JP2717623B2 - 膜形成材料及び膜形成方法 - Google Patents
膜形成材料及び膜形成方法Info
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- JP2717623B2 JP2717623B2 JP5336520A JP33652093A JP2717623B2 JP 2717623 B2 JP2717623 B2 JP 2717623B2 JP 5336520 A JP5336520 A JP 5336520A JP 33652093 A JP33652093 A JP 33652093A JP 2717623 B2 JP2717623 B2 JP 2717623B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば導電性の金属
（遷移金属）膜、超電導膜や誘電体膜と言ったような金
属酸化物（セラミック）膜、超硬被膜用の炭化金属膜や
窒化金属膜、その他金属硫化物膜と言った膜の形成技術
に関するものである。
（遷移金属）膜、超電導膜や誘電体膜と言ったような金
属酸化物（セラミック）膜、超硬被膜用の炭化金属膜や
窒化金属膜、その他金属硫化物膜と言った膜の形成技術
に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】金属薄膜、例えばＡ１膜の形成にはトリ
メチルアルミニウムを用いた気相薄膜形成法が、又、Ｚ
ｎ膜の形成にはジメチル亜鉛を用いた気相薄膜形成法
が、又、Ｓｉ膜の形成にはシランを用いた気相薄膜形成
法が、又、Ａｓ膜の形成にはアルシンを用いた気相薄膜
形成法が用いられている。すなわち、金属水素化物を用
いた気相薄膜形成法が知られている。
メチルアルミニウムを用いた気相薄膜形成法が、又、Ｚ
ｎ膜の形成にはジメチル亜鉛を用いた気相薄膜形成法
が、又、Ｓｉ膜の形成にはシランを用いた気相薄膜形成
法が、又、Ａｓ膜の形成にはアルシンを用いた気相薄膜
形成法が用いられている。すなわち、金属水素化物を用
いた気相薄膜形成法が知られている。
【０００３】これらの気相薄膜形成法に用いられている
金属水素化物は共有結合性が強い分子であり、従って室
温下においても数ｍｍＨｇから数百ｍｍＨｇと言ったよ
うな高い蒸気圧を有しており、気化が極めて容易な化合
物である。ところで、薄膜形成技術の進歩に伴い、あり
とあらゆる金属を気相薄膜形成法により基板上に堆積さ
せることが求められるようになって来た。
金属水素化物は共有結合性が強い分子であり、従って室
温下においても数ｍｍＨｇから数百ｍｍＨｇと言ったよ
うな高い蒸気圧を有しており、気化が極めて容易な化合
物である。ところで、薄膜形成技術の進歩に伴い、あり
とあらゆる金属を気相薄膜形成法により基板上に堆積さ
せることが求められるようになって来た。
【０００４】しかしながら、イオン結合性が強い金属の
場合には、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、希
土類金属や遷移金属のようにイオン結合性が強い金属の
場合には、蒸気圧が低く、気化させることが困難であ
り、気相薄膜形成法の展開は進んでいない。例えば、ア
ルカリ土類金属であるＢａやＳｒについて、β−ジケト
ン化合物の一種であるＤＰＭを配位子として気化させる
技術が提案されている程度である。
場合には、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、希
土類金属や遷移金属のようにイオン結合性が強い金属の
場合には、蒸気圧が低く、気化させることが困難であ
り、気相薄膜形成法の展開は進んでいない。例えば、ア
ルカリ土類金属であるＢａやＳｒについて、β−ジケト
ン化合物の一種であるＤＰＭを配位子として気化させる
技術が提案されている程度である。
【０００５】しかしながら、ＤＰＭ2 ＢａやＤＰＭ2 Ｓ
ｒ等の金属錯体を気化させるにしても２００℃以上の加
熱を要する為、原料気化器、バルブや輸送管などの系を
２００℃以上に加熱しなければならない問題が有る。し
かも、ＤＰＭ2 ＢａやＤＰＭ2 Ｓｒ等の金属錯体は２０
０℃近傍の温度で分解が始まることから、気化させる為
の加熱は分解させることにもなり、原料の劣化が常に問
題となる。この為、研究室レベルではなく、工場生産の
レベルになると、原料錯体の気化輸送を大量に行うこと
が極めて困難になる。
ｒ等の金属錯体を気化させるにしても２００℃以上の加
熱を要する為、原料気化器、バルブや輸送管などの系を
２００℃以上に加熱しなければならない問題が有る。し
かも、ＤＰＭ2 ＢａやＤＰＭ2 Ｓｒ等の金属錯体は２０
０℃近傍の温度で分解が始まることから、気化させる為
の加熱は分解させることにもなり、原料の劣化が常に問
題となる。この為、研究室レベルではなく、工場生産の
レベルになると、原料錯体の気化輸送を大量に行うこと
が極めて困難になる。
【０００６】尚、キャリアガスの流量を上げることによ
って比較的低い温度での原料錯体の輸送を行わせること
も考えられるが、ＤＰＭ2 ＢａやＤＰＭ2 Ｓｒを始めと
する多くの金属錯体は融点が１００℃以上（２００℃程
度のものが多い）であり、低温では固体である為、キャ
リアガスによる輸送中に気化しないまま流れてしまう問
題点がある。
って比較的低い温度での原料錯体の輸送を行わせること
も考えられるが、ＤＰＭ2 ＢａやＤＰＭ2 Ｓｒを始めと
する多くの金属錯体は融点が１００℃以上（２００℃程
度のものが多い）であり、低温では固体である為、キャ
リアガスによる輸送中に気化しないまま流れてしまう問
題点がある。
【０００７】更には、ＤＰＭ２ＢａやＤＰＭ２Ｓｒ等の
金属錯体は、水、酸素、二酸化炭素などに鋭敏に反応し
たり、これらを吸着したりする性質が強い。この為、こ
れらの物質が取り込まれてしまうと、除去が困難であ
り、そして除去しないで使用した場合には気化の特性が
変わったりする為、堆積を良好に行わせることが出来な
い致命的な問題点がある。
金属錯体は、水、酸素、二酸化炭素などに鋭敏に反応し
たり、これらを吸着したりする性質が強い。この為、こ
れらの物質が取り込まれてしまうと、除去が困難であ
り、そして除去しないで使用した場合には気化の特性が
変わったりする為、堆積を良好に行わせることが出来な
い致命的な問題点がある。
【０００８】
【発明の開示】本発明の目的は、例えばアルカリ金属、
アルカリ土類金属、希土類金属や遷移金属のようにイオ
ン結合性が強い金属の場合であっても、薄膜形成が良好
に行える技術を提供することである。この本発明の目的
は、金属錯体の下記の群〔Ｉ〕の中から選ばれる直鎖状
アミン付加体からなることを特徴とする膜形成材料によ
って達成される。
アルカリ土類金属、希土類金属や遷移金属のようにイオ
ン結合性が強い金属の場合であっても、薄膜形成が良好
に行える技術を提供することである。この本発明の目的
は、金属錯体の下記の群〔Ｉ〕の中から選ばれる直鎖状
アミン付加体からなることを特徴とする膜形成材料によ
って達成される。
【０００９】又、金属錯体の下記の群〔Ｉ〕の中から選
ばれる直鎖状アミン付加体を気相分解させ、金属原子を
基板上に堆積させることを特徴とする膜形成方法によっ
て達成される。群〔Ｉ〕 ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テト
ラエチレンペンタ ミン、ペンタエチレンヘキサミン、
２，２’，２’’−トリアミノトリエ チルアミン 尚、上記の直鎖状アミンを、以下では、単に、鎖状アミ
ンと省略することもある。
ばれる直鎖状アミン付加体を気相分解させ、金属原子を
基板上に堆積させることを特徴とする膜形成方法によっ
て達成される。群〔Ｉ〕 ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テト
ラエチレンペンタ ミン、ペンタエチレンヘキサミン、
２，２’，２’’−トリアミノトリエ チルアミン 尚、上記の直鎖状アミンを、以下では、単に、鎖状アミ
ンと省略することもある。
【００１０】又、上記の発明において用いられる金属錯
体を構成する為の配位子は、Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｓ，Ｆの原子
の群の中から選ばれる三つ以上の原子を構成元素として
なり、金属との直接結合以外に錯体分子内で一つ以上の
金属との配位結合を持つことが出来るものであり、具体
例としてはアセチルアセトン（Ａｃａｃ）、ジピバロイ
ルメタン（ＤＰＭ）、ヘキサフルオロアセチルアセトン
（Ｈｆａ）等のβ−ジケトンタイプのもの、２，４−ペ
ンタンジチオン等のβ−ジチオンタイプのもの、１，２
−ビス（トリフルオロメチル）エチレン−１，２−ジチ
オール等のジチオール類、トロポロン、ジエチルジチオ
カルバミド酸などが挙げられる。勿論、この他の一般に
用いられるものを用いることも出来る。
体を構成する為の配位子は、Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｓ，Ｆの原子
の群の中から選ばれる三つ以上の原子を構成元素として
なり、金属との直接結合以外に錯体分子内で一つ以上の
金属との配位結合を持つことが出来るものであり、具体
例としてはアセチルアセトン（Ａｃａｃ）、ジピバロイ
ルメタン（ＤＰＭ）、ヘキサフルオロアセチルアセトン
（Ｈｆａ）等のβ−ジケトンタイプのもの、２，４−ペ
ンタンジチオン等のβ−ジチオンタイプのもの、１，２
−ビス（トリフルオロメチル）エチレン−１，２−ジチ
オール等のジチオール類、トロポロン、ジエチルジチオ
カルバミド酸などが挙げられる。勿論、この他の一般に
用いられるものを用いることも出来る。
【００１１】すなわち、上記のような直鎖状アミンが金
属錯体に付加させられると、この付加体は気化し易いも
のとなる。つまり、直鎖状アミンが金属錯体に付加させ
られると、直鎖状アミンは蛇のように曲がる機能を有し
ていることから、このものは図１に示す如く、錯体の中
心に位置している金属原子を包み込むようになり、特に
直鎖状アミンのＮ原子が中心の金属原子に付き、鎖状部
分が巻き付くようになっていることから、金属錯体の直
鎖状アミン付加体の間の分子間力は減少し、沸点や融点
は低下し、気化し易いものとなる。又、これにより、従
来、困難であったキャリアガスによるバブリングが可能
となり、大量輸送を安定して行うことが出来る。
属錯体に付加させられると、この付加体は気化し易いも
のとなる。つまり、直鎖状アミンが金属錯体に付加させ
られると、直鎖状アミンは蛇のように曲がる機能を有し
ていることから、このものは図１に示す如く、錯体の中
心に位置している金属原子を包み込むようになり、特に
直鎖状アミンのＮ原子が中心の金属原子に付き、鎖状部
分が巻き付くようになっていることから、金属錯体の直
鎖状アミン付加体の間の分子間力は減少し、沸点や融点
は低下し、気化し易いものとなる。又、これにより、従
来、困難であったキャリアガスによるバブリングが可能
となり、大量輸送を安定して行うことが出来る。
【００１２】そして、付加させるアミンが鎖状のもので
あると、この直鎖状部分は自由に曲がることが出来、金
属や配位子の種類に因ることなく対応できる。かつ、配
位力の強いアミンが金属に付くことになるから、外部か
らの水、酸素、二酸化炭素などの攻撃にも強く、金属錯
体の鎖状アミン付加体は変性し難いものとなり、取扱い
も容易なものとなる。
あると、この直鎖状部分は自由に曲がることが出来、金
属や配位子の種類に因ることなく対応できる。かつ、配
位力の強いアミンが金属に付くことになるから、外部か
らの水、酸素、二酸化炭素などの攻撃にも強く、金属錯
体の鎖状アミン付加体は変性し難いものとなり、取扱い
も容易なものとなる。
【００１３】尚、ストロンチウムのアセチルアセトン錯
体は図２に示される構造のものであり、金属のプラス電
荷が剥き出しになっていて、分子間力が強く、気化し難
い。この為、アセチルアセトンのＨ原子をＦ原子やメチ
ル基に置換し、錯体の中心に位置しているストロンチウ
ムを包み込むようになし、気化性を向上させようとの試
みがなされているが、充分なものではない。
体は図２に示される構造のものであり、金属のプラス電
荷が剥き出しになっていて、分子間力が強く、気化し難
い。この為、アセチルアセトンのＨ原子をＦ原子やメチ
ル基に置換し、錯体の中心に位置しているストロンチウ
ムを包み込むようになし、気化性を向上させようとの試
みがなされているが、充分なものではない。
【００１４】例えば、従来のＤＰＭ2 Ｓｒと本発明にな
るＤＰＭ2 Ｓｒ（トリエチレンテトラミン）n とを比較
すると、本発明になる鎖状アミン付加体は融点で２００
℃以上、気化温度で５０℃以上低くなっている。尚、本
発明になる鎖状アミン付加体（例えば、ＤＰＭ2 Ｓｒ
（トリエチレンテトラミン）n ）は次のようにすれば得
られる。
るＤＰＭ2 Ｓｒ（トリエチレンテトラミン）n とを比較
すると、本発明になる鎖状アミン付加体は融点で２００
℃以上、気化温度で５０℃以上低くなっている。尚、本
発明になる鎖状アミン付加体（例えば、ＤＰＭ2 Ｓｒ
（トリエチレンテトラミン）n ）は次のようにすれば得
られる。
【００１５】先ず、精製されたばかりの６３．６ミリモ
ルのＤＰＭ2 Ｓｒのｎ−ヘキサン溶液４００ｍｌに、蒸
留した１２７ミリモルのトリエチレンテトラミンを不活
性気流下で加える。約１０時間攪拌した後、溶媒を留去
し、白色の結晶を得た。このものは、融点が約４０℃、
有機定量分析によればＤＰＭ2 Ｓｒ（トリエチレンテト
ラミン）n の理論値に一致するものであった。そして、
空気中に数時間放置して熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）をした
処、放置前のものと変化は認められなかった。
ルのＤＰＭ2 Ｓｒのｎ−ヘキサン溶液４００ｍｌに、蒸
留した１２７ミリモルのトリエチレンテトラミンを不活
性気流下で加える。約１０時間攪拌した後、溶媒を留去
し、白色の結晶を得た。このものは、融点が約４０℃、
有機定量分析によればＤＰＭ2 Ｓｒ（トリエチレンテト
ラミン）n の理論値に一致するものであった。そして、
空気中に数時間放置して熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ）をした
処、放置前のものと変化は認められなかった。
【００１６】尚、その他の鎖状アミン付加体についても
同様にすれば得られる。そして、膜の形成に際して、金
属錯体の鎖状アミン付加体の気相化は、加熱手段、減圧
手段、キャリアガス使用手段、及び超音波使用手段の群
の中から選ばれる手段により行われる。又、分解は、熱
分解手段、光分解手段、反応分解手段、プラズマ分解手
段、及びマイクロ波分解手段の群の中から選ばれる手段
により行われる。
同様にすれば得られる。そして、膜の形成に際して、金
属錯体の鎖状アミン付加体の気相化は、加熱手段、減圧
手段、キャリアガス使用手段、及び超音波使用手段の群
の中から選ばれる手段により行われる。又、分解は、熱
分解手段、光分解手段、反応分解手段、プラズマ分解手
段、及びマイクロ波分解手段の群の中から選ばれる手段
により行われる。
【００１７】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を説
明する。
明する。
【００１８】
【実施例】〔実施例１〕 図３〜図５は本発明に係る膜形成方法の実施例を示すも
ので、図３は膜形成材料の減圧加熱による輸送試験装置
の概略図、図４は膜形成材料のキャリアガスによる輸送
試験装置の概略図、図５は試験装置の概略図である。
ので、図３は膜形成材料の減圧加熱による輸送試験装置
の概略図、図４は膜形成材料のキャリアガスによる輸送
試験装置の概略図、図５は試験装置の概略図である。
【００１９】図３中、１はガラス製容器、２は加熱用の
油浴、３はコールドトラツプ、４は真空ポンプであり、
ガラス製容器１の底部１ａに本発明になる鎖状アミン付
加体（ＤＰＭ2 Ｓｒ（テトラエチレンペンタミン）n ）
２ｇが入れられている。そして、装置内を真空ポンプ４
により０．１ｍｍＨｇに減圧し、１５０℃に加熱した
処、ガラス製容器１の中部１ｂに液体が輸送された。
油浴、３はコールドトラツプ、４は真空ポンプであり、
ガラス製容器１の底部１ａに本発明になる鎖状アミン付
加体（ＤＰＭ2 Ｓｒ（テトラエチレンペンタミン）n ）
２ｇが入れられている。そして、装置内を真空ポンプ４
により０．１ｍｍＨｇに減圧し、１５０℃に加熱した
処、ガラス製容器１の中部１ｂに液体が輸送された。
【００２０】この中部１ｂの液体を採取し、原子吸光分
析でストロンチウムの検出を試みた処、スペクトルのピ
ークが振り切れた。この結果、ストロンチウムが輸送さ
れていることが確認できた。図４中、５は水素あるいは
不活性ガスと言ったキャリアガスが充填されているガス
ボンベ、６はキャリアガスの流量制御器、７はガラス製
容器、８は加熱用の油浴、９はコールドトラツプ、１０
は配管であり、ガラス製容器７の底部７ａに本発明にな
る鎖状アミン付加体（ＤＰＭ2 Ｓｒ（トリエチレンテト
ラミン）n ）２ｇが入れられている。
析でストロンチウムの検出を試みた処、スペクトルのピ
ークが振り切れた。この結果、ストロンチウムが輸送さ
れていることが確認できた。図４中、５は水素あるいは
不活性ガスと言ったキャリアガスが充填されているガス
ボンベ、６はキャリアガスの流量制御器、７はガラス製
容器、８は加熱用の油浴、９はコールドトラツプ、１０
は配管であり、ガラス製容器７の底部７ａに本発明にな
る鎖状アミン付加体（ＤＰＭ2 Ｓｒ（トリエチレンテト
ラミン）n ）２ｇが入れられている。
【００２１】そして、ガラス製容器７の底部７ａを１２
０℃に加熱した処、この鎖状アミン付加体は液状のもの
になった。キャリアガス（ヘリウム）を１５０ｍｌ／ｍ
ｉｎの速度で流し、バブリングさせた処、２０時間後に
ガラス製容器７の中部７ｂに液体が輸送された。この中
部７ｂの液体を採取し、ＩＣＰ分析でストロンチウムの
検出を試みた処、０．０８ｇのストロンチウムが検出さ
れ、ストロンチウムが輸送されていることが確認でき
た。又、輸送前の化合物中の純度は９９％であったが、
輸送後にあっては純度が９９．９９％であった。すなわ
ち、気化、輸送によって精製が行われている。
０℃に加熱した処、この鎖状アミン付加体は液状のもの
になった。キャリアガス（ヘリウム）を１５０ｍｌ／ｍ
ｉｎの速度で流し、バブリングさせた処、２０時間後に
ガラス製容器７の中部７ｂに液体が輸送された。この中
部７ｂの液体を採取し、ＩＣＰ分析でストロンチウムの
検出を試みた処、０．０８ｇのストロンチウムが検出さ
れ、ストロンチウムが輸送されていることが確認でき
た。又、輸送前の化合物中の純度は９９％であったが、
輸送後にあっては純度が９９．９９％であった。すなわ
ち、気化、輸送によって精製が行われている。
【００２２】図５中、１１は水素あるいは不活性ガスと
言ったキャリアガスが充填されているガスボンベ、１２
はキャリアガスの流量制御器、１３はガラス製容器、１
４は加熱用の油浴、１５はコールドトラツプ、１６は配
管、１７は空気導入口であり、ガラス製容器１３の底部
１３ａに本発明になる鎖状アミン付加体（ＤＰＭ2 Ｓｒ
（トリエチレンテトラミン）n ）２ｇが入れられてい
る。
言ったキャリアガスが充填されているガスボンベ、１２
はキャリアガスの流量制御器、１３はガラス製容器、１
４は加熱用の油浴、１５はコールドトラツプ、１６は配
管、１７は空気導入口であり、ガラス製容器１３の底部
１３ａに本発明になる鎖状アミン付加体（ＤＰＭ2 Ｓｒ
（トリエチレンテトラミン）n ）２ｇが入れられてい
る。
【００２３】そして、ガラス製容器１３の底部１３ａを
１２０℃に加熱し、キャリアガスを１５０ｍｌ／ｍｉｎ
の速度で流し、バブリングさせ、６００℃に加熱された
ガラス製容器１３の中部１３ｂに輸送し、分解、堆積
（基板上に堆積）させた。尚、この時、キャリアガスに
対して５０％の空気を導入した。このようにして堆積さ
せられた膜の材料（物質）を蛍光Ｘ線分析により元素分
析を行った処、ストロンチウム以外の金属元素は認めら
れず、Ｓｒ系の物質であることが確認された。
１２０℃に加熱し、キャリアガスを１５０ｍｌ／ｍｉｎ
の速度で流し、バブリングさせ、６００℃に加熱された
ガラス製容器１３の中部１３ｂに輸送し、分解、堆積
（基板上に堆積）させた。尚、この時、キャリアガスに
対して５０％の空気を導入した。このようにして堆積さ
せられた膜の材料（物質）を蛍光Ｘ線分析により元素分
析を行った処、ストロンチウム以外の金属元素は認めら
れず、Ｓｒ系の物質であることが確認された。
【００２４】そして、Ｘ線回折パターン（Ｘ線はＫａ線
を使用）によれば、酸化ストロンチウムであることが判
った。 〔実施例２〕 実施例１において、金属錯体がＤＰＭ２Ｓｒ、直鎖状ア
ミンがテトラエチレンペンタミンの鎖状アミン付加体を
用いて同様に行った処、基板上にＳｒＯ膜が良好に形成
された。
を使用）によれば、酸化ストロンチウムであることが判
った。 〔実施例２〕 実施例１において、金属錯体がＤＰＭ２Ｓｒ、直鎖状ア
ミンがテトラエチレンペンタミンの鎖状アミン付加体を
用いて同様に行った処、基板上にＳｒＯ膜が良好に形成
された。
【００２５】〔実施例３〕 実施例１において、金属錯体がＤＰＭ２Ｓｒ、直鎖状ア
ミンがペンタエチレンヘキサミンの鎖状アミン付加体を
用いて同様に行った処、基板上にＳｒＯ膜が良好に形成
された。 〔実施例４〕 実施例１において、金属錯体がＡｃａｃ２ｃｕ、直鎖状
アミンがトリエチレンテトラミンの鎖状アミン付加体を
用い、そして空気を供給しない他は同様に行った処、基
板上にＣｕ膜が良好に形成された。
ミンがペンタエチレンヘキサミンの鎖状アミン付加体を
用いて同様に行った処、基板上にＳｒＯ膜が良好に形成
された。 〔実施例４〕 実施例１において、金属錯体がＡｃａｃ２ｃｕ、直鎖状
アミンがトリエチレンテトラミンの鎖状アミン付加体を
用い、そして空気を供給しない他は同様に行った処、基
板上にＣｕ膜が良好に形成された。
【００２６】〔実施例５〕 実施例１において、金属錯体がＨｆａ２Ｃｕ、直鎖状ア
ミンがトリエチレンテトラミンの鎖状アミン付加体を用
い、そして空気を供給しない他は同様に行った処、基板
上にＣｕ膜が良好に形成された。 〔実施例６〕 実施例１において、金属錯体がＤＰＭ３Ｅｒ、直鎖状ア
ミンがトリエチレンテトラミンの鎖状アミン付加体を用
いて同様に行った処、基板上にＥｒ２Ｏ３ 膜が良好に形
成された。
ミンがトリエチレンテトラミンの鎖状アミン付加体を用
い、そして空気を供給しない他は同様に行った処、基板
上にＣｕ膜が良好に形成された。 〔実施例６〕 実施例１において、金属錯体がＤＰＭ３Ｅｒ、直鎖状ア
ミンがトリエチレンテトラミンの鎖状アミン付加体を用
いて同様に行った処、基板上にＥｒ２Ｏ３ 膜が良好に形
成された。
【００２７】〔実施例７〕 実施例１において、金属錯体がＡｃａｃ２Ｃｏ、直鎖状
アミンがジエチレントリアミンの鎖状アミン付加体を用
い、そして酸素を供給しない他は同様に行った処、基板
上にＣｏ膜が良好に形成された。 〔実施例８〕 実施例１において、金属錯体がＤＰＭ２Ｆｅ、直鎖状ア
ミンがテトラエチレンペンタミンの鎖状アミン付加体を
用いて同様に行った処、基板上にＦｅ２Ｏ３ 膜が良好に
形成された。
アミンがジエチレントリアミンの鎖状アミン付加体を用
い、そして酸素を供給しない他は同様に行った処、基板
上にＣｏ膜が良好に形成された。 〔実施例８〕 実施例１において、金属錯体がＤＰＭ２Ｆｅ、直鎖状ア
ミンがテトラエチレンペンタミンの鎖状アミン付加体を
用いて同様に行った処、基板上にＦｅ２Ｏ３ 膜が良好に
形成された。
【００２８】〔実施例９〕 実施例１において、金属錯体がＤＰＭ４Ｚｒ、直鎖状ア
ミンがトリエチレンテトラミンの鎖状アミン付加体を用
いて同様に行った処、基板上にＺｒＯ２ 膜が良好に形成
された。 〔実施例１０〕 実施例１において、金属錯体がＡｃａｃ２Ｚｎ、直鎖状
アミンがジエチレントリアミンの鎖状アミン付加体を用
いて同様に行った処、基板上にＺｎ０膜が良好に形成さ
れた。
ミンがトリエチレンテトラミンの鎖状アミン付加体を用
いて同様に行った処、基板上にＺｒＯ２ 膜が良好に形成
された。 〔実施例１０〕 実施例１において、金属錯体がＡｃａｃ２Ｚｎ、直鎖状
アミンがジエチレントリアミンの鎖状アミン付加体を用
いて同様に行った処、基板上にＺｎ０膜が良好に形成さ
れた。
【００２９】〔実施例１１〕 実施例１において、金属錯体がＡｃａｃ２Ｚｎ、直鎖状
アミンがトリエチレンテトラミンの鎖状アミン付加体を
用いて同様に行った処、基板上にＺｎＯ膜が良好に形成
された。 〔実施例１２〕 実施例１において、金属錯体がＡｃａｃ２Ｚｎ、直鎖状
アミンが２，２’，２’’−トリアミノトリエチルアミ
ンの鎖状アミン付加体を用いて同様に行った処、基板上
にＺｎＯ膜が良好に形成された。
アミンがトリエチレンテトラミンの鎖状アミン付加体を
用いて同様に行った処、基板上にＺｎＯ膜が良好に形成
された。 〔実施例１２〕 実施例１において、金属錯体がＡｃａｃ２Ｚｎ、直鎖状
アミンが２，２’，２’’−トリアミノトリエチルアミ
ンの鎖状アミン付加体を用いて同様に行った処、基板上
にＺｎＯ膜が良好に形成された。
【００３０】
【効果】本発明によれば、アルカリ金属、アルカリ土類
金属、希土類金属や遷移金属のようにイオン結合性が強
い金属の場合であっても、薄膜形成が良好に行える。
金属、希土類金属や遷移金属のようにイオン結合性が強
い金属の場合であっても、薄膜形成が良好に行える。
【図１】金属錯体の鎖状アミン付加体の模式図
【図２】ストロンチウムのアセチルアセトン錯体の模式
図
図
【図３】膜形成材料の減圧加熱による輸送試験装置の概
略図
略図
【図４】膜形成材料のキャリアガスによる輸送試験装置
の概略図
の概略図
【図５】試験装置の概略図
１ ガラス製容器 ２ 油浴 ３ コールドトラップ ４ 真空ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｆ 7/00 Ｃ０７Ｆ 7/00 Ａ Ｃ２３Ｃ 16/18 Ｃ２３Ｃ 16/18 Ｈ０１Ｌ 39/12 Ｈ０１Ｌ 39/12 Ｂ (72)発明者 国分 宏 神奈川県愛甲郡愛川町中津字桜台4002番 地 株式会社トリケミカル研究所内 (56)参考文献 特開 平５−132776（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−117855（ＪＰ，Ａ) 国際公開92／7971（ＷＯ，Ａ)
Claims (7)
- 【請求項１】 金属錯体の下記の群〔Ｉ〕の中から選ば
れる直鎖状アミン付加体からなることを特徴とする膜形
成材料。群〔Ｉ〕 ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テト
ラエチレンペンタ ミン、ペンタエチレンヘキサミン、
２，２’，２’’−トリアミノトリエ チルアミン - 【請求項２】 金属錯体の配位子は、Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｓ，
Ｆの原子の群の中から選ばれる三つ以上の原子を構成元
素としてなり、金属との直接結合以外に錯体分子内で一
つ以上の金属との配位結合を持つことが出来るものであ
ることを特徴とする請求項１の膜形成材料。 - 【請求項３】 金属錯体の配位子が、β−ジケトン類、
β−ジチオン類、ジチオール類、トロポロン、ジエチル
ジチオカルバミド酸の群の中から選ばれるものであるこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２の膜形成材料。 - 【請求項４】 金属錯体の下記の群〔Ｉ〕の中から選ば
れる直鎖状アミン付加体を気相分解させ、金属原子を基
板上に堆積させることを特徴とする膜形成方法。群〔Ｉ〕 ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テト
ラエチレンペンタ ミン、ペンタエチレンヘキサミン、
２，２’，２’’−トリアミノトリエ チルアミン - 【請求項５】 金属錯体の配位子が、β−ジケトン類、
β−ジチオン類、ジチオール類、トロポロン、ジエチル
ジチオカルバミド酸の群の中から選ばれるものであるこ
とを特徴とする請求項４の膜形成方法。 - 【請求項６】 金属錯体の鎖状アミン付加体の気相化
が、加熱手段、減圧手段、キャリアガス使用手段、及び
超音波使用手段の群の中から選ばれる手段により行われ
ることを特徴とする請求項４の膜形成方法。 - 【請求項７】 分解が、熱分解手段、光分解手段、反応
分解手段、プラズマ分解手段、及びマイクロ波分解手段
の群の中から選ばれる手段により行われることを特徴と
する請求項４の膜形成方法。
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|---|---|---|---|
| JP5336520A JP2717623B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 膜形成材料及び膜形成方法 |
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|---|---|---|---|
| JP5336520A JP2717623B2 (ja) | 1993-12-28 | 1993-12-28 | 膜形成材料及び膜形成方法 |
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|---|---|
| JPH07188271A JPH07188271A (ja) | 1995-07-25 |
| JP2717623B2 true JP2717623B2 (ja) | 1998-02-18 |
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| JP (1) | JP2717623B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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-
1993
- 1993-12-28 JP JP5336520A patent/JP2717623B2/ja not_active Expired - Fee Related
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