fabrication of devices including polymeric materials
IT1212711B (it) * 1983-03-09 1989-11-30 Ates Componenti Elettron Dispositivo a semiconduttore aforma di scheda piana con contatti elettrici su ambedue le facce eprocedimento per la sua fabbricazione.
JPS60239043A (ja) * 1984-05-14 1985-11-27 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置用パツケ−ジの製造方法
US5098630A (en) * 1985-03-08 1992-03-24 Olympus Optical Co., Ltd. Method of molding a solid state image pickup device
US4701999A (en) * 1985-12-17 1987-10-27 Pnc, Inc. Method of making sealed housings containing delicate structures
EP0268181B1 (en) * 1986-11-15 1992-07-29 Matsushita Electric Works, Ltd. Plastic molded pin grid chip carrier package
US5108955A (en) * 1988-10-27 1992-04-28 Citizen Watch Co., Ltd. Method of making a resin encapsulated pin grid array with integral heatsink

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009302221A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Nec Electronics Corp 電子装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6177040B1 (en) 2001-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5650915A (en) Thermally enhanced molded cavity package having a parallel lid
US3981074A (en) Method for producing plastic base caps for split cavity type package semi-conductor units
US3762039A (en) Plastic encapsulation of microcircuits
US6983537B2 (en) Method of making a plastic package with an air cavity
US4663833A (en) Method for manufacturing IC plastic package with window
US7312106B2 (en) Method for encapsulating a chip having a sensitive surface
US4812420A (en) Method of producing a semiconductor device having a light transparent window
US5115299A (en) Hermetically sealed chip carrier with ultra violet transparent cover
JP3173586B2 (ja) 全モールド型固体撮像装置およびその製造方法
US5098630A (en) Method of molding a solid state image pickup device
US4644384A (en) Apparatus and method for packaging eprom integrated circuits
KR100428271B1 (ko) 집적회로패키지와그제조방법
US6599770B2 (en) Process for manufacturing an optical device
JPH07254657A (ja) 集積回路パッケージおよびその光透過窓形成方法
JPH088364A (ja) 医療用画像センサーパッキング方法
EP0216935B1 (en) Solid-state image pickup device and method of manufacturing the same
US7473889B2 (en) Optical integrated circuit package
JP3685114B2 (ja) 固体撮像装置
US4498883A (en) Method of encapsulating a photoflash lamp using a powdered resin
JP2983767B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JP2784126B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージの製造方法
JPH0677451A (ja) 固体撮像装置
EP0499758A1 (fr) Boîtier moulé de circuit intégré à fenêtre et procédé de moulage
KR940005711B1 (ko) 이중몰딩 패키지 및 몰드 금형
JPH07114291B2 (ja) 光学センサ素子

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050315

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050615

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050620

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050915

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20051004