JPH01111747A - 光ファイバ母材の製造方法 - Google Patents
光ファイバ母材の製造方法Info
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- JPH01111747A JPH01111747A JP26651387A JP26651387A JPH01111747A JP H01111747 A JPH01111747 A JP H01111747A JP 26651387 A JP26651387 A JP 26651387A JP 26651387 A JP26651387 A JP 26651387A JP H01111747 A JPH01111747 A JP H01111747A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01486—Means for supporting, rotating or translating the preforms being formed, e.g. lathes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/70—Control measures
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は外付法による光ファイバ母材の製造方法に関す
るものである。
るものである。
［従来の技術］
先ファイバを製造する方法において、現在、ＭＣＶＤ法
、ＶＡＤ法、及びＯＶＤ法が主流である。各製造法には
目的とする光ファイバの構造のものを製造する上で開発
が加えられ、低損失な光ファイバが得られている。ここ
で、ｏＶＤ法はガラス棒又はカーボン棒外周にスート形
成した後、ガラス棒又はカーボン棒を抜き収り、焼結し
て光ファイバ母材とする方法と、ガラス棒がコアロッド
で抜き取ることなく焼結する方法とがある。後者におい
ては、スート形成時に８２−０２火炎で加熱するために
、８００℃程度の温度では、コアロッド内にＯＨ基が拡
散し、低損失化が図れない。
、ＶＡＤ法、及びＯＶＤ法が主流である。各製造法には
目的とする光ファイバの構造のものを製造する上で開発
が加えられ、低損失な光ファイバが得られている。ここ
で、ｏＶＤ法はガラス棒又はカーボン棒外周にスート形
成した後、ガラス棒又はカーボン棒を抜き収り、焼結し
て光ファイバ母材とする方法と、ガラス棒がコアロッド
で抜き取ることなく焼結する方法とがある。後者におい
ては、スート形成時に８２−０２火炎で加熱するために
、８００℃程度の温度では、コアロッド内にＯＨ基が拡
散し、低損失化が図れない。
［発明が解決しようとする問題点］
従来、上記方法においては、第５図に示すように、ガラ
ス微粒子合成用のバーナ３を１本ないしは複数本用いて
、ガラス微粒子堆積体２を合成している。一般に、バー
ナ先端から燃料ガ又としてＨ２、補助燃料ガスとして０
２が供給され、ここにガラス原料としてＳ ｉ Ｃ１４
が供給され、加水分解反応を起こすことによりガラス微
粒子ＳｉＯ２が生成される。該ガラス微粒子が回転する
出発材１に堆積され、ガラス微粒子堆積体２が形成され
る。
ス微粒子合成用のバーナ３を１本ないしは複数本用いて
、ガラス微粒子堆積体２を合成している。一般に、バー
ナ先端から燃料ガ又としてＨ２、補助燃料ガスとして０
２が供給され、ここにガラス原料としてＳ ｉ Ｃ１４
が供給され、加水分解反応を起こすことによりガラス微
粒子ＳｉＯ２が生成される。該ガラス微粒子が回転する
出発材１に堆積され、ガラス微粒子堆積体２が形成され
る。
この方法によるガラス微粒子堆積体の製造において、特
に問題となるのは、出発材１の表面が酸水素火炎によっ
て高温に熱せられると、出発材内にＯＨ基が拡散し、そ
の結果著しく伝送損失を劣化させることでメる。特に出
発材１がコアロッド（すなわち合成りラッドが付いてい
ない）の場合は、その傾向が著しい。
に問題となるのは、出発材１の表面が酸水素火炎によっ
て高温に熱せられると、出発材内にＯＨ基が拡散し、そ
の結果著しく伝送損失を劣化させることでメる。特に出
発材１がコアロッド（すなわち合成りラッドが付いてい
ない）の場合は、その傾向が著しい。
本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、低
損失な光ファイバを得る母材の製造方法を提供すること
にある。
損失な光ファイバを得る母材の製造方法を提供すること
にある。
［問題点を解決するための手段］
本発明による光ファイバ母材の製造方法は、コアロッド
をガラス微粒子合成用のバーナと平行に毎時４００〜６
００１１１１の高速度で移動させ、これによりコアロッ
ドの界面温度を６００〜６５０℃の低温に維持しつつ、
コアロッドの外周部上に前記バーナから発生させたガラ
ス微粒子を堆積し、この操作を所定の厚さの堆積体とな
るまで複数回繰り返し、脱水、焼結ガラス化して光ファ
イバ母材を得ることを特徴とするものである。
をガラス微粒子合成用のバーナと平行に毎時４００〜６
００１１１１の高速度で移動させ、これによりコアロッ
ドの界面温度を６００〜６５０℃の低温に維持しつつ、
コアロッドの外周部上に前記バーナから発生させたガラ
ス微粒子を堆積し、この操作を所定の厚さの堆積体とな
るまで複数回繰り返し、脱水、焼結ガラス化して光ファ
イバ母材を得ることを特徴とするものである。
上記堆積体の厚さは、スート外径／コアロッド外径比で
２．５〜５．０の範囲とするのが、残留ＯＨ基の量を少
なくする上で好ましい。
２．５〜５．０の範囲とするのが、残留ＯＨ基の量を少
なくする上で好ましい。
［作用］
スート堆積時の界面温度を６００〜６５０’Ｃに維持す
るよう、外付けするコアロッドの移動速度を毎時４００
〜６００ｍｍに制御することにより、低損失な光ファイ
バを得る母材が製造される。
るよう、外付けするコアロッドの移動速度を毎時４００
〜６００ｍｍに制御することにより、低損失な光ファイ
バを得る母材が製造される。
詳述するに、本発明者らは、上記問題点に対する対策と
して、出発界面の温度に着目し、次のような実験結果を
得た。即ち、第２図に示すように、界面温度と残留ＯＨ
基には相関があり、温度が６００〜６５０℃の範囲であ
れば、残留ＯＨ基を２．５ｄＢ／ｋｍ以下に押さえるこ
とが可能である。
して、出発界面の温度に着目し、次のような実験結果を
得た。即ち、第２図に示すように、界面温度と残留ＯＨ
基には相関があり、温度が６００〜６５０℃の範囲であ
れば、残留ＯＨ基を２．５ｄＢ／ｋｍ以下に押さえるこ
とが可能である。
また残留ＯＨ基が２．５ｄＢ／Ｉｖ以下であれば、波長
１３μｍ及び１．５５μｍの損失に関し、はとんどその
影響を無視できる。他方、界面温度を６５０℃以上とし
た場合には、このガラス微粒子堆積体を透明ガラス体に
するときの脱水を十分に行っても、残留ＯＨ基は低減で
きない、この理由は、ガラス微粒子堆積段階で、出発材
にＯＨ基が拡散するからである。
１３μｍ及び１．５５μｍの損失に関し、はとんどその
影響を無視できる。他方、界面温度を６５０℃以上とし
た場合には、このガラス微粒子堆積体を透明ガラス体に
するときの脱水を十分に行っても、残留ＯＨ基は低減で
きない、この理由は、ガラス微粒子堆積段階で、出発材
にＯＨ基が拡散するからである。
次に、出発材の界面温度を６００〜６５０℃の低い温度
範囲に維持するためには、バーナに供給する水素、酸素
量及び原料ガス流量を適正化することは勿論のこと、出
発材の送り速度を高速にする必要がある。その理由は、
出発材の界面温度を６００〜６５０’Ｃにするために上
記ガス流量を適正化しても、出発材の送り速度が毎時４
０〜１００ｍｍと比較的低速度である場合には、堆積体
のかさ密度が低くなり、ガラス微粒子堆積体に割れを生
じるからである。この問題を解決するためには、出発材
の送り速度を毎時４００ ｎｕ＋＋以上の比較的高速度
にすることによって、出発材に准債させるガラス微粒子
の厚さを１〜３ｍｍとし、堆積体のかさ密度を高くする
ことが有効である。
範囲に維持するためには、バーナに供給する水素、酸素
量及び原料ガス流量を適正化することは勿論のこと、出
発材の送り速度を高速にする必要がある。その理由は、
出発材の界面温度を６００〜６５０’Ｃにするために上
記ガス流量を適正化しても、出発材の送り速度が毎時４
０〜１００ｍｍと比較的低速度である場合には、堆積体
のかさ密度が低くなり、ガラス微粒子堆積体に割れを生
じるからである。この問題を解決するためには、出発材
の送り速度を毎時４００ ｎｕ＋＋以上の比較的高速度
にすることによって、出発材に准債させるガラス微粒子
の厚さを１〜３ｍｍとし、堆積体のかさ密度を高くする
ことが有効である。
［実施例］
第１図に示す構成において、同心円状多重管から成るガ
ラス粒子合成用のバーナ４を用いて、出発材１としての
外形１０ｍｍの純粋石英ガラスロッドに、ガラス微粒子
堆積体を形成した。ガラス微粒子合成用のバーナ４にＨ
ｚ ＝ ３．５Ｎ ／ｍｉｎ、Ｏｘ ＝ ６．Ｏｆｆ
／ｆｌｌｉｎ、Ｓ Ｉ Ｃｌ ４ ＝ ０．５（１／ｎ
Ｎｎとし、出発材１の送り速度を毎時５０〜１０００ｍ
ｍの範囲において、出発材の送り１回当たりの出発材の
送り速度とガラス微粒子堆積体の厚さｄの関係を調べた
。この結果を第３図に示す。
ラス粒子合成用のバーナ４を用いて、出発材１としての
外形１０ｍｍの純粋石英ガラスロッドに、ガラス微粒子
堆積体を形成した。ガラス微粒子合成用のバーナ４にＨ
ｚ ＝ ３．５Ｎ ／ｍｉｎ、Ｏｘ ＝ ６．Ｏｆｆ
／ｆｌｌｉｎ、Ｓ Ｉ Ｃｌ ４ ＝ ０．５（１／ｎ
Ｎｎとし、出発材１の送り速度を毎時５０〜１０００ｍ
ｍの範囲において、出発材の送り１回当たりの出発材の
送り速度とガラス微粒子堆積体の厚さｄの関係を調べた
。この結果を第３図に示す。
第３図から分かるように、出発材の送り速度が毎時５０
〜３００ｍｎ＋と比較的低速度の範囲においては、堆積
体の厚さｄは５〜１５１１１１となるが、堆積中或いは
堆積終了後に割れを生じた。この原因として、堆積体の
かさ密度低下が考えられ、実際に調べてみると、００５
〜０．１０（１／Ｃｍ’とかなり低いかさ密度であった
。
〜３００ｍｎ＋と比較的低速度の範囲においては、堆積
体の厚さｄは５〜１５１１１１となるが、堆積中或いは
堆積終了後に割れを生じた。この原因として、堆積体の
かさ密度低下が考えられ、実際に調べてみると、００５
〜０．１０（１／Ｃｍ’とかなり低いかさ密度であった
。
次に、出発材の送り速度を毎時４００〜６００ｎ＋ｍの
範囲に維持した場合、ガラス微粒子の堆積体の厚さｄは
１〜３ｍｍであり、このときの界面の温度は、６００〜
６５０℃であった。また堆積中に割れを生じなく、かさ
密度は０．１５〜０．２０ｇ／ｃｍ３であった。
範囲に維持した場合、ガラス微粒子の堆積体の厚さｄは
１〜３ｍｍであり、このときの界面の温度は、６００〜
６５０℃であった。また堆積中に割れを生じなく、かさ
密度は０．１５〜０．２０ｇ／ｃｍ３であった。
次に、出発材の送り速度を毎時７００〜１０００ｍｍと
しなときは、堆積体の厚さｄは０１〜０．５ｎ＋ｍとな
った。かさ密度は、０５〜１．０ｇ／ｃｍ’と高くなり
、次工程での脱水が十分なされないことが予想され、不
適当である。
しなときは、堆積体の厚さｄは０１〜０．５ｎ＋ｍとな
った。かさ密度は、０５〜１．０ｇ／ｃｍ’と高くなり
、次工程での脱水が十分なされないことが予想され、不
適当である。
次に、上記出発材の送り速度（毎時４００〜６００１１
１１１ ）のところで既に触れたように、出発材に対し
て１回の堆積による最適な堆積層の厚さｄは、１〜３ｍ
ｎ＋であり、所定のコア、クラツド径比にするには、こ
の操作を複数回繰り返す必要がある。特に、全合成化を
図るのには、この回数を非常に多くする必要があり、低
価格化の面で好ましくない、そこで、第１図に示すよう
に、ある一定の寸法比までは、上記方法で行い、次に上
記操作をＮ回繰り返しな外付ガラスロッド母材６に対し
て、クラッドスート外付用の大径のバーナ５で、厚い堆
積層（クラッド部スート）７を１回で外付けし、所定の
寸法比とした。
１１１ ）のところで既に触れたように、出発材に対し
て１回の堆積による最適な堆積層の厚さｄは、１〜３ｍ
ｎ＋であり、所定のコア、クラツド径比にするには、こ
の操作を複数回繰り返す必要がある。特に、全合成化を
図るのには、この回数を非常に多くする必要があり、低
価格化の面で好ましくない、そこで、第１図に示すよう
に、ある一定の寸法比までは、上記方法で行い、次に上
記操作をＮ回繰り返しな外付ガラスロッド母材６に対し
て、クラッドスート外付用の大径のバーナ５で、厚い堆
積層（クラッド部スート）７を１回で外付けし、所定の
寸法比とした。
本発明者等は、上記操作の回数すなわち出発材の外径を
ａ、Ｎ回後の総堆積層の厚さをｄ′としなとき、スート
外径とコアロッド外径比（２ｄ’＋ａ＞／ａの最適値に
ついて検討を行った。結果を第４図にて説明する。
ａ、Ｎ回後の総堆積層の厚さをｄ′としなとき、スート
外径とコアロッド外径比（２ｄ’＋ａ＞／ａの最適値に
ついて検討を行った。結果を第４図にて説明する。
まず、（２ｄ’＋ａ）／ａ−比く２５とし、この外付ガ
ラスロッド母材６に対して、大径のバーナ５で厚い堆積
層７を外付けし、ファイバ化した。このときの残留ＯＨ
基量を調べたところ、５〜２０ ｄＢ／ｋｍであった。
ラスロッド母材６に対して、大径のバーナ５で厚い堆積
層７を外付けし、ファイバ化した。このときの残留ＯＨ
基量を調べたところ、５〜２０ ｄＢ／ｋｍであった。
この要因としては、上記操作における総堆積層の厚さｄ
゛が足りないために、大径のバーナでの堆積中にＯＨ基
がコアロッド近傍まで拡散したためと考えられる。
゛が足りないために、大径のバーナでの堆積中にＯＨ基
がコアロッド近傍まで拡散したためと考えられる。
次に、（２ｄ’ ＋ａ） ／ａ比を２．５〜５．０範囲
として、この外付ガラスロッド母材６に対して大径のバ
ーナ５で厚い堆積層７を外付けした場合、残留ＯＨ基量
は、１〜２．５ ｄｂ／ｋｍと非常に良好な値を得な。
として、この外付ガラスロッド母材６に対して大径のバ
ーナ５で厚い堆積層７を外付けした場合、残留ＯＨ基量
は、１〜２．５ ｄｂ／ｋｍと非常に良好な値を得な。
更に、（２ｄ’ ＋ａ） ／ａ比〉５０の場合は、大径
のバーナで堆積中に外付ガラスロッド母材の界面で割れ
を生じ易く、製造が困難となった。
のバーナで堆積中に外付ガラスロッド母材の界面で割れ
を生じ易く、製造が困難となった。
この要因としては、上記Ｎ回の操作は、もともとスート
かさ密度を０．１５〜０．２０ｇ／ｃｍ’と低くしてい
るため、上記操作の回数を多くし、外付ガラスロッド母
材６の外襟を太くした場合、表面のかさ密度低下が著し
いた禍と考えられる。
かさ密度を０．１５〜０．２０ｇ／ｃｍ’と低くしてい
るため、上記操作の回数を多くし、外付ガラスロッド母
材６の外襟を太くした場合、表面のかさ密度低下が著し
いた禍と考えられる。
以上述べてきた実験結果を基に、コアが純粋石英、クラ
ッド部がフッ素添加ガラスのシングルモードファイバを
試作した。
ッド部がフッ素添加ガラスのシングルモードファイバを
試作した。
出発材として、外径１０ＱＩＩＩＩの純粋石英ロッドに
対して、第１図に示す構成において、ガラス微粒子を堆
積バーナ４にＨ２＝ ３．５１ ／ｗｉｎ、０２＝ ６
．ＯＮ ／ｗｉｎ、 Ｓ ｉ Ｃ１４＝ ０．５ｇ／ｍ
ｉｎで供給し、出発材の送り速度を毎時５００ｍｍで送
り、１回の堆積層の厚さを２ｍｎ＋とじ、この操作を８
回繰り返し、外径４２ＩＩＩＩ１１の外付ガラスロッド
母材６を得る０次に、この母材に対して、大径バーナ５
にＳ ｉ Ｃ１４＝１０（７／１ｌｉ１１を供給し、毎
時５０１１１１１の速度で外付けし、外径１２０ｍｍの
スート母材７とする。この母材を焼結炉において、Ｈｅ
、Ｃ１，ガス雰囲気で脱水処理を行い、さらにＳｉＦ４
等のフッ素ガスでフッ素処理、ガラス化を行う、この段
階でのクラッド／コア径比は６０であり、更にこのガラ
ス母材を延伸、表面処理を行い、スート外付けを行い、
焼結炉において、Ｈｅ、ＣＩ２ガス雰囲気で脱水処理を
行い、更にＳｉＦ４等のフッ素ガスでフッ素処理ガラス
化を行い、プリフォーム化する。このプリフォームの比
屈折率差Δｎは０．３３％であった。このプリフォーム
を外径１２５μｍに線引きしファイバ化したところ、条
長２０ｋＯ１でカットオフ波長１．４５μｒ＊ 、１．
５５μｌの伝送損失が０．１８ｄＢ／ｋｎ、波長１．３
９ 、ｃｚｌｌｌのＯＨ基の吸収損失がＬ５ｄＢ／ｋｍ
と良好なファイバが得られた。
対して、第１図に示す構成において、ガラス微粒子を堆
積バーナ４にＨ２＝ ３．５１ ／ｗｉｎ、０２＝ ６
．ＯＮ ／ｗｉｎ、 Ｓ ｉ Ｃ１４＝ ０．５ｇ／ｍ
ｉｎで供給し、出発材の送り速度を毎時５００ｍｍで送
り、１回の堆積層の厚さを２ｍｎ＋とじ、この操作を８
回繰り返し、外径４２ＩＩＩＩ１１の外付ガラスロッド
母材６を得る０次に、この母材に対して、大径バーナ５
にＳ ｉ Ｃ１４＝１０（７／１ｌｉ１１を供給し、毎
時５０１１１１１の速度で外付けし、外径１２０ｍｍの
スート母材７とする。この母材を焼結炉において、Ｈｅ
、Ｃ１，ガス雰囲気で脱水処理を行い、さらにＳｉＦ４
等のフッ素ガスでフッ素処理、ガラス化を行う、この段
階でのクラッド／コア径比は６０であり、更にこのガラ
ス母材を延伸、表面処理を行い、スート外付けを行い、
焼結炉において、Ｈｅ、ＣＩ２ガス雰囲気で脱水処理を
行い、更にＳｉＦ４等のフッ素ガスでフッ素処理ガラス
化を行い、プリフォーム化する。このプリフォームの比
屈折率差Δｎは０．３３％であった。このプリフォーム
を外径１２５μｍに線引きしファイバ化したところ、条
長２０ｋＯ１でカットオフ波長１．４５μｒ＊ 、１．
５５μｌの伝送損失が０．１８ｄＢ／ｋｎ、波長１．３
９ 、ｃｚｌｌｌのＯＨ基の吸収損失がＬ５ｄＢ／ｋｍ
と良好なファイバが得られた。
［発明の効果］
本発明の製造方法は、石英系ガラスなどの出発材の外周
部にガラス微粒子堆積体を合成する場合に、そのコアロ
ッドの移動速度を毎時４００〜６００ｍ ｍとして界面
温度を６００〜６５０℃に保つものであるので、残留Ｏ
Ｈ基の量を少なくし、低損失な光ファイバを安定に供給
することができる。
部にガラス微粒子堆積体を合成する場合に、そのコアロ
ッドの移動速度を毎時４００〜６００ｍ ｍとして界面
温度を６００〜６５０℃に保つものであるので、残留Ｏ
Ｈ基の量を少なくし、低損失な光ファイバを安定に供給
することができる。
第１図は本発明の母材製造の一実施例を示す図、第２図
はスート外付時＝の界面温度とＯＨ基吸収損失の関係を
示す図、第３図は出発材の送り速度と堆積体の厚さとの
関係分示す図、第４図は出発材のＮ回堆積の厚さとＯＨ
基吸収損失の関係を示す図、第５図は従来の母材製造の
一実施例を示す図、である。 図中、１は出発材、２はガラス微粒子堆積体、３及び４
はガラス微粒千金・成用のバーナ、５はクラッドスート
外付用の大径バーナ、６は外付ガラスロッド母材、７は
クラッド部スートを基す。
はスート外付時＝の界面温度とＯＨ基吸収損失の関係を
示す図、第３図は出発材の送り速度と堆積体の厚さとの
関係分示す図、第４図は出発材のＮ回堆積の厚さとＯＨ
基吸収損失の関係を示す図、第５図は従来の母材製造の
一実施例を示す図、である。 図中、１は出発材、２はガラス微粒子堆積体、３及び４
はガラス微粒千金・成用のバーナ、５はクラッドスート
外付用の大径バーナ、６は外付ガラスロッド母材、７は
クラッド部スートを基す。
Claims (2)
- （１）コアロッドをガラス微粒子合成用のバーナと平行
に毎時４００〜６００ｍｍの高速度で移動させ、これに
よりコアロッドの界面温度を６００〜６５０℃の低温に
維持しつつ、コアロッドの外周部上に前記バーナから発
生させたガラス微粒子を堆積し、この操作を所定の厚さ
の堆積体となるまで複数回繰り返し、脱水、焼結ガラス
化して光ファイバ母材を得ることを特徴とする光ファイ
バ母材の製造方法。 - （２）前記所定の厚さの堆積体は、スート外径／コアロ
ッド外径比で２．５〜５．０の範囲とすることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載の光ファイバ母材の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26651387A JPH01111747A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26651387A JPH01111747A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01111747A true JPH01111747A (ja) | 1989-04-28 |
Family
ID=17431948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26651387A Pending JPH01111747A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 光ファイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01111747A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01203238A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用母材の製造方法 |
| JPH04321530A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-11-11 | Alcatel Nv | 光導波路プレフォームの製造方法 |
| US6889529B2 (en) * | 2000-10-30 | 2005-05-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing optical fiber preform |
| JP2009185549A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Yasuhiro Matsuzaki | 構造躯体の補強方法および構造躯体 |
-
1987
- 1987-10-23 JP JP26651387A patent/JPH01111747A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01203238A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用母材の製造方法 |
| JPH04321530A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-11-11 | Alcatel Nv | 光導波路プレフォームの製造方法 |
| US6889529B2 (en) * | 2000-10-30 | 2005-05-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing optical fiber preform |
| JP2009185549A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Yasuhiro Matsuzaki | 構造躯体の補強方法および構造躯体 |
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