JPH02170937A - ダイレクトボンディング性の良好な銅合金 - Google Patents

ダイレクトボンディング性の良好な銅合金

Info

Publication number
JPH02170937A
JPH02170937A JP63324782A JP32478288A JPH02170937A JP H02170937 A JPH02170937 A JP H02170937A JP 63324782 A JP63324782 A JP 63324782A JP 32478288 A JP32478288 A JP 32478288A JP H02170937 A JPH02170937 A JP H02170937A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper alloy
less
weight
alloy
deteriorated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63324782A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2714560B2 (ja
Inventor
Masahiro Tsuji
正博 辻
Hiroaki Watanabe
宏昭 渡辺
Takatoki Fukuda
福田 孝祝
Masanori Tokita
時田 正憲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tatsuta Electric Wire and Cable Co Ltd
Eneos Corp
Original Assignee
Nippon Mining Co Ltd
Tatsuta Electric Wire and Cable Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Mining Co Ltd, Tatsuta Electric Wire and Cable Co Ltd filed Critical Nippon Mining Co Ltd
Priority to JP63324782A priority Critical patent/JP2714560B2/ja
Publication of JPH02170937A publication Critical patent/JPH02170937A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2714560B2 publication Critical patent/JP2714560B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43Manufacturing methods
    • H01L2224/438Post-treatment of the connector
    • H01L2224/43848Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01012Magnesium [Mg]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01022Titanium [Ti]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01024Chromium [Cr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01025Manganese [Mn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0103Zinc [Zn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0104Zirconium [Zr]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01051Antimony [Sb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01072Hafnium [Hf]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01088Radium [Ra]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体機器のリード材用銅合金に、ワイヤーボ
ンディング用リード線を直接接む(ダイレクトボンディ
ング)する事を可能にするダイレクトボンディング性の
良好な銅合金に関する。
[従来の技術] 従来、半導体機器は、まず銅または銅合金のリード材用
素材を打抜き又はエツチングにより所定の形状に成形し
、次に、111導体素子の接合部分および゛F、導体素
子とリード材とを金線等でワイヤーボンディングするた
めに、リード材の所定部分へメツキを行い、ついてメツ
キされた部分へ半導体素子をダイボンドしさらに半導体
索r・とリード材をワイヤーボンディング用リード線で
ワイヤーボンディングを行い、最後にこれを封止して製
品としていた。
これから分かるように、リード材と半導体素子および半
導体素−rとリード材との接合のためには、必ずメツキ
を8四としていた。
ところがメツキ操作自体は、微小な個所へのメツキであ
るために、非常に高い精度を必要とし、メツキの良否が
ダイボンドおよびワイヤーボンドに直接影響を与えて、
場合により不良品が発生した。
また半導体素子およびリード材との材質の関係および耐
久性、電導性、付む性などからみて、金または銀のメツ
キが行われているが、これが半導体機器の非常なコスト
高を招いた。
このためメッキ厚やメツキ面積を減少させたり、また前
記金や銀にかえて、卑金属を用いることなどを検討して
いるが、あまり画期的な効果は上っていない。
さらに半導体素子のダイボンドのみをペーストで代替さ
せて接合する技術が開発されて、半導体素子のダイボン
ドの際のメツキが一応不要となったが、あいかわらずリ
ード材と半導体素子とを金線で接合するワイヤーボンデ
ィングの為にはメツキが必要であり、工程数はいっこう
に減少せず、根本的な解決策にはなっていない。
ところで、ダイレクトボンディング性を改善させるべく
、過去にリードフレーム材料の観点から若干の検討は行
われている。例えば特公昭82−48071では材料の
表面粗さが最大高さ(Rmax)で0.5μI以下とす
る事、あるいはさらに析出物、介在物等の単一面積が3
XlO’ll112以下にする事でダイレクトボンディ
ング性が改善される事がわかっている。
〔発明が解決しようとする課′、8〕 実際の製品に上記公知技術を適用した場合、要求される
(J顕性が高いIC,LSI、VLSI製品としては、
まだまだ満足できるレベルにはなっておらず、一部トラ
ンシスター用に使用されている現状である。
従って、ダイレクトボンディング性という観点から一層
の改善をはかり、トランジスターからVLSIまでの全
ての1先導体製品に適用できるリードフレーム用銅合金
が望まれている。
[課題を解決するためのf段] 本発明者らは、ダイレクトボンディング性に及ぼず種々
の材料因子について検討を行ったところ、材料の表面粗
さ規定はR1,8では不十分であり、中心線平均粗さ(
Ra)といった全体的な表面粗さのレベルの規定が必要
であることを見出した。従来Rwax  0.5μm以
下といわれていたが、一部R□、0.5μmを越えても
Raがある値以下であれば優れたダイレクトボンディン
グ性を示す事等が判明した。
さらに、材料の硬さもある値以上にしなければならない
事を見出した。
そこで、本発明はNi0.4〜4.(lffim%、S
i0.!−1,0重量を含み、残部Cu及び不可避不純
物からなる合金の材料表面を表面硬さが11v180以
上で、かつ表面粗さが中心線平均粗さ(Ra)で0.1
5μta以下、最大高さ(Rmax)で0.8μm以下
となるように調整することにより、ワイヤーボンディン
グ用リード線を直接接亡可能としたことを特徴とするダ
イレクトボンディング性の良好な銅合金およびNi0.
4〜4.0重量%、S i  0.1〜1,Offi量
%を含み、残部Cu及び不可避不純物からなる合金に副
成分としてP s A S SS b s F e 1
Co −Cr 5SnSAt、Ti、Zr、Mg、Be
、Mn。
Zn、I n、B、Hf、希土類元素からなる群より選
択されたIFI!又は2種以上を総量で0.001〜2
,0重量%添加した合金の材料表面を表面硬さがHv 
180以上でかつ表面粗さが中心線平均粗さ(Ra)で
0.15μm以下、最大高さ(R□8)で0,8μm以
下となるように調整することにより、ワイヤーボンディ
ング用リード線を直接接着可能としたことを特徴とする
ダイレクトボンディング性の良好な銅合金および前記合
金で祈出粒子が5μの以下であるダイレクトボンディン
グ性の良好な銅合金および前記合金で酸素含有量がIO
ppm以下であるダイレクトボンディング性の良好な銅
合金である。
次に合金成分並びに他の項目の限定理由を説明する。N
iの含有量を0.4〜4.0重量%とする理由は、Ni
含有量が0.4ff12%未満では、Siを0.1重量
%以上添加しても高強度でかつ高導電性を示す合金が得
られず、逆にNi含有量が4,0重量%を超えると加工
性が低下し、半Ill付は性も低下する為である。
Si含有量をo、i −t、o重量%とした理由は、S
i含有量が0.1重量26未満ではNiを0.4重量%
以上添加しても高強度でかつ高導電性を示す合金が得ら
れず、Si含有量が1.0重量%を超えると加工性、導
電性の低下が著しくなり、また+11付は性も低下する
為である。
副成分として、P、As、5bSFe−i C0%Cr
5SnSAl、Ti5Zr、Mg、Be。
M n s Z n s I n −、B % Hf−
、希土類元素からなる群より選択された18以上の総量
が0.001重量%未満では高強度でかつ耐食性のある
合金が得られず、また2、0重量%を超えると導電性の
低下及び半田付は性の低下が著しくなる為である。 ま
た酸素含有量をlOppm以下とした理由は、IOpp
mを超えるとめっき密着性が低下するためである。析出
粒子を5μm以下にした理由は、5μ日を越えると半田
付は性、めっき密着性が低下するためである。
表面粗さをllv 180以上とした理由は、Ilv 
180未満ではダイレクトボンディング後のボンディン
グワイヤーの接着強度が低く、樹脂封止工程等での剥離
を起こす場合があるためである。
表面粗さを中心線平均粗さ(Ra)で0.15μl以下
、最大高さ(R□1)で0.8μm以下とした理由は、
安定して強い接着を得るには、表面の平均的レベルが低
く、かつ部分的にも有害な粗さにならない事が必要であ
るためである。
すなわち、本合金系ではRaが0.15μ囮を超えると
接着強度が低下し、また、Raが0,15μ腸以下であ
ってもR71,が0.8μmを超えるとその部分の密着
強度が低下し、前述したように樹脂封11〜工程等での
ストレスにより剥離を起こす場合があり、信頼性を損ね
るためである。
[実施例] 第1表に示す組成の合金材料を、インゴットから熱間圧
延さらには冷間圧延、焼j! (溶体化焼鈍及び時効熱
処理を含む)のくり返しにより0.25Inm+厚さの
板とした。この際、表面硬さの違いは時効熱処理後圧延
したり、さらにそれを熱処理したり、過時効させたり、
溶体化させるといった方法を用い作り分けた。
また、表面粗さは各種表面粗さの圧延ロールを用いたり
、最終板厚になった後に、各種粗さの表面研摩を行い作
製した。
このようにして製造した各fI試料にワイヤーボンディ
ングを行い、見かけ上の接合状態を観察するとともに、
プルテストによる接合強度の測定並びに破断箇所の観察
を行った。
なお、ワイヤーボンディングとしてはサーモソニック法
を用い、以下に示すボンディング条件で行った。
ボンディングワイヤの材質及びワイヤ径=Cu線25μ
mφ、雰囲気: 10 Vo1%H2−Ar。
超音波出カニ  0.IW、基板温度=300℃、加圧
カニ 80g 、時間=25mscc。
結果を第1表に示す。この結果からもわかるように表面
硬さがHv180以上でかつ表面粗さもRaで0.15
.czn以下、Ra a wで0.8μ−以下という全
ての条件がそろった時に始めて、従来のメツキ打曲のボ
ンディング性が得られる事がわかる。
第1表 らしめt二もので、メ・ソキエI呈を省き、コストを大
巾に減少させる極めて天川的価値の高いものである。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)Ni0.4〜4.0重量%、Si0.1〜1.0
    重量%を含み、残部Cu及び不可避不純物からなる合金
    の材料表面を表面硬さがHv180以上で、かつ表面粗
    さが中心線平均粗さ(Ra)で0.15μm以下、最大
    高さ(R_m_a_x)で0.8μm以下となるように
    調整することにより、ワイヤーボンディング用リード線
    を直接接着可能としたことを特徴とするダイレクトボン
    ディング性の良好な銅合金。
  2. (2)Ni0.4〜4.0重量%、Si0.1〜1.0
    重量%を含み、残部Cu及び不可避不純物からなる合金
    に副成分としてP、As、Sb、 Fe、Co、Cr、Sn、Al、Ti、Zr、Mg、B
    e、Mn、Zn、In、B、Hf、希土類元素からなる
    群より選択された1種又は2種以上を総量で0.001
    〜2.0重量%添加した合金の材料表面を表面硬さがH
    v180以上で、かつ、表面粗さが中心線平均粗さ(R
    a)で0.15μm以下、最大高さ(R_m_a_x)
    で0.8μm以下となるように調整することにより、ワ
    イヤーボンディング用リード線を直接接着可能としたこ
    とを特徴とするダイレクトボンディング性の良好な銅合
    金。
  3. (3)析出粒子が5μm以下である特許請求範囲(1)
    又は(2)の銅合金。
  4. (4)酸素含有量が10ppm以下である特許請求範囲
    (1)、(2)又は(3)の銅合金。
JP63324782A 1988-12-24 1988-12-24 ダイレクトボンディング性の良好な銅合金 Expired - Fee Related JP2714560B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63324782A JP2714560B2 (ja) 1988-12-24 1988-12-24 ダイレクトボンディング性の良好な銅合金

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63324782A JP2714560B2 (ja) 1988-12-24 1988-12-24 ダイレクトボンディング性の良好な銅合金

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH02170937A true JPH02170937A (ja) 1990-07-02
JP2714560B2 JP2714560B2 (ja) 1998-02-16

Family

ID=18169614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63324782A Expired - Fee Related JP2714560B2 (ja) 1988-12-24 1988-12-24 ダイレクトボンディング性の良好な銅合金

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2714560B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5846346A (en) * 1995-12-08 1998-12-08 Poongsan Corporation High strength high conductivity Cu-alloy of precipitate growth suppression type and production process
US6482276B2 (en) 2000-04-10 2002-11-19 The Furukawa Electric Co., Ltd. Copper alloy with punchability, and a manufacturing method thereof
US6893514B2 (en) 2000-12-15 2005-05-17 The Furukawa Electric Co., Ltd. High-mechanical strength copper alloy
US7090732B2 (en) 2000-12-15 2006-08-15 The Furukawa Electric, Co., Ltd. High-mechanical strength copper alloy
US7172662B2 (en) 2000-07-25 2007-02-06 The Furukawa Electric Co., Ltd. Copper alloy material for parts of electronic and electric machinery and tools
US7727344B2 (en) 2000-04-28 2010-06-01 The Furukawa Electric Co., Ltd. Copper alloy suitable for an IC lead pin for a pin grid array provided on a plastic substrate
US8951371B2 (en) 2004-02-27 2015-02-10 The Furukawa Electric Co., Ltd. Copper alloy
EP3131113A4 (en) * 2015-06-15 2017-03-22 Nippon Micrometal Corporation Bonding wire for semiconductor device
CN110205570A (zh) * 2019-04-15 2019-09-06 深圳万佳互动科技有限公司 一种电气电子部件用铜合金的热处理方法
US10468370B2 (en) 2015-07-23 2019-11-05 Nippon Micrometal Corporation Bonding wire for semiconductor device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6218744A (ja) * 1985-07-17 1987-01-27 Kobe Steel Ltd リ−ドフレ−ム
JPS63109134A (ja) * 1986-10-23 1988-05-13 Furukawa Electric Co Ltd:The リ−ドフレ−ム用銅合金とその製造法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6218744A (ja) * 1985-07-17 1987-01-27 Kobe Steel Ltd リ−ドフレ−ム
JPS63109134A (ja) * 1986-10-23 1988-05-13 Furukawa Electric Co Ltd:The リ−ドフレ−ム用銅合金とその製造法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5846346A (en) * 1995-12-08 1998-12-08 Poongsan Corporation High strength high conductivity Cu-alloy of precipitate growth suppression type and production process
US6482276B2 (en) 2000-04-10 2002-11-19 The Furukawa Electric Co., Ltd. Copper alloy with punchability, and a manufacturing method thereof
US7727344B2 (en) 2000-04-28 2010-06-01 The Furukawa Electric Co., Ltd. Copper alloy suitable for an IC lead pin for a pin grid array provided on a plastic substrate
US7172662B2 (en) 2000-07-25 2007-02-06 The Furukawa Electric Co., Ltd. Copper alloy material for parts of electronic and electric machinery and tools
US6893514B2 (en) 2000-12-15 2005-05-17 The Furukawa Electric Co., Ltd. High-mechanical strength copper alloy
US7090732B2 (en) 2000-12-15 2006-08-15 The Furukawa Electric, Co., Ltd. High-mechanical strength copper alloy
US8951371B2 (en) 2004-02-27 2015-02-10 The Furukawa Electric Co., Ltd. Copper alloy
EP3131113A4 (en) * 2015-06-15 2017-03-22 Nippon Micrometal Corporation Bonding wire for semiconductor device
US10137534B2 (en) 2015-06-15 2018-11-27 Nippon Micrometal Corporation Bonding wire for semiconductor device
US10414002B2 (en) 2015-06-15 2019-09-17 Nippon Micrometal Corporation Bonding wire for semiconductor device
US10610976B2 (en) 2015-06-15 2020-04-07 Nippon Micrometal Corporation Bonding wire for semiconductor device
US10737356B2 (en) 2015-06-15 2020-08-11 Nippon Micrometal Corporation Bonding wire for semiconductor device
US10468370B2 (en) 2015-07-23 2019-11-05 Nippon Micrometal Corporation Bonding wire for semiconductor device
CN110205570A (zh) * 2019-04-15 2019-09-06 深圳万佳互动科技有限公司 一种电气电子部件用铜合金的热处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2714560B2 (ja) 1998-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0101299B1 (en) Corrosion resistant aluminum electronic material
JPH02170937A (ja) ダイレクトボンディング性の良好な銅合金
JPH1112714A (ja) ダイレクトボンディング性及びはんだ付け性に優れた銅および銅基合金とその製造方法
JP3673368B2 (ja) 半導体素子用金銀合金細線
JP3318309B2 (ja) リードフレームおよびリードフレーム用銅合金
JPH02170934A (ja) ダイレクトボンディング性の良好な銅合金
JP2714561B2 (ja) ダイレクトボンディング性の良好な銅合金
JPS59139663A (ja) 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用Cu合金細線
JPH02173231A (ja) ダイレクトボンディング性の良好な銅合金
JP3313006B2 (ja) ベアボンド用銅合金リードフレーム
JPH0555580B2 (ja)
JPH02170935A (ja) ダイレクトボンディング性の良好な銅合金
JPH02170936A (ja) ダイレクトボンディング性の良好な銅合金
JPH02173228A (ja) ダイレクトボンディング性の良好な銅合金
JPS59177339A (ja) 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用Pd合金細線
JPS63238232A (ja) 銅細線とその製造法
JPS6140290B2 (ja)
JPH02173230A (ja) ダイレクトボンディング性の良好な銅合金
JPH0464121B2 (ja)
JPH08193233A (ja) 半導体装置用金合金細線
JP4345075B2 (ja) ワイアーボンディング性およびダイボンディング性に優れた銅及び銅基合金とその製造方法
JPH02170938A (ja) ダイレクトボンディング性の良好な銅合金
JPH02170933A (ja) ダイレクトボンディング性の良好な銅合金
JPH02173227A (ja) ダイレクトボンディング性の良好な銅合金
JPS63247325A (ja) 銅細線及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071107

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081107

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees