JP3100291B2 - 分散シフト光ファイバとその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は1.55μｍ帯分散シフト光
ファイバ、特には1.55μｍ帯分散シフト光ファイバを既
存の使用波長である 1.3μｍ帯において使用する場合
に、カットオフ波長（λｃ）を 1.3μｍ帯用に設定する
ためにλｃを低下させてもモードフィールド径（ＭＦ
Ｄ）増加による曲げ損失特性の増大を防止することがで
き、これを簡便に行なうことができる分散シフト光ファ
イバおよびこの分散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母
材の製造方法に関するものである。
ファイバ、特には1.55μｍ帯分散シフト光ファイバを既
存の使用波長である 1.3μｍ帯において使用する場合
に、カットオフ波長（λｃ）を 1.3μｍ帯用に設定する
ためにλｃを低下させてもモードフィールド径（ＭＦ
Ｄ）増加による曲げ損失特性の増大を防止することがで
き、これを簡便に行なうことができる分散シフト光ファ
イバおよびこの分散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母
材の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】石英系光ファイバの最低損失波長域であ
る1.55μｍ帯での波長分散を零とする構造を有する1.55
μｍ帯分散シフト光ファイバにおいて、使用波長である
1.55μｍ帯において単一モードを伝送するためにはカッ
トオフ波長（λｃ）を使用波長以下とすることが必要と
される。しかし、近年このような1.55μｍ帯分散シフト
光ファイバは既存の使用波長である 1.3μｍ帯において
も使用する必要性が高まってきているが、 1.3μｍと1.
55μｍ帯と異なる波長帯を１種類の光ファイバで伝送し
ようとするためにはλｃは当然1.30μｍ以下としなけれ
ばならない。
る1.55μｍ帯での波長分散を零とする構造を有する1.55
μｍ帯分散シフト光ファイバにおいて、使用波長である
1.55μｍ帯において単一モードを伝送するためにはカッ
トオフ波長（λｃ）を使用波長以下とすることが必要と
される。しかし、近年このような1.55μｍ帯分散シフト
光ファイバは既存の使用波長である 1.3μｍ帯において
も使用する必要性が高まってきているが、 1.3μｍと1.
55μｍ帯と異なる波長帯を１種類の光ファイバで伝送し
ようとするためにはλｃは当然1.30μｍ以下としなけれ
ばならない。
【０００３】しかし、この分散シフト光ファイバをλｃ
を低下させた特性を満たす構造とするためにはガラス微
粒子を堆積させるバーナーおよびガラス原料ガス、Ｈ2
ガス、Ｏ2 ガス、不活性ガスの供給量を変更するなどし
て大幅な屈折率分布の調節を行なう必要があるが、この
ような構造条件の変更は非常に困難であり、それを完了
するには多大な時間と原料が浪費される。そのため、こ
のような大幅な屈折率分布の変更を行なわない簡便な方
法として、単に1.55μｍ帯分散シフト光ファイバ用ガラ
ス母材において、コア用バーナー、クラッド用バーナー
それぞれのガラス原料ガスの供給量を変更してコア／ク
ラッド比を低下させてλｃを低下させる方法がある。す
なわち、このコア／クラッド比とλｃとの関係は図５に
例示されているが、図示されているように例えばλｃが
1.50の分散シフト光ファイバとなる母材におけるコア／
クラッド比は 0.168であり、λｃが1.20μｍの分散シフ
ト光ファイバとなる母材を得るためのコア／クラッド比
は約 0.135である。したがってコア／クラッド比を 0.1
68から 0.135とするために、コア用バーナーへのガラス
原料ガスの供給量を減らす手段と、クラッドバーナーへ
のガラス原料ガスの供給量を増やす手段のいずれか一
方、または両方を用いて行えばよいことが知られてい
る。
を低下させた特性を満たす構造とするためにはガラス微
粒子を堆積させるバーナーおよびガラス原料ガス、Ｈ2
ガス、Ｏ2 ガス、不活性ガスの供給量を変更するなどし
て大幅な屈折率分布の調節を行なう必要があるが、この
ような構造条件の変更は非常に困難であり、それを完了
するには多大な時間と原料が浪費される。そのため、こ
のような大幅な屈折率分布の変更を行なわない簡便な方
法として、単に1.55μｍ帯分散シフト光ファイバ用ガラ
ス母材において、コア用バーナー、クラッド用バーナー
それぞれのガラス原料ガスの供給量を変更してコア／ク
ラッド比を低下させてλｃを低下させる方法がある。す
なわち、このコア／クラッド比とλｃとの関係は図５に
例示されているが、図示されているように例えばλｃが
1.50の分散シフト光ファイバとなる母材におけるコア／
クラッド比は 0.168であり、λｃが1.20μｍの分散シフ
ト光ファイバとなる母材を得るためのコア／クラッド比
は約 0.135である。したがってコア／クラッド比を 0.1
68から 0.135とするために、コア用バーナーへのガラス
原料ガスの供給量を減らす手段と、クラッドバーナーへ
のガラス原料ガスの供給量を増やす手段のいずれか一
方、または両方を用いて行えばよいことが知られてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した分散
シフト光ファイバにおけるλｃ低下方法は簡便であるけ
れども、λｃが低下すると同時にモードフィールド径
（ＭＦＤ）が増加して曲げ損失が増加するという問題が
ある。例えば図２にはλｃとＭＦＤとの関係と曲げ損失
の変化が示されているが、コア／クラッド比を低下させ
てλｃを1.50μｍから1.20μｍとするとＭＦＤは7.80μ
ｍから8.57μｍとなり、このときの曲げ損失を測定する
とλｃ1.55μｍの曲げ損失より増大することが確認され
ている。
シフト光ファイバにおけるλｃ低下方法は簡便であるけ
れども、λｃが低下すると同時にモードフィールド径
（ＭＦＤ）が増加して曲げ損失が増加するという問題が
ある。例えば図２にはλｃとＭＦＤとの関係と曲げ損失
の変化が示されているが、コア／クラッド比を低下させ
てλｃを1.50μｍから1.20μｍとするとＭＦＤは7.80μ
ｍから8.57μｍとなり、このときの曲げ損失を測定する
とλｃ1.55μｍの曲げ損失より増大することが確認され
ている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、問題点を解決した分散シフト光ファイバおよびその
製造方法に関するもので、この分散シフト光ファイバは
中心部に最大屈折率差ｎ1 、半径ａ1 の第１コア部を有
し、その外周に第１コア部より低屈折率で最大屈折率差
ｎ2 、半径ａ2 の第２コア部を有しており、さらにその
外周に第２コア部より低屈折率であるクラッドを有する
分散シフト光ファイバにおいて、第１コア部分に屈折率
の極大部を有しており、その外側半径がａ1 で、内側半
径ａ0 が下記の式 ０＜ａ1 −ａ0 ＜ａ1 ／100 を満たし、極大部の最大屈折率差ｎ0 が下記の式 ｎ0 ＞ｎ1 である屈折率分布を有することを特徴とするものであ
り、この分散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母材の製
造方法は第１コア用バーナー、第２コア用バーナーおよ
びクラッド用バーナーにガラス原料ガス、酸素ガス、水
素ガスおよび不活性ガスを供給し、形成される酸水素火
炎中でガラス原料ガスの火炎加水分解により発生したガ
ラス微粒子を、回転上昇するターゲット部材に堆積させ
てコア部とクラッド部を有する多孔質ガラス母材を製造
する光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法におい
て、第１コア用バーナーと第２コア用バーナーにドーパ
ントを供給し、形成される多孔質母材の第１コア部の外
周面を加熱することで請求項１に記載された屈折率分布
を形成することを特徴とするものである。
利、問題点を解決した分散シフト光ファイバおよびその
製造方法に関するもので、この分散シフト光ファイバは
中心部に最大屈折率差ｎ1 、半径ａ1 の第１コア部を有
し、その外周に第１コア部より低屈折率で最大屈折率差
ｎ2 、半径ａ2 の第２コア部を有しており、さらにその
外周に第２コア部より低屈折率であるクラッドを有する
分散シフト光ファイバにおいて、第１コア部分に屈折率
の極大部を有しており、その外側半径がａ1 で、内側半
径ａ0 が下記の式 ０＜ａ1 −ａ0 ＜ａ1 ／100 を満たし、極大部の最大屈折率差ｎ0 が下記の式 ｎ0 ＞ｎ1 である屈折率分布を有することを特徴とするものであ
り、この分散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母材の製
造方法は第１コア用バーナー、第２コア用バーナーおよ
びクラッド用バーナーにガラス原料ガス、酸素ガス、水
素ガスおよび不活性ガスを供給し、形成される酸水素火
炎中でガラス原料ガスの火炎加水分解により発生したガ
ラス微粒子を、回転上昇するターゲット部材に堆積させ
てコア部とクラッド部を有する多孔質ガラス母材を製造
する光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法におい
て、第１コア用バーナーと第２コア用バーナーにドーパ
ントを供給し、形成される多孔質母材の第１コア部の外
周面を加熱することで請求項１に記載された屈折率分布
を形成することを特徴とするものである。
【０００６】すなわち、本発明者らは分散シフト光ファ
イバの屈折率分布を簡単に変更する方法について種々検
討した結果、中心に高屈折率の第１コア部（最大屈折率
差ｎ1 、半径ａ1 ）、その外周に第１コア部よりも低屈
折率の第２コア部（最大屈折率差ｎ2 、半径ａ2 ）、さ
らにその外周に第２コア部よりも低屈折率のクラッド部
を有する分散シフト光ファイバにおいて、図１に示した
ように第１コア部に屈折率の極大部を有する屈折率分布
で、極大部の屈折率差をｎ0 、外側半径をａ1、内側半
径をａ0 としたとき、このａ1 とａ0 とが式０＜ａ1 −
ａ0 ＜ａ1 ／100 を満たし、極大点の最大屈折率差ｎ0
が式ｎ0 ＞ｎ1 であるようにすればこの屈折率分布を簡
単な方法で変更ができることを見出し、これによればλ
ｃが低下すると同時にＭＦＤが増加するのを防止し、あ
るいは低下させると、曲げ損失の増大および分散特性の
悪化が生じなくなり、λｃを低下させてもＭＦＤを増加
しない分散シフト光ファイバを得ることができることを
確認して本発明を完成させた。なお、ｎ0 ≦ｎ1 の場合
にはＭＦＤ増となる場合があり、曲げ損失特性および分
散特性が悪化する。以下にこれをさらに詳述する。
イバの屈折率分布を簡単に変更する方法について種々検
討した結果、中心に高屈折率の第１コア部（最大屈折率
差ｎ1 、半径ａ1 ）、その外周に第１コア部よりも低屈
折率の第２コア部（最大屈折率差ｎ2 、半径ａ2 ）、さ
らにその外周に第２コア部よりも低屈折率のクラッド部
を有する分散シフト光ファイバにおいて、図１に示した
ように第１コア部に屈折率の極大部を有する屈折率分布
で、極大部の屈折率差をｎ0 、外側半径をａ1、内側半
径をａ0 としたとき、このａ1 とａ0 とが式０＜ａ1 −
ａ0 ＜ａ1 ／100 を満たし、極大点の最大屈折率差ｎ0
が式ｎ0 ＞ｎ1 であるようにすればこの屈折率分布を簡
単な方法で変更ができることを見出し、これによればλ
ｃが低下すると同時にＭＦＤが増加するのを防止し、あ
るいは低下させると、曲げ損失の増大および分散特性の
悪化が生じなくなり、λｃを低下させてもＭＦＤを増加
しない分散シフト光ファイバを得ることができることを
確認して本発明を完成させた。なお、ｎ0 ≦ｎ1 の場合
にはＭＦＤ増となる場合があり、曲げ損失特性および分
散特性が悪化する。以下にこれをさらに詳述する。
【０００７】
【作用】本発明は分散シフト光ファイバおよびその製造
方法に関するものであり、この分散シフト光ファイバは
屈折率分布の第１コア部に極大部を設けることにより、
光ファイバを伝搬する光エネルギーの電解分布を図２の
ように中心部に集中させる効果をもつものであり、ｎ0
＞ｎ1 とすると、充分に集中させることができ、このも
のをλｃとＭＦＤの関係で示すと図３に示したように、
曲線Ａがそのまま曲線Ｂに変化し、したがってλｃを1.
50μｍが1.20μｍに低下させた場合にも、極大値を設け
るまでに比べてＭＦＤが殆ど増加せず、曲線のシフトの
程度により減少する可能性もある。ところが、ｎ0 ≦ｎ
1 の場合には、光エネルギーの電解分布への中心部への
集中度が低いためＭＦＤが増加してしまう。
方法に関するものであり、この分散シフト光ファイバは
屈折率分布の第１コア部に極大部を設けることにより、
光ファイバを伝搬する光エネルギーの電解分布を図２の
ように中心部に集中させる効果をもつものであり、ｎ0
＞ｎ1 とすると、充分に集中させることができ、このも
のをλｃとＭＦＤの関係で示すと図３に示したように、
曲線Ａがそのまま曲線Ｂに変化し、したがってλｃを1.
50μｍが1.20μｍに低下させた場合にも、極大値を設け
るまでに比べてＭＦＤが殆ど増加せず、曲線のシフトの
程度により減少する可能性もある。ところが、ｎ0 ≦ｎ
1 の場合には、光エネルギーの電解分布への中心部への
集中度が低いためＭＦＤが増加してしまう。
【０００８】また、分散シフト光ファイバを製造するた
めの分散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方
法は公知のガラス原料ガスの酸水素火炎中での火炎加水
分解で発生したガラス微粒子を回転上昇するターゲット
部材に堆積させてクラッド部を有する多孔質ガラス母材
を製造する方法において、第１コア部と第２コア部にド
ーパントを供給し、形成される多孔質ガラスの第１コア
部の外周面を 500〜 1,000℃に加熱して第１コア部に極
大部を有する屈折率分布を形成させるものであるが、こ
れによれば上記した分散シフト光ファイバ用多孔質ガラ
ス母材を容易に得ることができるという有利性が与えら
れる。
めの分散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方
法は公知のガラス原料ガスの酸水素火炎中での火炎加水
分解で発生したガラス微粒子を回転上昇するターゲット
部材に堆積させてクラッド部を有する多孔質ガラス母材
を製造する方法において、第１コア部と第２コア部にド
ーパントを供給し、形成される多孔質ガラスの第１コア
部の外周面を 500〜 1,000℃に加熱して第１コア部に極
大部を有する屈折率分布を形成させるものであるが、こ
れによれば上記した分散シフト光ファイバ用多孔質ガラ
ス母材を容易に得ることができるという有利性が与えら
れる。
【０００９】なお、ドーパントとして四塩化ゲルマニウ
ムを使用し、第１コアの外周面を第２コア用バーナーあ
るいは加熱用のバーナーによって局部的に加熱して第１
コア部の最外周部分の固溶化GeO2濃度を極端に高濃度化
する屈折率分布の第１コア部分に極大部が形成される。
また、GeO2は揮発性が強いために酸水素火炎中で殆ど気
体分子のまま進行し、多孔質ガラス母材の堆積面に到達
し、冷却されてシリカ微粒子中に析出し、その一部が固
溶化するものと考えられるが、固溶化GeO2の濃度は堆積
面の温度が約 800℃のとき最大となり、 500℃より低温
の場合はシリカ微粒子粘度が低くなるためにシリカ微粒
子中に殆ど析出しなくなるし、 1,000℃より高温の場合
は母材が高密度化してシリカ微粒子中に殆ど析出しなく
なるので、この温度は 500〜 1,000℃、好ましくは 700
〜 900℃とすることがよい。
ムを使用し、第１コアの外周面を第２コア用バーナーあ
るいは加熱用のバーナーによって局部的に加熱して第１
コア部の最外周部分の固溶化GeO2濃度を極端に高濃度化
する屈折率分布の第１コア部分に極大部が形成される。
また、GeO2は揮発性が強いために酸水素火炎中で殆ど気
体分子のまま進行し、多孔質ガラス母材の堆積面に到達
し、冷却されてシリカ微粒子中に析出し、その一部が固
溶化するものと考えられるが、固溶化GeO2の濃度は堆積
面の温度が約 800℃のとき最大となり、 500℃より低温
の場合はシリカ微粒子粘度が低くなるためにシリカ微粒
子中に殆ど析出しなくなるし、 1,000℃より高温の場合
は母材が高密度化してシリカ微粒子中に殆ど析出しなく
なるので、この温度は 500〜 1,000℃、好ましくは 700
〜 900℃とすることがよい。
【００１０】この場合、第１コア部外周面の加熱範囲を
増減させると、第１コア部の最大屈折率差ｎ0 を増減さ
せることができるが、これによれば製造条件を大幅に変
更しなくても、従来の屈折率分布の変更に比べて、多大
な時間と原料の浪費なしで分散シフト光ファイバ用多孔
質ガラス母材を製造することができる。
増減させると、第１コア部の最大屈折率差ｎ0 を増減さ
せることができるが、これによれば製造条件を大幅に変
更しなくても、従来の屈折率分布の変更に比べて、多大
な時間と原料の浪費なしで分散シフト光ファイバ用多孔
質ガラス母材を製造することができる。
【００１１】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげるが、
この分散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造に
使用される多孔質ガラス母材製造装置は図４に示したも
のとされる。図４による多孔質ガラス母材製造装置は反
応容器１に第１コア用バーナー２、第２コア用バーナー
３、クラッド用バーナー４、排煙装置５を設け、この各
バーナーにガラス原料としての SiCl4、火炎形成用ガス
としてのＯ2 とＨ2 および不活性ガスとしてのＡｒガス
を供給し、回転上昇するターゲット６にシリカ微粒子を
堆積させて多孔質ガラス母材７とするものである。
この分散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造に
使用される多孔質ガラス母材製造装置は図４に示したも
のとされる。図４による多孔質ガラス母材製造装置は反
応容器１に第１コア用バーナー２、第２コア用バーナー
３、クラッド用バーナー４、排煙装置５を設け、この各
バーナーにガラス原料としての SiCl4、火炎形成用ガス
としてのＯ2 とＨ2 および不活性ガスとしてのＡｒガス
を供給し、回転上昇するターゲット６にシリカ微粒子を
堆積させて多孔質ガラス母材７とするものである。
【００１２】実施例１ 図４に示した装置を用いて多孔質ガラス母材を製造した
が、λｃが1.30μｍ以下の1.55μｍ帯分散シフト光ファ
イバ用多孔質ガラス母材の製造を行なうために、第１コ
ア部の外周部分を局所的加熱するように第２コア部用バ
ーナーの位置を変更して第１コア部外周面の局部加熱温
度を 830℃となるようにすると共に、λｃ1.30μｍ以下
となるコア／クラッド比となるためにクラッド用バーナ
４に対するガラス原料ガス量を堆積させ、各バーナーの
火炎中で形成されたガラス微粒子を回転上昇するターゲ
ット部材６に堆積させて多孔質ガラス母材７を製造し
た。
が、λｃが1.30μｍ以下の1.55μｍ帯分散シフト光ファ
イバ用多孔質ガラス母材の製造を行なうために、第１コ
ア部の外周部分を局所的加熱するように第２コア部用バ
ーナーの位置を変更して第１コア部外周面の局部加熱温
度を 830℃となるようにすると共に、λｃ1.30μｍ以下
となるコア／クラッド比となるためにクラッド用バーナ
４に対するガラス原料ガス量を堆積させ、各バーナーの
火炎中で形成されたガラス微粒子を回転上昇するターゲ
ット部材６に堆積させて多孔質ガラス母材７を製造し
た。
【００１３】このようにして製造して多孔質ガラス母材
を焼結炉内で脱水し、ガラス透明化して分散シフト光フ
ァイバ用ガラス母材としたのち、このガラス母材を溶
融、線引して分散シフト光ファイバを作成し、この光フ
ァイバの屈折率分布を測定したところ、このものは図１
に示したようにコア部分に極大部が形成されており、こ
れについてのファイバ特性をしらべたところ、これはλ
ｃが1.48μｍから1.17μｍに低下したが、ＭＦＤは7.85
μｍから7.90μｍと殆ど変化しておらず、また曲げ損失
も殆ど変化していないことが確認された。
を焼結炉内で脱水し、ガラス透明化して分散シフト光フ
ァイバ用ガラス母材としたのち、このガラス母材を溶
融、線引して分散シフト光ファイバを作成し、この光フ
ァイバの屈折率分布を測定したところ、このものは図１
に示したようにコア部分に極大部が形成されており、こ
れについてのファイバ特性をしらべたところ、これはλ
ｃが1.48μｍから1.17μｍに低下したが、ＭＦＤは7.85
μｍから7.90μｍと殆ど変化しておらず、また曲げ損失
も殆ど変化していないことが確認された。
【００１４】実施例２ 実施例１と同様の装置を用いてλｃ1.30〜1.55μｍ帯分
散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母材を製造したが、
第１コア部の外周部分を局部的加熱するために第２コア
部用バーナー３のＨ2 ガス流量を増加して火炎条件を変
更して第１コア部外周面の局部的加熱部分の温度を 780
℃とすると共に、λｃ1.30μｍ以下となるコア／クラッ
ド比とするためにクラッド用バーナに供給するガラス原
料ガスを増量して多孔質ガラス母材を製造した。
散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母材を製造したが、
第１コア部の外周部分を局部的加熱するために第２コア
部用バーナー３のＨ2 ガス流量を増加して火炎条件を変
更して第１コア部外周面の局部的加熱部分の温度を 780
℃とすると共に、λｃ1.30μｍ以下となるコア／クラッ
ド比とするためにクラッド用バーナに供給するガラス原
料ガスを増量して多孔質ガラス母材を製造した。
【００１５】ついで、実施例１と同様にして分散シフト
光ファイバ用ガラス母材を作成し、これを溶融、線引し
て光ファイバを作り、この屈折率分布をしらべたとこ
ろ、これには図１に示した用にコア部分に極大部が形成
されていることが確認されたが、このファイバー特性を
しらべたところ、これはλｃ1.52μｍから1.21μｍに低
下していたが、ＭＦＤは7.75μｍから7.78μｍに殆ど変
化しておらず、曲げ損失特性も殆ど変化していることが
確認された。
光ファイバ用ガラス母材を作成し、これを溶融、線引し
て光ファイバを作り、この屈折率分布をしらべたとこ
ろ、これには図１に示した用にコア部分に極大部が形成
されていることが確認されたが、このファイバー特性を
しらべたところ、これはλｃ1.52μｍから1.21μｍに低
下していたが、ＭＦＤは7.75μｍから7.78μｍに殆ど変
化しておらず、曲げ損失特性も殆ど変化していることが
確認された。
【００１６】比較例１ 実施例１と同様の装置を用いてλｃ1.30〜1.55μｍの1.
55帯分散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母材を製造し
たが、λｃ1.30μｍ以下となるコア／クラッド比とする
ためにクラッド用バーナーへのガラス原料ガスの供給量
を増加したが、この場合には第１コア部の外周部分を局
部的加熱するということは行なわずに多孔質ガラス母材
を作成した。
55帯分散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母材を製造し
たが、λｃ1.30μｍ以下となるコア／クラッド比とする
ためにクラッド用バーナーへのガラス原料ガスの供給量
を増加したが、この場合には第１コア部の外周部分を局
部的加熱するということは行なわずに多孔質ガラス母材
を作成した。
【００１７】ついで、これから実施例１と同じ方法で分
散シフト光ファイバ用ガラス母材を作成し、これを溶
融、線引して光ファイバを作り、この屈折率分布をしら
べたところ、コア／クラッド比以外には殆ど変化は認め
られず、このファイバ特性をしらべたところ、このλｃ
は1.50μｍから 1.2μｍに低下していたが、ＭＦＤは7.
79μｍから8.60μｍに大きく増加しており、25φ１ター
ンにおける曲げ損失も0.002dB/kmから1.505dB/kmに非常
に悪化していることが確認された。
散シフト光ファイバ用ガラス母材を作成し、これを溶
融、線引して光ファイバを作り、この屈折率分布をしら
べたところ、コア／クラッド比以外には殆ど変化は認め
られず、このファイバ特性をしらべたところ、このλｃ
は1.50μｍから 1.2μｍに低下していたが、ＭＦＤは7.
79μｍから8.60μｍに大きく増加しており、25φ１ター
ンにおける曲げ損失も0.002dB/kmから1.505dB/kmに非常
に悪化していることが確認された。
【００１８】比較例２ 実施例１と同じ装置を用いてλｃ1.30〜1.55μｍの1.55
μｍ帯分散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母材を製造
したが、この場合屈折率分布を大幅に変更することとし
たところ、この場合には所望とする屈折率分布の変更を
完了することができず、多大な時間、原料および消費し
てしまった。
μｍ帯分散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母材を製造
したが、この場合屈折率分布を大幅に変更することとし
たところ、この場合には所望とする屈折率分布の変更を
完了することができず、多大な時間、原料および消費し
てしまった。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、分散シフト光ファイバ
用多孔質ガラス母材を製造するときに、単に第２コア部
用バーナーの位置を移動するか、ガス条件を変えるだけ
で、屈折率分布の第１コア部分に極大部を形成すること
ができ、これによって多孔質ガラス母材のコア／クラッ
ド比を減少させて分散シフト光ファイバのλｃを低下さ
せた場合でもＭＦＤの増加を防止し、曲げ損失特性の悪
化を防止することができる。したがって、使用波長が1.
55μｍ帯の分散シフト光ファイバを 1.3μｍ帯でも使用
するために、λｃを低下させても曲げ損失特性が良好で
あり、これによれば簡便な方法で曲げ損失特性を悪化さ
せずにλｃを低下させることができ、多大な時間、原料
および労力を消費せずに、コア部材の歩留りを大幅に向
上させたことができ、製造コストの低減化を図ることが
できる。
用多孔質ガラス母材を製造するときに、単に第２コア部
用バーナーの位置を移動するか、ガス条件を変えるだけ
で、屈折率分布の第１コア部分に極大部を形成すること
ができ、これによって多孔質ガラス母材のコア／クラッ
ド比を減少させて分散シフト光ファイバのλｃを低下さ
せた場合でもＭＦＤの増加を防止し、曲げ損失特性の悪
化を防止することができる。したがって、使用波長が1.
55μｍ帯の分散シフト光ファイバを 1.3μｍ帯でも使用
するために、λｃを低下させても曲げ損失特性が良好で
あり、これによれば簡便な方法で曲げ損失特性を悪化さ
せずにλｃを低下させることができ、多大な時間、原料
および労力を消費せずに、コア部材の歩留りを大幅に向
上させたことができ、製造コストの低減化を図ることが
できる。
【図１】本発明の分散シフト光ファイバの半径ｒと屈折
率差（％）との関係図を示したものである。
率差（％）との関係図を示したものである。
【図２】本発明の分散シフト光ファイバの半径ｒと電解
分布との関係図を示したものである。
分布との関係図を示したものである。
【図３】本発明の分散シフト光ファイバのカットオフ波
長（λｃ）とモードフィールド径（ＭＦＤ）との関係図
を示したものである。
長（λｃ）とモードフィールド径（ＭＦＤ）との関係図
を示したものである。
【図４】本発明の方法による分散シフト光ファイバ用多
孔質ガラス母材製造装置の縦断面図を示したものであ
る。
孔質ガラス母材製造装置の縦断面図を示したものであ
る。
【図５】従来公知の分散シフト光ファイバにおけるコア
／クラッド比とカットオフ波長（λｃ）との関係図を示
したものである。
／クラッド比とカットオフ波長（λｃ）との関係図を示
したものである。
【図６】従来公知の分散シフト光ファイバにおけるカッ
トオフ波長（λｃ）とモードフィールド径（ＭＦＤ）と
の関係図を示したものである。
トオフ波長（λｃ）とモードフィールド径（ＭＦＤ）と
の関係図を示したものである。
１…反応容器 ２…第１コア用バーナー ３…第２コア用バーナー ４…クラッド用バーナー ５…排煙装置 ６…ターゲット ７…多孔質ガラス母材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小出 弘行 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (72)発明者 平沢 秀夫 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社 精密機能材料研究所 内 (56)参考文献 特開 平８−5855（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02B 6/00 - 6/22 C03B 37/018
Claims (3)
- 【請求項１】 中心部に最大屈折率差ｎ1 、半径ａ1
の第１コア部を有し、その外周に第１コア部より低屈折
率で最大屈折率差ｎ2 、半径ａ2 の第２コア部を有して
おり、さらにその外周に第２コア部より低屈折率である
クラッドを有する分散シフト光ファイバにおいて、第１
コア部分に屈折率の極大部を有しており、その外側半径
がａ1 で、内側半径ａ0 が下記の式 ０＜ａ1 −ａ0 ＜ａ1 ／100 を満たし、極大部の最大屈折率差ｎ0 が下記の式 ｎ0 ＞ｎ1 である屈折率分布を有することを特徴とする分散シフト
光ファイバ。 - 【請求項２】 第１コア用バーナー、第２コア用バーナ
ーおよびクラッド用バーナーにガラス原料ガス、酸素ガ
ス、水素ガスおよび不活性ガスを供給し、形成される酸
水素火炎中でガラス原料ガスの火炎加水分解により発生
したガラス微粒子を、回転上昇するターゲット部材に堆
積させてコア部とクラッド部を有する多孔質ガラス母材
を製造する光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法に
おいて、第１コア用バーナーと第２コア用バーナーにド
ーパントを供給し、形成される多孔質母材の第１コア部
の外周面を加熱することで請求項１に記載された屈折率
分布を形成することを特徴とする分散シフト光ファイバ
用多孔質ガラス母材の製造方法。 - 【請求項３】 第１コア用バーナー、第２コア用バーナ
ーおよびクラッド用バーナーにガラス原料ガス、酸素ガ
ス、水素ガスおよび不活性ガスを供給し、形成される酸
水素火炎中でガラス原料ガスの火炎加水分解により発生
したガラス微粒子を、回転上昇するターゲット部材に堆
積させてコア部とクラッド部を有する多孔質ガラス母材
を製造する光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法に
おいて、第１コア用バーナーと第２コア用バーナーにド
ーパントを供給し、形成される多孔質ガラス母材の第１
コア部の外周面を 500〜 1,000℃の範囲となるように加
熱して請求項１に記載された屈折率分布を形成させるこ
とを特徴とする分散シフト光ファイバ用多孔質ガラス母
材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06176634A JP3100291B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 分散シフト光ファイバとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06176634A JP3100291B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 分散シフト光ファイバとその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0843663A JPH0843663A (ja) | 1996-02-16 |
| JP3100291B2 true JP3100291B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=16017016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06176634A Expired - Fee Related JP3100291B2 (ja) | 1994-07-28 | 1994-07-28 | 分散シフト光ファイバとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3100291B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5940567A (en) * | 1998-02-20 | 1999-08-17 | Photon-X, Inc. | Optical fibers having an inner core and an outer core |
| JP2001021735A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シングルモード光ファイバ母材の選択方法 |
-
1994
- 1994-07-28 JP JP06176634A patent/JP3100291B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0843663A (ja) | 1996-02-16 |
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