JPS591220B2 - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
- Publication number
- JPS591220B2 JPS591220B2 JP10737580A JP10737580A JPS591220B2 JP S591220 B2 JPS591220 B2 JP S591220B2 JP 10737580 A JP10737580 A JP 10737580A JP 10737580 A JP10737580 A JP 10737580A JP S591220 B2 JPS591220 B2 JP S591220B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- raw material
- base material
- quartz tube
- fiber base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、気相化学反応を利用した、いわゆるＣＶＤ
法（内付けＣＶＤ法）により光ファイバ母材を製造する
方法に関する。
法（内付けＣＶＤ法）により光ファイバ母材を製造する
方法に関する。
従来、ＣＶＤ法（内付けＣＶＤ法）は、その製造プロセ
スにおいて反応系がｃｌｏｓｅｄｓｙｓｔｅｍであるこ
と、及びプリフオーム製造工程までが連続して行なえる
ことのため、光ファイバ中に混入するＯＨ基量が少ない
製造方法としてよく知られている。
スにおいて反応系がｃｌｏｓｅｄｓｙｓｔｅｍであるこ
と、及びプリフオーム製造工程までが連続して行なえる
ことのため、光ファイバ中に混入するＯＨ基量が少ない
製造方法としてよく知られている。
光ファイバ中に残存するＯＨ基量は、通常４０〜５０ｐ
ｐｂ程度である。更にＯＨ基量を減少させるためには、
石英管からのＯＨ基の拡散を防ぐことと、コアガラス中
に混入するＯＨ基量を減らすことが重要である。本発明
は、気相化学反応によりガラス微粉末を生成するための
原料ガスとして用いるＯ２を、多孔質ガラス粉末でなる
脱水触媒中に通すことにより脱水処理して、コアガラス
中に混入するＯＨ基量を減少させるように改善したＣＶ
Ｄ法による光ファイバ母材の製造方法を提供することを
目的とする。
ｐｂ程度である。更にＯＨ基量を減少させるためには、
石英管からのＯＨ基の拡散を防ぐことと、コアガラス中
に混入するＯＨ基量を減らすことが重要である。本発明
は、気相化学反応によりガラス微粉末を生成するための
原料ガスとして用いるＯ２を、多孔質ガラス粉末でなる
脱水触媒中に通すことにより脱水処理して、コアガラス
中に混入するＯＨ基量を減少させるように改善したＣＶ
Ｄ法による光ファイバ母材の製造方法を提供することを
目的とする。
一般にＳｉＯ２・Ａｌ２Ｏ２等の二元酸化物触媒は、焼
結処理によつて二元酸化物中に酸点と塩基点とを有する
ことが知られている。
結処理によつて二元酸化物中に酸点と塩基点とを有する
ことが知られている。
そして水（ＯＨ基）はルイス酸として作用するため、塩
基点を有する触媒と反応するので、二元酸化物触媒を用
いれば、ＯＨ基を除去することが可能である。本発明者
等は、上記光ファイバの製造工程において、気相化学反
応により作られる多孔質ガラス微粉末がＳｉＯ２を主成
分としＰ２Ｏ５やＧｅ０２等を含むものであることに着
目し、この多孔質ガラス微粉末もまた上記二元酸化物触
媒としての作用をもつものと予想し、上記多孔質ガラス
微粉末を脱水用の触媒として用いる本発明をなしたもの
である。以下、本発明の一実施例について図面を参照し
ながら説明する。第１図において、石英管１がガラス旋
盤２により回転するように保持されており、酸水素バー
ナ３を矢印に示すように往復動させることにより、石英
管１の加熱ゾーンを軸方向に移動させる。この石英管１
の中空部には原料ガス供給システム４からスウイベルコ
ネクタ１１を介して原料ガスが送られている。原料ガス
供給システム４は模式的に描かれており、バプラ４１中
の原料の液体ＳｉＣｌ４（ガラスの原料）、ＧｅＣｌ４
、ＰＯＣｌ３、ＢＢに３（屈折率制御用添加物の原料）
等にＯ２を通してバブリングし、上記の原料を含んだ０
２を原料ガスとしている。この原料ガスは石英管１内に
供給されると、その加熱ゾーンにおいて熱酸化反応や加
水分解反応等の気相化学反応によりガラス微粉末及びこ
れに含まれる金属酸化物を生成し、これが石英管１の内
壁面に堆積してコアガラスが形成される。
基点を有する触媒と反応するので、二元酸化物触媒を用
いれば、ＯＨ基を除去することが可能である。本発明者
等は、上記光ファイバの製造工程において、気相化学反
応により作られる多孔質ガラス微粉末がＳｉＯ２を主成
分としＰ２Ｏ５やＧｅ０２等を含むものであることに着
目し、この多孔質ガラス微粉末もまた上記二元酸化物触
媒としての作用をもつものと予想し、上記多孔質ガラス
微粉末を脱水用の触媒として用いる本発明をなしたもの
である。以下、本発明の一実施例について図面を参照し
ながら説明する。第１図において、石英管１がガラス旋
盤２により回転するように保持されており、酸水素バー
ナ３を矢印に示すように往復動させることにより、石英
管１の加熱ゾーンを軸方向に移動させる。この石英管１
の中空部には原料ガス供給システム４からスウイベルコ
ネクタ１１を介して原料ガスが送られている。原料ガス
供給システム４は模式的に描かれており、バプラ４１中
の原料の液体ＳｉＣｌ４（ガラスの原料）、ＧｅＣｌ４
、ＰＯＣｌ３、ＢＢに３（屈折率制御用添加物の原料）
等にＯ２を通してバブリングし、上記の原料を含んだ０
２を原料ガスとしている。この原料ガスは石英管１内に
供給されると、その加熱ゾーンにおいて熱酸化反応や加
水分解反応等の気相化学反応によりガラス微粉末及びこ
れに含まれる金属酸化物を生成し、これが石英管１の内
壁面に堆積してコアガラスが形成される。
前記のバブリングのための０２は、多孔質ガラス微粉末
からなる脱水触媒５１が納められている触媒カラム５２
中を通されることにより脱水処理されている。この脱水
触媒５１となる多孔質ガラス微粉末は、例えば次の第１
表に示す条件で１本の多層バーナに原料ガスを供給し、
火炎加水分解法を用いたＶＡＤ法により、棒状基材の軸
方向に堆積させたものからなり、この多孔質ガラス微粉
末の成分はＳｌＯ２・Ｐ２Ｏ５・ＧｅＯ２系三元酸化物
であるから、上述の二元酸化物の脱水触媒としての機能
を果たす。この実施例では、触媒カラム５２をヒータ５
３により２５０〜３００℃に熱して、バルブ６２，６３
，６５，６７を開き、Ｎ２ガスまたはＨ２ガスを流し、
約１時間加熱処理して活性化したのち、バルブ６２，６
７を閉じ、バルプ６１，６４，６６を開き、Ｃ２をこの
触媒カラム５２中に通して精製し、原料ガス供給システ
ム４に連続的に送るようにした。
からなる脱水触媒５１が納められている触媒カラム５２
中を通されることにより脱水処理されている。この脱水
触媒５１となる多孔質ガラス微粉末は、例えば次の第１
表に示す条件で１本の多層バーナに原料ガスを供給し、
火炎加水分解法を用いたＶＡＤ法により、棒状基材の軸
方向に堆積させたものからなり、この多孔質ガラス微粉
末の成分はＳｌＯ２・Ｐ２Ｏ５・ＧｅＯ２系三元酸化物
であるから、上述の二元酸化物の脱水触媒としての機能
を果たす。この実施例では、触媒カラム５２をヒータ５
３により２５０〜３００℃に熱して、バルブ６２，６３
，６５，６７を開き、Ｎ２ガスまたはＨ２ガスを流し、
約１時間加熱処理して活性化したのち、バルブ６２，６
７を閉じ、バルプ６１，６４，６６を開き、Ｃ２をこの
触媒カラム５２中に通して精製し、原料ガス供給システ
ム４に連続的に送るようにした。
そしてこの０２を流量１１／Ｍｍで送りながら、石英管
１の内壁面に｝けるガラス微粉末のデポジシヨンを行な
つた。この実施例では、まずクラツド層を次の第２表に
示す条件でデポジシヨンし、次に第３表に示す条件でコ
アのデポジシヨンを行なつた。こうして石英管１の内側
にクラツド層となるガラス微粉末堆積層を有し、更にそ
の内側にコア層となるガラス微粉末堆積層を有する光フ
アイバ母材を得て、これを通常のＣＶＤ法と同様に焼結
ガラス化したのちコラツプス（中実化）して、中央部の
中空部を埋めて１本の充実した光フアイバ母材とした。
１の内壁面に｝けるガラス微粉末のデポジシヨンを行な
つた。この実施例では、まずクラツド層を次の第２表に
示す条件でデポジシヨンし、次に第３表に示す条件でコ
アのデポジシヨンを行なつた。こうして石英管１の内側
にクラツド層となるガラス微粉末堆積層を有し、更にそ
の内側にコア層となるガラス微粉末堆積層を有する光フ
アイバ母材を得て、これを通常のＣＶＤ法と同様に焼結
ガラス化したのちコラツプス（中実化）して、中央部の
中空部を埋めて１本の充実した光フアイバ母材とした。
そしてこれを加熱線引きして光フアイバを試作し、その
波長特性を測定した。測定結果の一例を第２図に示す０
この第２図において、実線が第１図のように触媒カラム
５２を使用した場合の特性である。比較のために触媒カ
ラム５２を使用しない通常のＣＶＤ法により試作した光
フアイバの波長特性を測定し、その測定結果の一例を点
線で示す。この第２図から分るように、通常のＣＶＤ法
の場合、０Ｈ基による吸収損失（波長１．３８μｍで）
は４．０ｄＢ．／Ｋｍであるが、第１図のように触媒カ
ラム５２を使用して試作した光フアイバの場合には、０
Ｈ基による吸収損失（波長１．３８μｍで）は０．４ｄ
Ｂ／ｉであり、０Ｈ基量を減少させる効果の高いことが
分る。以上、実施例について説明したように、本発明に
よれば、気相化学反応を利用して形成される多孔質ガラ
ス微粉末を脱水触媒として使用し、原料ガスの０２を脱
水処理することにより光フアイバ中に残存する０Ｈ基量
を減少させることができ、良好な特性の光フアイバを得
ることができる〇な卦、この脱水触媒として用いられる
多孔質ガラス微粉末は、外付け法やＡＤ法等により形成
することができるので、光フアイバ母材の製造工程で簡
単に得ることができる。
波長特性を測定した。測定結果の一例を第２図に示す０
この第２図において、実線が第１図のように触媒カラム
５２を使用した場合の特性である。比較のために触媒カ
ラム５２を使用しない通常のＣＶＤ法により試作した光
フアイバの波長特性を測定し、その測定結果の一例を点
線で示す。この第２図から分るように、通常のＣＶＤ法
の場合、０Ｈ基による吸収損失（波長１．３８μｍで）
は４．０ｄＢ．／Ｋｍであるが、第１図のように触媒カ
ラム５２を使用して試作した光フアイバの場合には、０
Ｈ基による吸収損失（波長１．３８μｍで）は０．４ｄ
Ｂ／ｉであり、０Ｈ基量を減少させる効果の高いことが
分る。以上、実施例について説明したように、本発明に
よれば、気相化学反応を利用して形成される多孔質ガラ
ス微粉末を脱水触媒として使用し、原料ガスの０２を脱
水処理することにより光フアイバ中に残存する０Ｈ基量
を減少させることができ、良好な特性の光フアイバを得
ることができる〇な卦、この脱水触媒として用いられる
多孔質ガラス微粉末は、外付け法やＡＤ法等により形成
することができるので、光フアイバ母材の製造工程で簡
単に得ることができる。
勿論、光フアイバ母材の製造工程とは別個に作るように
してもよ四
してもよ四
第１図は本発明の一実施例を説明するためのプロツク図
、第２図は同実施例で得られた光フアイバの波長特性の
測定結果の一例を示すグラフであるＯ１・・・・・・石
英管、２・・・・・・ガラス旋盤、３・・・・・・酸水
素バーナ、４・・・・・・原料ガス供給システム、５１
・・・・・・脱水触媒、５２・・・・・・触媒カラム。
、第２図は同実施例で得られた光フアイバの波長特性の
測定結果の一例を示すグラフであるＯ１・・・・・・石
英管、２・・・・・・ガラス旋盤、３・・・・・・酸水
素バーナ、４・・・・・・原料ガス供給システム、５１
・・・・・・脱水触媒、５２・・・・・・触媒カラム。
Claims (1)
- １ Ｏ＿２を原料の液体中に送つてバブリングし、原料
を含んだＯ＿２を原料ガスとし、この原料ガスを、加熱
されている石英管内に供給してこの石英管内で気相化学
反応によりガラス微粉末を生成し、これを前記石英管内
壁面に堆積させるようにした光ファイバ母材の製造方法
において、前記Ｏ＿２を、多孔質ガラス微粉末でなる脱
水触媒中に通したのち原料の液体中に送つてバブリング
することを特徴とする光ファイバ母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10737580A JPS591220B2 (ja) | 1980-08-05 | 1980-08-05 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10737580A JPS591220B2 (ja) | 1980-08-05 | 1980-08-05 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5734035A JPS5734035A (en) | 1982-02-24 |
| JPS591220B2 true JPS591220B2 (ja) | 1984-01-11 |
Family
ID=14457504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10737580A Expired JPS591220B2 (ja) | 1980-08-05 | 1980-08-05 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS591220B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS637893A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | フツ素含有廃水の処理方法 |
| JPH01231989A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-18 | Hitachi Plant Eng & Constr Co Ltd | 廃水の処理方法 |
-
1980
- 1980-08-05 JP JP10737580A patent/JPS591220B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5734035A (en) | 1982-02-24 |
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