JP2596713B2 - 蒸気相トリメチルインジウムを提供する方法 - Google Patents
蒸気相トリメチルインジウムを提供する方法Info
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Description
【０００１】本発明は、金属有機化学蒸着（MOCVD)のよ
うな、エピタキシャル成長法用の蒸気相トリメチルイン
ジウムの均一な線量測定を提供する方法に関する。
うな、エピタキシャル成長法用の蒸気相トリメチルイン
ジウムの均一な線量測定を提供する方法に関する。
【０００２】MOCVD もしくは他のエピタキシャル付着法
用に最も一般的に用いられているインジウム化合物はト
リメチルインジウムである。インジウム源としてトリメ
チルインジウムを用いるエピタキシャル成長により製造
される材料は、例えばＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａ
ＡｌＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／Ａ
ｌＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ及びＩｎＡｓＢｉを含
む。
用に最も一般的に用いられているインジウム化合物はト
リメチルインジウムである。インジウム源としてトリメ
チルインジウムを用いるエピタキシャル成長により製造
される材料は、例えばＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａ
ＡｌＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／Ａ
ｌＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ及びＩｎＡｓＢｉを含
む。
【０００３】インジウム源としてのトリメチルインジウ
ムの公知の固有の欠点は、それが室温において固体であ
るという点である。有機金属蒸気の液体源が固体源より
も好ましい。それは、単にキャリヤーガスを液体に一定
の速度で吹き込むことにより有機金属蒸気の実質的に一
定の部分圧を有する気体流が得られるからである。一
方、固体では、有機金属源が気化すると表面積が絶えず
変化する。さらに、トリメチルインジウムのような固体
は気体通路の表面において再凝縮する傾向にあり、さら
に有機金属化合物の均一な部分圧を提供することがより
困難になる。
ムの公知の固有の欠点は、それが室温において固体であ
るという点である。有機金属蒸気の液体源が固体源より
も好ましい。それは、単にキャリヤーガスを液体に一定
の速度で吹き込むことにより有機金属蒸気の実質的に一
定の部分圧を有する気体流が得られるからである。一
方、固体では、有機金属源が気化すると表面積が絶えず
変化する。さらに、トリメチルインジウムのような固体
は気体通路の表面において再凝縮する傾向にあり、さら
に有機金属化合物の均一な部分圧を提供することがより
困難になる。
【０００４】固体であるトリメチルインジウムは、Ｃ2
〜Ｃ5 アルキルインジウムが室温において液体であるよ
うに、他のトリアルキルインジウムと比べ変則的であ
る。これはトリメチルインジウムが室温において三量体
として存在する結果であり、一方他のトリアルキルイン
ジウムは単量体である。しかしながら、エピタキシャル
成長用に十分高い蒸気圧を与える観点から、比較的高い
蒸気圧を有するトリメチルインジウムが好ましい。
〜Ｃ5 アルキルインジウムが室温において液体であるよ
うに、他のトリアルキルインジウムと比べ変則的であ
る。これはトリメチルインジウムが室温において三量体
として存在する結果であり、一方他のトリアルキルイン
ジウムは単量体である。しかしながら、エピタキシャル
成長用に十分高い蒸気圧を与える観点から、比較的高い
蒸気圧を有するトリメチルインジウムが好ましい。
【０００５】トリメチルインジウムを用いる場合の不均
一な質量流量による複雑化を排除するため多くの試みが
なされてきた。そのあるものは、バブラーによるキャリ
ヤーガスの逆流、テフロンビーズのような不活性材料中
へのトリメチルインジウムの充填、２つ以上連結したト
リメチルインジウムバブラーの使用、及びトリメチルイ
ンジウムが高沸点アミンもしくは高沸点炭化水素に溶解
及び／又は懸濁した「溶液トリメチルインジウム」を含
む。
一な質量流量による複雑化を排除するため多くの試みが
なされてきた。そのあるものは、バブラーによるキャリ
ヤーガスの逆流、テフロンビーズのような不活性材料中
へのトリメチルインジウムの充填、２つ以上連結したト
リメチルインジウムバブラーの使用、及びトリメチルイ
ンジウムが高沸点アミンもしくは高沸点炭化水素に溶解
及び／又は懸濁した「溶液トリメチルインジウム」を含
む。
【０００６】トリメチルインジウムが固体相に残ってい
るこれらの試みは、不均一な質量流量を減少させるが排
除しない。
るこれらの試みは、不均一な質量流量を減少させるが排
除しない。
【０００７】トリメチルインジウムはアミンに溶解する
が、その溶解度は低く、通常約20％であり、多量のトリ
メチルインジウム源が必要である。トリメチルインジウ
ムとのアミン錯体は有利には三量体を分割するが、トリ
メチルインジウムを結合する。エピタキシャル成長は高
蒸気圧不純物が最小であることが必要であるため、高純
度、特に揮発性不純物に関して高純度のアミン溶媒が用
いられる。それにも係わらず、不純物が存在すると、ト
リメチルインジウムと反応し、新規な、より揮発性の高
い不純物が形成する。また、さらに沸点の高いアミンが
気体流中にある程度混入され、製造される材料中に窒素
を導入する。
が、その溶解度は低く、通常約20％であり、多量のトリ
メチルインジウム源が必要である。トリメチルインジウ
ムとのアミン錯体は有利には三量体を分割するが、トリ
メチルインジウムを結合する。エピタキシャル成長は高
蒸気圧不純物が最小であることが必要であるため、高純
度、特に揮発性不純物に関して高純度のアミン溶媒が用
いられる。それにも係わらず、不純物が存在すると、ト
リメチルインジウムと反応し、新規な、より揮発性の高
い不純物が形成する。また、さらに沸点の高いアミンが
気体流中にある程度混入され、製造される材料中に窒素
を導入する。
【０００８】高沸点炭化水素は窒素の問題を回避する。
しかしながら、トリメチルインジウムはアミンよりも炭
化水素への溶解性が低く、トリメチルインジウムは炭化
水素溶媒に溶解するのではなくむしろ分散する。炭化水
素は三量体を分割しないので、気体通路でのトリメチル
インジウムの付着の問題が残っている。また、アミンに
よる場合と同様に、不純物がトリメチルインジウムと反
応し、揮発性不純物を形成する可能性がある。
しかしながら、トリメチルインジウムはアミンよりも炭
化水素への溶解性が低く、トリメチルインジウムは炭化
水素溶媒に溶解するのではなくむしろ分散する。炭化水
素は三量体を分割しないので、気体通路でのトリメチル
インジウムの付着の問題が残っている。また、アミンに
よる場合と同様に、不純物がトリメチルインジウムと反
応し、揮発性不純物を形成する可能性がある。
【０００９】米国特許第 4,720,560号は、２モルのトリ
メチルインジウムを１モルのトリエチルインジウムと混
合し、下式に示すような可逆反応によりエチルジメチル
インジウムを製造することによりこの問題を解決してい
る。 ２Ｍｅ3 Ｉｎ ＋ Ｅｔ3 Ｉｎ → ３ＥｔＭｅ2 Ｉｎ この方法における望ましいインジウム源はトリメチルイ
ンジウムではなくエチルジメチルインジウムである。平
衡は温度に依存し、低温ではこの平衡は右にシフトす
る。従って、混合物を室温以下の温度、例えば約10℃に
保ことが好ましい。そのような低温は、結晶成長に高蒸
気圧が必要である場合に欠点である。温度を高めると、
上記平衡は左にシフトし、エチルジメチルインジウムは
減少する。
メチルインジウムを１モルのトリエチルインジウムと混
合し、下式に示すような可逆反応によりエチルジメチル
インジウムを製造することによりこの問題を解決してい
る。 ２Ｍｅ3 Ｉｎ ＋ Ｅｔ3 Ｉｎ → ３ＥｔＭｅ2 Ｉｎ この方法における望ましいインジウム源はトリメチルイ
ンジウムではなくエチルジメチルインジウムである。平
衡は温度に依存し、低温ではこの平衡は右にシフトす
る。従って、混合物を室温以下の温度、例えば約10℃に
保ことが好ましい。そのような低温は、結晶成長に高蒸
気圧が必要である場合に欠点である。温度を高めると、
上記平衡は左にシフトし、エチルジメチルインジウムは
減少する。
【００１０】本発明により、インジウムの液体源は、Ｃ
3 〜Ｃ5 トリアルキルインジウム又はＣ3 〜Ｃ5 トリア
ルキルインジウムの混合物に溶解されたトリメチルイン
ジウムを含む。この源に吹き込まれた水素もしくはヘリ
ウムのような気体は、単量体形状でトリメチルインジウ
ムを取り出す。
3 〜Ｃ5 トリアルキルインジウム又はＣ3 〜Ｃ5 トリア
ルキルインジウムの混合物に溶解されたトリメチルイン
ジウムを含む。この源に吹き込まれた水素もしくはヘリ
ウムのような気体は、単量体形状でトリメチルインジウ
ムを取り出す。
【００１１】トリメチルインジウムは、Ｃ3 〜Ｃ5 トリ
アルキルインジウムのような高沸点トリアルキルインジ
ウムに対する溶解度が高い。トリメチルインジウム／ト
リエチルインジウム系と同様に、トリメチルインジウム
がトリアルキルインジウムに混入された際に可逆反応が
起きる。 Ｍｅ3 Ｉｎ ＋ （Ｃ3 〜Ｃ5 アルキル)3Ｉｎ → Ｍｅx （Ｃ3 〜Ｃ5 アルキル) (3-x) Ｉｎ （式中、ｘ＝１もしくは２） 従って、２モル以下のトリメチルインジウムを１モルの
Ｃ3 〜Ｃ5 トリアルキルインジウムに溶解することがで
きる。例えば、320gのトリメチルインジウムを286gのト
リブチルインジウムに溶解する。
アルキルインジウムのような高沸点トリアルキルインジ
ウムに対する溶解度が高い。トリメチルインジウム／ト
リエチルインジウム系と同様に、トリメチルインジウム
がトリアルキルインジウムに混入された際に可逆反応が
起きる。 Ｍｅ3 Ｉｎ ＋ （Ｃ3 〜Ｃ5 アルキル)3Ｉｎ → Ｍｅx （Ｃ3 〜Ｃ5 アルキル) (3-x) Ｉｎ （式中、ｘ＝１もしくは２） 従って、２モル以下のトリメチルインジウムを１モルの
Ｃ3 〜Ｃ5 トリアルキルインジウムに溶解することがで
きる。例えば、320gのトリメチルインジウムを286gのト
リブチルインジウムに溶解する。
【００１２】トリプロピルインジウムは溶媒として用い
てもよいが、トリn-ブチルインジウム（b.p.85〜86℃／
0.1mmHg)のようなブチルインジウム、及びトリイソブチ
ルインジウム（b.p.71〜72℃／0.05mmHg）（又はこれら
の異性体トリブチルインジウムの混合物）がその高い沸
点のため好ましい。溶媒は好ましくは高純度であり、例
えば99.999％の純度である。アミンもしくは炭化水素と
比べ、トリメチルインジウム用の溶媒としてのトリアル
キルインジウムの利点は、アミンもしくは炭化水素の場
合トリメチルインジウムと反応し揮発性不純物を形成す
る少量の不純物がすでにトリアルキルインジウムと反応
し、精製肯定において除去される不揮発性不純物もしく
は揮発性不純物を形成することである。また、材料に窒
素を導入するアミンとは異なり、トリアルキルインジウ
ムはトリメチルインジウムに存在するものの他に元素を
導入しない。アミン溶媒と同様に、トリアルキルインジ
ウム溶媒は三量体トリメチルインジウムを気化される形
状である単量体形状に分割する。
てもよいが、トリn-ブチルインジウム（b.p.85〜86℃／
0.1mmHg)のようなブチルインジウム、及びトリイソブチ
ルインジウム（b.p.71〜72℃／0.05mmHg）（又はこれら
の異性体トリブチルインジウムの混合物）がその高い沸
点のため好ましい。溶媒は好ましくは高純度であり、例
えば99.999％の純度である。アミンもしくは炭化水素と
比べ、トリメチルインジウム用の溶媒としてのトリアル
キルインジウムの利点は、アミンもしくは炭化水素の場
合トリメチルインジウムと反応し揮発性不純物を形成す
る少量の不純物がすでにトリアルキルインジウムと反応
し、精製肯定において除去される不揮発性不純物もしく
は揮発性不純物を形成することである。また、材料に窒
素を導入するアミンとは異なり、トリアルキルインジウ
ムはトリメチルインジウムに存在するものの他に元素を
導入しない。アミン溶媒と同様に、トリアルキルインジ
ウム溶媒は三量体トリメチルインジウムを気化される形
状である単量体形状に分割する。
【００１３】米国特許第 4,720,560号に記載されている
トリメチルインジウム／トリエチルインジウム系とは異
なり、本質的に唯一の揮発性成分はトリメチルインジウ
ムである。また、高温において、トリメチルインジウム
の高上記圧が達成されると、平衡は左にシフトし、キャ
リヤーガスにより取り出されるトリメチルインジウムの
量が増す。結果として、バブラーは高温に維持され、17
〜40℃がバブラーの典型的温度である。反応の平衡によ
って定期的に補充される単一の揮発物が存在するため、
キャリヤーガスによって取り出されるトリメチルインジ
ウムの量は、トリメチルインジウムが消耗するまで一定
である。トリメチルインジウムが消耗すると、急激な低
下が起こる。トリメチルインジウムの質量流量が一定で
あるトリメチルインジウム濃度範囲に入れることによ
り、より均一なエピタキシャル成長が達成されるであろ
う。
トリメチルインジウム／トリエチルインジウム系とは異
なり、本質的に唯一の揮発性成分はトリメチルインジウ
ムである。また、高温において、トリメチルインジウム
の高上記圧が達成されると、平衡は左にシフトし、キャ
リヤーガスにより取り出されるトリメチルインジウムの
量が増す。結果として、バブラーは高温に維持され、17
〜40℃がバブラーの典型的温度である。反応の平衡によ
って定期的に補充される単一の揮発物が存在するため、
キャリヤーガスによって取り出されるトリメチルインジ
ウムの量は、トリメチルインジウムが消耗するまで一定
である。トリメチルインジウムが消耗すると、急激な低
下が起こる。トリメチルインジウムの質量流量が一定で
あるトリメチルインジウム濃度範囲に入れることによ
り、より均一なエピタキシャル成長が達成されるであろ
う。
【００１４】トリメチルインジウムのほとんど一定の質
量流量を与えるため、トリメチルインジウムの飽和もし
くはほぼ飽和溶液を最初に提供することが有利である。
量流量を与えるため、トリメチルインジウムの飽和もし
くはほぼ飽和溶液を最初に提供することが有利である。
【００１５】好適なキャリヤーガスは、トリメチルイン
ジウムもしくはトリアルキルインジウム溶媒と反応しな
いものである。水素が好ましいキャリヤーガスである
が、他の気体、例えばヘリウムもしくはアルゴンも用い
てよい。
ジウムもしくはトリアルキルインジウム溶媒と反応しな
いものである。水素が好ましいキャリヤーガスである
が、他の気体、例えばヘリウムもしくはアルゴンも用い
てよい。
【００１６】実施例 本発明を説明するため、以下の実験を行った。窒素を充
填したグローブボックス内で、18g のトリメチルインジ
ウム(0.11 モル）をステンレススチールバブラー内の15
g のトリn-ブチルインジウム(0.05 モル）に溶解した。
無色透明の溶液が得られ、これはＮＭＲによりＢｕＭｅ
2 Ｉｎの組成を示した。トリメチルインジウム（ＴＭ
Ｉ）のさらなる溶解は、沈降し始めるため不可能であっ
た。この溶液の密度は室温において約２g/mLであった。
填したグローブボックス内で、18g のトリメチルインジ
ウム(0.11 モル）をステンレススチールバブラー内の15
g のトリn-ブチルインジウム(0.05 モル）に溶解した。
無色透明の溶液が得られ、これはＮＭＲによりＢｕＭｅ
2 Ｉｎの組成を示した。トリメチルインジウム（ＴＭ
Ｉ）のさらなる溶解は、沈降し始めるため不可能であっ
た。この溶液の密度は室温において約２g/mLであった。
【００１７】この溶液の流れ挙動を調べるために用いた
装置を図１に示す。Ｂｕ3 Ｉｎ／Ｍｅ3 Ｉｎ溶液を含む
ステンレススチール（ＳＳ）バブラー（源）１０の入口
９はライン１２を介して質量流量調節機１６を通り半導
体グレードＮ2 のタンク１４に接続されている。バブラ
ー１０の出口１７はライン１８を介し、他のステンレス
スチールバブラー（受容器）２０の出口１９に接続され
ている。第二のバブラー２０はこの実験において通常と
は逆の配列で用いられ、バブラー１０の出口１７からバ
ブラー２０の出口１９へ流れる。受容器バブラー２０は
−１５〜−２０℃に保たれたこいる冷却器２２により冷
却される。この受容器の入口２４はライン２６を介して
ドライアイス冷却されたトラップ２８に接続され、受容
器２０からの蒸気を凝縮する。このトラップ２８はライ
ン２９を介してＮ2 ガスのバイパスを維持する鉱油バブ
ラー３０に接続されている。
装置を図１に示す。Ｂｕ3 Ｉｎ／Ｍｅ3 Ｉｎ溶液を含む
ステンレススチール（ＳＳ）バブラー（源）１０の入口
９はライン１２を介して質量流量調節機１６を通り半導
体グレードＮ2 のタンク１４に接続されている。バブラ
ー１０の出口１７はライン１８を介し、他のステンレス
スチールバブラー（受容器）２０の出口１９に接続され
ている。第二のバブラー２０はこの実験において通常と
は逆の配列で用いられ、バブラー１０の出口１７からバ
ブラー２０の出口１９へ流れる。受容器バブラー２０は
−１５〜−２０℃に保たれたこいる冷却器２２により冷
却される。この受容器の入口２４はライン２６を介して
ドライアイス冷却されたトラップ２８に接続され、受容
器２０からの蒸気を凝縮する。このトラップ２８はライ
ン２９を介してＮ2 ガスのバイパスを維持する鉱油バブ
ラー３０に接続されている。
【００１８】この装置の他の特徴は、窒素バブラー１０
の入口バルブ３４ａの間の空間を排気するために用いら
れるライン１２内の３方バルブ、ラインを組み立てるた
めのバルブ３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ、３４ｅ、
並びに接続終了後に受容器バルブ３４ｅまでの空間及び
トラップ３０を排気するためライン２９に接続された真
空を含む。
の入口バルブ３４ａの間の空間を排気するために用いら
れるライン１２内の３方バルブ、ラインを組み立てるた
めのバルブ３４ａ、３４ｂ、３４ｃ、３４ｄ、３４ｅ、
並びに接続終了後に受容器バルブ３４ｅまでの空間及び
トラップ３０を排気するためライン２９に接続された真
空を含む。
【００１９】源バブラー１０は約２０℃に維持され、キ
ャリヤーガスが500 SCCMの速度で通される。そのような
速い流速は比較的短時間でバブラー１０のないようぶつ
を消費するため選ばれる。ＴＭＩｎによるキャリヤーガ
スの飽和は約４０％であることが観察された。これはた
ぶん速い流速及びいくらか遅い源温度のためである。キ
ャリヤーガスの飽和は、流速を低下させそして源温度を
３０〜４０℃に高めることにより８０％以上まで容易に
高めることができる。
ャリヤーガスが500 SCCMの速度で通される。そのような
速い流速は比較的短時間でバブラー１０のないようぶつ
を消費するため選ばれる。ＴＭＩｎによるキャリヤーガ
スの飽和は約４０％であることが観察された。これはた
ぶん速い流速及びいくらか遅い源温度のためである。キ
ャリヤーガスの飽和は、流速を低下させそして源温度を
３０〜４０℃に高めることにより８０％以上まで容易に
高めることができる。
【００２０】運ばれるトリメチルインジウムの量は源バ
ブラー内の重量損失によりモニターされる。ＮＭＲスペ
クトルが定期的に得られ、源バブラー及び受容器バブラ
ー内の物質を同定する。このデータは、トリメチルイン
ジウムのみが運ばれることを示した。このことは源バブ
ラー内のメチルピークが徐々に低下することより確認さ
れた。受容器は白色固体トリメチルインジウムを含んで
おり、これはそのＮＭＲにより確認された。
ブラー内の重量損失によりモニターされる。ＮＭＲスペ
クトルが定期的に得られ、源バブラー及び受容器バブラ
ー内の物質を同定する。このデータは、トリメチルイン
ジウムのみが運ばれることを示した。このことは源バブ
ラー内のメチルピークが徐々に低下することより確認さ
れた。受容器は白色固体トリメチルインジウムを含んで
おり、これはそのＮＭＲにより確認された。
【００２１】トリメチルインジウムの線量測定を図２に
示す。ＴＭＩｎの輸送が徐々に低下しながら110 時間ま
で直線の関係が続いた。この実験において、15g のＴＭ
Ｉｎのうち約13g がとても均一に輸送され、これはＴＭ
Ｉｎの最初の量の８５％に相当する。ＴＭＩｎの輸送は
この段階では低下せず、不安定な輸送挙動を示さなかっ
た。ＮＭＲスペクトルは最初の混合物よりも８０％以上
ＴＭＩｎが少ないｎ−Ｂｕ3 Ｉｎに富んだ溶液を示し
た。このデータはＴＭＩｎが一定時間の間一定の速度で
輸送されることを示している。さらに、この均一な輸送
はこの溶液にＴＭＩｎをさらに懸濁することにより高め
られる。
示す。ＴＭＩｎの輸送が徐々に低下しながら110 時間ま
で直線の関係が続いた。この実験において、15g のＴＭ
Ｉｎのうち約13g がとても均一に輸送され、これはＴＭ
Ｉｎの最初の量の８５％に相当する。ＴＭＩｎの輸送は
この段階では低下せず、不安定な輸送挙動を示さなかっ
た。ＮＭＲスペクトルは最初の混合物よりも８０％以上
ＴＭＩｎが少ないｎ−Ｂｕ3 Ｉｎに富んだ溶液を示し
た。このデータはＴＭＩｎが一定時間の間一定の速度で
輸送されることを示している。さらに、この均一な輸送
はこの溶液にＴＭＩｎをさらに懸濁することにより高め
られる。
【図１】本発明において気化されたトリメチルインジウ
ムを輸送するために用いられる装置の線図である。
ムを輸送するために用いられる装置の線図である。
【図２】輸送時間に対する輸送されたトリメチルインジ
ウムの量を示すグラフである。
ウムの量を示すグラフである。
１０…源バブラー １４…窒素タンク １６…質量流量調節機 ２０…受容器バブラー ２８…トラップ ３０…鉱油バブラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベンジャミン シー．フイ アメリカ合衆国，マサチューセッツ 01960，ピーボディ，キャッスル サー クル 25 (56)参考文献 特開 平２−153898（ＪＰ，Ａ) 特表 平６−509389（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】 トリメチルインジウムをＣ3 〜Ｃ5 トリ
アルキルインジウム溶媒に溶解し、溶液を調製するこ
と、及び前記溶液からキャリヤーガスによりトリメチル
インジウムを取り出すことを含む、蒸気相トリメチルイ
ンジウムを提供する方法。 - 【請求項２】 前記溶媒がトリn-ブチルインジウム、ト
リイソブチルインジウム及びこれらの混合物からなる群
より選ばれる、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記トリメチルインジウムが前記溶媒に
対し少なくとも0.05のモル比で溶解される、請求項１記
載の方法。 - 【請求項４】 Ｃ3 〜Ｃ5 トリアルキルインジウム溶媒
及びこの溶媒に溶解したトリメチルインジウムを含む溶
液。 - 【請求項５】 前記トリメチルインジウムが前記溶媒に
対し少なくとも0.05のモル比で溶解されている、請求項
４記載の溶液。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/097,821 US5502227A (en) | 1993-07-27 | 1993-07-27 | Liquid indium source |
| US097821 | 1993-07-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07150357A JPH07150357A (ja) | 1995-06-13 |
| JP2596713B2 true JP2596713B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=22265288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6139979A Expired - Fee Related JP2596713B2 (ja) | 1993-07-27 | 1994-06-22 | 蒸気相トリメチルインジウムを提供する方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5502227A (ja) |
| EP (1) | EP0640610B1 (ja) |
| JP (1) | JP2596713B2 (ja) |
| KR (1) | KR0144640B1 (ja) |
| CA (1) | CA2124052C (ja) |
| DE (1) | DE69424007T2 (ja) |
| TW (1) | TW253888B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5783716A (en) * | 1996-06-28 | 1998-07-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Platinum source compositions for chemical vapor deposition of platinum |
| EP1335415B1 (en) | 2002-01-17 | 2005-08-03 | Shipley Co. L.L.C. | Organoindium compounds for use in chemical vapour deposition processes |
| JP4714422B2 (ja) | 2003-04-05 | 2011-06-29 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | ゲルマニウムを含有するフィルムを堆積させる方法、及び蒸気送達装置 |
| JP4954448B2 (ja) * | 2003-04-05 | 2012-06-13 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 有機金属化合物 |
| JP4689969B2 (ja) * | 2003-04-05 | 2011-06-01 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | Ｉｖａ族およびｖｉａ族化合物の調製 |
| US8170404B2 (en) * | 2004-05-20 | 2012-05-01 | Akzo Nobel N.V. | Bubbler for constant vapor delivery of a solid chemical |
| US20060121192A1 (en) * | 2004-12-02 | 2006-06-08 | Jurcik Benjamin J | Liquid precursor refill system |
| EP3173507A1 (de) * | 2015-11-25 | 2017-05-31 | Umicore AG & Co. KG | Verfahren zur metallorganischen gasphasenabscheidung unter verwendung von lösungen von indiumalkylverbindungen in kohlenwasserstoffen |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4720560A (en) * | 1984-10-25 | 1988-01-19 | Morton Thiokol, Inc. | Hybrid organometallic compounds, particularly for metal organic chemical vapor deposition |
| US4847399A (en) * | 1987-01-23 | 1989-07-11 | Morton Thiokol, Inc. | Process for preparing or purifying Group III-A organometallic compounds |
| GB9116381D0 (en) * | 1991-07-30 | 1991-09-11 | Shell Int Research | Method for deposition of a metal |
-
1993
- 1993-07-27 US US08/097,821 patent/US5502227A/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-05-16 TW TW083104412A patent/TW253888B/zh active
- 1994-05-19 DE DE69424007T patent/DE69424007T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-05-19 EP EP94303593A patent/EP0640610B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-05-20 CA CA002124052A patent/CA2124052C/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-06-10 KR KR1019940013089A patent/KR0144640B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-06-22 JP JP6139979A patent/JP2596713B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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| JPH07150357A (ja) | 1995-06-13 |
| CA2124052C (en) | 1996-11-26 |
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| KR0144640B1 (ko) | 1998-07-15 |
| US5502227A (en) | 1996-03-26 |
| EP0640610A2 (en) | 1995-03-01 |
| EP0640610B1 (en) | 2000-04-19 |
| DE69424007T2 (de) | 2000-09-14 |
| KR950003196A (ko) | 1995-02-16 |
| CA2124052A1 (en) | 1995-01-28 |
| TW253888B (ja) | 1995-08-11 |
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