JP2003501360A - 化学蒸着のための原料試薬としてのテトラヒドロフラン付加ＩＩ族β−ジケトネート錯体 - Google Patents
化学蒸着のための原料試薬としてのテトラヒドロフラン付加ＩＩ族β−ジケトネート錯体Info
- Publication number
- JP2003501360A JP2003501360A JP2001500639A JP2001500639A JP2003501360A JP 2003501360 A JP2003501360 A JP 2003501360A JP 2001500639 A JP2001500639 A JP 2001500639A JP 2001500639 A JP2001500639 A JP 2001500639A JP 2003501360 A JP2003501360 A JP 2003501360A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- metal
- adduct
- diketonate
- tetrahydrofuran
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 41
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 188
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 93
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 75
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 37
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 17
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 17
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 12
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 claims description 7
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000000446 sulfanediyl group Chemical group *S* 0.000 claims description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 3
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 claims 1
- 150000003437 strontium Chemical class 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 5
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical compound [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 abstract 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 5
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 101100273357 Pisum sativum AB80 gene Proteins 0.000 description 2
- WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Ba] Chemical compound [Sr].[Ba] WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000007928 solubilization Effects 0.000 description 2
- 238000005063 solubilization Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- -1 strontium alkoxide Chemical class 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- PXMNMQRDXWABCY-UHFFFAOYSA-N 1-(4-chlorophenyl)-4,4-dimethyl-3-(1H-1,2,4-triazol-1-ylmethyl)pentan-3-ol Chemical compound C1=NC=NN1CC(O)(C(C)(C)C)CCC1=CC=C(Cl)C=C1 PXMNMQRDXWABCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020684 PbZr Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N ethoxide Chemical compound CC[O-] HHFAWKCIHAUFRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003718 tetrahydrofuranyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- BDZBKCUKTQZUTL-UHFFFAOYSA-N triethyl phosphite Chemical compound CCOP(OCC)OCC BDZBKCUKTQZUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 238000012982 x-ray structure analysis Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
- C07F3/003—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table without C-Metal linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/409—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or lead and B representing a refractory metal, nickel, scandium or a lanthanide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
相当するII族金属含有被膜のＭＯＣＶＤのために有用であるII族金属ＭＯＣＶＤ前駆組成物が記載される。その錯体は、式Ｍ（β−ジケトネート）２（Ｌ）４のII族金属β−ジケトネート付加物であり、式中、ＭがII族金属であり、Ｌがテトラヒドロフランである。バリウム及びストロンチウムのこのような原料試薬錯体は、集積回路、強誘電メモリー、スイッチ、放射線検出器、薄膜コンデンサー、ミクロ電気機械構造体（ＭＥＭＳ）及びホログラフィック記憶媒体など、ミクロ電子装置の用途のための基材上にタンタル酸ストロンチウムビスマス及び他のII族の薄膜を形成して有用に使用される。
Description
【０００１】
発明の背景
技術分野
本発明は概して、金属被膜を基材上に形成するための、化学蒸着（ＣＶＤ）プ
ロセスに有用である熱分解性有機金属原料試薬に関する。より詳しくは、本発明
は、II族金属含有被膜の液体供給化学蒸着に有用なII族β−ジケトネートテトラ
ヒドロフラン錯体原料試薬に関する。
ロセスに有用である熱分解性有機金属原料試薬に関する。より詳しくは、本発明
は、II族金属含有被膜の液体供給化学蒸着に有用なII族β−ジケトネートテトラ
ヒドロフラン錯体原料試薬に関する。
【０００２】
背景技術
化学蒸着は、金属被膜及び／または金属含有被膜をいろいろな基材上に形成す
るために広く用いられている。ＣＶＤは、生産操業に容易に拡大されるので、及
び電子産業はＣＶＤプロセスに適用され得るＣＶＤ技術を使用する幅広い経験及
び確立された設備基盤を有するので、金属被膜を形成するための特に魅力的な方
法である。
るために広く用いられている。ＣＶＤは、生産操業に容易に拡大されるので、及
び電子産業はＣＶＤプロセスに適用され得るＣＶＤ技術を使用する幅広い経験及
び確立された設備基盤を有するので、金属被膜を形成するための特に魅力的な方
法である。
【０００３】
ＣＶＤは、分解反応装置内にそれらの気相を移動させるのに十分に揮発性であ
る原料試薬を必要とする。前記の原料試薬は、ＣＶＤ反応装置内で分解し、基材
上に所望の生長温度で所望の元素だけを堆積しなければならない。早期の気相の
反応は回避されるのが望ましく、ＣＶＤ反応装置内に原料試薬を制御可能に供給
し、被膜の化学量論の相応に精密な制御を達成するのが概して望ましい。
る原料試薬を必要とする。前記の原料試薬は、ＣＶＤ反応装置内で分解し、基材
上に所望の生長温度で所望の元素だけを堆積しなければならない。早期の気相の
反応は回避されるのが望ましく、ＣＶＤ反応装置内に原料試薬を制御可能に供給
し、被膜の化学量論の相応に精密な制御を達成するのが概して望ましい。
【０００４】
多くの可能性として有用な金属は、ＣＶＤに好適な化合物を形成しない。いく
つかの原料試薬はＣＶＤ反応装置内に気相を移動させるために昇華しやすい固体
であるが、昇華温度が分解温度に非常に近いことがある。従って、前記の試薬は
、ＣＶＤ反応装置につながるライン中で分解し始めることがあり、次いで、堆積
した被膜の化学量論を制御するのが難しくなる。
つかの原料試薬はＣＶＤ反応装置内に気相を移動させるために昇華しやすい固体
であるが、昇華温度が分解温度に非常に近いことがある。従って、前記の試薬は
、ＣＶＤ反応装置につながるライン中で分解し始めることがあり、次いで、堆積
した被膜の化学量論を制御するのが難しくなる。
【０００５】
従って、拡散隔壁、伝導体、誘電体、保護塗膜、燐光物質、エレクトロルミネ
センス構造体、強誘電体、強力磁気抵抗被膜、耐腐蝕性被膜、及び混合金属被膜
などの用途のために、より気化しやすくＣＶＤプロセスのための原料成分の蒸気
を形成する改善された原料試薬組成物が以前から本技術分野において求められて
いる。
センス構造体、強誘電体、強力磁気抵抗被膜、耐腐蝕性被膜、及び混合金属被膜
などの用途のために、より気化しやすくＣＶＤプロセスのための原料成分の蒸気
を形成する改善された原料試薬組成物が以前から本技術分野において求められて
いる。
【０００６】
多成分材料系の化学蒸着において、多原料試薬がＣＶＤ反応装置に供給される
。多原料試薬を供給する特に有利な方法は、純液体原料試薬または原料試薬の溶
液を正確に混合し、次いで前記の混合物をフラッシュ気化させ、得られた蒸気を
反応装置に供給し、適当な温度に加熱された基材上に金属成分を堆積させること
である（液体供給金属有機化学蒸着）。気化前の液相においてかまたは気化後の
気相において、前記の試薬が反応をすることがこの状態において可能である。こ
れらの反応が原料試薬を不溶性または不揮発性生成物に、あるいは異なった化学
的または物理的特性の物質に変換する場合、その生成物に含有される元素は基材
に達せず、堆積された被膜の化学量論は不正確である。
。多原料試薬を供給する特に有利な方法は、純液体原料試薬または原料試薬の溶
液を正確に混合し、次いで前記の混合物をフラッシュ気化させ、得られた蒸気を
反応装置に供給し、適当な温度に加熱された基材上に金属成分を堆積させること
である（液体供給金属有機化学蒸着）。気化前の液相においてかまたは気化後の
気相において、前記の試薬が反応をすることがこの状態において可能である。こ
れらの反応が原料試薬を不溶性または不揮発性生成物に、あるいは異なった化学
的または物理的特性の物質に変換する場合、その生成物に含有される元素は基材
に達せず、堆積された被膜の化学量論は不正確である。
【０００７】
この問題の例（そこにおいて、Ｅｔがエチルであり、ｔＢｕがｔｅｒｔ−ブチ
ルであり、ｉＰｒがイソプロピルであり、ｔｈｄがテトラメチルヘプタンジオネ
ート）は以下を含む。
ルであり、ｉＰｒがイソプロピルであり、ｔｈｄがテトラメチルヘプタンジオネ
ート）は以下を含む。
【０００８】
（ｉ）（Ｅｔ）４Ｐｂ、Ｚｒ（ＯｔＢｕ）４、及びＴｉ（ＯｉＰｒ）４原料試
薬を用いて、ＰｂＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３の堆積する間、Ｚｒ及びＴｉ試薬の間の
配位子の交換がＺｒ（ＯｉＰｒ）４（及びおそらくＺｒ （ＯｉＰｒ）４がモノ
マーである他の生成物）の形成を結果したが、それは、揮発性が非常に低く、ガ
スマニホルドまたは気化器内で濃縮した。 （ｉｉ）Ｂａ（ｔｈｄ）２及びＴｉ（ＯｉＰｒ）４の溶液が気化前に混合され
るとき、不溶性の沈殿物が形成され、おそらく、Ｂａ（ＯｉＰｒ）２、またはＴ
ｉの混合アルコキシドβ−ジケトネート、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）２（ｔｈｄ）２、が
見いだされた。 （ｉｉｉ）Ｐｂ（ｔｈｄ）２及びＴｉ（ＯｉＰｒ）４の溶液が酢酸ブチル中で混
合されるとき、前記の試薬が反応して、Ｐｂ（ＯｉＰｒ）２及びＴｉ（ＯｉＰｒ
）２（ｔｈｄ）２など、異なる物理的特性の化合物を形成する。
薬を用いて、ＰｂＺｒｘＴｉ１−ｘＯ３の堆積する間、Ｚｒ及びＴｉ試薬の間の
配位子の交換がＺｒ（ＯｉＰｒ）４（及びおそらくＺｒ （ＯｉＰｒ）４がモノ
マーである他の生成物）の形成を結果したが、それは、揮発性が非常に低く、ガ
スマニホルドまたは気化器内で濃縮した。 （ｉｉ）Ｂａ（ｔｈｄ）２及びＴｉ（ＯｉＰｒ）４の溶液が気化前に混合され
るとき、不溶性の沈殿物が形成され、おそらく、Ｂａ（ＯｉＰｒ）２、またはＴ
ｉの混合アルコキシドβ−ジケトネート、Ｔｉ（ＯｉＰｒ）２（ｔｈｄ）２、が
見いだされた。 （ｉｉｉ）Ｐｂ（ｔｈｄ）２及びＴｉ（ＯｉＰｒ）４の溶液が酢酸ブチル中で混
合されるとき、前記の試薬が反応して、Ｐｂ（ＯｉＰｒ）２及びＴｉ（ＯｉＰｒ
）２（ｔｈｄ）２など、異なる物理的特性の化合物を形成する。
【０００９】
この問題を示す他の具体例は、持久強誘電体ランダムアクセス記憶装置に使用
するためにＣＶＤによってタンタル酸ストロンチウムビスマス及びニオブ酸スト
ロンチウムビスマス（ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９及びＳｒＢｉ２Ｎｂ２Ｏ９）の被膜
を作製することである。最も普通に用いられるストロンチウムの原料試薬は、Ｓ
ｒ（ｔｈｄ）２などのβ−ジケトネート錯体である。ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９の堆
積のために以下の原料試薬： Ｓｒ（ｔｈｄ）２Ｔａ（ＯＥｔ）５、及びＢｉ（Ｐｈ）３、（Ｐｈはフェニル
である）、 を含有する溶液が加熱されるとき、前記のタンタル試薬のエトキシド配位子が
前記のストロンチウム試薬のｔｈｄ配位子と交換し、低減された揮発性を有する
共に気化領域で分解することがある望ましくないストロンチウムアルコキシド種
の形成につながる。あるいは、これらの試薬が噴水器内で別々に提供されるとき
、似た配位子交換反応が気相において生じ、得られた固体がガスラインを阻み、
被膜の化学量論を変え、及び／または被膜中の粒子の形成につながる。
するためにＣＶＤによってタンタル酸ストロンチウムビスマス及びニオブ酸スト
ロンチウムビスマス（ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９及びＳｒＢｉ２Ｎｂ２Ｏ９）の被膜
を作製することである。最も普通に用いられるストロンチウムの原料試薬は、Ｓ
ｒ（ｔｈｄ）２などのβ−ジケトネート錯体である。ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９の堆
積のために以下の原料試薬： Ｓｒ（ｔｈｄ）２Ｔａ（ＯＥｔ）５、及びＢｉ（Ｐｈ）３、（Ｐｈはフェニル
である）、 を含有する溶液が加熱されるとき、前記のタンタル試薬のエトキシド配位子が
前記のストロンチウム試薬のｔｈｄ配位子と交換し、低減された揮発性を有する
共に気化領域で分解することがある望ましくないストロンチウムアルコキシド種
の形成につながる。あるいは、これらの試薬が噴水器内で別々に提供されるとき
、似た配位子交換反応が気相において生じ、得られた固体がガスラインを阻み、
被膜の化学量論を変え、及び／または被膜中の粒子の形成につながる。
【００１０】
特定の例において、このような問題は、前記の金属上の同一の配位子を用いて
配位子の交換を縮退反応にすることによって回避され得る（すなわち、そこにお
いて、交換配位子が元の配位子と同一である）。この方法の例は、ボロホスホシ
リケートガラスの堆積のためにテトラエチルオルトシリケート、トリエチルボラ
ート及びトリエチルホスフィットの使用を含む（Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．
Ｓｏｃ．、１９８７年、１３４（２）、４３０）。しかしながら、多くの場合、
前記の問題を回避するためのこの方法は、適当な化合物が存在せず、非常に不安
定で不揮発性であるのでＣＶＤに使用することができず、または用いた場合、不
都合な物理化学的材料特性を有するので、可能ではない。例えば、ＰｂＺｒｘＴ
ｉ１−ｘＯ３の堆積について、同一の配位子を有する試薬系は、Ｐｂ（ｔｈｄ） ２ 及びＺｒ（ｔｈｄ）４が安定且つ揮発性であるが、Ｔｉ（ｔｈｄ）４は存在せ
ず、Ｔｉ（ｔｈｄ）３は非常に空気に敏感性であるので、問題点が多い。同様に
、Ｔｉ（ＯｔＢｕ）４及びＺｒ（ＯｔＢｕ）４は安定且つ揮発性であるが、Ｐｂ
（ＯｔＢｕ）２はオリゴマーであり、揮発のために必要とされる温度で熱不安定
である。
配位子の交換を縮退反応にすることによって回避され得る（すなわち、そこにお
いて、交換配位子が元の配位子と同一である）。この方法の例は、ボロホスホシ
リケートガラスの堆積のためにテトラエチルオルトシリケート、トリエチルボラ
ート及びトリエチルホスフィットの使用を含む（Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．
Ｓｏｃ．、１９８７年、１３４（２）、４３０）。しかしながら、多くの場合、
前記の問題を回避するためのこの方法は、適当な化合物が存在せず、非常に不安
定で不揮発性であるのでＣＶＤに使用することができず、または用いた場合、不
都合な物理化学的材料特性を有するので、可能ではない。例えば、ＰｂＺｒｘＴ
ｉ１−ｘＯ３の堆積について、同一の配位子を有する試薬系は、Ｐｂ（ｔｈｄ） ２ 及びＺｒ（ｔｈｄ）４が安定且つ揮発性であるが、Ｔｉ（ｔｈｄ）４は存在せ
ず、Ｔｉ（ｔｈｄ）３は非常に空気に敏感性であるので、問題点が多い。同様に
、Ｔｉ（ＯｔＢｕ）４及びＺｒ（ＯｔＢｕ）４は安定且つ揮発性であるが、Ｐｂ
（ＯｔＢｕ）２はオリゴマーであり、揮発のために必要とされる温度で熱不安定
である。
【００１１】
前記の問題はまた、金属原料試薬が溶液中で提供され、その溶剤が、原料試薬
化合物の配位子と反応して、異なった物理特性を示すと共に不揮発性または有機
溶剤に不溶性である望ましくない配位子交換反応の副生物を生じる環境において
直面する。
化合物の配位子と反応して、異なった物理特性を示すと共に不揮発性または有機
溶剤に不溶性である望ましくない配位子交換反応の副生物を生じる環境において
直面する。
【００１２】
誘電薄膜材料としてのチタン酸ストロンチウムバリウム（ＢＳＴ）、及び強誘
電薄膜材料としてのタンタル酸ストロンチウムビスマス（ＳＢＴ）など、望まし
い電気特性を有するバリウム及び／またはストロンチウムベースの酸化物の薄膜
への関心の結果として、バリウム及び／またはストロンチウムのための液体供給
ＭＯＣＶＤ前駆原料試薬に相応の関心が集中した。
電薄膜材料としてのタンタル酸ストロンチウムビスマス（ＳＢＴ）など、望まし
い電気特性を有するバリウム及び／またはストロンチウムベースの酸化物の薄膜
への関心の結果として、バリウム及び／またはストロンチウムのための液体供給
ＭＯＣＶＤ前駆原料試薬に相応の関心が集中した。
【００１３】
バリウム及び／またはストロンチウムの薄膜堆積のための新規な且つ改善され
たＢａ及びＳｒ金属有機前駆物質を開発するこの取り組みにおいて、これらの金
属の既存の前駆物質は粒子の形成をもたらし、気化器または供給チューブの詰ま
り及び堆積された被膜中の粒子を結果すると考えられているので、最近の研究の
取り組みの主たる焦点は、Ｂａ及びＳｒの液体錯体の形成に合わされている。結
果として、このような既存のＢａ及び／またはＳｒ前駆物質は、ＣＶＤプロセス
の必要条件を十分に満たさない。しかしながら、液体供給ＭＯＣＶＤプロセスの
性質のため、Ｂａ及びＳｒの両方の前駆物質の化学的性質を変化させることが必
要とされる。
たＢａ及びＳｒ金属有機前駆物質を開発するこの取り組みにおいて、これらの金
属の既存の前駆物質は粒子の形成をもたらし、気化器または供給チューブの詰ま
り及び堆積された被膜中の粒子を結果すると考えられているので、最近の研究の
取り組みの主たる焦点は、Ｂａ及びＳｒの液体錯体の形成に合わされている。結
果として、このような既存のＢａ及び／またはＳｒ前駆物質は、ＣＶＤプロセス
の必要条件を十分に満たさない。しかしながら、液体供給ＭＯＣＶＤプロセスの
性質のため、Ｂａ及びＳｒの両方の前駆物質の化学的性質を変化させることが必
要とされる。
【００１４】
溶剤を用いて前駆組成物を形成する液体供給プロセスの用途において、溶剤は
しばしば、決定的な化学成分として見過ごされている。しかしながら、溶剤は、
前記の供給及び気化の現象に対して非常に重要であり、例えば、原料試薬化合物
または錯体が純液として利用されるのではなく、好適且つ化学的に相溶性の溶剤
媒体（単一または多成分）中に溶解または懸濁されるような場合、原料試薬組成
物を形成する化学溶液の主成分である。
しばしば、決定的な化学成分として見過ごされている。しかしながら、溶剤は、
前記の供給及び気化の現象に対して非常に重要であり、例えば、原料試薬化合物
または錯体が純液として利用されるのではなく、好適且つ化学的に相溶性の溶剤
媒体（単一または多成分）中に溶解または懸濁されるような場合、原料試薬組成
物を形成する化学溶液の主成分である。
【００１５】
II族の液体または低融点の固体ＣＶＤ前駆物質の設計は、重要な課題となる。
例えば、適したバリウム原料試薬錯体を得る困難さは、その大きなイオン半径を
有する、バリウムの高度に正電気の特性に由来する。それは、だいたい中性の配
位子によって満たされなければならない大きな配位数を必要とする。これらの配
位子は、正電気のＢａ中心に強く配位することができない。結果として、バリウ
ムＣＶＤ前駆物質はしばしば、不十分な熱安定度を特徴とする。
例えば、適したバリウム原料試薬錯体を得る困難さは、その大きなイオン半径を
有する、バリウムの高度に正電気の特性に由来する。それは、だいたい中性の配
位子によって満たされなければならない大きな配位数を必要とする。これらの配
位子は、正電気のＢａ中心に強く配位することができない。結果として、バリウ
ムＣＶＤ前駆物質はしばしば、不十分な熱安定度を特徴とする。
【００１６】
金属中心の大きい寸法と結びついたバリウムベースの金属有機組成物の金属−
配位子の結合の不安定度は、凝集して多核種を形成する傾向を結果する。これは
、合成または移動中に生じ、前駆物質の揮発性に影響を及ぼすか、またはＣＶＤ
プロセス中に生じ、移動速度及び被膜生長効率を低下させる。多核種の形成は、
液体供給ＣＶＤプロセスの性質及び効率に大きな影響を及ぼすことがあると共に
、薄膜の生長するときに粒子の形成につながる場合がある溶解度の低下を結果す
る。
配位子の結合の不安定度は、凝集して多核種を形成する傾向を結果する。これは
、合成または移動中に生じ、前駆物質の揮発性に影響を及ぼすか、またはＣＶＤ
プロセス中に生じ、移動速度及び被膜生長効率を低下させる。多核種の形成は、
液体供給ＣＶＤプロセスの性質及び効率に大きな影響を及ぼすことがあると共に
、薄膜の生長するときに粒子の形成につながる場合がある溶解度の低下を結果す
る。
【００１７】
このような前駆物質の設計問題に対する実際の方法において、安定度、揮発性
及び溶解度の基本的な必要条件の間の最良の妥協条件を達成する試みがなされな
ければならない。Ｂａ及びＳｒの非常に安定且つ同時に高度に揮発性の錯体を形
成することが難しいことを以前の研究が示しているが、しかしながら、所与の前
駆物質の安定度及び揮発性の適当な兼ね合いのバランスを利用して、改善された
ＣＶＤプロセスを提供することができる。
及び溶解度の基本的な必要条件の間の最良の妥協条件を達成する試みがなされな
ければならない。Ｂａ及びＳｒの非常に安定且つ同時に高度に揮発性の錯体を形
成することが難しいことを以前の研究が示しているが、しかしながら、所与の前
駆物質の安定度及び揮発性の適当な兼ね合いのバランスを利用して、改善された
ＣＶＤプロセスを提供することができる。
【００１８】
以前の被膜生長の研究開発は、バリウム金属有機ＣＶＤ前駆物質が望ましくは
、（ａ）単核金属有機錯体であり、（ｂ）脂肪族炭化水素などの有機溶剤に溶解
性であり、（ｃ）フッ素を含まないことを示した。前記の錯体の望ましい揮発性
を、適当な配位子種の使用及び核間相互作用の制限によって達成することができ
る。これは、バリウムなどの大きな正電気の金属中心には特に重要である。
、（ａ）単核金属有機錯体であり、（ｂ）脂肪族炭化水素などの有機溶剤に溶解
性であり、（ｃ）フッ素を含まないことを示した。前記の錯体の望ましい揮発性
を、適当な配位子種の使用及び核間相互作用の制限によって達成することができ
る。これは、バリウムなどの大きな正電気の金属中心には特に重要である。
【００１９】
前述の内容の結果として、液体供給プロセス中の固体粒子の形成を低減させる
ための手段として、及び改善された気化特性を達成するための手段としてのII族
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ）前駆物質の液体原料への関心が増している。II族元
素の相対的に大きな半径のために、十分な気化及び気相移動特性を有する単核種
を形成するための付加物は、不可欠になる。
ための手段として、及び改善された気化特性を達成するための手段としてのII族
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ）前駆物質の液体原料への関心が増している。II族元
素の相対的に大きな半径のために、十分な気化及び気相移動特性を有する単核種
を形成するための付加物は、不可欠になる。
【００２０】
従って、改善されたII族金属の原料試薬組成物を提供して相当するII族金属含
有被膜を液体供給ＣＶＤプロセスによって形成することが、本発明の目的である
。
有被膜を液体供給ＣＶＤプロセスによって形成することが、本発明の目的である
。
【００２１】
このような前駆物質を利用する液体供給金属有機化学蒸着の改善された方法を
提供することも、本発明の別の目的である。
提供することも、本発明の別の目的である。
【００２２】
本発明の他の目的及び利点は、次の開示内容及び添付した請求の範囲からより
十分に明らかであろう。
十分に明らかであろう。
【００２３】
発明の概要
本発明は、一つの態様において、式Ｍ（β−ジケトネート）２（Ｌ）４によって
表され、式中、ＭがII族金属であり、ＬがテトラヒドロフランであるII族金属β
−ジケトネート付加物に関する。II族金属はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、またはＢａであ
ってもよく、β−ジケトネート配位子は、ａｃａｃ、ｔｈｄ、ｆｏｄ、ｔｆａｃ
ａｃ、及びｈｆａｃａｃ、及びそれらの相当する窒素及びチオ類似体から選択さ
れた少なくとも１つの配位子を含んでもよい。
表され、式中、ＭがII族金属であり、ＬがテトラヒドロフランであるII族金属β
−ジケトネート付加物に関する。II族金属はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、またはＢａであ
ってもよく、β−ジケトネート配位子は、ａｃａｃ、ｔｈｄ、ｆｏｄ、ｔｆａｃ
ａｃ、及びｈｆａｃａｃ、及びそれらの相当する窒素及びチオ類似体から選択さ
れた少なくとも１つの配位子を含んでもよい。
【００２４】
本発明は、別の態様において、融点が約２５℃である、バリウムビス（２，２
，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）テトラキス（テトラヒ
ドロフラン）付加物に関する。
，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）テトラキス（テトラヒ
ドロフラン）付加物に関する。
【００２５】
本発明の更に別の態様は、融点が約３０℃である、ストロンチウムビス（２，
２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）テトラキス（テトラ
ヒドロフラン）付加物に関する。
２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）テトラキス（テトラ
ヒドロフラン）付加物に関する。
【００２６】
本発明の別の組成の態様は、図３に示したＯＲＴＥＰ図の構造を有するバリウ
ム（β−ジケトネート）テトラキス（テトラヒドロフラン）付加物に関する。
ム（β−ジケトネート）テトラキス（テトラヒドロフラン）付加物に関する。
【００２７】
本発明の更に別の組成の態様は、図４に示したＯＲＴＥＰ図の構造を有するス
トロンチウム（β−ジケトネート）テトラキス（テトラヒドロフラン）付加物に
関する。
トロンチウム（β−ジケトネート）テトラキス（テトラヒドロフラン）付加物に
関する。
【００２８】
更に別の態様において、本発明は、式Ｍ（β−ジケトネート）２（Ｌ）４によ
って表され、式中、ＭがII族金属であり、ＬがテトラヒドロフランであるII族金
属β−ジケトネート付加物のテトラヒドロフラン溶液を含むII族金属原料試薬溶
液に関する。
って表され、式中、ＭがII族金属であり、ＬがテトラヒドロフランであるII族金
属β−ジケトネート付加物のテトラヒドロフラン溶液を含むII族金属原料試薬溶
液に関する。
【００２９】
本発明の他の組成の態様は、様々に、
融点が約２５℃である、バリウムビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５
−ヘプタンジオネート）テトラヒドロフラン付加物のテトラヒドロフラン溶液を
含むII族金属原料試薬溶液、 融点が約３０℃である、ストロンチウムビス（２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオネート）テトラヒドロフラン付加物のテトラヒドロフラン
溶液を含むII族金属原料試薬溶液、 明細書の図３に示したＯＲＴＥＰ図の構造を有するバリウムビス（２，２，６，
６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）テトラヒドロフラン付加物の
テトラヒドロフラン溶液を含むII族金属原料試薬溶液、 明細書の図４に示したＯＲＴＥＰ図の構造を有するストロンチウムビス（２，２
，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）テトラヒドロフラン付
加物のテトラヒドロフラン溶液を含むII族金属原料試薬溶液、に関する。
−ヘプタンジオネート）テトラヒドロフラン付加物のテトラヒドロフラン溶液を
含むII族金属原料試薬溶液、 融点が約３０℃である、ストロンチウムビス（２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオネート）テトラヒドロフラン付加物のテトラヒドロフラン
溶液を含むII族金属原料試薬溶液、 明細書の図３に示したＯＲＴＥＰ図の構造を有するバリウムビス（２，２，６，
６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）テトラヒドロフラン付加物の
テトラヒドロフラン溶液を含むII族金属原料試薬溶液、 明細書の図４に示したＯＲＴＥＰ図の構造を有するストロンチウムビス（２，２
，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）テトラヒドロフラン付
加物のテトラヒドロフラン溶液を含むII族金属原料試薬溶液、に関する。
【００３０】
本明細書中に開示された組成物は、このような組成物の構成成分及び／または
部分に関して、いろいろに、選択的及び独立に、このような構成成分及び／また
は部分を「含む」、「からなる」、「本質的に〜からなる」ことができると理解
されるはずである。
部分に関して、いろいろに、選択的及び独立に、このような構成成分及び／また
は部分を「含む」、「からなる」、「本質的に〜からなる」ことができると理解
されるはずである。
【００３１】
別の態様において、本発明は、II族金属含有被膜を基材上に形成する方法であ
って、 気化器及び化学蒸着領域を備える液体供給装置を提供する工程、 II族金属含有被膜のための液体前駆組成物を前記液体供給装置の前記気化器に
移動させて前記前駆組成物を気化させ、気相のII族金属前駆組成物を生じる工程
、及び 式Ｍ（β−ジケトネート）２（Ｌ）４によって表され、式中、ＭがII族金属で
あり、ＬがテトラヒドロフランであるII族金属β−ジケトネート付加物のテトラ
ヒドロフラン溶液を含む液体前駆物質を用いて、前記気相のII族金属前駆組成物
を該化学蒸着領域に流し、続いてその中の基材上にII族金属含有被膜を堆積させ
る工程、 を含む方法に関する。
って、 気化器及び化学蒸着領域を備える液体供給装置を提供する工程、 II族金属含有被膜のための液体前駆組成物を前記液体供給装置の前記気化器に
移動させて前記前駆組成物を気化させ、気相のII族金属前駆組成物を生じる工程
、及び 式Ｍ（β−ジケトネート）２（Ｌ）４によって表され、式中、ＭがII族金属で
あり、ＬがテトラヒドロフランであるII族金属β−ジケトネート付加物のテトラ
ヒドロフラン溶液を含む液体前駆物質を用いて、前記気相のII族金属前駆組成物
を該化学蒸着領域に流し、続いてその中の基材上にII族金属含有被膜を堆積させ
る工程、 を含む方法に関する。
【００３２】
本発明の別の態様は、ＢＳＴ被膜を基材上に形成するための液体供給プロセス
であって、 ＢＳＴ被膜のバリウム、ストロンチウム及びチタン成分の各々のための液体前
駆物質を提供する工程、 前記液体前駆物質の各々を、別々にまたは全て同時に気化させ、相当する前駆
物質の蒸気を形成する工程、及び 前駆物質の蒸気を基材と接触させ、バリウム、ストロンチウム及びチタンをそ
の上に堆積させる工程、 を含む液体供給プロセスに関するものであり、 バリウム及びストロンチウムのための液体前駆物質がテトラヒドロフラン溶液中
のそれぞれのバリウム及びストロンチウム錯体を含み、 各々の錯体が、式Ｍ（β−ジケトネート）２（Ｌ）４のII族金属β−ジケトネー
ト付加物を含み、式中、ＭがII族金属であり、Ｌがテトラヒドロフランである。
であって、 ＢＳＴ被膜のバリウム、ストロンチウム及びチタン成分の各々のための液体前
駆物質を提供する工程、 前記液体前駆物質の各々を、別々にまたは全て同時に気化させ、相当する前駆
物質の蒸気を形成する工程、及び 前駆物質の蒸気を基材と接触させ、バリウム、ストロンチウム及びチタンをそ
の上に堆積させる工程、 を含む液体供給プロセスに関するものであり、 バリウム及びストロンチウムのための液体前駆物質がテトラヒドロフラン溶液中
のそれぞれのバリウム及びストロンチウム錯体を含み、 各々の錯体が、式Ｍ（β−ジケトネート）２（Ｌ）４のII族金属β−ジケトネー
ト付加物を含み、式中、ＭがII族金属であり、Ｌがテトラヒドロフランである。
【００３３】
本発明の他の態様及び特徴は、次の開示内容及び添付したクレームからより十
分に明らかであろう。
分に明らかであろう。
【００３４】
本発明の詳細な説明、及びそれらの好ましい実施態様
本発明は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶液中のII族β−ジケトネート錯体
の非常に高い溶解度の発見及び４つのＴＨＦ配位子を含有する物質の新規な組成
の解明に基づいている。
の非常に高い溶解度の発見及び４つのＴＨＦ配位子を含有する物質の新規な組成
の解明に基づいている。
【００３５】
テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）溶剤中のII族β−ジケトネート錯体の予想外に
高い溶解度は、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）などの密接に化学的に関連した溶
剤中の相当するII族β−ジケトネート錯体の溶解度を考えれば、特に驚くべきも
のがある。興味深いことに、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）において観察される
最大の溶解度は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に対して、これら２つの溶剤が
化学的に似ていても、非常に低い。
高い溶解度は、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）などの密接に化学的に関連した溶
剤中の相当するII族β−ジケトネート錯体の溶解度を考えれば、特に驚くべきも
のがある。興味深いことに、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）において観察される
最大の溶解度は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に対して、これら２つの溶剤が
化学的に似ていても、非常に低い。
【００３６】
本発明のＴＨＦ付加物は式Ｍ（β−ジケトネート）２（Ｌ）４を有し、式中、
ＭがII族金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）であり、ＬがＴＨＦである。
ＭがII族金属（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）であり、ＬがＴＨＦである。
【００３７】
このようなＴＨＦ付加物中のβ−ジケトネート配位子は、何れの適した種類で
あってもよい。具体的な種及びそれらの省略表記には以下のものが挙げられる。
ａｃａｃ＝アセチルアセトネート、より詳しくは２，４−ペンタンジオネート、
ｈｆａｃａｃ（またはｈｆａｃ）＝ヘキサフルオロアセチルアセトネート、より
詳しくは１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオネー
ト、ｔｆａｃａｃ（またはｔｆａｃ）＝トリフルオロアセチルアセトネート、よ
り詳しくは１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオネート、ｔｈｄ＝
テトラメチルヘプタンジオネート、より詳しくは２，２，６，６−テトラメチル
−３，５−ヘプタンジオネート、ｆｏｄ＝フルオロジメチルオクタンジオネート
、より詳しくは１，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオロ−７，７−ジメチ
ル−４，６−オクタンジオネート。相当するβ−ケトイミネート及びβ−チオケ
トネート配位子もまた用いてもよく、前述のβ−ジケトネート配位子の表記と一
致して、相当するβ−ジケトネート配位子の前に「ｎ」及び「ｓ」をつけること
によって、例えば、ｎｈｆａｃ、ｎｔｈｄ、ｓｈｆａｃ、及びｓｔｈｄ等によっ
て識別される。このように、本発明の金属原料錯体中で用いられるβ−ジケトネ
ート配位子には、有用に、ａｃａｃ、ｔｈｄ、ｆｏｄ、ｔｆａｃａｃ、及びｈｆ
ａｃａｃ、及びそれらの相当する窒素及びチオ類似体などが挙げられる。本発明
の好ましいＴＨＦ付加物には、Ｂａビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，
５−ヘプタンジオネート）及びＳｒビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，
５−ヘプタンジオネート）などがある。
あってもよい。具体的な種及びそれらの省略表記には以下のものが挙げられる。
ａｃａｃ＝アセチルアセトネート、より詳しくは２，４−ペンタンジオネート、
ｈｆａｃａｃ（またはｈｆａｃ）＝ヘキサフルオロアセチルアセトネート、より
詳しくは１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオネー
ト、ｔｆａｃａｃ（またはｔｆａｃ）＝トリフルオロアセチルアセトネート、よ
り詳しくは１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオネート、ｔｈｄ＝
テトラメチルヘプタンジオネート、より詳しくは２，２，６，６−テトラメチル
−３，５−ヘプタンジオネート、ｆｏｄ＝フルオロジメチルオクタンジオネート
、より詳しくは１，１，１，２，２，３，３−ヘプタフルオロ−７，７−ジメチ
ル−４，６−オクタンジオネート。相当するβ−ケトイミネート及びβ−チオケ
トネート配位子もまた用いてもよく、前述のβ−ジケトネート配位子の表記と一
致して、相当するβ−ジケトネート配位子の前に「ｎ」及び「ｓ」をつけること
によって、例えば、ｎｈｆａｃ、ｎｔｈｄ、ｓｈｆａｃ、及びｓｔｈｄ等によっ
て識別される。このように、本発明の金属原料錯体中で用いられるβ−ジケトネ
ート配位子には、有用に、ａｃａｃ、ｔｈｄ、ｆｏｄ、ｔｆａｃａｃ、及びｈｆ
ａｃａｃ、及びそれらの相当する窒素及びチオ類似体などが挙げられる。本発明
の好ましいＴＨＦ付加物には、Ｂａビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，
５−ヘプタンジオネート）及びＳｒビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，
５−ヘプタンジオネート）などがある。
【００３８】
本発明のＴＨＦ付加物において、ＴＨＦ配位子は、前駆物質の単核の形を安定
させ、II族の中心の配位の必要条件を満たし、それによって、得られた錯体の溶
解度及び揮発性を増大させる。本発明の付加物が液体供給化学蒸着のためにＴＨ
Ｆの溶液中で用いられるとき、ＴＨＦは強く結合せず、加熱時または真空下で錯
体から容易に解離する間に、溶剤として用いた過剰なＴＨＦが平衡を有効にシフ
トして本発明のＴＨＦの付加された種を助ける。このような平衡のシフトは、錯
体からのＴＨＦの減量または遊離をそれによって制限し、その結果、錯体は溶液
中で貯蔵安定性のままであるが、反応装置内の化学蒸着条件下で容易に揮発及び
分解される。
させ、II族の中心の配位の必要条件を満たし、それによって、得られた錯体の溶
解度及び揮発性を増大させる。本発明の付加物が液体供給化学蒸着のためにＴＨ
Ｆの溶液中で用いられるとき、ＴＨＦは強く結合せず、加熱時または真空下で錯
体から容易に解離する間に、溶剤として用いた過剰なＴＨＦが平衡を有効にシフ
トして本発明のＴＨＦの付加された種を助ける。このような平衡のシフトは、錯
体からのＴＨＦの減量または遊離をそれによって制限し、その結果、錯体は溶液
中で貯蔵安定性のままであるが、反応装置内の化学蒸着条件下で容易に揮発及び
分解される。
【００３９】
本発明のＴＨＦ付加方法は、クラウンエーテルまたはラリアト（ｌａｒｉａｔ
）ポリエーテルなど、多くのドナー原子を含有する配位子で金属β−ジケトネー
トをキレートして配位圏を実現する従来技術の熱安定化方法の欠陥を克服する。
このような従来技術の熱安定化方法は、金属β−ジケトネートそれ自体に対して
安定性のいくらかの改善を提供するが、熱安定性の問題を完全に解決しない。本
発明の前駆物質は、ＴＨＦ配位子が液体供給化学蒸着条件下で容易に遊離され得
る原料試薬錯体を提供することによって、この欠陥を克服する。
）ポリエーテルなど、多くのドナー原子を含有する配位子で金属β−ジケトネー
トをキレートして配位圏を実現する従来技術の熱安定化方法の欠陥を克服する。
このような従来技術の熱安定化方法は、金属β−ジケトネートそれ自体に対して
安定性のいくらかの改善を提供するが、熱安定性の問題を完全に解決しない。本
発明の前駆物質は、ＴＨＦ配位子が液体供給化学蒸着条件下で容易に遊離され得
る原料試薬錯体を提供することによって、この欠陥を克服する。
【００４０】
本発明のＴＨＦ付加錯体は、相当する金属β−ジケトネートのＴＨＦ溶液を冷
却することによって容易に得られる。ＴＨＦ溶液から回収された得られた固体の
錯体は、非常に低融点であると共に室温（２５℃）のＴＨＦへの高い溶解度を有
する結晶質固体である。
却することによって容易に得られる。ＴＨＦ溶液から回収された得られた固体の
錯体は、非常に低融点であると共に室温（２５℃）のＴＨＦへの高い溶解度を有
する結晶質固体である。
【００４１】
例えば、ＴＨＦ中の［Ｂａ（ｔｈｄ）２］ｘ及び［Ｓｒ（ｔｈｄ）２］ｘの溶
液から回収された結晶質固体の錯体は、非常に低融点で、それぞれ、２５℃及び
３０℃を示す。これらの値は、液体供給「フラッシュ」気化によって注目される
相対的に良好な気化挙動を説明する。室温のＴＨＦ中の［Ｂａ（ｔｈｄ）２］ｘ 及び［Ｓｒ（ｔｈｄ）２］ｘの高溶解度は、図３及び４に示したＴＨＦ配位錯体
の形成に起因する。前記の錯体のこれらの低融点並びに結晶質の外観は、本発明
の組成物が好ましい分子の配向の４つのＴＨＦ配位子を含む新しい単核種である
ことを明らかにする。
液から回収された結晶質固体の錯体は、非常に低融点で、それぞれ、２５℃及び
３０℃を示す。これらの値は、液体供給「フラッシュ」気化によって注目される
相対的に良好な気化挙動を説明する。室温のＴＨＦ中の［Ｂａ（ｔｈｄ）２］ｘ 及び［Ｓｒ（ｔｈｄ）２］ｘの高溶解度は、図３及び４に示したＴＨＦ配位錯体
の形成に起因する。前記の錯体のこれらの低融点並びに結晶質の外観は、本発明
の組成物が好ましい分子の配向の４つのＴＨＦ配位子を含む新しい単核種である
ことを明らかにする。
【００４２】
本発明の錯体は、ゆるやかな撹拌下、周囲温度（室温）のＴＨＦ中に金属β−
ジケトネート化合物を溶解することによって、相当する金属ベータ−ジケトネー
ト化合物（Ｍ（β−ジケトネート）２）から容易に合成され得る。式Ｍ（β−ジ
ケトネート）２（ＴＨＦ）４の得られた錯体は、蒸発によって、及び必要ならば
再結晶化によって回収され、前記の錯体をその融点より低い温度で安定している
結晶質固体として生じることができる。前記の錯体は、使用する間際に液体また
は固体として供給されてもよく、そこにおいて、それはＴＨＦ中に溶解され、液
体供給化学蒸着の適用のための適した前駆物質溶液を提供することができる。Ｔ
ＨＦ付加錯体のこのようなＴＨＦ溶液は、液体供給ＣＶＤの使用のために、何れ
かの適した望ましい濃度、例えば、前記の溶液の重量に対して、ＴＨＦ付加物の
約１０〜約５０重量％の濃度で前記の錯体を含有することができる。モル濃度で
表された濃度は、０．１０Ｍ〜＞１．０Ｍの範囲であり得る。
ジケトネート化合物を溶解することによって、相当する金属ベータ−ジケトネー
ト化合物（Ｍ（β−ジケトネート）２）から容易に合成され得る。式Ｍ（β−ジ
ケトネート）２（ＴＨＦ）４の得られた錯体は、蒸発によって、及び必要ならば
再結晶化によって回収され、前記の錯体をその融点より低い温度で安定している
結晶質固体として生じることができる。前記の錯体は、使用する間際に液体また
は固体として供給されてもよく、そこにおいて、それはＴＨＦ中に溶解され、液
体供給化学蒸着の適用のための適した前駆物質溶液を提供することができる。Ｔ
ＨＦ付加錯体のこのようなＴＨＦ溶液は、液体供給ＣＶＤの使用のために、何れ
かの適した望ましい濃度、例えば、前記の溶液の重量に対して、ＴＨＦ付加物の
約１０〜約５０重量％の濃度で前記の錯体を含有することができる。モル濃度で
表された濃度は、０．１０Ｍ〜＞１．０Ｍの範囲であり得る。
【００４３】
本発明のＴＨＦ付加物を用いる液体供給ＣＶＤプロセスは、形成される特定の
II族金属含有被膜に、及び適した液体供給ＭＯＣＶＤ装置を利用する、このよう
な被膜材料の最終用途に適当な何れの適したプロセス条件で行われてもよい。液
体供給ＭＯＣＶＤ装置は、ペーターＳ．カーリンらに対する１９９３年、４月２
０日発行の米国特許第５，２０４，３１４号及びペーターＳ．カーリンらに対す
る１９９６年、７月１６日発行の米国特許第５、５３６，３２３号に完全に記載
されているようなタイプ、及びアドバンストテクノロジーマテリアルズインク（
コネチカット州、ダンバリー）製の商標ＳＰＡＲＴＡとして市販されているよう
なタイプを使用してもよい。エアゾール気化器、音響変換器気化器またはネビュ
ライザー（ｎｅｂｕｌｉｚｅｒ）などの他の気化器の設計品を用いても良い結果
が得られる。
II族金属含有被膜に、及び適した液体供給ＭＯＣＶＤ装置を利用する、このよう
な被膜材料の最終用途に適当な何れの適したプロセス条件で行われてもよい。液
体供給ＭＯＣＶＤ装置は、ペーターＳ．カーリンらに対する１９９３年、４月２
０日発行の米国特許第５，２０４，３１４号及びペーターＳ．カーリンらに対す
る１９９６年、７月１６日発行の米国特許第５、５３６，３２３号に完全に記載
されているようなタイプ、及びアドバンストテクノロジーマテリアルズインク（
コネチカット州、ダンバリー）製の商標ＳＰＡＲＴＡとして市販されているよう
なタイプを使用してもよい。エアゾール気化器、音響変換器気化器またはネビュ
ライザー（ｎｅｂｕｌｉｚｅｒ）などの他の気化器の設計品を用いても良い結果
が得られる。
【００４４】
前記の錯体中のII族金属は、バリウム、ストロンチウム、カルシウム、または
マグネシウムであってもよい。それぞれの錯体中のII族金属が互いに異なってい
る、異なったII族金属錯体の混合物を含む前駆組成物を、本発明の広範な実施に
おいて調合することができる。
マグネシウムであってもよい。それぞれの錯体中のII族金属が互いに異なってい
る、異なったII族金属錯体の混合物を含む前駆組成物を、本発明の広範な実施に
おいて調合することができる。
【００４５】
例えば、バリウム及びストロンチウム錯体の「カクテル」調合物を、基材上の
チタン酸ストロンチウムバリウム被膜のＭＯＣＶＤのために使用してもよく、そ
こにおいて、Ｂａ／Ｓｒ前駆物質調合物は、本発明の前駆物質及び前記被膜のチ
タン成分のための適したＴｉ前駆物質を含有する。前記のチタン原料物質は、例
えばルイス塩基配位子、テトラヒドロフラン、または他の相溶性の溶剤種などの
溶剤を含有する溶液中にＴｉ（Ｏ−ｉＰｒ）２（ｔｈｄ）２原料試薬を含んでも
よい。
チタン酸ストロンチウムバリウム被膜のＭＯＣＶＤのために使用してもよく、そ
こにおいて、Ｂａ／Ｓｒ前駆物質調合物は、本発明の前駆物質及び前記被膜のチ
タン成分のための適したＴｉ前駆物質を含有する。前記のチタン原料物質は、例
えばルイス塩基配位子、テトラヒドロフラン、または他の相溶性の溶剤種などの
溶剤を含有する溶液中にＴｉ（Ｏ−ｉＰｒ）２（ｔｈｄ）２原料試薬を含んでも
よい。
【００４６】
前記のＢＳＴ被膜の形成において、液体の形のそれぞれの原料試薬は、気化器
の装置内で気化され、前駆物質の蒸気を形成する。次に、蒸気を、加熱した基材
、例えば、加熱サセプター上のウェファーを備える、化学蒸着反応装置に移動さ
せ、蒸気と接触して互いに望ましい化学量論的関係でそれぞれのバリウム、スト
ロンチウム及びチタン成分を堆積させる。
の装置内で気化され、前駆物質の蒸気を形成する。次に、蒸気を、加熱した基材
、例えば、加熱サセプター上のウェファーを備える、化学蒸着反応装置に移動さ
せ、蒸気と接触して互いに望ましい化学量論的関係でそれぞれのバリウム、スト
ロンチウム及びチタン成分を堆積させる。
【００４７】
前記の蒸気をシャワーヘッドまたはノズルなどの分散機によって化学蒸着室内
に供給して、ウェファーの幅全体にわたり蒸気の均一な流れを提供し、ウェファ
ー上に堆積した金属含有被膜の相応に均一な厚さを生じることができる。前記の
プロセス条件（蒸気の温度、圧力、流量及び組成）を適切に制御して、前記のプ
ロセス装置内で行われるＭＯＣＶＤ作業の最適なプロセスの結果を確実にするこ
とができる。
に供給して、ウェファーの幅全体にわたり蒸気の均一な流れを提供し、ウェファ
ー上に堆積した金属含有被膜の相応に均一な厚さを生じることができる。前記の
プロセス条件（蒸気の温度、圧力、流量及び組成）を適切に制御して、前記のプ
ロセス装置内で行われるＭＯＣＶＤ作業の最適なプロセスの結果を確実にするこ
とができる。
【００４８】
前記の堆積を適した酸化剤媒体の存在下で行い、酸化物の被膜を形成してもよ
く、または本技術分野の熟練の範囲内で、前記の金属被膜をそれぞれのＢａ、Ｓ
ｒ及びＴｉ成分の堆積後に酸化処理にかけ、酸化物の被膜を形成してもよい。
く、または本技術分野の熟練の範囲内で、前記の金属被膜をそれぞれのＢａ、Ｓ
ｒ及びＴｉ成分の堆積後に酸化処理にかけ、酸化物の被膜を形成してもよい。
【００４９】
本発明のII族金属原料試薬の錯体は、熱分析技術によって特性決定された。
【００５０】
熱重量分析（ＴＧＡ）及び示差走査熱量分析（ＤＳＣ）を含む標準熱分析（Ｓ
ＴＡ）の結果は、Ｂａ（ｔｈｄ）２（ＴＨＦ）４について図１に、Ｓｒ（ｔｈｄ
）２（ＴＨＦ）４について図２に示される。これらのプロットは、ＴＨＦ配位子
が比較的低温（＜４０℃）でも前記の錯体から容易に解離することを示す。前記
の分析はまた、金属原子１個当たり少なくとも２個の配位子が各々のケースに存
在し、このような配位子が１５０℃より低い温度で遊離されることを示す。
ＴＡ）の結果は、Ｂａ（ｔｈｄ）２（ＴＨＦ）４について図１に、Ｓｒ（ｔｈｄ
）２（ＴＨＦ）４について図２に示される。これらのプロットは、ＴＨＦ配位子
が比較的低温（＜４０℃）でも前記の錯体から容易に解離することを示す。前記
の分析はまた、金属原子１個当たり少なくとも２個の配位子が各々のケースに存
在し、このような配位子が１５０℃より低い温度で遊離されることを示す。
【００５１】
［Ｍ（ｔｈｄ）２］ｘ種は、各々のケースで特有の融点吸熱信号の存在によっ
て認められるように、ＴＨＦの減量時に形成される。ＴＨＦの減量は、再循環さ
せられた窒素下、室温でも起こることも指摘される。このように、ＴＨＦは金属
中心にゆるく結合されている。
て認められるように、ＴＨＦの減量時に形成される。ＴＨＦの減量は、再循環さ
せられた窒素下、室温でも起こることも指摘される。このように、ＴＨＦは金属
中心にゆるく結合されている。
【００５２】
Ｃ６Ｄ６中のＳｒ錯体Ｓｒ（ｔｈｄ）２（Ｌ）４の１Ｈ ＮＭＲスペクトルは
、５．９及び１．２８ｐｐｍの幾分広くなったｔｈｄ共鳴及びＴＨＦ共鳴の１セ
ットだけを示す。過剰なＴＨＦを付加した時に、ｔｈｄ共鳴は強くなり、新しい
ＴＨＦ共鳴は見られない。化学シフトの著しい変化（＞０．１ｐｐｍ）は観察さ
れない。これらの観察は、ＴＨＦ配位子が溶液中で遊離され、前記の系が動的で
あり、すなわち、ＴＨＦの解離及び再−配位の速度がＮＭＲ時間スケールに対し
て速いことを示唆する。
、５．９及び１．２８ｐｐｍの幾分広くなったｔｈｄ共鳴及びＴＨＦ共鳴の１セ
ットだけを示す。過剰なＴＨＦを付加した時に、ｔｈｄ共鳴は強くなり、新しい
ＴＨＦ共鳴は見られない。化学シフトの著しい変化（＞０．１ｐｐｍ）は観察さ
れない。これらの観察は、ＴＨＦ配位子が溶液中で遊離され、前記の系が動的で
あり、すなわち、ＴＨＦの解離及び再−配位の速度がＮＭＲ時間スケールに対し
て速いことを示唆する。
【００５３】
本発明の単結晶錯体のＸ線構造測定は、両方の錯体が単核であり、ｔｈｄ配位
子間の赤道面内に配置された４つのＴＨＦ配位子を含有することを明らかにする
（図３＝Ｂａ（ｔｈｄ）２（ＴＨＦ）４及び図４＝Ｓｒ（ｔｈｄ）２（ＴＨＦ） ４ ）。見たところでは、ＴＨＦ配位子は、これらの前駆物質の錯体中の単核構造
体を安定化することができる。Ｂａ（ｔｈｄ）２（ＴＨＦ）４は２５℃の融点を
示し、Ｓｒ（ｔｈｄ）２（ＴＨＦ）４は３０℃近くで溶けるのが観察される。本
発明の低融点の、単結晶前駆種は、特にＢａ（ｔｈｄ）２及びＳｒ（ｔｈｄ）２ がオリゴマー化する傾向及び報告された化学文献を考えれば、新規且つ独自であ
る。本発明の前駆物質の液体供給及び「フラッシュ」気化の間に過剰なＴＨＦが
存在することにより、これらの物質の非常に効率的な気化を行う。
子間の赤道面内に配置された４つのＴＨＦ配位子を含有することを明らかにする
（図３＝Ｂａ（ｔｈｄ）２（ＴＨＦ）４及び図４＝Ｓｒ（ｔｈｄ）２（ＴＨＦ） ４ ）。見たところでは、ＴＨＦ配位子は、これらの前駆物質の錯体中の単核構造
体を安定化することができる。Ｂａ（ｔｈｄ）２（ＴＨＦ）４は２５℃の融点を
示し、Ｓｒ（ｔｈｄ）２（ＴＨＦ）４は３０℃近くで溶けるのが観察される。本
発明の低融点の、単結晶前駆種は、特にＢａ（ｔｈｄ）２及びＳｒ（ｔｈｄ）２ がオリゴマー化する傾向及び報告された化学文献を考えれば、新規且つ独自であ
る。本発明の前駆物質の液体供給及び「フラッシュ」気化の間に過剰なＴＨＦが
存在することにより、これらの物質の非常に効率的な気化を行う。
【００５４】
このように、本発明の液体供給ＣＶＤプロセスにおいて使用されるII族金属原
料試薬溶液は、II族金属原料試薬溶液を気化させてII族金属原料蒸気を生じる工
程、及びII族金属原料蒸気を基材と接触させてII族金属含有被膜をその上に堆積
させる工程によって、II族金属含有被膜を基材上に形成するために容易に使用さ
れ得る。
料試薬溶液は、II族金属原料試薬溶液を気化させてII族金属原料蒸気を生じる工
程、及びII族金属原料蒸気を基材と接触させてII族金属含有被膜をその上に堆積
させる工程によって、II族金属含有被膜を基材上に形成するために容易に使用さ
れ得る。
【００５５】
本発明の実施において使用されたいろいろな原料試薬の金属錯体は、米国特許
第５，２２５，５６１号（その内容を本願明細書に引用したものとする）により
完全に記載された合成技術など、従来の合成技術によって容易に作製され得る。
第５，２２５，５６１号（その内容を本願明細書に引用したものとする）により
完全に記載された合成技術など、従来の合成技術によって容易に作製され得る。
【００５６】
前記の金属原料試薬の錯体は、従来の溶解及び可溶化技術によって、ＴＨＦ溶
液の形に容易に調合され、続いて、良好な貯蔵安定性を有すると共にＭＯＣＶＤ
のための前駆物質として周囲条件（例えば、室温）で貯蔵において実質的に安定
性があるＣＶＤ原料試薬として使用することができる。
液の形に容易に調合され、続いて、良好な貯蔵安定性を有すると共にＭＯＣＶＤ
のための前駆物質として周囲条件（例えば、室温）で貯蔵において実質的に安定
性があるＣＶＤ原料試薬として使用することができる。
【００５７】
本発明は特定の実施態様、特徴及び態様に対して本明細書中に記載されたが、
本発明はこのように限定されるものではなく、他の修正、変形、応用、及び実施
態様に有用に拡大し、従って全てのこのような他の修正、変型、適用及び実施態
様は、本発明の精神及び範囲内にあるとみなされなければならないと理解されよ
う。
本発明はこのように限定されるものではなく、他の修正、変形、応用、及び実施
態様に有用に拡大し、従って全てのこのような他の修正、変型、適用及び実施態
様は、本発明の精神及び範囲内にあるとみなされなければならないと理解されよ
う。
【図１】 Ｂａ（ｔｈｄ）２（ＴＨＦ）４についての熱重量分析（ＴＧＡ）
及び示差走査熱量分析（ＤＳＣ）の合成プロットである。
及び示差走査熱量分析（ＤＳＣ）の合成プロットである。
【図２】 Ｓｒ（ｔｈｄ）２（ＴＨＦ）４についての熱重量分析（ＴＧＡ）
及び示差走査熱量分析（ＤＳＣ）の合成プロットである。
及び示差走査熱量分析（ＤＳＣ）の合成プロットである。
【図３】 単結晶Ｘ線構造分析に基づいた、Ｓｒ（ｔｈｄ）２（ＴＨＦ）４
のＯＲＴＥＰ図である。
【図４】 単結晶Ｘ線構造分析に基づいた、Ｂａ（ｔｈｄ）２（ＴＨＦ）４
のＯＲＴＥＰ図である。
HEAT FLOW:時間当たりの熱量
TEMPERATURE：温度（摂氏）
HEIGT：量、高さ（％）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ
，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ，
ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ
Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ，ＵＧ，ＺＷ
)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，
ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，
ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，Ｃ
Ｚ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ
，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，
ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，Ｍ
Ｄ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ
，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，
ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，Ｖ
Ｎ，ＹＵ，ＺＷ
Ｆターム(参考） 4H006 AA01 AA03 AB80
4H048 AA01 AA03 AB80 VA20 VA60
VB10
4K030 AA11 BA18 BA42 BA54 FA10
Claims (33)
- 【請求項１】 式Ｍ（β−ジケトネート）２（Ｌ）４によって表され、式中
、ＭがII族金属であり、ＬがテトラヒドロフランであるII族金属β−ジケトネー
ト付加物。 - 【請求項２】 前記II族金属が、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａからなる群か
ら選択される、請求項１に記載のII族金属β−ジケトネート付加物。 - 【請求項３】 β−ジケトネートの配位子が、ａｃａｃ、ｔｈｄ、ｆｏｄ、
ｔｆａｃａｃ、及びｈｆａｃａｃ、及びそれらの相当するチオ類似体からなる群
から選択された少なくとも１つの配位子を含む、請求項１に記載のII族金属β−
ジケトネート付加物。 - 【請求項４】 β−ジケトネートの配位子が、ａｃａｃ、ｔｈｄ、ｆｏｄ、
ｔｆａｃａｃ、及びｈｆａｃａｃ、及びそれらの相当する窒素類似体からなる群
から選択された少なくとも１つの配位子を含む、請求項１に記載のII族金属β−
ジケトネート付加物。 - 【請求項５】 β−ジケトネートの配位子が少なくとも１つのｔｈｄ配位子
を含む、請求項１に記載のII族金属β−ジケトネート付加物。 - 【請求項６】 β−ジケトネートの配位子が少なくとも２つのｔｈｄ配位子
を含む、請求項１に記載のII族金属β−ジケトネート付加物。 - 【請求項７】 Ｍがバリウムである、請求項１に記載のII族金属β−ジケト
ネート付加物。 - 【請求項８】 Ｍがストロンチウムである、請求項１に記載のII族金属β−
ジケトネート付加物。 - 【請求項９】 融点が約２５℃である、バリウムビス（２，２，６，６−テ
トラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）テトラヒドロフラン付加物。 - 【請求項１０】 融点が約３０℃である、ストロンチウムビス（２，２，６
，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）テトラヒドロフラン付加物
。 - 【請求項１１】 図３に示したＯＲＴＥＰ図の構造を有するバリウム（β−
ジケトネート）テトラヒドロフラン付加物。 - 【請求項１２】 図４に示したＯＲＴＥＰ図の構造を有するストロンチウム
（β−ジケトネート）テトラヒドロフラン付加物。 - 【請求項１３】 式Ｍ（β−ジケトネート）２（Ｌ）４によって表され、式
中、ＭがII族金属であり、ＬがテトラヒドロフランであるII族金属β−ジケトネ
ート付加物のテトラヒドロフラン溶液を含むII族金属原料試薬溶液。 - 【請求項１４】 溶液中の前記付加物の濃度が、溶液の全重量に対して約１
０重量％〜約５０重量％である、請求項１３に記載のII族金属原料試薬溶液。 - 【請求項１５】 Ｍがバリウムである、請求項１３に記載のII族金属原料試
薬溶液。 - 【請求項１６】 Ｍがストロンチウムである、請求項１３に記載のII族金属
原料試薬溶液。 - 【請求項１７】 バリウム及びストロンチウム付加物を含有する、請求項１
３に記載のII族金属原料試薬溶液。 - 【請求項１８】 融点が約２５℃である、バリウムビス（２，２，６，６−
テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）テトラヒドロフラン付加物のテト
ラヒドロフラン溶液を含む、II族金属原料試薬溶液。 - 【請求項１９】 融点が約３０℃である、ストロンチウムビス（２，２，６
，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）テトラヒドロフラン付加物
のテトラヒドロフラン溶液を含む、II族金属原料試薬溶液。 - 【請求項２０】 図３に示したＯＲＴＥＰ図の構造を有するバリウムビス（
２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）テトラヒドロフ
ラン付加物のテトラヒドロフラン溶液を含む、II族金属原料試薬溶液。 - 【請求項２１】 図４に示したＯＲＴＥＰ図の構造を有するストロンチウム
ビス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオネート）テトラヒ
ドロフラン付加物のテトラヒドロフラン溶液を含む、II族金属原料試薬溶液。 - 【請求項２２】 II族金属含有被膜を基材上に形成する方法であって、 気化器及び化学蒸着領域を備える液体供給装置を提供する工程、 II族金属含有被膜のための液体前駆組成物を該液体供給装置の該気化器に移動
させて該前駆組成物を気化させ、気相のII族金属前駆組成物を生じる工程、及び 式Ｍ（β−ジケトネート）２（Ｌ）４によって表され、式中、ＭがII族金属で
あり、ＬがテトラヒドロフランであるII族金属β−ジケトネート付加物のテトラ
ヒドロフラン溶液を含む液体前駆物質を用いて、該気相のII族金属前駆組成物を
該化学蒸着領域に流し、続いてその中の基材上にII族金属含有被膜を堆積させる
工程、 を含む方法。 - 【請求項２３】 前記溶液中の前記付加物の濃度が、前記溶液の全重量に対
して約１０重量％〜約５０重量％である、請求項２２に記載のII族金属含有被膜
を基材上に形成する方法。 - 【請求項２４】 Ｍがバリウムである、請求項２２に記載のII族金属含有被
膜を基材上に形成する方法。 - 【請求項２５】 Ｍがストロンチウムである、請求項２２に記載のII族金属
含有被膜を基材上に形成する方法。 - 【請求項２６】 バリウム及びストロンチウムを含有する、請求項２２に記
載のII族金属含有被膜を基材上に形成する方法。 - 【請求項２７】 Ｍがバリウムであり、前記付加物の融点が約２５℃である
、請求項２２に記載のII族金属含有被膜を基材上に形成する方法。 - 【請求項２８】 Ｍがストロンチウムであり、前記付加物の融点が約３０℃
である、請求項２２に記載のII族金属含有被膜を基材上に形成する方法。 - 【請求項２９】 前記付加物が、図３に示したＯＲＴＥＰ図の構造を有する
、請求項２２に記載のII族金属含有被膜を基材上に形成する方法。 - 【請求項３０】 前記付加物が、図４に示したＯＲＴＥＰ図の構造を有する
、請求項２２に記載のII族金属含有被膜を基材上に形成する方法。 - 【請求項３１】 前記II族金属含有被膜がＢＳＴを含む、請求項２２に記載
のII族金属含有被膜を基材上に形成する方法。 - 【請求項３２】 前記ＢＳＴ被膜のチタン成分のための液体前駆物質の使用
を更に含み、該液体前駆物質がＴｉ（Ｏ−ｉＰｒ）２（ｔｈｄ）２を含む、請求
項３１に記載のII族金属含有被膜を基材上に形成する方法。 - 【請求項３３】 ＢＳＴ被膜を基材上に形成するための液体供給プロセスで
あって、 ＢＳＴ被膜のバリウム、ストロンチウム及びチタン成分の各々のための液体前
駆物質を提供する工程、 該液体前駆物質の各々を、別々にまたは全て同時に気化させ、相当する前駆物
質の蒸気を形成する工程、及び 前駆物質の蒸気を基材と接触させ、バリウム、ストロンチウム及びチタンをそ
の上に堆積させる工程、 を含む液体供給プロセスにおいて、 バリウム及びストロンチウムのための液体前駆物質がテトラヒドロフラン溶液中
のそれぞれのバリウム及びストロンチウム錯体を含み、 各々の錯体が、式Ｍ（β−ジケトネート）２（Ｌ）４のII族金属β−ジケトネー
ト付加物を含み、式中、ＭがII族金属であり、Ｌがテトラヒドロフランである、
液体供給プロセス。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/321,637 US6218518B1 (en) | 1990-07-06 | 1999-05-28 | Tetrahydrofuran-adducted group II β-diketonate complexes as source reagents for chemical vapor deposition |
| US09/321,637 | 1999-05-28 | ||
| PCT/US2000/012543 WO2000073314A1 (en) | 1999-05-28 | 2000-05-08 | TETRAHYROFURAN-ADDUCTED GROUP II β-DIKETONATE COMPLEXES AS SOURCE REAGENTS FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003501360A true JP2003501360A (ja) | 2003-01-14 |
| JP2003501360A5 JP2003501360A5 (ja) | 2007-06-28 |
Family
ID=23251381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001500639A Pending JP2003501360A (ja) | 1999-05-28 | 2000-05-08 | 化学蒸着のための原料試薬としてのテトラヒドロフラン付加ＩＩ族β−ジケトネート錯体 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6218518B1 (ja) |
| JP (1) | JP2003501360A (ja) |
| KR (1) | KR20010072098A (ja) |
| AU (1) | AU4828700A (ja) |
| DE (1) | DE10081315C2 (ja) |
| GB (1) | GB2358395B (ja) |
| WO (1) | WO2000073314A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7323581B1 (en) | 1990-07-06 | 2008-01-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
| US6218518B1 (en) * | 1990-07-06 | 2001-04-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tetrahydrofuran-adducted group II β-diketonate complexes as source reagents for chemical vapor deposition |
| JP3582437B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2004-10-27 | 株式会社村田製作所 | 薄膜製造方法及びそれに用いる薄膜製造装置 |
| US6620956B2 (en) | 2001-11-16 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen analogs of copper II β-diketonates as source reagents for semiconductor processing |
| US6960675B2 (en) * | 2003-10-14 | 2005-11-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amide complexes for depositing tantalum-containing films, and method of making same |
| US7323228B1 (en) * | 2003-10-29 | 2008-01-29 | Lsi Logic Corporation | Method of vaporizing and ionizing metals for use in semiconductor processing |
| JP2009529579A (ja) * | 2006-03-10 | 2009-08-20 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | チタネート、ランタネート及びタンタレート誘電体の膜の原子層堆積及び化学蒸着のための前駆体組成物 |
| TW200825200A (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-16 | Advanced Tech Materials | Metal aminotroponiminates, bis-oxazolinates and guanidinates |
| WO2008088563A2 (en) * | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for ald/cvd of group ii ruthenate thin films |
| US8247617B2 (en) * | 2007-05-16 | 2012-08-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Group 2 metal precursors for depositing multi-component metal oxide films |
| US20080286464A1 (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Group 2 Metal Precursors For Depositing Multi-Component Metal Oxide Films |
| WO2009020888A1 (en) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Strontium and barium precursors for use in chemical vapor deposition, atomic layer deposition and rapid vapor deposition |
| US20090275164A1 (en) * | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Bicyclic guanidinates and bridging diamides as cvd/ald precursors |
| US8168811B2 (en) * | 2008-07-22 | 2012-05-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursors for CVD/ALD of metal-containing films |
| US8663735B2 (en) * | 2009-02-13 | 2014-03-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | In situ generation of RuO4 for ALD of Ru and Ru related materials |
| US9373677B2 (en) | 2010-07-07 | 2016-06-21 | Entegris, Inc. | Doping of ZrO2 for DRAM applications |
| US9443736B2 (en) | 2012-05-25 | 2016-09-13 | Entegris, Inc. | Silylene compositions and methods of use thereof |
| WO2014124056A1 (en) | 2013-02-08 | 2014-08-14 | Advanced Technology Materials, Inc. | Ald processes for low leakage current and low equivalent oxide thickness bitao films |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131537A (ja) * | 1982-09-15 | 1984-07-28 | コ−ニング・グラス・ワ−クス | 気相酸化法によるガラスまたはセラミック物品の製造方法 |
| JPH03115245A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-05-16 | Nederland Centr Org Toegepast Natuur Onder | 揮発性有機バリウム、ストロンチウム及びカルシウム化合物、及びこれらの化合物からのバリウム、ストロンチウムもしくはカルシウム酸化物もしくはフッ化物を用いる層状物質の製造方法 |
| JPH05132776A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-05-28 | Nippon Sanso Kk | 化学気相析出用の有機金属錯体および有機金属錯体溶液 |
| JPH0971461A (ja) * | 1995-09-07 | 1997-03-18 | Mitsubishi Materials Corp | 高純度誘電体薄膜の作製方法 |
| JPH1174487A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-03-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6218518B1 (en) * | 1990-07-06 | 2001-04-17 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tetrahydrofuran-adducted group II β-diketonate complexes as source reagents for chemical vapor deposition |
| US5453494A (en) * | 1990-07-06 | 1995-09-26 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for MOCVD |
| US5840897A (en) * | 1990-07-06 | 1998-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for chemical vapor deposition |
| US5225561A (en) * | 1990-07-06 | 1993-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compounds for MOCVD of refractory films containing group IIA elements |
| US5204314A (en) * | 1990-07-06 | 1993-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor |
| US5362328A (en) * | 1990-07-06 | 1994-11-08 | Advanced Technology Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem |
| US5820664A (en) * | 1990-07-06 | 1998-10-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for chemical vapor deposition, and ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions comprising same |
| US5280012A (en) * | 1990-07-06 | 1994-01-18 | Advanced Technology Materials Inc. | Method of forming a superconducting oxide layer by MOCVD |
| JPH10324970A (ja) | 1997-03-28 | 1998-12-08 | Dowa Mining Co Ltd | Ｃｖｄ用原料およびこれを用いた成膜法 |
-
1999
- 1999-05-28 US US09/321,637 patent/US6218518B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-08 KR KR1020017001245A patent/KR20010072098A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-05-08 DE DE10081315T patent/DE10081315C2/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-08 AU AU48287/00A patent/AU4828700A/en not_active Abandoned
- 2000-05-08 JP JP2001500639A patent/JP2003501360A/ja active Pending
- 2000-05-08 GB GB0028323A patent/GB2358395B/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-05-08 WO PCT/US2000/012543 patent/WO2000073314A1/en not_active Application Discontinuation
-
2001
- 2001-02-22 US US09/791,005 patent/US6504015B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59131537A (ja) * | 1982-09-15 | 1984-07-28 | コ−ニング・グラス・ワ−クス | 気相酸化法によるガラスまたはセラミック物品の製造方法 |
| JPH03115245A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-05-16 | Nederland Centr Org Toegepast Natuur Onder | 揮発性有機バリウム、ストロンチウム及びカルシウム化合物、及びこれらの化合物からのバリウム、ストロンチウムもしくはカルシウム酸化物もしくはフッ化物を用いる層状物質の製造方法 |
| JPH05132776A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-05-28 | Nippon Sanso Kk | 化学気相析出用の有機金属錯体および有機金属錯体溶液 |
| JPH0971461A (ja) * | 1995-09-07 | 1997-03-18 | Mitsubishi Materials Corp | 高純度誘電体薄膜の作製方法 |
| JPH1174487A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-03-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU4828700A (en) | 2000-12-18 |
| US20010007034A1 (en) | 2001-07-05 |
| GB0028323D0 (en) | 2001-01-03 |
| US6218518B1 (en) | 2001-04-17 |
| DE10081315T1 (de) | 2001-08-30 |
| GB2358395B (en) | 2004-02-25 |
| WO2000073314A1 (en) | 2000-12-07 |
| US6504015B2 (en) | 2003-01-07 |
| DE10081315C2 (de) | 2003-12-18 |
| GB2358395A (en) | 2001-07-25 |
| KR20010072098A (ko) | 2001-07-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6126996A (en) | Metal complex source reagents for chemical vapor deposition | |
| US6110529A (en) | Method of forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition | |
| US5820664A (en) | Precursor compositions for chemical vapor deposition, and ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions comprising same | |
| US5679815A (en) | Tantalum and niobium reagents useful in chemical vapor deposition processes, and process for depositing coatings using the same | |
| US7323581B1 (en) | Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition | |
| US6504015B2 (en) | Tetrahydrofuran-adducted group II β-diketonate complexes as source reagents for chemical vapor deposition | |
| KR100577698B1 (ko) | 루테늄 박막 | |
| EP1068214B1 (en) | Lewis base adducts of anhydrous mononuclear tris(beta-diketonate) bismuth compositions for deposition of bismuth-containing films, and method of making the same | |
| JP2004507551A (ja) | ソース材料組成物および化学的蒸着法による基板上への金属膜形成方法 | |
| JP2004507551A5 (ja) | ||
| US20080286464A1 (en) | Group 2 Metal Precursors For Depositing Multi-Component Metal Oxide Films | |
| JP2002302473A (ja) | 非対称型β−ケトイミネートリガンド化合物、その製造方法及びそれを含む有機金属前駆体 | |
| JP2002145836A (ja) | 新規なｉｖ族金属前駆体及びこれを使用した化学蒸着法 | |
| KR20000071869A (ko) | 유기금속착물, 이의 제조방법 및 이를 이용한유기금속화학증착법 | |
| JP2002519354A (ja) | Ｍｏｃｖｄによるヘテロ金属酸化物の成長用前駆体 | |
| KR100508113B1 (ko) | 유기 금속착물 및 이의 제조방법 | |
| JP4211300B2 (ja) | 有機チタン化合物及びこれを含む溶液原料並びにこれから作られるチタン含有誘電体薄膜 | |
| KR100372844B1 (ko) | 바륨 또는 스트론튬 착체 | |
| JP4296756B2 (ja) | 有機チタン化合物及びこれを含む溶液原料からチタン含有誘電体薄膜を作製する方法 | |
| JP2000053422A (ja) | ビスマス含有複合金属酸化膜 | |
| KR100399606B1 (ko) | 유기금속 화학증착법에 의한 피젯티 박막의 제조방법 | |
| JP4356242B2 (ja) | 有機チタン化合物及びこれを含む溶液原料 | |
| KR20040077324A (ko) | 유기 금속착물 및 이의 제조방법 | |
| KR20090020075A (ko) | 반도체 소자 박막용 유기금속화합물을 이용한 박막제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070507 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070507 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100513 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101109 |