JPS62502748A - 光フアイバプレフオ−ムにド−バントを導入する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は光フアイバプレフォームおよびそれを製造する方法に関し、特にプレフ ォームのシリカコアにドーパントを混入する方法に関する。

２、関連技術の説明 光通信システム、すなわち可視又は近可視スペクトルにおいて動作するシステム は、伝送媒体としてクラッドガラスファイバを使用する。これらのクラッドファ イバ又は光ファイバは、プレフォームを製造し、そのプレフォームを加熱してフ ァイバに延伸することにより製造される。

光ファイバはシリカから構成され、全体の断面直径は約１２５μｍ以下で、一般 に２つの部分、透明ガラスコア、および透明ガラスクラッドから構成される。該 クラッドはコアを包囲するもので、コアに比べて屈折率が低く、コアとクラッド との屈折率の代表的な変化は約１．０１から０．０５の範囲である。コア層は一 般に５０μｍの直径を有する。

光ファイバを製造するために広く使用されている方法では、初めに、ファイバが 延伸されるプレフォームを、化学蒸着（ＣＶＤ）法を用いて製造する。ＣＶＤ法 は、溶融シリカ管の内側表面に、種々の金属がドープされたシリカの薄いコア層 を沈着する工程を包含する。該ドープされたシリカ層は管の外側表面又はクラッ ドよりも屈折率が高い。そして得られた管を加熱によりコラプスして、内部に空 間がなく、後にコアになる薄いドープされた層を有する中実（ｓｏｌｉｄ　）プ レフォームを形成する。

ＣＶＤ法において、溶融されドープされたシリカ層の、長いシリカガラス管の内 側への形成は、酸素キャリア中に分散された気化されたコア前駆体化合物を酸化 して、管の内側に付着し溶融されてプレフォームのドープされたコアを形成する 金属酸化物粒子を生成することによってなされる。ファイバを該プレフォームか ら延伸すると、沈着され溶融された金属酸化物層はファイバコアになり、シリカ ガラス管はクラッドになる。

蒸着されるコアの原料は一般には、シリカの塩化物、およびコアとクラッドの間 の屈折率を調節する所望のドーパントである。非常に広く使用されるドーパント 材料は、たとえば、沈着されたシリカコアの屈折率を高めるゲルマニウム、チタ ン、アルミニウムおよびリンの塩化物化合物を含む。

金属塩化物ドーパント化合物（アルミニウムを除く）は、普通液体で、比較的低 温例えば１００°から２５０℃で気化することができ、そのような材料たとえば 　ＧｅＣ１４、Ｓ　Ｉ　Ｃ１４、Ｐ　ＯＣ１３その他の蒸気は、回転されている ガラスクラツド管の内部に、キャリアガス例えば酸素中に随伴されて、約１００ ℃の温度で蒸気流として流される。その間、管を１０００℃−１６００℃に加熱 するトーチ（ｔｏｒｃｈ　）が反復的に管の長さを横断する。蒸気流は管中を通 り、トーチ付近の加熱帯に達したとき、反応し金属化合物を熱分解して、管の内 側表面に沈着し溶融する酸化物を生成する。トーチが管の長さを多数回横断して 、酸化物コア層が沈着された後、管は、トーチの数回の横断によってさらに高い 温度（例えば１９００°−２０００℃）に加熱されて収縮（ｓｈｒｉｎｋ）　Ｌ 、そして最後の横断で管はコラプスされ、中実（ｓｏｌｉｄ　）ロッド状プレフ ォームが得られる。その後、中実のコラプスされたプレフォームは、光ファイバ を構成する細長い繊維に延伸される。

この分野では、ある金属例えばセリウム、ヒ素、ユウロピウムおよびサマリウム が、光フアイバプレフォームのドープに使用された場合、イオン化放射による１ 放射線損傷の低下を助けることが知られている。金属種例えば　Ｃｅ　３　＋、 Ｃｅ４＋、Ｓｍ３＋、およびＥｕ３＋は、コアガラスニ混入された場合、電子シ ンク（ｓｉｎｋ）および／又は“ホール”シンクとして作用する。これは、好ま しいスペクトル使用領域における光吸収サイトの発生を低下するので、該プレフ ォームから延伸されたファイバの光伝送性質は最適水準に維持される。

上記に直接列挙した金属は光フアイバコアにおいて有益なドーピング活性を示す けれども、それらの金属が生成する化合物は、通常１００°から２５０℃の温度 で非常に蒸気圧が低く、したがって、これらの化合物を、光フアイバプレフォー ムのドープされたコアの製造のために通常使用されるガス状金属塩化物１０２流 に随伴させるのに必要な水準まで気化することは、困難（不可能でないとしたら ）である。

これらの好ましいドーピング金属のアルコラードが比較的低い温度例えば１００ °から３００℃で気化できることはこの分野で既知であるが、アルコラードの酸 化は好ましくない水蒸気を副生ずる。ＣＶＤ法で普及している条件下で、水蒸気 副生成物は順にＯＨ−を生成する。これは、ドープされたコアに混入された場合 、不純物であり、光通信システムで考えている種々の波長において光ファイバに 好ましくない伝送損失を形成する。

発明の概要 本発明に従って、光フアイバプレフォームのシリカコアに金属ドーパントを混入 する方法が提供される。該ドーパント前駆体化合物は十分に高い蒸気圧を有する 金属キレートであるから、該キレートは比較的低い温度（例えば約１００’から ２５０℃）で気化することができ、したがって、プレフォームのドープされたコ ア層の沈着のために普通使用されるガス状コア前駆体化合物流に容易に混入する ことができる。該金属キレートは、下記−膜構造式を有するフッ化ベータジケト ン配位子から誘導される。

ケト　エノール 式中、Ｒ，Ｒ１およびＲ２は、フッ素又はパーフルオロアルキルである。

上記ケト−エノール構造からプロトンを除くことにより形成される陰イオンは、 はとんどの金属原子陽イオンに対して配位リガンドとして働き、それらのイオン と共に錯体として知られるものを生成する。配位子イオンと金属イオンの配位か らこうして誘導された有機金属化合物は、金属β−ジケトナート又は金属β−ケ トエノラートとして知られているが、本出願の目的のためにはこれらの化合物は 金属β−ジケトナートと称する。

金属β−ジケトナートは１００°から２５０℃の温度で比較的高い蒸気圧を有し 、それ自体で、光フアイバプレフォームのコア層を製造するために使用されるガ ス状　０２／５ｉＣ１４流への導入のためのヘリウム流中で容易に気化すること ができる。本発明の実施で使用される金属β−ジケトナートは、制限された水素 置換を含み、好ましくは水素原子を含まないので、水蒸気誘導された不純物が生 成しプレフォームのコア層へ混入する機会は、最小にされるか又は排除される。

金属β−ジケトナートは、ガス状コア前駆体流への導“入の前に昇化又は精製す ることができるので、本発明の実施で使用される金属キレート中の浮遊混入物の 存在も排除され、従ってコア層の形成において使用される酸化的分解反応によっ て、高純度ドーパント金属酸化物が生成される。

図面の簡単な説明 第１図は、本発明の方法に従って製造した光フアイバプレフォームの斜視図であ り、 第２図は、本発明の方法を実施するのに適した装置を概略図で示しており、 第３図は、金属β−ジケトナートの気化に適した装置を概略図で示しており、 第４図は、第３図の装置の断面図で加熱源のための電気リードを示しており、そ して 第５図は、第３図の装置の第２の断面図で、熱源とドーパント源との関係を示す ものである。

発明の詳細な説明 本発明の実施で使用される金属β−ジケトナートは、下記一般式のフッ化β−ジ ケトン配位子を、：（式中、Ｒ，、Ｒ１およびＲ２は、フッ素又はパーフルオロ アルキル又はアリール、又はこれらの組合わせ）下記式の金属塩と反応させるこ とによって製造される。

Ｍ（Ｘ）ｒＬ　（２） 式中、Ｍは金属カチオン、Ｘはハロゲン、硝酸イオン、硫酸イオン、又は酢酸イ オン、およびｎはＭの電子当量に対応する整数である。そのような金属の例は、 銅、亜鉛、水銀、インジウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、 サマリウム、ジルコニウム、クロム、ウラン、マンガン、鉄、コバルト、ニッケ ル、白金、パラジウム、カドミウム、スカンジウム、トリウム、バナジウム、ガ リウム、タリウム、イツトリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、ハフニウム、 鉛およびプルトニウムを含み、ハロゲンイオンはもちろん塩素、臭素、ヨウ素そ の他でもよい。

金属β−ジケトンを製造するために使用されるフッ化β−ジケトン配位子の例は 、１．　１．　１．　３．　５．　５．　５−へブタフルオロ−２，４−ペンタ ンジオン；３−トリフルオロメチル１．１．１，５，５．５−ヘキサフルオロ− ２，４−ペンタンジオン；および１，１，１，２，２，３，３．７．７゜８．８ ，９．９．１０，１０．１０−ヘキサデシルフルオロ−５−トリフルオロメチル −４，６−ゾカンジオンを含む。

３位又は５位の炭素上の単一のＨはエノール形を生成するために必要である。ま た、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、パーフルオロアルキル又はパーフルオロアリール でなければならない。

Ｒ１およびＲ２は１から５炭素原子の範囲でもよい。

本発明の好ましい実施において、β−ジケトナート配位子は水素置換を完全に避 けて、水素が、プレフォームのドープされたコア層へＯＨ−不純物として混入す ることを防止する。

金属β−ジケトナートを例えば金属塩化物およびフッ化β−ジケトンから製造す る反応は、好ましくは不活性有機極性溶媒例えばＣＣ１４の存在下約２５°から ５０℃の温度で行う。

本発明の実施で使用されるフッ化金属β−ジケトナートは、代表的には比較的高 い蒸気圧、例えば２００’がら２５０　’Ｃの範囲の温度で約１０から５０　ｍ 　ｍ　Ｈｇを有する固体化合物である。それ自体で、それらは容易に気化されて 、光フアイバプレフォームの製造に使用されるガス状コア前駆体流へ導入される ことができる。

ドープされたコア層を製造するため通常使用されるドーパント形成化合物も、本 発明の実施において使用することができ、例えば金属塩化物化合物を含むことが できる。これは、比較的低い温度例えば約５０″から１００℃で気化することが できて、そして沈着されたシリカ層の屈折率を増加する機能をすることができる 。そのような金属塩化物化合物の例は、ＧｅＣｌ４　、ＴｔＣ１４、ＡｌＣｌ３ 　、ＰＯＣｌ３　であり、酸化されてそれぞれドーパント　Ｇ　ｅ　０２　、Ｔ 　ｉ　０２、Ａ　１２０３　、Ｐ２０５を生成する。以下の詳細な説明は金属塩 化物に関して示されるが、上記のように金属塩化物の代わりに他の金属塩を使用 でき、ることか容易に認識される。

光フアイバプレフォームが製造される管の内部に通すコア前駆体材料の製造にお いて、金属β−ジケトナートおよび金属塩化物コア前駆体化合物（一般に室温で 液体）を、個々にそれらの気化温度まで加熱し、そしてキャリアガス例えばＨｅ 又はｏ２で運び、そして個々の金属β−ジケトナートおよび金属塩化物の蒸気を 酸素ガスと混合する。この酸素ガスは金属β−ジケトナートおよび金属塩化物の 気化された混合物のキャリアとして作用するので、気化された混合物はガス状酸 素キャリア中に随伴される。一般に、プレフォームが製造される管へ流れされる ガス状混合物は、約９０がら９４容積パーセントの酸素、約２から４容積パーセ ントの５ｉＣ１４、約０．１から約０．４容積パーセントの金属β−ジケトナー ト、そして約２から約３容積パーセントの種々の他のドーパント金属塩化物化合 物で構成される。

酸素ガスキャリア中に随伴された気化された金属β−ジケトナート／金属塩化物 化合物混合物が、約１０００℃から１９００℃好ましくは約１７００’から１８ ００℃に加熱されたシリカ管の内部中を流れるとき、金属β−ジケトナートおよ び金属塩化物は分解し、それら各々の酸化物に酸化されて、サーモフオレシス（ ｔｈｅｒｍｏｐｈｏｒｅｓｉｓ）によって管の内側表面壁に均一に沈着し、それ によって管の表面層は、該管壁よりも屈折率の高い、ドープされたシリカ層で修 飾される。

ドープされたコア層の沈着のために必要な時間は、ガス状混合物の流速および種 々のコア形成化合物の濃度によるが、流速が大きい（分解生成物の沈着が達成さ れる範囲で）はど、および種々のコア形成化合物の濃度が高いほど、ドープされ たコア層を沈着するための処理時間は、短くなる傾向がある。

上記量の金属β−ジケトナートおよびコア前駆体化合物の容積パーセント濃度を 用いると、２５０μｍ厚さのコア層は、移動熱源との組合わせを使用して、約２ から３時間で付着することができる。該熱源は、繰返し又は往復的に必要な回数 、例えば５０回、１０ｃｍ／分の速度で移動し、コア層が沈着される壁を、約１ ０００℃から１９００℃の温度に維持する。

一般にガス状金属β−ジケトナートおよびコア前駆体化合物は、管中をおよそ周 囲の圧力で流される。本発明の好ましい態様においては、金属β−ジケトナート およびコア前駆体化合物のガス状混合物は、全体圧的７５０から７６０ｍｍＨｇ 。

そして流速１０００から３０００ｃｃ／分で使用される。

第１図は、複数のドープされたシリカコア層で形成されたガラスコアと外側壁又 はクラッド１１とから形成された光フアイバプレフォーム１０の一部を示してい る。

第２図は、光プレフォームｌＯを製造するために使用することのできるガラス用 旋盤２０の概略図である。ガラス旋盤２０は、当該技術で既知の装置であり、所 望により管１４を挾み回転運動を提供する回転チャック２２および２２′　を有 する。チャック２２．２２′の内部メカニカルおよび駆動構造は、本発明の詳細 な説明において明瞭なので示さない。外側壁１１を形成する原料のガラス管１４ が、同位相回転可能なチャック２２−２２’の間に載置される。管１４は例えば 矢印１５で示した方向に回転するとき、水素／酸素バーナー２６により加熱され る。このバーナーは、管の長さをゆっくり左から右へ繰返し横断し、各横断の後 、速やかに左へ戻るものである。ガス状材料例えば５ｉＣ１４、金属β−ジケト ナートおよび他のガス状ドーパント例えば（これに限定されないが）ＧｅＣ１４ およびＰＯＣｌ３が、加熱の間、多岐管２４を通して管１４へ導入される。これ らのガス状材料は内側壁１６に沈着し、そこでこれらは反応して以下に更に説明 されるようにコア１２の一部となる層１８を形成する。多岐管２４は、図示して いない原料器に接続された１又は複数の管を通して入力ガスを受ける。該原料器 は、通常フラスコまたは他の容器で、個々の化合物の気化温度まで加熱された液 体塩化物化合物を含んでいる。多岐管３０は気密チャンバで、原料と管１４との 間に実質的に密閉された輸送容積を提供する。多岐管２４は、管１４と接触する 部分に実質的に気密な回転可能シール２５を有することが必要である。

この理由で、多岐管２４の好ましい態様は、気密シールを提供するが回転運動を 抑制しないポリテトラフルオロエチレン材料で構成されたチャンバである。

金属β−ジケトナート源の原料性質のため、一般にこれらは他のガス状材料と同 様の方法で多岐管２４に導入することができない。代わりに、管１４の内部でβ −ジケトナート材料を気化させる特別な熱プローブ（ｈｅａｔ　ｐｒｏｂｅ）　 ３０が使用される。

熱プローブ３０は第２図では、気密シール２７を通して多岐管２４および管１４ の内部へ挿入された位置に示されている。シール２７は、プローブ３０が管１４ の内部を軸上を移動できてβ−ジケトナート源の最適位置を提供できるようなも のである。熱プローブ３０は、管１４および多岐管２４中へ、該プローブの壁と シール２７とを使用して片持ちされている。しかし、当業者には、付加的クラン プ手段又はガイドおよび支持構造（図示しない）を、プローブ３０を管１４中に 位置させ、多岐管２４の気密性を維持するために、使用できることは明らかであ ろう。

熱プローブ３０のより詳細な断面図を第３図に示した。これはβ−ジケトナート 材料を気化させるための内部の詳細を示している。熱プローブ３０の主構造は溶 融シリカ管３４を包含する。加熱プローブ３０内には、気化される金属β−ジケ トナートのプレスされたベレット又は粗い粉を含む溶融シリカのボート４０が位 置している。加熱プローブは、溶融シリカポーラスフィルタ栓３８を備え、これ を通して、気化された金属β−ジケトナートは排出しシリカ管１４の内側表面１ ６へ通過する。

加熱プローブ３０は更に加熱素子５０を備えている。これは、銅電気リード５２ によって電気制御装置に接続された抵抗性クロム／ニッケル　ワイヤををする。

該電気制御装置は、明瞭に示されていないが、これにより加熱素子５０は制御さ れた電圧が適用されて稼働され、素子の温度はベレット４ｏが気化する所定の温 度まで上がる。加熱素子５０は溶融シリカライナ（ｌｉｎｅｒ　）　５４内に包 まれ、金属リード５２とガス流との接触は防止される。リード５２は、一端でラ イナ５４に結合し他端でプローブ３０の壁３４から出る溶融シリカ管５６内に包 まれている。

これは第３図および第４図に示されている。リード５２の半径位置は第４図に示 されている。第５図は更に、プローブ３ｏの円周についての素子５０の半径配置 を示している。

高純度ヘリウムが、バルブ３２を通して、流速１２０ｏから１５００ｃｃ／分で 、ある源（図示せず）から加熱プローブ３０へ導入される。ヘリウムガスは、プ ローブ３０中、および加熱された金属β−ジケトナートベレット４ｏ上を通され 、それにより、気化された金属β−ジケトナートは流れているヘリウムガス中に 随伴され、該ガス状混合物は、直ちに出口３８を介して管から排出して、プレフ ォーム製造装置２ｏの管１４へ入る。実際、加熱された部分は管１４の内側の炎 の最大戻り位置から約１５から２０ｃｍ離れたところである。この方法で、ドー パントは加熱帯の非常に近くに導入される。

管１４へ通されたガス状金属β−ジケトナート／　Ｈｅ混合物は、約０．　１か ら２容積パーセントの金属β−ジケトン、および約９８から約９９．９容積パー セントのヘリウムを包含する。

管１４中を流された金属β−ジヶトナー）　／　Ｈｅガス状混合物は、多岐管２ ４に導入された他のコア形成ガス状材料と混合゛され、このガス状材料の混合物 は管１４の内部へ通される。

金属β−ジケトナートおよび他のコア形成ガス状成分の混合物が、バーナー２６ で加熱された加熱帯（およそ１０００’から１９００℃）に到達した時、ガス状 化合物は分解して酸素と反応して、通常コア前駆体材料として働くガス状金属化 合物の酸化物である沈着物を生成する。こうして、酸化されたガス状金属β−ジ ケトナートおよび金属塩化物が分解され酸化物に変化するとき、それらはサーモ フォレシスにより沈着し、管１４の内側表面上でコアとして溶融し、固定されな いすす（ｓｏｏｔ）および余分なキャリアガスは、排気管２８を介して管１４か ら出る。バーナー２６の複数回の横断（例えば約５０’回）が、コア層１２の所 定の厚さを得るまでになされる。

ドープされたコア層１２の必要な沈着が得られた後、管１４を更に高温例えば１ ９００°から２３００　’Ｃに加熱して、管を軟化、収縮させ、そして最後にコ ラプスして、第１図に示した中実な光フアイバプレフォーム１ｏを形成する。こ れは、バーナ２６の温度を高めて、管１４に沿ってゆっくり移動する（例えば約 ０．　５から２．０ｍｍ／秒）局部的加熱帯を提供して、管壁の局部的軟化を行 うことによって達成される。管１４の長さに沿っての高温の加熱帯の多数回の移 動（例えば６回）は、管の直径を徐々に収縮させ、加熱帯を左から右へ移動させ る最後のコラプス横断の時、管は、その内側に沈着されたコア層１２と共に完全 にコラプスされて、ガス圧の存在しないプレフォームｌＯが形成される。

本発明は以下の例を参照してより容易に理解されるだろう。

しかし例は、本発明を説明することを意図しており、本発明の見地を制限すると は解釈されない。

例 代表的金属キレート（セリウム　ジケトナート）を以下のようにして形成した。

１８．２５ｇｍ　（２５ｍｏ　ｌ）のＣｅ　（ＳＯａ　）２を２００ｍ１の水に 溶解し、ＮＨ４０Ｈで中和してｐＨ約１０とした。この溶液へ、３１．６ｇｍｃ 、１４ｍｏｌ）の１．１，１，５，５．５−へキサフルオロ−２，４−ペンタン ジオンを２００ｍ１のベンゼンに溶解したものを添加した。定期的なＮＨ，ＯＨ の添加で、水相をアルカリ性に維持した。混合物を１１７２時間７０℃で還流下 反応させた。混合物を冷却し、分液ろうとで非混和層を分離した。水相を除いた 。ベンゼンを蒸溜で除去した。それからベンゼンを固体残留物に加え、水を共沸 蒸溜で除去した。

収量〜５０ｇｍの黄色がかった固体が収率〜８０％で得られた。融点のデータは 集めなかった。

ドープされたプレフォームの代表的製造において、トリス（６，６，７，７，８ ，８，８−へブタフルオロ−２，２゜−ジメチルー３．５−オクタンジオナト） ユウロピウム（アルドリッチ　ケミカル社（ミルウォーキ、Ｗｌ）から商業的に 得られる）を、ドーパントとして使用した。

結晶性固体を、２ｍｍ直径のベレットにプレスし、１．５から２ｇのこれらのベ レットを第３図に示したプローブ３０のヒータ一部２３に位置した溶融シリカボ ートに入れた。乾燥ヘリウムガス流をプローブ中で開始し、ヒーター素子を稼働 して、ボート内容物の温度を２００°から２５０℃に上げて、金属β−ジケトナ ートを気化させた。

５０ｃｍ長さＸ１８ｍｍＩ　Ｄｘ２４ｍｍＯＤで、各端部が市販のシリカのより 大きい“ハンド／ｌ／”にシールされた高純度溶融シリカの管１４を、初めフッ 化水素酸溶液に３分間浸して洗浄し、脱イオン水、続いてメタノールですすぎ、 数時間Ｎ２を通すことにより乾燥した。骸骨を第２図に示した種類の装置に載置 した。コア前駆体化合物を、管を１１００ｒｐで回転しながら該内側壁表面に沈 着した。コア前駆体化合物を管の内側に導入する前に、酸素の連続流を約１５０ ０から２０００ｃｃ／分の流速で管内を流して管をフラッシュした。

この間、内側壁表面上に存在する不純物を気化するために、バーナー２６を、壁 の温度を１９００℃にするのに十分な回数横断させた。約１５秒の期間の後、ガ ス状５ｉＣ１４、ＧｅＣ１ａおよびＰＯＣｌ３の混合物を、酸素キャリアに随伴 させて管の内側に導入した。流速は、Ｓ　ｉ　Ｃ１４が５８ｃｃ／分、　ＧｅＣ ｌ４が４９ｃｃ／分、　ＰＯＣｌ３が０．２４ｃｃ／分、そして０２が１５００ ｃｃ／分であり、ガス状混合物は、およそ３．５パーセントの５ｉＣ１４，２， ９パーセントのＧ　ｅ　Ｃｌ　４　、そして９０パーセントの０２を包含してい た。コア前駆体塩化物化合物の導入と共に、プローブ３０内のヘリウムキャリア （５００ｃｃ／分）中の約９．０％の気化されたユウロピウム　ヘプタフルオロ ベンクンジオナートの混合物を、ガス状塩化物化合物と管の内部で混合し、全体 の流速をおよそ２０００ｃｃ／分とした。バーナーの追加の通過を、３時間にわ たって、　５ｉＣ１４／ロピウム　へブタフルオロベンクンジオナート／Ｈｅガ ス混合物の管内部中の平行流と共に行った。

管のコラプスを、バーナーの横断の速度を低下して、管壁の温度を２３００°Ｃ に上げることによって開始した。最後のコラプスおよび冷却の後に得られた最終 プレフォームは、７ｍｍ直径のシリカクラッドと、およそ８３％の５ｉ０２．１ ５％のＧ　ｅ　０２．２％のＰ２Ｏ５、そして＜０．０３％のＥｕ２Ｏ３で構成 された２から３ｍｍ直径のドープされたシリカコアとを有していた。

主に２５４ｎｍの光（Ｈｇ放電）での照射によるＵ、Ｖ。

蛍光の試験のとき、コアは赤い蛍光を発し、Ｅｕ＋３イオンの存在を示した。

本発明の具体的成分を上記の例を行う中で示したが、なんらかの方法で本発明を 影響し、高め、または改善することのできる多くの他の変化を導入することがで きる。

本出願において変形を示したが、当業者は、この開示を読んで、多くの修飾およ び支流を生ずることができる。それらもまたここに含まれることが意図される。

国際調査報告 Ａｒｃ）；ＥＸ　Ｔｏ　：”：：Ｅ　工）ｒＥＲ？：入τＩＯＮユｆ、ｓ三ＡＲ ＣＨＲ三ＰＯ：’ｔＴ　ＯＮ

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. １．（ａ）ガス状酸素キャリア中に随伴させた揮発性シリカ化合物および揮発性 金属キレートのガス混合物をシリカガラス管の内部に流す工程であって、該金属 キレートは下記一般式のフッ化β−ジケトン配位子から誘導されるものである工 程、▲数式、化学式、表等があります▼（式中、Ｒ、Ｒ１およびＲ２はフルオロ アルキルからなる群から選択された基である。） （ｂ）該ガス混合物を酸化して、該キレートの酸化された金属でドープされたシ リカ層を該管の内側壁に沈着させる工程、および、 （ｃ）該管をコラプスする工程、 を包含する光ファイバプレフォームの製造方法。
2. ２．該金属キレートは、該フッ化β−ジケトン配位子および下記一般式の金属塩 の反応生成物である請求の範囲第１項記載の方法。 Ｍ（Ｘ）ｎ 式中Ｍは金属カチオン、Ｘはハロゲン、酢酸イオン、硫酸イオン、又は硝酸イオ ン、そしてｎは、Ｍの電子当量に対応する整数。
3. ３．該金属は希土類金属である請求の範囲第１項記載の方法。
4. ４．該金属はユウロピウムである請求の範囲第１項記載の方法。
5. ５．該金属塩は、ユウロピウムトリクロリドアセタート又はニトラートである請 求の範囲第２項記載の方法。
6. ６．該β−ジケトン配位子は、１，１，１，３，５，５，５−ヘプタフルオロー ２，４−ペンタンジオンである請求の範囲第１項記載の方法。
7. ７．該β−ジケトン配位子は、３−トリフルオロメチルー１，１，１，５，５， ５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオンである請求の範囲第１項記載の方 法。
8. ８．該β−ジケトン配位子は、１，１，１，２，２，３，３，７，７，８，８， ９，９，１０，１０，１０−ヘキサデシルフルオロ−５−トリフルオロメチル− ４，６−デカンジオンである請求の範囲第１項記載の方法。
9. ９．該金属キレートは、ユウロピウムヘプタフルオロペンタンジオナートである 請求の範囲第１項記載の方法。
10. １０．該ガス混合物は、該管が約１０００°から１６００℃の温度に加熱される 間、該管の内部を流される請求の範囲第１項記載の方法。
11. １１．該金属キレートは、該キレートを約１００°から２５０℃の温度に加熱す ることによって気化される請求の範囲第１項記載の方法。