NO156938B - Fremgangsmaate for fremstilling av en gjenstand av glass eller keramisk materiale ved en dampfaseoksydasjonsprosess. - Google Patents
Fremgangsmaate for fremstilling av en gjenstand av glass eller keramisk materiale ved en dampfaseoksydasjonsprosess. Download PDFInfo
- Publication number
- NO156938B NO156938B NO833305A NO833305A NO156938B NO 156938 B NO156938 B NO 156938B NO 833305 A NO833305 A NO 833305A NO 833305 A NO833305 A NO 833305A NO 156938 B NO156938 B NO 156938B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- glass
- soot
- metal
- diketonate
- vapor phase
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 title claims description 34
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 title claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 52
- 239000004071 soot Substances 0.000 claims abstract description 46
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 14
- 238000005245 sintering Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 30
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 10
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 125000005594 diketone group Chemical group 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 6
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 5
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);trinitrate Chemical compound [Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 4
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- DQYBDCGIPTYXML-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;hydrate Chemical compound O.CCOCC DQYBDCGIPTYXML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 3
- 239000011022 opal Substances 0.000 description 3
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 3
- NIRCAUPPZAUKDX-UHFFFAOYSA-N 5-benzyl-2-[[4-(3-chlorophenyl)piperazin-1-yl]methyl]-6-methylpyridazin-3-one Chemical compound O=C1C=C(CC=2C=CC=CC=2)C(C)=NN1CN(CC1)CCN1C1=CC=CC(Cl)=C1 NIRCAUPPZAUKDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010668 complexation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 diketone anion Chemical class 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 2
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- XWBVTGFPQXBNOZ-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trifluoro-6-methylheptane-2,4-dione Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(=O)C(F)(F)F XWBVTGFPQXBNOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQNZLBOJCWQLGQ-UHFFFAOYSA-N 6,6,7,7,8,8,8-heptafluoro-2,2-dimethyloctane-3,5-dione Chemical compound CC(C)(C)C(=O)CC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F SQNZLBOJCWQLGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical group N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000208152 Geranium Species 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910017970 MgO-SiO2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical group [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000008275 binding mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Chemical group 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000011222 crystalline ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910002106 crystalline ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006092 crystalline glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 238000010908 decantation Methods 0.000 description 1
- 230000005595 deprotonation Effects 0.000 description 1
- 238000010537 deprotonation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000007336 electrophilic substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000012259 ether extract Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N hexafluoroacetylacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)CC(=O)C(F)(F)F QAMFBRUWYYMMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- RIPZIAOLXVVULW-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-dione Chemical compound CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O RIPZIAOLXVVULW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000005373 porous glass Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000002390 rotary evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000007569 slipcasting Methods 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002061 vacuum sublimation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/77—Preparation of chelates of aldehydes or ketones
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1415—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C1/00—Ingredients generally applicable to manufacture of glasses, glazes, or vitreous enamels
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
- C03C13/046—Multicomponent glass compositions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/632—Organic additives
- C04B35/6325—Organic additives based on organo-metallic compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C49/00—Ketones; Ketenes; Dimeric ketenes; Ketonic chelates
- C07C49/92—Ketonic chelates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
- C07F3/003—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/30—For glass precursor of non-standard type, e.g. solid SiH3F
- C03B2207/32—Non-halide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
- C03B2207/87—Controlling the temperature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/90—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from solid glass precursors, i.e. by sublimation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2201/00—Glass compositions
- C03C2201/06—Doped silica-based glasses
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2203/00—Production processes
- C03C2203/40—Gas-phase processes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S65/00—Glass manufacturing
- Y10S65/901—Liquid phase reaction process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
- Reinforced Plastic Materials (AREA)
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
Foreliggende oppfinnelse befinner seg innenfor området
keramisk fremstilling og vedrører spesielt en fremgangs-
måte for å fremstille rent glass eller keramiske produkter,
ved hjelp av damp-avsetning og derpå følgende sintring.
Den foretrukne kommersielle fremgangsmåten ved fremstillin-
gen av svært rene glassprodukter slik som optiske bølge-
ledere av glass, er ved hjelp av dampavsetning. Fremgangsmåten omfatter vanligvis transport av fordampede reaktanter til et oksydasjonssted, f.eks. en brenner eller en sone med varm plasma som grenser opp til et avsetningssubstrat eller befinner seg i et avsetningsrør av glass, oksydasjon av reaktanten på oksydasjonsstedet hvorved det dannes et bestemt oksyd eller sot-oksydasjonsprodukt på støpekjernen eller røret, og til slutt behandling av det avsatte sotet for å omdanne det til klart glass.
Fordampningskarakteristikaene for reaktantene er kritiske
ved slik behandling. Ved kommersiell utøvelse har disse reaktantene bestått av de flyktige halogenidene eller hydridene av de utvalgte metallene eller halvmetallene,
f.eks. halogenidene eller oksyhalogenidene av silisium, fosfor, geranium og bor. Disse forbindelsene har høye damptrykk ved temperaturer som er lett å opprettholde i et avleveringssystem for damp, og omdannes til rene oksyder på oksydasjonsstedet. I noen tilfeller har det vært brukt systemer som opererer med temperaturer over kokepunk-temperaturen for den flyktige halogenid- eller oksyhalogenid-forbindelsen ved atmosfærisk trykk.
Det har vært foreslått at andre flyktige forbindelser av
disse metallene, slik som de organometalliske forbindelsene, kunne brukes, men det har ikke vært noen kommersiell anvendelse av dette forslaget på bølgelederområdet. I GB 2.071.644 foreslås det at silaner, klor- og alkylsubstituerte silaner og/eller silikatestere kan brukes i avleverings-systemet for damp, ved fremstilling av optiske bølgeledere,
men vanligvis har ustabilitet, høy reaktivitet og/eller
begrensede damputtrykk hos slike forbindelser virket hemmende på deres anvendelse.
Det har vært erkjent at det ville være ønskelig å bruke mange av de vanlige glassmodifiserende oksyder, slik som MgO, Na2d, A^O-^, CaO og lignende ved fremstillingen av optiske bølgeledere av glass ved hjelp av dampavsetnings-teknikker, men det er ennå ikke blitt utviklet noen tilfredsstillende teknikk for å inkorporere disse oksydene i damp-avsatt glass. De fleste av hovedgruppemetallene og de sjeldne jordmetallene som er anvendt bare til å modifisere gjennomskinnelige glass, danner ikke flyktige klorider eller andre flyktige, men stabile uorganiske forbindelser.
Selv om de har potensiell anvendbarhet som modifiserende behandlingsmidler i bølgeledere av glass, har det følgelig ikke blitt utviklet noen. vellykket teknikk for inkorpore-ring av disse oksydene i damp-avsatt glass i høy renhet og med nøye kontroll over konsentrasjonen.
Det har vært foreslått å bruke metall-alkyler som metall-kilder for dampavsetningen av oksyder, men disse forbindelsene er vanligvis så ustabile at det ville være risikabelt. F.eks. er forbindelsene trimetylaluminium, AlCCH^)^°9 dimetylsink, Zn { Cll^) ^, flyktige og reaktive, men de er pyrofore og følgelig svært farlige å lagre og bruke.
US patent 3.801.294 beskriver en tydelig fremgangsmåte for
å inkorporere modifiserende midler fra hovedgruppen i damp-avsatte oksydglass hvor direkte fordampning av metall-halogenider fra den faste fasen foreslås. Denne fremgangsmåten er ufordelaktig fordi høye temperaturer i avleverings-systemet må opprettholdes for å oppnå selv moderate damptrykk, og det er vanskelig å kontrollere konsentrasjonene av behandlingsmidler som er til stede i bærergass-strømmen.
US patent 3.883.336 foreslår en alternativ fremgangsmåte
for å inkorporere hovedgruppe-oksyder i damp-avsatt glass hvor en oppløsning som inneholder et oppløselig salt av
ønskede metallet, forstøves, og den dispergerte oppløsning sendes inn i en oksydasjonsflamme hvor metalloksyd-sot frembringes. I motsetning til oppløsningsmiddelfri dampfaseoksydasjon gir ikke denne fremgangsmåten reproduserbart et oksyd-sot med en partikkelstørrelsesfordeling som er slik at det kan sintres til porefritt, homogent glass eller keramikk av blandet oksyd. Videre er oppløsningsmidlene som brukes, potensielle kilder for forurensning av produktet. Hverken partikkelformede oksyd-innleiringer eller for-urensede urenheter kan tolereres i optisk bølgeleder-glass.
US patenter 4.141.710 og 4.173.459 foreslår en alternativ teknikk for å bruke oppløsninger hvor et oppløsningsmiddel som bærer en termisk dekomponerbar organisk eller uorganisk forbindelse av det ønskede metallet tilføres den indre over-flaten av et tiltrekningsrør eller en smeltedigel. Dette er snarere en fremgangsmåte med termisk dekomponering enn en fremgangsmåte med dampfaseoksydasjon, og den er derfor ikke velegnet til fabrikasjonen av optiske bølgeledere av glass. Avsetningene fremstilt ved hjelp av varm-overflatetermisk dekomponering adskiller seg igjen betydelig med hensyn til morfologi fra sotene som fremstilles ved hjelp av dampfaseoksydasjon, og oppviser ofte oppsprekking og avflaking dersom de blir tykke. Følgelig kan slike avsetninger være svært vanskelige å omdanne til feilfritt glass. Mens den termiske dekomponering av uorganiske og organometalliske forbindelser, inkludert metallchelater slik som acetylacetonater, har vært brukt til å fremstille tynne oksydfilmer på glassplater
(GB 1.454.378 og GB 2.033.384A), og til metallbelegging (US 3.356.527 og US 3.049.797) lar følgelig ikke slik ut-øvelse seg tilpasse kommersielt til fabrikasjonen av glassprodukter i større mengder, slik som optiske bølgeledere.
Det er derfor et første formål ved den foreliggende oppfinnelse å tilveiebringe en fremgangsmåte for å fremstille glass eller andre rene keramiske produkter som tillater inkorporeringen av hovedgruppe- og sjeldne jordartmetalloksyder i slike produkter uten uønskede porer eller avbrudd i sammensetningen slik som partikkelformede oksyd-innleiringer, hvilke produkter bl.a. kan anvendes for optiske' bølgeledere.
Foreliggende oppfinnelse omfatter bruken av utvalgte for-dampbare chelater av utvalgte hovedgruppe- og sjeldne jordartmetaller som dampkilder for fremstillingen av rent glass og keramiske produkter ved konsolideringen av oksydsot fremstilt ved hjelp av dampfaseoksydasjon. Fremgangsmåten følger den som for tiden brukes til avsetningen av rent oksydglass-dannere og glassmodifikasjonsmidler for produkter slik som optiske bølgeledere, ved det at metall-forbindelsene fordampes og transporteres som damp til et oksydasjonssted hvor forbindelsene omsettes i dampfasen til fint fordelt sot. Ifølge vanlig praksis samles så
dette oksydsotet opp og konsolideres ved oppvarming til klart glass, som til slutt kan bearbeides til et produkt slik som en optisk bølgelederfinér. Slike dampavsetnings-fremgangsmåter er fordelaktige fordi de tillater fremstillingen av svært rent glass eller keramiske produkter, dvs. produkter fremstilt av amorfe eller krystallinske materialer som ikke inneholder mer enn i alt ca. 0,01 vekt-% metalliske urenheter.
Metaller som kan anvendes i overensstemmelse med oppfinnelsen, er som nevnt valgt fra gruppene IA, IB, IIA, IIB, HIA, UIB, IVA, IVB, og fra grunnstoff seriene av sjeldne jordmetaller i det periodiske system. Disse tilveiebringes som preparater av stabile metallchelatforbindelser som kan fordampes ved moderate temperaturer og transporteres ved høye partialtrykk. De transporterte chelatdampene om-
dannes ved dampfaseomsetning på reaksjonsstedet til et fint oppdelt oksydsot ved partikkelstørrelsesfordeling som er egnet for oppsamling og konsolidering i et enhetlig eller monolitisk produkt, fortrinnsvis et klart glass. Chelatene som brukes til fremgangsmåten, er valgt blant metall-fi-diketonater, dvs. komplekser av metallet med en eller flere 3-diketonatligandere avledet fra gruppen av diketoner kjent som
3-diketoner. (3-diketonatkomplekset kan omfatte diketonatligander alene, eller det kan være til stede ytterligere ligander i komplekset som addukter til metallchelatstrukturen.
Forbindelser valgt fra denne gruppen er væsker eller faste stoffer med omgivelsestemperaturer og -trykk. De er forholdsvis stabile mot oksydasjon i luft, ikke desto mindre kan de oppvise damptrykk på over 10 mm Hg, og av og til over 100 mm Hg ved temperaturer under dekomponeringstemperaturene deres. De utvalgte forbindelsene oppviser tilstrekkelig stabilitet til å bli transportert ved disse temperaturene uten betydelig dekomponering, ikke desto mindre omsette dem lett i damp-fasene til rene metalloksyder i nærvær av oksygen på reaksjonsstedet, med eller uten ytterligere oppvarming avhengig av den bestemte induserte dampfasereaksjonen.
Ved å anvende disse forbindelsene kan hovedgruppe- og
sjeldne jordgrunnstoffer transporteres i dampform til et reaksjonssted i betydelige, men kontrollerbare konsentrasjoner uten anvendelsen av en oppløsningsmiddelbærer, slik at det kan tilveiebringes oksyder av disse metallene med høy renhet i svært finfordelt form egnet for sintring til klare glass-eller finkornet keramikk.
Ifølge foreliggende oppfinnelse er det tilveiebragt en fremgangsmåte for fremstilling av en gjenstand av glass eller keramisk materiale ved en dampfase-oksydasjonsprosess hvor fordampede glass- eller keramikk-kildeforbindelser oksyderes mens de befinner seg i dampfasen for dannelse av partikkelformig oksydsot, oksydsotmaterialet oppfanges som avsatt sot i en oppsamlingsbeholder eller på et avsetningssubstrat, og den avsatte sot sintres ved oppvarming for dannelse av en hulromfri, monolitisk, selvbærende glass- eller keramikkgjenstand, idet gjenstanden har en sammensetning som innbefatter minst ett modifiserende oksyd av et metall valgt fra gruppene IA, IB, IIA, IIB, HIA, UIB,. IVA, IVB og de sjeldne jordartmetaller i det periodiske system, og denne
fremgangsmåten er kjennetegnet ved at
a) det anvendes et 3-diketonatkompleks av det valgte metall som den fordampede kildeforbindelsen for minst ett
av metalloksydene i gjenstanden;
b) det anvendes et f}-diketonatkompleks av det valgte metall som har et damptrykk på minst 10 mm (Hg) ved en
temperatur under 250°C; c) det anvendes et 3-diketonatkompeks som kan fordampes ved en temperatur under 250°C uten betydelig termisk dekomponering, som vist ved termogravimetrisk analyse; d) det fordampede |3-diketonatkomplekset oksyderes i dampfasen for dannelse av partikkelformig oksydsot av
det valgte metall, og hvilket sot oppfanges og sintres.
Oppfinnelsen kan forstås bedre under henvisning til tegningene hvor: fig. 1 består av termogravimetriske kurver for utvalgte (3-diketonatforbindelser egnet for bruk i overensstemmelse med opprinnelsen,
fig. 2 består av damptrykkdata for utvalgte (3-diketonatforbindelser egnet for bruk i overensstemmelse med oppfinnelsen,
fig. 3 består av termogravimetriske kurver som viser virk-ningene av adduktvariasjon på fordampbarheten av noen (3-diketonatforbindelser i adduktform, og
fig. 4 er et elektronmikroskopfotografi av et oppsamlet metalloksyd-sot tilveiebragt i overensstemmelse med oppfinnelsen .
Oksyder som kan avsettes ved hjelp av dampfaseoksydasjon i
i overensstemmelse med oppfinnelsen, omfatter oksydene av metaller valgt fra gruppene IA, IB, IIA, IIB, HIA, UIB,
IVA og IVB i det periodiske system. Disse kan omfatte oksyder som er i stand til å danne glass, f.eks. aluminiumoksyd, men er i overveiende grad oksyder som brukes som mellom-produkter eller modifiserende midler i glassdannende systemer, f.eks. alkali- og jordalkalimetalloksyder. Eksempler på aktu-eller metaller valgt fra disse gruppene er som følger: Gruppe IA - Li og Na, gruppe IB - Cu, Gruppe IIA - Be, Mg, gruppe IIB - Zn, Cd, Hg, gruppe UIB - Sc, Y, gruppe HIA - Al, Ga, gruppe IVA - Sn oh gruppe IVB - Zr og Hf.
Sjeldne jordartmetalloksyder kan også avsettes ved hjelp av dampfaseoksydasjon i overensstemmelse med oppfinnelsen. Et eksempel på et sjeldent jordartmetalloksyd som med fordel kan brukes som et behandlingsmiddel i optisk bølgelederglass,
er CeC^, som i perioder kan bedre resistensen hos bølge-ledere mot strålingsødeleggelse. Andre sjeldne jordartmetalloksyder som har vært vurdert for bruk som glassmodifiserende midler i bølgeledere av sammensmeltet silisium-dioksyd, er La og Yb.
For å være egnet for bruk i et avleveringssystem for damp
til dampfaseomsetning må forbindelser av metaller som er utvalgt for å inkorporeres i det avsatte oksydet, ha et bestemt damptrykk ved en viss temperatur under forbindelsens dekomponeringstemperatur. Dette kravet til damputtrykk varierer avhengig av både konsentrasjonen av metalloksyd som trengs i avsetningsproduktet, og med den ønskede avsetnings-hastighet, men kan variere fra så lite som 1 mm Hg for en forbindelse som trengs i bare spormengder, til et damptrykk på minst 10 mm Hg og fortrinnsvis minst 100 mm Hg for forbindelser som skal inkorporeres som hovedmellomprodukt eller glassmodifiserende bestanddeler i det avsatte glasset.
Det er kjent at strukturen av metall-(3-diketonatmolekyler består av et metallatom omgitt av (3-diketonligander med den generelle formel: (R-CO-CH-CO-R<1>)~. R- og R'-bestand-delene er vanligvis alkyl- eller fluorerte alkylgrupper som inneholder 1-4 karbonatomer. Det er erkjent at for et bestemt metall avhenger fordampbarheten av det tilsvarende metall-p-diketonatet sterkt av indentiteten av R- og R'-bestanddeler.
Usubstituerte diketoner med lav molekylvekt slik som acetylaceton-(2,4-pentandion) har vært brukt til å danne oppløselige metallkomplekser for fremstillingen av metall-oksydfilmer ved hjelp av termisk dekomponering mot oppvarmede substrater. Metall-3-diketonater som inneholder disse ligandene, oppviser imidlertid vanligvis ikke tilstrekkelig høye damptrykk under sine dekomponeringstemperaturer til å være brukbare dampkilder for dannelsen av hovedgruppe-metalloksyder ved hjelp av dampfaseoksydasjon ifølge oppfinnelsen.
Derimot kan metall-p-diketonater hvor p-diketonligandene har høyere formelvekt, dvs. minst ca. 35, og spesielt når de er avledet fra fluorerte diketoner, oppvise betydelig høyere damptrykk, og kan følgelig brukes til å frembringe betydelige volumer med metallholdige dampfaser til dampfasegenereringen av oksydsot. Det har vært antydet at den forbedrede fordampbarheten av fluorsubstituerte (3-diketonatkomplekser skyldes en virkning på van der Waals bindingskrefter innen chelatmolekyler forårsaket av den høye elektronegativiteten til fluor (R. E. Sievers et al., Science, 201 (4352) sidene 217-223). Hos store fluorfrie ligander kan sterisk hindring være en faktor.
Eksempler på fluorert og/eller (3-diketoner med høy molekylvekt som er egnet til kompleksdannelse med hovedgruppe- eller sjeldne jordartmetaller til flyktige metallchelater, er angitt i tabell 1 nedenunder. I tabell 1 er det for hver navngitt forbindelse tatt med en molekylstruktur for hver forbindelse, et symbol eller et trivialnavn som brukes som en forkortet angivelse for forbindelsene i etterfølgende eksempler, og kokepunktstemperaturer for hver forbindelse (angitt ved 760 mm Hg med unntak av der hvor det er hvor det er angitt noe annet). Prefiksen H i hvert av de forkortede angivelser (f.eks. Hhfa) refererer til den nøytrale forbindelsen i diketonformen, mens diketonationformen er beskrevet uten prefikser (hfa) . P.g.a. det praktiske kravet til høy flyktighetsgrad utgjør bruken av de fluorerte 3-diketonatene av hovedgruppe- og sjeldne jordartmetallene den foretrukne fremgangsmåte for dampfasenomsetningen av hovedgruppemetaller i overensstemmelse med oppfinnelsen, og bruken av en eller flere av de fluorerte ligandene fra tabell 1 ovenfor er spesielt fore-trukket .
Bindingsmekanismen i 3-diketonatkomplekser er nesten alltid gjennom oksygenatomene i liganden, etter deprotonisering av diketonet til anionet, på følgende måte:
Som bekjent er ladningen på diketonatanionet i virkeligheten delokalisert omkring den funksjonelle gruppen -CO-CH-CO- og viser seg ikke på det sentrale karbonatomet slik som vist.
3-diketonatkomplekser oppviser vanligvis høy oppløselighet i ikke-polare organiske oppløsningsmidler, f.eks. heksan, karbon-tetraklorid eller lignende, med mye lavere oppløselighet i alkoholer eller vann. Fremgangsmåter for fremstilling av disse komplekser er blitt beskrevet i litteraturen. Se f.eks. Metal g<->Diketonates and Allied Derivatives, R. C. Mehrotra, R. Bohra og B. P. Gaur, Academic Press, New York
(1978) .
Eksempler på bestemte 3_diketonatkomplekser av metaller som skulle oppvise damptrykk på minst ca. 10 mm Hg uten betydelig dekomponering ved temperaturer på 250°C eller lavere, og følgelig skulle være egnede kilder for disse metaller ved omsetning ved dampfaseoksydasjon til metalloksyder, er angitt i tabell 2 nedenunder. Tabell 2 omfatter e-n oppstilling av metallene som grunnstoffer sammen med en angivelse av hvilke ligander som er egnet for kompleksdannelse med disse, idet de sistnevnte er identifisert ved hjelp av sine vanlig brukte symboler slik som angitt i tabell 1 ovenfor.
Der hvor bare små konsentrasjoner av et utvalgt oksyd skal inkorporeres i et oksydasjonsprodukt, trengs det ikke så høye damptrykk som 10 mm Hg,og1 trykk så lave som 1 mm Hg kan gi tilfredsstillende metalldampkonsentrasjoner. Et eksempel på et slikt tilfelle er inkorporeringen av ceriumoksyd som et sporbehandlingsmiddel for å dempe avfarging p.g.a. stråling i et silikatkjerneglass for en optisk bølgeleder, hvor det knapt nok trengs konsentrasjoner som overskrider ca.
0,1% CeO^. Ce(tod)^ er et eksempel på et (3-diketonat av et sjeldent jordartmetall som, selv om det ikke oppviser damptrykk så høye som noen av de fluorerte B-diketonatene beskrevet ovenfor, oppviser tilstrekkelig damptrykk til å
utgjøre en egnet dampkilde for å frembringe en liten kon-sentrasjon ceriumoksyd ved hjelp av dampfaseoksydasjon. Selv for sporbehandling vil selvfølgelig en mer bekvem utøvelse være å bruke et kompleks med høyere damptrykk, slik som Ce(fod)ij, der hvor et slikt er tilgjengelig.
I mange tilfeller har g-diketonatkomplekser en tilbøyelig-
het til å danne addukter med oppløsningsmiddelmolekyler som brukes ved fremstillingen, særlig når komplekset ikke er koordinativt mettet, og oppløsningsmiddelet er e*<n> god Lewis-base. De resulterende B-diketonatkompleksene som har dannet addukter, kan være svært stabile og kan selv oppvise tilstrekkelig stabilitet og flyktighet til å utgjøre nyttige dampkilder. Eksempler på forbindelser som danner addukter med B-diketonater, er ammoniakk, vann, pyridin, bipyridyl, fenanthrolin, tetrahydrofuran og dimetylformamid. Disse knyttes til komplekset som ytterligere ligander hvorved det fås seks ganger eller høyere koordinasjon med metallet.
Fremgangsmåten hvorved metalloksyd-sot samles opp og konsolideres til et glass eller et annet produkt, etter å være blitt frembragt ved hjelp av dampfaseoksydasjonen av B-diketonatkomplekser i overensstemmelse med oppfinnelsen, er ikke kritisk. Praktisk talt enhver tidligere kjent sot-fremstillingsteknikk kan brukes, deriblant - men ikke begrenset - til å samle opp sotet på en egnet spindel eller oppsamlings-stav, å fange opp sotet i en oppsamlingsbeholder, konsolidere det oppsamlede sotet ved sintring på eller ved siden av opp-samlingsstedet, eller etter forming av det løse sotet ved kompri-mering eller glidestøping, og behandle det oppsamlede sotet før eller under konsolidering for å fjerne ikke-metalliske urenheter som vann, karbon eller fluor.
De følgende eksempler beskriver B-diketonatforbindelser
som er blitt fremstilt og på bakgrunn av sine egenskaper for tiden anses som egnet for bruk som kilder for hoved-gruppemetall ved fremstilling av rene oksyder, egnet for glassdannelse ved hjelp av gassfase-oksydasjonsfremgangs-måter.
Eksempel 1 - Al( hfa)^
Et 3-diketonatkompleks av aluminium (et gruppe IIIA metall) fremstilles ved å omsette heksafluoracetylaceton (Hhfa) med aluminiumklorid. En 1,06 g prøve av A1C1 3 tilsettes til 10 ml CCl^ med omrøring under nitrogen. En oppløsning av (Hhfa) i CCl^ tilsettes sakte til AlCl^-oppløsningen, idet det utvikles store mengder HC1 under tilsettingen. Reaksjonsblandingen tilbakeløpskokes i 30 minutter, og den varme blandingen sendes deretter gjennom et frit-filter.
Det klare filtratet utkrystalliseres etter avkjøling hvorved man får ca. 5,21 g av et hvitt krystallinsk produkt. Dette produkt renses ved hjelp av vakuumsublimering ved 80°C i en tørris-avkjølt kuldefelle.
Infrarød spektralanalyse av en prøve av produktet i KBr svarer til det som er rapportert i litteraturen for Al(hfa)^-Den forbindelsen sublimerer lett ved temperaturer over
50°C, smelter ved ca. 72-74°C og har et rapportert damptrykk på ca. 100 mm Hg ved 125°C. Dette indikerer at forbindelsen ville være en egnet kilde for aluminiumholdige damper ved fremstillingen av oksydsot som lar seg sintre ved hjelp av en reaksjonsfremgangsmåte i dampfase.
Eksempel 2 - Mg( hfa),,
B-diketonatkomplekser av metallet magnesium fra gruppe IIA fremstilles ved å omsette (Hhfa) med basisk magnesiumkarbonat. En 2,5 g prøve av basisk magnesiumkarbonat, 4 MgCo^.Mg-(OH)2.nH20 (n=6) , suspenderes i 10.0 ml ved omrøring under nitrogen. En 10,41 g prøve av (Hhfa) tilsettes til sus-pensjonen, og blandingen tilbakeløpskokes i 2 timer.
Eteren adskilles deretter fra en fast restfase ved dekante-ring og inndampning til tørrhet. Inndamping etterlater et restprodukt i form av et hvitt pulver identifisert som eter-vann-adduktet av magnesiumheksafluoracetylacetonat, Mg(hfa)2•1,5Et20.H20. Dette adduktkomplekset smelter
ved ca. 225°C og kan fordampes ved sublimering ved 165°C.
For å fremstille et tetrahydrofuran (THF) addukt av Mg(hfa)2 tilsettes et 20 ml stort volum THF til eter-vann-adduktet fremstilt som beskrevet ovenfor, og den resulterende oppløsning omrøres i 18 timer. Rotasjonsdampning av oppløsningen etterlater en hvit pulverrest identifisert ved hjelp av protonkjernemagnetisk resonans (nmr) som Mg(hfa)2•4THF. Sublimering av denne forbindelsen i en tørris-avkjølt kuldefelle gir adduktet Mg(hfa)2•2THF, en forbindelse med et smeltepunkt på omtrent 130°C som kan fordampes ved 160°C hvorved det frembringes Mg-holdige damper til en dampfase-oksydasjonsfremgangsmåte.
Eksempel 3 - Na( tfmhd)
Et 3-diketankompleks av metallet natrium fra gruppe IA fremstilles ved å omsette natriumhydroksyd med et B-diketon som inneholder en kjede med 7 karbonatomer. En 4,08 g prøve av pelletisert NaOH oppløses i 50 ml vann i en skille-trakt og 20,0 g av diketonet 1,1,1-trifluor-6-metyl-2,4-heptandion (Htfmhd) tilsettes til oppløsningen. Denne blandingen rystes med jevne mellomrom i løpet av en 15 minutters periode, og deretter tilsettes eter for å ekstrahere Na B-diketonatproduktet fra blandingen. Det lysegule eter-ekstraktet inndampes til tørrhet i luft hvorved man får et lysegult fast stoff identifisert som Na(tfmhd) som har et ubestemt smeltepunkt, men som viser tegn på sublimering ved
ca. 260°C med enkelte tegn på termisk dekomponering.
Eksempel 4 - Ce( fod)^
Et 3-diketonatkompleks av det sjeldne jordartmetallet
cerium fremstilles ved å omsette ceriumnitrat med 6,6,-7,7,8,8,8-heptafluor-2,2-dimetyl-3,5-oktandion.
En 68,2 g prøve av dette B-diketonet (Hfod) tilsettes
til 115 ml 2M vandig NH^OH, hvilket representerer et hvitt bunnfall som adskilles og oppløses i 200 ml vann og 200 ml metanol. Den erholdte oppløsning plasseres i en tilsetningstrakt og tilsettes dråpevis til en salpetersyre-oppløsning av ceriumnitrat bestående av 25,0 g Ce(N03)3.6H20 oppløst i 60 ml 1,4 M HN03. 2M NH^OH tilsettes så for å få og opprettholde en pH på 6.
Den resulterende blanding adskilles i en rød oljefase og
en vandig fase. Den separerte blanding omrøres under 0~
ved værelsestemperatur til oksydasjon av Ce +3 til Ce +4 er fullstendig, i dette tilfellet ca. 70 timer. Deretter tilsettes 200 ml heksaner, og det organiske sjiktet som inneholder produktet, adskilles fra den vandige fase, filtreres og inndampes til tørrhet i en rotasjonsinndamper. Produktet utkrystalliseres fra den røde olje, og under-søkelse av proton-nmr-spekteret av krystallene viser praktisk talt fullstendig oksydasjon til Ce(fod)4.
Etter rensing ved sublimering oppviser det således fremstilte Ce(fod)^ et smeltepunkt på ca. 97°C og et damptrykk som når opp til 10 mm Hg ved en temperatur nær 200°C. I kraft av dette høye damptrykket vil denne forbindelsen utgjøre en egnet kilde for Ce-holdige damper ved en dampfase-oksydasjonsfremgangsmåte i overensstemmelse med foreliggende oppfinnelse.
Eksempel 5 - Zn( hfa)2. l, 5 THF
Ved å følge fremgangsmåten som angitt av Chattoraj et al.
i J. Inorg. Nucl. Chem., 28 (1966), side 1937-1943 fremstilles vannadduktet Zn(hfa)2 ved å omsette Hhfa med sink-oksyd. 10 g ZnO og 35,2 ml Hhfa tilsettes til en kolbe ut-styrt med en kondensator, magnetisk omrører og varmekappe under omrøring for å dispergere ZnO. Ved tilsetning av 30
ml H20 forårsakes tilbakeløpskoking av Hhfa p.g.a. varme-utviklingen, idet omrøring fortsettes inntil alle tegnene på reaksjon har opphørt.
Ytterligere 30 ml vann og 200 ml eter tilsettes så, og blandingen tilbakeløpskokes i 1 time. Etter avkjøling fjernes overskudd ZnO ved filtrering, etersjiktet fraskilles og tørkes ved å tilsette 4Å molekylsikter, filtreres, og eteren fordampes deretter hvorved man får 55 g av det rå Zn(hfa)2.2H20-produktet.
Omtrent 10 g av dette produktet oppløses i THF ved værelsestemperatur, oppløsningsmiddelet avdampes deretter, og resten sublimeres ved 150°C under vakkuum til en tørris-avkjølt kuldefelle. For å karakterisere denne forbindelse brukes det infrarøde spektra, NMR, termogravimetrisk analyse, elementæranalyse og differensiell scanning-kalometri. For tiden antas forbindelsen å ha den kjemiske formel Zn(hfa)2.2THF, med en smeltetemperatur på 165°C. Den oppviser utmerket termisk stabilitet, idet den bare viser lett dekomponering når den holdes ved 165°C i ca. 60 t.
Hverken fremgangsmåten eller fremstilling av Zn(hfa)2.2THF, Mg(hfa)2.nTHF og Ce(fod)^ beskrevet i eksemplene 2, 4 og 5 ovenfor eller forbindelsene selv utgjør noen del av foreliggende oppfinnelse, idet disse er beskrevet i US patenter 4 .500.722 og 4.424.165.
Fig. 1 i tegningene viser fordampningskarakteristikaene for utvalgte B-diketonatkomplekser slik som angitt i eksemplene ovenfor, bestemt av termogravimetriske analyser. Tegningene viser vekttap av en prøve av komplekset som en funksjon av temperatur over oppvarmingsområdet fra ca. 25-500°C. Temperatur er plottet på den horisontale akse med den vertikale akse svarende til relativt vekttap i prøven.
Vanligvis gjenspeiles lett fordampning uten dekomponering
ved et analysespor som oppviser et bratt vertikalt fall sva--ende til hurtig vekttap i den oppvarmede prøven i fordampnings-eller sublimeringsområdet, etterfulgt av et plutselig hori-sontalt spor ved høyere temperaturer som tyder på fravær av dekomponerbare rester. De mest ønskelige fordampningskarakteristikaene oppses av Al(hfa)3, Zn(hfa)2.2THF og Mg(hfa)^.2THF som fordampes hurtig og fullstendig ved temperaturer i området 100-200°C.
Det kan stilles i kontrast til oppførselen til et kompleks
slik som Mg(hfa)2•PCl^, et kompleksaddukt heretter beskrevet under henvisning til fig. 3 som oppviser tegnene på betydelig dekomponering og ufullstendig fordampning selv med temperaturer i overkant av 300°C.
Fig. 2 i tegningene! viser damptrykk som en funksjon av temperatur for B-diketonatkompleksene av AKhfa)^ og Mg (hf a) 2 • 2THF. Disse tegningene viser de svært betydelige damptrykkene
til disse to kompleksene, som er i området på minst 10-100 mm Hg ved temperaturer i området 100-200°C.
Betydelige variasjoner i flyktighet kan oppstå når B-diketonatforbindelser slik som beskrevet ovenfor, danner komplekser med Lewis-baser og gir addukter av metall-B-diketonater. For å demonstrere noen av disse variasjonene fremstilles addukter av Mg(hfa)2 med fem forskjellige Lewis-baser ved å tilsette små mengder av det sublimerte eter-vann-adduktet Mf(hfa)2•1,5Et20.H2O til dietyleteroppløsningene av hver av de seks adduktene: pyridin, CH^CN, PC13, dioksan og dimetylformamid (DMF) med omrøring over natten etterfulgt av inndampning til tørrhet og sublimering under vakuum for å få produktet. Flyktigheten til hvert av adduktene bestemmes deretter ved hjelp av termogravimetrisk analyse.
Fig. 3 i tegningene viser termogravimetriske kurver for de fem forskjellige adduktene Mg(hfa)2.xL slik som angitt på tegningene. Størrelsene x i disse L-ligandadduktmole-kylene ble ikke bestemt. For sammenligning er det også
tatt med en kurve for Mg(hfa)2.2THF. CH3CN- og PC13~ adduktene viser tegn på dekomponering mens de andre adduktene fordamper fullstendig innenfor snevre temperaturområder,
men ved fordampningstemperaturer som varierer betydelig avhengig av identiteten til det bestemte adduktet. Mg(hfa)2.2THF ble funnet å være det mest flyktige av de forskjellige adduktene som ble prøvet.
Kravet om at metallforbindelsen skal være tilstrekkelig flyktig til effektiv fordampning, og dampfasetransport i overensstemmelse med oppfinnelsen oppstår p.g.a. behovet for å frembringe et sotprodukt med en forholdsvis liten partikkelstørrelse. For å oppnå porefrie glass ved hjelp av den viskøse sintring av oksydsot foretrekkes det f.eks. partikkelstørrelse som ikke overskrider ca. 0,l^um. Eksemplene nedenunder viser anvendbarheten av utvalgte flyktige B-diketonatforbindelser til fremstilling av fint, homogent sot ved hjelp av dampfaseoksydasjon.
Eksempel 6 - yAL^O.,
En mengde Al(hfa) fremstilt i eksempel 1 ovenfor holdes i
en flytende tilstand i en glassbeholder ved oppvarmingen til ca. 125°C. En heliumbærergass bobles gjennom flytende Al(hfa)3 (den sistnevnte har et damptrykk på ca. 100 mm Hg ved denne temperatur) og He-bærere transporterer så fordampet Al(hfa)3 ut av beholderen til en igangsatt flamme-oksydasjonsbrenner gjennom en oppvarmet tilførselsledning. Flammeoksydasjonsbrenneren er av den typen som beskrevet i
US patent 4.125.288 med en utforming som tillater inn-føringen av en dampformet reaktantstrøm i brennerflammen via en senteråpning i brennerens forside.
Al(hfa)^ oksyderes i dampfasen i metanoksygenflammen fra brenneren, hvorved man får et y-A^O^-sot som samles opp for undersøkelse. Fig. 4 i tegningene er et elektronmikroskopfotografi av prøve av det således tilveiebragte Y-A^O-j-sotet hvor streken svarer til en størrelse på 0,1
yum.
Som det fremgår av undersøkelse av fig. 4 er Y-A^O-j-sotet fremstilt ved hjelp av Al (hfa) ^-oksydasjon
i overensstemmelse med oppfinnelsen i form av svært små
(< 0,l^um), kuleformede partikler, hvor størrelsen varierer fra ca. 0,015-0,05^um. Dette indikerer at materialet lett kunne inkorporeres i keramikk eller porefrie glass med en ønsket sammensetning ved hjelp av en konsoliderende sintringsprosess.
Eksempel 7 - MgO- SiO^- glass
En viss mengde Mg(hfa)2.2THF fremstilt som beskrevet i eksempel 3 ovenfor holdes i en flytende tilstand i en glassbeholder ved en oppvarming til ca. 190°C, en temperatur hvor det har et damptrykk på ca. 500 mm Hg. En argonbærergass bobles gjennom denne væsken ved en hastighet på ca. 72 cm 3/min, og fordampet Mg(hfa)2•2THF transporteres ved hjelp av denne bæreren gjennom en oppvarmet tilførselsledning til en igangsatt metan-oksygen-brenner av typen brukt i eksempel 6 ovenfor.
En annen reaktantstrøm transportert ved hjelp av en annen tilførselsledning og blandet med den Mg(hfa)2.2THF-bærende strømmen ved brenneren frembringes ved å boble argon ved en hastighet på 576 cm^/min gjennom en viss mengde SiCl^ som holdes ved 35°C, en temperatur hvor SiCl^ har et damp-
trykk på 530 mm Hg. Den blandede reaktantstrømmen føres til
brennerflamirten, en flamme som fremkommer fra forbrenningen av 3,5 l/min naturgass (metan) og 3,4 l/min oksygen.
Reaktantene SiCl^ og Mg(hfa)^•2THF omdannes ved hjelp av dampfaseoksydasjon i flammen til SiC^ og MgO, begge i form av finfordelt oksydsot. Denne sotblanding samles opp på en aluminiumsspindel for undersøkelse, analyse og videre behandling.
Analyse av det oppsamlede sot fastslår at en sotblanding bestående av 1,21% MgO og resten Si02 er blitt avsatt på spindelen. Denne sotblanding konsolideres ved oppvarming med en gassoksygenflamme for å sintre sotet til et klart Mg0-Si02~glass med en brytningsindeks på ca. 1,460.
Eksempel 8 - Mg0- Si02- opalglass
Den glassdannende fremgangsmåte ifølge eksempel 7 gjentas med unntak av at bærergass-strømmen med argon gjennom den flytende Mg(hfa)2•2THF-reaktanten økes til 720 cm 3/min slik at sotblandingen samlet opp fra dampfaseoksydasjonen av reaktant-strømmen inneholder 7,74 vekt-% MgO og resten SiO. Denne sotblandingen sintres i en g.assoksygenflamme slik som i eksempel 6, og produktet er et kompakt, i det vesentlige porefritt MgO-Si02-opalglass.
Når det brukes B-diketonatkomplekser som kilder for hovedgruppemetaller ved dampfaseoksydasjonsprosesser, må man være klar over at disse kompleksene kan gjennomgå reaksjoner ved tilførselstemperaturer for damp som på en uheldig måte kan påvirke de ønskelige fordampnings- og stabilitetskarakteristi-kaene deres. Reaksjoner å ta i betraktning som kan redusere flyktigheten til komplekset, omfatter elektrofilsubstituering av et hydrogenatom på 3-diketonliganden med et halogen, adduktdannelse ved kompleksdannelsen mellom B-diketonat-molekylet og utvalgte baser, utbyttingsreaksjoner hvor en 3-diketonatligand erstattes med et halogenid og omfordelings-reaksjoner hvor ligander kastes om blant forskjellige metallkomplekser slik at det fremstilles nye kompleks med lav flyktighet. Unngåelse av disse reaksjonene kan kreve bruken av avleveringssystemer hvor hver fordampet reaktant transporteres separat til reaksjonsstedet for endelig blanding og dampfaseoksydasjon.
Mens det ovenstående hovedsakelig har vedrørt fremgangs-
måter egnet for dannelsen av optisk klare glass som er nyttige f.eks. ved fremstillingen av optiske bølgeledere av glass, skal det forstås at fremgangsmåten ifølge oppfinnelsen også kan anvendes ved fremstillingen av andre rene, enhetlige keramiske produkter, slik som opalglass, semikrystallinske glass eller krystallinsk keramikk, inkludert glass eller keramikk hvor bare delvis sintring av oksydsot tillates i konsolideringstrinnet. Dertil er det mulig å fremstille oksydsotet før konsolideringen, dersom det f.eks. er ønskelig å forme sotet i en forløperform for den ønskede konfigura-sjonen. Dette kan f.eks. gjøres ved å dispergere sotet i et egnet hjelpemiddel og støpe dispersjonen i en utvalgt form.
Claims (8)
1. Fremgangsmåte for fremstilling av en gjenstand av glass eller keramisk materiale ved en dampfase-oksydasjonsprosess hvor fordampede glass- eller keramikk-kildeforbindelser oksyderes mens de befinner seg i dampfasen for dannelse av partikkelformig oksydsot, oksydsotmaterialet oppfanges som avsatt sot i en oppsamlingsbeholder eller på et avsetningssubstrat, og den avsatte sot sintres ved oppvarming for dannelse av en hulromfri, monolitisk, selvbærende glass- eller keramikkgjenstand,
idet gjenstanden har en sammensetning som innbefatter minst ett modifiserende oksyd av et metall valgt fra gruppene IA, IB, IIA, IIB, HIA, UIB, IVA, IVB og de sjeldne jordartmetaller i det periodiske system, karakterisert ved at a) det anvendes et B-diketonatkompleks av det valgte metall som den fordampede kildeforbindelsen for minst ett av metalloksydene i gjenstanden; b) det anvendes et B-diketonatkompleks av det valgte metall som har et damptrykk på minst 10 mm (Hg) ved en temperatur under 2 50°C; c) det anvendes et 3-diketonatkompleks som kan fordampes ved en temperatur under 250°C uten betydelig termisk dekomponering, som vist ved termogravimetrisk analyse; d) det fordampede p-diketonatkomplekset oksyderes i dampfasen for dannelse av partikkelformig oksydsot av det valgte metall, hvilket sot oppsamles og sintres.
2. Fremgangsmåte ifølge krav 1, karakterisert ved at metallet velges fra gruppen bestående av Li, Na, Be, Mg, Sc, Y, Cu, Hf, Zr, Ti, Zn, Cd, Al, Ga, Tl og Ce.
3. Fremgangsmåte ifølge krav 2, karakterisert ved at det anvendes et B-diketonatkompleks som innbefatter 3-diketonatligander som har en formelvekt på minst 153.
4. Fremgangsmåte ifølge krav 3, karakterisert ved at det anvendes g-diketonatligander som er avledet fra fluorerte B-diketoner.
5. Fremgangsmåte ifølge krav 3, karakterisert ved at B-diketonatligandene er valgt fra (tfa)-, (hfa)-, (thd)-, (dfhd)-, (tod)- og (fod)-ligander.
6. Fremgangsmåte ifølge krav 3, karakterisert ved at B-diketonatkomplekset omsettes til et addukt med minst én Lewis-base.
7. Fremgangsmåte ifølge krav 5, karakterisert ved at det som Lewis-base anvendes tetrahydrofuran.
8. Fremgangsmåte ifølge krav 2, karakterisert ved at det partikkelformede metalloksyd-sotet samles opp på en roterende spindel.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/418,215 US4501602A (en) | 1982-09-15 | 1982-09-15 | Process for making sintered glasses and ceramics |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO833305L NO833305L (no) | 1984-03-16 |
NO156938B true NO156938B (no) | 1987-09-14 |
NO156938C NO156938C (no) | 1987-12-23 |
Family
ID=23657179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO833305A NO156938C (no) | 1982-09-15 | 1983-09-14 | Fremgangsmte for fremstilling av en gjenstand av glass eller keramisk materiale ved en dampfaseoksydasjonsprosess. |
Country Status (17)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4501602A (no) |
EP (1) | EP0103448B1 (no) |
JP (1) | JPS59131537A (no) |
KR (1) | KR910000717B1 (no) |
AT (1) | ATE38655T1 (no) |
AU (1) | AU561448B2 (no) |
BR (1) | BR8304945A (no) |
CA (1) | CA1222664A (no) |
DE (1) | DE3378466D1 (no) |
DK (1) | DK159257C (no) |
FI (1) | FI77011C (no) |
HK (1) | HK68389A (no) |
IL (1) | IL69704A (no) |
IN (1) | IN161334B (no) |
MX (1) | MX168564B (no) |
NO (1) | NO156938C (no) |
SG (1) | SG15389G (no) |
Families Citing this family (74)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5277889A (en) * | 1983-10-21 | 1994-01-11 | Corning Incorporated | Method for depositing pure metal halide compositions |
US4718929A (en) * | 1983-10-21 | 1988-01-12 | Corning Glass Works | Vapor phase method for making metal halide glasses |
GB2164934B (en) * | 1984-09-29 | 1988-10-05 | Stc Plc | Optical fibres |
US4645524A (en) * | 1985-04-22 | 1987-02-24 | Corning Glass Works | Method for making sodium-containing glass |
EP0223853A1 (en) * | 1985-06-03 | 1987-06-03 | Hughes Aircraft Company | Method for introducing dopants in optical fiber preforms |
US4604118A (en) * | 1985-08-13 | 1986-08-05 | Corning Glass Works | Method for synthesizing MgO--Al2 O3 --SiO2 glasses and ceramics |
GB8527716D0 (en) * | 1985-11-09 | 1985-12-11 | Tioxide Group Plc | Finely divided oxide |
AU604071B2 (en) * | 1986-09-22 | 1990-12-06 | Smart Technologies Australia Pty Ltd | Coating solutions |
US4826288A (en) * | 1987-04-09 | 1989-05-02 | Polaroid Corporation, Patent Department | Method for fabricating optical fibers having cores with high rare earth content |
WO1988010499A1 (en) * | 1987-06-16 | 1988-12-29 | Kawasaki Steel Corporation | Process for forming thin film of oxide superconductor |
US5069701A (en) * | 1987-07-13 | 1991-12-03 | Hughes Aircraft Company | Preparation of fluoride glass by chemical vapor deposition |
EP0348496B1 (en) * | 1987-12-17 | 1994-10-05 | University Of Colorado Foundation, Inc. | Chemical vapor deposition of mixed oxide films |
IL89718A0 (en) * | 1988-04-01 | 1989-09-28 | Ppg Industries Inc | Formation of superconducting metal oxide film by pyrolysis |
US5200388A (en) * | 1988-05-13 | 1993-04-06 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Metalorganic chemical vapor deposition of superconducting films |
US4927670A (en) * | 1988-06-22 | 1990-05-22 | Georgia Tech Research Corporation | Chemical vapor deposition of mixed metal oxide coatings |
US5140003A (en) * | 1989-03-22 | 1992-08-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for manufacturing layers from an oxide-ceramic superconductor material on a substrate using a cvd-process |
US5314866A (en) * | 1989-05-16 | 1994-05-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Formation of superconducting Bi-Sr-Ca-Cu-O films by organometallic chemical vapor deposition |
US4940477A (en) * | 1989-07-19 | 1990-07-10 | Corning Incorporated | Method for synthesizing topaz |
US5108477A (en) * | 1990-05-21 | 1992-04-28 | Corning Incorporated | Method for making a glass article |
US5252733A (en) * | 1990-06-05 | 1993-10-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile crown ligand β-diketonate alkaline earth metal complexes |
US6218518B1 (en) * | 1990-07-06 | 2001-04-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tetrahydrofuran-adducted group II β-diketonate complexes as source reagents for chemical vapor deposition |
US5225561A (en) * | 1990-07-06 | 1993-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compounds for MOCVD of refractory films containing group IIA elements |
US5280012A (en) * | 1990-07-06 | 1994-01-18 | Advanced Technology Materials Inc. | Method of forming a superconducting oxide layer by MOCVD |
US5204314A (en) * | 1990-07-06 | 1993-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor |
US7323581B1 (en) | 1990-07-06 | 2008-01-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
US5840897A (en) * | 1990-07-06 | 1998-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for chemical vapor deposition |
US5362328A (en) * | 1990-07-06 | 1994-11-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem |
US6110529A (en) * | 1990-07-06 | 2000-08-29 | Advanced Tech Materials | Method of forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
US5453494A (en) * | 1990-07-06 | 1995-09-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for MOCVD |
US5152819A (en) * | 1990-08-16 | 1992-10-06 | Corning Incorporated | Method of making fused silica |
US5043002A (en) * | 1990-08-16 | 1991-08-27 | Corning Incorporated | Method of making fused silica by decomposing siloxanes |
US5141549A (en) * | 1991-05-17 | 1992-08-25 | The Charles Stark Draper Laboratories | Method of fabricating rare earth doped planar optical waveguide for integrated optical circuit |
US5211731A (en) * | 1991-06-27 | 1993-05-18 | The United States Of Americas As Represented By The Secretary Of The Navy | Plasma chemical vapor deposition of halide glasses |
US5154744A (en) * | 1991-08-26 | 1992-10-13 | Corning Incorporated | Method of making titania-doped fused silica |
US5319118A (en) * | 1991-10-17 | 1994-06-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Volatile barium precursor and use of precursor in OMCVD process |
DE4304679C2 (de) * | 1992-02-17 | 1996-03-21 | Mitsubishi Electric Corp | Verfahren zur Herstellung einer dünnen dielektrischen Schicht eines Oxid-Systems unter Verwendung des CVD-Verfahrens |
JP2799134B2 (ja) | 1992-09-22 | 1998-09-17 | 三菱電機株式会社 | チタン酸バリウムストロンチウム系誘電体薄膜用cvd原料およびメモリー用キャパシタ |
US6103002A (en) | 1993-09-14 | 2000-08-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | CVD method for forming oxide-system dielectric thin film |
US5296012A (en) * | 1992-12-28 | 1994-03-22 | Corning Incorporated | Method of making optical waveguide preforms |
GB9312634D0 (en) * | 1993-06-18 | 1993-08-04 | Tsl Group Plc | Improvements in vitreous silica manufacture |
JP3547471B2 (ja) * | 1994-03-09 | 2004-07-28 | 富士通株式会社 | 誘電体膜の気相成長方法 |
DE69601749T3 (de) * | 1995-06-07 | 2004-04-29 | Corning Inc. | Verfahren zur thermischen Behandlung und zum Konsolidieren von Vorformen aus Siliciumdioxid zur Verminderung von durch Laser hervorgerufenen optischen Defekten |
US5703191A (en) * | 1995-09-01 | 1997-12-30 | Corning Incorporated | Method for purifying polyalkylsiloxanes and the resulting products |
US6312656B1 (en) | 1995-12-19 | 2001-11-06 | Corning Incorporated | Method for forming silica by combustion of liquid reactants using oxygen |
US6319551B1 (en) * | 1995-12-19 | 2001-11-20 | William M. Risen, Jr. | Methods and compositions for forming silica, germanosilicate and metal silicate films, patterns and multilayers |
AU718737B2 (en) | 1995-12-19 | 2000-04-20 | Corning Incorporated | Method and apparatus for forming fused silica by combustion of liquid reactants |
US5879649A (en) * | 1995-12-19 | 1999-03-09 | Corning Incorporated | Method for purifying polyalkylsiloxanes and the resulting products |
FR2759465B1 (fr) * | 1996-04-30 | 1999-04-30 | Corning Inc | Procede de formation d'un circuit optique |
KR19990082608A (ko) | 1996-12-16 | 1999-11-25 | 알프레드 엘. 미첼슨 | 게르마늄 도핑 실리카 제조용 원료 및 제조방법 |
US6487879B1 (en) | 1997-03-07 | 2002-12-03 | Corning Incorporated | Method of making titania-doped fused silica |
US5980983A (en) * | 1997-04-17 | 1999-11-09 | The President And Fellows Of Harvard University | Liquid precursors for formation of metal oxides |
US5979185A (en) * | 1997-07-16 | 1999-11-09 | Corning Incorporated | Method and apparatus for forming silica by combustion of liquid reactants using a heater |
US6151336A (en) * | 1998-02-11 | 2000-11-21 | Sorrento Networks, Inc. | Time division multiplexing expansion subsystem |
US6400478B1 (en) | 1998-04-02 | 2002-06-04 | Sorrento Networks, Inc. | Wavelength-division-multiplexed optical transmission system with expanded bidirectional transmission capacity over a single fiber |
US6298103B1 (en) | 1998-06-16 | 2001-10-02 | Sorrento Networks Corporation | Flexible clock and data recovery module for a DWDM optical communication system with multiple clock rates |
US6192713B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-02-27 | Sdl, Inc. | Apparatus for the manufacture of glass preforms |
US6546757B1 (en) * | 1998-07-28 | 2003-04-15 | Brown University Research Foundation | Liquid spray pyrolysis method for the fabrication of optical fiber preforms, with reactant mixing |
US6207522B1 (en) * | 1998-11-23 | 2001-03-27 | Microcoating Technologies | Formation of thin film capacitors |
EP1214718A4 (en) | 1999-07-22 | 2006-08-23 | Corning Inc | EXTREMELY ULTRAVIOLET SOFT-ROENCH RADIATIONS LITHOGRAPHIC PROJECTION AND DEVICE AND LITHOGRAPHIC ELEMENTS |
US6176588B1 (en) | 1999-12-14 | 2001-01-23 | Corning Incorporated | Low cost light weight mirror blank |
JP2004507551A (ja) * | 2000-08-28 | 2004-03-11 | アドバンスト テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | ソース材料組成物および化学的蒸着法による基板上への金属膜形成方法 |
WO2002026647A1 (en) * | 2000-09-28 | 2002-04-04 | Corning Incorporated | Optical glass silica soot particles and method of making same |
DE10065028A1 (de) * | 2000-12-23 | 2002-07-18 | Degussa | Mit Kalium dotierte pyrogene Oxide |
JP4154563B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2008-09-24 | 信越化学工業株式会社 | シリカ含有複合酸化物球状微粒子及びその製造方法 |
JP2003040627A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | 石英系ガラス用原料及び石英系ガラスの製造方法 |
US6723435B1 (en) * | 2001-08-28 | 2004-04-20 | Nanogram Corporation | Optical fiber preforms |
US6832493B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-12-21 | Corning Incorporated | High purity glass bodies formed by zero shrinkage casting |
US6829908B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-12-14 | Corning Incorporated | Fabrication of inclusion free homogeneous glasses |
US20030159466A1 (en) * | 2002-02-27 | 2003-08-28 | Bowden Bradley F. | Dry pressing of spray dried soot to make EUV components |
FI115134B (fi) * | 2002-06-28 | 2005-03-15 | Liekki Oy | Menetelmä seostetun lasimateriaalin valmistamiseksi |
JP5003503B2 (ja) * | 2008-01-17 | 2012-08-15 | 三菱電機株式会社 | 石英系ガラスの製造方法および光デバイスの製造方法 |
DE102008060924A1 (de) * | 2008-12-06 | 2010-06-10 | Innovent E.V. | Verfahren zur Abscheidung einer Schicht auf einem Substrat |
JP2013177297A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-09-09 | Asahi Glass Co Ltd | ドープ石英ガラスの製造方法 |
EP3950610A1 (de) * | 2020-08-06 | 2022-02-09 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Alternative fluorierungsmittel ii: fluosil und sootaufbau |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2734874A (en) * | 1956-02-14 | Preparation of catalysts of vanadium | ||
US2694651A (en) * | 1951-10-08 | 1954-11-16 | Ohio Commw Eng Co | Deposition of copper oxides on heat insulating material |
US3049797A (en) * | 1959-01-22 | 1962-08-21 | Union Carbide Corp | Gas plating cerium |
US3081200A (en) * | 1959-04-10 | 1963-03-12 | Armour Res Found | Method of applying an oxide coating onto a non-porous refractory substrate |
US3202054A (en) * | 1959-10-16 | 1965-08-24 | Corning Glass Works | Radiation filter with plural iridized metal oxide films |
US3356527A (en) * | 1964-04-23 | 1967-12-05 | Ross W Moshier | Vapor-plating metals from fluorocarbon keto metal compounds |
US3850665A (en) * | 1971-07-08 | 1974-11-26 | Glaverbel | Process for forming a metal oxide coating on a substrate and resulting products |
US3801294A (en) * | 1971-12-15 | 1974-04-02 | Corning Glass Works | Method of producing glass |
ZA735383B (en) * | 1972-12-15 | 1975-03-26 | Ppg Industries Inc | Coating composition vaporizer |
US3894164A (en) * | 1973-03-15 | 1975-07-08 | Rca Corp | Chemical vapor deposition of luminescent films |
US3949146A (en) * | 1973-08-24 | 1976-04-06 | Rca Corporation | Process for depositing transparent electrically conductive tin oxide coatings on a substrate |
US3883336A (en) * | 1974-01-11 | 1975-05-13 | Corning Glass Works | Method of producing glass in a flame |
DE2637937A1 (de) * | 1976-08-23 | 1978-03-02 | Siemens Ag | Herstellung von lichtleitfasern nach einem fluessigphasen-abscheidungsverfahren |
US4173459A (en) * | 1976-08-30 | 1979-11-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for producing a light conducting fiber |
US4250210A (en) * | 1977-12-27 | 1981-02-10 | The International Nickel Co., Inc. | Chemical vapor deposition |
JPS54131614A (en) * | 1978-04-03 | 1979-10-12 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Production of metal oxide coated glass |
BE879189A (fr) * | 1978-10-19 | 1980-04-04 | Bfg Glassgroup | Procede de formation d'un revetement d'oxyde d'etain sur un support de verre chaud et produits ainsi obtenus |
GB2071644B (en) * | 1980-02-22 | 1984-03-14 | Sumitomo Electric Industries | Radiation resistant optical fibres and a process for the production thereof |
JPS5751146A (en) * | 1980-09-09 | 1982-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Preparation of raw material for fluoride optical fiber |
EP0055459A1 (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-07 | Rikuun Electric co. | Process for producing oxides using chemical vapour deposition |
US4378987A (en) * | 1981-10-15 | 1983-04-05 | Corning Glass Works | Low temperature method for making optical fibers |
-
1982
- 1982-09-15 US US06/418,215 patent/US4501602A/en not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-08-24 CA CA000435307A patent/CA1222664A/en not_active Expired
- 1983-09-05 EP EP83305120A patent/EP0103448B1/en not_active Expired
- 1983-09-05 AT AT83305120T patent/ATE38655T1/de not_active IP Right Cessation
- 1983-09-05 DE DE8383305120T patent/DE3378466D1/de not_active Expired
- 1983-09-09 AU AU18985/83A patent/AU561448B2/en not_active Ceased
- 1983-09-12 BR BR8304945A patent/BR8304945A/pt not_active IP Right Cessation
- 1983-09-13 MX MX198694A patent/MX168564B/es unknown
- 1983-09-13 IL IL69704A patent/IL69704A/xx not_active IP Right Cessation
- 1983-09-13 JP JP58167653A patent/JPS59131537A/ja active Granted
- 1983-09-14 DK DK418483A patent/DK159257C/da not_active IP Right Cessation
- 1983-09-14 FI FI833283A patent/FI77011C/fi not_active IP Right Cessation
- 1983-09-14 NO NO833305A patent/NO156938C/no unknown
- 1983-09-15 IN IN1130/CAL/83A patent/IN161334B/en unknown
- 1983-09-15 KR KR1019830004340A patent/KR910000717B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-03-09 SG SG153/89A patent/SG15389G/en unknown
- 1989-08-24 HK HK683/89A patent/HK68389A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1222664A (en) | 1987-06-09 |
EP0103448B1 (en) | 1988-11-17 |
FI77011B (fi) | 1988-09-30 |
SG15389G (en) | 1989-06-09 |
HK68389A (en) | 1989-09-01 |
KR910000717B1 (ko) | 1991-01-31 |
JPH0372575B2 (no) | 1991-11-19 |
FI833283A0 (fi) | 1983-09-14 |
NO833305L (no) | 1984-03-16 |
FI77011C (fi) | 1989-01-10 |
IL69704A0 (en) | 1983-12-30 |
DK418483A (da) | 1984-03-16 |
AU561448B2 (en) | 1987-05-07 |
KR840006179A (ko) | 1984-11-22 |
DK159257C (da) | 1991-03-11 |
DK418483D0 (da) | 1983-09-14 |
MX168564B (es) | 1993-05-31 |
JPS59131537A (ja) | 1984-07-28 |
EP0103448A2 (en) | 1984-03-21 |
FI833283A (fi) | 1984-03-16 |
DE3378466D1 (en) | 1988-12-22 |
NO156938C (no) | 1987-12-23 |
DK159257B (da) | 1990-09-24 |
AU1898583A (en) | 1984-03-22 |
BR8304945A (pt) | 1984-04-24 |
IL69704A (en) | 1991-12-12 |
ATE38655T1 (de) | 1988-12-15 |
US4501602A (en) | 1985-02-26 |
EP0103448A3 (en) | 1984-10-10 |
IN161334B (no) | 1987-11-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO156938B (no) | Fremgangsmaate for fremstilling av en gjenstand av glass eller keramisk materiale ved en dampfaseoksydasjonsprosess. | |
JP4716193B2 (ja) | β−ジケトナトを配位子とする金属錯体 | |
EP0178786A1 (en) | Volatile metal complexes | |
EP1356132B1 (en) | Volatile organometallic complexes of lowered reactivity suitable for use in chemical vapor deposition of metal oxide films | |
EP0198980B1 (en) | Method for making sodium-containing glass or ceramic | |
JPH07500318A (ja) | 金属β−ジケトネート類 | |
Fragalà et al. | Synthesis, characterization, and mass transport properties of a self-generating single-source magnesium precursor for MOCVD of MgF2 films | |
JP4022662B2 (ja) | ジルコニウムアルコキシトリス(β−ジケトネート)とその製造方法およびPZT膜形成用液体組成物 | |
Motevalli et al. | Solid-state and solution structures of some lithium salts of tetraphenyldisiloxanediolate (2–) and the lithium-bridged compounds Li 2 [M (OSiPh 2 OSiPh 2 O) 3· 3py](py= pyridine, M= Zr or Hf) | |
US4492655A (en) | Tricyclopentadienyl cerium and process for preparing the same | |
Lu et al. | Synthesis of nanosized BaSnO 3 powders from metal isopropoxides | |
JP5776555B2 (ja) | 金属アルコキシド化合物及び当該化合物を用いた金属含有薄膜の製造法 | |
Drozdov et al. | 2.19-Volatile compounds of lanthanides | |
JP4618927B2 (ja) | 化学気相成長用原料及び金属化合物 | |
US4500722A (en) | Volatile metal complexes | |
Plappert et al. | Deposition of amorphous titanium oxide films using alkoxy (pyrazolylborate) titanium (IV) compounds | |
USH1170H (en) | Volatile divalent double metal alkoxides | |
US4529805A (en) | Volatile metal complexes | |
JPH04134044A (ja) | 薄膜形成用金属錯体 | |
NO833280L (no) | Flyktige ceriumkomplekser | |
Machado et al. | Oxochloroalkoxide of the Cerium (IV) and Titanium (IV) as oxides precursor | |
JPH09509187A (ja) | ニッケルおよび/または酸化ニッケルの気相からの析出方法、並びに安定な蒸発特性を有する新規なニッケル化合物 | |
KR20040038023A (ko) | 화학 기상 성장용 원료 및 이것을 사용한 박막의 제조방법 | |
Coffman | Synthesis, processing, and characterization of several group IV, V and VI nitrides and related compounds | |
Petrova et al. | Reactions of Zirconium Tetrahydroborate and Hafnium Tetrahydroborate with Alcohols |