JPS59131537A - 気相酸化法によるガラスまたはセラミック物品の製造方法 - Google Patents

気相酸化法によるガラスまたはセラミック物品の製造方法

Info

Publication number
JPS59131537A
JPS59131537A JP58167653A JP16765383A JPS59131537A JP S59131537 A JPS59131537 A JP S59131537A JP 58167653 A JP58167653 A JP 58167653A JP 16765383 A JP16765383 A JP 16765383A JP S59131537 A JPS59131537 A JP S59131537A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glass
diketone
metal
soot
compounds
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58167653A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0372575B2 (ja
Inventor
ステイ−ブン・ブル−ス・ミラ−
ロナルド・レロイ・ステユワ−ト
デビツド・アレン・トンプソン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Glass Works
Original Assignee
Corning Glass Works
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Corning Glass Works filed Critical Corning Glass Works
Publication of JPS59131537A publication Critical patent/JPS59131537A/ja
Publication of JPH0372575B2 publication Critical patent/JPH0372575B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
    • C07C45/77—Preparation of chelates of aldehydes or ketones
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
    • C03B19/1415—Reactant delivery systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/01413—Reactant delivery systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C13/00—Fibre or filament compositions
    • C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
    • C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C13/00—Fibre or filament compositions
    • C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
    • C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
    • C03C13/046—Multicomponent glass compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/632—Organic additives
    • C04B35/6325—Organic additives based on organo-metallic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C49/00—Ketones; Ketenes; Dimeric ketenes; Ketonic chelates
    • C07C49/92—Ketonic chelates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
    • C07F3/003—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table without C-Metal linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00—Glass deposition burners
    • C03B2207/30—For glass precursor of non-standard type, e.g. solid SiH3F
    • C03B2207/32—Non-halide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00—Glass deposition burners
    • C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00—Glass deposition burners
    • C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
    • C03B2207/87—Controlling the temperature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2207/00—Glass deposition burners
    • C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
    • C03B2207/90—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from solid glass precursors, i.e. by sublimation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2201/00—Glass compositions
    • C03C2201/06—Doped silica-based glasses
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2203/00—Production processes
    • C03C2203/40—Gas-phase processes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S65/00—Glass manufacturing
    • Y10S65/901—Liquid phase reaction process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
  • Glass Melting And Manufacturing (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
  • Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
  • Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
  • Reinforced Plastic Materials (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 相沈積およびそれに続く焼結によって高純度ガラス捷た
はセラミノ，りを形成する方法に関する。
ガラス光導波路のようなきわめて高純度のガラス製品の
製造における有利な商業的生産法として気相沈積法か用
いられている。この方法は，気化された反応物′（！−
１例えば沈積基体（マントレル）の近傍まだはガラス沈
積チューブ内のバーナーまだはプラズマ帯域のような酸
化領域に運び、その酸化領域において反応物を酸化して
前記マンドレルまたはチーーブ上に粒子状酸化物すなわ
ちスートケ形成し．最後に沈積されたスートを清澄なガ
ラスに変換する工程を含む。
かかる方法における反応物の気化特性はクリティカルで
ある。商業生産において、これら反応物は例えばシリコ
ン、燐、ゲルマニウムおよび硼素の・・ロゲン化物また
はオキシ・・ロゲン化物のような，特定の金属または半
金属の揮発性・・ロゲン化物寸たけ水化物である。、こ
れら化合物は、蒸気供給システム内で容易に維持できる
温度でかつ酸化領域において高純度の酸化物に変換され
る温度で高い蒸気圧を有する。ある事例．では、大気圧
において揮発性ハロゲン化物才たはオキシ・・ロゲン化
物の沸点温度以」］一の温度で動作するシステムが用い
られ２できた。
これら金属のその他の揮発性化合物として、有機金属化
合物も使用できることの示唆もなされてきたが、この提
案は光導波路製造分野においては商業的に採用されない
ものであっ／ζ。英国特許第２　０　７　１　６　４、
　４号明細書は、シラン１塩素および／またはアルキル
置換シラン、および珪酸塩エステルが，光導波路製造の
だめの蒸気供給システムで用し０られうることを示唆し
ているが、一般にかかる化合物は、不安定性、高反応性
および／または限定された蒸気圧等のためにあ才り用い
られなかった。
気相沈積法によるガラス光導波路の製造において、Ｍｇ
Ｏ　、　Ｎａ２０　、　Ａｔ２０５　、　ＣａＯ等の多
数の通常のガラス変性酸化物を用いることが望ましいこ
とは従来から確認されているか，気相沈積ガラス中にこ
れら酸化物を添加するだめの満足しうる方法は未だ開発
されていなかった。透明なガラスのだめの変性剤として
有用な主族金属および希土類金属の大部分は揮発性・・
ロゲン化物寸だは他の揮発性化合物の形態をとらず安定
な無機化合物の形態をとるものである。Ｉ〜たがって、
これら金属の酸化物か、ガラス光導波路における変性用
ｌ・−ブ剤（　ｄｏｐａｎｔ　）　　として潜在的有益
性を有しているにもかかわらず、これら酸化物を、気相
沈積ガラス中に高純度でかつその濃度が管理された状態
で１添加しうる有用な方法は未だ開発されていなかった
。
過去において，酸化物を気相沈積するだめの金属源とし
て金属アルキルを用いることも提案されたが、これらの
化合物は一般に危険な程不安定である。例えば、トリメ
チルアルミニウムＡｌ（ＣＨ３）３およびジメチル亜鉛
Ｚｎ　（ＣＨ３）　２は揮発性かつ反応性であるが、発
火性であシ、そのだめ貯蔵および使用がきわめて危険で
ある。
米国特許第３８０１２９４号明細書には、金属ハロゲン
化物を固体から直接に蒸発させることにより、主族の変
性剤を気相沈積ガラスに添加するという初期的な方法が
記載されている。しかしこの方法は、通常の蒸気圧を得
るにも蒸気供給システムを高温に保た々ければならない
欠点があり、かつギヤリアガス流に存在するドープ剤の
濃度制御が困難である。
米国特許第３８８３３３６号明細書には、所望の金属の
可溶塩を含む溶液を霧状にして醇化用火炎内に導いて酸
化物スートを生成することにより、主族の酸化物を気相
沈積ガラスに添加するという方法が提案されている。し
かしながら、溶剤を用いた気相沈積のだめに、この方法
では、空洞のない均質な混合酸化物ガラスまたはセラミ
ックに焼結しうる粒径分布を有する酸化物スートを得る
のは不可能である。さらに、この方法では、溶剤が製品
の潜在的汚染源にもなる。すなわち、粒状酸化物が含ま
れる点においても、純度が汚染される点においても、光
導波路ガラスには適さないものである。
米国特許第４１４１７１０号および第４１７３４５９号
明細書には、−所望の金属の熱分解可能な有機まだは無
機化合物を溶剤に溶かした溶液をベイトチューブまたは
坩堝の内面に供給する方法が示唆されている。この方法
は、気相酸化法というよシも熱分解法の１つであり、そ
のため光導波路ガラスの製造には適さない。このような
ホットサーフェス分解により生成した沈積物は、気相酸
化法によって生成されたスートと形態が著しく異なり、
層が厚い場合はひび割れおよびはがれが生じ易い。
したがって、かかる沈積物を無欠陥ガラスにすることは
きわめて困難である。このため、アセチルアセトン化合
物のような金属キレートを含む無機金属化合物および有
機金属化合物の熱分解法は。
ガラス７−ト上に薄い酸化膜を生成する場合（英国特許
第１４５４３７８号および英国特許第２０３３３７４号
Ａ）、および金属メッキ（米国特許第３３５６５２７号
および米国特許第３０４．９７９７号）に用いられると
しても、この方法は、光導波路のようなバルクのガラス
製品の製造に際しては商業的に許容されないものである
。
よって本発明は、かかる製品に、望ましくない空洞ある
いは粒状酸化物包含のような組成的不連続性を伴なうこ
となしに、主族および希土類金属を添加しうる。ガラス
またはその他の純粋なセラミック製品の製造方法を提供
することを目的とする。
さらに本発明は、気相沈積ガラス中のドープ剤の濃度お
よび気相沈積生成物の高純度を良好に管理しつつ上記金
属の酸化物をドープ剤として添加しうるガラス光導波路
の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、気相酸化法によって生成する酸化物スートを
融合固化（ｃｏｎｓｏｌｉｄａｔｉｏｎ　）することに
より純粋なガラスおよびセラミック製品を製造する場合
の蒸気源として、主族および希土類の金属の中から選ば
れた気化可能なキレート化合物を用いることを包含する
。本発明においては、光導波路のような製品のだめの高
純度酸化物ガラス形成材およびガラス変性剤を沈積する
のに現在用いられている方法を踏襲する。この現在用い
られている方法においては、金属化合物は気化され力・
つ。
この化合物を気相反応によって微細なスートとするだめ
に蒸気の形態で酸化領域に運ばれる。現在用いられてい
る方法では、この酸化物スートは捕捉されかつ加熱によ
り融合固化されて、最終的には光導波路ファイバーのよ
うな製品となされる清澄なガラスを生成する。かかる気
相沈積法は、きわめて高純度のガラスまた（ｄセラミッ
ク製品、すなわち、全体で約０．０１重量）Ｚ−セント
を超えない量の金属不純物Ｌ７か含まない非晶質まだは
結晶よりなる製品の製造が可能力だめに有益である。
本発明における金属は、元素周期表のＩａ＊Ｉｂ＋１１
ａ、　　Ｉｌｂ、　ｌ１ｌａ、Ｉ［ｆｂ、ＩＶａ、■ｂ
族および希土類から選ばれうる。これら金属は、常識的
な温度で蒸発しかつ固有の分圧において運ばれうる安定
な金属ギレート化合物として提供される。運ばれたギレ
ート蒸気は、反応領域において、気相反応によって微細
な酸化物スートに変換される。仁のスートは捕捉されか
つ融合固化されて清澄なガラスのような単一のまたはモ
ノリシックな製品となされるのに適した粒径と粒径分布
を有する。との方法で使用される金属キレ−）・化合物
は、金属β−−７ケトン化合物、すなわち、β−／ケト
ンとして知られるジケトンから生ずるβ−ジケトン化合
物の配位子（ｌ　ｉｇａｎｄ　）の１つ才だはそれ以上
を伴なった金属の錯化合物である。β−ジケトン錯化合
物はジケトン化合物の配位子のみでなく、金属ギレート
構造に対するアダクツ（ａｄｄｕｃｔｓ　）として錯体
中に存在しつる付加的配位子をも包含しつる。
この群の中から選ばれた化合物は、常温常圧において液
体か捷たは固体である。これらは空気中における酸化に
対しては比較的安定であるが、分解温度より低い温度に
おいて１０７１０７ｌ以上、しばしば１００ｍＪ（ｇ以
上の蒸気圧を示す。これらの選ばれた化合物は、上記温
度において著しい分解を伴なうことなしに運搬に充分な
安定性を示す、が、酸化領域における酸素の存在により
、著しい気相反応を促進するだめのさらに高い温度への
力ロ熱を伴なって捷たは伴なうことなしに、直ちに気相
反応して高純度の金属酸化物を形成する。
これら化合物を用いることにより１主族および弄十類の
元素を、ギーヤリア溶剤を用いることなしに、実質的な
しかしながら管理可能な濃度をもって、蒸気の形で反応
領域に運ぶことができるため、清澄なガラスまだは微細
なセラミックに焼結するのに適した高純度の金属酸化物
の微細粒子が得られる。
以下本発明の実施例について詳細に説明する。
本発明に従う気相酸化法によって沈積される酸化物は、
周期律表のＩａ、Ｉｂ、Ｉｌａ、ｎｂ、ｌｌａ。
ｍｂ、ｌＶａおよびＩＶｂ族の中から選ばれた金属の酸
化物を含む。これら酸化物は、ガラスを形成しうる酸化
物、例えば酸化゛アルミニウムを含みつるが、特にガラ
ス形成システムにおいて中間物乃至変性剤として用いら
れる酸化物、例えばアルカリ金属およびアルカリ士金属
の酸化物である。上記族の中から選ばれた代表的な金属
基を挙げると下記の通りである。すなわち、Ｉａ族　Ｌ
ｌおよびＮａ：ｌｔ）族　Ｃｕ　；　Ｉａ族−Ｂｅ、　
Ｍｇ　；旧〕族Ｚｎ、　Ｃｄ、　Ｉ−Ｉｇ　；　ｌ１ｌ
ａ族　Ａｔ、　Ｇａ　：　ｌ１ｆｂ族　Ｓｃ。
Ｙ：ｌＶａ族・・・Ｓｎ　；　ＩＶｂ族・・・Ｚｒおよ
びＨｆである。
希汁類金属の酸化物もまた本発明に従う気相酸化θ、に
よ−口）で沈積されうる。光導波路カラスにおけるドー
プ剤として有利、に使用されうる赤土類金属の酸化物の
一例はＣｅ　Ｏ２であり、その微量によって、光導波路
の耐放射能損傷特性が向上する。
寸だ、溶融シリカよりなる光導波路におけるガラス変性
剤として用いられる他の希土類酸化物はＬａおよびＹｂ
である。
気相反応のための蒸気発生システムに用いるのに滴切な
、沈積される酸化物中に混合されるために選ばれる金属
化合物は、その化合物の分解温度より低いある温度でか
なりの蒸気圧を有していなければならない。この必要と
される蒸気圧は、沈積工程に必要な金属酸化物の濃度お
よび沈積速度に依存するが、この蒸気圧は、は〆、の微
量の化合物に必要な１１４（ｇから少なくとも］、Ｏｍ
ｍｌ（ｇ寸で、好１しくは沈積されたガラスの主たる中
間物あるいはカラス変性剤として用いられる化合物に必
要なｌ　Ｑ　ＯｍｍＨｇ　ｔで分布されうる。
金属β−７ケトン化合物分子の構造は、弐［−Ｒ−ＣＯ
−ＣＩ−■−ＣＯ−Ｒ′丁−てあられされるβ−／ケト
ンの配位子パ・でよって囲せれた金属原子からなること
が知られている。ここでＲおよびＲ′は１〜４個のカー
ボン原子を含む典型的なアルキル基あるいは弗化アルキ
ル基である。何れの金属であっても、そのβ−ジケトン
化合物の揮発陣はＲおよびＲ′要素の性質に強く依存す
ることが知られている。
アセチルアセトン（２＋４−ペンタンジオン）のような
置換されない低分子量のジケトンは、熱せられた基板上
に熱分解によって金属酸化物フィルムを被着するだめの
溶解可能な金属錯化合物を形成するために用いられてき
た。しかしながら、これら配位子を備えたβ−ジケトン
化合物は、一般に、その分解温度より低い温度において
は１本発明による気相酸化法によって主族の金属酸化物
を形成するだめの蒸気源として用いるのに充分な蒸気圧
を示さない。これに比し、β−ジケトンの配位子がより
高い代置（すなわち、少なくても約１５３）を有しかつ
特に弗化ジケトンから生成される金属β−ジケトン化合
物は、著しく高い蒸気圧を示すので、酸化物スートの気
相生成のだめに多量の金属含有蒸気を発生させるのに用
いられうる。弗素置換されだβ−ジケトン錯化合物の高
い揮発性は、弗素の高電気陰性度にもとづくキレート分
子中に働くファン・デル・ワースの力の作用によること
が理論づけられている（アール・イー・シーバース（Ｒ
，Ｅ、　５ｉｅｖｅｒｓ　）ほか、サイエンス、２０１
　（４３５２）２１７〜２２３頁）。弗素を含まない大
きな配位子にとっては、立体障害が要因となるようであ
る。
主族の金属あるいは希土類金属と錯化合物を形成して揮
発性金属キレートを構成するのに適した、弗化および高
分子量β−ジケトンの例が下記の表■に示されている。
表Ｉには、各化合物の名称、構造式、慣用名、略号およ
び沸点（特に断り書がない限り７６０ｍＴＬＨｇにおけ
る）が記載されている。
各略号（例えばＨｈｆａ　）の接頭字「Ｈ」はジケト／
の形態における中性化合物をあられし、ジケトン化合物
陰イオンの形態はこの接頭字を除いた（　ｈｆａ　）−
であられされる。
高揮発性に対する実際の要求から、本発明においては、
主族および希土類の弗化β−ジケトン化合物を用いるこ
とにより、好址しい気相反応を達成することができ、特
に表Ｉの弗素化合物の配位子の１つ捷たけそれ以上を用
いることが望ましい。
β−ジケトン錯化合物における結合メカニズムはほとん
ど常に配位子の酸素原子を通じて行なわれ、ジケトンの
デプロトネーション （ｄｅｐｒｏｔｏｎａｔｉｏｎ　）の後に陰イオンを生
じる。
よく知られているように、ジケトン化合物の陰イオンの
電荷は、上記の中央のカーボン原子におけるよりもむし
ろ実際には−Ｃｏ　−ＣＨ−Ｃｏ−官能基のまわりで非
局在化がなされる。
β−ジク′トン錯化合物は通常例えばヘキサン、四塩化
炭素等の無極性有機溶剤に対し高い溶解度を示すが、ア
ルコールあるいは水にはあまり溶けない。これら錯化合
物の製法は文献に記載されている。例えば、アール・シ
ー・メーロトラ（Ｒ，Ｃ。
Ｍｅｈｒｏｔｒａ　）　、アール・ポーラ（Ｒ，Ｂｏｈ
ｒａ　）およびビー・ビー・ゴール（Ｂ、　Ｐ、　Ｇａ
ｕｒ　）による［金属β−ジケトン化合物およびその誘
導体Ｊ　（Ｍｅｔａｌβ−Ｄｉｋｅｔｏｎａｔｅｓ　ａ
ｎｄ　Ａ１１ｉｅｄ　Ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅｓ　）と題
し、１９７８年ニー−ヨークのアカデミツクブレス社か
ら発行された文献を参照されたい。
２５０°Ｃあるいはそれより低い温度で、顕著な分解を
伴なうことなしに、少なくとも約１０ｍｍ、［（ｇの蒸
気圧を示し、従って金属酸化物を得る気相酸化法に基づ
く反応に対口適切な金属反応源になりうる特定な金属β
−ジケトン錯化合物の例が下記の表Ｈに示されている。
表■は、金属元素と、それらと錯化合物を形成するのに
適した配位子とを示しており、後者の配位子は上記表■
に記載された略号で示されている。
表　　　■ 揮発性β−ジケトン錯化合物 　ｌＸ Ｎａ　　　　　　　　　　　Ｘ Ｂｅ　　　Ｘ　　　　Ｘ Ｍｇ　　　　　　　Ｘ　　　　　　　　　ＸＳｃ　　　
Ｘ　　　　　　　　Ｘ Ｙ　　　　　　　　　　　Ｘ　　　　　　　　　ＸＣｕ
　　　Ｘ　　　　Ｘ　　　　　　　　　　　　　ＸＨｆ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＸＴｉ　　
　　　　　Ｘ Ｚｒ　　　　　　　Ｘ Ｚｎ　　　Ｘ　　　　Ｘ　　　　Ｘ Ｃｄ　　　　　　　Ｘ ＡＩＸＸ　　　　　　　　　　　　　ＸＧａ　　　Ｘ　
　　　Ｘ Ｃｅ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　Ｘ僅か
な濃度の酸化物がスート生成物に添加される場合には、
　　１．ｏｍｍ■−ｒｇのような高い蒸気圧は必要とさ
れず、１．ｍｍＨｇのような低い蒸気圧で充分な金属蒸
気濃度が得られる。このような事例として、光導波路用
／リカコアガラスにおける放射能による変色を抑圧する
微量なトープ剤としての酸化セリウムの添加があり、そ
の場合のＣｅ　０２の条度は０１重量パーセント以上を
殆と必要としない。
Ｃｅ（ｔｏｄ）、＋は希土類金属のβ−ノヶトン化合物
の一例であるか、前記した弗化β−７ケトン化合物のあ
るもののような高い蒸気圧は示さないとしても、気相酸
化法によって僅かな０度の酸化セリウムを発生させるた
めの適当な蒸気源を構成するためには充分な蒸気圧を示
す。勿論、添加物をトープする場合にＣｅ（ｆｏｄＬの
ようなより高い蒸気圧の錯化合物を用いるのが有利であ
ることは言うまでもない。
多くの場合、特に錯化合物が配位的に飽オ［］せずかつ
溶剤が良好なＩＪ　、−イス塩基である場合、β−ジケ
トン錯化合物は調合に用いられる溶剤の分子と共にアダ
クツ（ａｄｄｕｃｔｓ　）を形成する傾向がある。アダ
クツとなされたβ−ジケトン錯化合物はきわめて安定な
ものとなされ得、かつ有用な蒸気源を構成するのに充分
な安定性および揮発性を示しうる。β−ジケトン化合物
とアダクツを形成する化合物は、アンモニア、水、ピリ
ジン、ピリジル、フェナントロリン、テトラヒドロフラ
ン。
およびジメチルホルムアミドである。付加的配位子とし
ての錯化合物に対するこのような１律加により、金属に
対する６倍あるいはそれ以上の配位を実現する。
β−ジケトン錯化合物の気相酸化によって生成した酸化
物スートがその後に捕捉されかつ融合固化されてガラス
あるいはその他の製品を形成する本発明の方法はクリテ
ィカルなものではない。すなわちスートを適当な、マン
ドレル上に捕捉したり、スートを採集容器内に捕捉した
り、捕捉したスートを、マンドレル上でまだはマンドレ
ルから除去した状態で、あるいはゆるいスートを締固め
により成形した後に、焼結によって融合固化したり、捕
捉したスートを、融合固化に先立ってまたはその最中に
、水分、炭素または弗素のような非金属不純物を取除い
たりするような種々の方法を含む従来の如何なるスート
生成技術をも本質的に採用しうるものである。
以下に述べる実施例には、その特性に従って用意され、
かつ気相酸化法によるガラス形成のために適した高純度
酸化物の生成のだめの主族金属源として用いるのに適し
ていると判断されるβ−ジケトン化合物が記載されてい
る。
実施例１−　Ａｔ（ｈｆａ）３ アルミニウム（Ｉｌｌａ族金属）のβ−ジケトン錯化合
物は、ヘキサフルオルアセチルアセトン（Ｈｈｆａ）と
塩化アルミニウムとを反応させることによって得られる
。１．０６グラムのＡｔＣｌ３を１０液に徐々に加える
が、その際に多量のＨＣｔ　　を発生する。この反応混
合物を３０分間還流し次いで熱い混合物をフリットフィ
ルタに通す。
清浄な濾液は冷却によって結晶化し、約５．２１グラム
の白色結晶が生成する。この生成物を８０℃における真
空昇華によって昇華し、氷で冷却された冷いトラップに
導く。
臭化カリウム中における生成物サンプルの赤外スペクト
ル測定によれば、文献に記載されたＡｔ（ｈｆａ）３の
赤外スペクトルに一致する。この化合物は５０°Ｃ以上
の温度で直ちに昇華し、約７２〜７４℃で融解し、１２
５°Ｃにおいて約１００７’ｉｍＨｇの蒸気圧を示す。
このことは、この化合物が、焼結可能の酸化物スートを
気相酸化反応工程によって生成するだめの適切なアルミ
ニウム含有蒸気源となりうろことを示している。
実施例２　　Ｍｇ（ｈｆａ）２ １１ａ族金属であるマグネシウムのβ−ジケトン錯化合
物は、　　（Ｈｈｆａ）を塩基性炭酸マグネシウムと反
応させることにより得られる。塩基性炭酸マグネシウム
すなわち４　Ｍｇ　ＣＯ３・Ｍｇ　（ＯＲ）　２　・ｎ
Ｈ２０（ｎ中６）のサンプル２．５グラムを１００ミリ
リツトルのエーテルに窒素中で攪拌しながら懸濁する。
この懸濁液に（Ｈｈｆａ）のサンプル１０．４１グラム
を加え、この混合物を２時間還流する。次にデカンテー
ション（ｄｅｃａｎｔａｔｉｏｎ　）および蒸発によっ
て、エーテルを固相から分離する。蒸発後に残留した白
色粉末はマグネ／ラム・ヘキサフルオルアセチルアセト
ン化合物のエーテル・水アダクツＭｇ　（ｈｆａ）２　
・１．５　Ｅｔ２０−　Ｈ２Ｏである。この錯化合物は
２２５°Ｃで融解り、、１６５°Ｃで昇華によって気化
しうる。
Ｍｇ　（ｈ　ｆ　ａ　）　２のテトラヒドロフラン（Ｔ
ＨＦ）アダクツを得るだめに、２０ミリリツトルのＴＨ
Ｆを上述のようにして生成されたエーテル・水アダクツ
に加えその溶液を１８時間攪拌する。溶液の回転蒸発に
より、陽子核磁気共鳴試験によってＭｇ（ｈｆａ）２・
４　ＴＨＦであることが認識されうる白色粉末が残留す
る。乾燥した氷で冷却された冷いトラップを用いたこの
化合物の昇華により、アダクツＭｇ（ｈｆａ）２・２Ｔ
ＨＦが生成する。この化合物は約１３０°Ｃの融点を有
し１６０°Ｃで蒸発して、気相酸化法のだめのマグネシ
ウム含有蒸気を発生す実施例３−Ｎａ（ｔｆｍｈｄ） Ｉ　ａ　族金属であるナトリウムのβ−ジケトン錯１１
Ｓ合物（・１．水酸化すトリウムを７つの鎖を含むβ−
７ケトンと反応させることにより得られる。、ぺし’ノ
ドにさ１Ｌだ４０８グラムのＭａｉｌ−（のザノブルを
分離漏斗内で５０　ミ’）　’）ノトルの水に溶解し、
この溶液に１．　１．　　］−］トリノルオルー６−メ
ヂ１１／−２、４−ヘプタンジオ７　（Ｈｔｆｍｈｄ　
）よりなる／ケトンの２００グラムを力［］える。この
混合物を１５分間隔で周ｔυ］的に揺動し、次にエーテ
ルを加えてす）・リウム・β−ジケトン化合物を抽出す
る。この薄か色のニーデル抽出物を空気中で乾燥してＮ
ａ（ｔｆｍｈｄ）と識別される薄黄色の固体を得る。こ
の化合物は融点（伐確定できないが約２６０°Ｃにおい
て熱分解して昇華する特徴を有する。
実施例４　−　Ｃｅ（ｆｏｄ）、＋ 希土類金属であるセリウムのβ−ジケトン錯化合物は、
窒化セリウムを６．６．７．７．８．８．８−′＼ブタ
フルオル〜２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオン
と反応させることにより得られる。
このβ＝ジケ［・ン（Ｈｆｏｄ）のヅンゾルの６８２グ
ラムを２モルのＮＩ−（、ＯＨ水］Ｊ５ミリリットルに
加え、得られた白色沈澱物を分離して２００ミリリット
ルの水と２００ミリリットルのツタノールに溶解する。
この溶液を１ス１力４斗内に入れ、１４ムの硝酸溶液を
滴下により加える。次（、・こ２モルのＮＨ，、ＯＨを
加えて６１−ＩＨを維持する。
得られた混合物を赤色油相と水相とに分離する。
分離され／ζ混合物を・室温において０２中て約７０時
間攪拌してＣｅ　”　’のＣｅ”への酸化を完成する。
次に２００　　ミｌｌノトルのヘキサンを加え生成品を
含む有機層を水相から分離し、濾過しかつ回転蒸発器の
中で蒸発させて乾燥する。生成物は赤色油から結晶化し
、結晶の陽子核磁気共鳴試験によって、　（：６（ｆｏ
ｄ）４に完全に酸化されたことがわかる。
昇華によって純化した後、得られだＣｅ（ｆｏｄＬ＋は
約９７°Ｃの沸点と２００°Ｃ近傍の温度で約１０ｍｍ
　Ｈｇ　の蒸気圧を示した。このように高い蒸気圧を有
するだめ、この化合物は本発明による気相酸化法のため
の適切なＣｅ含有蒸気源となりうる。
実施例５　　Ｚｎ、（ｈｆａ）２　・１−５ＴＨＦ以下
に述べるのは、ジャーナル　オブインオーガニノク　ニ
ュー−クリア　ケミストリー　（Ｊ。
Ｉｎｏｒｇ、　Ｎｕｃｌ、　Ｃｈｅｍ、　）　２８　（
１９６６年）　１．９３７〜１９４３頁においてチャト
ラージ（Ｃｈａｔｔｏｒａｊ　）ほかによって報告され
た方法であり、Ｚｎ（ｈｆａ）２の水アダクツはＨｈｆ
ａ　を酸化亜鉛と反応させることによって得られる。す
なわち、１０グラムのＺ　ｎ　Ｏと３５２ミリリツトル
のＨｈｆａとを１還流冷却器、マグネチック攪拌器およ
び加熱マンテルを備えだフラスコに入れ、攪拌してＺｎ
Ｏを分散させる。３０ミリリツトルのＨ２Ｏをすべての
顕著な反応が終了するまで攪拌しながら加え、加熱によ
ってＨｈｆａの還流を生じさせる。
次に３０ミリリツトルの水と２００ミリリツトルのエー
テルとを加え、この混合物を１時間還流する。冷却後、
余分のＺｎＯを０・、ν過により取除き、エーテル層を
分離し、４＾の分子／−ブを入れて乾燥し、濾過し、次
にエーテルを蒸発させて５５グラムのＺｎ　（ｈｆａ）
２　・２　Ｈ２Ｏを得る。
この生成物の１０グラムを室温においてＴＨＦに溶解し
、次に溶剤を蒸発させ、残留物を真空中１５０　’Ｃの
温度で昇華させて乾燥した氷で冷された冷いトラップに
導く。赤外スペクトル分析、核磁気共鳴試験、熱重量分
析、元素分析および示差熱量試験によってこの化合物の
特性かわかる。この化合物は、化学式Ｚｎ（ｈｆａ）７
・２ＴＨＦであられされる融点１６５°Ｃの物質である
ことかわかっている。この化合物は、温度１６５°Ｃを
約６０時間保ったときわずかに分解するほどの卓越した
熱安定性を示す。
上記実施例２，４および５に記載されたＺｎ（ｈｆａ）
２・２　ＴＨＦ　、　Ｍｇ（ｈｆａ）２　・ｎＴＨＦお
よびＣｅ（ｆｏｄ）４を得る方法も、まだ化合物それ自
体も本発明の一部を構成するものではないが、これらに
関しては、ディピッド・エイ・トンブンン（Ｄａｖｉｄ
　Ａ、丁ｈｏｍｐｓｏｎ４プデ）の発明による米国特許
出願第４１８０６１号および第４１８２１４号明細書に
記載されている。
第１図は、熱重量分析によって確認された上記実施例に
記載されたβ−ジケトン錯化合物の蒸発特性を示すグラ
フである。本図は、約２５〜５００°Ｃの加熱範囲の温
度の関数として、錯化合物サンプルの重量損失をプロッ
トしている。横軸は温度を、縦軸は重量損失をあられす
。
一般に、加熱されたサンプルの蒸発または昇華温度範囲
における曲線の急激な立下りは、蒸発が熱分解を伴なわ
ないで容易になされたことを示し、より高い温度での横
軸に平行々線は熱分解されるべき残留物がないことを示
している。もっとも望ましい蒸発特性はＡｔ（ｈｆａ）
ｓ、Ｚｎ（ｈｆａ）２　・２ＴＨＦおよびＭｇ（ｈｆａ
）２　＋　２　ＴＨＦの曲線で、これらは１００〜２０
０℃の温度範囲で急速かつ完全な蒸発がなされることを
示している。これは、第６図を参照して後述するアダク
トされた錯化合物であるＭｇ（Ｍａ）２−　ＰＣｌ３の
特性とは対照的であり、Ｍｇ（ｈｆａ）２　・ＰＯ２は
３’ＯＯ℃を超える温度においても著しい熱分解と不完
全な揮発がなされる。
第２図は、β−ジケトン錯化合物であるＡｔ（ｈｆａ）
３およびＭｇ（ｈｆａ）２　・２　ＴＨ，Ｆにおいて、
温度を関数として蒸気圧をプロットしたものである。本
図は、これら２つの錯化合物が、１００〜２００℃の温
度範囲において少なくとも１０〜１００ｍｍＨｇの範囲
の蒸気圧を有することを示している。
上述のようなβ−ジケトン化合物がり−−イス塩基と複
合してアダクトされた金属β−ジケトン化合物を形成し
た場合、揮発性に著しい変化を生じうる。かかる変化を
示すだめに、５つの異なるリーーイス塩基を伴なったＭ
ｇ（ｈｆａ）２のアダクツが、少量の昇華したエーテル
・水アダクツＭｆ（ｈｆａ）２−１．５　Ｅｔ２０−　
Ｈ２０を６つのアダクツ、すなわちピリジン、ＣＨ３Ｃ
Ｎ、ＰＣｌ３、ジオキサンおよびジメチルホルムアミド
（ＤＭＦ）のそれぞれのジエチルエーテル溶液に加える
ことによって調合され、夜通し攪拌し、蒸発させて乾燥
し真空中で昇華して生成物を得た。各アダクツの揮発性
は熱重量分析によって評価された。
第ろ図は５つの異なるアダクツＭｇ（ｈｆａ）２・ｘＬ
の熱重量分析曲線を示す。ここでＬは１図示のように、
ピリジン（Ｃ５Ｈ５Ｎ）　、　ＣＨ３ＣＮ、　ＰＣｌ３
．　　ジオキサン（Ｃ４Ｈ８０２）またはＤＭＦ　（（
ＣＨ３）２ＮＣＯＨ）である。アダクト分子内の配位子
りの比Ｘは確定され々かった。比較のためにＭｇ　（ｈ
　ｆ　ａ　）　２・２　ＴＨＦの曲線を併記した。ＣＨ
３ＣＮおよびＰＣｌ３のアダクツは著しい分解を示すが
、その他のアダクツは狭い温度範囲内で完全に蒸発する
。しかし々がら、これらの蒸発温度は、用いられるアタ
ツクの特性に依存して著しく異なる。Ｍｇ（ｈｆａ）２
・２ＴＨＦは試験された数々のアダクツのうちでもつと
も揮発性に富むことが判明した。
本発明における金属化合物は、比較的／Ｊ・さい粒径の
スートを生成するだめに、効率的な蒸発と気相供給によ
って充分な揮発がなされることが要求される。たとえば
、酸化物のスートの粘着性焼結によって空洞のないガラ
スを得るだめには、通常粒径が約０１ミクロンを超えな
いことが望ましい。
次に述べる実施例は１選ばれた単一の！−−７ケ［・ン
化合物の気相酸化によって微細で均質な酸化物スートを
形成する方法を示している。
実施例６−γ−Ａｔ２０３ 前記実施例１において生成されたＡｔ（ｈｆａ）３の適
量をガラス容器内に入れて約１２５°Ｃに熱することに
より液状に保つ。このＡＡ（ｈｆａ）３液（この温度に
おいて約１０　Ｏ７ｎｍＨｇの蒸気圧を有する）中にヘ
リウムよりなるキャリアガスの？包を通し、これにより
Ｈｅガスが気化したＡｔ（ｈｆａ）３を容器外に運ひ出
し、動作している火炎酸化ノく−ナーに供給管を通じて
導く。火炎酸化・く−ナーは米国特許第４１２５２８８
号明細書に記載されたものと同様で、反応蒸気流をバー
ナー面の中央吹出口を通じてバーナー炎中に導入するよ
うになされている。
Ａｔ（ｈｆａ）３はバーナーのメタン・酸素炎中で気相
酸化されてγ−Ａｔ２０．スートを生成し、このスート
を試験のだめに集めた。第４図はγ−Ａｔ２０３サンプ
ルの電子顕微鏡写真を示し、横線は０．１ミクロンの長
さを示している。
第４図から明らかなように、本発明に従ってＡＡ（ｈｆ
ａ）３から生成したγ−Ａｔ２０３は、きわめて小さい
（（０，１ミクロン）球状粒子の形をしており、約０．
０２５〜０．０５ミクロンの範囲の粒径を有する。この
ことは、このスートが、融合固化工程によって得られる
所望の組成を有するセラミックまたは空洞のないガラス
に添加可能であることを示している。
実施例７−ＭｇＯ５ｉ０２ガラス 前記実施例３において生成されたＭｇ　（ｈ　ｆ　ａ　
）２・２ＴＨＦの適量をガラス容器内に入れて約１９０
゜Ｋ熱することにより液状に保つ。この温度ではＭｇ（
ｈｆａ）２　・２　ＴＨＦは約５００　ｍｍＨｇの蒸気
圧を有する。この液中ンこアルゴンよりなるキャリアガ
スの泡を約７２ｃｃ１分の流量で通し、気化したＭｇ（
ｈｆａ）７・２ＴＨＦをキャリアガスに乗せて加熱され
た供給管を通じて上記実施例６で用いた形式の動作して
いるメタン・酸素バーナーに導く。
適量のＳｉＣ／：４を３５℃の温度に保ち（この温度テ
Ｓ＋　ｃｔ４ば５３０ｍｍＨｇの蒸気圧を有する）、ア
ルゴンの泡を５７６ｃｃ／分の流量で通して第２の反応
流を生成し、これを第２の供給管を通じて前記バーナー
に導き、　Ｍｇ（ｈｆａ）２　・２　ＴＨＦを乗せた前
記第１の反応流と合流させる。合流した反応流を３．５
リットル／分の流量の天然ガス（メタン）と３．４リッ
トル／分の流量の酸素との燃焼で生成した火炎の中に導
く。
５ＩＣｔ４およびＭｇ　（ｈｆａ　）２−２　ＴＨＦよ
りなる反応物質は火炎中で気相酸化されて、それぞれ微
細に分離した酸化物スートの形態を有するＳ］０２およ
びＭｇＯを生成する。このスート混合物を試験のために
アルミナ製マンドレル上に集め、分析および後処理を行
なった。
集めたスートの分析によって、１．２１％のＭｇＯと残
余の８１０２とよりなるスート混合物がマンドレル上に
沈積したことが確認された。このスート混合物をスート
焼結用のガス・酸素炎によって加熱して融合固化し、約
１．４６０の屈折率を有する清澄なＭｇＯ５ｔ０２ガラ
スを得た。
Ｍｇ（−ｈｆａ）７　・２　ＴＨＦ中に通されるアルゴ
ンよりなるギヤリアガスの流量を７２’０ｃｃ１分に増
加したことを除き、上記実施例７と同様のガラス形成工
程を反得し７た。これにより、反応流の気相酸化から生
じたスート混合物は７７４重量係のＭｇＯと残余のＳ　
ｉＯ２とよりなるものそあった。このスート混合物を実
施例７のガス・酸素炎中で焼結し。
緻密かつ実質的に空洞のないＭｇＯ５ｉ０２オパールガ
ラスを得た。
気相酸化法のだめの主族金属源としてβ−ノケトン錯化
合物を使用する際には、これら錯化合物が蒸気発生温度
において反応し、その望せしい蒸発特性および安定性に
影響を与えうろことを認識しなければならない。錯化合
物の揮発性を減退させる可能性があると考えられる反応
は、β−ジケトンの配位子におけるハロゲンの酸素原子
に対する求電子置換、β−ジケトン化合物分子と特定の
塩基との複合（（よるアダクツ形成、／タージケトンの
配位子がハロゲン化物によって置換される置換反応、お
よび配位子が種々の金属錯化合物の中で集められて新ら
しい低揮発性錯化合物を生じる再分布反応等である。
これらの反応を回避するためには、各反応蒸気が別個に
酸化領域に運ばれて最後に混合されかつ気相酸化がなさ
れるように蒸気発生／ステムを構成する必要かある。
なお、以上の記載においては１例えば光導波路ファイバ
ーを製造する場合に適用しうる光学的に清澄なカラスの
形成法について述へられているが、本発明による方法は
、酸化物スーＩ・の部分的・焼結が融合固化工程で許容
される多孔質カラスおよびセラミックを含む他の高純度
でラミック製品例えばオパールガラス、半結晶ガラスま
た（、１結晶セラミツクの製造にも適用できる。さら、
：て、例えば敵化物スートを、必要に応じて、融合同化
に先立って所望の形状を有するプリフォームに形成する
ことも可能である。このプリフォーム形成は、例えばス
ートを適当な溶液内に分散し、次にこの分散物質を型に
入れて成形することによってなされうるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に適用されるβ−ジケトン化合物の熱重
量分析曲線図、第２図は本発明に適用されるβ−ジケト
ン化合物の蒸気圧特性、第６図はアダクツとなされたβ
−ジケトン化合物の揮発性がアダクツの種類により変化
することを示す熱重量分析曲線図、第４図は本発明によ
って得られた金属酸化物スートの電子顕微鏡写真である
。 特許出願人　　コーニング　グラス　ワークス代理人　
弁理士　山元俊仁 ３、Ｍｇ（ｈｆａ）２・２ＴＨＦ Ｆｉｇ、　／ 温Ｌ　（ＯＫ−’　ｘ　＋ｏ３） Ｆｉｇ、　２ Ｆ々、３ Ｆｉｇ、　４ １〜 アメリカ合衆国ニューヨーク州 ビッグ・フラッフ・カーディナ ル・レーン７４１ ７２・発　明　者　デビット・アレン・トンプソンアメ
リカ合衆国ニューヨーク州 ホースヘツズ・ストーニイブル ツク・ドライブ１２５９ 手続補正書（方式） １）自オ［ｊ）９イｆヨ２月　ｊ○Ｅｉ特ｔｉＱ”庁長
官　若　杉　和　夫　殿１事件の表示 昭和５８年特許順第１６７６５３弓 ２発明の名称　　気相酸化法・′でよるカラス丘たはセ
ラミック物渭−の製、告方、去 ；３’ｔ’ｌ＋］止金する者 事件との１■係　二持豹出：畑人 名称　　　コーニンククラス　−クーンズ、１代　理　
人 ５補正品令の口付　昭和５９年１月３］Ｅ１６補正の対
象　　明細書中、１名［ｌｌ’ｌ　ＯＮ“ｊ単な説明の
欄７補正の内容 明細書中、第３８＠８行目の［−電子類（Ｄ鏡写真ゴを
「粒子構造を示す電子顕微鏡写真」と補正する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■、気化された複数の化合物を酸化して粒子状酸化物ス
    ートを生成し、このスートを捕捉しかつ焼結によって融
    合固、化して、単一の物品を形成するようになされた気
    相酸化法によるガラスまだはセラミックの製造方法にお
    いて、 前記複数の化合物のうちの少なくとも１つは、元素周期
    表のＩａ、Ｉｂ、Ｉｌａ、Ｉｌｂ、ｌ１ｆａ、ｌ１ｌｂ
    、ｌＶａ、■ｂ族および希土類元素の中から選ばれた１
    つの金属のβ−ジケトン錯化合物であることを特徴とす
    る。気相酸化法によるガラスまだはセラミックの製造方
    法。 ２、選択された複数の金属化合物を気化し、その蒸気を
    酸化領域に運び、この酸化領域において前記蒸気を酸化
    して金属酸化物のスートを生成し、このスートを捕捉し
    かつ融合固化して清澄なガラスを形成し、このガラスを
    延伸して光導波路ファイバーを形成するようになされだ
    光導波路ファイバーの製造方法において、 前記複数の金属化合物のうちの少なくとも］つは１元素
    周期表のＩａ、Ｉｂ、Ｉｌａ、　　ｎｂ、　ｌｌ１ａ。 ｌｌ１ｂ、ＩＶａ、ＩＶｂ族および希土類元素の中から
    選ばれた１つの金属のβ−ジケトン錯化合物であること
    を特徴とする、気相酸化法による先導波路ファイバーの
    製造方法。 ３、特許請求の範囲第１項まだは第２項に記載された方
    法において、前記金属は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｅｅ、Ｍｇｔ　
    Ｓｅｔ　Ｙｔ　Ｃｕ、Ｈｆ％Ｚｒ、’ｒｉ、Ｚｎ。 Ｃｄ、Ａ４．Ｇａ、ＴｌおよびＣｅ　からなる群の中か
    ら選ばれ、前記β−ジケトン錯化合物は２５０’Ｃを超
    えない温度において少なくともＬＯｍｍＨｇの蒸気圧を
    有していることを特徴とする前記方法。 ４、特許請求の範囲第３項に記載された方法において、
    前記β−ジケトン錯化合物は、少なくとも１５３の代置
    を有するβ−ジケトン化合物の配位子を含んでいること
    を特徴とする前記方法。 ５、特許請求の範囲第４項に記載された方法において、
    前記β−ジケトン化合物の配位子は、弗化β−ジケトン
    から誘導されたものであること全特徴とする前記方法。 ６、特許請求の範囲第４項に記載された方法において、
    前記β−ジケトン化合物の配位子は、（ｔｆａ）、（ｈ
    ｆａ　）、（ｔｈｄ）、（ｄｆｈｄ）　、　　（ｊｏｄ
    ）および（ｆｏｄ）の配位子からなる群の中から選ばれ
    たものであることを特徴とする前記方法。 ７、特許請求の範囲第４項に記載された方法において、
    前記β−ジケトン錯化合物は、少なくとも１つのリーイ
    ース塩基が伺加されたものであることを特徴どする前記
    方法。 ８、％許請求の範囲第６項に記載された方法において、
    前記リュイース塩基はテトラヒドロフランであることを
    特徴とする前記方法。 ９、特許請求の範囲第３項に記載された方法において、
    前記粒子状金属酸化物スートが回転するマンドレル」二
    に捕捉されることを特徴とする前記方法。 １０、特許請求の範囲第９項に記載された方法において
    、前記捕捉されたスートは、融合固化工程に先立ってま
    たはその最中に、水分、炭素および弗素等の不純物のう
    ちの少なくとも１つ以上を取除かれるととを特徴とする
    前記方法。
JP58167653A 1982-09-15 1983-09-13 気相酸化法によるガラスまたはセラミック物品の製造方法 Granted JPS59131537A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US418215 1982-09-15
US06/418,215 US4501602A (en) 1982-09-15 1982-09-15 Process for making sintered glasses and ceramics

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59131537A true JPS59131537A (ja) 1984-07-28
JPH0372575B2 JPH0372575B2 (ja) 1991-11-19

Family

ID=23657179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58167653A Granted JPS59131537A (ja) 1982-09-15 1983-09-13 気相酸化法によるガラスまたはセラミック物品の製造方法

Country Status (17)

Country Link
US (1) US4501602A (ja)
EP (1) EP0103448B1 (ja)
JP (1) JPS59131537A (ja)
KR (1) KR910000717B1 (ja)
AT (1) ATE38655T1 (ja)
AU (1) AU561448B2 (ja)
BR (1) BR8304945A (ja)
CA (1) CA1222664A (ja)
DE (1) DE3378466D1 (ja)
DK (1) DK159257C (ja)
FI (1) FI77011C (ja)
HK (1) HK68389A (ja)
IL (1) IL69704A (ja)
IN (1) IN161334B (ja)
MX (1) MX168564B (ja)
NO (1) NO156938C (ja)
SG (1) SG15389G (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04270130A (ja) * 1990-08-16 1992-09-25 Corning Inc 高純度溶融シリカガラスの非多孔質体を作成する方法
JPH06234537A (ja) * 1992-12-28 1994-08-23 Corning Inc 光ファイバ・プリフォ−ムの作成方法
JP2003501360A (ja) * 1999-05-28 2003-01-14 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 化学蒸着のための原料試薬としてのテトラヒドロフラン付加ＩＩ族β−ジケトネート錯体
JP2003040627A (ja) * 2001-07-30 2003-02-13 Mitsubishi Electric Corp 石英系ガラス用原料及び石英系ガラスの製造方法
JP2008110916A (ja) * 2008-01-17 2008-05-15 Mitsubishi Electric Corp 石英系ガラスの製造方法および光デバイスの製造方法
US7624596B2 (en) 2002-06-28 2009-12-01 Liekki Oy Method for the preparation of doped oxide material

Families Citing this family (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5277889A (en) * 1983-10-21 1994-01-11 Corning Incorporated Method for depositing pure metal halide compositions
US4718929A (en) * 1983-10-21 1988-01-12 Corning Glass Works Vapor phase method for making metal halide glasses
GB2164934B (en) * 1984-09-29 1988-10-05 Stc Plc Optical fibres
US4645524A (en) * 1985-04-22 1987-02-24 Corning Glass Works Method for making sodium-containing glass
JPS62502748A (ja) * 1985-06-03 1987-10-22 ヒユ−ズ・エアクラフト・カンパニ− 光フアイバプレフオ−ムにド−バントを導入する方法
US4604118A (en) * 1985-08-13 1986-08-05 Corning Glass Works Method for synthesizing MgO--Al2 O3 --SiO2 glasses and ceramics
GB8527716D0 (en) * 1985-11-09 1985-12-11 Tioxide Group Plc Finely divided oxide
AU604071B2 (en) * 1986-09-22 1990-12-06 Smart Technologies Australia Pty Ltd Coating solutions
US4826288A (en) * 1987-04-09 1989-05-02 Polaroid Corporation, Patent Department Method for fabricating optical fibers having cores with high rare earth content
DE3880816T2 (de) * 1987-06-16 1993-08-12 Kawasaki Steel Co Komplexverbindungen zur bildung von duennfilmen aus supraleitenden oxyden und verfahren zur bildung von duennfilmen aus supraleitenden oxyden.
US5069701A (en) * 1987-07-13 1991-12-03 Hughes Aircraft Company Preparation of fluoride glass by chemical vapor deposition
DE3851751T2 (de) * 1987-12-17 1995-02-02 Univ Colorado Foundation Chemischer dampf-niederschlag von gemischten oxidfilmen.
IL89718A0 (en) * 1988-04-01 1989-09-28 Ppg Industries Inc Formation of superconducting metal oxide film by pyrolysis
US5200388A (en) * 1988-05-13 1993-04-06 Oki Electric Industry Co., Ltd. Metalorganic chemical vapor deposition of superconducting films
US4927670A (en) * 1988-06-22 1990-05-22 Georgia Tech Research Corporation Chemical vapor deposition of mixed metal oxide coatings
US5140003A (en) * 1989-03-22 1992-08-18 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing layers from an oxide-ceramic superconductor material on a substrate using a cvd-process
US5314866A (en) * 1989-05-16 1994-05-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Formation of superconducting Bi-Sr-Ca-Cu-O films by organometallic chemical vapor deposition
US4940477A (en) * 1989-07-19 1990-07-10 Corning Incorporated Method for synthesizing topaz
US5108477A (en) * 1990-05-21 1992-04-28 Corning Incorporated Method for making a glass article
US5252733A (en) * 1990-06-05 1993-10-12 Air Products And Chemicals, Inc. Volatile crown ligand β-diketonate alkaline earth metal complexes
US5280012A (en) * 1990-07-06 1994-01-18 Advanced Technology Materials Inc. Method of forming a superconducting oxide layer by MOCVD
US5225561A (en) * 1990-07-06 1993-07-06 Advanced Technology Materials, Inc. Source reagent compounds for MOCVD of refractory films containing group IIA elements
US7323581B1 (en) 1990-07-06 2008-01-29 Advanced Technology Materials, Inc. Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition
US5204314A (en) * 1990-07-06 1993-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor
US5362328A (en) * 1990-07-06 1994-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem
US6110529A (en) * 1990-07-06 2000-08-29 Advanced Tech Materials Method of forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition
US5453494A (en) * 1990-07-06 1995-09-26 Advanced Technology Materials, Inc. Metal complex source reagents for MOCVD
US5840897A (en) * 1990-07-06 1998-11-24 Advanced Technology Materials, Inc. Metal complex source reagents for chemical vapor deposition
US5152819A (en) * 1990-08-16 1992-10-06 Corning Incorporated Method of making fused silica
US5141549A (en) * 1991-05-17 1992-08-25 The Charles Stark Draper Laboratories Method of fabricating rare earth doped planar optical waveguide for integrated optical circuit
US5211731A (en) * 1991-06-27 1993-05-18 The United States Of Americas As Represented By The Secretary Of The Navy Plasma chemical vapor deposition of halide glasses
US5154744A (en) * 1991-08-26 1992-10-13 Corning Incorporated Method of making titania-doped fused silica
US5319118A (en) * 1991-10-17 1994-06-07 Air Products And Chemicals, Inc. Volatile barium precursor and use of precursor in OMCVD process
DE4304679C2 (de) * 1992-02-17 1996-03-21 Mitsubishi Electric Corp Verfahren zur Herstellung einer dünnen dielektrischen Schicht eines Oxid-Systems unter Verwendung des CVD-Verfahrens
US6103002A (en) 1993-09-14 2000-08-15 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha CVD method for forming oxide-system dielectric thin film
JP2799134B2 (ja) 1992-09-22 1998-09-17 三菱電機株式会社 チタン酸バリウムストロンチウム系誘電体薄膜用ｃｖｄ原料およびメモリー用キャパシタ
GB9312634D0 (en) * 1993-06-18 1993-08-04 Tsl Group Plc Improvements in vitreous silica manufacture
JP3547471B2 (ja) * 1994-03-09 2004-07-28 富士通株式会社 誘電体膜の気相成長方法
EP0747327B2 (en) * 1995-06-07 2003-08-27 Corning Incorporated Method of thermally treating and consolidating silica preforms for reducing laser-induced optical damage in silica
US5703191A (en) * 1995-09-01 1997-12-30 Corning Incorporated Method for purifying polyalkylsiloxanes and the resulting products
US6312656B1 (en) 1995-12-19 2001-11-06 Corning Incorporated Method for forming silica by combustion of liquid reactants using oxygen
US6319551B1 (en) * 1995-12-19 2001-11-20 William M. Risen, Jr. Methods and compositions for forming silica, germanosilicate and metal silicate films, patterns and multilayers
US5879649A (en) * 1995-12-19 1999-03-09 Corning Incorporated Method for purifying polyalkylsiloxanes and the resulting products
DE69633066D1 (de) 1995-12-19 2004-09-09 Corning Inc Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines quarzglases durch verbrennung von flüssigen reagentien
FR2759465B1 (fr) * 1996-04-30 1999-04-30 Corning Inc Procede de formation d'un circuit optique
WO1998027140A1 (en) 1996-12-16 1998-06-25 Corning Incorporated Germanium doped silica forming feedstock and method
KR20000076000A (ko) 1997-03-07 2000-12-26 알프레드 엘. 미첼슨 티타니아-도핑 용융 실리카의 제조 방법
WO1998046617A1 (en) * 1997-04-17 1998-10-22 The President And Fellows Of Harvard College Liquid precursor for formation of metal oxides
US5979185A (en) * 1997-07-16 1999-11-09 Corning Incorporated Method and apparatus for forming silica by combustion of liquid reactants using a heater
US6151336A (en) * 1998-02-11 2000-11-21 Sorrento Networks, Inc. Time division multiplexing expansion subsystem
US6400478B1 (en) 1998-04-02 2002-06-04 Sorrento Networks, Inc. Wavelength-division-multiplexed optical transmission system with expanded bidirectional transmission capacity over a single fiber
US6298103B1 (en) 1998-06-16 2001-10-02 Sorrento Networks Corporation Flexible clock and data recovery module for a DWDM optical communication system with multiple clock rates
US6192713B1 (en) 1998-06-30 2001-02-27 Sdl, Inc. Apparatus for the manufacture of glass preforms
US6546757B1 (en) * 1998-07-28 2003-04-15 Brown University Research Foundation Liquid spray pyrolysis method for the fabrication of optical fiber preforms, with reactant mixing
US6207522B1 (en) 1998-11-23 2001-03-27 Microcoating Technologies Formation of thin film capacitors
JP3766802B2 (ja) 1999-07-22 2006-04-19 コーニング インコーポレイテッド 遠紫外軟ｘ線投影リソグラフィー法システムおよびリソグラフィーエレメント
US6176588B1 (en) 1999-12-14 2001-01-23 Corning Incorporated Low cost light weight mirror blank
AU2001285235A1 (en) * 2000-08-28 2002-03-13 Advanced Technology Materials, Inc. Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate bychemical vapor deposition
WO2002026647A1 (en) * 2000-09-28 2002-04-04 Corning Incorporated Optical glass silica soot particles and method of making same
DE10065028A1 (de) * 2000-12-23 2002-07-18 Degussa Mit Kalium dotierte pyrogene Oxide
JP4154563B2 (ja) * 2001-07-23 2008-09-24 信越化学工業株式会社 シリカ含有複合酸化物球状微粒子及びその製造方法
US6723435B1 (en) * 2001-08-28 2004-04-20 Nanogram Corporation Optical fiber preforms
US6829908B2 (en) * 2002-02-27 2004-12-14 Corning Incorporated Fabrication of inclusion free homogeneous glasses
US6832493B2 (en) * 2002-02-27 2004-12-21 Corning Incorporated High purity glass bodies formed by zero shrinkage casting
US20030159466A1 (en) * 2002-02-27 2003-08-28 Bowden Bradley F. Dry pressing of spray dried soot to make EUV components
DE102008060924A1 (de) * 2008-12-06 2010-06-10 Innovent E.V. Verfahren zur Abscheidung einer Schicht auf einem Substrat
JP2013177297A (ja) * 2012-02-09 2013-09-09 Asahi Glass Co Ltd ドープ石英ガラスの製造方法
EP3950610A1 (de) * 2020-08-06 2022-02-09 Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG Alternative fluorierungsmittel ii: fluosil und sootaufbau

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2734874A (en) * 1956-02-14 Preparation of catalysts of vanadium
US2694651A (en) * 1951-10-08 1954-11-16 Ohio Commw Eng Co Deposition of copper oxides on heat insulating material
US3049797A (en) * 1959-01-22 1962-08-21 Union Carbide Corp Gas plating cerium
US3081200A (en) * 1959-04-10 1963-03-12 Armour Res Found Method of applying an oxide coating onto a non-porous refractory substrate
US3202054A (en) * 1959-10-16 1965-08-24 Corning Glass Works Radiation filter with plural iridized metal oxide films
US3356527A (en) * 1964-04-23 1967-12-05 Ross W Moshier Vapor-plating metals from fluorocarbon keto metal compounds
US3850665A (en) * 1971-07-08 1974-11-26 Glaverbel Process for forming a metal oxide coating on a substrate and resulting products
US3801294A (en) * 1971-12-15 1974-04-02 Corning Glass Works Method of producing glass
ZA735383B (en) * 1972-12-15 1975-03-26 Ppg Industries Inc Coating composition vaporizer
US3894164A (en) * 1973-03-15 1975-07-08 Rca Corp Chemical vapor deposition of luminescent films
US3949146A (en) * 1973-08-24 1976-04-06 Rca Corporation Process for depositing transparent electrically conductive tin oxide coatings on a substrate
US3883336A (en) * 1974-01-11 1975-05-13 Corning Glass Works Method of producing glass in a flame
DE2637937A1 (de) * 1976-08-23 1978-03-02 Siemens Ag Herstellung von lichtleitfasern nach einem fluessigphasen-abscheidungsverfahren
US4173459A (en) * 1976-08-30 1979-11-06 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a light conducting fiber
US4250210A (en) * 1977-12-27 1981-02-10 The International Nickel Co., Inc. Chemical vapor deposition
JPS54131614A (en) * 1978-04-03 1979-10-12 Nippon Sheet Glass Co Ltd Production of metal oxide coated glass
BE879189A (fr) * 1978-10-19 1980-04-04 Bfg Glassgroup Procede de formation d'un revetement d'oxyde d'etain sur un support de verre chaud et produits ainsi obtenus
GB2071644B (en) * 1980-02-22 1984-03-14 Sumitomo Electric Industries Radiation resistant optical fibres and a process for the production thereof
JPS5751146A (en) * 1980-09-09 1982-03-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Preparation of raw material for fluoride optical fiber
EP0055459A1 (en) * 1980-12-29 1982-07-07 Rikuun Electric co. Process for producing oxides using chemical vapour deposition
US4378987A (en) * 1981-10-15 1983-04-05 Corning Glass Works Low temperature method for making optical fibers

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04270130A (ja) * 1990-08-16 1992-09-25 Corning Inc 高純度溶融シリカガラスの非多孔質体を作成する方法
JPH06234537A (ja) * 1992-12-28 1994-08-23 Corning Inc 光ファイバ・プリフォ−ムの作成方法
JP2003501360A (ja) * 1999-05-28 2003-01-14 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 化学蒸着のための原料試薬としてのテトラヒドロフラン付加ＩＩ族β−ジケトネート錯体
JP2003040627A (ja) * 2001-07-30 2003-02-13 Mitsubishi Electric Corp 石英系ガラス用原料及び石英系ガラスの製造方法
US7624596B2 (en) 2002-06-28 2009-12-01 Liekki Oy Method for the preparation of doped oxide material
JP2008110916A (ja) * 2008-01-17 2008-05-15 Mitsubishi Electric Corp 石英系ガラスの製造方法および光デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DK418483A (da) 1984-03-16
FI833283A0 (fi) 1983-09-14
EP0103448A3 (en) 1984-10-10
FI833283A (fi) 1984-03-16
FI77011B (fi) 1988-09-30
NO833305L (no) 1984-03-16
EP0103448B1 (en) 1988-11-17
JPH0372575B2 (ja) 1991-11-19
IL69704A0 (en) 1983-12-30
NO156938C (no) 1987-12-23
BR8304945A (pt) 1984-04-24
AU1898583A (en) 1984-03-22
ATE38655T1 (de) 1988-12-15
AU561448B2 (en) 1987-05-07
KR840006179A (ko) 1984-11-22
DK159257B (da) 1990-09-24
NO156938B (no) 1987-09-14
FI77011C (fi) 1989-01-10
CA1222664A (en) 1987-06-09
KR910000717B1 (ko) 1991-01-31
EP0103448A2 (en) 1984-03-21
IL69704A (en) 1991-12-12
HK68389A (en) 1989-09-01
MX168564B (es) 1993-05-31
SG15389G (en) 1989-06-09
US4501602A (en) 1985-02-26
DK159257C (da) 1991-03-11
DE3378466D1 (en) 1988-12-22
DK418483D0 (da) 1983-09-14
IN161334B (ja) 1987-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS59131537A (ja) 気相酸化法によるガラスまたはセラミック物品の製造方法
Hubert‐Pfalzgraf Metal alkoxides and β‐diketonates as precursors for oxide and non‐oxide thin films
US4604118A (en) Method for synthesizing MgO--Al2 O3 --SiO2 glasses and ceramics
CN1953953B (zh) 包含β-酮酸基配体的金属络合物
CA2223677A1 (en) Metal complex source reagents for chemical vapor deposition
JPS62501699A (ja) 多成分光ファイバ及びその製造方法
AU658922B2 (en) Metal beta-diketonates
EP0198980B1 (en) Method for making sodium-containing glass or ceramic
US4982019A (en) Volatile divalent metal alkoxides
JP3818691B2 (ja) 希土類元素のｃｖｄ用原料化合物およびこれを用いた成膜法
USH1170H (en) Volatile divalent double metal alkoxides
WO2003064437A1 (fr) Complexes de cuivre et procede de fabrication de films minces contenant du cuivre au moyen desdits complexes de cuivre
JPH04134044A (ja) 薄膜形成用金属錯体
JP2717623B2 (ja) 膜形成材料及び膜形成方法
JP2799763B2 (ja) 有機金属錯体を用いる薄膜の製造法
Archer et al. Synthesis, characterization and reactivity of crown ether adducts of barium carboxylates: Ba (O2CCH3) 2 (18-crown-6)· 4H2O and Ba (O2C (CH2) 4CO2)(18-crown-6)· 8H2O
JP2979839B2 (ja) フッ化物ガラス用ｃｖｄ原料
JPH0953177A (ja) Ｃｖｄ用銅源物質およびこれを用いた成膜法
JPH0474866A (ja) １，３―ジケトン系有機金属錯体を用いる薄膜の製造方法
JPH05239067A (ja) 高純度Ｂａβ−ジケトン錯体の製造方法
JPH09509187A (ja) ニッケルおよび／または酸化ニッケルの気相からの析出方法、並びに安定な蒸発特性を有する新規なニッケル化合物
JPH05208985A (ja) フッ素化モノチオ−β−ジケトン金属錯体化合物
JPH05117199A (ja) フツ素化ジケトン金属錯体化合物
JPH02275726A (ja) フッ化物ガラス及びフッ化物ガラスを用いた光ファイバ用プリフォームの製造方法
JPH0276832A (ja) 金属酸化物の製造方法