JPS59145552A - 複合物品 - Google Patents
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 87
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 47
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- -1 aluminum-aluminum metal compound Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 235000009827 Prunus armeniaca Nutrition 0.000 claims 1
- 244000018633 Prunus armeniaca Species 0.000 claims 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N aluminum lead Chemical compound [Al].[Pb] IZJSTXINDUKPRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical compound [AlH3].[AlH3] VRAIHTAYLFXSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- UCHOFYCGAZVYGZ-UHFFFAOYSA-N gold lead Chemical compound [Au].[Pb] UCHOFYCGAZVYGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000239290 Araneae Species 0.000 description 1
- 241001424309 Arita Species 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000972773 Aulopiformes Species 0.000 description 1
- 241000931705 Cicada Species 0.000 description 1
- 206010013647 Drowning Diseases 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000002834 Paulownia tomentosa Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- 206010035148 Plague Diseases 0.000 description 1
- 206010041349 Somnolence Diseases 0.000 description 1
- 241000607479 Yersinia pestis Species 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000905 alloy phase Inorganic materials 0.000 description 1
- JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N alumane;copper Chemical group [AlH3].[Cu] JRBRVDCKNXZZGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N dinuclear copper ion Chemical compound [Cu].[Cu] ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002224 dissection Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 150000002344 gold compounds Chemical class 0.000 description 1
- 208000014617 hemorrhoid Diseases 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VMWYVTOHEQQZHQ-UHFFFAOYSA-N methylidynenickel Chemical compound [Ni]#[C] VMWYVTOHEQQZHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010956 nickel silver Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 235000019515 salmon Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910000658 steel phase Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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- H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
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- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
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- H01L2224/48644—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
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- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
- H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48755—Nickel (Ni) as principal constituent
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- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
- H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48839—Silver (Ag) as principal constituent
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- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
- H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
- H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/48855—Nickel (Ni) as principal constituent
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気的用途に特別の有用性を有する睦Jニッケ
ル合金に関するものである。
ル合金に関するものである。
数多くの電子装置はシリコンチップ上に半辞体坂積回r
6を含むパッケージをオ]1用している。一般的には、
^1[記回路はリードフレーム乃MH’J−ド碑体のよ
うな別の′眠気部品へと1っ父ばそれより多いリードワ
イヤ2介して′山気的に接続されている。
6を含むパッケージをオ]1用している。一般的には、
^1[記回路はリードフレーム乃MH’J−ド碑体のよ
うな別の′眠気部品へと1っ父ばそれより多いリードワ
イヤ2介して′山気的に接続されている。
往々にして、前記リードワイヤは金から形成されている
。何故ならば金は電気伝尋度及び結合部に1−ぐれてい
るからである。しかしながら、金は高1出であるため、
リードワイヤとしてアルミニウム及びその合金のような
代替物質ケ用いようとする傾向がある。
。何故ならば金は電気伝尋度及び結合部に1−ぐれてい
るからである。しかしながら、金は高1出であるため、
リードワイヤとしてアルミニウム及びその合金のような
代替物質ケ用いようとする傾向がある。
リードフレームとカップの間に゛ル、気的徽続をもたら
′1−のに% MiJ記リードワイヤは一般的には該チ
ップの表面上の金属パッドに結合される。前記パッドは
チッソ0上に7%>、 イ”fさJしる金又はアルミニ
ウムのスポットから形成1−ることが出来る。
′1−のに% MiJ記リードワイヤは一般的には該チ
ップの表面上の金属パッドに結合される。前記パッドは
チッソ0上に7%>、 イ”fさJしる金又はアルミニ
ウムのスポットから形成1−ることが出来る。
当業界においては釜リードワイヤのような余部相かアル
ミニウムパッドのようなアルミニウム部。
ミニウムパッドのようなアルミニウム部。
相に結合される時に、適七゛件の間融があることか9・
]]られている。高温度にさらされた時アルミニウムと
金の組合せはある檎の金属間化合物を形成し、この化合
物が両部相間の冶金学的結合部の強度及び信頼性χ劣丁
させる可能性がある。この現象は紫疫(purplep
lague )と呼はれている。
]]られている。高温度にさらされた時アルミニウムと
金の組合せはある檎の金属間化合物を形成し、この化合
物が両部相間の冶金学的結合部の強度及び信頼性χ劣丁
させる可能性がある。この現象は紫疫(purplep
lague )と呼はれている。
この問題を防止するために多くの異なるアプローチか試
みられてきた。1つのアブローナにおいて、アルミニウ
ム・リードワイヤのみがアルミニウムパッド又はストラ
イプに結合され、金のリードワイヤのみがメッキされた
金パッド又q金ストライフ″′に結合される。場合によ
ってはワイヤタイツ0のものはリードフレーム金属乃至
合金には結合されない。
みられてきた。1つのアブローナにおいて、アルミニウ
ム・リードワイヤのみがアルミニウムパッド又はストラ
イプに結合され、金のリードワイヤのみがメッキされた
金パッド又q金ストライフ″′に結合される。場合によ
ってはワイヤタイツ0のものはリードフレーム金属乃至
合金には結合されない。
望ましくない金属間化合物の形hlvケ防止1−るため
のよりありふれた技法は結合されるへき部品の少なくと
も一方ンニッケル又はニッケルーωカ素のような逆当な
バリア物ノ員で被惨コーティングすることであった。前
記バリア物質は結合さハた怖朴間の拡散の結果とし℃金
属間化合物か形成さノ′シることq vr J)ニーa
−る。ギャリ氏盾による木国和許m3,781.596
号はそのよウナニツケルパリア層がアルミニウムパッド
及び金托間に弾入されているのケf11示している、そ
のようなバリアjvは望ずしくない金属間化合物lの形
成を防止するのに有効であるが、互いに結合さ!しるへ
き部材の一つ又はそれ以上に保護コーティング’l 1
1tS加するのに関連する伺カロ的費用が高いためにこ
のアノ0ローチは実用的ではない。加えるに、コーチイ
ンクの非−様性及びメンキされたコーティング内に少量
のメッキ溶液がとりこまれてこれが後にあぶく及び他の
欠陥2生ずるという間馳が存在する。史には、バリア物
質としてニッケルが用いられる時には、核ニッケルが高
温度にさらされた時にニッケル酸化物か形成され、これ
がきわめて除去しにくぐ、γ1iIa足にろつf□Jけ
されないとい5問題が生ずる。
のよりありふれた技法は結合されるへき部品の少なくと
も一方ンニッケル又はニッケルーωカ素のような逆当な
バリア物ノ員で被惨コーティングすることであった。前
記バリア物質は結合さハた怖朴間の拡散の結果とし℃金
属間化合物か形成さノ′シることq vr J)ニーa
−る。ギャリ氏盾による木国和許m3,781.596
号はそのよウナニツケルパリア層がアルミニウムパッド
及び金托間に弾入されているのケf11示している、そ
のようなバリアjvは望ずしくない金属間化合物lの形
成を防止するのに有効であるが、互いに結合さ!しるへ
き部材の一つ又はそれ以上に保護コーティング’l 1
1tS加するのに関連する伺カロ的費用が高いためにこ
のアノ0ローチは実用的ではない。加えるに、コーチイ
ンクの非−様性及びメンキされたコーティング内に少量
のメッキ溶液がとりこまれてこれが後にあぶく及び他の
欠陥2生ずるという間馳が存在する。史には、バリア物
質としてニッケルが用いられる時には、核ニッケルが高
温度にさらされた時にニッケル酸化物か形成され、これ
がきわめて除去しにくぐ、γ1iIa足にろつf□Jけ
されないとい5問題が生ずる。
別のアプローチはリードワイヤ、リードフレーム、バ′
ツド及びその類いに用いる物質として金及びアルミニウ
ム以外の物質7探イことであった。
ツド及びその類いに用いる物質として金及びアルミニウ
ム以外の物質7探イことであった。
J穎もひんはんにh及される上記ll勿質の中にはニッ
ケル及びその合金、鈷及びその合金、コバルト及びその
合金部ひに鋼及びその合金が含まれろ、例えは、ホワイ
ト氏による米国l(す計第3.217.401号VCお
いては、ニッケル又は銅リードワイヤかアルミニウムで
被援され次に半導体装置のシリコン層に対して(′II
+圧されている。ペイライン民等による米国〕持f?+
′第4.CI 96.983号においては、アルミナセ
ラミック基紙体上の金膜に銅ワイヤリードン結合する方
法か開示されている。
ケル及びその合金、鈷及びその合金、コバルト及びその
合金部ひに鋼及びその合金が含まれろ、例えは、ホワイ
ト氏による米国l(す計第3.217.401号VCお
いては、ニッケル又は銅リードワイヤかアルミニウムで
被援され次に半導体装置のシリコン層に対して(′II
+圧されている。ペイライン民等による米国〕持f?+
′第4.CI 96.983号においては、アルミナセ
ラミック基紙体上の金膜に銅ワイヤリードン結合する方
法か開示されている。
リードフレーム又はリード導体及び他の電気部品Yコパ
ールのようなニッケル、鉄及び/又はコバルトの合金部
びに釦j合金c72500及びニッケル銀のようなリン
青砲、赤黄外1、駅銅及び鋼ニッケルを含む鉋の合金か
ら形成せしめることが提案されている、シバタ氏の米国
特許第3.!:168.301号、コックスジュニア氏
のi 3.689,684 号、オリファントジュニア
氏の第3.832.769号及びアリタ氏の第4,36
7.0’89号並びにNlckelTopics誌(第
8頁)の記事「ストライプ状σ)OA725(9%ニッ
ケル)は金の代りになり仕事の貿用馨〃1」約する」に
はこノtらの眠気部品VC用いられた種々の物質が例示
さハている。
ールのようなニッケル、鉄及び/又はコバルトの合金部
びに釦j合金c72500及びニッケル銀のようなリン
青砲、赤黄外1、駅銅及び鋼ニッケルを含む鉋の合金か
ら形成せしめることが提案されている、シバタ氏の米国
特許第3.!:168.301号、コックスジュニア氏
のi 3.689,684 号、オリファントジュニア
氏の第3.832.769号及びアリタ氏の第4,36
7.0’89号並びにNlckelTopics誌(第
8頁)の記事「ストライプ状σ)OA725(9%ニッ
ケル)は金の代りになり仕事の貿用馨〃1」約する」に
はこノtらの眠気部品VC用いられた種々の物質が例示
さハている。
不幸なことに、銘1及び銅合金部材をアルミニウム含有
部′4ソに結合才ると銅−アルはニウム金属間化合物を
形成することになる。こ11らの鯖−アルミニウム金属
間化合物は脆fヒし易く、部材間Q〕結合の一体性ン劣
下せしめろ。こitらの化合物は又結合された部材の電
気伝導度特性にも悪影N乞与える。これら□の望ましく
ない金属間化合物のプレ欣を防止するために、半嗜体寮
造業者はリードワイヤ+7) ヨ57.Cアルミニウム
部相がリードフレームのようン、C卸11部拐に結合さ
ノしる領域に欽メッキされたストライフ’ Y f、>
力11シてきた。蝉(メツキスドライブの代りにニッケ
ルメッキ表面も又用いられてきた。
部′4ソに結合才ると銅−アルはニウム金属間化合物を
形成することになる。こ11らの鯖−アルミニウム金属
間化合物は脆fヒし易く、部材間Q〕結合の一体性ン劣
下せしめろ。こitらの化合物は又結合された部材の電
気伝導度特性にも悪影N乞与える。これら□の望ましく
ない金属間化合物のプレ欣を防止するために、半嗜体寮
造業者はリードワイヤ+7) ヨ57.Cアルミニウム
部相がリードフレームのようン、C卸11部拐に結合さ
ノしる領域に欽メッキされたストライフ’ Y f、>
力11シてきた。蝉(メツキスドライブの代りにニッケ
ルメッキ表面も又用いられてきた。
本発明の1つの目的はアルミニウム官有部材に結合1−
ることの出来る剰1リベース合金部相であってell−
アルミニウム全1f+5間化合物の形成か少ない銅ベー
ス合金部朴ンJ8供することである。
ることの出来る剰1リベース合金部相であってell−
アルミニウム全1f+5間化合物の形成か少ない銅ベー
ス合金部朴ンJ8供することである。
本ヴへ明の別の目的はアルばニウム倉有部拐に結合さi
tjる劇ベース合金部枳であって、改−倶された9Dr
度及び一体(9Eを特命とする結合1qミ乞有する用ベ
ース合金f113徊を提供1〜ることである。
tjる劇ベース合金部枳であって、改−倶された9Dr
度及び一体(9Eを特命とする結合1qミ乞有する用ベ
ース合金f113徊を提供1〜ることである。
本発明の別の目的はアルミニウム含有部相に結合出来る
前述の附ベース合金であって、!侍に串、気B’i J
fJ途に有用性7有マろ物品を形成出来るような釦jベ
ース合金Z提供することである。
前述の附ベース合金であって、!侍に串、気B’i J
fJ途に有用性7有マろ物品を形成出来るような釦jベ
ース合金Z提供することである。
これらの目的及び史に別の目的は以下の説明及び付図か
ら明らかになるであろう。
ら明らかになるであろう。
本発明によれば、アルミニウム官有部材に結合され、得
る鋼ベース合金であって形成される鋼−アルミニウム金
属間化合物のレベルがl」・さい帽ベース合金が開示さ
れている。約1b%又はそれ以上のニッケルを格5力!
、+−fること((より望茹しぐないシーーアルミニウ
ム金属1’、Aj化合物の核発生靭1度及びその後の成
長速度か抑?tiljされるというごとか4−11明し
ている。
る鋼ベース合金であって形成される鋼−アルミニウム金
属間化合物のレベルがl」・さい帽ベース合金が開示さ
れている。約1b%又はそれ以上のニッケルを格5力!
、+−fること((より望茹しぐないシーーアルミニウ
ム金属1’、Aj化合物の核発生靭1度及びその後の成
長速度か抑?tiljされるというごとか4−11明し
ている。
アルミニウム¥!i!lIに結合さ!しるへ゛き鋼部相
か約15%から約30弼のニッケルケ含む卸すベース合
金から形成される時′に良好な結果が得られることが判
明している。丙−ましい実施例においては、地部材は約
19係から約26%のニッケルン含む矩ベース合金から
形成される。
か約15%から約30弼のニッケルケ含む卸すベース合
金から形成される時′に良好な結果が得られることが判
明している。丙−ましい実施例においては、地部材は約
19係から約26%のニッケルン含む矩ベース合金から
形成される。
本発明は畔]部和かアルミニウム含有部わVこ結合され
るよ5な集積回路組立体にお℃・て特別の有用性を備え
ていることか伯1明した。例えは、R1I記鋼部側はア
ルミニウムリードワイヤに結合されるリードフレームと
することが出来ろ。ここvc M I#」されろニッケ
ル含有鋼ベース合金は生碑体パッケージのためのリード
フレーム、リードワイヤ及び/又はビームリードテーラ
0ン形成するのに用いることが出ンSろ。
るよ5な集積回路組立体にお℃・て特別の有用性を備え
ていることか伯1明した。例えは、R1I記鋼部側はア
ルミニウムリードワイヤに結合されるリードフレームと
することが出来ろ。ここvc M I#」されろニッケ
ル含有鋼ベース合金は生碑体パッケージのためのリード
フレーム、リードワイヤ及び/又はビームリードテーラ
0ン形成するのに用いることが出ンSろ。
アルミニウム部相に結合されるh1f記釦1部林はニッ
ケル含有銀合金単体から形成しても良いし、ニッケル“
含有胎合金ン含む沖合材から形成1−ることも出来る。
ケル含有銀合金単体から形成しても良いし、ニッケル“
含有胎合金ン含む沖合材から形成1−ることも出来る。
沖合宿迄体の一部として用いらゎ、る時tLは、1Vj
I記ニッケル自有剣1合金はクラッチゝイング牧)質又
はコア物質のいづれとしても用いろことが出来る。
I記ニッケル自有剣1合金はクラッチゝイング牧)質又
はコア物質のいづれとしても用いろことが出来る。
以下句図をh照して本発明のより具体的7f祝明を行な
う。
う。
本発明[よf’Lは、前述の目的及びオリ点は容易に達
成びtjる。
成びtjる。
次に第1図ン参照′″′4−ると、集積回路組立体1゜
がレリ示さJlて(・る、、前記ボ目立体1oは金〃゛
蝋ベース14上に装着さえした集積1回路チップ12ン
1.(mえてイル。前記チップ12けシリコン5!、は
ケ8ルマニウムのような洒当な1勿質から形成1−るこ
とが出来、例えは凄着剤の如き適酒な方法によってベー
ス14に鋲7!ir1〜ることか出来る。ソー1フレー
ム18からの一枕数個のり−ド16も又ベース14に装
着さ]する。前記リード16はそれらン訪電体物質15
に結合することにより4−スに装着することが可能であ
り、当該物質15はベース14vcu合される。
がレリ示さJlて(・る、、前記ボ目立体1oは金〃゛
蝋ベース14上に装着さえした集積1回路チップ12ン
1.(mえてイル。前記チップ12けシリコン5!、は
ケ8ルマニウムのような洒当な1勿質から形成1−るこ
とが出来、例えは凄着剤の如き適酒な方法によってベー
ス14に鋲7!ir1〜ることか出来る。ソー1フレー
ム18からの一枕数個のり−ド16も又ベース14に装
着さ]する。前記リード16はそれらン訪電体物質15
に結合することにより4−スに装着することが可能であ
り、当該物質15はベース14vcu合される。
抑数個のリードワイヤ20かチップ12及びリード16
に結合され、これらの間に重気的徽続部を形成している
。前記リードワイヤ2oは例えはサーモンニックボンヂ
イング、熱圧縮ボンディング、超旨鼓ボンディング等の
〕加当な慣用技法を用いて前記チップ12及びリード1
6に結合することか出来る。一般的には、h;J記す−
ドヮイヤ2゜はチップ12の表面24上の複数イ向の
パッド22に結合さり、る。
に結合され、これらの間に重気的徽続部を形成している
。前記リードワイヤ2oは例えはサーモンニックボンヂ
イング、熱圧縮ボンディング、超旨鼓ボンディング等の
〕加当な慣用技法を用いて前記チップ12及びリード1
6に結合することか出来る。一般的には、h;J記す−
ドヮイヤ2゜はチップ12の表面24上の複数イ向の
パッド22に結合さり、る。
集積回路=n立体の棹々の部品には多ぐの異なる物質か
月4いられている。例えは、前Sピ1)−1’i6及び
リードフレーム18は刻]り及び銅合金から形5Vされ
てセリ、リードワイヤ2υはアルミニウムンイヤであり
、パッド22は表面24上にメッキされた金のスポット
であった。これらの物質で組立体ビ刑成1〜る時の生鰻
なj■」趙点はφ1(リーアルdニウム金如聞化合物及
び金−アルミニウム金属間化合物のような= −t L
−<ない金属間化合物の形成であり、こねらの化合物は
前配袖々の部品間の冶金学的結合部σ)Ti気伝褥〃(
、ろうイqけ悦1、延性、一体す1三及 びイ3 累I
J1≦トにp基ζ力七シり叶 3七・ツクは−1−。
月4いられている。例えは、前Sピ1)−1’i6及び
リードフレーム18は刻]り及び銅合金から形5Vされ
てセリ、リードワイヤ2υはアルミニウムンイヤであり
、パッド22は表面24上にメッキされた金のスポット
であった。これらの物質で組立体ビ刑成1〜る時の生鰻
なj■」趙点はφ1(リーアルdニウム金如聞化合物及
び金−アルミニウム金属間化合物のような= −t L
−<ない金属間化合物の形成であり、こねらの化合物は
前配袖々の部品間の冶金学的結合部σ)Ti気伝褥〃(
、ろうイqけ悦1、延性、一体す1三及 びイ3 累I
J1≦トにp基ζ力七シり叶 3七・ツクは−1−。
少/、cくとも約15%のニッヶルン含む餉ベース台ぐ
かアルミニウムリッチを花材に矛古合されると、酒d(
合金か者しく低いレベルの餉−アルミニウム金属間化合
物しか形成しないと(ミう拐〈べきη、実が判ゆ」した
。この結果、前述の;i:h合性の14J題?7版少さ
ゼる明がDJ能であり、とえ金MYメッキしたり金の部
ai’+ ’(用いるという方法がいらなくなる。例え
ば、集積[q1路組立体の前記リードフレーム及び/ン
は+7−ドワイヤはここに説ゆ4さとるニッケル含有゛
卸合金から形成’−tろことか出来る。カeえろに、チ
ツフ′上の金リードワイヤ及び/父は金パツドはアルミ
ニウムリードワイヤ〃び/又はパッド装置4翼大ろこと
が出来る。
かアルミニウムリッチを花材に矛古合されると、酒d(
合金か者しく低いレベルの餉−アルミニウム金属間化合
物しか形成しないと(ミう拐〈べきη、実が判ゆ」した
。この結果、前述の;i:h合性の14J題?7版少さ
ゼる明がDJ能であり、とえ金MYメッキしたり金の部
ai’+ ’(用いるという方法がいらなくなる。例え
ば、集積[q1路組立体の前記リードフレーム及び/ン
は+7−ドワイヤはここに説ゆ4さとるニッケル含有゛
卸合金から形成’−tろことか出来る。カeえろに、チ
ツフ′上の金リードワイヤ及び/父は金パツドはアルミ
ニウムリードワイヤ〃び/又はパッド装置4翼大ろこと
が出来る。
少なくとも約15%のニッケル蔭加物な含む姉す合金は
アルミニウムリッチな金属1…化合物形成作用ケ抑制′
fることが出来ろ。^11訃:合金内のニッケルは銅の
拡散速度ケ碌連せしめることによりこれらの望ましく/
Xい金属間化合物の杉発生迭114″及び成長速度ン判
+ 1)11−1−ろものと力えら尤;る。そσ)結果
、9ib・1とアルミニウム含有iη(≦H間に形成さ
れる結合部には改−+−?き、f7た弘贋、市気的伝痔
1y、ろ5rJヒ)性及び1幾樫1均一1本性が借られ
4)。
アルミニウムリッチな金属1…化合物形成作用ケ抑制′
fることが出来ろ。^11訃:合金内のニッケルは銅の
拡散速度ケ碌連せしめることによりこれらの望ましく/
Xい金属間化合物の杉発生迭114″及び成長速度ン判
+ 1)11−1−ろものと力えら尤;る。そσ)結果
、9ib・1とアルミニウム含有iη(≦H間に形成さ
れる結合部には改−+−?き、f7た弘贋、市気的伝痔
1y、ろ5rJヒ)性及び1幾樫1均一1本性が借られ
4)。
本発明に脩るt:o、j @金は約15%から約30%
の節回のニラクル含有率馨有しているべきである。
の節回のニラクル含有率馨有しているべきである。
好ましぐは、部1hピニッケル含有率は約19%から約
26%σ)n・1囲にある。前記七省内には1つ又はそ
れ以」二の4+ 7−+p +的j九プζか存在してい
てもRいか、゛ 当該元素(・まニッケル添力1]元素
の役割ンD害ぜ1°、(1jlの望ましい和性に危く#
勧乞及丙さないことが前十是粂注である。門トカ1]す
ることσ)出来るう己素には」乙釦、・マンガン、鉄、
錫、クローム及びモリブチ8ンか含まれろ。こ11もの
元素は以下のレベルにおいて存在していても良い。ji
’1.lちMi+嚢書ま約25係速いマンガンは約6%
迄、鉄は約1%迄、炬・は約1%迄、クロームは約5雀
迄及びモリブデンは約2雀迄である。力11えるに、ア
ルミニウム及び/又はケイ素ンハ1■紀ニッケル含有台
金に添力1j して1IIII酸化性ン改善し、より商
度の強黒及び剛曲げ疲労強度乞提伊−イーることが出来
る。q+、l Nf金合金約1雀迄のアルεニウム及び
/又は約1雀迄のケイ素を含むことが出来る。ここでは
、表示の自分率は也漏・自分イ・(%)ケ示している。
26%σ)n・1囲にある。前記七省内には1つ又はそ
れ以」二の4+ 7−+p +的j九プζか存在してい
てもRいか、゛ 当該元素(・まニッケル添力1]元素
の役割ンD害ぜ1°、(1jlの望ましい和性に危く#
勧乞及丙さないことが前十是粂注である。門トカ1]す
ることσ)出来るう己素には」乙釦、・マンガン、鉄、
錫、クローム及びモリブチ8ンか含まれろ。こ11もの
元素は以下のレベルにおいて存在していても良い。ji
’1.lちMi+嚢書ま約25係速いマンガンは約6%
迄、鉄は約1%迄、炬・は約1%迄、クロームは約5雀
迄及びモリブデンは約2雀迄である。力11えるに、ア
ルミニウム及び/又はケイ素ンハ1■紀ニッケル含有台
金に添力1j して1IIII酸化性ン改善し、より商
度の強黒及び剛曲げ疲労強度乞提伊−イーることが出来
る。q+、l Nf金合金約1雀迄のアルεニウム及び
/又は約1雀迄のケイ素を含むことが出来る。ここでは
、表示の自分率は也漏・自分イ・(%)ケ示している。
説明されたニッケル10i4j合金は任かの1ハ用の方
法で錫J造1−ることか出来る。棺ボの勧進方法はり身
に決力!的/工都1月では7jぐ、1θ接チル父は理絖
納造のような泊I当な方法ン採用1−ること力)出来ろ
。
法で錫J造1−ることか出来る。棺ボの勧進方法はり身
に決力!的/工都1月では7jぐ、1θ接チル父は理絖
納造のような泊I当な方法ン採用1−ること力)出来ろ
。
1造の後、Mi+記合金合金当な処理手順に従って加工
することが出来る。用いられる加工プロセスは当該合金
に句与すべき特性とその用途に依存1−る。
することが出来る。用いられる加工プロセスは当該合金
に句与すべき特性とその用途に依存1−る。
例えは、nil記ニッケル含有銅合金は適当な開始温度
を以って熱間圧延することか出来る。熱間圧姑の後、前
記合金は少なくとも一回の中間yt、釜ψン施1−か施
さないで1つ父ばそれ以上のステップで最終の板塊迄冷
間圧処−4−ろことか出来る・宵を終機厚に仕上げられ
た後Mi記全合金それにハr望の調質カI果に与えるた
めにiβ1当な熱射8!ンMIJりす手が出来る。
を以って熱間圧延することか出来る。熱間圧姑の後、前
記合金は少なくとも一回の中間yt、釜ψン施1−か施
さないで1つ父ばそれ以上のステップで最終の板塊迄冷
間圧処−4−ろことか出来る・宵を終機厚に仕上げられ
た後Mi記全合金それにハr望の調質カI果に与えるた
めにiβ1当な熱射8!ンMIJりす手が出来る。
種々の処理段階を当業界周知の態様で゛実施1−ること
か出来る。
か出来る。
所望の和゛性及び/又はル4躍、川を・晦えるよう処理
された供前記ニッケル包有矩合金は所望の壊・1品に製
作1″ることか出来る。例えは前記@金はリードフレー
ム18、リードワイヤ20、リードフームテーフ026
又は10シの物品へと形成することか出来る。こ才′シ
らσ)Dt望の物ノ品’r J+;成1−ろのに当粟界
で周矢IJ O)弘当な製作ナヌ法を用いることか出え
ろ。
された供前記ニッケル包有矩合金は所望の壊・1品に製
作1″ることか出来る。例えは前記@金はリードフレー
ム18、リードワイヤ20、リードフームテーフ026
又は10シの物品へと形成することか出来る。こ才′シ
らσ)Dt望の物ノ品’r J+;成1−ろのに当粟界
で周矢IJ O)弘当な製作ナヌ法を用いることか出え
ろ。
Q+望とあらば、前記ニッケル含有拒合釜(・エアルミ
ニウム剖拐ン結合1−べき抄・合構造体の一梢として月
1℃・ることが出来ろ。前記ケ合惚ん体はクラツディン
グ又はコア物質乞)し欣1−るニッケル含有チ5合金に
より二車又は二車にクラッドされることか可能である。
ニウム剖拐ン結合1−べき抄・合構造体の一梢として月
1℃・ることが出来ろ。前記ケ合惚ん体はクラツディン
グ又はコア物質乞)し欣1−るニッケル含有チ5合金に
より二車又は二車にクラッドされることか可能である。
もしも01丁記麹合偵造体か、リードフレーム父はビー
ムリードテープとして月・いらハろ時にはnJ記ニッケ
ル含有デ凹合金はyすましくはクラツディング物質とし
て用いらハ、一方前討コア物黄は蜘1合金015100
、(363800゜063810、C110Ll[J及
び019400のような適当な金属又は合金から形成寸
ゐことが出来る。ハ1[記ニッケル含有銅合金火りラツ
ディングq勿)f荘として月1いることにより、アルシ
ミニウム音13拐にFi’i合1−ろことの出来る溺足
な表面が提イμされろ。
ムリードテープとして月・いらハろ時にはnJ記ニッケ
ル含有デ凹合金はyすましくはクラツディング物質とし
て用いらハ、一方前討コア物黄は蜘1合金015100
、(363800゜063810、C110Ll[J及
び019400のような適当な金属又は合金から形成寸
ゐことが出来る。ハ1[記ニッケル含有銅合金火りラツ
ディングq勿)f荘として月1いることにより、アルシ
ミニウム音13拐にFi’i合1−ろことの出来る溺足
な表面が提イμされろ。
本発明を例示1−るために5つの秩合拐か用急された。
これらのれ金相はアルミニウム合金1100のストリッ
プを次のコア物質にクラッド結合させたものからなって
いる。 CIIZiJ合KO110Cj[Jのストリン
ツブ、(2)基本H′−Jに約10%のニッケルと残余
θ)基本1」9に制用とからなる鎗合金のストリップ、
(3)基本的に1.i 2 []%のニッケル及び残余
の基本的に餉とからなる卸1合金のストリップ、(41
基本的に約60%のニッケル及び残余の基本的にtl「
;とから/fる静す合金のストリップ0、並びに(5)
ニッケル合金200のストリレツブである。前記ネル合
相は登録Hy標PO8工T−BONDボンディング方法
乞用(・て形成された。
プを次のコア物質にクラッド結合させたものからなって
いる。 CIIZiJ合KO110Cj[Jのストリン
ツブ、(2)基本H′−Jに約10%のニッケルと残余
θ)基本1」9に制用とからなる鎗合金のストリップ、
(3)基本的に1.i 2 []%のニッケル及び残余
の基本的に餉とからなる卸1合金のストリップ、(41
基本的に約60%のニッケル及び残余の基本的にtl「
;とから/fる静す合金のストリップ0、並びに(5)
ニッケル合金200のストリレツブである。前記ネル合
相は登録Hy標PO8工T−BONDボンディング方法
乞用(・て形成された。
各松合わの試料は200℃、3.00℃及び400℃に
おいて焼鈍された。炉、銚時間は62時間迄にわたって
いた。その後前記試料は金属間化合物があるかどうか金
属組織学的に吟味された〇各焼鈍条件において各桐相試
片内に峰められたん太の金属間化合物ノリ賭が表1に要
約されている。
おいて焼鈍された。炉、銚時間は62時間迄にわたって
いた。その後前記試料は金属間化合物があるかどうか金
属組織学的に吟味された〇各焼鈍条件において各桐相試
片内に峰められたん太の金属間化合物ノリ賭が表1に要
約されている。
表 1
最大の金属間化合物J卑吐(μm)
時 間 (h)
初台徊 γ品度 2 4 8 16 32AL
Vc1100 200 [J、39 0.39
0.78 tJ、78 0.78んMOu、t−1O
Ni 200 [J U、39 0.78
(3,69[J、78A、VC!u+2ONi
200 fJ OOOoろ9
0.39Ai/Cu+3ONi 20口
0[J[J[J[JAi21N12[JOO000L
I Q、5 1 2 4 B ’+6A
JVCIIO30[J 1.61.6 2.3 3
.1 3.13.ソAJ!/10u+IQNi
300 1.6 1.6 2.3 2.3
ろ、1 4.7Ai/10u+2QNi
ろ00 [J IJ、78 1
.6 2.3 2.33.1A410u+3O
Ni 300 0 C
111口 0 UA」少イNi
30oociauo。
Vc1100 200 [J、39 0.39
0.78 tJ、78 0.78んMOu、t−1O
Ni 200 [J U、39 0.78
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0.39Ai/Cu+3ONi 20口
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I Q、5 1 2 4 B ’+6A
JVCIIO30[J 1.61.6 2.3 3
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300 1.6 1.6 2.3 2.3
ろ、1 4.7Ai/10u+2QNi
ろ00 [J IJ、78 1
.6 2.3 2.33.1A410u+3O
Ni 300 0 C
111口 0 UA」少イNi
30oociauo。
Q、b124816
Ak/c110 400 6.2 7
シ、310.9 16 21.8A4/cu+10t
vi 400 5.4 7 11.7 16
20.227.2A7/Cu+2ONi 400
3−9 5.4 7.810.1 14.4 1
6AjvCu+3ONi 400 1.6 0
.78 2.3 2.3 5.4 6.2Mハ
i 400 0−39[J、78 L6
2.3 2.3 4.7このデータは不発1力に従う
ニッケル添力ll!l勿か餉用−アルミニウム金漢間化
合物形成速1j3’: Y 1目的に抑11ilI し
ていろということケ示して(・ろ。
シ、310.9 16 21.8A4/cu+10t
vi 400 5.4 7 11.7 16
20.227.2A7/Cu+2ONi 400
3−9 5.4 7.810.1 14.4 1
6AjvCu+3ONi 400 1.6 0
.78 2.3 2.3 5.4 6.2Mハ
i 400 0−39[J、78 L6
2.3 2.3 4.7このデータは不発1力に従う
ニッケル添力ll!l勿か餉用−アルミニウム金漢間化
合物形成速1j3’: Y 1目的に抑11ilI し
ていろということケ示して(・ろ。
[)tJ M12ニッケル含有合金は集積回路組立体の
ための部品用として部門されてきたが、当該合金はli
a部拐かアルミニウム部セに結合され、銅−アルミニウ
ム金が、間化合物のjp Iiンipi小に押えたいと
いう1]1シの用途にも用いることか出来る。
ための部品用として部門されてきたが、当該合金はli
a部拐かアルミニウム部セに結合され、銅−アルミニウ
ム金が、間化合物のjp Iiンipi小に押えたいと
いう1]1シの用途にも用いることか出来る。
炉1図においては制別のタイプの11−積[I−1]路
糾立体が例示さJtだか、本発明の銅合金部イソはイ1
1フのタイプ0の片41″(回路組や体にも用いる事か
出来る。例えは、本会111合金部わば1つ又はそれ以
上のアルミニウム又はアルミニウム合金ワイヤによって
チップに’f’j:気的に接続される支柱電気部品又は
佃の電気部品ケ構成するq」が出来る、 本発明によれは、不明細刊において述べた目8す、手段
及び第1」カン十分満足する、銅−アルミニウム金属間
化合物の成長ケ抑制出沫る動・1合金か提供されている
ことは明白でル)る。本発明はその特定の実施f14と
1lili合せて酸1明されてきたが、teil址の説
明より当業渚には多くの代替例、イレ整例及び変史例が
汁んでくることは明らかて゛ある。従って、そのような
全ての代替例、(l、+」タイプ11及び亥史例(ま徒
W「誼求の筋」四のね神に含まれろものと理′Mされた
い。
糾立体が例示さJtだか、本発明の銅合金部イソはイ1
1フのタイプ0の片41″(回路組や体にも用いる事か
出来る。例えは、本会111合金部わば1つ又はそれ以
上のアルミニウム又はアルミニウム合金ワイヤによって
チップに’f’j:気的に接続される支柱電気部品又は
佃の電気部品ケ構成するq」が出来る、 本発明によれは、不明細刊において述べた目8す、手段
及び第1」カン十分満足する、銅−アルミニウム金属間
化合物の成長ケ抑制出沫る動・1合金か提供されている
ことは明白でル)る。本発明はその特定の実施f14と
1lili合せて酸1明されてきたが、teil址の説
明より当業渚には多くの代替例、イレ整例及び変史例が
汁んでくることは明らかて゛ある。従って、そのような
全ての代替例、(l、+」タイプ11及び亥史例(ま徒
W「誼求の筋」四のね神に含まれろものと理′Mされた
い。
第1図は年積回路組泣体の1!1)T面図であり、外積
回路チップの表面上のパッド’Y IJ−ドフレームの
DJ ?31Sと連結しているワイヤ溶体7示して℃・
る、第2図はリードフレームの平raJ図、第6図はビ
ームリードテープの平面図である。 18・・リードフレーム、20・・リードワイヤ、12
・半導体チップ、22・・パッド 代理人 浅 村 皓
回路チップの表面上のパッド’Y IJ−ドフレームの
DJ ?31Sと連結しているワイヤ溶体7示して℃・
る、第2図はリードフレームの平raJ図、第6図はビ
ームリードテープの平面図である。 18・・リードフレーム、20・・リードワイヤ、12
・半導体チップ、22・・パッド 代理人 浅 村 皓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) アルミニウム含有物買から形成された第1の
部材(20)と、銅含有q9/J質から形成された第2
の部材(18,22)とを有し、前記第1及び第2の部
材は互いに結合されている沖合物品において、前記第2
の部材(18,22)は少なくとも15%のニッケル及
び残余の基本的に鋤とからなる銅ベース合金によって形
成されており、iji記紳リベすス合金は側rj−アル
ミニウム金属間化合物のルy長乞抑制していることン特
普とする沖合物品。 (2) 特許請求の範囲第1項に記載の沖合物品にお
いて、前記鋼ベース合金か4本的に約15%から約30
%σ)ニッケルと残余の基本的に鋼とからなっているこ
とを特徴とする沖合物品。 (3)特許請求の範囲第1項に記載の沖合物品[おいて
、前記鋼ベース合金は基本的に約19%から約26%の
ニッケル及び残余の基本的[納とからなっていること乞
%徴とする沖合物品。 (4)特許請求の範囲第1項に記載の沖合物品において
、該物品は集積回路組立体ケ有しており、前記第2の部
材はυ〜ドフレームC1C13)しており、前記第1の
部材は前記リードフレームに結合されたリードワイヤ(
20)v有していることを%徴とてる沖合物品、 (5)Ill′81′許請求の範囲第1項に記載の沖合
物品において、該物品は半導体チップ(12)’Y備え
た集積回路組や体を臀しており、前記第1の部材は前記
チップ0の表面上にパッド(22)v有しており、前記
第2の部材は前記パッドに結合されたリードワイヤ(2
0)Y有していること乞特徴とする沖合物品。 (6) %計請求の範囲第1項に記載の初台物1品に
おいて、該沖合物品は半導体チップ(12)を備えた年
積回路組立体を有しており、前記第2の部υは電気的に
導電性の部材(18,22)を有しており、前記第1の
部材は前記チップ及び前記第2の部材間に接続部を形成
でる少なくとも1本のワイヤ(20)2有していること
乞特徴とてるネぷ合勺勿品。 (7)特許請求の範囲第1項に81載の沖合物品におい
て、前記第2の部徊はクラツディング物質としての前記
銅ベース合金と金属又は合金のコアと乞備えた沖合構造
体ケ有していることを%葎と1−るネ〃合物品。 (8)特許請求の」リシ囲第1項に1戦の初合物品にお
いてtqIJ記剰1」ベース合金は約1%迄のアルミニ
ウムを含んでいること乞特徴とする伏合物ノ晶。 (9+ t+> g’r g青水の!i) la」m
1 mに記載の初会9勿品において、14il記鋼ベ
一ス合金は約1%迄のケイ系を含んでいることン斗寺り
と才る初@9勿品。 0()) アルミニウム含有部N4 (20) [結
合された銅含有部拐(18,22)を備えた物品におけ
ろ胎−アルミニウム金属1出化合物の成長を用ノ制する
方法であって、該方法は前記附含有部相(18゜22)
Y基本1」9に少なくとも約15係のニッケルと残余の
基本的に鋼とからなる鉋ベース合金から形成する段1竹
と、前記鋼ベース合金娶前記アルミニウム含有部材に結
合1−る段階とを有イろことン特徴とする沖合物品。 θ1)特許請求の範囲第10項に記載の方法において、
前記銅ベース合金が基本的に約15係から約60%のニ
ッケル及び残余の基本的に銅とからなることン特徴とす
る方法。 (12) 特許請求の範囲第10項に記載の方法にお
いて、前記鋼ベース合金か基本的に約19%から約26
%のニッケル及び)A金の基本的に蛸とからなること乞
特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US457605 | 1983-01-13 | ||
US06/457,605 US4498121A (en) | 1983-01-13 | 1983-01-13 | Copper alloys for suppressing growth of Cu-Al intermetallic compounds |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59145552A true JPS59145552A (ja) | 1984-08-21 |
Family
ID=23817391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59004654A Pending JPS59145552A (ja) | 1983-01-13 | 1984-01-13 | 複合物品 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4498121A (ja) |
EP (1) | EP0116844A3 (ja) |
JP (1) | JPS59145552A (ja) |
CA (1) | CA1219104A (ja) |
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