JPH01242432A - 光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ母材の製造方法Info
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- JPH01242432A JPH01242432A JP6898288A JP6898288A JPH01242432A JP H01242432 A JPH01242432 A JP H01242432A JP 6898288 A JP6898288 A JP 6898288A JP 6898288 A JP6898288 A JP 6898288A JP H01242432 A JPH01242432 A JP H01242432A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
-
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- C03B2201/00—Type of glass produced
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- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
- C03B2201/22—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine doped with deuterium
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- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/04—Multi-nested ports
- C03B2207/06—Concentric circular ports
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、火炎加水分解法にて光ファイバ母材を製造す
る方法に関するものである。
る方法に関するものである。
近年、光ファイバを用いた伝送システムは単に公衆通信
のみならず、ローカルエリアネットワークやコンビュー
ターネントワーク等多方面に応用されるようになってき
た。さらには国際通信の需要の増大に伴い、光海底ケー
ブルの布設も進められている。ところでこの光海底ケー
ブル等の長距離伝送に使用される光ファイバには、通常
の公衆通信に使用されるものに比較して、より低損失、
大容量のものが希求されている。このような光ファイバ
として、例えば分散シフト光ファイバ（以下ＤＳＦファ
イバと称す）等がある。
のみならず、ローカルエリアネットワークやコンビュー
ターネントワーク等多方面に応用されるようになってき
た。さらには国際通信の需要の増大に伴い、光海底ケー
ブルの布設も進められている。ところでこの光海底ケー
ブル等の長距離伝送に使用される光ファイバには、通常
の公衆通信に使用されるものに比較して、より低損失、
大容量のものが希求されている。このような光ファイバ
として、例えば分散シフト光ファイバ（以下ＤＳＦファ
イバと称す）等がある。
ここで前記ＤＳＦファイバを例に挙げて説明すると、こ
のＤＳＦファイバのような超低損失のものを得ようとす
ると、光ファイバ中への０■基の混入を極限に近いくら
いに少なくし、該ＯＨ基による伝送損失を小さくするこ
とが必要である。
のＤＳＦファイバのような超低損失のものを得ようとす
ると、光ファイバ中への０■基の混入を極限に近いくら
いに少なくし、該ＯＨ基による伝送損失を小さくするこ
とが必要である。
しかしながらこれまで開発された種々の技術をもってし
ても、光ファイバ中のＯＨ基の極限的最小化は極めて困
難であることがわかってきた。
ても、光ファイバ中のＯＨ基の極限的最小化は極めて困
難であることがわかってきた。
前記問題に鑑み本発明の目的は、光ファイバ中の、とり
わけ光が通過する部分へのＯＨ基の混入を防ぎ、もって
超低損失の光ファイバを得ることのできる光ファイバ母
材の製造方法を提供することにある。
わけ光が通過する部分へのＯＨ基の混入を防ぎ、もって
超低損失の光ファイバを得ることのできる光ファイバ母
材の製造方法を提供することにある。
前記目的を達成すべく本発明は、火炎加水分解法にて石
英系ガラス微粒子からなる光ファイバ母材を製造する方
法において、前記火炎加水分解を重水素−酸素炎にて行
うことを特徴とするものである。
英系ガラス微粒子からなる光ファイバ母材を製造する方
法において、前記火炎加水分解を重水素−酸素炎にて行
うことを特徴とするものである。
以下に本発明の実施例を図を参照して詳細に説明する。
本発明者は種りの実験の結果、光の通過する部分を従来
の水素−酸素炎（）Ｉｔ−Ｏｘ炎）による火炎加水分解
に換えて重水素−酸素炎（ｏ ｚ −０２炎）による火
炎加水分解にて製造することにより、該方法により得ら
れる石英系ガラス微粒子（以下単にスートと称す）中へ
のＯＨ基の混入を防止することに思い至った。
の水素−酸素炎（）Ｉｔ−Ｏｘ炎）による火炎加水分解
に換えて重水素−酸素炎（ｏ ｚ −０２炎）による火
炎加水分解にて製造することにより、該方法により得ら
れる石英系ガラス微粒子（以下単にスートと称す）中へ
のＯＨ基の混入を防止することに思い至った。
以下に具体的にその方法を前述したＤＳＦファイバを例
に挙げて説明する。
に挙げて説明する。
まず第１図に示すようなりＳＦファイバのセンターコア
１に相当する部分を製造するにあたっては、第２図に示
すように、５ｉＣ１４を同心四重管バーナ４に導入し、
これを重水素−酸素炎５の中で火炎加水分解して前記セ
ンターコア１に相当するスートを製造した。尚、この際
前記スートの表面温度を約９００ ’Ｃに維持し、スー
トのがさ密度を約０．８８／ｃｌ’になるように制御し
た。ここでがさ密度を０．８ｇ／ｃｍ’と大きくしたの
は、後述するＳｉＦ４によるセンターコア１へのＦのド
ープ量を掻力小さくし、第１図に示す屈折率プロファイ
ルを精度よく得るためである。
１に相当する部分を製造するにあたっては、第２図に示
すように、５ｉＣ１４を同心四重管バーナ４に導入し、
これを重水素−酸素炎５の中で火炎加水分解して前記セ
ンターコア１に相当するスートを製造した。尚、この際
前記スートの表面温度を約９００ ’Ｃに維持し、スー
トのがさ密度を約０．８８／ｃｌ’になるように制御し
た。ここでがさ密度を０．８ｇ／ｃｍ’と大きくしたの
は、後述するＳｉＦ４によるセンターコア１へのＦのド
ープ量を掻力小さくし、第１図に示す屈折率プロファイ
ルを精度よく得るためである。
またこのセンターコア１に相当する部分の製造と同時に
、第２図に示すように、第１図におけるアウターコア２
に相当する部分をも一緒に製造した。このアウターコア
２に相当する部分の製造に際しては従来の水素−酸素炎
６を使用した。すなわち、ＳｉＣＩｍを同心四重管のバ
ーナ７に導き、水素−酸素炎６中で火炎加水分解させ、
スートとして前記センターコア１に相当するスート上に
これを堆積せしめた。アウターコア２に相当するスート
はそのかさ密度が０．２５〜０．３ｇ／ｃｍ３になるよ
うにその表面温度等を制御した。このアウターコア２に
相当するスート外径が約６（１ｍａ＋になったところで
火炎加水分解を停止し、次にこのスー１０を第３図に示
す石英炉心管８へと導いた。ここではまず電気炉１２に
より石英炉心管８の最高温度部が１２００°Ｃになるよ
うに保持し、かつＨｅを５０１／ｍ１ｎＳＣ１□１．５
１！、７ｓｉｎをガス導入口９から流し込み、これをガ
ス排気口１１から排気しながら、条件が安定したところ
で前記スート１０を回転しつつ２００ｍｍ／ｈの速度で
下降させ脱水を行った。スート１０の全体が最高温度部
を通過したら該スートｌＯを引き上げ、炉内最高温度部
を１３５０°Ｃになるようにし、かつ５ｉＦａ２．５４
！／ｗｉｎ、 Ｈｅ１．６４２／ｗｉｎ、 Ｃ１ｚ０．
ＩＬ／ｗｉｎを前記同様に石英炉心管８内に流し込みな
がら前記スート１０を３５０ｍｍ／ｈの速度で下降させ
、透明なガラスロッドを得た。最後にこれを延伸して外
径１５ｍｍ、長さ２００ｓｎのコアロッド（センターコ
ア１とアウターコア２に相当するもの）を得た。続いて
このコアロッド上に水素−酸素炎による従来の火炎加水
分解法により第１図のクラッド３に相当するスートを堆
積せしめ、外径が約９Ｏｎ＋ｍになっ〆ところで停止し
た。尚、このスートのかさ密度は０．２５〜０．３ｇ／
ｃｍ’になるように制御した。これを前述した第３図に
示す石英炉心管８に導き、まず炉内最高温度部を１００
０°Ｃに保持し、）Ｈｅ５０１ ／ｗｉｎ、 Ｃｌ２１
．５１／１Ｉｉｎをこの炉心管内に流しながら３５０ｍ
５＋／ｈの速度で降下させ脱水を行った。脱水が完了し
たら次に炉内最高温度部を１３５０°Ｃに保持し、かつ
５ｉＰａ２．５１ ／ｍｉｎ、 ＣＩｚｏ、１１ ／ｗ
ｉｎを流した状態で前記スートを３５０１１１１１／ｈ
で下降させた。以上のクラッド３作製の操作を３回繰り
返し、コア：クラッド＝６．６ ：１２５の透明なガ
ラスロッドを得た。最後にこのガラスロッドを線引して
外径１２５μｍの２本の光ファイバを得るとともに、該
光ファイバ上に紫外線硬化性樹脂被覆を施した。
、第２図に示すように、第１図におけるアウターコア２
に相当する部分をも一緒に製造した。このアウターコア
２に相当する部分の製造に際しては従来の水素−酸素炎
６を使用した。すなわち、ＳｉＣＩｍを同心四重管のバ
ーナ７に導き、水素−酸素炎６中で火炎加水分解させ、
スートとして前記センターコア１に相当するスート上に
これを堆積せしめた。アウターコア２に相当するスート
はそのかさ密度が０．２５〜０．３ｇ／ｃｍ３になるよ
うにその表面温度等を制御した。このアウターコア２に
相当するスート外径が約６（１ｍａ＋になったところで
火炎加水分解を停止し、次にこのスー１０を第３図に示
す石英炉心管８へと導いた。ここではまず電気炉１２に
より石英炉心管８の最高温度部が１２００°Ｃになるよ
うに保持し、かつＨｅを５０１／ｍ１ｎＳＣ１□１．５
１！、７ｓｉｎをガス導入口９から流し込み、これをガ
ス排気口１１から排気しながら、条件が安定したところ
で前記スート１０を回転しつつ２００ｍｍ／ｈの速度で
下降させ脱水を行った。スート１０の全体が最高温度部
を通過したら該スートｌＯを引き上げ、炉内最高温度部
を１３５０°Ｃになるようにし、かつ５ｉＦａ２．５４
！／ｗｉｎ、 Ｈｅ１．６４２／ｗｉｎ、 Ｃ１ｚ０．
ＩＬ／ｗｉｎを前記同様に石英炉心管８内に流し込みな
がら前記スート１０を３５０ｍｍ／ｈの速度で下降させ
、透明なガラスロッドを得た。最後にこれを延伸して外
径１５ｍｍ、長さ２００ｓｎのコアロッド（センターコ
ア１とアウターコア２に相当するもの）を得た。続いて
このコアロッド上に水素−酸素炎による従来の火炎加水
分解法により第１図のクラッド３に相当するスートを堆
積せしめ、外径が約９Ｏｎ＋ｍになっ〆ところで停止し
た。尚、このスートのかさ密度は０．２５〜０．３ｇ／
ｃｍ’になるように制御した。これを前述した第３図に
示す石英炉心管８に導き、まず炉内最高温度部を１００
０°Ｃに保持し、）Ｈｅ５０１ ／ｗｉｎ、 Ｃｌ２１
．５１／１Ｉｉｎをこの炉心管内に流しながら３５０ｍ
５＋／ｈの速度で降下させ脱水を行った。脱水が完了し
たら次に炉内最高温度部を１３５０°Ｃに保持し、かつ
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ｉｎを流した状態で前記スートを３５０１１１１１／ｈ
で下降させた。以上のクラッド３作製の操作を３回繰り
返し、コア：クラッド＝６．６ ：１２５の透明なガ
ラスロッドを得た。最後にこのガラスロッドを線引して
外径１２５μｍの２本の光ファイバを得るとともに、該
光ファイバ上に紫外線硬化性樹脂被覆を施した。
前記本発明のものと比較するためセンターコア１に相当
するスートを水素−酸素炎で製造し、その後の処理は前
記本発明の方法のものと全く同一方法にて紫外線硬化性
樹脂被覆付の光ファイバを２本得、以下に両者を比較し
、その結果を表１に示した。尚、両光ファイバとも第１
図におけるΔ１、Δ２、Δ、の値は共にそれぞれ−０，
０３％、−０，５４％、−０，６７％であり、アウター
コア２の外径は共に６．６ μｍ、カットオフ波長は共
に０．９〜１゜１μｍであった。また表１におけるピー
ク高さとは波長１．３９μｍでのＯＨ基による損失ヒー
タの値（ｄＢ／ｋｍ）を示しており、伝送損失は１，５
５μｍ帯での損失値を示している。
するスートを水素−酸素炎で製造し、その後の処理は前
記本発明の方法のものと全く同一方法にて紫外線硬化性
樹脂被覆付の光ファイバを２本得、以下に両者を比較し
、その結果を表１に示した。尚、両光ファイバとも第１
図におけるΔ１、Δ２、Δ、の値は共にそれぞれ−０，
０３％、−０，５４％、−０，６７％であり、アウター
コア２の外径は共に６．６ μｍ、カットオフ波長は共
に０．９〜１゜１μｍであった。また表１におけるピー
ク高さとは波長１．３９μｍでのＯＨ基による損失ヒー
タの値（ｄＢ／ｋｍ）を示しており、伝送損失は１，５
５μｍ帯での損失値を示している。
表１
センターコ ピーク高さ 伝送損失ア用バーナ
（ｄＢ／ｋｍ） （ｄＢ／ｋｍ）実施例 Ｄ、−
０，炎 ０．２ ０．１９０．３
０．２０ 比較例 ｏｘ−ｏｘ炎 １３ ０．２４
１５ ０．２５ 表１が示すように、両者を比較すると比較例のものには
かなりの量のＯＲ基が残留していることがわかる。その
ため１．３９μｍ帯でのピーク値により、そのすそにあ
たる１．５５μｍでも伝送損失値が大きかった。この理
由の１つとして、第１図のような屈折率プロファイルを
精度よく得るためにセンターコア１へのＦのドープ量を
制御すべく該センターコア１に相当するスートのかさ密
度を前述のごと＜ ０．８ｇ／ｃｍ：Ｉと大きくせざる
を得なかった結果、Ｃ１２による脱水が十分に行えなか
ったことも挙げられる。これに対して本発明の実施例の
ものでも、前述した比較例と同じ理由によりセンターコ
ア１にはかなりの量のＯＲ基が残留していると予想され
るが、この００基によるロスのピーク値の出現は１゜９
μｍ帯にあるため、１．５５μｍへの影響は非常に小さ
く、その結果表１に示す結果になったものと思われる。
（ｄＢ／ｋｍ） （ｄＢ／ｋｍ）実施例 Ｄ、−
０，炎 ０．２ ０．１９０．３
０．２０ 比較例 ｏｘ−ｏｘ炎 １３ ０．２４
１５ ０．２５ 表１が示すように、両者を比較すると比較例のものには
かなりの量のＯＲ基が残留していることがわかる。その
ため１．３９μｍ帯でのピーク値により、そのすそにあ
たる１．５５μｍでも伝送損失値が大きかった。この理
由の１つとして、第１図のような屈折率プロファイルを
精度よく得るためにセンターコア１へのＦのドープ量を
制御すべく該センターコア１に相当するスートのかさ密
度を前述のごと＜ ０．８ｇ／ｃｍ：Ｉと大きくせざる
を得なかった結果、Ｃ１２による脱水が十分に行えなか
ったことも挙げられる。これに対して本発明の実施例の
ものでも、前述した比較例と同じ理由によりセンターコ
ア１にはかなりの量のＯＲ基が残留していると予想され
るが、この００基によるロスのピーク値の出現は１゜９
μｍ帯にあるため、１．５５μｍへの影響は非常に小さ
く、その結果表１に示す結果になったものと思われる。
尚、前記実施例ではセンターコア１及びアウターコア２
に相当する部分は５ｉＣ１４のみで合成したが、Ｇｅｍ
、、Ｐ２Ｏ２等の金属酸化物を微量ドープしてもよい。
に相当する部分は５ｉＣ１４のみで合成したが、Ｇｅｍ
、、Ｐ２Ｏ２等の金属酸化物を微量ドープしてもよい。
ここで微量と限定した理由は、一般にこれら金属酸化物
の量が大きくなると、レーリー散乱係数が大きくなるた
めである。またこの実施例では、センターコア１に相当
する部分のスート合成にのみ重水素−酸素炎を使用して
いるが、それ以外の部分の合成に使用してもよい、さら
にまた実施例では第１図に示すようなデュアルシエイプ
型の、いわゆる分散シフト光ファイバについてのみ述べ
たが第４図に示すようなコア１とクラッド３とからなる
、いわゆる−船釣な単一モード光ファイバ（１，３μｍ
帯で零分散）にも適用できることは言うまでもない。
の量が大きくなると、レーリー散乱係数が大きくなるた
めである。またこの実施例では、センターコア１に相当
する部分のスート合成にのみ重水素−酸素炎を使用して
いるが、それ以外の部分の合成に使用してもよい、さら
にまた実施例では第１図に示すようなデュアルシエイプ
型の、いわゆる分散シフト光ファイバについてのみ述べ
たが第４図に示すようなコア１とクラッド３とからなる
、いわゆる−船釣な単一モード光ファイバ（１，３μｍ
帯で零分散）にも適用できることは言うまでもない。
以上のようにしてなる本発明の方法によればＯＨ基の量
を最小に押さえことができ、かっこの０１１基にかわっ
てＯＲ基が増加するものの、該ＯＲ基の１．５５μｍ帯
への影響が極めて少ないため、１．５５μ鴎での伝送損
失の極めて小さい光ファイバを得ることができる。
を最小に押さえことができ、かっこの０１１基にかわっ
てＯＲ基が増加するものの、該ＯＲ基の１．５５μｍ帯
への影響が極めて少ないため、１．５５μ鴎での伝送損
失の極めて小さい光ファイバを得ることができる。
前述の如く本発明の光ファイバ母材の製造方法によれば
、ＯＨ基の極めて少ない、すなわち１．５５μｍ帯での
伝送損失が超低損失の光ファイバを得ることができる。
、ＯＨ基の極めて少ない、すなわち１．５５μｍ帯での
伝送損失が超低損失の光ファイバを得ることができる。
第１図は分散シフト光ファイバの屈折率プロファイルを
示す概略図、第２図は本発明の一実施例を示す概略図、
第３図は第２図により合成されたスートを脱水、ガラス
化する装置の概略図、第４図は単一モード光ファイバの
屈折率プロファイルを示す概略図である。 １〜センターコア ２〜アウターコア ３〜クラツド
５〜重水素−酸素炎 ８〜石英炉心管１０〜スート 特許出願人 古河電気工業株式会社第１図 第２図 第６図 第４図
示す概略図、第２図は本発明の一実施例を示す概略図、
第３図は第２図により合成されたスートを脱水、ガラス
化する装置の概略図、第４図は単一モード光ファイバの
屈折率プロファイルを示す概略図である。 １〜センターコア ２〜アウターコア ３〜クラツド
５〜重水素−酸素炎 ８〜石英炉心管１０〜スート 特許出願人 古河電気工業株式会社第１図 第２図 第６図 第４図
Claims (1)
- 火炎加水分解法にて石英系ガラス微粒子からなる光ファ
イバ母材を製造する方法において、前記火炎加水分解を
重水素−酸素炎にて行うことを特徴とする光ファイバ母
材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6898288A JPH01242432A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6898288A JPH01242432A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01242432A true JPH01242432A (ja) | 1989-09-27 |
Family
ID=13389378
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6898288A Pending JPH01242432A (ja) | 1988-03-23 | 1988-03-23 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01242432A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1422202A1 (en) * | 2002-11-25 | 2004-05-26 | Alcatel | Method of fabricating an optical fiber |
| US6904772B2 (en) | 2000-12-22 | 2005-06-14 | Corning Incorporated | Method of making a glass preform for low water peak optical fiber |
| US7130520B2 (en) | 2004-07-26 | 2006-10-31 | Sbc Knowledge Ventures, L.P. | System having centralized control of actuators associated with a fiber distribution frame to remotely control access to the fiber distribution frame |
-
1988
- 1988-03-23 JP JP6898288A patent/JPH01242432A/ja active Pending
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