JPH07321039A - 化学気相成長方法及びこれに用いられる溶媒 - Google Patents
化学気相成長方法及びこれに用いられる溶媒Info
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- JPH07321039A JPH07321039A JP10851894A JP10851894A JPH07321039A JP H07321039 A JPH07321039 A JP H07321039A JP 10851894 A JP10851894 A JP 10851894A JP 10851894 A JP10851894 A JP 10851894A JP H07321039 A JPH07321039 A JP H07321039A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 新しい金属有機化合物を原料源とすることが
可能なＣＶＤ技術を提供することである。 【構成】 遊離性の基を持つ金属有機化合物を、この金
属有機化合物中の遊離性の基と同じ基を持つ化合物の液
体に添加した後、この溶液に気相化を施し、金属有機化
合物を分解し、支持体上に金属系膜を成長させる化学気
相成長方法。
可能なＣＶＤ技術を提供することである。 【構成】 遊離性の基を持つ金属有機化合物を、この金
属有機化合物中の遊離性の基と同じ基を持つ化合物の液
体に添加した後、この溶液に気相化を施し、金属有機化
合物を分解し、支持体上に金属系膜を成長させる化学気
相成長方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化学気相成長方法（Ｃ
ＶＤ）に関するものである。
ＶＤ）に関するものである。
【０００２】
【発明の背景】ＣＶＤは高性能な金属系膜を量産できる
方法であり、今日、広く実用化されている。しかしなが
ら、実用化されているＣＶＤで用いられる原料は、例え
ばシラン、アルシン、ホスフィン、ジボラン、アンモニ
ア、硫化水素、セレン化水素の如く、室温においてガス
状であるか、液状であっても、テトラエトキシシラン
（ＴＥＯＳ）やトリメチルガリウム（ＴＭＧ）のように
気相化が極めて容易なものに限られていた。
方法であり、今日、広く実用化されている。しかしなが
ら、実用化されているＣＶＤで用いられる原料は、例え
ばシラン、アルシン、ホスフィン、ジボラン、アンモニ
ア、硫化水素、セレン化水素の如く、室温においてガス
状であるか、液状であっても、テトラエトキシシラン
（ＴＥＯＳ）やトリメチルガリウム（ＴＭＧ）のように
気相化が極めて容易なものに限られていた。
【０００３】ところで、近年、ＣＶＤの高性能な点が高
く評価され、多方面の技術分野で利用されている。特
に、半導体の分野では進歩が著しく、従来では考えられ
なかった遷移金属化合物やアルカリ土類金属化合物、不
安定な金属水素化合物や金属化合物付加体などをＣＶＤ
の原料に用いる研究が進められている。しかしながら、
これらの新原料を実用化する為には、幾つかの問題点が
挙げられる。
く評価され、多方面の技術分野で利用されている。特
に、半導体の分野では進歩が著しく、従来では考えられ
なかった遷移金属化合物やアルカリ土類金属化合物、不
安定な金属水素化合物や金属化合物付加体などをＣＶＤ
の原料に用いる研究が進められている。しかしながら、
これらの新原料を実用化する為には、幾つかの問題点が
挙げられる。
【０００４】第１に、原料は不安定な化合物が多く、保
存安定性に劣ったり、気化しよとする温度では分解が激
しかったり、付加体が容易に脱離したりする。第２に、
これまでに実用化されていない原料の殆どは、気化させ
ようとする温度においても固体であり、その粒形や容器
内残量に影響を大きく受け、安定した気化量が稼げな
い。
存安定性に劣ったり、気化しよとする温度では分解が激
しかったり、付加体が容易に脱離したりする。第２に、
これまでに実用化されていない原料の殆どは、気化させ
ようとする温度においても固体であり、その粒形や容器
内残量に影響を大きく受け、安定した気化量が稼げな
い。
【０００５】第３に、気化温度が高すぎ、装置の各部品
が高温に耐えられない。このような問題点における第１
の問題点を克服しようとした場合に、安定化させる為に
他の物質を添加することが考えられる。しかしながら、
ＣＶＤにあっては、原料容器自体を加熱したり、減圧し
たり、キャリヤーガスをバブリングさせたりする為、沸
点の異なる他の成分を添加すると言った考えは一顧だに
されなかった。特に、半導体の分野にあっては、超高純
度を要求される為に、原料は単一成分品か、水素ガスな
どの気体の希釈品に限られていた。
が高温に耐えられない。このような問題点における第１
の問題点を克服しようとした場合に、安定化させる為に
他の物質を添加することが考えられる。しかしながら、
ＣＶＤにあっては、原料容器自体を加熱したり、減圧し
たり、キャリヤーガスをバブリングさせたりする為、沸
点の異なる他の成分を添加すると言った考えは一顧だに
されなかった。特に、半導体の分野にあっては、超高純
度を要求される為に、原料は単一成分品か、水素ガスな
どの気体の希釈品に限られていた。
【０００６】ところで、数年前より、前出の第２，第３
の問題点を解決する手段としてフラッシュベーパー法が
提案され、研究されている。このフラッシュベーパー法
は、原料の固体化合物を有機溶媒に溶かし、その微量づ
つを加熱された気化器に送り込んで固体化合物と有機溶
媒を連続的に同時に気化する手法である。しかしなが
ら、フラッシュベーパー法に用いられる有機溶媒は原料
化合物との関連に考慮が払われていなかったものである
ことから、気化しようとする温度において原料化合物が
不安定であったならば、その不安定性の解消には役立っ
ていなかった。又、新たな成分である有機溶媒が加わる
ことによる成膜の与える影響と排ガス設備の追加が大き
な問題であった。
の問題点を解決する手段としてフラッシュベーパー法が
提案され、研究されている。このフラッシュベーパー法
は、原料の固体化合物を有機溶媒に溶かし、その微量づ
つを加熱された気化器に送り込んで固体化合物と有機溶
媒を連続的に同時に気化する手法である。しかしなが
ら、フラッシュベーパー法に用いられる有機溶媒は原料
化合物との関連に考慮が払われていなかったものである
ことから、気化しようとする温度において原料化合物が
不安定であったならば、その不安定性の解消には役立っ
ていなかった。又、新たな成分である有機溶媒が加わる
ことによる成膜の与える影響と排ガス設備の追加が大き
な問題であった。
【０００７】
【発明の開示】本発明の目的は、新しい金属有機化合物
を原料源とすることが可能なＣＶＤ技術を提供すること
である。又、本発明の他の目的は、金属系膜の気相成長
に際しての作業性が良く、例えば原料源である金属有機
化合物の取扱いが簡単なものとなり、かつ、気相成長に
利用される割合が高く、コストの低廉化につながるＣＶ
Ｄ技術を提供することである。
を原料源とすることが可能なＣＶＤ技術を提供すること
である。又、本発明の他の目的は、金属系膜の気相成長
に際しての作業性が良く、例えば原料源である金属有機
化合物の取扱いが簡単なものとなり、かつ、気相成長に
利用される割合が高く、コストの低廉化につながるＣＶ
Ｄ技術を提供することである。
【０００８】上記本発明の目的は、遊離性の基を持つ金
属有機化合物を、この金属有機化合物中の遊離性の基と
同じ基を持つ化合物の液体に添加した後、この溶液に気
相化を施し、金属有機化合物を分解し、支持体上に金属
系膜を成長させることを特徴とする化学気相成長方法に
よって達成される。又、金属有機化合物の化学気相成長
に際して用いられる溶媒であって、金属有機化合物中の
遊離性の基と同じ基を持つ化合物を含むことを特徴とす
る化学気相成長に際して用いられる溶媒によって達成さ
れる。
属有機化合物を、この金属有機化合物中の遊離性の基と
同じ基を持つ化合物の液体に添加した後、この溶液に気
相化を施し、金属有機化合物を分解し、支持体上に金属
系膜を成長させることを特徴とする化学気相成長方法に
よって達成される。又、金属有機化合物の化学気相成長
に際して用いられる溶媒であって、金属有機化合物中の
遊離性の基と同じ基を持つ化合物を含むことを特徴とす
る化学気相成長に際して用いられる溶媒によって達成さ
れる。
【０００９】尚、本発明において、遊離性の基とは、そ
れのみで化合物の形である場合も含まれるものである。
この化学気相成長方法において、溶液に気相化を施し、
遊離性の基を持つ金属有機化合物と、金属有機化合物中
の遊離性の基と同じ基を持つ化合物とを気相化すること
が好ましい。特に、遊離性の基を持つ金属有機化合物
と、この金属有機化合物中の遊離性の基と同じ基を持つ
化合物とを共に気化位置に輸送し、気化することが好ま
しい。これによって、金属有機化合物が分解し易いもの
であったとしても、その分解を抑えることが出来、ＣＶ
Ｄに効率よく用いられるようになる。又、取扱いも容易
なものになる。
れのみで化合物の形である場合も含まれるものである。
この化学気相成長方法において、溶液に気相化を施し、
遊離性の基を持つ金属有機化合物と、金属有機化合物中
の遊離性の基と同じ基を持つ化合物とを気相化すること
が好ましい。特に、遊離性の基を持つ金属有機化合物
と、この金属有機化合物中の遊離性の基と同じ基を持つ
化合物とを共に気化位置に輸送し、気化することが好ま
しい。これによって、金属有機化合物が分解し易いもの
であったとしても、その分解を抑えることが出来、ＣＶ
Ｄに効率よく用いられるようになる。又、取扱いも容易
なものになる。
【００１０】このような化学気相成長方法に用いられる
金属有機化合物は、例えばＭn Ｒ1…Ｒm （式中、Ｍは
金属、Ｒ1 ，…，Ｒm は有機基、酸素原子、窒素原子、
硫黄原子、燐原子、ハロゲン原子、水素原子、及びシリ
コン系化合物の基の群の中から選ばれるものであり、ｎ
は１〜４の整数、ｍは１〜８の整数）で表される金属有
機化合物であり、そしてこの金属有機化合物が添加され
る液体は、Ｒk 又はＲ k ・Ｈ（式中、ｋは１〜８の整
数）で表される化合物の中から選ばれるものである。そ
して、液体を構成する化合物は、金属有機化合物におけ
る金属Ｍとの間においてＣ−Ｍ結合、Ｎ−Ｍ結合、Ｏ−
Ｍ結合、Ｓ−Ｍ結合、Ｐ−Ｍ結合、及びＳｉ−Ｍ結合の
結合群の中から選ばれる結合が可能なものである。特
に、金属有機化合物における金属と間接的な結合（例え
ば、付加結合や配位結合などの間接的な結合）により結
合できる化合物からなる液体が用いられることが好まし
い。
金属有機化合物は、例えばＭn Ｒ1…Ｒm （式中、Ｍは
金属、Ｒ1 ，…，Ｒm は有機基、酸素原子、窒素原子、
硫黄原子、燐原子、ハロゲン原子、水素原子、及びシリ
コン系化合物の基の群の中から選ばれるものであり、ｎ
は１〜４の整数、ｍは１〜８の整数）で表される金属有
機化合物であり、そしてこの金属有機化合物が添加され
る液体は、Ｒk 又はＲ k ・Ｈ（式中、ｋは１〜８の整
数）で表される化合物の中から選ばれるものである。そ
して、液体を構成する化合物は、金属有機化合物におけ
る金属Ｍとの間においてＣ−Ｍ結合、Ｎ−Ｍ結合、Ｏ−
Ｍ結合、Ｓ−Ｍ結合、Ｐ−Ｍ結合、及びＳｉ−Ｍ結合の
結合群の中から選ばれる結合が可能なものである。特
に、金属有機化合物における金属と間接的な結合（例え
ば、付加結合や配位結合などの間接的な結合）により結
合できる化合物からなる液体が用いられることが好まし
い。
【００１１】このような関係にあるものとしては、例え
ば金属有機化合物がＤＰＭ2 Ｃｕ（ＤＰＭ＝ジピバロイ
ルメタン基）である場合にはＤＰＭＨ溶液が挙げられ、
金属有機化合物がＤＰＭ2 Ｃｕ・Ｔｒｉｅｎ2 （Ｔｒｉ
ｅｎ＝トリエチレンテトラミン）である場合にはＴｒｉ
ｅｎ溶液が挙げられ、金属有機化合物がＡｃａｃ2 Ｃｕ
（Ａｃａｃ＝アセチルアセトン基）である場合にはＡｃ
ａｃＨ溶液が挙げられ、金属有機化合物がシクロペンタ
ジエニル銅・トリエチルホスフィンである場合にはトリ
エチルホスフィン溶液が挙げられ、金属有機化合物がＨ
ｆａＣｕ・２−ブチン（Ｈｆａ＝ヘキサフルオロアセチ
ルアセトン基）である場合には２−ブチン溶液が挙げら
れ、金属有機化合物がＨｆａＣｕ・ＴＭＶＳ（ＴＭＶＳ
＝トリメチルビニルシラン）である場合にはＴＭＶＳ溶
液が挙げられ、金属有機化合物がＨｆａＣｕ・ＢＴＭＳ
Ａ（ＢＴＭＳＡ＝ビストリメチルシリルアセチレン）で
ある場合にはＢＴＭＳＡ溶液が挙げられ、金属有機化合
物がＨｆａＣｕ・１，５−シクロオクタジエンである場
合には１，５−シクロオクタジエン溶液が挙げられ、金
属有機化合物がＨｆａ2 Ｃｕである場合にはヘキサフル
オロアセチルアセトン溶液が挙げられ、金属有機化合物
がＡｌＨ3 ・ＮＥｔ3 である場合にはトリエチルアミン
溶液が挙げられ、金属有機化合物がＡｌＨ3 ・ＮＥｔ2
Ｍｅである場合にはジエチルメチルアミン溶液が挙げら
れ、金属有機化合物がＡｌＨ3 ・ＮＭｅ2 Ｅｔである場
合にはジメチルエチルアミン溶液が挙げられ、金属有機
化合物がＭｅ3 Ａｌ・ＮＥｔ3 である場合にはトリエチ
ルアミン溶液が挙げられ、金属有機化合物がＭｅ3 Ｇａ
・ＮＭｅ2 Ｅｔである場合にはジメチルエチルアミン溶
液が挙げられ、金属有機化合物がＭｅ3 Ｉｎ・ＮＭｅ2
Ｅｔである場合にはジメチルエチルアミン溶液が挙げら
れ、金属有機化合物がＭｅ3 Ｉｎ・ＨＮ（ｉ−Ｃ
3 Ｈ7 ）2 である場合にはジイソプロピルアミン溶液が
挙げられ、金属有機化合物がＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｅｎ
2 である場合にはＴｒｉｅｎ溶液が挙げられ、金属有機
化合物がＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｅｔｒａｇｌｙｍｅ2 である
場合にはＴｅｔｒａｇｌｙｍｅ溶液が挙げられ、金属有
機化合物がＨｆａ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 （Ｔｒｉ
ｇｌｙｍｅ＝トリエチレングリコールジメチルエーテ
ル）である場合にはＴｒｉｇｌｙｍｅ溶液が挙げられ、
金属有機化合物がＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 で
ある場合にはＴｒｉｇｌｙｍｅ溶液が挙げられ、金属有
機化合物がＤＰＭ2 Ｂａ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 である場
合にはＴｒｉｇｌｙｍｅ溶液が挙げられ、金属有機化合
物がＤＰＭ2 Ｂａ・（テトラエチレンペンタミン）2 で
ある場合にはテトラエチレンペンタミン溶液が挙げら
れ、金属有機化合物がＤＰＭ2 ＴｉＯである場合にはＤ
ＰＭＨ溶液が挙げられ、金属有機化合物がＴｉ（ＮＥｔ
2 ）4 である場合にはジエチルアミン溶液が挙げられ、
金属有機化合物がＤＰＭ2 Ｐｂ・Ｔｒｉｅｎ2 である場
合にはＴｒｉｅｎ溶液が挙げられ、金属有機化合物がＤ
ＰＭ2 Ｐｂである場合にはＤＰＭＨ溶液が挙げられ、金
属有機化合物がＰｂＥｔ3 （ｉ−ＯＰｒ）である場合に
はイソプロピルアルコール溶液が挙げられ、金属有機化
合物がＴｉ（ｉ−ＯＰｒ）4 である場合にはイソプロピ
ルアルコール溶液が挙げられ、金属有機化合物がトリフ
ェニルビスマスである場合にはベンゼン溶液が挙げら
れ、金属有機化合物がトリス−ｏ−トルイルビスマスや
トリス−ｍ−トルイルビスマスである場合にはトルエン
溶液が挙げられ、金属有機化合物がＭｅ2 Ｚｎ・ＮＥｔ
3 である場合にはトリエチルアミン溶液が挙げられ、金
属有機化合物がＭｅＺｎＮ（ＣＨ3 ）ＣＨ2 ＣＨ2 Ｎ
（ＣＨ3 ）2 である場合にはＨＮ（ＣＨ3 ）ＣＨ2 ＣＨ
2 Ｎ（ＣＨ3 ）2 溶液が挙げられ、金属有機化合物がＭ
ｅ2 ＡｕＨｆａである場合にはＨｆａＨ溶液が挙げら
れ、金属有機化合物がＭｅ2 Ａｕ（Ａｃａｃ）である場
合にはＡｃａｃＨ溶液が挙げられ、金属有機化合物がＨ
ｆａ2 Ｐｔである場合にはＨｆａＨ溶液が挙げられ、金
属有機化合物がＡｃａｃ2 Ｃｏである場合にはＡｃａｃ
Ｈ溶液が挙げられ、金属有機化合物がビスベンゼンクロ
ムである場合にはベンゼン溶液が挙げられ、金属有機化
合物が（ＥｔＯ）5 Ｔａである場合にはエタノール溶液
が挙げられ、金属有機化合物がＴｉ（ＣＨ2 ＳｉＭ
ｅ3 ）4 である場合にはＭｅ4 Ｓｉ溶液が挙げられる。
ば金属有機化合物がＤＰＭ2 Ｃｕ（ＤＰＭ＝ジピバロイ
ルメタン基）である場合にはＤＰＭＨ溶液が挙げられ、
金属有機化合物がＤＰＭ2 Ｃｕ・Ｔｒｉｅｎ2 （Ｔｒｉ
ｅｎ＝トリエチレンテトラミン）である場合にはＴｒｉ
ｅｎ溶液が挙げられ、金属有機化合物がＡｃａｃ2 Ｃｕ
（Ａｃａｃ＝アセチルアセトン基）である場合にはＡｃ
ａｃＨ溶液が挙げられ、金属有機化合物がシクロペンタ
ジエニル銅・トリエチルホスフィンである場合にはトリ
エチルホスフィン溶液が挙げられ、金属有機化合物がＨ
ｆａＣｕ・２−ブチン（Ｈｆａ＝ヘキサフルオロアセチ
ルアセトン基）である場合には２−ブチン溶液が挙げら
れ、金属有機化合物がＨｆａＣｕ・ＴＭＶＳ（ＴＭＶＳ
＝トリメチルビニルシラン）である場合にはＴＭＶＳ溶
液が挙げられ、金属有機化合物がＨｆａＣｕ・ＢＴＭＳ
Ａ（ＢＴＭＳＡ＝ビストリメチルシリルアセチレン）で
ある場合にはＢＴＭＳＡ溶液が挙げられ、金属有機化合
物がＨｆａＣｕ・１，５−シクロオクタジエンである場
合には１，５−シクロオクタジエン溶液が挙げられ、金
属有機化合物がＨｆａ2 Ｃｕである場合にはヘキサフル
オロアセチルアセトン溶液が挙げられ、金属有機化合物
がＡｌＨ3 ・ＮＥｔ3 である場合にはトリエチルアミン
溶液が挙げられ、金属有機化合物がＡｌＨ3 ・ＮＥｔ2
Ｍｅである場合にはジエチルメチルアミン溶液が挙げら
れ、金属有機化合物がＡｌＨ3 ・ＮＭｅ2 Ｅｔである場
合にはジメチルエチルアミン溶液が挙げられ、金属有機
化合物がＭｅ3 Ａｌ・ＮＥｔ3 である場合にはトリエチ
ルアミン溶液が挙げられ、金属有機化合物がＭｅ3 Ｇａ
・ＮＭｅ2 Ｅｔである場合にはジメチルエチルアミン溶
液が挙げられ、金属有機化合物がＭｅ3 Ｉｎ・ＮＭｅ2
Ｅｔである場合にはジメチルエチルアミン溶液が挙げら
れ、金属有機化合物がＭｅ3 Ｉｎ・ＨＮ（ｉ−Ｃ
3 Ｈ7 ）2 である場合にはジイソプロピルアミン溶液が
挙げられ、金属有機化合物がＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｅｎ
2 である場合にはＴｒｉｅｎ溶液が挙げられ、金属有機
化合物がＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｅｔｒａｇｌｙｍｅ2 である
場合にはＴｅｔｒａｇｌｙｍｅ溶液が挙げられ、金属有
機化合物がＨｆａ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 （Ｔｒｉ
ｇｌｙｍｅ＝トリエチレングリコールジメチルエーテ
ル）である場合にはＴｒｉｇｌｙｍｅ溶液が挙げられ、
金属有機化合物がＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 で
ある場合にはＴｒｉｇｌｙｍｅ溶液が挙げられ、金属有
機化合物がＤＰＭ2 Ｂａ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 である場
合にはＴｒｉｇｌｙｍｅ溶液が挙げられ、金属有機化合
物がＤＰＭ2 Ｂａ・（テトラエチレンペンタミン）2 で
ある場合にはテトラエチレンペンタミン溶液が挙げら
れ、金属有機化合物がＤＰＭ2 ＴｉＯである場合にはＤ
ＰＭＨ溶液が挙げられ、金属有機化合物がＴｉ（ＮＥｔ
2 ）4 である場合にはジエチルアミン溶液が挙げられ、
金属有機化合物がＤＰＭ2 Ｐｂ・Ｔｒｉｅｎ2 である場
合にはＴｒｉｅｎ溶液が挙げられ、金属有機化合物がＤ
ＰＭ2 Ｐｂである場合にはＤＰＭＨ溶液が挙げられ、金
属有機化合物がＰｂＥｔ3 （ｉ−ＯＰｒ）である場合に
はイソプロピルアルコール溶液が挙げられ、金属有機化
合物がＴｉ（ｉ−ＯＰｒ）4 である場合にはイソプロピ
ルアルコール溶液が挙げられ、金属有機化合物がトリフ
ェニルビスマスである場合にはベンゼン溶液が挙げら
れ、金属有機化合物がトリス−ｏ−トルイルビスマスや
トリス−ｍ−トルイルビスマスである場合にはトルエン
溶液が挙げられ、金属有機化合物がＭｅ2 Ｚｎ・ＮＥｔ
3 である場合にはトリエチルアミン溶液が挙げられ、金
属有機化合物がＭｅＺｎＮ（ＣＨ3 ）ＣＨ2 ＣＨ2 Ｎ
（ＣＨ3 ）2 である場合にはＨＮ（ＣＨ3 ）ＣＨ2 ＣＨ
2 Ｎ（ＣＨ3 ）2 溶液が挙げられ、金属有機化合物がＭ
ｅ2 ＡｕＨｆａである場合にはＨｆａＨ溶液が挙げら
れ、金属有機化合物がＭｅ2 Ａｕ（Ａｃａｃ）である場
合にはＡｃａｃＨ溶液が挙げられ、金属有機化合物がＨ
ｆａ2 Ｐｔである場合にはＨｆａＨ溶液が挙げられ、金
属有機化合物がＡｃａｃ2 Ｃｏである場合にはＡｃａｃ
Ｈ溶液が挙げられ、金属有機化合物がビスベンゼンクロ
ムである場合にはベンゼン溶液が挙げられ、金属有機化
合物が（ＥｔＯ）5 Ｔａである場合にはエタノール溶液
が挙げられ、金属有機化合物がＴｉ（ＣＨ2 ＳｉＭ
ｅ3 ）4 である場合にはＭｅ4 Ｓｉ溶液が挙げられる。
【００１２】すなわち、上記各例で示されるような関係
の溶媒に金属有機化合物を添加したならば、金属有機化
合物と溶媒との間には双方に似通った基があることか
ら、溶解性が良いものとなる。しかも、下記の平衡式 Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｍ＋Ｈ ⇔ Ｒ1 Ｒ2 Ｍ＋Ｒ3 Ｈ Ｒ1 Ｒ2 Ｍ・Ｒ3 ⇔ Ｒ1 Ｒ2 Ｍ＋Ｒ3 から判る通り、上記各例で示されるような関係の溶媒に
金属有機化合物が添加されていると、Ｒ3 ＨあるいはＲ
3 が多量にあることから、平衡式は左辺への方向にあ
り、金属有機化合物は安定した状態にあることになる。
そして、保存安定性にも富むことになる。
の溶媒に金属有機化合物を添加したならば、金属有機化
合物と溶媒との間には双方に似通った基があることか
ら、溶解性が良いものとなる。しかも、下記の平衡式 Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｍ＋Ｈ ⇔ Ｒ1 Ｒ2 Ｍ＋Ｒ3 Ｈ Ｒ1 Ｒ2 Ｍ・Ｒ3 ⇔ Ｒ1 Ｒ2 Ｍ＋Ｒ3 から判る通り、上記各例で示されるような関係の溶媒に
金属有機化合物が添加されていると、Ｒ3 ＨあるいはＲ
3 が多量にあることから、平衡式は左辺への方向にあ
り、金属有機化合物は安定した状態にあることになる。
そして、保存安定性にも富むことになる。
【００１３】ところで、ＣＶＤにおいては、この手段の
性格上、気化輸送と言った非平衡状態は避けられず、上
記平衡式中で右側の低沸点有機物は忽ちのうちに気化輸
送され、失われる。つまり、反応式の矢印は一方的に右
側が強くなる。そして、有機物Ｒ3 Ｈ又はＲ3 を脱離し
た後のＲ1 Ｒ2 Ｍは既にその気化性を失ってしまう。こ
のＲ1 Ｒ2 Ｍは異常価数状態であったり、安定化要因Ｒ
3 を失った不安定状態である為に、直ちに次の分解過程
に移行することも多い。これらの現象は金属有機化合物
を気化せしめんと加熱することにより更に強まってしま
うことになる。
性格上、気化輸送と言った非平衡状態は避けられず、上
記平衡式中で右側の低沸点有機物は忽ちのうちに気化輸
送され、失われる。つまり、反応式の矢印は一方的に右
側が強くなる。そして、有機物Ｒ3 Ｈ又はＲ3 を脱離し
た後のＲ1 Ｒ2 Ｍは既にその気化性を失ってしまう。こ
のＲ1 Ｒ2 Ｍは異常価数状態であったり、安定化要因Ｒ
3 を失った不安定状態である為に、直ちに次の分解過程
に移行することも多い。これらの現象は金属有機化合物
を気化せしめんと加熱することにより更に強まってしま
うことになる。
【００１４】しかるに、脱離しようとする有機物Ｒ3 Ｈ
若しくはＲ3 を予め存在させておくことにより、前記式
の化学平衡の右向きの矢印を減ずることが出来、安定な
気化が可能になる。そして、本発明にあっては、沸点差
の異なる二種類以上の化合物が存在する為、金属有機化
合物の溶液を、加熱あるいは減圧、又は伴送ガスの流れ
る気化器の中へ微量づつ送り込み、化合物と溶媒を同時
に気化させるようにした。これにより、金属有機化合物
の溶液の入れられた容器は気化部分より低い温度に保存
することが可能であり、分解の抑制を効果的に図ること
が可能となる。
若しくはＲ3 を予め存在させておくことにより、前記式
の化学平衡の右向きの矢印を減ずることが出来、安定な
気化が可能になる。そして、本発明にあっては、沸点差
の異なる二種類以上の化合物が存在する為、金属有機化
合物の溶液を、加熱あるいは減圧、又は伴送ガスの流れ
る気化器の中へ微量づつ送り込み、化合物と溶媒を同時
に気化させるようにした。これにより、金属有機化合物
の溶液の入れられた容器は気化部分より低い温度に保存
することが可能であり、分解の抑制を効果的に図ること
が可能となる。
【００１５】又、ＣＶＤは、化合物を気化輸送後、分解
させる工程を要する。この分解に際しては、成膜に用い
られる化合物以外のものは廃棄ガスとなる。例えば、次
式の如く、 Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｍ→（分解）→Ｍ↓＋Ｒ1 Ｈ↑＋Ｒ2 Ｈ↑＋Ｒ3 Ｈ↑ Ｒ1 Ｈ，Ｒ2 Ｈ，Ｒ3 ＨがＣＶＤに際して発生し、これ
らのガスが処理されなければならない。特に、フラッシ
ュベーパー法においては、Ｒ1 Ｈ等の排気ガス処理設備
に新たに有機溶媒用の排気ガス処理設備を追加しなけれ
ばならなかった。
させる工程を要する。この分解に際しては、成膜に用い
られる化合物以外のものは廃棄ガスとなる。例えば、次
式の如く、 Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｍ→（分解）→Ｍ↓＋Ｒ1 Ｈ↑＋Ｒ2 Ｈ↑＋Ｒ3 Ｈ↑ Ｒ1 Ｈ，Ｒ2 Ｈ，Ｒ3 ＨがＣＶＤに際して発生し、これ
らのガスが処理されなければならない。特に、フラッシ
ュベーパー法においては、Ｒ1 Ｈ等の排気ガス処理設備
に新たに有機溶媒用の排気ガス処理設備を追加しなけれ
ばならなかった。
【００１６】しかしながら、本発明のＣＶＤにあって
は、発生するＲ1 Ｈ，Ｒ2 Ｈ，Ｒ3 Ｈの為の排気ガス処
理設備以外に新たな設備を必要とせず、ランニングコス
トの面からも好ましいものとなる。以下、具体的な実施
例を挙げて説明する。
は、発生するＲ1 Ｈ，Ｒ2 Ｈ，Ｒ3 Ｈの為の排気ガス処
理設備以外に新たな設備を必要とせず、ランニングコス
トの面からも好ましいものとなる。以下、具体的な実施
例を挙げて説明する。
【００１７】
【実施例】先ず、遊離性の基を持つ金属有機化合物と、
この金属有機化合物中の遊離性の基と同じ基を持つ化合
物からなる溶媒との関係を述べる。 表−１ 金属有機化合物 溶媒 ＤＰＭ2 Ｃｕ ＤＰＭＨ ＤＰＭ2 Ｃｕ・Ｔｒｉｅｎ2 Ｔｒｉｅｎ Ａｃａｃ2 Ｃｕ ＡｃａｃＨ シクロペンタジエニル銅・トリエチルホスフィン トリエチルホスフィン ＨｆａＣｕ・２−ブチン ２−ブチン ＨｆａＣｕ・ＴＭＶＳ ＴＭＶＳ ＨｆａＣｕ・ＢＴＭＳＡ ＢＴＭＳＡ ＨｆａＣｕ・１，５−シクロオクタジエン １，５−シクロオクタジエン Ｈｆａ2 Ｃｕ ＨｆａＨ ＡｌＨ3 ・ＮＥｔ3 トリエチルアミン ＡｌＨ3 ・ＮＥｔ2 Ｍｅ ジエチルメチルアミン ＡｌＨ3 ・ＮＭｅ2 Ｅｔ ジメチルエチルアミン Ｍｅ3 Ａｌ・ＮＥｔ3 トリエチルアミン Ｍｅ3 Ｇａ・ＮＭｅ2 Ｅｔ ジメチルエチルアミン Ｍｅ3 Ｉｎ・ＮＭｅ2 Ｅｔ ジメチルエチルアミン Ｍｅ3 Ｉｎ・ＨＮ（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 ジイソプロピルアミン ＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｅｎ2 Ｔｒｉｅｎ ＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｅｔｒａｇｌｙｍｅ2 Ｔｅｔｒａｇｌｙｍｅ ＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 Ｔｒｉｇｌｙｍｅ Ｈｆａ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 Ｔｒｉｇｌｙｍｅ ＤＰＭ2 Ｂａ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 Ｔｒｉｇｌｙｍｅ ＤＰＭ2 Ｂａ・（テトラエチレンペンタミン）2 テトラエチレンペンタミン ＤＰＭ2 ＴｉＯ ＤＰＭＨ ＤＰＭ2 Ｐｂ・Ｔｒｉｅｎ2 Ｔｒｉｅｎ ＤＰＭ2 Ｐｂ ＤＰＭＨ ＰｂＥｔ3 （ｉ−ＯＰｒ） イソプロピルアルコール Ｔｉ（ｉ−ＯＰｒ）4 イソプロピルアルコール Ｔｉ（ＮＥｔ2 ）4 ジエチルアミン トリフェニルビスマス ベンゼン トリス−ｏ−トルイルビスマス トルエン トリス−ｍ−トルイルビスマス トルエン Ｍｅ2 Ｚｎ・ＮＥｔ3 トリエチルアミン MeZnN(CH3)CH2CH2N(CH3)2 HN(CH3)CH2CH2N(CH3)2 Ｍｅ2 ＡｕＨｆａ ＨｆａＨ Ｍｅ2 Ａｕ（Ａｃａｃ） ＡｃａｃＨ Ｈｆａ2 Ｐｔ ＨｆａＨ Ａｃａｃ2 Ｃｏ ＡｃａｃＨ ビスベンゼンクロム ベンゼン （ＥｔＯ）5 Ｔａ エタノール Ｔｉ（ＣＨ2 ＳｉＭｅ3 ）4 Ｍｅ4 Ｓｉ （Ｅｔ2 Ｎ）4 Ｔｉ ジエチルアミン この表−１に示された溶媒に金属有機化合物は溶解（混
合）するものであった。すなわち、遊離性の基を持つ金
属有機化合物を、この金属有機化合物中の遊離性の基と
同じ基を持つ化合物の液体に添加したならば、これは均
一に混じってしまうものとなることが判る。
この金属有機化合物中の遊離性の基と同じ基を持つ化合
物からなる溶媒との関係を述べる。 表−１ 金属有機化合物 溶媒 ＤＰＭ2 Ｃｕ ＤＰＭＨ ＤＰＭ2 Ｃｕ・Ｔｒｉｅｎ2 Ｔｒｉｅｎ Ａｃａｃ2 Ｃｕ ＡｃａｃＨ シクロペンタジエニル銅・トリエチルホスフィン トリエチルホスフィン ＨｆａＣｕ・２−ブチン ２−ブチン ＨｆａＣｕ・ＴＭＶＳ ＴＭＶＳ ＨｆａＣｕ・ＢＴＭＳＡ ＢＴＭＳＡ ＨｆａＣｕ・１，５−シクロオクタジエン １，５−シクロオクタジエン Ｈｆａ2 Ｃｕ ＨｆａＨ ＡｌＨ3 ・ＮＥｔ3 トリエチルアミン ＡｌＨ3 ・ＮＥｔ2 Ｍｅ ジエチルメチルアミン ＡｌＨ3 ・ＮＭｅ2 Ｅｔ ジメチルエチルアミン Ｍｅ3 Ａｌ・ＮＥｔ3 トリエチルアミン Ｍｅ3 Ｇａ・ＮＭｅ2 Ｅｔ ジメチルエチルアミン Ｍｅ3 Ｉｎ・ＮＭｅ2 Ｅｔ ジメチルエチルアミン Ｍｅ3 Ｉｎ・ＨＮ（ｉ−Ｃ3 Ｈ7 ）2 ジイソプロピルアミン ＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｅｎ2 Ｔｒｉｅｎ ＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｅｔｒａｇｌｙｍｅ2 Ｔｅｔｒａｇｌｙｍｅ ＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 Ｔｒｉｇｌｙｍｅ Ｈｆａ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 Ｔｒｉｇｌｙｍｅ ＤＰＭ2 Ｂａ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 Ｔｒｉｇｌｙｍｅ ＤＰＭ2 Ｂａ・（テトラエチレンペンタミン）2 テトラエチレンペンタミン ＤＰＭ2 ＴｉＯ ＤＰＭＨ ＤＰＭ2 Ｐｂ・Ｔｒｉｅｎ2 Ｔｒｉｅｎ ＤＰＭ2 Ｐｂ ＤＰＭＨ ＰｂＥｔ3 （ｉ−ＯＰｒ） イソプロピルアルコール Ｔｉ（ｉ−ＯＰｒ）4 イソプロピルアルコール Ｔｉ（ＮＥｔ2 ）4 ジエチルアミン トリフェニルビスマス ベンゼン トリス−ｏ−トルイルビスマス トルエン トリス−ｍ−トルイルビスマス トルエン Ｍｅ2 Ｚｎ・ＮＥｔ3 トリエチルアミン MeZnN(CH3)CH2CH2N(CH3)2 HN(CH3)CH2CH2N(CH3)2 Ｍｅ2 ＡｕＨｆａ ＨｆａＨ Ｍｅ2 Ａｕ（Ａｃａｃ） ＡｃａｃＨ Ｈｆａ2 Ｐｔ ＨｆａＨ Ａｃａｃ2 Ｃｏ ＡｃａｃＨ ビスベンゼンクロム ベンゼン （ＥｔＯ）5 Ｔａ エタノール Ｔｉ（ＣＨ2 ＳｉＭｅ3 ）4 Ｍｅ4 Ｓｉ （Ｅｔ2 Ｎ）4 Ｔｉ ジエチルアミン この表−１に示された溶媒に金属有機化合物は溶解（混
合）するものであった。すなわち、遊離性の基を持つ金
属有機化合物を、この金属有機化合物中の遊離性の基と
同じ基を持つ化合物の液体に添加したならば、これは均
一に混じってしまうものとなることが判る。
【００１８】そして、これらの溶液を２０℃で保存し、
その変化具合を観察したが、変化は少ないものであっ
た。すなわち、上記の溶媒に添加した金属有機化合物は
安定性が高いものであった。これに対して、例えばＨｆ
ａＣｕ・ＴＭＶＳを２０℃で保存していた処、分解が徐
々に始まり、黄色から緑色のものに変化して行った。
又、ＡｌＨ3 ・ＮＭｅ 2 Ｅｔを２０℃で保存していた
処、分解して灰白色の沈殿物が多量に発生した。又、溶
媒に添加していると言えども、金属有機化合物と溶媒と
の間に関連がない場合には、安定性に欠けていた。例え
ば、フラッシュベーパー法で一般的に使われているテト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ）にＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｇｌ
ｍｅ2 を溶解したものと、ＴｒｉｇｌｍｅにＤＰＭ2 Ｓ
ｒ・Ｔｒｉｇｌｍｅ2 を溶解したもとを用意し、１ヵ月
放置後、溶媒を留去し、気化性を調べた処、Ｔｒｉｇｌ
ｍｅ溶液品は９５％以上の気化性があったのに対し、Ｔ
ＨＦ溶液品は９０％以下に過ぎなかった。つまり、本発
明のような関係を満たす溶媒を使用していると、長期保
存性および安定性に富むことが判る。
その変化具合を観察したが、変化は少ないものであっ
た。すなわち、上記の溶媒に添加した金属有機化合物は
安定性が高いものであった。これに対して、例えばＨｆ
ａＣｕ・ＴＭＶＳを２０℃で保存していた処、分解が徐
々に始まり、黄色から緑色のものに変化して行った。
又、ＡｌＨ3 ・ＮＭｅ 2 Ｅｔを２０℃で保存していた
処、分解して灰白色の沈殿物が多量に発生した。又、溶
媒に添加していると言えども、金属有機化合物と溶媒と
の間に関連がない場合には、安定性に欠けていた。例え
ば、フラッシュベーパー法で一般的に使われているテト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ）にＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｇｌ
ｍｅ2 を溶解したものと、ＴｒｉｇｌｍｅにＤＰＭ2 Ｓ
ｒ・Ｔｒｉｇｌｍｅ2 を溶解したもとを用意し、１ヵ月
放置後、溶媒を留去し、気化性を調べた処、Ｔｒｉｇｌ
ｍｅ溶液品は９５％以上の気化性があったのに対し、Ｔ
ＨＦ溶液品は９０％以下に過ぎなかった。つまり、本発
明のような関係を満たす溶媒を使用していると、長期保
存性および安定性に富むことが判る。
【００１９】又、図１に示す気化装置を用いた。図１
中、１は容器であり、この容器１中には、例えばＡｌＨ
3 ・ＮＭｅ2 Ｅｔとジメチルエチルアミンとが等量の割
合で混合されている。そして、この混合溶液がＨｅガス
で圧送され、液体微量調節器２で調節され、気化器３の
部分に送られる。その直前の段階で混合物は加熱ヒータ
４で加熱されており、気化器３の部分に送られて来た混
合物は減圧状態にある為、かつ、キャリアガスの流れが
ある為、忽ちのうちに気化し、コールドトラップ５で回
収される。因みに、この回収率は９０％以上であった。
又、容器１から気化器３の部分においてＡｌＨ3 ・ＮＭ
ｅ2 Ｅｔの分解物は認められなかった。
中、１は容器であり、この容器１中には、例えばＡｌＨ
3 ・ＮＭｅ2 Ｅｔとジメチルエチルアミンとが等量の割
合で混合されている。そして、この混合溶液がＨｅガス
で圧送され、液体微量調節器２で調節され、気化器３の
部分に送られる。その直前の段階で混合物は加熱ヒータ
４で加熱されており、気化器３の部分に送られて来た混
合物は減圧状態にある為、かつ、キャリアガスの流れが
ある為、忽ちのうちに気化し、コールドトラップ５で回
収される。因みに、この回収率は９０％以上であった。
又、容器１から気化器３の部分においてＡｌＨ3 ・ＮＭ
ｅ2 Ｅｔの分解物は認められなかった。
【００２０】これに対して、従来用いられていた図２に
示す気化装置（６は容器、７は加熱ヒータ、８はオイル
バス、９はコールドトラップ）を用い、容器６にＡｌＨ
3 ・ＮＭｅ2 Ｅｔを入れ、水素（キャリアガス）を流
し、バブリングさせると共に、オイルバス８により６０
℃に加熱し、気化させ、コールドトラップ９による回収
率を調べた処、７０〜８０％に過ぎず、かつ、容器６の
内壁にはアルミニウムの粉末が付着していた。すなわ
ち、ＡｌＨ3 ・ＮＭｅ2 Ｅｔの分解物がかなり認められ
た。
示す気化装置（６は容器、７は加熱ヒータ、８はオイル
バス、９はコールドトラップ）を用い、容器６にＡｌＨ
3 ・ＮＭｅ2 Ｅｔを入れ、水素（キャリアガス）を流
し、バブリングさせると共に、オイルバス８により６０
℃に加熱し、気化させ、コールドトラップ９による回収
率を調べた処、７０〜８０％に過ぎず、かつ、容器６の
内壁にはアルミニウムの粉末が付着していた。すなわ
ち、ＡｌＨ3 ・ＮＭｅ2 Ｅｔの分解物がかなり認められ
た。
【００２１】又、図１の容器１中にＨｆａＣｕ・ＴＭＶ
Ｓとトリメチルビニルシランとを等量入れ、同様に行っ
た処、回収率は９５〜１００％であり、かつ、容器１か
ら気化器３の部分においてＨｆａＣｕ・ＴＭＶＳの分解
物は認められなかった。これに対して、図２の容器６中
にＨｆａＣｕ・ＴＭＶＳを入れ、気化輸送を試みた処、
ＨｆａＣｕ・ＴＭＶＳの分解物が各所で認められた。
Ｓとトリメチルビニルシランとを等量入れ、同様に行っ
た処、回収率は９５〜１００％であり、かつ、容器１か
ら気化器３の部分においてＨｆａＣｕ・ＴＭＶＳの分解
物は認められなかった。これに対して、図２の容器６中
にＨｆａＣｕ・ＴＭＶＳを入れ、気化輸送を試みた処、
ＨｆａＣｕ・ＴＭＶＳの分解物が各所で認められた。
【００２２】又、図１の容器１中に、ＤＰＭ2 ＰｂとＤ
ＰＭＨとを混合（混合比＝１：１〜１：５０）し、１０
０〜２５０℃で気化を行ったが、この場合にも容器１か
ら気化器３の部分においてＤＰＭ2 Ｐｂの分解物は認め
られなかった。これに対して、図２の容器６中にＤＰＭ
2 Ｐｂを入れ、気化輸送を試みた処、ＤＰＭ2 Ｐｂの分
解物が認められた。
ＰＭＨとを混合（混合比＝１：１〜１：５０）し、１０
０〜２５０℃で気化を行ったが、この場合にも容器１か
ら気化器３の部分においてＤＰＭ2 Ｐｂの分解物は認め
られなかった。これに対して、図２の容器６中にＤＰＭ
2 Ｐｂを入れ、気化輸送を試みた処、ＤＰＭ2 Ｐｂの分
解物が認められた。
【００２３】図３は、ＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ
2 の熱分析の結果である。１００〜２５０℃の温度領域
で付加しているＴｒｉｇｌｙｍｅが脱離している。従っ
て、図２のような従来の手段では気化が困難であること
が判る。しかしながら、本発明の手法を採用したなら
ば、つまりＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 をＴｒｉ
ｇｌｙｍｅに溶解し、さらに粘性を下げる為に、適当量
の一般的な有機溶媒を加え、図１の気化装置を用いて気
化を行った処、温度が１５０〜３５０℃で良好に気化輸
送された。
2 の熱分析の結果である。１００〜２５０℃の温度領域
で付加しているＴｒｉｇｌｙｍｅが脱離している。従っ
て、図２のような従来の手段では気化が困難であること
が判る。しかしながら、本発明の手法を採用したなら
ば、つまりＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 をＴｒｉ
ｇｌｙｍｅに溶解し、さらに粘性を下げる為に、適当量
の一般的な有機溶媒を加え、図１の気化装置を用いて気
化を行った処、温度が１５０〜３５０℃で良好に気化輸
送された。
【００２４】又、トリエチルイソプロポキシ鉛は光によ
り分解し、又、空気中で化合物のイソプロポキシド基を
脱離し、又、１００℃以上で熱分解を起こす化合物であ
る為、従来では気化輸送が極めて困難なものであった。
しかしながら、トリエチルイソプロポキシ鉛をイソプロ
ピルアルコールに溶解（混合比＝１：０．２５〜１：
３）し、図１の装置を用いて気化を行った処、３０〜８
０℃の温度で気化輸送が簡単に行えた。
り分解し、又、空気中で化合物のイソプロポキシド基を
脱離し、又、１００℃以上で熱分解を起こす化合物であ
る為、従来では気化輸送が極めて困難なものであった。
しかしながら、トリエチルイソプロポキシ鉛をイソプロ
ピルアルコールに溶解（混合比＝１：０．２５〜１：
３）し、図１の装置を用いて気化を行った処、３０〜８
０℃の温度で気化輸送が簡単に行えた。
【００２５】又、トリス−ｍ−トルイルビスマスは、融
点が４８〜４９℃、沸点が９０℃／０．１〜１ｍｍＨｇ
である。この為、気化する為に、長時間加熱している
と、分解が起こる。しかしながら、トリス−ｍ−トルイ
ルビスマスをトルエンに溶解し、図１の装置を用いて気
化を行った処、５０〜１２０℃の温度で気化輸送が簡単
に行えた。回収率は９０〜１００％であった。
点が４８〜４９℃、沸点が９０℃／０．１〜１ｍｍＨｇ
である。この為、気化する為に、長時間加熱している
と、分解が起こる。しかしながら、トリス−ｍ−トルイ
ルビスマスをトルエンに溶解し、図１の装置を用いて気
化を行った処、５０〜１２０℃の温度で気化輸送が簡単
に行えた。回収率は９０〜１００％であった。
【００２６】図４は、本発明になるＣＶＤが行われる装
置の概略図である。同図中、１１は容器、１２は気化
器、１３はストップバルブ、１４は流量制御器、１５は
反応管、１６は加熱ヒータ、１７は支持体（基板）、１
８は真空ポンプ、１９は排気ガス除害設備である。そし
て、ＡｌＨ3 ・ＮＭｅ2 Ｅｔとジメチルエチルアミンと
の等量混合物が容器１１に入れられており、これがＨｅ
ガスの圧送により気化器１２に導かれ、気化させられ
る。この後、反応管１５に導かれ、２００℃に加熱され
ている支持体１７に堆積した。この成膜された堆積物を
調べると、これはＡｌであった。
置の概略図である。同図中、１１は容器、１２は気化
器、１３はストップバルブ、１４は流量制御器、１５は
反応管、１６は加熱ヒータ、１７は支持体（基板）、１
８は真空ポンプ、１９は排気ガス除害設備である。そし
て、ＡｌＨ3 ・ＮＭｅ2 Ｅｔとジメチルエチルアミンと
の等量混合物が容器１１に入れられており、これがＨｅ
ガスの圧送により気化器１２に導かれ、気化させられ
る。この後、反応管１５に導かれ、２００℃に加熱され
ている支持体１７に堆積した。この成膜された堆積物を
調べると、これはＡｌであった。
【００２７】又、ＨｆａＣｕ・ＴＭＶＳとトリメチルビ
ニルシランとの混合物を容器１１に入れ、同様に行った
処、１９０〜２３０℃に加熱されている支持体１７に銅
の膜が堆積した。又、（Ｅｔ2 Ｎ）4 Ｔｉとジエチルア
ミンとの混合物を容器１１に入れ、同様に行った処、支
持体１７にチタン系の膜が堆積した。
ニルシランとの混合物を容器１１に入れ、同様に行った
処、１９０〜２３０℃に加熱されている支持体１７に銅
の膜が堆積した。又、（Ｅｔ2 Ｎ）4 Ｔｉとジエチルア
ミンとの混合物を容器１１に入れ、同様に行った処、支
持体１７にチタン系の膜が堆積した。
【００２８】又、Ｈｆａ2 ＣｕとＨｆａＨとの混合物を
容器１１に入れ、同様に行った処、支持体１７に銅の膜
が堆積した。その他、上記した金属有機化合物と溶媒に
ついても同様に行った処、支持体に膜が堆積した。
容器１１に入れ、同様に行った処、支持体１７に銅の膜
が堆積した。その他、上記した金属有機化合物と溶媒に
ついても同様に行った処、支持体に膜が堆積した。
【００２９】
【効果】本発明によれば、ＣＶＤにおける原料（不安定
な化合物）を安定に保存輸送・気化することが出来る。
従って、金属有機化合物の取扱いが簡単なものとなり、
かつ、気相成長に利用される割合が高く、コストが低廉
なものになる。更には、従来、ＣＶＤには用いられなか
った新しいタイプの金属有機化合物を原料源とすること
も可能となる。
な化合物）を安定に保存輸送・気化することが出来る。
従って、金属有機化合物の取扱いが簡単なものとなり、
かつ、気相成長に利用される割合が高く、コストが低廉
なものになる。更には、従来、ＣＶＤには用いられなか
った新しいタイプの金属有機化合物を原料源とすること
も可能となる。
【００３０】又、排気ガス設備を簡単なものに出来る。
【図１】気化装置の概略図
【図２】気化装置の概略図
【図３】ＤＰＭ2 Ｓｒ・Ｔｒｉｇｌｙｍｅ2 の熱分析の
チャート
チャート
【図４】ＣＶＤ装置の概略図
１１ 金属有機化合物と溶媒との混合溶液が入れられる
容器 １２ 気化器 １５ 反応管 １７ 支持体 １８ 真空ポンプ
容器 １２ 気化器 １５ 反応管 １７ 支持体 １８ 真空ポンプ
フロントページの続き (72)発明者 国分 宏 神奈川県愛甲郡愛川町中津字桜台4002番地 株式会社トリケミカル研究所内 (72)発明者 執行 真道 神奈川県愛甲郡愛川町中津字桜台4002番地 株式会社トリケミカル研究所内 (72)発明者 須藤 弘 神奈川県愛甲郡愛川町中津字桜台4002番地 株式会社トリケミカル研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 遊離性の基を持つ金属有機化合物を、こ
の金属有機化合物中の遊離性の基と同じ基を持つ化合物
の液体に添加した後、この溶液に気相化を施し、金属有
機化合物を分解し、支持体上に金属系膜を成長させるこ
とを特徴とする化学気相成長方法。 - 【請求項２】 遊離性の基を持つ金属有機化合物と、金
属有機化合物中の遊離性の基と同じ基を持つ化合物とを
気相化することを特徴とする請求項１の化学気相成長方
法。 - 【請求項３】 遊離性の基を持つ金属有機化合物と、こ
の金属有機化合物中の遊離性の基と同じ基を持つ化合物
とを共に気化位置に輸送し、気化することを特徴とする
請求項１または請求項２の化学気相成長方法。 - 【請求項４】 金属有機化合物は、Ｍn Ｒ1 …Ｒm （式
中、Ｍは金属、Ｒ1…，Ｒm は有機基、酸素原子、窒素
原子、硫黄原子、燐原子、ハロゲン原子、水素原子、及
びシリコン系化合物の基の群の中から選ばれるものであ
り、ｎは１〜４の整数、ｍは１〜８の整数）で表される
金属有機化合物であり、この金属有機化合物が添加され
る液体は、Ｒk 又はＲk ・Ｈ（式中、ｋは１〜８の整
数）で表される化合物の中から選ばれるものであること
を特徴とする請求項１〜請求項３いずれかの化学気相成
長方法。 - 【請求項５】 液体を構成する化合物は、金属有機化合
物における金属Ｍとの間においてＣ−Ｍ結合、Ｎ−Ｍ結
合、Ｏ−Ｍ結合、Ｓ−Ｍ結合、Ｐ−Ｍ結合、及びＳｉ−
Ｍ結合の結合群の中から選ばれる結合が可能なものであ
ることを特徴とする請求項１〜請求項４いずれかの化学
気相成長方法。 - 【請求項６】 金属有機化合物における金属と間接的な
結合により結合できる化合物からなる液体が用いられる
ことを特徴とする請求項１〜請求項５いずれかの化学気
相成長方法。 - 【請求項７】 金属有機化合物の化学気相成長に際して
用いられる溶媒であって、金属有機化合物中の遊離性の
基と同じ基を持つ化合物を含むことを特徴とする化学気
相成長に際して用いられる溶媒。 - 【請求項８】 金属有機化合物は、Ｍn Ｒ1 …Ｒm （式
中、Ｍは金属、Ｒ1…，Ｒm は有機基、酸素原子、窒素
原子、硫黄原子、燐原子、ハロゲン原子、水素原子、及
びシリコン系化合物の基の群の中から選ばれるものであ
り、ｎは１〜４の整数、ｍは１〜８の整数）で表される
金属有機化合物であり、この金属有機化合物に対する溶
媒は、Ｒk 又はＲk ・Ｈ（式中、ｋは１〜８の整数）で
表される化合物の中から選ばれるものであることを特徴
とする請求項７の化学気相成長に際して用いられる溶
媒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6108518A JP2704705B2 (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 化学気相成長方法に用いられる溶液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6108518A JP2704705B2 (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 化学気相成長方法に用いられる溶液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07321039A true JPH07321039A (ja) | 1995-12-08 |
| JP2704705B2 JP2704705B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=14486832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6108518A Expired - Lifetime JP2704705B2 (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 化学気相成長方法に用いられる溶液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2704705B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002194545A (ja) * | 2000-12-22 | 2002-07-10 | Ulvac Japan Ltd | 銅薄膜の化学的気相成長法 |
| US6555165B2 (en) | 1999-12-24 | 2003-04-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming a thin film and a thin film forming apparatus therefor |
| JP2008063665A (ja) * | 2007-10-03 | 2008-03-21 | Canon Anelva Corp | 気相成長装置の異常生成物除去方法 |
| JP2013235869A (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-21 | Ube Ind Ltd | 化合物半導体製造装置から排出される有機金属化合物の捕集装置 |
| JP2019083265A (ja) * | 2017-10-31 | 2019-05-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
| CN114059038A (zh) * | 2020-08-07 | 2022-02-18 | 吕宝源 | 固态金属有机化合物转态方法及其转态系统 |
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1994
- 1994-05-23 JP JP6108518A patent/JP2704705B2/ja not_active Expired - Lifetime
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