JPH10206669A - 光ファイバ及びその製造方法 - Google Patents
光ファイバ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH10206669A JPH10206669A JP9005671A JP567197A JPH10206669A JP H10206669 A JPH10206669 A JP H10206669A JP 9005671 A JP9005671 A JP 9005671A JP 567197 A JP567197 A JP 567197A JP H10206669 A JPH10206669 A JP H10206669A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- optical fiber
- base material
- refractive index
- glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/01205—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from tubes, rods, fibres or filaments
- C03B37/01225—Means for changing or stabilising the shape, e.g. diameter, of tubes or rods in general, e.g. collapsing
- C03B37/0124—Means for reducing the diameter of rods or tubes by drawing, e.g. for preform draw-down
- C03B37/01242—Controlling or regulating the down-draw process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
- C03B37/01453—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering for doping the preform with flourine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/30—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi
- C03B2201/31—Doped silica-based glasses doped with metals, e.g. Ga, Sn, Sb, Pb or Bi doped with germanium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2203/00—Fibre product details, e.g. structure, shape
- C03B2203/10—Internal structure or shape details
- C03B2203/22—Radial profile of refractive index, composition or softening point
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2203/00—Fibre product details, e.g. structure, shape
- C03B2203/10—Internal structure or shape details
- C03B2203/22—Radial profile of refractive index, composition or softening point
- C03B2203/23—Double or multiple optical cladding profiles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2203/00—Fibre product details, e.g. structure, shape
- C03B2203/10—Internal structure or shape details
- C03B2203/22—Radial profile of refractive index, composition or softening point
- C03B2203/24—Single mode [SM or monomode]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＦＤを大きくし、非線形光学効果による影
響を効果的に抑える構造を備えた光ファイバ及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 この発明に係る光ファイバ１は、屈折率
ｎ1の第１コア１０と、屈折率ｎ2（＜ｎ1）の第２コア
２０と、屈折率ｎ3（＜ｎ2）の第１クラッド３０と、屈
折率ｎ4（＞ｎ3）の第２クラッド４０とを備える。特
に、第２コア２０は２５μｍ〜４０μｍの外径を有し、
このように、第２コア２０の外径をより大きくすること
により、第１及び第２クラッド３０、４０となるべき母
材領域の気相合成法による製造を可能にしている。
響を効果的に抑える構造を備えた光ファイバ及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 この発明に係る光ファイバ１は、屈折率
ｎ1の第１コア１０と、屈折率ｎ2（＜ｎ1）の第２コア
２０と、屈折率ｎ3（＜ｎ2）の第１クラッド３０と、屈
折率ｎ4（＞ｎ3）の第２クラッド４０とを備える。特
に、第２コア２０は２５μｍ〜４０μｍの外径を有し、
このように、第２コア２０の外径をより大きくすること
により、第１及び第２クラッド３０、４０となるべき母
材領域の気相合成法による製造を可能にしている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、長距離大容量光
通信システムに適用可能な光ファイバであって、特に、
波長分割多重（ＷＤＭ）通信方式に好適でかつその零分
散波長が所望範囲範囲内に設定された分散シフトファイ
バに関するものである。
通信システムに適用可能な光ファイバであって、特に、
波長分割多重（ＷＤＭ）通信方式に好適でかつその零分
散波長が所望範囲範囲内に設定された分散シフトファイ
バに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、伝送路としてシングルモード
光ファイバ（以下、ＳＭ光ファイバという）が適用され
た光通信システムでは、通信用信号光として１．３μｍ
波長帯あるいは１．５５μｍ波長帯の光が利用されるこ
とが多かった。ただし、最近では、伝送路中における伝
送損失低減の観点から１．５５μｍ波長帯の光の使用が
増しつつある。特に、１．５５μｍ波長帯の光の伝送路
に適用されるＳＭ光ファイバ（以下、１．５５μｍ用Ｓ
Ｍ光ファイバという）は、石英系ＳＭ光ファイバの伝送
損失が１．５５μｍ波長帯の光に対して最小になること
から、その波長分散（波長によって光の伝搬速度が異な
るためパルス波が広がる現象）も１．５５μｍ波長帯の
光に対してゼロになるよう設計されている。このよう
に、ゼロ分散波長が１．５５μｍ波長帯付近にシフトし
た１．５５μｍ用ＳＭ光ファイバは、一般に分散シフト
ファイバと呼ばれる。
光ファイバ（以下、ＳＭ光ファイバという）が適用され
た光通信システムでは、通信用信号光として１．３μｍ
波長帯あるいは１．５５μｍ波長帯の光が利用されるこ
とが多かった。ただし、最近では、伝送路中における伝
送損失低減の観点から１．５５μｍ波長帯の光の使用が
増しつつある。特に、１．５５μｍ波長帯の光の伝送路
に適用されるＳＭ光ファイバ（以下、１．５５μｍ用Ｓ
Ｍ光ファイバという）は、石英系ＳＭ光ファイバの伝送
損失が１．５５μｍ波長帯の光に対して最小になること
から、その波長分散（波長によって光の伝搬速度が異な
るためパルス波が広がる現象）も１．５５μｍ波長帯の
光に対してゼロになるよう設計されている。このよう
に、ゼロ分散波長が１．５５μｍ波長帯付近にシフトし
た１．５５μｍ用ＳＭ光ファイバは、一般に分散シフト
ファイバと呼ばれる。
【０００３】従来の分散シフトファイバとしては、例え
ば特許番号第２５３３０８３号公報（第１従来例）に、
その零分散波長が１．５５μｍ付近にシフトされた分散
シフトファイバの断面構造、組成及びその製造方法が開
示されている。この第１従来例の分散シフトファイバ
は、ＧｅＯ2−ＳｉＯ2（ゲルマニウムを含むＳｉＯ2）
からなる内側コアと、ＳｉＯ2からなる外側コアと、Ｆ
−ＳｉＯ2（フッ素を含むＳｉＯ2）からなるクラッドと
を備えている。ただし、この第１従来例の分散シフトフ
ァイバの屈折率プロファイルは、クラッドに相当する部
分に凹みを持たない、いわゆるMatched 型プロファイル
であり、このMatched 型プロファイルを有する光ファイ
バをこの明細書ではMatched 型ファイバという。一方、
クラッドに相当する部分に凹みが設けられた屈折率プロ
ファイルは、Depressed cladding型プロファイルと言わ
れ、特にこの明細書では、このDepressed cladding 型
プロファイルを有する光ファイバをDepressed 型ファイ
バという。なお、この第１従来例の分散シフトファイバ
の構造では、１．５５μｍ付近の零分散波長の設定のみ
が実現可能である。
ば特許番号第２５３３０８３号公報（第１従来例）に、
その零分散波長が１．５５μｍ付近にシフトされた分散
シフトファイバの断面構造、組成及びその製造方法が開
示されている。この第１従来例の分散シフトファイバ
は、ＧｅＯ2−ＳｉＯ2（ゲルマニウムを含むＳｉＯ2）
からなる内側コアと、ＳｉＯ2からなる外側コアと、Ｆ
−ＳｉＯ2（フッ素を含むＳｉＯ2）からなるクラッドと
を備えている。ただし、この第１従来例の分散シフトフ
ァイバの屈折率プロファイルは、クラッドに相当する部
分に凹みを持たない、いわゆるMatched 型プロファイル
であり、このMatched 型プロファイルを有する光ファイ
バをこの明細書ではMatched 型ファイバという。一方、
クラッドに相当する部分に凹みが設けられた屈折率プロ
ファイルは、Depressed cladding型プロファイルと言わ
れ、特にこの明細書では、このDepressed cladding 型
プロファイルを有する光ファイバをDepressed 型ファイ
バという。なお、この第１従来例の分散シフトファイバ
の構造では、１．５５μｍ付近の零分散波長の設定のみ
が実現可能である。
【０００４】また、特開昭６３−２０８００５号公報
（第２従来例）には、コアの外周に該コアよりも低い屈
折率を有する第１クラッドと、該第１クラッドの外周に
該第１クラッドよりも高い屈折率を有する第２クラッド
を備えた、Depressed cladding型プロファイルを有する
分散シフトファイバが開示されている。この第２従来例
の分散シフトファイバの目的は、１．３μｍ〜１．５μ
ｍ波長帯の広範囲に渡って波長分散を抑えることにあ
る。
（第２従来例）には、コアの外周に該コアよりも低い屈
折率を有する第１クラッドと、該第１クラッドの外周に
該第１クラッドよりも高い屈折率を有する第２クラッド
を備えた、Depressed cladding型プロファイルを有する
分散シフトファイバが開示されている。この第２従来例
の分散シフトファイバの目的は、１．３μｍ〜１．５μ
ｍ波長帯の広範囲に渡って波長分散を抑えることにあ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年、高速かつ大容量
の伝送システムの構築が盛んに研究されているが、その
うち、特に、波長分割多重（ＷＤＭ）方式の伝送システ
ムが注目を集めている。この方式は、互いに波長の異な
る複数の信号光を同時に１つの伝送路で伝送する方式で
あり、伝送可能な情報量を飛躍的に増加させる技術であ
る。
の伝送システムの構築が盛んに研究されているが、その
うち、特に、波長分割多重（ＷＤＭ）方式の伝送システ
ムが注目を集めている。この方式は、互いに波長の異な
る複数の信号光を同時に１つの伝送路で伝送する方式で
あり、伝送可能な情報量を飛躍的に増加させる技術であ
る。
【０００６】このような伝送システムを実現するため、
伝送路として適用される光ファイバには様々な新しい仕
様が要求されており、上述したような従来の分散シフト
ファイバでは既に対応できない状況となってきている。
伝送路として適用される光ファイバには様々な新しい仕
様が要求されており、上述したような従来の分散シフト
ファイバでは既に対応できない状況となってきている。
【０００７】特に、従来の分散シフトファイバのモード
フィールド径（ＭＦＤ）は８μｍ程度であり、信号光の
パワーが大きくなると非線形光学効果による影響が発生
しやすくなる。また、伝送システムに適用される各分散
シフトファイバ間では波長分散のバラツキが大きいた
め、信号光波長とそれらの零分散波長とが一致してしま
うと、非線形光学効果の一つである四光波混合によるノ
イズが発生しやすくなるなどの課題があった。
フィールド径（ＭＦＤ）は８μｍ程度であり、信号光の
パワーが大きくなると非線形光学効果による影響が発生
しやすくなる。また、伝送システムに適用される各分散
シフトファイバ間では波長分散のバラツキが大きいた
め、信号光波長とそれらの零分散波長とが一致してしま
うと、非線形光学効果の一つである四光波混合によるノ
イズが発生しやすくなるなどの課題があった。
【０００８】なお、非線形光学効果とは、光強度の密度
等の増大とともに信号光パルスが歪む現象であり、伝送
速度の大きな制約要因となる。
等の増大とともに信号光パルスが歪む現象であり、伝送
速度の大きな制約要因となる。
【０００９】この発明は上記のような課題を解決するた
めになされたもので、ＭＦＤを大きくし、非線形光学効
果による影響を効果的に抑える構造を備えた光ファイバ
及びその製造方法を提供することを目的としている。
めになされたもので、ＭＦＤを大きくし、非線形光学効
果による影響を効果的に抑える構造を備えた光ファイバ
及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光ファイ
バは、ＭＦＤが８．６μｍ以上、好ましくは９μｍ以上
であり、かつその零分散波長を代表的な信号光波長であ
る１．５５μｍよりも長波長側あるいは短波長側にシフ
トさせた分散シフトファイバであって、石英ガラスを主
成分とするシングルモード光ファイバである。当該分散
シフトファイバでは、その零分散波長を信号光波長から
所定量ずらすことにより、故意に波長分散を発生させ、
非線形光学効果の影響を抑えているので、各分散シフト
ファイバ間での零分散波長のバラツキを許容した伝送シ
ステムの構築を可能にしている。
バは、ＭＦＤが８．６μｍ以上、好ましくは９μｍ以上
であり、かつその零分散波長を代表的な信号光波長であ
る１．５５μｍよりも長波長側あるいは短波長側にシフ
トさせた分散シフトファイバであって、石英ガラスを主
成分とするシングルモード光ファイバである。当該分散
シフトファイバでは、その零分散波長を信号光波長から
所定量ずらすことにより、故意に波長分散を発生させ、
非線形光学効果の影響を抑えているので、各分散シフト
ファイバ間での零分散波長のバラツキを許容した伝送シ
ステムの構築を可能にしている。
【００１１】また、この発明に係る光ファイバは、図１
に示されたように、第１の屈折率ｎ1を有する第１コア
１０（内側コア）と、該内側コア１０の外周に設けられ
かつ第１の屈折率ｎ1よりも低い第２の屈折率ｎ2を有す
る第２コア２０（外側コア）と、該外側コア２０の外周
に設けられかつ第２の屈折率ｎ2よりも低い第３の屈折
率ｎ3を有する第１クラッド３０（内側クラッド）と、
そして、該内側クラッド３０の外周に設けられ、第３の
屈折率ｎ3よりも高くかつ第２の屈折率ｎ2よりも低い第
４の屈折率ｎ4を有する第２クラッド４０（外側クラッ
ド）とを備えている。
に示されたように、第１の屈折率ｎ1を有する第１コア
１０（内側コア）と、該内側コア１０の外周に設けられ
かつ第１の屈折率ｎ1よりも低い第２の屈折率ｎ2を有す
る第２コア２０（外側コア）と、該外側コア２０の外周
に設けられかつ第２の屈折率ｎ2よりも低い第３の屈折
率ｎ3を有する第１クラッド３０（内側クラッド）と、
そして、該内側クラッド３０の外周に設けられ、第３の
屈折率ｎ3よりも高くかつ第２の屈折率ｎ2よりも低い第
４の屈折率ｎ4を有する第２クラッド４０（外側クラッ
ド）とを備えている。
【００１２】特に、この発明に係る光ファイバは、上述
した構成からも分るように、Depressed cladding 型の
屈折率プロファイルを有し、上記外側コア２０は、２５
μｍ以上かつ４０μｍ以下の外径を有している。
した構成からも分るように、Depressed cladding 型の
屈折率プロファイルを有し、上記外側コア２０は、２５
μｍ以上かつ４０μｍ以下の外径を有している。
【００１３】また、このDepressed cladding 型の屈折
率プロファイルは、基本組成として、内側コア１０を少
なくともゲルマニウム（屈折率を上げるための添加物）
を含む石英ガラス（ＧｅＯ2−ＳｉＯ2）、外側コア２０
を実質的にゲルマニウムを含まない石英ガラス（ＳｉＯ
2）あるいはゲルマニウムを含む石英ガラス（ＧｅＯ2−
ＳｉＯ2）、内側クラッド３０を少なくともフッ素（屈
折率を低下させるための添加物）を含む石英ガラス（Ｆ
−ＳｉＯ2）、そして、外側クラッド４０を少なくとも
フッ素を含む石英ガラス（Ｆ−ＳｉＯ2）とすることに
より実現可能である。なお、当該光ファイバのように外
側コア２０の断面積（信号光の進行方向に対して垂直な
面）を大きくした場合（外径は２５μｍ以上かつ４０μ
ｍ以下）、該外側コア２０にＧｅＯ2を添加すると、該
外側コア２０の屈折率プロファイルの径方向の平坦化が
難しくなる。このため、該外側コア２０はゲルマニウム
を含まない方がより好ましい。
率プロファイルは、基本組成として、内側コア１０を少
なくともゲルマニウム（屈折率を上げるための添加物）
を含む石英ガラス（ＧｅＯ2−ＳｉＯ2）、外側コア２０
を実質的にゲルマニウムを含まない石英ガラス（ＳｉＯ
2）あるいはゲルマニウムを含む石英ガラス（ＧｅＯ2−
ＳｉＯ2）、内側クラッド３０を少なくともフッ素（屈
折率を低下させるための添加物）を含む石英ガラス（Ｆ
−ＳｉＯ2）、そして、外側クラッド４０を少なくとも
フッ素を含む石英ガラス（Ｆ−ＳｉＯ2）とすることに
より実現可能である。なお、当該光ファイバのように外
側コア２０の断面積（信号光の進行方向に対して垂直な
面）を大きくした場合（外径は２５μｍ以上かつ４０μ
ｍ以下）、該外側コア２０にＧｅＯ2を添加すると、該
外側コア２０の屈折率プロファイルの径方向の平坦化が
難しくなる。このため、該外側コア２０はゲルマニウム
を含まない方がより好ましい。
【００１４】次に、この発明に係る光ファイバの製造方
法は、上述の構造を備えた光ファイバを得るべく、気相
合成法により、長手方向に沿ってその中央部分が上記内
側コア１０となり、該中央部分を取り囲む周辺部分が上
記外側コア２０となるべき多孔質母材（スート・プリフ
ォーム）を形成する第１工程と、この多孔質母材を焼結
しコアガラス母材を得る第２工程と、該第２工程で得ら
れたコアガラス母材を所望の外径に延伸した後、気相合
成法により、該延伸されたコアガラス母材の外周に上記
内側クラッド３０となるべき第１多孔質ガラス体（スス
体）を堆積させ、第１複合母材を得る第３工程と、該第
３工程で得られた第１複合母材を、フッ素原料を含む雰
囲気中で焼結し中間母材を得る第４工程と、該第４工程
で得られた中間母材を所望の外径に延伸した後、気相合
成法により、該延伸された中間母材の外周に上記外側ク
ラッド４０となるべき第２多孔質ガラス体（スス体）を
堆積させ、第２複合母材を得る第５工程と、該第５工程
で得られた第２複合母材を焼結し光ファイバ母材を得る
第６工程と、そして、該第６工程で得られた光ファイバ
母材の一端を加熱しながら線引する第７工程とを備えて
いる。なお、第６工程における第２複合母材の焼結は、
フッ素原料を含む雰囲気中で行われている。
法は、上述の構造を備えた光ファイバを得るべく、気相
合成法により、長手方向に沿ってその中央部分が上記内
側コア１０となり、該中央部分を取り囲む周辺部分が上
記外側コア２０となるべき多孔質母材（スート・プリフ
ォーム）を形成する第１工程と、この多孔質母材を焼結
しコアガラス母材を得る第２工程と、該第２工程で得ら
れたコアガラス母材を所望の外径に延伸した後、気相合
成法により、該延伸されたコアガラス母材の外周に上記
内側クラッド３０となるべき第１多孔質ガラス体（スス
体）を堆積させ、第１複合母材を得る第３工程と、該第
３工程で得られた第１複合母材を、フッ素原料を含む雰
囲気中で焼結し中間母材を得る第４工程と、該第４工程
で得られた中間母材を所望の外径に延伸した後、気相合
成法により、該延伸された中間母材の外周に上記外側ク
ラッド４０となるべき第２多孔質ガラス体（スス体）を
堆積させ、第２複合母材を得る第５工程と、該第５工程
で得られた第２複合母材を焼結し光ファイバ母材を得る
第６工程と、そして、該第６工程で得られた光ファイバ
母材の一端を加熱しながら線引する第７工程とを備えて
いる。なお、第６工程における第２複合母材の焼結は、
フッ素原料を含む雰囲気中で行われている。
【００１５】特に、この発明に係る光ファイバの製造方
法では、製造される当該光ファイバの外側コア２０の外
径が２５μｍ〜４０μｍと大きいため、内側クラッド３
０となるべき第１多孔質ガラス体のガラス合成（第３工
程）と、外側クラッド４０となるべき第２多孔質ガラス
体のガラス合成（第５工程）とを、いずれもＶＡＤ（Va
por phase axial deposition）法、ＯＶＤ（Outside va
por phase deposition）法等の気相合成法により行うこ
とを特徴としている。なお、このように内側及び外側ク
ラッド３０、４０に相当する部分を気相合成法により製
造できない場合には、ロッドインコラップスによる製造
方法となるため、得られる母材サイズが小さく制限され
生産性を上げることが難しくなる。
法では、製造される当該光ファイバの外側コア２０の外
径が２５μｍ〜４０μｍと大きいため、内側クラッド３
０となるべき第１多孔質ガラス体のガラス合成（第３工
程）と、外側クラッド４０となるべき第２多孔質ガラス
体のガラス合成（第５工程）とを、いずれもＶＡＤ（Va
por phase axial deposition）法、ＯＶＤ（Outside va
por phase deposition）法等の気相合成法により行うこ
とを特徴としている。なお、このように内側及び外側ク
ラッド３０、４０に相当する部分を気相合成法により製
造できない場合には、ロッドインコラップスによる製造
方法となるため、得られる母材サイズが小さく制限され
生産性を上げることが難しくなる。
【００１６】この発明に係る光ファイバの製造方法で
は、製造される光ファイバの外側コア２０の外径をより
大きく２５μｍ〜４０μｍの範囲に設定することによ
り、特に上述の第３工程を気相合成法で行うことを可能
にしており（第５工程も同様に気相合成法で行うことが
可能）、また、上述した各工程は、該光ファイバの外側
コア２０の外径が所望の範囲になるよう、それぞれ調節
される。
は、製造される光ファイバの外側コア２０の外径をより
大きく２５μｍ〜４０μｍの範囲に設定することによ
り、特に上述の第３工程を気相合成法で行うことを可能
にしており（第５工程も同様に気相合成法で行うことが
可能）、また、上述した各工程は、該光ファイバの外側
コア２０の外径が所望の範囲になるよう、それぞれ調節
される。
【００１７】また、この発明に係る光ファイバの製造方
法は、第１工程で得られた多孔質母材を、第２工程に先
立ってハロゲンガスを含む雰囲気中で加熱することによ
り、該多孔質母材の脱水処理を行っている。従って、製
造される光ファイバの内側コア１０及び外側コア２０に
は、それぞれ所定濃度の塩素が含まれている。そして、
第３工程で得られた第１複合母材に対しても、第４工程
に先立ってハロゲンガスを含む雰囲気中で加熱すること
により、第１多孔質ガラス体の脱水処理を行っている。
従って、製造される光ファイバの内側クラッド３０にも
所定濃度の塩素が含まれている。この内側クラッド３０
に相当する母材領域に対して脱水処理を行うのは、外側
コア２０の外周に気相合成法（火炎加水分解反応を利用
してガラス微粒子を堆積させる方法）により多孔質ガラ
ス体（スス体）を形成しても、製造される当該光ファイ
バにおけるＯＨ吸収の影響を緩和させることができるか
らである。
法は、第１工程で得られた多孔質母材を、第２工程に先
立ってハロゲンガスを含む雰囲気中で加熱することによ
り、該多孔質母材の脱水処理を行っている。従って、製
造される光ファイバの内側コア１０及び外側コア２０に
は、それぞれ所定濃度の塩素が含まれている。そして、
第３工程で得られた第１複合母材に対しても、第４工程
に先立ってハロゲンガスを含む雰囲気中で加熱すること
により、第１多孔質ガラス体の脱水処理を行っている。
従って、製造される光ファイバの内側クラッド３０にも
所定濃度の塩素が含まれている。この内側クラッド３０
に相当する母材領域に対して脱水処理を行うのは、外側
コア２０の外周に気相合成法（火炎加水分解反応を利用
してガラス微粒子を堆積させる方法）により多孔質ガラ
ス体（スス体）を形成しても、製造される当該光ファイ
バにおけるＯＨ吸収の影響を緩和させることができるか
らである。
【００１８】特に、内側クラッド３０における塩素含有
量は、内側及び外側コア１０、２０における塩素含有量
よりも少ないことが好ましい。塩素は屈折率を上げる添
加物と知られており、コア領域（内側及び外側コア１
０、２０を含む）に塩素を添加することにより、当該光
ファイバの屈折率プロファイルの形状を変えることなく
クラッド領域（内側及び外側クラッド３０、４０を含
む）に添加されるフッ素（屈折率低下剤）の添加量を低
減させることが可能となるからである。
量は、内側及び外側コア１０、２０における塩素含有量
よりも少ないことが好ましい。塩素は屈折率を上げる添
加物と知られており、コア領域（内側及び外側コア１
０、２０を含む）に塩素を添加することにより、当該光
ファイバの屈折率プロファイルの形状を変えることなく
クラッド領域（内側及び外側クラッド３０、４０を含
む）に添加されるフッ素（屈折率低下剤）の添加量を低
減させることが可能となるからである。
【００１９】このように、クラッド領域へのフッ素添加
量を低減できることから、上記第６工程におけるフッ素
原料を含む雰囲気中での第２複合母材の焼結処理（フッ
素添加処理を含む）に代え、第５工程において、第４工
程で得られた中間母材の外周に、フッ素系ガスを供給す
ることにより第２多孔質ガラス体を堆積させ、第２複合
母材を得ることも可能となる。なお、この場合、第６工
程では第５工程で得られた第２複合母材の焼結のみが行
われるので、焼結時間の短縮が可能となり生産性の大幅
な向上が期待できる。
量を低減できることから、上記第６工程におけるフッ素
原料を含む雰囲気中での第２複合母材の焼結処理（フッ
素添加処理を含む）に代え、第５工程において、第４工
程で得られた中間母材の外周に、フッ素系ガスを供給す
ることにより第２多孔質ガラス体を堆積させ、第２複合
母材を得ることも可能となる。なお、この場合、第６工
程では第５工程で得られた第２複合母材の焼結のみが行
われるので、焼結時間の短縮が可能となり生産性の大幅
な向上が期待できる。
【００２０】また、上述の脱水処理、すなわちハロゲン
ガスを含む雰囲気中で行われる加熱処理は、第６工程に
先立って第５工程で得られた第２複合母材に対して行っ
てもよい。この場合、必然的に製造される光ファイバの
外側クラッド４０は塩素を含んでいる。
ガスを含む雰囲気中で行われる加熱処理は、第６工程に
先立って第５工程で得られた第２複合母材に対して行っ
てもよい。この場合、必然的に製造される光ファイバの
外側クラッド４０は塩素を含んでいる。
【００２１】なお、上述の脱水処理に使用されるハロゲ
ンガスとしては、ＳｉＣｌ4が好ましい。
ンガスとしては、ＳｉＣｌ4が好ましい。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施例を図１
〜図８を用いて説明する。なお、図中同一部分には同一
符号を付して説明を省略する。
〜図８を用いて説明する。なお、図中同一部分には同一
符号を付して説明を省略する。
【００２３】図１は、この発明に係る光ファイバ（Depr
essed cladding 型プロファイルを有する分散シフトフ
ァイバ）の断面構造及びその屈折率プロファイルを示す
図である。特に、この発明に係る光ファイバ１は、モー
ドフィールド径（ＭＦＤ）が８．６μｍ以上（好ましく
は９μｍ以上）かつその零分散波長が１．５５μｍより
も長波長側あるいは短波長側にシフトされた分散シフト
ファイバであって、石英ガラスを主成分とするシングル
モード光ファイバである。
essed cladding 型プロファイルを有する分散シフトフ
ァイバ）の断面構造及びその屈折率プロファイルを示す
図である。特に、この発明に係る光ファイバ１は、モー
ドフィールド径（ＭＦＤ）が８．６μｍ以上（好ましく
は９μｍ以上）かつその零分散波長が１．５５μｍより
も長波長側あるいは短波長側にシフトされた分散シフト
ファイバであって、石英ガラスを主成分とするシングル
モード光ファイバである。
【００２４】この図において、当該光ファイバ１は、コ
ア領域として、第１の屈折率ｎ1を有する、外径ａの内
側コア１０と、該内側コア１０の外周に設けられかつ第
１の屈折率ｎ1よりも低い第２の屈折率ｎ2を有する外側
コア２０を備えている。また、外側コア２０はその外径
を２５μｍ〜４０μｍの範囲に設定することにより広い
断面積を有している。
ア領域として、第１の屈折率ｎ1を有する、外径ａの内
側コア１０と、該内側コア１０の外周に設けられかつ第
１の屈折率ｎ1よりも低い第２の屈折率ｎ2を有する外側
コア２０を備えている。また、外側コア２０はその外径
を２５μｍ〜４０μｍの範囲に設定することにより広い
断面積を有している。
【００２５】さらに、上記コア領域（内側及び外側コア
１０、２０を含む）の外周には、クラッド領域として、
外側コア２０の外周に設けられかつ第２の屈折率ｎ2よ
りも低い第３の屈折率ｎ3を有する、外径ｃの内側クラ
ッド３０と、該内側クラッド３０の外周に設けられたガ
ラス領域であって、第３の屈折率ｎ3よりも高くかつ第
２の屈折率ｎ2よりも低い第４の屈折率ｎ4を有する、外
径ｄの外側クラッド４０を備えることにより、クラッド
領域に相当する部分に凹みＡが設けられたDepressed cl
adding 型プロファイルを実現している（図１参照）。
１０、２０を含む）の外周には、クラッド領域として、
外側コア２０の外周に設けられかつ第２の屈折率ｎ2よ
りも低い第３の屈折率ｎ3を有する、外径ｃの内側クラ
ッド３０と、該内側クラッド３０の外周に設けられたガ
ラス領域であって、第３の屈折率ｎ3よりも高くかつ第
２の屈折率ｎ2よりも低い第４の屈折率ｎ4を有する、外
径ｄの外側クラッド４０を備えることにより、クラッド
領域に相当する部分に凹みＡが設けられたDepressed cl
adding 型プロファイルを実現している（図１参照）。
【００２６】なお、図１に示された屈折率プロファイル
１５０の横軸は、当該光ファイバ１（Depressed 型ファ
イバ）の断面（伝搬する信号光の進行方向に対して垂直
な面）における線Ｌ上の各位置に相当している。さら
に、この屈折率プロファイル１５０において、領域１０
１は上記内側コア１０の線Ｌ上の各部位の屈折率
（ｎ1）、領域１０２は上記外側コア２０の線Ｌ上の各
部位の屈折率（ｎ2）、領域１０３は上記内側クラッド
３０の線Ｌ上の各部位の屈折率（ｎ3）、領域１０４は
上記外側クラッド４０の線Ｌ上の各部位の屈折率
（ｎ4）に対応している。
１５０の横軸は、当該光ファイバ１（Depressed 型ファ
イバ）の断面（伝搬する信号光の進行方向に対して垂直
な面）における線Ｌ上の各位置に相当している。さら
に、この屈折率プロファイル１５０において、領域１０
１は上記内側コア１０の線Ｌ上の各部位の屈折率
（ｎ1）、領域１０２は上記外側コア２０の線Ｌ上の各
部位の屈折率（ｎ2）、領域１０３は上記内側クラッド
３０の線Ｌ上の各部位の屈折率（ｎ3）、領域１０４は
上記外側クラッド４０の線Ｌ上の各部位の屈折率
（ｎ4）に対応している。
【００２７】この発明に係る光ファイバ１の基本組成
は、内側コア１０がＧｅＯ2−ＳｉＯ2、外側コア２０が
ＳｉＯ2あるいはＧｅＯ2−ＳｉＯ2、内側クラッド３０
がＦ−ＳｉＯ2、そして、外側クラッド４０がＦ−Ｓｉ
Ｏ2である。
は、内側コア１０がＧｅＯ2−ＳｉＯ2、外側コア２０が
ＳｉＯ2あるいはＧｅＯ2−ＳｉＯ2、内側クラッド３０
がＦ−ＳｉＯ2、そして、外側クラッド４０がＦ−Ｓｉ
Ｏ2である。
【００２８】ただし、この発明に係る光ファイバ１は、
後述するように少なくとも内側コア１０及び外側コア２
０には塩素が含まれるため、実際の組成及び純石英ガラ
スに対する比屈折率差Δは以下のようになる。
後述するように少なくとも内側コア１０及び外側コア２
０には塩素が含まれるため、実際の組成及び純石英ガラ
スに対する比屈折率差Δは以下のようになる。
【００２９】 内側コア ：ＳｉＯ2＋ＧｅＯ2＋Ｃｌ Δ＝（α＋０．８）％〜（α＋０．９）％ 外側コア ：ＳｉＯ2＋（ＧｅＯ2）＋Ｃｌ Δ＝α％ 内側クラッド：ＳｉＯ2＋Ｆ＋（Ｃｌ） Δ＝（α−０．３）％〜（α−０．１）％ 外側クラッド：ＳｉＯ2＋Ｆ＋（Ｃｌ） Δ＝（α−０．１５）％〜（α−０．０５）％ なお、αは屈折率変化に対する塩素（Ｃｌ）の寄与分で
あり、α＝０．１〜０．２％である（Ｃｌは屈折率を上
げる添加物として知られており、該Ｃｌによる屈折率変
化は、該Ｃｌの濃度１０００ｐｐｍ当たり０．０１％で
ある）。また、この明細書において各ガラス領域の比屈
折率差Δは純石英ガラスを基準にして以下のように定義
されている。
あり、α＝０．１〜０．２％である（Ｃｌは屈折率を上
げる添加物として知られており、該Ｃｌによる屈折率変
化は、該Ｃｌの濃度１０００ｐｐｍ当たり０．０１％で
ある）。また、この明細書において各ガラス領域の比屈
折率差Δは純石英ガラスを基準にして以下のように定義
されている。
【００３０】 Δ＝（ｎt 2−ｎ0 2）／２ｎ0 2≒（ｎt−ｎ0）／ｎ0 ここで、ｎ0は基準となる純石英ガラスの屈折率、ｎtは
各ガラス領域の屈折率を示す。
各ガラス領域の屈折率を示す。
【００３１】次に、この発明に係る光ファイバ１の製造
方法について、図２〜図８を用いて説明する。
方法について、図２〜図８を用いて説明する。
【００３２】当該製造方法では、第１工程で内側コア１
０と外側コア２０を含むコア領域となるべき多孔質母材
５０をＶＡＤ（Vapor phase axial deposition）法、Ｏ
ＶＤ（Outside vapor phase deposition）法等の気相合
成法により形成し、第２工程で該多孔質母材５０を焼結
してコアガラス母材５１を得る。
０と外側コア２０を含むコア領域となるべき多孔質母材
５０をＶＡＤ（Vapor phase axial deposition）法、Ｏ
ＶＤ（Outside vapor phase deposition）法等の気相合
成法により形成し、第２工程で該多孔質母材５０を焼結
してコアガラス母材５１を得る。
【００３３】図２は上記ＶＡＤ法による第１工程から第
２工程までの各処理を説明するための図であり、図３は
上記ＯＶＤ法による第１工程から第２工程までの各処理
を説明するための図である。
２工程までの各処理を説明するための図であり、図３は
上記ＯＶＤ法による第１工程から第２工程までの各処理
を説明するための図である。
【００３４】まず、ＶＡＤ法による第１工程〜第２工程
までを図２を用いて説明する。
までを図２を用いて説明する。
【００３５】第１工程では、図２（ａ）に示されたスス
付け装置により多孔質母材５０が製造される。このスス
付け装置は、少なくとも排気口５０４を備えた容器５０
０と、多孔質母材５０を支持するための支持機構５０３
を備えている。また、支持機構５０３には回転可能な支
持棒５０２が設けられており、この支持棒５０２の先端
には多孔質母材５０を成長させるための出発棒５０１が
取り付けられている。
付け装置により多孔質母材５０が製造される。このスス
付け装置は、少なくとも排気口５０４を備えた容器５０
０と、多孔質母材５０を支持するための支持機構５０３
を備えている。また、支持機構５０３には回転可能な支
持棒５０２が設けられており、この支持棒５０２の先端
には多孔質母材５０を成長させるための出発棒５０１が
取り付けられている。
【００３６】図２（ａ）のスス付け装置には、さらに内
側コア１０となるべき多孔質ガラス体（スス体）を堆積
させるためのバーナー５５２と、外側コア２０となるべ
き多孔質ガラス体（スス体）を堆積させるためのバーナ
ー５５１が設けられており、ガス供給システム６００か
らは各バーナー５５１、５５２に対して所望の原料ガス
（例えばＧｅＣｌ4、ＳｉＣｌ4等）、燃焼ガス（Ｈ2及
びＯ2）、及びＡｒやＨｅ等のキャリアガスが供給され
る。
側コア１０となるべき多孔質ガラス体（スス体）を堆積
させるためのバーナー５５２と、外側コア２０となるべ
き多孔質ガラス体（スス体）を堆積させるためのバーナ
ー５５１が設けられており、ガス供給システム６００か
らは各バーナー５５１、５５２に対して所望の原料ガス
（例えばＧｅＣｌ4、ＳｉＣｌ4等）、燃焼ガス（Ｈ2及
びＯ2）、及びＡｒやＨｅ等のキャリアガスが供給され
る。
【００３７】多孔質母材５０の製造中、バーナー５５２
及びバーナー５５１の火炎中では、ガス供給システム６
００から供給された原料ガスの加水分解反応によりガラ
ス微粒子が生成され、これらガラス微粒子が出発棒５０
１の先端部分に堆積していく。この間、支持機構５０３
は、その先端に設けられた支持棒５０２を矢印Ｓ１で示
された方向に回転させながら矢印Ｓ２で示された方向
（多孔質母材５０の長手方向）に沿って引き上げる動作
を行っている。この動作により、多孔質ガラス体が出発
棒５０１から下方に向かって成長していき、長手方向に
沿ってその中央部分が内側コア１０となり、該中央部分
を取り囲む周辺部分が外側コア２０となるべき多孔質母
材５０（スート・プリフォーム）が得られる。
及びバーナー５５１の火炎中では、ガス供給システム６
００から供給された原料ガスの加水分解反応によりガラ
ス微粒子が生成され、これらガラス微粒子が出発棒５０
１の先端部分に堆積していく。この間、支持機構５０３
は、その先端に設けられた支持棒５０２を矢印Ｓ１で示
された方向に回転させながら矢印Ｓ２で示された方向
（多孔質母材５０の長手方向）に沿って引き上げる動作
を行っている。この動作により、多孔質ガラス体が出発
棒５０１から下方に向かって成長していき、長手方向に
沿ってその中央部分が内側コア１０となり、該中央部分
を取り囲む周辺部分が外側コア２０となるべき多孔質母
材５０（スート・プリフォーム）が得られる。
【００３８】続いて、上述の第１工程で得られた多孔質
母材５０は、図２（ｂ）に示された加熱容器７００内に
設置され、ハロゲンガスを含む雰囲気中で脱水処理が施
される。なお、この加熱容器７００には該ハロゲンガス
を供給するための導入口７０２と排気口７０１が設けら
れている。また、この脱水処理中、支持機構５０３は多
孔質母材５０を矢印Ｓ３で示された方向に回転させなが
ら、矢印Ｓ４で示された方向に沿って移動させるよう動
作する（この動作により、多孔質母材５０全体が加熱さ
れる）。
母材５０は、図２（ｂ）に示された加熱容器７００内に
設置され、ハロゲンガスを含む雰囲気中で脱水処理が施
される。なお、この加熱容器７００には該ハロゲンガス
を供給するための導入口７０２と排気口７０１が設けら
れている。また、この脱水処理中、支持機構５０３は多
孔質母材５０を矢印Ｓ３で示された方向に回転させなが
ら、矢印Ｓ４で示された方向に沿って移動させるよう動
作する（この動作により、多孔質母材５０全体が加熱さ
れる）。
【００３９】脱水処理中の容器内温度は１０００℃〜１
３００℃程度であり、好ましくは１０５０℃〜１１５０
℃である。また、この実施例では濃度２００００ｐｐｍ
（２％）の塩素ガス（Ｃｌ2）を導入口７０２から供給
しながら脱水処理を行ったが、塩素ガスの濃度は１００
００ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍ（１％〜５％）程度であ
れば十分にその効果が得られる。
３００℃程度であり、好ましくは１０５０℃〜１１５０
℃である。また、この実施例では濃度２００００ｐｐｍ
（２％）の塩素ガス（Ｃｌ2）を導入口７０２から供給
しながら脱水処理を行ったが、塩素ガスの濃度は１００
００ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍ（１％〜５％）程度であ
れば十分にその効果が得られる。
【００４０】脱水処理用ガスとしては、塩素ガスの他Ｓ
ｉＣｌ4等のハロゲンガスでも同様の効果が得られる。
特に、ＳｉＣｌ4は塩素の添加量を増加し、外側コア２
０と内側クラッド３０との屈折率差を増加させる手段と
なり得る。
ｉＣｌ4等のハロゲンガスでも同様の効果が得られる。
特に、ＳｉＣｌ4は塩素の添加量を増加し、外側コア２
０と内側クラッド３０との屈折率差を増加させる手段と
なり得る。
【００４１】なお、第１工程において、バーナー５５２
及び５５１に供給される原料ガスは、得られる光ファイ
バの内側コア１０の外径ａに対する外側コア２０の外径
ｂの比（ｂ／ａ）が、７．５〜１５となるよう調節され
ている。
及び５５１に供給される原料ガスは、得られる光ファイ
バの内側コア１０の外径ａに対する外側コア２０の外径
ｂの比（ｂ／ａ）が、７．５〜１５となるよう調節され
ている。
【００４２】以上の処理を経て得られた多孔質母材５０
は、引続き上述された加熱容器７００内で焼結される
（ＶＡＤ法における第２工程）。すなわち、図２（ｃ）
には図２（ｂ）に示された加熱容器の主要部分のみが示
されている。図示のように支持機構５０３が多孔質母材
５０を矢印Ｓ５で示された方向に回転させながら矢印Ｓ
６で示された方向に沿って移動させるよう動作する。こ
の動作により、該多孔質母材５０はその先端からヒータ
ー７５０内に送り込まれ（焼結時の容器内温度は１５０
０℃〜１６５０℃）、透明なコアガラス母材５１が得ら
れる。
は、引続き上述された加熱容器７００内で焼結される
（ＶＡＤ法における第２工程）。すなわち、図２（ｃ）
には図２（ｂ）に示された加熱容器の主要部分のみが示
されている。図示のように支持機構５０３が多孔質母材
５０を矢印Ｓ５で示された方向に回転させながら矢印Ｓ
６で示された方向に沿って移動させるよう動作する。こ
の動作により、該多孔質母材５０はその先端からヒータ
ー７５０内に送り込まれ（焼結時の容器内温度は１５０
０℃〜１６５０℃）、透明なコアガラス母材５１が得ら
れる。
【００４３】なお、上述した多孔質母材５０の製造、脱
水処理、及び焼結処理は同一の容器内で行うことも可能
である。
水処理、及び焼結処理は同一の容器内で行うことも可能
である。
【００４４】次に、ＯＶＤ法による第１工程〜第２工程
までを図３を用いて説明する。
までを図３を用いて説明する。
【００４５】第１工程では、図３（ａ）に示されたスス
付け装置により多孔質母材５０が製造される。このスス
付け装置の容器８００内には、その一端が支持棒５０２
を介して支持機構５０３に保持されるとともに、他端が
補助機構５０５によって保持された中心棒８０１が備え
られている。また、このスス付け装置の容器８００には
排気口８０２と、該多孔質母材５０を中心棒８０１に沿
って成長させるためのバーナー８５０を備えている。
付け装置により多孔質母材５０が製造される。このスス
付け装置の容器８００内には、その一端が支持棒５０２
を介して支持機構５０３に保持されるとともに、他端が
補助機構５０５によって保持された中心棒８０１が備え
られている。また、このスス付け装置の容器８００には
排気口８０２と、該多孔質母材５０を中心棒８０１に沿
って成長させるためのバーナー８５０を備えている。
【００４６】多孔質母材５０の製造中、バーナー８５０
の火炎中では、ガス供給システム６００から供給された
原料ガスの加水分解反応によりガラス微粒子が生成さ
れ、これらガラス微粒子が中心棒８０１の側面に堆積し
ていく。この間、支持機構５０３と補助機構５０５は、
中心棒８０１を矢印Ｓ７で示された方向に回転させなが
ら矢印Ｓ８、Ｓ９で示された方向に沿って移動させるよ
う動作する（なお、支持機構５０３と補助機構５０５は
同一速度で移動する）。この動作により、多孔質ガラス
体が中心棒８０１に沿って成長していく。なお、この工
程は内側コア１０となるべき多孔質ガラス体の形成と、
外側コア２０となるべき多孔質ガラス体の形成のため、
２回繰り返され、これにより、長手方向に沿ってその中
央部分が内側コア１０となり、該中央部分を取り囲む周
辺部分が外側コア２０となるべき多孔質母材５０（スー
ト・プリフォーム）が得られる。
の火炎中では、ガス供給システム６００から供給された
原料ガスの加水分解反応によりガラス微粒子が生成さ
れ、これらガラス微粒子が中心棒８０１の側面に堆積し
ていく。この間、支持機構５０３と補助機構５０５は、
中心棒８０１を矢印Ｓ７で示された方向に回転させなが
ら矢印Ｓ８、Ｓ９で示された方向に沿って移動させるよ
う動作する（なお、支持機構５０３と補助機構５０５は
同一速度で移動する）。この動作により、多孔質ガラス
体が中心棒８０１に沿って成長していく。なお、この工
程は内側コア１０となるべき多孔質ガラス体の形成と、
外側コア２０となるべき多孔質ガラス体の形成のため、
２回繰り返され、これにより、長手方向に沿ってその中
央部分が内側コア１０となり、該中央部分を取り囲む周
辺部分が外側コア２０となるべき多孔質母材５０（スー
ト・プリフォーム）が得られる。
【００４７】続いて、上述の第１工程で得られた多孔質
母材５０は、中心棒８０１が引き抜かれ、代りに補助棒
７０３が取り付けられた状態で、図３（ｂ）に示された
加熱容器７００内に設置され、ハロゲンガスを含む雰囲
気中で脱水処理が施される。なお、この加熱容器７００
には該ハロゲンガスを供給するための導入口７０２と排
気口７０１が設けられている。また、この脱水処理中、
支持機構５０３は多孔質母材５０を矢印Ｓ１０で示され
た方向に回転させながら矢印Ｓ１１で示された方向に沿
って移動させるよう動作する。この動作により、多孔質
母材５０母材全体が加熱される。なお、脱水処理中の容
器内温度、供給される塩素ガス濃度等の条件は上述した
ＶＡＤ法（図２）の場合と同様でよい。
母材５０は、中心棒８０１が引き抜かれ、代りに補助棒
７０３が取り付けられた状態で、図３（ｂ）に示された
加熱容器７００内に設置され、ハロゲンガスを含む雰囲
気中で脱水処理が施される。なお、この加熱容器７００
には該ハロゲンガスを供給するための導入口７０２と排
気口７０１が設けられている。また、この脱水処理中、
支持機構５０３は多孔質母材５０を矢印Ｓ１０で示され
た方向に回転させながら矢印Ｓ１１で示された方向に沿
って移動させるよう動作する。この動作により、多孔質
母材５０母材全体が加熱される。なお、脱水処理中の容
器内温度、供給される塩素ガス濃度等の条件は上述した
ＶＡＤ法（図２）の場合と同様でよい。
【００４８】以上の処理を経て得られた多孔質母材５０
は、引続き上述された加熱容器７００内で焼結される
（ＯＶＤ法による第２工程）。すなわち、図３（ｃ）に
は図３（ｂ）に示された加熱容器の主要部分のみが示さ
れている。図示のように支持機構５０３が多孔質母材５
０を矢印Ｓ１２で示された方向に回転させながら矢印Ｓ
１３で示された方向に沿って移動させるよう動作する。
この動作により、該多孔質母材５０はその先端からヒー
ター７５０内に送り込まれ、透明なコアガラス母材５１
が得られる。
は、引続き上述された加熱容器７００内で焼結される
（ＯＶＤ法による第２工程）。すなわち、図３（ｃ）に
は図３（ｂ）に示された加熱容器の主要部分のみが示さ
れている。図示のように支持機構５０３が多孔質母材５
０を矢印Ｓ１２で示された方向に回転させながら矢印Ｓ
１３で示された方向に沿って移動させるよう動作する。
この動作により、該多孔質母材５０はその先端からヒー
ター７５０内に送り込まれ、透明なコアガラス母材５１
が得られる。
【００４９】なお、上述した多孔質母材５０の製造、脱
水処理、及び焼結処理は同一の容器内で行うことも可能
である。また、上述したＶＡＤ法により得られるコアガ
ラス母材とＯＶＤ法により得られるコアガラス母材の構
造上の差異は、該ＯＶＤ法により得られたコアガラス母
材には中心棒８０１を引き抜くことによりできた貫通孔
５５０がある点のみである。
水処理、及び焼結処理は同一の容器内で行うことも可能
である。また、上述したＶＡＤ法により得られるコアガ
ラス母材とＯＶＤ法により得られるコアガラス母材の構
造上の差異は、該ＯＶＤ法により得られたコアガラス母
材には中心棒８０１を引き抜くことによりできた貫通孔
５５０がある点のみである。
【００５０】従って、第３工程以降の処理（特に気相合
成に係る工程）は、ＶＡＤ法について詳細に説明する。
なお、該ＶＡＤ法に代えてＯＶＤ法で行うことも可能で
ある。
成に係る工程）は、ＶＡＤ法について詳細に説明する。
なお、該ＶＡＤ法に代えてＯＶＤ法で行うことも可能で
ある。
【００５１】第３工程では、まず第２工程で得られた、
透明なコアガラス母材５１が図４に示された延伸装置に
より所望の外径（仕上り外径）に延伸される。なお、こ
のコアガラス母材５１は延伸に先立って、その両端に端
部処理が施され、さらに取扱を簡単にするための棒６
１、６２が取り付けられている。
透明なコアガラス母材５１が図４に示された延伸装置に
より所望の外径（仕上り外径）に延伸される。なお、こ
のコアガラス母材５１は延伸に先立って、その両端に端
部処理が施され、さらに取扱を簡単にするための棒６
１、６２が取り付けられている。
【００５２】図４の延伸装置は、矢印Ｓ１４で示された
方向に沿って移動可能な上側チャック６３と、矢印Ｓ１
５で示された方向に沿って移動可能な下側チャック６４
を備えており、これら上側チャック６３及び下側チャッ
ク６４は、駆動モータ６５、６６により、それぞれＳ１
４、Ｓ１４の方向に沿って動かされる。また、端部処理
されたコアガラス母材５１は、棒６１が上側チャック６
３に把持されるとともに、棒６２が下側チャック６４に
把持されることにより、図４の延伸装置に取り付けられ
る。
方向に沿って移動可能な上側チャック６３と、矢印Ｓ１
５で示された方向に沿って移動可能な下側チャック６４
を備えており、これら上側チャック６３及び下側チャッ
ク６４は、駆動モータ６５、６６により、それぞれＳ１
４、Ｓ１４の方向に沿って動かされる。また、端部処理
されたコアガラス母材５１は、棒６１が上側チャック６
３に把持されるとともに、棒６２が下側チャック６４に
把持されることにより、図４の延伸装置に取り付けられ
る。
【００５３】上記上側チャック６３はＳ１４の方向に沿
って移動することにより、コアガラス母材５１をヒータ
６８（例えば、縦型抵抗加熱炉）内に送り込むよう機能
する。一方、下側チャック６４はＳ１５の方向に沿って
移動することにより、ヒータ６８内からコアガラス母材
５１を引出すよう機能する。ヒータ６８内に送り込まれ
たコアガラス母材５１は部分的に軟化しているので、こ
の延伸装置では、上側チャック６３の移動速度（コアガ
ラス母材５１をヒータ６８内への送り込む速度）よりも
下側チャック６４の移動速度（コアガラス母材５１をヒ
ータ６８内から引出す速度）を大きくし、該コアガラス
母材５１の軟化部分に引っ張り応力を加えることによ
り、該コアガラス母材５１を所望の仕上り外径に延伸す
る。
って移動することにより、コアガラス母材５１をヒータ
６８（例えば、縦型抵抗加熱炉）内に送り込むよう機能
する。一方、下側チャック６４はＳ１５の方向に沿って
移動することにより、ヒータ６８内からコアガラス母材
５１を引出すよう機能する。ヒータ６８内に送り込まれ
たコアガラス母材５１は部分的に軟化しているので、こ
の延伸装置では、上側チャック６３の移動速度（コアガ
ラス母材５１をヒータ６８内への送り込む速度）よりも
下側チャック６４の移動速度（コアガラス母材５１をヒ
ータ６８内から引出す速度）を大きくし、該コアガラス
母材５１の軟化部分に引っ張り応力を加えることによ
り、該コアガラス母材５１を所望の仕上り外径に延伸す
る。
【００５４】なお、制御部６７は、外径測定装置６９に
より加熱されている軟化部分の所定部位の外径を常時モ
ニタしており、所望の仕上がり外径が得られるよう駆動
モータ６５、６６を制御している。
より加熱されている軟化部分の所定部位の外径を常時モ
ニタしており、所望の仕上がり外径が得られるよう駆動
モータ６５、６６を制御している。
【００５５】続いて、この第３工程では、以上の延伸装
置により延伸されたコアガラス母材５１の外周に、さら
に内側クラッド３０となるべき第１多孔質ガラス体を堆
積させ、第１複合母材５２を得る。すなわち、バーナ９
００の火炎中では、図５に示されたように、ガス供給シ
ステム６００から供給された原料ガスの加水分解反応に
よりガラス微粒子が生成され、これらガラス微粒子が延
伸されたコアガラス母材５１の外周に堆積していく。こ
の間、該延伸されたコアガラス母材５１は矢印Ｓ１６で
示された方向に回転しながら矢印Ｓ１７で示された方向
に沿って移動している。この動作により、コアガラス母
材５１の外周に多孔質ガラス体（スス体）が堆積してい
き、第１複合母材５２が得られる。
置により延伸されたコアガラス母材５１の外周に、さら
に内側クラッド３０となるべき第１多孔質ガラス体を堆
積させ、第１複合母材５２を得る。すなわち、バーナ９
００の火炎中では、図５に示されたように、ガス供給シ
ステム６００から供給された原料ガスの加水分解反応に
よりガラス微粒子が生成され、これらガラス微粒子が延
伸されたコアガラス母材５１の外周に堆積していく。こ
の間、該延伸されたコアガラス母材５１は矢印Ｓ１６で
示された方向に回転しながら矢印Ｓ１７で示された方向
に沿って移動している。この動作により、コアガラス母
材５１の外周に多孔質ガラス体（スス体）が堆積してい
き、第１複合母材５２が得られる。
【００５６】なお、この第３工程において、バーナー９
００に供給される原料ガスは、得られる光ファイバの外
側コア２０の外径ｂに対する内側クラッド３０の外径ｃ
の比（ｃ／ｂ）は、１．５〜２．５（好ましくは１．８
〜２．２）となるよう調節されている。
００に供給される原料ガスは、得られる光ファイバの外
側コア２０の外径ｂに対する内側クラッド３０の外径ｃ
の比（ｃ／ｂ）は、１．５〜２．５（好ましくは１．８
〜２．２）となるよう調節されている。
【００５７】次に、以上の第３工程を経て得られた第１
複合母材５２は、第４工程に先立って行われる脱水処理
のため、一旦ハロゲンガスを含む雰囲気中で加熱される
（図６参照）。この間、支持機構５０３は第１複合母材
５２を矢印Ｓ１８で示された方向に回転させながら矢印
Ｓ１９、Ｓ２０で示された方向に沿って移動させるよう
動作する。この動作により、該第１複合母材５２全体が
加熱される。なお、この脱水用ガスとしてはＣｌ2を使
用した（ＳｉＣｌ4でもよい）。また、加熱容器７００
内に供給される塩素ガス濃度は上述した通り１００００
ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍ（１％〜５％、この実施例で
は、２００００ｐｐｍ（２％））、容器内の加熱温度は
１０００℃〜１３００℃、好ましくは１０５０℃〜１１
５０℃である。
複合母材５２は、第４工程に先立って行われる脱水処理
のため、一旦ハロゲンガスを含む雰囲気中で加熱される
（図６参照）。この間、支持機構５０３は第１複合母材
５２を矢印Ｓ１８で示された方向に回転させながら矢印
Ｓ１９、Ｓ２０で示された方向に沿って移動させるよう
動作する。この動作により、該第１複合母材５２全体が
加熱される。なお、この脱水用ガスとしてはＣｌ2を使
用した（ＳｉＣｌ4でもよい）。また、加熱容器７００
内に供給される塩素ガス濃度は上述した通り１００００
ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍ（１％〜５％、この実施例で
は、２００００ｐｐｍ（２％））、容器内の加熱温度は
１０００℃〜１３００℃、好ましくは１０５０℃〜１１
５０℃である。
【００５８】続く第４工程では、透明な中間母材５３を
得るべく、図７に示されたように、脱水処理が施された
第１複合母材５２がフッ素原料を含む雰囲気中で焼結さ
れる。なお、この焼結処理は上述の加熱容器７００内で
連続的に行われる。また、支持機構５０３は、第１複合
母材５２を矢印Ｓ２１で示された方向に回転させながら
矢印Ｓ２２で示された方向に沿って移動させるよう動作
する。この動作により、該第１複合母材５２がヒータ７
５０内に送り込まれる。
得るべく、図７に示されたように、脱水処理が施された
第１複合母材５２がフッ素原料を含む雰囲気中で焼結さ
れる。なお、この焼結処理は上述の加熱容器７００内で
連続的に行われる。また、支持機構５０３は、第１複合
母材５２を矢印Ｓ２１で示された方向に回転させながら
矢印Ｓ２２で示された方向に沿って移動させるよう動作
する。この動作により、該第１複合母材５２がヒータ７
５０内に送り込まれる。
【００５９】具体的に、加熱容器７００内に供給される
フッ素系ガスとしては、ＳＦ6又はＳｉＦ4などが利用可
能であるが、この実施例では濃度２００００ｐｐｍ（２
％）のＳｉＦ4が供給される。このときの容器内温度は
１０００℃〜１２００℃（好ましくは１０５０℃〜１１
５０℃）であり、このフッ素系ガス雰囲気中で第１複合
母材５２を加熱することによりフッ素を第１多孔質ガラ
ス体（コアガラス母材５１の外周に形成されたスス体）
に含浸させた。その後、さらに容器内温度を１４００℃
〜１６００℃（好ましくは１４５０℃〜１５５０℃）ま
で上げて第１複合母材５２を焼結することにより中間母
材５３が得られる。
フッ素系ガスとしては、ＳＦ6又はＳｉＦ4などが利用可
能であるが、この実施例では濃度２００００ｐｐｍ（２
％）のＳｉＦ4が供給される。このときの容器内温度は
１０００℃〜１２００℃（好ましくは１０５０℃〜１１
５０℃）であり、このフッ素系ガス雰囲気中で第１複合
母材５２を加熱することによりフッ素を第１多孔質ガラ
ス体（コアガラス母材５１の外周に形成されたスス体）
に含浸させた。その後、さらに容器内温度を１４００℃
〜１６００℃（好ましくは１４５０℃〜１５５０℃）ま
で上げて第１複合母材５２を焼結することにより中間母
材５３が得られる。
【００６０】なお、フッ素添加量の調整は供給されるフ
ッ素系ガスの濃度を調整することにより行う。また、フ
ッ素を第１多孔質ガラス体に含浸させる処理と焼結処理
とでフッ素系ガスの濃度を適宜調節することにより所望
のフッ素添加濃度への調節も可能である。
ッ素系ガスの濃度を調整することにより行う。また、フ
ッ素を第１多孔質ガラス体に含浸させる処理と焼結処理
とでフッ素系ガスの濃度を適宜調節することにより所望
のフッ素添加濃度への調節も可能である。
【００６１】次に行われる第５工程は、外側クラッド４
０となるべき第２多孔質ガラス体を、第４工程で得られ
た中間母材５３の外周に形成し、第２複合母材５４を得
る工程である。
０となるべき第２多孔質ガラス体を、第４工程で得られ
た中間母材５３の外周に形成し、第２複合母材５４を得
る工程である。
【００６２】この第５工程では、先に説明した第３工程
と同様に、まず、第４工程で得られた中間母材５３が図
４に示された延伸装置により所望の仕上り外径に延伸さ
れる。その後、図５に示されたように、該延伸された中
間母材５３の外周に第２多孔質ガラス体を形成させるこ
とにより（バーナ９００の火炎中では、ガス供給システ
ム６００から供給された原料ガスの加水分解反応により
ガラス微粒子が生成され、これらガラス微粒子が延伸さ
れた中間母材５３の外周に堆積していく）、第２複合母
材５４が得られる。
と同様に、まず、第４工程で得られた中間母材５３が図
４に示された延伸装置により所望の仕上り外径に延伸さ
れる。その後、図５に示されたように、該延伸された中
間母材５３の外周に第２多孔質ガラス体を形成させるこ
とにより（バーナ９００の火炎中では、ガス供給システ
ム６００から供給された原料ガスの加水分解反応により
ガラス微粒子が生成され、これらガラス微粒子が延伸さ
れた中間母材５３の外周に堆積していく）、第２複合母
材５４が得られる。
【００６３】なお、この第５工程において、バーナー９
００に供給される原料ガスは、得られる光ファイバの内
側クラッド３０と外側クラッド４０との外径比（ｄ／
ｃ）が、最終的に得られる光ファイバの外径を１２５μ
ｍにした際（第７工程の線引後）に所望の特性になるよ
う調整されている。
００に供給される原料ガスは、得られる光ファイバの内
側クラッド３０と外側クラッド４０との外径比（ｄ／
ｃ）が、最終的に得られる光ファイバの外径を１２５μ
ｍにした際（第７工程の線引後）に所望の特性になるよ
う調整されている。
【００６４】続く第６工程でも、上述した第４工程と同
様に、フッ素原料を含む雰囲気中で第５工程で得られた
第２複合母材５４を焼結し、最終的に光ファイバ母材５
５を得る（図７参照）。
様に、フッ素原料を含む雰囲気中で第５工程で得られた
第２複合母材５４を焼結し、最終的に光ファイバ母材５
５を得る（図７参照）。
【００６５】なお、上述の第５工程で得られた第２複合
母材５４に対しては、必ずしも図６に示された脱水処理
を行う必要はなく、適宜省略してもよい。
母材５４に対しては、必ずしも図６に示された脱水処理
を行う必要はなく、適宜省略してもよい。
【００６６】ただし、この実施例では、上述したように
多孔質母材５０、第１複合母材５２に対しては塩素ガス
を利用して脱水処理が施されているため、必然的に最終
的に得られる光ファイバ１の内側コア１０、外側コア２
０、及び内側クラッド３０には塩素が含まれることとな
る。この場合、内側クラッド３０における塩素含有量
は、内側及び外側コア１０、２０における塩素含有量よ
りも少ないことが好ましい。塩素は屈折率を上げる添加
物と知れらており、コア領域（内側及び外側コア１０、
２０を含む）に塩素を添加することにより、当該光ファ
イバの屈折率プロファイルの形状を変えることなくクラ
ッド領域（内側及び外側クラッド３０、４０を含む）に
添加されるフッ素の添加量を低減させることが可能とな
るからである。
多孔質母材５０、第１複合母材５２に対しては塩素ガス
を利用して脱水処理が施されているため、必然的に最終
的に得られる光ファイバ１の内側コア１０、外側コア２
０、及び内側クラッド３０には塩素が含まれることとな
る。この場合、内側クラッド３０における塩素含有量
は、内側及び外側コア１０、２０における塩素含有量よ
りも少ないことが好ましい。塩素は屈折率を上げる添加
物と知れらており、コア領域（内側及び外側コア１０、
２０を含む）に塩素を添加することにより、当該光ファ
イバの屈折率プロファイルの形状を変えることなくクラ
ッド領域（内側及び外側クラッド３０、４０を含む）に
添加されるフッ素の添加量を低減させることが可能とな
るからである。
【００６７】以上のように、クラッド領域へのフッ素添
加量を低減できることから、上記第６工程におけるフッ
素原料を含む雰囲気中での第２複合母材の焼結処理（図
７に示されたようなフッ素添加処理）に代え、第５工程
において、第４工程で得られた中間母材の外周に、フッ
素系ガスが供給される（ガス供給システム６００からバ
ーナ９００へ供給される）ことにより、所定濃度のフッ
素を含む第２多孔質ガラス体を堆積させ、第２複合母材
を得ることも可能となる。
加量を低減できることから、上記第６工程におけるフッ
素原料を含む雰囲気中での第２複合母材の焼結処理（図
７に示されたようなフッ素添加処理）に代え、第５工程
において、第４工程で得られた中間母材の外周に、フッ
素系ガスが供給される（ガス供給システム６００からバ
ーナ９００へ供給される）ことにより、所定濃度のフッ
素を含む第２多孔質ガラス体を堆積させ、第２複合母材
を得ることも可能となる。
【００６８】ただし、上述のガラス体堆積時にフッ素を
添加する処理には、以下の理由によりフッ素添加量には
限界がある。すなわち、最初に形成されたガラス微粒子
の堆積部分（第２多孔質ガラス体の一部）のフッ素濃度
は、ガラス微粒子の堆積工程の終期に形成されたガラス
微粒子の堆積部のフッ素濃度よりも高くなる。このた
め、該第２多孔質ガラス母材５２から最終的に得られる
光ファイバ１は、その長手方向に沿って径方向の屈折率
分布を均一にすることができない。この現象は、添加さ
れるフッ素の添加量が多くなるほど顕著となり、フッ素
が添加されたガラス領域の純石英ガラスに対する比屈折
率差が０．２％を越えるフッ素添加には、当該代替処理
は適さないことを意味する。
添加する処理には、以下の理由によりフッ素添加量には
限界がある。すなわち、最初に形成されたガラス微粒子
の堆積部分（第２多孔質ガラス体の一部）のフッ素濃度
は、ガラス微粒子の堆積工程の終期に形成されたガラス
微粒子の堆積部のフッ素濃度よりも高くなる。このた
め、該第２多孔質ガラス母材５２から最終的に得られる
光ファイバ１は、その長手方向に沿って径方向の屈折率
分布を均一にすることができない。この現象は、添加さ
れるフッ素の添加量が多くなるほど顕著となり、フッ素
が添加されたガラス領域の純石英ガラスに対する比屈折
率差が０．２％を越えるフッ素添加には、当該代替処理
は適さないことを意味する。
【００６９】従って、この発明のようにクラッド領域の
フッ素添加量を低減することができる場合には、特に、
外側クラッド４０となるべき第２多孔質ガラス体へのフ
ッ素添加を、焼結処理とともに行う代りに該第２多孔質
ガラス体形成時に同時に行うことが可能となる。なお、
この場合、第６工程では第５工程で得られた第２複合母
材の焼結のみが行われるので、焼結時間の短縮が可能と
なり生産性の大幅な向上が期待できる。
フッ素添加量を低減することができる場合には、特に、
外側クラッド４０となるべき第２多孔質ガラス体へのフ
ッ素添加を、焼結処理とともに行う代りに該第２多孔質
ガラス体形成時に同時に行うことが可能となる。なお、
この場合、第６工程では第５工程で得られた第２複合母
材の焼結のみが行われるので、焼結時間の短縮が可能と
なり生産性の大幅な向上が期待できる。
【００７０】以上のように製造された光ファイバ母材５
５は、図８に示されたように、当該光ファイバ１の内側
コア１０となるべき内側コアガラス１００と、外側コア
２０となるべき外側コアガラス２００と、内側クラッド
３０となるべき内側クラッドガラスと、そして、外側ク
ラッド４０となるべき外側外側クラッドガラスを備えて
いる。
５は、図８に示されたように、当該光ファイバ１の内側
コア１０となるべき内側コアガラス１００と、外側コア
２０となるべき外側コアガラス２００と、内側クラッド
３０となるべき内側クラッドガラスと、そして、外側ク
ラッド４０となるべき外側外側クラッドガラスを備えて
いる。
【００７１】第７工程では、ヒータ９５０により、以上
のような構造を備えた光ファイバ母材５５の一端を加熱
しながら該光ファイバ母材５５を線引することにより、
図１に示された外径１２５μｍの光ファイバ１を得る。
のような構造を備えた光ファイバ母材５５の一端を加熱
しながら該光ファイバ母材５５を線引することにより、
図１に示された外径１２５μｍの光ファイバ１を得る。
【００７２】以上説明された製造方法では、各工程が、
最終的に得られる光ファイバ１の外側コア２０の外径ｂ
が、第７工程における線引後に２５μｍ以上（好ましく
は２８μｍ以上）になるよう調節されている。この外側
コア２０の外径ｂの数値は、伝送される信号光のパワー
の広がりが影響しない領域までガラス合成する際の界面
（例えば、コアガラス母材５１の外周面）が近寄らない
ようにするためである。コアガラス母材５１（ガラスロ
ッド）の外周に多孔質ガラス体をガラス合成する場合に
は、該ガラス体を形成（ガラス合成）するための火炎で
該母材の外周面が加熱されるため、該コアガラス母材５
１の表層にはＯＨ基が侵入しやすくなる。このため、最
終的に得られる光ファイバ１におけるＯＨ吸収の影響を
緩和することが重要である。
最終的に得られる光ファイバ１の外側コア２０の外径ｂ
が、第７工程における線引後に２５μｍ以上（好ましく
は２８μｍ以上）になるよう調節されている。この外側
コア２０の外径ｂの数値は、伝送される信号光のパワー
の広がりが影響しない領域までガラス合成する際の界面
（例えば、コアガラス母材５１の外周面）が近寄らない
ようにするためである。コアガラス母材５１（ガラスロ
ッド）の外周に多孔質ガラス体をガラス合成する場合に
は、該ガラス体を形成（ガラス合成）するための火炎で
該母材の外周面が加熱されるため、該コアガラス母材５
１の表層にはＯＨ基が侵入しやすくなる。このため、最
終的に得られる光ファイバ１におけるＯＨ吸収の影響を
緩和することが重要である。
【００７３】発明者らは、実験により外側コア２０の外
径ｂが２５μｍ、３０μｍ、３３μｍの各光ファイバに
ついて、そのＯＨ吸収のピークが、それぞれ０．３ｄＢ
／ｋｍ、０．８ｄＢ／ｋｍ、１．３ｄＢ／ｋｍとなるこ
とを確認した。なお、外側コア２０の外径ｂの上限値
は、１．５５μｍ波長帯にその零分散波長を設定できる
設計に従って決まってくるが、発明者らは、４０μｍ以
下、多くの場合は２５μｍ〜３５μｍの範囲内で所望の
ファイバ特性が得られることを確認した。
径ｂが２５μｍ、３０μｍ、３３μｍの各光ファイバに
ついて、そのＯＨ吸収のピークが、それぞれ０．３ｄＢ
／ｋｍ、０．８ｄＢ／ｋｍ、１．３ｄＢ／ｋｍとなるこ
とを確認した。なお、外側コア２０の外径ｂの上限値
は、１．５５μｍ波長帯にその零分散波長を設定できる
設計に従って決まってくるが、発明者らは、４０μｍ以
下、多くの場合は２５μｍ〜３５μｍの範囲内で所望の
ファイバ特性が得られることを確認した。
【００７４】なお、上述の製造方法により得られた光フ
ァイバ１の特性を以下に示す。
ァイバ１の特性を以下に示す。
【００７５】（組成） 内側コア ：ＳｉＯ2＋ＧｅＯ2＋Ｃｌ 外側コア ：ＳｉＯ2＋Ｃｌ 内側クラッド：ＳｉＯ2＋Ｆ＋Ｃｌ 外側クラッド：ＳｉＯ2＋Ｆ＋Ｃｌ （屈折率プロファイル） Δｎa＝（ｎ1−ｎ2）／ｎ2：０．８５％ Δｎb＝（ｎ3−ｎ2）／ｎ2：−０．２５％ Δｎc＝（ｎ4−ｎ2）／ｎ2：−０．１％ なお、Δｎaは外側コア２０に対する内側コア１０の比
屈折率差、Δｎbは外側コア２０に対する内側クラッド
３０の比屈折率差、そして、Δｎcは外側コア２０に対
する外側クラッド４０の比屈折率差である。
屈折率差、Δｎbは外側コア２０に対する内側クラッド
３０の比屈折率差、そして、Δｎcは外側コア２０に対
する外側クラッド４０の比屈折率差である。
【００７６】（ディメンジョン） 内側コアの外径ａに対する外側コアの外径ｂの比（ｂ／
ａ）：１０ 外側コアも外径ｂに対する内側クラッドの外径ｃの比
（ｃ／ｂ）：２ 内側クラッドの外径ｃに対する外側クラッドの外径ｄの
比（ｄ／ｃ）：２．１ なお、ｂ／ａは内側コアの外径ａに対する外側コアの外
径ｂの比、ｃ／ｂは外側コアも外径ｂに対する内側クラ
ッドの外径ｃの比、そして、ｄ／ｃは内側クラッドの外
径ｃに対する外側クラッドの外径ｄの比である。また、
この時の外側コア２０の外径は２９μｍであった。
ａ）：１０ 外側コアも外径ｂに対する内側クラッドの外径ｃの比
（ｃ／ｂ）：２ 内側クラッドの外径ｃに対する外側クラッドの外径ｄの
比（ｄ／ｃ）：２．１ なお、ｂ／ａは内側コアの外径ａに対する外側コアの外
径ｂの比、ｃ／ｂは外側コアも外径ｂに対する内側クラ
ッドの外径ｃの比、そして、ｄ／ｃは内側クラッドの外
径ｃに対する外側クラッドの外径ｄの比である。また、
この時の外側コア２０の外径は２９μｍであった。
【００７７】得られた光ファイバ１のＭＦＤは９．８μ
ｍ、２ｍの基準長でのカットオフ波長は１．６８μｍ、
零分散波長は１．５８μｍであった。
ｍ、２ｍの基準長でのカットオフ波長は１．６８μｍ、
零分散波長は１．５８μｍであった。
【００７８】なお、１．５５μｍ波長帯の光伝送用に選
択される分散シフトファイバのカットオフ波長として
は、通常、２ｍの基準長（ＣＣＩＴＴ−Ｇ．６５３によ
る測定法）で信号光波長よりも短い１．５５μｍ以下が
選択される。
択される分散シフトファイバのカットオフ波長として
は、通常、２ｍの基準長（ＣＣＩＴＴ−Ｇ．６５３によ
る測定法）で信号光波長よりも短い１．５５μｍ以下が
選択される。
【００７９】カットオフ波長の一般的な評価の基準であ
る２ｍという短い長さでは、当該分散シフトファイバ
は、伝送光の基底モードばかりではなく高次モードも伝
搬することになる。本願のカットオフ波長は信号光波長
（１．５５μｍ）よりも長いが、高次モードの光は基底
モードの光と比べて分散シフトファイバ中の伝搬におけ
る減衰率が高いので、数ｋｍの伝搬長であれば基底モー
ドに比べて充分に小さくなる。したがって、海底通信ケ
ーブルのように伝搬距離が数百から数千ｋｍに及ぶ場合
には、高次モードによる問題が生じることはない。
る２ｍという短い長さでは、当該分散シフトファイバ
は、伝送光の基底モードばかりではなく高次モードも伝
搬することになる。本願のカットオフ波長は信号光波長
（１．５５μｍ）よりも長いが、高次モードの光は基底
モードの光と比べて分散シフトファイバ中の伝搬におけ
る減衰率が高いので、数ｋｍの伝搬長であれば基底モー
ドに比べて充分に小さくなる。したがって、海底通信ケ
ーブルのように伝搬距離が数百から数千ｋｍに及ぶ場合
には、高次モードによる問題が生じることはない。
【００８０】また、この実施例の製造方法では、コアガ
ラス母材５１の外周にそのまま多孔質ガラス体（第１多
孔質ガラス体）を形成しているるが、発明者らは、得ら
れた光ファイバ１について、ＯＨ吸収の影響を示す１．
３８μｍの光に対する吸収ピークの大きさΔα1.38が
０．８ｄＢ／ｋｍと比較的小さく、信号光波長帯への影
響が小さいことも確認した。
ラス母材５１の外周にそのまま多孔質ガラス体（第１多
孔質ガラス体）を形成しているるが、発明者らは、得ら
れた光ファイバ１について、ＯＨ吸収の影響を示す１．
３８μｍの光に対する吸収ピークの大きさΔα1.38が
０．８ｄＢ／ｋｍと比較的小さく、信号光波長帯への影
響が小さいことも確認した。
【００８１】さらに、発明者らは、上述の製造方法によ
り得られた光ファイバ１の伝送損失が、１．５５μｍの
光に対して０．２２ｄＢ／ｋｍと良好なものであること
も確認した。
り得られた光ファイバ１の伝送損失が、１．５５μｍの
光に対して０．２２ｄＢ／ｋｍと良好なものであること
も確認した。
【００８２】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、外側コ
アの外径が２５μｍ〜４０μｍとより大きく設定され
た、Depressed cladding 型プロファイルを有する分散
シフトファイバであるため、より大きなＭＦＤを実現で
きるという効果がある。
アの外径が２５μｍ〜４０μｍとより大きく設定され
た、Depressed cladding 型プロファイルを有する分散
シフトファイバであるため、より大きなＭＦＤを実現で
きるという効果がある。
【００８３】また、このように外側コアの外径を大きく
設定することにより、母材製造において、繰り返しＶＡ
Ｄ法、ＯＶＤ法等の気相合成法を利用すること（特に、
第１及び第２多孔質ガラス体の形成）が可能になるとい
う効果がある。
設定することにより、母材製造において、繰り返しＶＡ
Ｄ法、ＯＶＤ法等の気相合成法を利用すること（特に、
第１及び第２多孔質ガラス体の形成）が可能になるとい
う効果がある。
【図１】この発明に係る光ファイバの断面構造及びその
屈折率プロファイルを示す図である。
屈折率プロファイルを示す図である。
【図２】ＶＡＤ法による光ファイバの製造方法の一部
（第１及び第２工程）を説明するための図であり、
（ａ）は第１工程における多孔質母材の製造を説明する
ための図、（ｂ）は多孔質母材の脱水処理を説明するた
めの図、そして、（ｃ）は第２工程における多孔質母材
の焼結処理を説明するための図である。
（第１及び第２工程）を説明するための図であり、
（ａ）は第１工程における多孔質母材の製造を説明する
ための図、（ｂ）は多孔質母材の脱水処理を説明するた
めの図、そして、（ｃ）は第２工程における多孔質母材
の焼結処理を説明するための図である。
【図３】ＯＶＤ法による光ファイバの製造方法の一部
（第１及び第２工程）を説明するための図であり、
（ａ）は第１工程における多孔質母材の製造を説明する
ための図、（ｂ）は多孔質母材の脱水処理を説明するた
めの図、そして、（ｃ）は第２工程における多孔質母材
の焼結処理を説明するための図である。
（第１及び第２工程）を説明するための図であり、
（ａ）は第１工程における多孔質母材の製造を説明する
ための図、（ｂ）は多孔質母材の脱水処理を説明するた
めの図、そして、（ｃ）は第２工程における多孔質母材
の焼結処理を説明するための図である。
【図４】この発明に係る光ファイバの製造方法における
第３及び第５工程の母材延伸処理を説明するための図で
ある。
第３及び第５工程の母材延伸処理を説明するための図で
ある。
【図５】この発明に係る光ファイバの製造方法における
第３及び第５工程の複合母材製造を説明するための図で
ある。
第３及び第５工程の複合母材製造を説明するための図で
ある。
【図６】この発明に係る光ファイバの製造方法における
第４及び第６工程に先立って行われる脱水処理を説明す
るための図である。
第４及び第６工程に先立って行われる脱水処理を説明す
るための図である。
【図７】この発明に係る光ファイバの製造方法における
第４及び第６工程の母材焼結処理を説明するための図で
ある。
第４及び第６工程の母材焼結処理を説明するための図で
ある。
【図８】この発明に係る光ファイバの製造方法における
第７工程の線引処理を説明するための図である。
第７工程の線引処理を説明するための図である。
１…分散シフトファイバ、１０…第１コア（内側コ
ア）、２０…第２コア（外側コア）、３０…第１クラッ
ド（内側クラッド）、４０…第２クラッド（外側クラッ
ド）、５０…多孔質母材、５１…コアガラス母材、５２
…第１複合母材、５３…中間母材、５４…第２複合母
材、５５…光ファイバ母材。
ア）、２０…第２コア（外側コア）、３０…第１クラッ
ド（内側クラッド）、４０…第２クラッド（外側クラッ
ド）、５０…多孔質母材、５１…コアガラス母材、５２
…第１複合母材、５３…中間母材、５４…第２複合母
材、５５…光ファイバ母材。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０３Ｂ 37/018 Ｃ０３Ｂ 37/018 Ｃ Ｇ０２Ｂ 6/00 ３５６ Ｇ０２Ｂ 6/00 ３５６Ａ
Claims (12)
- 【請求項１】 石英ガラスを主成分とする光ファイバで
あって、 第１の屈折率ｎ1を有する第１コアと、 前記第１コアの外周に設けられた領域であって、前記第
１の屈折率ｎ1よりも低い第２の屈折率ｎ2を有するとと
もに、その外径が２５μｍ以上かつ４０μｍ以下である
第２コアと、 前記第２コアの外周に設けられかつ前記第２の屈折率ｎ
2よりも低い第３の屈折率ｎ3を有する第１クラッドと、
そして、 前記第１クラッドの外周に設けられ、前記第３の屈折率
ｎ3よりも高くかつ前記第２の屈折率ｎ2よりも低い第４
の屈折率ｎ4を有する第２クラッドとを備えた光ファイ
バ。 - 【請求項２】 前記第１コアは少なくともゲルマニウム
を含むガラス領域であり、前記第２コアは実質的にゲル
マニウムを含まないガラス領域であり、前記第１クラッ
ドは少なくともフッ素を含むガラス領域であり、そし
て、前記第２クラッドは少なくともフッ素を含むガラス
領域であることを特徴とする請求項１記載の光ファイ
バ。 - 【請求項３】 前記第１コア、第２コア、及び第１クラ
ッドには、いずれも塩素が含まれていることを特徴とす
る請求項１又は２記載の光ファイバ。 - 【請求項４】 前記第２クラッドには塩素が含まれてい
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の
光ファイバ。 - 【請求項５】 前記第１クラッドにおける塩素含有量
は、前記第１及び第２コアにおける塩素含有量よりも少
ないことを特徴とする請求項３記載の光ファイバ。 - 【請求項６】 第１の屈折率ｎ1を有する第１コアと、
該第１のコアの外周に設けられかつ第２の屈折率ｎ
2（＜ｎ1）を有する第２コアと、該第２コアの外周に設
けられかつ第３の屈折率ｎ3（＜ｎ2）を有する第１クラ
ッドと、該第クラッドの外周に設けられかつ第４の屈折
率ｎ4（＞ｎ3）を有する第２クラッドとを備えた、石英
ガラスを主成分とする光ファイバの製造方法であって、 気相合成法により、長手方向に沿ってその中央部分が前
記第１コアとなり、該中央部分を取り囲む周辺部分が前
記第２コアとなるべき多孔質母材を形成する第１工程
と、 前記多孔質母材を焼結しコアガラス母材を得る第２工程
と、 前記コアガラス母材を所望の外径に延伸した後、気相合
成法により、該延伸されたコアガラス母材の外周に前記
第１クラッドとなるべき第１多孔質ガラス体を堆積さ
せ、第１複合母材を得る第３工程と、 前記第１複合母材を、フッ素原料を含む雰囲気中で焼結
し中間母材を得る第４工程と、 前記中間母材を所望の外径に延伸した後、気相合成法に
より、該延伸された中間母材の外周に前記第２クラッド
となるべき第２多孔質ガラス体を堆積させ、第２複合母
材を得る第５工程と、 前記第２複合母材を焼結し光ファイバ母材を得る第６工
程と、そして、 前記光ファイバ母材の一端を加熱しながら線引する第７
工程とを備えた光ファイバの製造方法。 - 【請求項７】 前記第７工程における線引後に得られる
光ファイバの前記第２コアの外径は２５μｍ〜４０μｍ
であることを特徴とする請求項６記載の光ファイバの製
造方法。 - 【請求項８】 前記第１工程で得られた多孔質母材を、
前記第２工程に先立ってハロゲンガスを含む雰囲気中で
加熱処理し、そして、 前記第３工程で得られた第１複合母材を、前記第４工程
に先立ってハロゲンガスを含む雰囲気中で加熱処理する
ことを特徴とする請求項６又は７記載の光ファイバの製
造方法。 - 【請求項９】 前記第５工程で得られた第２複合母材
を、前記第６工程に先立ってハロゲンガスを含む雰囲気
中で加熱処理することを特徴とする請求項６〜８のいず
れか一項記載の光ファイバの製造方法。 - 【請求項１０】 前記ハロゲンガスは、ＳｉＣｌ4であ
ることを特徴とする請求項８又は９記載の光ファイバの
製造方法。 - 【請求項１１】 前記第６工程は、前記得られた第２複
合母材を、フッ素原料を含む雰囲気中で焼結することを
特徴とする請求項６〜１０のいずれか一項記載の光ファ
イバの製造方法。 - 【請求項１２】 前記第５工程は、前記第４工程で得ら
れた中間母材の外周に、フッ素系ガスを供給しながら前
記第２多孔質ガラス体を堆積させることを特徴とする請
求項６〜１１のいずれか一項記載の光ファイバの製造方
法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00567197A JP3738510B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 光ファイバ及びその製造方法 |
| AU49253/97A AU719695B2 (en) | 1996-12-27 | 1997-12-24 | Optical fiber and method of manufacturing the same |
| EP97310622A EP0851247A3 (en) | 1996-12-27 | 1997-12-24 | Dispersion-shifted optical fibre and method of manufacturing the same |
| IDP973995A ID19328A (id) | 1996-12-27 | 1997-12-26 | Serat optik dan metode pembuatannya |
| TW086119792A TW356531B (en) | 1996-12-27 | 1997-12-26 | Optical fibre and its method of manufacturing |
| KR1019970074865A KR100426385B1 (ko) | 1996-12-27 | 1997-12-27 | 광파이버와 이것을 제조하는 방법 |
| CNB971093768A CN1148590C (zh) | 1996-12-27 | 1997-12-27 | 光纤及其制造方法 |
| US09/007,798 US6535679B2 (en) | 1997-01-16 | 1998-01-15 | Optical fiber and method of manufacturing the same |
| HK98110392A HK1009493A1 (en) | 1996-12-27 | 1998-09-03 | Optical fiber and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00567197A JP3738510B2 (ja) | 1997-01-16 | 1997-01-16 | 光ファイバ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10206669A true JPH10206669A (ja) | 1998-08-07 |
| JP3738510B2 JP3738510B2 (ja) | 2006-01-25 |
Family
ID=11617575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00567197A Expired - Fee Related JP3738510B2 (ja) | 1996-12-27 | 1997-01-16 | 光ファイバ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3738510B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6343175B1 (en) | 1999-01-18 | 2002-01-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber with core containing chlorine and cladding containing fluorine and a method of manufacturing the same |
| JP2002187733A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-07-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法 |
| JP2008024584A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-02-07 | Draka Comteq Bv | 内部蒸着プロセスによる光学予備成形物の製造方法およびそれによって得られた予備成形物 |
| JP2010064915A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 光ファイバ母材の製造方法 |
| JP2012008592A (ja) * | 2005-06-29 | 2012-01-12 | Furukawa Electric North America Inc | 低損失光ファイバ、およびその製造方法 |
| WO2012128250A1 (ja) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバ、光ファイバコードおよび光ファイバケーブル |
| JP2013520711A (ja) * | 2010-02-26 | 2013-06-06 | コーニング インコーポレイテッド | 低曲げ損失光ファイバ |
| US9002164B2 (en) | 2013-02-28 | 2015-04-07 | Fujikura Ltd. | Optical fiber and method of manufacturing the same |
-
1997
- 1997-01-16 JP JP00567197A patent/JP3738510B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6449415B1 (en) | 1999-01-18 | 2002-09-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber and method of manufacturing the same |
| US6343175B1 (en) | 1999-01-18 | 2002-01-29 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber with core containing chlorine and cladding containing fluorine and a method of manufacturing the same |
| JP2002187733A (ja) * | 2000-12-14 | 2002-07-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光ファイバ母材の製造方法および光ファイバの製造方法 |
| EP2629126A2 (en) * | 2005-06-29 | 2013-08-21 | Furukawa Electric North America Inc. | Low loss optical fiber designs |
| EP2629126A3 (en) * | 2005-06-29 | 2014-10-01 | OFS Fitel, LLC | Low loss optical fiber designs |
| JP2012008592A (ja) * | 2005-06-29 | 2012-01-12 | Furukawa Electric North America Inc | 低損失光ファイバ、およびその製造方法 |
| JP2008024584A (ja) * | 2006-07-10 | 2008-02-07 | Draka Comteq Bv | 内部蒸着プロセスによる光学予備成形物の製造方法およびそれによって得られた予備成形物 |
| US8820121B2 (en) | 2008-09-09 | 2014-09-02 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of manufacturing optical fiber base material |
| JP2010064915A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 光ファイバ母材の製造方法 |
| JP2013520711A (ja) * | 2010-02-26 | 2013-06-06 | コーニング インコーポレイテッド | 低曲げ損失光ファイバ |
| JP2016128932A (ja) * | 2010-02-26 | 2016-07-14 | コーニング インコーポレイテッド | 低曲げ損失光ファイバ |
| JP2012212115A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ、光ファイバコードおよび光ファイバケーブル |
| WO2012128250A1 (ja) * | 2011-03-23 | 2012-09-27 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバ、光ファイバコードおよび光ファイバケーブル |
| US8724954B2 (en) | 2011-03-23 | 2014-05-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Optical fiber, optical fiber cord, and optical fiber cable |
| US9002164B2 (en) | 2013-02-28 | 2015-04-07 | Fujikura Ltd. | Optical fiber and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3738510B2 (ja) | 2006-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6535679B2 (en) | Optical fiber and method of manufacturing the same | |
| CN1891649B (zh) | 低损耗光纤的设计及其制造方法 | |
| WO2000042458A1 (fr) | Fibre optique et son procede de fabrication | |
| WO2013021759A1 (ja) | 光ファイバ母材および光ファイバの製造方法 | |
| JP2959877B2 (ja) | 光ファイバの製造方法 | |
| AU719695B2 (en) | Optical fiber and method of manufacturing the same | |
| US20200339465A1 (en) | Method for manufacturing optical fiber preform, optical fiber preform, method for manufacturing optical fiber, and optical fiber | |
| JPH0948629A (ja) | 光ファイバおよびその製造方法 | |
| CN102149648A (zh) | 光纤母材的制造方法 | |
| JP3098828B2 (ja) | 分散シフトファイバ及びその製造方法 | |
| JP3738510B2 (ja) | 光ファイバ及びその製造方法 | |
| CN101097273A (zh) | 宏弯曲不敏感光学纤维 | |
| JPH10206654A (ja) | 光ファイバ及びその製造方法 | |
| JPH07230015A (ja) | 分散シフト型シングルモード光ファイバと分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材と分散シフト型シングルモード光ファイバ用母材の製造方法 | |
| JP2002047027A (ja) | 光ファイバ用プリフォーム及びシングルモード光ファイバ | |
| JPH0820574B2 (ja) | 分散シフトフアイバ及びその製造方法 | |
| WO2001072648A1 (en) | Substrate tube and process for producing a preform for an optical fiber | |
| JP3569910B2 (ja) | 光ファイバの製造方法 | |
| JPH0798671B2 (ja) | 光フアイバ用プリフオ−ムの製造方法 | |
| JPH0426523A (ja) | 光ファイバの製造方法 | |
| JPH0717395B2 (ja) | 分散シフトフアイバ用母材の製造方法 | |
| JP3174682B2 (ja) | 光ファイバ用ガラス母材の製造方法 | |
| JP2000159531A (ja) | 光ファイバ母材の製造方法 | |
| JPH01242432A (ja) | 光フアイバ母材の製造方法 | |
| JPH01111747A (ja) | 光ファイバ母材の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041013 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050118 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050228 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051011 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051024 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091111 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101111 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111111 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111111 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121111 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |