JPH07230015A - 分散シフト型シングルモード光ファイバと分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材と分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材の製造方法 - Google Patents
分散シフト型シングルモード光ファイバと分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材と分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材の製造方法Info
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- JPH07230015A JPH07230015A JP6043249A JP4324994A JPH07230015A JP H07230015 A JPH07230015 A JP H07230015A JP 6043249 A JP6043249 A JP 6043249A JP 4324994 A JP4324994 A JP 4324994A JP H07230015 A JPH07230015 A JP H07230015A
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
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- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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- G02B6/02214—Optical fibres with cladding with or without a coating tailored to obtain the desired dispersion, e.g. dispersion shifted, dispersion flattened
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- G02B6/02276—Dispersion shifted fibres, i.e. zero dispersion at 1550 nm
Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好な分散特性と曲げ特性とを有する分散シ
フト型シングルモード光ファイバを得るための技術を提
供する。 【構成】 屈折率ｎ1 、外径ｄ1 のセンタコア２１と、
屈折率ｎ2 、外径ｄ2 のサイドコア２２と、屈折率ｎ
3 、外径ｄ3 のクラッドとが、ｎ1 ＞ｎ2 ＞ｎ3 、ｄ3
＞ｄ2 ＞ｄ1 なる関係を満足させている分散シフト型シ
ングルモード光ファイバ２０において、センタコア２１
とサイドコア２２とがｄ2 ／ｄ1 ≧３なる関係をも満足
させている。 【効果】 （サイドコア２２の外径ｄ2 ）／（センタコ
ア２１の外径ｄ1 ）≧３なる関係を満足させており、モ
ードフィールド径を示すサイドコア径およびコア有効断
面積が大きく、カットオフ波長も大きいから、分散特
性、曲げ特性が共に良好になる。
フト型シングルモード光ファイバを得るための技術を提
供する。 【構成】 屈折率ｎ1 、外径ｄ1 のセンタコア２１と、
屈折率ｎ2 、外径ｄ2 のサイドコア２２と、屈折率ｎ
3 、外径ｄ3 のクラッドとが、ｎ1 ＞ｎ2 ＞ｎ3 、ｄ3
＞ｄ2 ＞ｄ1 なる関係を満足させている分散シフト型シ
ングルモード光ファイバ２０において、センタコア２１
とサイドコア２２とがｄ2 ／ｄ1 ≧３なる関係をも満足
させている。 【効果】 （サイドコア２２の外径ｄ2 ）／（センタコ
ア２１の外径ｄ1 ）≧３なる関係を満足させており、モ
ードフィールド径を示すサイドコア径およびコア有効断
面積が大きく、カットオフ波長も大きいから、分散特
性、曲げ特性が共に良好になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信の分野で用いら
れる二重コア（デュアルコア）構造を備えた分散シフト
型シングルモード光ファイバとその母材、および、分散
シフト型シングルモード光ファイバ用母材の製造方法に
関する。
れる二重コア（デュアルコア）構造を備えた分散シフト
型シングルモード光ファイバとその母材、および、分散
シフト型シングルモード光ファイバ用母材の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】石英系シングルモード光ファイバにおい
て、その損失が波長１．５５μｍ帯で最小になることを
利用して大容量かつ高速度の通信を行なうときは、周波
数（波長）に対して屈折率などの物理定数が変化する現
象、すなわち、分散についても１．５５μｍ帯で最小に
するのがよいとされている。これを実現するために、既
存の分散シフト型シングルモード光ファイバでは、屈折
率の分布形状を変えることにより構造分散の値を調整し
て、ゼロ分散波長を１．５５μｍ帯にしている。
て、その損失が波長１．５５μｍ帯で最小になることを
利用して大容量かつ高速度の通信を行なうときは、周波
数（波長）に対して屈折率などの物理定数が変化する現
象、すなわち、分散についても１．５５μｍ帯で最小に
するのがよいとされている。これを実現するために、既
存の分散シフト型シングルモード光ファイバでは、屈折
率の分布形状を変えることにより構造分散の値を調整し
て、ゼロ分散波長を１．５５μｍ帯にしている。
【０００３】分散シフト型シングルモード光ファイバの
代表例として、二重コア構造をもつものの断面構造と屈
折率分布とを図８の（ａ）（ｂ）に示す。図８（ａ）
（ｂ）に示された分散シフト型シングルモード光ファイ
バ１０の場合は、屈折率ｎ1 、外径ｄ1 をもつセンタコ
ア１１と、屈折率ｎ2 、外径ｄ2 をもつサイドコア１２
と、屈折率ｎ3 、外径ｄ3 をもつクラッド１３とからな
り、センタコア１１の外周にサイドコア１２が設けら
れ、サイドコア１２の外周にクラッド１３が設けられた
ものである。自明のとおり、センタコア１１、サイドコ
ア１２、クラッド１３は、これらの屈折率、外径につい
て、ｎ1 ＞ｎ2 ＞ｎ3 、ｄ3 ＞ｄ2 ＞ｄ1 なる関係を満
足させている。
代表例として、二重コア構造をもつものの断面構造と屈
折率分布とを図８の（ａ）（ｂ）に示す。図８（ａ）
（ｂ）に示された分散シフト型シングルモード光ファイ
バ１０の場合は、屈折率ｎ1 、外径ｄ1 をもつセンタコ
ア１１と、屈折率ｎ2 、外径ｄ2 をもつサイドコア１２
と、屈折率ｎ3 、外径ｄ3 をもつクラッド１３とからな
り、センタコア１１の外周にサイドコア１２が設けら
れ、サイドコア１２の外周にクラッド１３が設けられた
ものである。自明のとおり、センタコア１１、サイドコ
ア１２、クラッド１３は、これらの屈折率、外径につい
て、ｎ1 ＞ｎ2 ＞ｎ3 、ｄ3 ＞ｄ2 ＞ｄ1 なる関係を満
足させている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図８（ａ）（ｂ）に例
示された分散シフト型シングルモード光ファイバ１０に
おいて、光ファイバ１中を伝搬する光強度（光パワー）
が増大するときは、非線型分極による屈折率変化が不可
避的に生じ、これらの屈折率変化が、自己位相変調や相
互位相変調を通じて伝送特性の劣化をもたらす。こと
に、光ファイバ増幅器の発展にともない、波長１．５５
μｍ帯での高出力が容易に得られる現状では、非線型分
極に起因した屈折率変化が大容量かつ高速度の通信を行
なう上でのネックとなる。
示された分散シフト型シングルモード光ファイバ１０に
おいて、光ファイバ１中を伝搬する光強度（光パワー）
が増大するときは、非線型分極による屈折率変化が不可
避的に生じ、これらの屈折率変化が、自己位相変調や相
互位相変調を通じて伝送特性の劣化をもたらす。こと
に、光ファイバ増幅器の発展にともない、波長１．５５
μｍ帯での高出力が容易に得られる現状では、非線型分
極に起因した屈折率変化が大容量かつ高速度の通信を行
なう上でのネックとなる。
【０００５】ちなみに、上述した非線型分極がもたらす
位相差は、つぎの一般式であらわすことができる。 Φ＝（２πｎx ＰＬ）／（λＡeff ） 上記式中、Φは位相差、ｎx は非線型屈折率、Ｐは光パ
ワー、Ｌは光ファイバの長さ、λは波長、Ａeff はコア
有効断面積である。
位相差は、つぎの一般式であらわすことができる。 Φ＝（２πｎx ＰＬ）／（λＡeff ） 上記式中、Φは位相差、ｎx は非線型屈折率、Ｐは光パ
ワー、Ｌは光ファイバの長さ、λは波長、Ａeff はコア
有効断面積である。
【０００６】上記の式から理解できるように、非線型分
極がもたらす位相差をより小さくするためには、Ａeff
をより大きくすることが必要である。これは、Ａeff が
モードフィールド径（ＭＦＤ）とほぼ比例関係にあるか
ら、ＭＦＤを大きくした場合に既述の位相差も小さくな
る。
極がもたらす位相差をより小さくするためには、Ａeff
をより大きくすることが必要である。これは、Ａeff が
モードフィールド径（ＭＦＤ）とほぼ比例関係にあるか
ら、ＭＦＤを大きくした場合に既述の位相差も小さくな
る。
【０００７】しかし、既存の分散シフト型シングルモー
ド光ファイバにおいてＭＦＤを大きくした場合は、すで
に指摘されているように曲げ特性が悪くなり、光ファイ
バが曲げを受けたときに伝送ロスが増加する。
ド光ファイバにおいてＭＦＤを大きくした場合は、すで
に指摘されているように曲げ特性が悪くなり、光ファイ
バが曲げを受けたときに伝送ロスが増加する。
【０００８】したがって、既存の分散シフト型シングル
モード光ファイバにおいては、非線型分極に起因した伝
送特性の劣化、曲げ特性に起因した伝送ロス増を同時に
解決することができない。
モード光ファイバにおいては、非線型分極に起因した伝
送特性の劣化、曲げ特性に起因した伝送ロス増を同時に
解決することができない。
【０００９】［発明の目的］本発明はこのような技術的
課題に鑑み、非線型分極がもたらす位相差を小さくする
ことができ、良好な曲げ特性をも確保することのできる
分散シフト型シングルモード光ファイバとその光ファイ
バ用母材、および、その光ファイバ用母材の製造方法を
提供しようとするものである。
課題に鑑み、非線型分極がもたらす位相差を小さくする
ことができ、良好な曲げ特性をも確保することのできる
分散シフト型シングルモード光ファイバとその光ファイ
バ用母材、および、その光ファイバ用母材の製造方法を
提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る分散シフト
型シングルモード光ファイバ、所期の目的を達成するた
めに、下記の手段を特徴とする。すなわち、センタコア
と、センタコア外周のサイドコアと、サイドコア外周の
クラッドとを備えており、センタコアの屈折率、外径を
ｎ1 、ｄ1 、サイドコアの屈折率、外径をｎ2 、ｄ2 、
クラッドの屈折率、外径をｎ3 、ｄ3 とした場合に、セ
ンタコア、サイドコア、クラッド相互が、ｎ1 ＞ｎ2 ＞
ｎ3 、ｄ3 ＞ｄ2 ＞ｄ1 なる関係を満足させている分散
シフト型シングルモード光ファイバにおいて、センタコ
アとサイドコアとがｄ2 ／ｄ1 ≧３なる関係をも満足さ
せていることを特徴とする。上記分散シフト型シングル
モード光ファイバのモードフィールド径は７〜１０μｍ
φの範囲内に設定される。上記分散シフト型シングルモ
ード光ファイバにおいて、クラッドに対するセンタコア
の比屈折率差をΔ1 、クラッドに対するサイドコアの比
屈折率差をΔ2 とした場合に、これら比屈折率差Δ1 、
Δ2 は、０．８％＜Δ1 ＜１．０％、および、０．０５
＜（Δ2 ／Δ1 ）＜０．２なる関係を満足させている。
型シングルモード光ファイバ、所期の目的を達成するた
めに、下記の手段を特徴とする。すなわち、センタコア
と、センタコア外周のサイドコアと、サイドコア外周の
クラッドとを備えており、センタコアの屈折率、外径を
ｎ1 、ｄ1 、サイドコアの屈折率、外径をｎ2 、ｄ2 、
クラッドの屈折率、外径をｎ3 、ｄ3 とした場合に、セ
ンタコア、サイドコア、クラッド相互が、ｎ1 ＞ｎ2 ＞
ｎ3 、ｄ3 ＞ｄ2 ＞ｄ1 なる関係を満足させている分散
シフト型シングルモード光ファイバにおいて、センタコ
アとサイドコアとがｄ2 ／ｄ1 ≧３なる関係をも満足さ
せていることを特徴とする。上記分散シフト型シングル
モード光ファイバのモードフィールド径は７〜１０μｍ
φの範囲内に設定される。上記分散シフト型シングルモ
ード光ファイバにおいて、クラッドに対するセンタコア
の比屈折率差をΔ1 、クラッドに対するサイドコアの比
屈折率差をΔ2 とした場合に、これら比屈折率差Δ1 、
Δ2 は、０．８％＜Δ1 ＜１．０％、および、０．０５
＜（Δ2 ／Δ1 ）＜０．２なる関係を満足させている。
【００１１】本発明に係る分散シフト型シングルモード
光ファイバ用母材は、所期の目的を達成するために、下
記の手段を特徴とする。すなわち、センタコア用ガラス
層と、センタコア用ガラス層の外周のサイドコア用ガラ
ス層と、サイドコア用ガラス層外周のクラッド用ガラス
層とを備えており、センタコア用ガラス層の屈折率、外
径をＮ1 、Ｄ1 、サイドコア用ガラス層の屈折率、外径
をＮ2 、Ｄ2 、クラッド用ガラス層の屈折率、外径をＮ
3 、Ｄ3 とした場合に、これら各ガラス層が、Ｎ1 ＞Ｎ
2 ＞Ｎ3 、Ｄ3 ＞Ｄ2 ＞Ｄ1 なる関係を満足させている
分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材におい
て、センタコア用ガラス層とサイドコア用ガラス層とが
Ｄ2 ／Ｄ1 ≧３なる関係をも満足させていることを特徴
とする。
光ファイバ用母材は、所期の目的を達成するために、下
記の手段を特徴とする。すなわち、センタコア用ガラス
層と、センタコア用ガラス層の外周のサイドコア用ガラ
ス層と、サイドコア用ガラス層外周のクラッド用ガラス
層とを備えており、センタコア用ガラス層の屈折率、外
径をＮ1 、Ｄ1 、サイドコア用ガラス層の屈折率、外径
をＮ2 、Ｄ2 、クラッド用ガラス層の屈折率、外径をＮ
3 、Ｄ3 とした場合に、これら各ガラス層が、Ｎ1 ＞Ｎ
2 ＞Ｎ3 、Ｄ3 ＞Ｄ2 ＞Ｄ1 なる関係を満足させている
分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材におい
て、センタコア用ガラス層とサイドコア用ガラス層とが
Ｄ2 ／Ｄ1 ≧３なる関係をも満足させていることを特徴
とする。
【００１２】本発明に係る分散シフト型シングルモード
光ファイバ用母材の製造方法は、所期の目的を達成する
ために、下記の手段を特徴とする。すなわち、センタコ
ア用多孔質ガラス層とサイドコア用多孔質ガラス層とク
ラッド用多孔質ガラス層とを同心円状に堆積形成するた
めのガラス微粒子堆積工程と、センタコア用多孔質ガラ
ス層、サイドコア用多孔質ガラス層、クラッド用多孔質
ガラス層を透明ガラス化してこれら多孔質ガラス層をセ
ンタコア用ガラス層、サイドコア用ガラス層、クラッド
用ガラス層にするための透明ガラス化工程とを含み、セ
ンタコア用ガラス層の外径をＤ1 、サイドコア用ガラス
層の外径をＤ2 とした場合に、センタコア用ガラス層、
サイドコア用ガラス層がＤ2 ／Ｄ1 ≧３なる関係を満足
するように各ガラス層を仕上げることを特徴とする。
光ファイバ用母材の製造方法は、所期の目的を達成する
ために、下記の手段を特徴とする。すなわち、センタコ
ア用多孔質ガラス層とサイドコア用多孔質ガラス層とク
ラッド用多孔質ガラス層とを同心円状に堆積形成するた
めのガラス微粒子堆積工程と、センタコア用多孔質ガラ
ス層、サイドコア用多孔質ガラス層、クラッド用多孔質
ガラス層を透明ガラス化してこれら多孔質ガラス層をセ
ンタコア用ガラス層、サイドコア用ガラス層、クラッド
用ガラス層にするための透明ガラス化工程とを含み、セ
ンタコア用ガラス層の外径をＤ1 、サイドコア用ガラス
層の外径をＤ2 とした場合に、センタコア用ガラス層、
サイドコア用ガラス層がＤ2 ／Ｄ1 ≧３なる関係を満足
するように各ガラス層を仕上げることを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明に係る分散シフト型シングルモード光フ
ァイバは、センタコアとサイドコアとがｄ2 ／ｄ1 ≧３
なる関係を満足させている。このような関係を満足させ
ているシングルモード光ファイバは、モードフィールド
径（ＭＦＤ）が大きく、これに比例にしてＡeff （コア
有効断面積）も大きい。したがって、大きなＡeff に依
存して非線型分極がもたらす位相差を低レベルに保持す
ることができ、自己位相変調や相互位相変調に起因した
伝送特性の劣化が起こりがたい。さらに、上記の関係を
満足させているシングルモード光ファイバは、カットオ
フ波長も大きいから、曲げ特性が悪くなることがない。
ァイバは、センタコアとサイドコアとがｄ2 ／ｄ1 ≧３
なる関係を満足させている。このような関係を満足させ
ているシングルモード光ファイバは、モードフィールド
径（ＭＦＤ）が大きく、これに比例にしてＡeff （コア
有効断面積）も大きい。したがって、大きなＡeff に依
存して非線型分極がもたらす位相差を低レベルに保持す
ることができ、自己位相変調や相互位相変調に起因した
伝送特性の劣化が起こりがたい。さらに、上記の関係を
満足させているシングルモード光ファイバは、カットオ
フ波長も大きいから、曲げ特性が悪くなることがない。
【００１４】本発明に係る分散シフト型シングルモード
光ファイバ用母材は、センタコア用ガラス層とサイドコ
ア用ガラス層とがＤ2 ／Ｄ1 ≧３なる関係を満足させて
いるから、これを常套手段（加熱延伸手段）で線引きす
ることにより、上述した有用かつ有益な分散シフト型シ
ングルモード光ファイバが得られる。
光ファイバ用母材は、センタコア用ガラス層とサイドコ
ア用ガラス層とがＤ2 ／Ｄ1 ≧３なる関係を満足させて
いるから、これを常套手段（加熱延伸手段）で線引きす
ることにより、上述した有用かつ有益な分散シフト型シ
ングルモード光ファイバが得られる。
【００１５】本発明に係る分散シフト型シングルモード
光ファイバ用母材の製造方法は、ガラス微粒子堆積工
程、透明ガラス化工程を主体にして所定の光ファイバ用
母材を作製するときに、センタコア用ガラス層、サイド
コア用ガラス層がＤ2 ／Ｄ1 ≧３なる関係を満足するよ
うに各ガラス層を仕上げるから、既存の設備をそのまま
利用して、上述した分散シフト型シングルモード光ファ
イバを得るための母材を簡易につくることができる。
光ファイバ用母材の製造方法は、ガラス微粒子堆積工
程、透明ガラス化工程を主体にして所定の光ファイバ用
母材を作製するときに、センタコア用ガラス層、サイド
コア用ガラス層がＤ2 ／Ｄ1 ≧３なる関係を満足するよ
うに各ガラス層を仕上げるから、既存の設備をそのまま
利用して、上述した分散シフト型シングルモード光ファ
イバを得るための母材を簡易につくることができる。
【００１６】
【実施例】はじめに、本発明に係る分散シフト型シング
ルモード光ファイバの実施例について、図１を参照して
説明する。図１（ａ）（ｂ）において、２０は石英系か
らなる分散シフト型シングルモード光ファイバ、２１は
光ファバイ２０のセンタコア、２２は光ファバイ２０の
サイドコア、２３は光ファバイ２０のクラッドをそれぞ
れ示す。図１（ａ）（ｂ）において、ｎ1 はセンタコア
２１の屈折率、ｎ2 はサイドコア２２の屈折率、ｎ3 は
クラッド２３の屈折率をそれぞれ示し、ｄ1 はセンタコ
ア２１の外径、ｄ2 はサイドコア２２の外径、ｄ3 はク
ラッド２３の外径をそれぞれ示す。
ルモード光ファイバの実施例について、図１を参照して
説明する。図１（ａ）（ｂ）において、２０は石英系か
らなる分散シフト型シングルモード光ファイバ、２１は
光ファバイ２０のセンタコア、２２は光ファバイ２０の
サイドコア、２３は光ファバイ２０のクラッドをそれぞ
れ示す。図１（ａ）（ｂ）において、ｎ1 はセンタコア
２１の屈折率、ｎ2 はサイドコア２２の屈折率、ｎ3 は
クラッド２３の屈折率をそれぞれ示し、ｄ1 はセンタコ
ア２１の外径、ｄ2 はサイドコア２２の外径、ｄ3 はク
ラッド２３の外径をそれぞれ示す。
【００１７】図１の（ａ）（ｂ）を参照して明らかなよ
うに、センタコア２１、サイドコア２２、クラッド２３
の相対関係では、これらの屈折率および外径が、ｎ1 ＞
ｎ2＞ｎ3 、ｄ3 ＞ｄ2 ＞ｄ1 のようになっており、か
つ、センタコア２１とサイドコア２２については、ｄ2
／ｄ1 ≧３なる関係をも満足させている。ｄ2 ／ｄ1 の
上限については、光ファイバ２０の仕様などを考慮して
適切に設定され、たとえば、ｄ2 ／ｄ1 ≦５のように設
定される。ここで、図１（ｂ）のｄ1 は、センタコア２
１の屈折率分布形状における変曲点Ａ、Ａからの延長線
と、クラッド２３の屈折率レベルを示す水平線の交点と
をＢ、Ｂとしたときに、Ｂ−Ｂ間の長さとする。通常、
ｄ1 は５〜２０μｍφの範囲内に設定され、ｄ2 は１５
〜１００μｍφの範囲内に設定され、ｄ3 は１００〜２
００μｍφの範囲内に設定される。その具体的一例とし
て、ｄ1 ＝５μｍφ、ｄ2 ＝１５μｍφ、ｄ3 ＝１２５
μｍφに設定される。この場合における光ファイバ２０
のモードフィールド径（ＭＦＤ）は、８．０μｍφであ
る。センタコア２１、サイドコア２２、クラッド２３の
各屈折率に関しては、前述したｎ1 ＞ｎ2 ＞ｎ3 におい
て、クラッド２３に対するセンタコア２１の比屈折率差
Δ1 が０．８％＜Δ1 ＜１．０％を満足するように、か
つ、クラッド２３に対するサイドコア２２の比屈折率差
Δ2 が０．０５＜（Δ2 ／Δ1 ）＜０．２を満足するよ
うに設定される。
うに、センタコア２１、サイドコア２２、クラッド２３
の相対関係では、これらの屈折率および外径が、ｎ1 ＞
ｎ2＞ｎ3 、ｄ3 ＞ｄ2 ＞ｄ1 のようになっており、か
つ、センタコア２１とサイドコア２２については、ｄ2
／ｄ1 ≧３なる関係をも満足させている。ｄ2 ／ｄ1 の
上限については、光ファイバ２０の仕様などを考慮して
適切に設定され、たとえば、ｄ2 ／ｄ1 ≦５のように設
定される。ここで、図１（ｂ）のｄ1 は、センタコア２
１の屈折率分布形状における変曲点Ａ、Ａからの延長線
と、クラッド２３の屈折率レベルを示す水平線の交点と
をＢ、Ｂとしたときに、Ｂ−Ｂ間の長さとする。通常、
ｄ1 は５〜２０μｍφの範囲内に設定され、ｄ2 は１５
〜１００μｍφの範囲内に設定され、ｄ3 は１００〜２
００μｍφの範囲内に設定される。その具体的一例とし
て、ｄ1 ＝５μｍφ、ｄ2 ＝１５μｍφ、ｄ3 ＝１２５
μｍφに設定される。この場合における光ファイバ２０
のモードフィールド径（ＭＦＤ）は、８．０μｍφであ
る。センタコア２１、サイドコア２２、クラッド２３の
各屈折率に関しては、前述したｎ1 ＞ｎ2 ＞ｎ3 におい
て、クラッド２３に対するセンタコア２１の比屈折率差
Δ1 が０．８％＜Δ1 ＜１．０％を満足するように、か
つ、クラッド２３に対するサイドコア２２の比屈折率差
Δ2 が０．０５＜（Δ2 ／Δ1 ）＜０．２を満足するよ
うに設定される。
【００１８】上述した条件を満足させている光ファバイ
２０のセンタコア２１、サイドコア２２、クラッド２３
は、高純度の石英（ＳｉＯ2 ）を主成分とし、これらの
一部または全部に、屈折率高上用のドーパント、屈折率
低下用のドーパントが添加されたものからなる。屈折率
高上用ドーパントとして、ＧｅＯ2 、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ
2 、ＺｒＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｙｂ2 Ｏ3 、
Ｌａ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 などをあげることができ、屈折
率低下用ドーパントとして、Ｂ2 Ｏ3 、Ｆなどをあげる
ことができる。その他、ガラス（ＳｉＯ2 ）の軟化点、
熱膨張係数、化学的耐久性、転移点、散乱損失増を改善
するために、上記各ドーパントやＰ2 Ｏ5 のうちからそ
のような効果のあるものがＳｉＯ2 に添加され、および
／または、それ以外のドーパント（公知ないし周知のも
の）がＳｉＯ2 に添加される。光ファバイ２０の各組成
に関するより具体的な一例として、センタコア２１がＳ
ｉＯ2 −ＧｅＯ2 からなり、サイドコア２２がＳｉＯ2
−ＧｅＯ2 からなり、クラッド２３がＳｉＯ2 からなる
ものをあげることができる。この場合におけるセンタコ
ア２１、サイドコア２２の相対関係では、センタコア２
１のＧｅＯ2 含有量が、サイドコア２２のＧｅＯ2 含有
量を上回る。
２０のセンタコア２１、サイドコア２２、クラッド２３
は、高純度の石英（ＳｉＯ2 ）を主成分とし、これらの
一部または全部に、屈折率高上用のドーパント、屈折率
低下用のドーパントが添加されたものからなる。屈折率
高上用ドーパントとして、ＧｅＯ2 、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ
2 、ＺｒＯ2 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｙｂ2 Ｏ3 、
Ｌａ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 などをあげることができ、屈折
率低下用ドーパントとして、Ｂ2 Ｏ3 、Ｆなどをあげる
ことができる。その他、ガラス（ＳｉＯ2 ）の軟化点、
熱膨張係数、化学的耐久性、転移点、散乱損失増を改善
するために、上記各ドーパントやＰ2 Ｏ5 のうちからそ
のような効果のあるものがＳｉＯ2 に添加され、および
／または、それ以外のドーパント（公知ないし周知のも
の）がＳｉＯ2 に添加される。光ファバイ２０の各組成
に関するより具体的な一例として、センタコア２１がＳ
ｉＯ2 −ＧｅＯ2 からなり、サイドコア２２がＳｉＯ2
−ＧｅＯ2 からなり、クラッド２３がＳｉＯ2 からなる
ものをあげることができる。この場合におけるセンタコ
ア２１、サイドコア２２の相対関係では、センタコア２
１のＧｅＯ2 含有量が、サイドコア２２のＧｅＯ2 含有
量を上回る。
【００１９】図示されていないが、光ファバイ２０の外
周には、熱硬化性樹脂被膜、光（紫外線）硬化性樹脂被
膜、熱可塑性樹脂被膜、金属被膜、ハーメチック被膜な
どのうちから選択される一層以上の被覆層が形成され
る。その一例として、光ファバイ２０がプラスチック系
の被膜により二次被覆されるときは、一次被膜としてシ
リコーン樹脂（ゴム）被膜またはＵＶ樹脂被膜が採用さ
れ、二次被膜としてポリイミド樹脂被膜またはポリエチ
レン樹脂被膜が採用される。他の一例として、光ファバ
イ２０が非プラスチック系被膜とプラスチック系被膜と
で二次被覆されるときは、一次被膜として金属被膜（ス
パッタ被膜、蒸着被膜、イオンプレーティング被膜な
ど）が採用され、二次被膜としてポリイミド樹脂被膜ま
たはポリエチレン樹脂被膜が採用される。別の一例とし
て、光ファバイ２０が非プラスチック系被膜とプラスチ
ック系被膜とで二次被覆されるときは、一次被膜として
ハーメチック被膜（炭素系ハーメチック被膜、金属系ハ
ーメチック被膜など）が採用され、二次被膜としてポリ
イミド樹脂被膜またはポリエチレン樹脂被膜が採用され
る。
周には、熱硬化性樹脂被膜、光（紫外線）硬化性樹脂被
膜、熱可塑性樹脂被膜、金属被膜、ハーメチック被膜な
どのうちから選択される一層以上の被覆層が形成され
る。その一例として、光ファバイ２０がプラスチック系
の被膜により二次被覆されるときは、一次被膜としてシ
リコーン樹脂（ゴム）被膜またはＵＶ樹脂被膜が採用さ
れ、二次被膜としてポリイミド樹脂被膜またはポリエチ
レン樹脂被膜が採用される。他の一例として、光ファバ
イ２０が非プラスチック系被膜とプラスチック系被膜と
で二次被覆されるときは、一次被膜として金属被膜（ス
パッタ被膜、蒸着被膜、イオンプレーティング被膜な
ど）が採用され、二次被膜としてポリイミド樹脂被膜ま
たはポリエチレン樹脂被膜が採用される。別の一例とし
て、光ファバイ２０が非プラスチック系被膜とプラスチ
ック系被膜とで二次被覆されるときは、一次被膜として
ハーメチック被膜（炭素系ハーメチック被膜、金属系ハ
ーメチック被膜など）が採用され、二次被膜としてポリ
イミド樹脂被膜またはポリエチレン樹脂被膜が採用され
る。
【００２０】分散シフト型シングルモード光ファイバ２
０は、伝送損失を最も小さくすることのできる波長１．
５５μｍ帯付近にゼロ分散波長をもつ点で、図２〜図４
を参照して述べる下記の優位性がみられる。図２は、Δ
1 ＝０．８６１、Δ2 ／Δ1 ＝０．０８の光ファイバ２
０におけるｄ2 ／ｄ1 、ＭＦＤ、カットオフ波長λc の
関係を示し、図３は、当該光ファイバ２０におけるｄ2
／ｄ1 と曲げによるロスとの関係を示し、さらに、図４
は、当該光ファイバ２０におけるｄ2 ／ｄ1 とゼロ分散
波長との関係を示している。なお、図３における曲げロ
スは、長さ＝１ｍ、ＭＦＤ＝８μｍφの光ファイバ２０
を外径２０ｍｍφのマンドレルに巻つけて測定したもの
である。ＭＦＤ＝８μｍφにおけるカットオフ波長λc
は、図２を参照して明らかなように、ｄ2 ／ｄ1 が大き
くなるにしたがい大きくなる。曲げによるロスは、図３
を参照して明らかなように、ｄ2 ／ｄ1 ＝３となるあた
りからほぼ一定になる。一般に、曲げによる光ファイバ
２０のロスに関しては、ＭＦＤをλc で除した値Ｑ、す
なわち、ＭＦＤ／λc ＝Ｑにより一義的に決まることが
知られており、これはＱ値が小さいほど曲げロスが小さ
いことを意味する。このように、ｄ2 ／ｄ1 が大きくな
るにつれてλc が増大するのであれば、ＭＦＤを小さく
することなしにＱ値を小さくできる。逆説的には、比較
的良好な曲げ特性を保持したままＭＦＤを大きくできる
こととなる。前述した図３においても、光ファイバ２０
の曲げロスは、比較的良好なほぼ一定の値を示してい
る。さらに、光ファイバ２０のＭＦＤ＝８μｍφを示す
ゼロ分散波長は、図４を参照して明らかなように、ｄ2
／ｄ1 ≧２．５を満足させたときに、波長１５５０ｎｍ
付近で安定している。
０は、伝送損失を最も小さくすることのできる波長１．
５５μｍ帯付近にゼロ分散波長をもつ点で、図２〜図４
を参照して述べる下記の優位性がみられる。図２は、Δ
1 ＝０．８６１、Δ2 ／Δ1 ＝０．０８の光ファイバ２
０におけるｄ2 ／ｄ1 、ＭＦＤ、カットオフ波長λc の
関係を示し、図３は、当該光ファイバ２０におけるｄ2
／ｄ1 と曲げによるロスとの関係を示し、さらに、図４
は、当該光ファイバ２０におけるｄ2 ／ｄ1 とゼロ分散
波長との関係を示している。なお、図３における曲げロ
スは、長さ＝１ｍ、ＭＦＤ＝８μｍφの光ファイバ２０
を外径２０ｍｍφのマンドレルに巻つけて測定したもの
である。ＭＦＤ＝８μｍφにおけるカットオフ波長λc
は、図２を参照して明らかなように、ｄ2 ／ｄ1 が大き
くなるにしたがい大きくなる。曲げによるロスは、図３
を参照して明らかなように、ｄ2 ／ｄ1 ＝３となるあた
りからほぼ一定になる。一般に、曲げによる光ファイバ
２０のロスに関しては、ＭＦＤをλc で除した値Ｑ、す
なわち、ＭＦＤ／λc ＝Ｑにより一義的に決まることが
知られており、これはＱ値が小さいほど曲げロスが小さ
いことを意味する。このように、ｄ2 ／ｄ1 が大きくな
るにつれてλc が増大するのであれば、ＭＦＤを小さく
することなしにＱ値を小さくできる。逆説的には、比較
的良好な曲げ特性を保持したままＭＦＤを大きくできる
こととなる。前述した図３においても、光ファイバ２０
の曲げロスは、比較的良好なほぼ一定の値を示してい
る。さらに、光ファイバ２０のＭＦＤ＝８μｍφを示す
ゼロ分散波長は、図４を参照して明らかなように、ｄ2
／ｄ1 ≧２．５を満足させたときに、波長１５５０ｎｍ
付近で安定している。
【００２１】図２〜図４に示した各測定データは、ＭＦ
Ｄ＝８μｍφ、Δ1 ＝０．８６１、Δ2 ／Δ1 ＝０．０
８など、汎用領域のものについて代表的にプロットした
ものであるが、ＭＦＤが８μｍφの付近にあり、０．８
＜Δ1 ＜１．０、０．０５＜（Δ2 ／Δ1 ）＜０．２を
満足させる光ファイバであれば、これらも図２〜図４に
示したと同様の傾向を示す。
Ｄ＝８μｍφ、Δ1 ＝０．８６１、Δ2 ／Δ1 ＝０．０
８など、汎用領域のものについて代表的にプロットした
ものであるが、ＭＦＤが８μｍφの付近にあり、０．８
＜Δ1 ＜１．０、０．０５＜（Δ2 ／Δ1 ）＜０．２を
満足させる光ファイバであれば、これらも図２〜図４に
示したと同様の傾向を示す。
【００２２】つぎに、本発明に係る分散シフト型シング
ルモード光ファイバの具体例とその比較例（従来品）に
ついて評価した結果を表１、表２に示す。具体例１〜５
の各光ファイバは、後述する製造方法から得られる同一
仕様の各光ファイバ用母材（５本）を同一条件で線引し
て得たものであり、比較例１〜５の各光ファイバも、一
部の仕様の除き各具体例に準じて作製したものである。
ルモード光ファイバの具体例とその比較例（従来品）に
ついて評価した結果を表１、表２に示す。具体例１〜５
の各光ファイバは、後述する製造方法から得られる同一
仕様の各光ファイバ用母材（５本）を同一条件で線引し
て得たものであり、比較例１〜５の各光ファイバも、一
部の仕様の除き各具体例に準じて作製したものである。
【００２３】 表 １ Δ1 Δ2 d2／d1 ＭＤＦ 曲げ特性 ゼロ分散波長 ％ ％ μｍφ ｄＢ／ｍ ｎｍ 具体例１ 0.882 0.148 3.451 8.0 0.51 1564.3 具体例２ 0.891 0.151 3.512 8.0 0.12 1580.6 具体例３ 0.874 0.139 3.412 8.0 0.88 1558.6 具体例４ 0.880 0.142 3.591 8.0 0.06 1575.4 具体例５ 0.887 0.144 3.443 8.0 0.41 1578.2 表 ２ Δ1 Δ2 d2／d1 ＭＤＦ 曲げ特性 ゼロ分散波長 ％ ％ μｍφ ｄＢ／ｍ ｎｍ 比較例１ 0.875 0.137 2.878 8.0 7.62 1588.2 比較例２ 0.882 0.141 2.914 8.0 4.38 1596.1 比較例３ 0.891 0.144 2.942 8.0 3.35 1602.2 比較例４ 0.886 0.138 2.933 8.0 5.12 1591.4 比較例５ 0.871 0.133 2.861 8.0 10.15 1579.3 表１、表２中の曲げ特性は、長さ１ｍの光ファイバを外
径２０ｍｍφのマンドレルに巻つけて測定したときのロ
ス（伝送損失増加量）を示す。
径２０ｍｍφのマンドレルに巻つけて測定したときのロ
ス（伝送損失増加量）を示す。
【００２４】具体例１〜５の分散シフト型シングルモー
ド光ファイバは、表１を参照して明らかなように、ＭＦ
Ｄ＝８μｍφにおいて良好な曲げ特性を示している。し
たがって、これらの結果から、本発明に係る分散シフト
型シングルモード光ファイバ２０の有効性が窺える。そ
れに対し、比較例１〜５の分散シフト型シングルモード
光ファイバは、表２を参照して明らかなように、ＭＦＤ
＝８μｍφにおける曲げ特性が悪く、実用性が殆どみら
れない。
ド光ファイバは、表１を参照して明らかなように、ＭＦ
Ｄ＝８μｍφにおいて良好な曲げ特性を示している。し
たがって、これらの結果から、本発明に係る分散シフト
型シングルモード光ファイバ２０の有効性が窺える。そ
れに対し、比較例１〜５の分散シフト型シングルモード
光ファイバは、表２を参照して明らかなように、ＭＦＤ
＝８μｍφにおける曲げ特性が悪く、実用性が殆どみら
れない。
【００２５】つぎに、本発明に係る分散シフト型シング
ルモード光ファイバ用母材の実施例について、図５を参
照して説明する。図５（ａ）（ｂ）において、３０は分
散シフト型シングルモード光ファイバ用母材（光ファイ
バ２０と同一の石英系）、３１は光ファイバ用母材３０
のセンタコア用ガラス層、３２は光ファイバ用母材３０
のサイドコア用ガラス層、３３は光ファイバ用母材３０
のクラッド用ガラス層をそれぞれ示す。さらに、図５
（ａ）（ｂ）において、Ｎ1 はセンタコア用ガラス層３
１の屈折率、Ｎ2 はサイドコア用ガラス層３２の屈折
率、Ｎ3 はクラッド３３の屈折率をそれぞれ示し、Ｄ1
はセンタコア用ガラス層３１の外径、Ｄ2 はサイドコア
用ガラス層３２の外径、Ｄ3 はクラッド用ガラス層３３
の外径をそれぞれ示す。
ルモード光ファイバ用母材の実施例について、図５を参
照して説明する。図５（ａ）（ｂ）において、３０は分
散シフト型シングルモード光ファイバ用母材（光ファイ
バ２０と同一の石英系）、３１は光ファイバ用母材３０
のセンタコア用ガラス層、３２は光ファイバ用母材３０
のサイドコア用ガラス層、３３は光ファイバ用母材３０
のクラッド用ガラス層をそれぞれ示す。さらに、図５
（ａ）（ｂ）において、Ｎ1 はセンタコア用ガラス層３
１の屈折率、Ｎ2 はサイドコア用ガラス層３２の屈折
率、Ｎ3 はクラッド３３の屈折率をそれぞれ示し、Ｄ1
はセンタコア用ガラス層３１の外径、Ｄ2 はサイドコア
用ガラス層３２の外径、Ｄ3 はクラッド用ガラス層３３
の外径をそれぞれ示す。
【００２６】図５（ａ）（ｂ）を参照して明らかなよう
に、センタコア用ガラス層３１、サイドコア用ガラス層
３２、クラッド用ガラス層３３の相対関係では、これら
の屈折率および外径が、Ｎ1 ＞Ｎ2 ＞Ｎ3 、Ｄ3 ＞Ｄ2
＞Ｄ1 のようになっているほか、センタコア用ガラス層
３１とサイドコア用ガラス層３２については、既述の光
ファイバ２０を得るために、５≧（Ｄ2 ／Ｄ1 ）≧３な
る関係をも満足させている。ここで、図５（ｂ）に示す
Ａ、Ｂは、図１（ｂ）におけるＡ、Ｂと同じ意味をもっ
ている。センタコア用ガラス層３１、サイドコア用ガラ
ス層３２、クラッド用ガラス層３３の各屈折率に関して
も、既述の光ファイバ２０を得るために、Ｎ1 ＞Ｎ2 ＞
Ｎ3 において、クラッド用ガラス層３３に対するセンタ
コア用ガラス層３１の比屈折率差Δ1 が０．８＜Δ1 ＜
１．０を、クラッド用ガラス層３３に対するサイドコア
用ガラス層３２の比屈折率差Δ2 が０．０５＜（Δ2 ／
Δ1 ）＜０．２をそれぞれ満足するように設定される。
ちなみに、前記表１の光ファイバを得るための光ファイ
バ用母材３０は、ＭＦＤが７．９５〜８．０５μｍφと
なるように、Ｎ1 〜Ｎ3 、Ｄ1 〜Ｄ3 、Δ1 、Δ2 など
に関する仕様が定められている。図５（ａ）（ｂ）の光
ファイバ用母材３０は、これを周知の線引炉（電気加熱
炉）にかけて線引きすることにより、図１（ａ）（ｂ）
で述べた光ファイバ２０になる。
に、センタコア用ガラス層３１、サイドコア用ガラス層
３２、クラッド用ガラス層３３の相対関係では、これら
の屈折率および外径が、Ｎ1 ＞Ｎ2 ＞Ｎ3 、Ｄ3 ＞Ｄ2
＞Ｄ1 のようになっているほか、センタコア用ガラス層
３１とサイドコア用ガラス層３２については、既述の光
ファイバ２０を得るために、５≧（Ｄ2 ／Ｄ1 ）≧３な
る関係をも満足させている。ここで、図５（ｂ）に示す
Ａ、Ｂは、図１（ｂ）におけるＡ、Ｂと同じ意味をもっ
ている。センタコア用ガラス層３１、サイドコア用ガラ
ス層３２、クラッド用ガラス層３３の各屈折率に関して
も、既述の光ファイバ２０を得るために、Ｎ1 ＞Ｎ2 ＞
Ｎ3 において、クラッド用ガラス層３３に対するセンタ
コア用ガラス層３１の比屈折率差Δ1 が０．８＜Δ1 ＜
１．０を、クラッド用ガラス層３３に対するサイドコア
用ガラス層３２の比屈折率差Δ2 が０．０５＜（Δ2 ／
Δ1 ）＜０．２をそれぞれ満足するように設定される。
ちなみに、前記表１の光ファイバを得るための光ファイ
バ用母材３０は、ＭＦＤが７．９５〜８．０５μｍφと
なるように、Ｎ1 〜Ｎ3 、Ｄ1 〜Ｄ3 、Δ1 、Δ2 など
に関する仕様が定められている。図５（ａ）（ｂ）の光
ファイバ用母材３０は、これを周知の線引炉（電気加熱
炉）にかけて線引きすることにより、図１（ａ）（ｂ）
で述べた光ファイバ２０になる。
【００２７】つぎに、上述した分散シフト型シングルモ
ード光ファイバ用母材３０を製造するための方法につい
て、図６、図７を参照して説明する。図６において、５
１は高純度石英からなる反応容器、５２は反応容器５１
の排気管、５３は純粋石英からなる棒状のターゲット、
５４はターゲット５３用の回転式昇降機構、５５は光ビ
ーム照射器５６と受光器５７と制御器５８とを含む回転
式昇降機構５４用の制御機構、５９、６０、６１は多重
管構造からなるガラス微粒子合成用のバーナ（＝トー
チ）、６２、６３、６４はマスフローコントローラ６
５、６６、６７を備えたガラス原料供給系をそれぞれ示
す。周知のとおり、回転式昇降機構５４は、当該機構５
４を介して垂直に保持したターゲット５３を回転させな
がら反応容器５１内外に昇降させるためのものであり、
これは反応容器５１の上部開口側に配置されている。制
御機構５５の光ビーム照射器５６、受光器５７は互いに
対をなしており、反応容器５１の両側部において、光ビ
ーム照射器５６が反応容器５１の側壁に装着されている
とともに、受光器５７が反応容器５１外に保持されてい
る。この場合において、光ビーム照射器５６と受光器５
７とを結ぶ線分が、これら両器による検知ライン、すな
わち、後述する光ファイバ用多孔質ガラス母材の引き上
げ速度をコントロールするための基準線Ｌとなる。制御
機構５５において、光電変換器、電気的／電子的な演算
処理部などを含む制御器５８は、受光器５７と回転式昇
降機構５４とにわたって接続されている。多重管構造の
バーナ５９、６０、６１は、主原料ガス（ＳｉＣｌ4 ）
および副原料ガス（ＧｅＣｌ4 のごときドープ原料ガ
ス）の供給を受ける流路、燃料ガス（Ｈ2 ）用の流路、
助燃ガス（Ｏ2 ）用の流路、緩衝ガス（Ａｒ）用の流路
などが同心円状に並んだ周知のものであり、これらのガ
ラス原料供給系６２、６３、６４には、前記マスフロー
コントローラ６５、６６、６７のほか、液化原料タン
ク、キャリアガス供給タンク、原料ガスを発生させるた
めのバブリング槽などが備えられている。上述した各バ
ーナ５９、６０、６１は、反応容器５１の下部から一側
部にわたる壁面を貫通してここに取りつけられていると
ともに、該各バーナ５９、６０、６１の先端が、回転式
昇降機構５４を介して前記基準線Ｌ付近まで下降したタ
ーゲット５３の下端に向けられている。
ード光ファイバ用母材３０を製造するための方法につい
て、図６、図７を参照して説明する。図６において、５
１は高純度石英からなる反応容器、５２は反応容器５１
の排気管、５３は純粋石英からなる棒状のターゲット、
５４はターゲット５３用の回転式昇降機構、５５は光ビ
ーム照射器５６と受光器５７と制御器５８とを含む回転
式昇降機構５４用の制御機構、５９、６０、６１は多重
管構造からなるガラス微粒子合成用のバーナ（＝トー
チ）、６２、６３、６４はマスフローコントローラ６
５、６６、６７を備えたガラス原料供給系をそれぞれ示
す。周知のとおり、回転式昇降機構５４は、当該機構５
４を介して垂直に保持したターゲット５３を回転させな
がら反応容器５１内外に昇降させるためのものであり、
これは反応容器５１の上部開口側に配置されている。制
御機構５５の光ビーム照射器５６、受光器５７は互いに
対をなしており、反応容器５１の両側部において、光ビ
ーム照射器５６が反応容器５１の側壁に装着されている
とともに、受光器５７が反応容器５１外に保持されてい
る。この場合において、光ビーム照射器５６と受光器５
７とを結ぶ線分が、これら両器による検知ライン、すな
わち、後述する光ファイバ用多孔質ガラス母材の引き上
げ速度をコントロールするための基準線Ｌとなる。制御
機構５５において、光電変換器、電気的／電子的な演算
処理部などを含む制御器５８は、受光器５７と回転式昇
降機構５４とにわたって接続されている。多重管構造の
バーナ５９、６０、６１は、主原料ガス（ＳｉＣｌ4 ）
および副原料ガス（ＧｅＣｌ4 のごときドープ原料ガ
ス）の供給を受ける流路、燃料ガス（Ｈ2 ）用の流路、
助燃ガス（Ｏ2 ）用の流路、緩衝ガス（Ａｒ）用の流路
などが同心円状に並んだ周知のものであり、これらのガ
ラス原料供給系６２、６３、６４には、前記マスフロー
コントローラ６５、６６、６７のほか、液化原料タン
ク、キャリアガス供給タンク、原料ガスを発生させるた
めのバブリング槽などが備えられている。上述した各バ
ーナ５９、６０、６１は、反応容器５１の下部から一側
部にわたる壁面を貫通してここに取りつけられていると
ともに、該各バーナ５９、６０、６１の先端が、回転式
昇降機構５４を介して前記基準線Ｌ付近まで下降したタ
ーゲット５３の下端に向けられている。
【００２８】図７において、７０は透明ガラス化用の加
熱炉、７１は加熱炉７０の炉心管、７４は加熱炉７０の
リング状をなす電気ヒータをそれぞれ示す。炉心管７１
は純粋石英からなり、これの下部に雰囲気ガスの導入口
７２、これの上部に排気口７３を有する。電気ヒータ７
４は、炉心管７１の外周に嵌めこまれて炉心管７１の上
下方向中間部に保持されている。炉心管７１の上面側に
は、図示されていないが、回転式昇降機構５４と同様の
機構が配置される。その他、図７に例示された光ファイ
バ用多孔質ガラス母材の透明ガラス化手段も、図示しな
いケーシングで覆われている。
熱炉、７１は加熱炉７０の炉心管、７４は加熱炉７０の
リング状をなす電気ヒータをそれぞれ示す。炉心管７１
は純粋石英からなり、これの下部に雰囲気ガスの導入口
７２、これの上部に排気口７３を有する。電気ヒータ７
４は、炉心管７１の外周に嵌めこまれて炉心管７１の上
下方向中間部に保持されている。炉心管７１の上面側に
は、図示されていないが、回転式昇降機構５４と同様の
機構が配置される。その他、図７に例示された光ファイ
バ用多孔質ガラス母材の透明ガラス化手段も、図示しな
いケーシングで覆われている。
【００２９】図６の手段（ＶＡＤ法）を用いて分散シフ
ト型シングルモード光ファイバ用母材３０の前駆体とな
る多孔質ガラス母材４０をつくるとき、すなわち、セン
タコア用多孔質ガラス層４１、サイドコア用多孔質ガラ
ス層４２、クラッド用多孔質ガラス層４３を有する多孔
質ガラス母材４０をつくるときは、以下に例示するよう
になる。
ト型シングルモード光ファイバ用母材３０の前駆体とな
る多孔質ガラス母材４０をつくるとき、すなわち、セン
タコア用多孔質ガラス層４１、サイドコア用多孔質ガラ
ス層４２、クラッド用多孔質ガラス層４３を有する多孔
質ガラス母材４０をつくるときは、以下に例示するよう
になる。
【００３０】ターゲット５３は、回転式昇降機構５４を
介して反応容器５０の内部へ降下され、その下端が基準
線Ｌ付近に達した状態で一定方向へ回転している。各バ
ーナ５９、６０、６１のうち、センタコア用バーナ５９
およびサイドコア用バーナ６０の各流路には、ＳｉＣｌ
4 、ＧｅＣｌ4 、Ｈ2 、Ｏ2 、Ａｒが供給され、クラッ
ド用バーナ６１の各流路には、ＳｉＣｌ4 、Ｈ2 、Ｏ
2 、Ａｒが供給され、これらバーナ５９、６０、６１が
燃焼状態に保持される。
介して反応容器５０の内部へ降下され、その下端が基準
線Ｌ付近に達した状態で一定方向へ回転している。各バ
ーナ５９、６０、６１のうち、センタコア用バーナ５９
およびサイドコア用バーナ６０の各流路には、ＳｉＣｌ
4 、ＧｅＣｌ4 、Ｈ2 、Ｏ2 、Ａｒが供給され、クラッ
ド用バーナ６１の各流路には、ＳｉＣｌ4 、Ｈ2 、Ｏ
2 、Ａｒが供給され、これらバーナ５９、６０、６１が
燃焼状態に保持される。
【００３１】こうして燃焼状態に保持された各バーナ５
９、６０、６１は、周知の火炎加水分解反応を起こして
スート状のガラス微粒子をそれぞれ生成し、これらガラ
ス微粒子を各バーナ先端からターゲット５３の下端に向
けて噴射かつ堆積させる。より具体的には、バーナ５９
から噴射されるＳｉＯ2 微粒子、ＧｅＯ2 微粒子がター
ゲット５３の下端中心部に堆積され、同じく、バーナ６
０から噴射されるＳｉＯ2 微粒子、ＧｅＯ2 微粒子がそ
の外周に堆積され、同じく、バーナ６１から噴射される
ＳｉＯ2 微粒子がその外周に堆積される。かくて、ター
ゲット５３の下端には、同心円状に一体化されたセンタ
コア用多孔質ガラス層４１、サイドコア用多孔質ガラス
層４２、クラッド用多孔質ガラス層４３をもつ多孔質ガ
ラス母材４０がつくられる。
９、６０、６１は、周知の火炎加水分解反応を起こして
スート状のガラス微粒子をそれぞれ生成し、これらガラ
ス微粒子を各バーナ先端からターゲット５３の下端に向
けて噴射かつ堆積させる。より具体的には、バーナ５９
から噴射されるＳｉＯ2 微粒子、ＧｅＯ2 微粒子がター
ゲット５３の下端中心部に堆積され、同じく、バーナ６
０から噴射されるＳｉＯ2 微粒子、ＧｅＯ2 微粒子がそ
の外周に堆積され、同じく、バーナ６１から噴射される
ＳｉＯ2 微粒子がその外周に堆積される。かくて、ター
ゲット５３の下端には、同心円状に一体化されたセンタ
コア用多孔質ガラス層４１、サイドコア用多孔質ガラス
層４２、クラッド用多孔質ガラス層４３をもつ多孔質ガ
ラス母材４０がつくられる。
【００３２】多孔質ガラス母材４０がこれの軸線方向沿
いに成長するにしたがい、ターゲット５３が回転式昇降
機構５４を介して引き上げられるが、これに際しては、
ターゲット５３の引上速度を母材成長速度とマッチング
させるべく、回転式昇降機構５４が制御機構５５を介し
てつぎのように制御される。
いに成長するにしたがい、ターゲット５３が回転式昇降
機構５４を介して引き上げられるが、これに際しては、
ターゲット５３の引上速度を母材成長速度とマッチング
させるべく、回転式昇降機構５４が制御機構５５を介し
てつぎのように制御される。
【００３３】制御機構５５は、反応容器５１内において
多孔質ガラス母材４０を作製しているときに、光ビーム
照射器５６から受光器５７に向けて基準線Ｌに一致する
レーザビームを定常的に照射している。上記において、
ターゲット５３の下端に堆積形成される多孔質ガラス母
材４０が基準線Ｌまで成長していないとき、すなわち、
光ビーム照射器５６からのレーザビームがそのまま受光
器５７に到達するときは、回転式昇降機構５４が昇降系
統が駆動しないために、ターゲット５３の引き上げが行
なわれない。上記において、多孔質ガラス母材４０が基
準線Ｌを越える成長状態になり、その母材下端がレーザ
ビームが遮るとき、すなわち、レーザビームが受光器５
７まで到達しないときは、受光器５７→制御器５８→回
転式昇降機構５４のように送られる出力信号を受けて回
転式昇降機構５４の昇降系統が駆動するために、ターゲ
ット５３が引き上げられる。さらに、ターゲット５３が
所定量引き上げられて、光ビーム照射器５６からのレー
ザビームが再度受光器５７に到達すると、回転式昇降機
構５４が昇降系統が停止する。以下、光ビーム照射器５
６から受光器５７にわたるレーザビームの断続により回
転式昇降機構５４の昇降系統が適時駆動するので、多孔
質ガラス母材４０の作製が完了するまでの間、ターゲッ
ト５３はその母材の成長速度に応じて引き上げられる。
多孔質ガラス母材４０を作製しているときに、光ビーム
照射器５６から受光器５７に向けて基準線Ｌに一致する
レーザビームを定常的に照射している。上記において、
ターゲット５３の下端に堆積形成される多孔質ガラス母
材４０が基準線Ｌまで成長していないとき、すなわち、
光ビーム照射器５６からのレーザビームがそのまま受光
器５７に到達するときは、回転式昇降機構５４が昇降系
統が駆動しないために、ターゲット５３の引き上げが行
なわれない。上記において、多孔質ガラス母材４０が基
準線Ｌを越える成長状態になり、その母材下端がレーザ
ビームが遮るとき、すなわち、レーザビームが受光器５
７まで到達しないときは、受光器５７→制御器５８→回
転式昇降機構５４のように送られる出力信号を受けて回
転式昇降機構５４の昇降系統が駆動するために、ターゲ
ット５３が引き上げられる。さらに、ターゲット５３が
所定量引き上げられて、光ビーム照射器５６からのレー
ザビームが再度受光器５７に到達すると、回転式昇降機
構５４が昇降系統が停止する。以下、光ビーム照射器５
６から受光器５７にわたるレーザビームの断続により回
転式昇降機構５４の昇降系統が適時駆動するので、多孔
質ガラス母材４０の作製が完了するまでの間、ターゲッ
ト５３はその母材の成長速度に応じて引き上げられる。
【００３４】図７の加熱炉７０を用いて多孔質ガラス母
材４０を透明ガラス化するときは、当該母材４０を以下
に例示するように熱処理する。先行する熱処理において
は、多孔質ガラス母材４０のセンタコア用多孔質ガラス
層４１、サイドコア用多孔質ガラス層４２、クラッド用
多孔質ガラス層４３を精製（不純物の除去と脱水）する
ために、約１２００℃のＣｌ2 、Ｈｅ雰囲気に保持され
た炉心管７１内に多孔質ガラス母材４０を入れ、これを
電気ヒータ７４で高温に加熱する。後続する熱処理にお
いては、多孔質ガラス母材４０の各多孔質ガラス層４
１、４３、４３を透明ガラス化するために、炉心管７１
内を約１６００℃のＨｅ雰囲気に保持し、電気ヒータ７
４を介して多孔質ガラス母材４０を前記よりも高温に加
熱する。かくて、多孔質ガラス母材４０の各多孔質ガラ
ス層４１、４３、４３が透明ガラス化されると、前記図
５（ａ）（ｂ）を参照して述べたセンタコア用ガラス層
３１、サイドコア用ガラス層３２、クラッド用ガラス層
３３をもつ光ファイバ用母材３０が得られる。
材４０を透明ガラス化するときは、当該母材４０を以下
に例示するように熱処理する。先行する熱処理において
は、多孔質ガラス母材４０のセンタコア用多孔質ガラス
層４１、サイドコア用多孔質ガラス層４２、クラッド用
多孔質ガラス層４３を精製（不純物の除去と脱水）する
ために、約１２００℃のＣｌ2 、Ｈｅ雰囲気に保持され
た炉心管７１内に多孔質ガラス母材４０を入れ、これを
電気ヒータ７４で高温に加熱する。後続する熱処理にお
いては、多孔質ガラス母材４０の各多孔質ガラス層４
１、４３、４３を透明ガラス化するために、炉心管７１
内を約１６００℃のＨｅ雰囲気に保持し、電気ヒータ７
４を介して多孔質ガラス母材４０を前記よりも高温に加
熱する。かくて、多孔質ガラス母材４０の各多孔質ガラ
ス層４１、４３、４３が透明ガラス化されると、前記図
５（ａ）（ｂ）を参照して述べたセンタコア用ガラス層
３１、サイドコア用ガラス層３２、クラッド用ガラス層
３３をもつ光ファイバ用母材３０が得られる。
【００３５】こうして光ファイバ用母材３０をつくると
きは、既述の各条件を満足するように各ガラス層３１、
３２、３３を仕上げる。したがって、図６、図７の手段
を介して作製された光ファイバ用母材３０を周知の線引
炉にかけて線引きしたときに、前記図１（ａ）（ｂ）で
述べた光ファイバ２０が得られる。この際の線引工程と
同期して、線引直後の光ファイバ２０の外周に既述の一
次被膜、二次被膜などが形成されるので、光ファイバ２
０は、いわゆる、光ファイバ心線になる。
きは、既述の各条件を満足するように各ガラス層３１、
３２、３３を仕上げる。したがって、図６、図７の手段
を介して作製された光ファイバ用母材３０を周知の線引
炉にかけて線引きしたときに、前記図１（ａ）（ｂ）で
述べた光ファイバ２０が得られる。この際の線引工程と
同期して、線引直後の光ファイバ２０の外周に既述の一
次被膜、二次被膜などが形成されるので、光ファイバ２
０は、いわゆる、光ファイバ心線になる。
【００３６】本発明において分散シフト型シングルモー
ド光ファイバ用母材３０を製造するときに、つぎのよう
な実施例も採用することができる。その一つは、はじめ
に、図６の手段（ＶＡＤ法）を用いてセンタコア用多孔
質ガラス層４１のみを形成し、かつ、これを図７の透明
ガラス化手段で精製ならびにガラス化してセンタコア用
ガラス層３１をつくり、つぎに、公知ないし周知のＯＶ
Ｄ法を介してセンタコア用ガラス層３１の外周にサイド
コア用多孔質ガラス層４２を形成し、かつ、これを図７
の透明ガラス化手段で精製ならびにガラス化してサイド
コア用ガラス層３２をつくり、その後も同じく、ＯＶＤ
法を介してサイドコア用ガラス層３２の外周にクラッド
用多孔質ガラス層４２形成するとともに、これを図７の
透明ガラス化手段で精製ならびにガラス化してクラッド
用ガラス層３３をつくる。他の一つは、はじめに、図６
の手段（ＶＡＤ法）を用いてセンタコア用多孔質ガラス
層４１とサイドコア用多孔質ガラス層４２とを形成し、
かつ、これらを図７の透明ガラス化手段で精製ならびに
ガラス化してセンタコア用ガラス層３１、サイドコア用
ガラス層３２をつくり、その後、前記と同様に、ＯＶＤ
法を介してサイドコア用ガラス層３２の外周にクラッド
用多孔質ガラス層４２形成するとともに、これを図７の
透明ガラス化手段で精製ならびにガラス化してクラッド
用ガラス層３３をつくる。さらに、他の一つは、はじめ
に、図６の手段（ＶＡＤ法）を用いてセンタコア用多孔
質ガラス層４１とサイドコア用多孔質ガラス層４２と一
部のクラッド用多孔質ガラス層とを形成し、かつ、これ
らを図７の透明ガラス化手段で精製ならびにガラス化し
てセンタコア用ガラス層３１、サイドコア用ガラス層３
２、一部のクラッド用ガラス層３３をつくり、その後、
前記と同様に、ＯＶＤ法を介して一部のクラッド用ガラ
ス層外周に残部のクラッド用多孔質ガラス層を形成する
とともに、これを図７の透明ガラス化手段で精製ならび
にガラス化してクラッド用ガラス層３３をつくる。こう
して光ファイバ用母材３０をつくるときも、既述の各条
件を満足するように各ガラス層３１、３２、３３を仕上
げる。
ド光ファイバ用母材３０を製造するときに、つぎのよう
な実施例も採用することができる。その一つは、はじめ
に、図６の手段（ＶＡＤ法）を用いてセンタコア用多孔
質ガラス層４１のみを形成し、かつ、これを図７の透明
ガラス化手段で精製ならびにガラス化してセンタコア用
ガラス層３１をつくり、つぎに、公知ないし周知のＯＶ
Ｄ法を介してセンタコア用ガラス層３１の外周にサイド
コア用多孔質ガラス層４２を形成し、かつ、これを図７
の透明ガラス化手段で精製ならびにガラス化してサイド
コア用ガラス層３２をつくり、その後も同じく、ＯＶＤ
法を介してサイドコア用ガラス層３２の外周にクラッド
用多孔質ガラス層４２形成するとともに、これを図７の
透明ガラス化手段で精製ならびにガラス化してクラッド
用ガラス層３３をつくる。他の一つは、はじめに、図６
の手段（ＶＡＤ法）を用いてセンタコア用多孔質ガラス
層４１とサイドコア用多孔質ガラス層４２とを形成し、
かつ、これらを図７の透明ガラス化手段で精製ならびに
ガラス化してセンタコア用ガラス層３１、サイドコア用
ガラス層３２をつくり、その後、前記と同様に、ＯＶＤ
法を介してサイドコア用ガラス層３２の外周にクラッド
用多孔質ガラス層４２形成するとともに、これを図７の
透明ガラス化手段で精製ならびにガラス化してクラッド
用ガラス層３３をつくる。さらに、他の一つは、はじめ
に、図６の手段（ＶＡＤ法）を用いてセンタコア用多孔
質ガラス層４１とサイドコア用多孔質ガラス層４２と一
部のクラッド用多孔質ガラス層とを形成し、かつ、これ
らを図７の透明ガラス化手段で精製ならびにガラス化し
てセンタコア用ガラス層３１、サイドコア用ガラス層３
２、一部のクラッド用ガラス層３３をつくり、その後、
前記と同様に、ＯＶＤ法を介して一部のクラッド用ガラ
ス層外周に残部のクラッド用多孔質ガラス層を形成する
とともに、これを図７の透明ガラス化手段で精製ならび
にガラス化してクラッド用ガラス層３３をつくる。こう
して光ファイバ用母材３０をつくるときも、既述の各条
件を満足するように各ガラス層３１、３２、３３を仕上
げる。
【００３７】
【発明の効果】本発明に係る分散シフト型シングルモー
ド光ファイバは、センタコア外径／サイドコア外径≧３
なる関係を満足させており、モードフィールド径を示す
サイドコア径およびコア有効断面積が大きく、かつ、カ
ットオフ波長も大きいから、分散特性、曲げ特性が共に
良好になる。
ド光ファイバは、センタコア外径／サイドコア外径≧３
なる関係を満足させており、モードフィールド径を示す
サイドコア径およびコア有効断面積が大きく、かつ、カ
ットオフ波長も大きいから、分散特性、曲げ特性が共に
良好になる。
【００３８】本発明に係る分散シフト型シングルモード
光ファイバ用母材は、センタコア用ガラス層外径／サイ
ドコア用ガラス層外径≧３なる関係を満足させているか
ら、これを常套手段（加熱延伸手段）で線引きすること
により、上述した有用かつ有益な分散シフト型シングル
モード光ファイバが得られる。
光ファイバ用母材は、センタコア用ガラス層外径／サイ
ドコア用ガラス層外径≧３なる関係を満足させているか
ら、これを常套手段（加熱延伸手段）で線引きすること
により、上述した有用かつ有益な分散シフト型シングル
モード光ファイバが得られる。
【００３９】本発明に係る分散シフト型シングルモード
光ファイバ用母材の製造方法は、ガラス微粒子堆積工
程、透明ガラス化工程を主体にして所定の光ファイバ用
母材を作製するときに、センタコア用ガラス層／サイド
コア用ガラス層≧３なる関係を満足するように各ガラス
層を仕上げるから、既存の設備を利用して、上述した分
散シフト型シングルモード光ファイバを得るための母材
を簡易につくることができる。
光ファイバ用母材の製造方法は、ガラス微粒子堆積工
程、透明ガラス化工程を主体にして所定の光ファイバ用
母材を作製するときに、センタコア用ガラス層／サイド
コア用ガラス層≧３なる関係を満足するように各ガラス
層を仕上げるから、既存の設備を利用して、上述した分
散シフト型シングルモード光ファイバを得るための母材
を簡易につくることができる。
【図１】本発明に係る分散シフト型シングルモード光フ
ァイバの一実施例を略示した断面図と屈折率分布図であ
る。
ァイバの一実施例を略示した断面図と屈折率分布図であ
る。
【図２】分散シフト型シングルモード光ファイバにおけ
るｄ2 ／ｄ1 、ＭＦＤ、λc の関係を示した説明図であ
る。
るｄ2 ／ｄ1 、ＭＦＤ、λc の関係を示した説明図であ
る。
【図３】分散シフト型シングルモード光ファイバにおけ
るｄ2 ／ｄ1 と曲げによるロスとの関係を示した説明図
である。
るｄ2 ／ｄ1 と曲げによるロスとの関係を示した説明図
である。
【図４】分散シフト型シングルモード光ファイバにおけ
るｄ2 ／ｄ1 とゼロ分散波長との関係を示した説明図で
ある。
るｄ2 ／ｄ1 とゼロ分散波長との関係を示した説明図で
ある。
【図５】本発明に係る分散シフト型シングルモード光フ
ァイバ用母材の一実施例を略示した断面図と屈折率分布
図である。
ァイバ用母材の一実施例を略示した断面図と屈折率分布
図である。
【図６】本発明方法における光ファイバ用多孔質ガラス
母材の作製手段についてその一例を略示した断面図であ
る。
母材の作製手段についてその一例を略示した断面図であ
る。
【図７】本発明方法における光ファイバ用多孔質ガラス
母材の透明ガラス化手段についてその一例を略示した断
面図である。
母材の透明ガラス化手段についてその一例を略示した断
面図である。
【図８】従来の分散シフト型シングルモード光ファイバ
に関する断面図と屈折率分布図である。
に関する断面図と屈折率分布図である。
２０ 分散シフト型シングルモード光ファイバ ２１ センタコア（屈折率ｎ1 、外径ｎ1 ） ２２ サイドコア（屈折率ｎ2 、外径ｎ2 ） ２３ クラッド（屈折率ｎ3 、外径ｎ3 ） ３０ 分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材 ３１ センタコア用ガラス層（屈折率Ｎ1 、外径Ｄ1 ） ３２ サイドコア用ガラス層（屈折率Ｎ2 、外径Ｄ2 ） ３３ クラッド用ガラス層（屈折率Ｎ3 、外径Ｄ3 ） ４０ 光ファイバ用多孔質ガラス母材 ４１ センタコア用多孔質ガラス層 ４２ サイドコア用多孔質ガラス層 ４３ クラッド用多孔質ガラス層 ５１ 反応容器 ５３ ターゲット ５４ 回転式昇降機構 ５９ ガラス微粒子合成用バーナ ６０ ガラス微粒子合成用バーナ ６１ ガラス微粒子合成用バーナ ７０ 透明ガラス化用の加熱炉 ７１ 炉心管 ７４ 電気ヒータ
Claims (5)
- 【請求項１】 センタコアと、センタコア外周のサイド
コアと、サイドコア外周のクラッドとを備えており、セ
ンタコアの屈折率、外径をｎ1 、ｄ1 、サイドコアの屈
折率、外径をｎ2 、ｄ2 、クラッドの屈折率、外径をｎ
3 、ｄ3 とした場合に、センタコア、サイドコア、クラ
ッド相互が、ｎ1 ＞ｎ2 ＞ｎ3 、ｄ3＞ｄ2 ＞ｄ1 なる
関係を満足させている分散シフト型シングルモード光フ
ァイバにおいて、センタコアとサイドコアとがｄ2 ／ｄ
1 ≧３なる関係をも満足させていることを特徴とする分
散シフト型シングルモード光ファイバ。 - 【請求項２】 モードフィールド径が７〜１０μｍφの
範囲内にある請求項１記載の分散シフト型シングルモー
ド光ファイバ。 - 【請求項３】 クラッドに対するセンタコアの比屈折率
差をΔ1 、クラッドに対するサイドコアの比屈折率差を
Δ2 とした場合に、これら比屈折率差Δ1 、Δ2 が０．
８％＜Δ1 ＜１．０％および０．０５＜（Δ2 ／Δ1 ）
＜０．２なる関係を満足させている請求項１記載の分散
シフト型シングルモード光ファイバ。 - 【請求項４】 センタコア用ガラス層と、センタコア用
ガラス層外周のサイドコア用ガラス層と、サイドコア用
ガラス層外周のクラッド用ガラス層とを備えており、セ
ンタコア用ガラス層の屈折率、外径をＮ1 、Ｄ1 、サイ
ドコア用ガラス層の屈折率、外径をＮ2 、Ｄ2 、クラッ
ド用ガラス層の屈折率、外径をＮ3 、Ｄ3 とした場合
に、これら各ガラス層が、Ｎ1 ＞Ｎ2 ＞Ｎ3 、Ｄ3 ＞Ｄ
2 ＞Ｄ1なる関係を満足させている分散シフト型シング
ルモード光ファイバ用母材において、センタコア用ガラ
ス層とサイドコア用ガラス層とがＤ2 ／Ｄ1 ≧３なる関
係をも満足させていることを特徴とする分散シフト型シ
ングルモード光ファイバ用母材。 - 【請求項５】 センタコア用多孔質ガラス層とサイドコ
ア用多孔質ガラス層とクラッド用多孔質ガラス層とを同
心円状に堆積形成するためのガラス微粒子堆積工程と、
センタコア用多孔質ガラス層、サイドコア用多孔質ガラ
ス層、クラッド用多孔質ガラス層を透明ガラス化してこ
れら多孔質ガラス層をセンタコア用ガラス層、サイドコ
ア用ガラス層、クラッド用ガラス層にするための透明ガ
ラス化工程とを含み、センタコア用ガラス層の外径をＤ
1 、サイドコア用ガラス層の外径をＤ2 とした場合に、
センタコア用ガラス層、サイドコア用ガラス層がＤ2 ／
Ｄ1 ≧３なる関係を満足するように各ガラス層を仕上げ
ることを特徴とする分散シフト型シングルモード光ファ
イバ用母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6043249A JPH07230015A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 分散シフト型シングルモード光ファイバと分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材と分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6043249A JPH07230015A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 分散シフト型シングルモード光ファイバと分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材と分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07230015A true JPH07230015A (ja) | 1995-08-29 |
Family
ID=12658611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6043249A Pending JPH07230015A (ja) | 1994-02-17 | 1994-02-17 | 分散シフト型シングルモード光ファイバと分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材と分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07230015A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999027399A1 (fr) * | 1997-11-26 | 1999-06-03 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Reseau de fibres, son procede et son dispositif de fabrication |
| JPH11507445A (ja) * | 1996-07-31 | 1999-06-29 | コーニング インコーポレイテッド | 分散補正単一モード導波路 |
| US5940567A (en) * | 1998-02-20 | 1999-08-17 | Photon-X, Inc. | Optical fibers having an inner core and an outer core |
| WO2000002074A1 (fr) * | 1998-07-07 | 2000-01-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Fibre optique |
| US6349163B1 (en) | 1996-07-31 | 2002-02-19 | Corning Incorporated | Dispersion compensating single mode waveguide |
| US6711331B2 (en) | 1998-07-07 | 2004-03-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber |
| KR100728452B1 (ko) * | 1997-02-12 | 2007-11-14 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 분산천이파이버 |
| EP2833174A1 (en) * | 2013-07-29 | 2015-02-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber and optical transmission system |
-
1994
- 1994-02-17 JP JP6043249A patent/JPH07230015A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11507445A (ja) * | 1996-07-31 | 1999-06-29 | コーニング インコーポレイテッド | 分散補正単一モード導波路 |
| US6349163B1 (en) | 1996-07-31 | 2002-02-19 | Corning Incorporated | Dispersion compensating single mode waveguide |
| KR100728452B1 (ko) * | 1997-02-12 | 2007-11-14 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 분산천이파이버 |
| WO1999027399A1 (fr) * | 1997-11-26 | 1999-06-03 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Reseau de fibres, son procede et son dispositif de fabrication |
| US6751380B1 (en) | 1997-11-26 | 2004-06-15 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Fiber grating and method and apparatus for fabricating the same |
| US5940567A (en) * | 1998-02-20 | 1999-08-17 | Photon-X, Inc. | Optical fibers having an inner core and an outer core |
| WO2000002074A1 (fr) * | 1998-07-07 | 2000-01-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Fibre optique |
| US6345140B1 (en) | 1998-07-07 | 2002-02-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber |
| AU760721B2 (en) * | 1998-07-07 | 2003-05-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber |
| US6711331B2 (en) | 1998-07-07 | 2004-03-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber |
| EP2833174A1 (en) * | 2013-07-29 | 2015-02-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber and optical transmission system |
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