JP2013235869A - 化合物半導体製造装置から排出される有機金属化合物の捕集装置 - Google Patents
化合物半導体製造装置から排出される有機金属化合物の捕集装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013235869A JP2013235869A JP2012105275A JP2012105275A JP2013235869A JP 2013235869 A JP2013235869 A JP 2013235869A JP 2012105275 A JP2012105275 A JP 2012105275A JP 2012105275 A JP2012105275 A JP 2012105275A JP 2013235869 A JP2013235869 A JP 2013235869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- semiconductor manufacturing
- organometallic compound
- manufacturing apparatus
- organometallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】 本発明の課題は、有機金属化合物供給装置と、
当該供給装置から供給される有機金属化合物を基板上に化合物半導体を堆積させる化合物半導体製造装置と、
当該製造装置から排出される未反応の有機金属化合物を捕集する捕集装置と、
未反応の金属化合物が捕集されたガスを大気中に放出するガス排出部
が順次接続された半導体製造装置において、
前記捕集装置が、その内部にアミン化合物を含み、かつ化合物半導体製造装置から排出されるガスがアミン化合物中を通過させる構造となっていることを特徴とする、化合物半導体製造装置から排出される有機金属化合物の捕集装置によって解決される。
【選択図】 図1
Description
これに対して、液化して捕集する方法では、単に有機金属化合物がその活性を保ったまま液化したに過ぎないため、その後の操作を全て大気中にさらすことなく行わなければならず、操作そのものが煩雑となるという問題があった。
当該供給装置から供給される有機金属化合物を基板上に化合物半導体を堆積させる化合物半導体製造装置と、
当該製造装置から排出される未反応の有機金属化合物を捕集する捕集装置と、
未反応の金属化合物が捕集されたガスを大気中に放出するガス排出部
が順次接続された半導体製造装置において、
前記捕集装置が、その内部にアミン化合物を含み、かつ化合物半導体製造装置から排出されるガスがアミン化合物中を通過させる構造となっていることを特徴とする、化合物半導体製造装置から排出される有機金属化合物の捕集装置によって解決される。
当該供給装置から供給される有機金属化合物を基板上に化合物半導体を堆積させる化合物半導体製造装置と、
当該製造装置から排出される未反応の有機金属化合物を捕集する捕集装置と、
未反応の有機金属化合物が捕集された排ガスを大気中に放出するガス排出部
が順次接続された半導体製造装置において、
前記捕集装置が、その内部にアミン化合物を含み、かつ化合物半導体製造装置から排出されるガスがアミン化合物中を通過させる構造となっていることを特徴とする、化合物半導体製造装置から排出される有機金属化合物の捕集装置に係るものである。
本発明で使用される有機金属化合物供給装置とは、化合物半導体製造装置へ有機金属化合物を供給できるものならば特に限定されないが、具体的には、有機金属化合物を移送するためのキャリアーガス導入管、キャリアーガスと有機金属化合物とが同伴して化合物半導体製造装置へ供給されるための導出管とが備えられ、内部に有機金属化合物が充填されたものが挙げられる。
本発明で使用される化合物半導体製造装置とは、供給装置から供給される有機金属化合物を基板上に化合物半導体を堆積させることができるものならば特に限定されないが、具体的には、有機金属化合物供給装置からキャリアーガスと同伴される有機金属化合物が供給される供給管、化合物半導体を製造させるための成膜対象物(基板)、及び未反応の有機金属化合物やその分解物を導出する排出する配管を供えたものが挙げられる。
本発明の捕集装置とは、化合物半導体装置から排出される未反応の有機金属化合物を捕集する装置であり、具体的には、化合物半導体製造装置から排出される未反応有機金属化合物を含むガスを捕集装置に導入する導入管と、未反応の有機金属化合物が除去されたガスを導出される導出管とが備えられ、内部にアミン化合物が充填されたものが挙げられる。
本発明のガス排出部とは、未反応の金属化合物が捕集されたガスを大気中に放出する部位のことであり、その形状はガスを大気中に放出できるための十分な大きさと長さがあれば特に限定されず、半導体製造装置の設置場所やその周辺の環境により適宜調整できる。
本発明の半導体製造装置とは、前記の有機金属化合物供給装置、化合物半導体製造装置、捕集装置、及びガス排出部が順次接続されたものである。
有機金属化合物;トリメチルガリウム
アミン化合物;トリ(n−オクチル)アミン
アミノ基/ガリウム(モル比);1.20
圧力;常圧
温度;24→43℃(昇温)
捕集率;96.0%
有機金属化合物;トリメチルガリウム
アミン化合物;N,N,N’,N’−テトラブチル−1,6−ヘキサメチレンジアミン
アミノ基/ガリウム(モル比);1.36
圧力;常圧
温度;25→49℃(昇温)
捕集率;96.4%
有機金属化合物;トリメチルガリウム
アミン化合物;トリ(n−オクチル)アミン
アミノ基/ガリウム(モル比);0.50
圧力;常圧
温度;25→45℃(昇温)
捕集率;96.0%
有機金属化合物;トリメチルガリウム
アミン化合物;トリ(n−オクチル)アミン
アミノ基/ガリウム(モル比);1.0
圧力;67.6kPa
温度;27→55℃(昇温)
捕集率;94.2%
有機金属化合物;トリメチルガリウム
アミン化合物;トリ(n−オクチル)アミン
アミノ基/ガリウム(モル比);1.56
圧力;67.6kPa
温度;28→56℃(昇温)
捕集率;98.6%
有機金属化合物;トリメチルアルミニウム
アミン化合物;トリ(n−オクチル)アミン
アミノ基/ガリウム(モル比);1.05
圧力;133.3kPa
温度;26→35℃(昇温)
捕集率;52.5%
有機金属化合物;トリメチルアルミニウム
アミン化合物;N,N,N’,N’−テトラブチル−1,6−ヘキサメチレンジアミン
アミノ基/ガリウム(モル比);1.5
圧力;133.3kPa
温度;24→34℃(昇温)
捕集率;48.4%
有機金属化合物;トリメチルアルミニウム
アミン化合物;トリ(n−オクチル)アミン
アミノ基/ガリウム(モル比);1.55
圧力;133.3kPa
温度;28→34℃(昇温)
捕集率;66.7%
有機金属化合物;トリメチルアルミニウム
アミン化合物;トリ(n−オクチル)アミン
アミノ基/ガリウム(モル比);4.6
圧力;133.3kPa
温度;24→29℃(昇温)
捕集率;86.2%
有機金属化合物;トリメチルアルミニウム
アミン化合物;トリ(n−オクチル)アミン
アミノ基/ガリウム(モル比);5.3
圧力;常圧
温度;28℃(昇温)
捕集率;99.5%
有機金属化合物;ジエチル亜鉛
アミン化合物;トリ(n−オクチル)アミン
アミノ基/ガリウム(モル比);3.2
圧力;常圧
温度;28℃(昇温)
捕集率;93.5%
2 有機金属化合物
3 アミン化合物
Claims (7)
- 有機金属化合物供給装置と、
当該供給装置から供給される有機金属化合物を基板上に化合物半導体を堆積させる化合物半導体製造装置と、
当該製造装置から排出される未反応の有機金属化合物を捕集する捕集装置と、
未反応の金属化合物が捕集されたガスを大気中に放出するガス排出部
が順次接続された半導体製造装置において、
前記捕集装置が、その内部にアミン化合物を含み、かつ化合物半導体製造装置から排出されるガスがアミン化合物中を通過させる構造となっていることを特徴とする、化合物半導体製造装置から排出される有機金属化合物の捕集装置。 - 有機金属化合物の捕集装置において、化合物半導体製造装置から排ガスを導入する導入管が、アミン化合物の液面下に設置され、未反応の有機金属化合物が除去されたガスを導出される導出管がアミン化合物の液面上に設置されている請求項1記載の捕集装置。
- 有機金属化合物が、有機ガリウム化合物、有機インジウム化合物、有機アルミニウム化合物、有機亜鉛化合物又は有機マグネシウム化合物である請求項1記載の捕集装置。
- アミン化合物が、トリオクチルアミン又はN,N,N’,N’−テトラブチル−1,6−ヘキサメチレンジアミン、それらの混合物である請求項1記載の捕集装置。
- アミン化合物の使用量が、化合物半導体製造装置から排出されるガス中の有機金属化合物1モルに対して、アミノ基換算で1モル以上である請求項1記載の捕集装置。
- 請求項1乃至5のいずれか記載の装置を使用して化合物半導体製造装置から排出される排ガスから有機金属化合物を捕集する方法。
- 請求項6で得られた捕集液から有機金属化合物を取得する、有機金属化合物の回収方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012105275A JP5880264B2 (ja) | 2012-05-02 | 2012-05-02 | 化合物半導体製造装置から排出される有機金属化合物の捕集装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012105275A JP5880264B2 (ja) | 2012-05-02 | 2012-05-02 | 化合物半導体製造装置から排出される有機金属化合物の捕集装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013235869A true JP2013235869A (ja) | 2013-11-21 |
JP5880264B2 JP5880264B2 (ja) | 2016-03-08 |
Family
ID=49761779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012105275A Expired - Fee Related JP5880264B2 (ja) | 2012-05-02 | 2012-05-02 | 化合物半導体製造装置から排出される有機金属化合物の捕集装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5880264B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110343124A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-10-18 | 苏州普耀光电材料有限公司 | 一种采用混合配位剂解配三甲基镓的方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01232732A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-18 | Seisan Gijutsu Shinko Kyokai | 半導体結晶製造方法 |
JPH07321039A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Tori Chem Kenkyusho:Kk | 化学気相成長方法及びこれに用いられる溶媒 |
JPH08155259A (ja) * | 1994-12-07 | 1996-06-18 | Nippon Sanso Kk | 有害ガスの除害方法及び除害剤 |
JP2002053961A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-19 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | Mocvd用の有機金属化合物のリサイクル方法 |
JP2006508798A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-03-16 | アドヴァンスド テクノロジー マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造プロセス廃棄物流からの有毒ガス成分を除去するための方法及び装置 |
JP2011125840A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | アミド含有3級アミン化合物及びそれを用いた白金族金属分離回収 |
-
2012
- 2012-05-02 JP JP2012105275A patent/JP5880264B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01232732A (ja) * | 1988-03-14 | 1989-09-18 | Seisan Gijutsu Shinko Kyokai | 半導体結晶製造方法 |
JPH07321039A (ja) * | 1994-05-23 | 1995-12-08 | Tori Chem Kenkyusho:Kk | 化学気相成長方法及びこれに用いられる溶媒 |
JPH08155259A (ja) * | 1994-12-07 | 1996-06-18 | Nippon Sanso Kk | 有害ガスの除害方法及び除害剤 |
JP2002053961A (ja) * | 2000-08-03 | 2002-02-19 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | Mocvd用の有機金属化合物のリサイクル方法 |
JP2006508798A (ja) * | 2002-12-09 | 2006-03-16 | アドヴァンスド テクノロジー マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造プロセス廃棄物流からの有毒ガス成分を除去するための方法及び装置 |
JP2011125840A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | アミド含有3級アミン化合物及びそれを用いた白金族金属分離回収 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110343124A (zh) * | 2019-07-31 | 2019-10-18 | 苏州普耀光电材料有限公司 | 一种采用混合配位剂解配三甲基镓的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5880264B2 (ja) | 2016-03-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Zhu et al. | Liquid organic and inorganic chemical hydrides for high-capacity hydrogen storage | |
Richter et al. | From metal hydrides to metal borohydrides | |
Buchanan et al. | Synthesis and stabilization—Advances in organoalkaline earth metal chemistry | |
KR101221861B1 (ko) | 금속 전구체 및 이를 이용하여 제조된 금속 함유 박막 | |
Vinal et al. | The Reduction of Nickel (II) Halides by Trialkyl Phosphites | |
US9764961B2 (en) | Cyclohexasilane | |
JP2009215291A (ja) | 水素貯蔵物質としての有機−遷移金属ハイドライドの改善された製造方法 | |
Li et al. | ZIF-8@ Co-doped boronate ester polymer core-shell particles: Catalytically enhancing the nonflammability and smoke suppression of epoxy resin | |
WO2016203887A1 (ja) | 新規な化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法 | |
JP5880264B2 (ja) | 化合物半導体製造装置から排出される有機金属化合物の捕集装置 | |
JP5250503B2 (ja) | 水素貯蔵物質としてアリール又はアルキルを含む有機−遷移金属ハイドライドのより改善された製造方法 | |
CN104117273A (zh) | 由氮化镓类化合物半导体的制造工序排出的废气的处理方法 | |
CN103772429A (zh) | 次磷酸钠生产工艺中副产物磷化氢制备双(2,4,4-三甲基戊基)次膦酸的方法 | |
KR102375179B1 (ko) | 알콕사이드 화합물, 박막 형성용 원료, 박막의 제조방법 및 알코올 화합물 | |
Woen et al. | Mechanochemical C–H bond activation: Synthesis of the tuckover hydrides,(C5Me5) 2Ln (μ-H)(μ-η1: η5-CH2C5Me4) Ln (C5Me5) from solvent-free reactions of (C5Me5) 2Ln (μ-Ph) 2BPh2 with KC5Me5 | |
JP2011116681A (ja) | 錯体および水素生成方法 | |
JP2016172894A (ja) | 鉄系膜形成材料および鉄系膜形成方法 | |
JPH0393603A (ja) | ジボランの製造方法 | |
CN108383809B (zh) | 一种硼氢化合物thf·b3h7的制备方法 | |
EP2542557A1 (en) | Adsorbent for removing metal compounds and method for same | |
Hu et al. | Cadmium (II) Complexes with 2, 2′‐Dithiodibenzoate Ligand: Syntheses, Crystal Structures, and Emission Properties | |
TWI633061B (zh) | 鎂系構材形成材料、鎂系構材形成方法以及新穎化合物 | |
Gilbert et al. | (Pentamethylcyclopentadienyl) iridium polyhydride complexes: synthesis of intermediates in the mechanism of formation of (pentamethylcyclopentadienyl) iridium tetrahydride and the preparation of several iridium (V) compounds | |
WO2016021385A1 (ja) | アルコキシド化合物、薄膜形成用原料、薄膜の形成方法及びアルコール化合物 | |
KR101187353B1 (ko) | 신규의 인듐 디알킬글리신 화합물 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150330 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151208 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20151208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5880264 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |